專利名稱::光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及一種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備。尤其是,本發(fā)明涉及一種包含本發(fā)明設(shè)備的由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)液體透鏡。
背景技術(shù):
:光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備是能夠改變?nèi)肷涔馐詫?shí)現(xiàn)特定光學(xué)功能的設(shè)備。它們包括可變焦的液體透鏡、光學(xué)薄膜(opticaldiaphragm)、光學(xué)變焦鏡頭(opticalzoom)、眼科設(shè)備,并且在許多用途和裝置中,例如舉例來(lái)說(shuō),照相機(jī)、手機(jī)、測(cè)距儀、內(nèi)窺鏡、牙科攝像機(jī)等,它們?cè)絹?lái)越被倡導(dǎo)。在歐洲專利EP-Bl-l,166,157中舉例描述了一種由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)并且具有可變焦距的光學(xué)透鏡,該文獻(xiàn)的內(nèi)容在此通過(guò)引用并入。本申請(qǐng)的圖1對(duì)應(yīng)于該專利的圖12。一個(gè)元件由包含底板7、9以及頂板1的流體腔,以及垂直(與之正交)、或基本垂直(與之正交)的軸A確定。非平面的底板包含圓錐形或圓柱形的洼坑或凹穴3,其包含不導(dǎo)電或絕緣的流體4。沿軸A,該元件的剩余部分充滿了電學(xué)上可替換的導(dǎo)電流體5。在彎液面(A,B)上方接觸時(shí),這些流體是不可混溶的,并且具有不同的折射率和基本上相同的密度。該單元包含電絕緣襯底2,其被設(shè)置在底板的至少一個(gè)區(qū)域上,在該電絕緣襯底上,兩種流體相互接觸。該絕緣襯底的厚度優(yōu)選在約0.lum和約100nm之間。通常,在低電壓下工作的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備使用低厚度,而高電壓應(yīng)用中使用厚的絕緣襯底。在圖1上,絕緣襯底覆蓋了整個(gè)底板,但是它也可以被限制到其上兩種流體相互接觸的底板區(qū)域。通過(guò)該絕緣襯底,使第一電極與導(dǎo)電流體和絕緣流體分離。在該實(shí)例中,底板包含充當(dāng)?shù)谝浑姌O的導(dǎo)電體7以及用于通過(guò)光束的透明窗體9。圖1中的導(dǎo)電體用于使非導(dǎo)電流體集中。另一電極8與導(dǎo)電流體接觸。在第一和第二電極之間施加電壓V時(shí),絕緣襯底被導(dǎo)電流體的濕潤(rùn)性發(fā)生改變,使得通過(guò)電潤(rùn)濕現(xiàn)象,可以根據(jù)施加于電極之間的電壓V來(lái)改變彎液面(meniscus)的形狀。因此,根據(jù)所施加的電壓,穿過(guò)該元件,在液滴范圍內(nèi)與板正交的光束會(huì)被聚焦到更高或更低的程度。電壓V可以從0伏特增加至最高電壓,該最高電壓取決于所使用的材料。例如,當(dāng)電壓增加時(shí),非導(dǎo)電流體液滴4變形,從而達(dá)到極限位置(指定為B)。當(dāng)液滴4從其位置A(靜止位置,無(wú)張力,與導(dǎo)電流體5的凹狀分界面)變形到其位置B(與導(dǎo)電流體5的凸?fàn)罘纸缑?時(shí),液體透鏡的焦點(diǎn)發(fā)生改變。導(dǎo)電流體通常是含鹽的水流體(aqueousfluid)。絕緣流體典型地為油、烷烴或垸烴混合物,它們可以是鹵化的。光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的光學(xué)質(zhì)量可以在使用條件中根據(jù)各種參數(shù)來(lái)變化。重要的是,由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)液體透鏡可能存在焦點(diǎn)滯后(focalhysteresis),這是指它們的光功率隨著斜坡電壓方向(增加或減少)而變化。換句話說(shuō),根據(jù)張力是否增加或降低并且導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體之間的分界面是否相對(duì)于元件軸向外或向內(nèi)移動(dòng),給定電壓值下的設(shè)備焦距可以是不同的。己經(jīng)發(fā)現(xiàn),該現(xiàn)象和接觸角滯后有關(guān)。最終己經(jīng)發(fā)現(xiàn),光學(xué)質(zhì)量的退化和這種滯后有關(guān)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種具有改進(jìn)光學(xué)性質(zhì)的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備。本發(fā)明的另一目標(biāo)在于提供這樣一種設(shè)備,其具有低焦點(diǎn)滯后和/或角度滯后或者沒(méi)有焦點(diǎn)滯后和/或角度滯后。本發(fā)明的另一目標(biāo)在于提供這樣一種設(shè)備,它可在寬溫度范圍內(nèi)使用然而卻保持其低滯后性質(zhì)或零滯后性質(zhì)。另一目標(biāo)在于提供這樣一種設(shè)備,其在寬溫度范圍內(nèi),在斜坡電壓方向(voltagerampdirection)上無(wú)論是在增加方向還是在減少方向上對(duì)電脈沖的時(shí)間響應(yīng)至少保持基本不變。另一個(gè)目標(biāo)在于提供這樣一種設(shè)備,在寬溫度范圍內(nèi),其例如透明度的光學(xué)性質(zhì)至少保持基本不變。仍有的另一目標(biāo)在于提供這樣一種設(shè)備,其能被用作可變焦的液體透鏡、光學(xué)薄膜、光學(xué)變焦鏡頭以及任何其它在內(nèi)部或外部環(huán)境中使用電潤(rùn)濕的光學(xué)設(shè)備。一方面,本發(fā)明涉及一種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體(所述流體不可混合)以及絕緣襯底,兩種流體在該襯底上接觸并且形成三重分界面,其中,介于-1CTC和+6(TC之間,優(yōu)選約-20。C和約+7(TC之間的溫度范圍內(nèi),在導(dǎo)電流體存在下,非導(dǎo)電流體在襯底上的自然接觸角0n介于O。和約20°之間,優(yōu)選在O。以上并且約20°,更優(yōu)選在約5。和約20°之間,最優(yōu)選在約5。和約16°之間。本發(fā)明的具體實(shí)施方案可進(jìn)一步包含一個(gè)或多個(gè)以下特征-該設(shè)備包含用于對(duì)導(dǎo)電流體施加交變張力或者允許對(duì)導(dǎo)電流體施加交變張力的器具;-絕緣襯底均勻地排列在底板上;-該絕緣襯底包含透明材料或者由透明材料制成;-該絕緣襯底由一頂層構(gòu)成或者包含一頂層,該頂層由可被非導(dǎo)電流體潤(rùn)濕的材料制成;-所述可被非導(dǎo)電流體潤(rùn)濕的材料是疏水性的;_所述可被非導(dǎo)電流體潤(rùn)濕的材料具有與導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體相適應(yīng)的表面能,以致于能提供在根據(jù)本發(fā)明范圍內(nèi)的天然接觸角;-在介于-10。C和+6(TC之間,優(yōu)選約-20。C和約+70。C之間的溫度范圍內(nèi),自然接觸角(以及在這方面領(lǐng)域的技術(shù)人員據(jù)此對(duì)所述材料和流體作出的選擇)保持在上述范圍內(nèi);-三重分界面是圓形的。參照?qǐng)D3,當(dāng)不施加電壓時(shí),非導(dǎo)電流體102在存在有導(dǎo)電流體101的平面襯底103上的自然接觸角en(數(shù)字標(biāo)號(hào)105)通過(guò)平面襯底切線106和非導(dǎo)電流體表面的切線107之間形成的角度來(lái)限定,兩個(gè)角度都在襯底和兩種流體之間的三重分界面104的點(diǎn)上測(cè)得。如同本說(shuō)明書中將會(huì)出現(xiàn)的那樣,光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備中的絕緣襯底可以不是平面的并且可以優(yōu)選存在凹槽。然而,根據(jù)本發(fā)明的自然接觸角是在用與最終設(shè)備絕緣襯底相同的材料制成的平面襯底上所測(cè)得的接觸角。自然接觸角可以在室溫比如說(shuō)約20和約25i:之間測(cè)量。它也可以在所述使用溫度范圍內(nèi)的各種溫度下測(cè)定。向?qū)щ娏黧w施加電壓促進(jìn)了導(dǎo)電流體對(duì)襯底的潤(rùn)濕性。這導(dǎo)致了三重分界面的形變,以及非導(dǎo)電流體相對(duì)于絕緣襯底接觸角的變化,和前面一樣,該接觸角由形成于絕緣襯底切線和非導(dǎo)電流體表面切線之間的角度來(lái)限定,兩個(gè)角度都在絕緣襯底和兩種流體之間三重分界面的點(diǎn)上測(cè)得。接觸角的變化引起由流體-流體界面限定的彎液面形狀的改變,從而使設(shè)備的焦距發(fā)生改變。隨著自然接觸角處于所述范圍之內(nèi),接觸角滯后和焦點(diǎn)滯后保持低水平,接近零或者等于零。接觸角滯后可以被認(rèn)為是在上升斜坡電壓(voltageramp)和下降斜坡電壓之間的給定電壓值下,絕緣襯底上非導(dǎo)電流體接觸角的差異。根據(jù)特征,接觸角滯后保持低于如以下表示的給定值△Cos0n=|cosei-cos62l《約0.06,優(yōu)選《約0.04,更優(yōu)選《約0.02,其中e,和02是對(duì)于相同的電壓值,在三重分界面的點(diǎn)上測(cè)得的形成于襯底切線和非導(dǎo)電流體表面切線之間的角度,9,是上升斜坡電壓方向上的值,02是下降斜坡電壓方向上的值。根據(jù)特征,選擇絕緣襯底的表面能與流體的性質(zhì)相適應(yīng),從而能產(chǎn)生所述范圍之內(nèi)的自然接觸角。在一個(gè)有利的特征中,非導(dǎo)電流體包括表面張力Y^接近于絕緣襯底表面能的組分。在另一特征中,非導(dǎo)電流體具有接近于絕緣襯底表面能的表面張力Y"在一個(gè)優(yōu)選的特征中,非導(dǎo)電流體或者所述非導(dǎo)電流體組分的表面張力h和絕緣襯底表面能之間的差異dst在約-15《dst《約+15mN/m(毫牛頓/米)的范圍內(nèi),優(yōu)選所述表面能在約-12《cL《約+12mN/m的范圍內(nèi)。表面育b包括色散分量(dispersivecomponent)禾口豐及'性分量(polarcomponent),極性分量也稱為表面極性。在一個(gè)優(yōu)選的特征中,絕緣襯底具有低表面極性或低極性分量。優(yōu)選地,襯底極性分量盡可能地低,典型地介于0和約4niN/m之間。更優(yōu)選地,其介于0和約2mN/m之間。可以根據(jù)F.M.Fowkes,A.C.S.Advancesinchemistryseries,43,(1964),99—111以及ArthurW.Adamson,PhysicalChemistryofsurfaces,Wiley,第五版(1990)中所公開的方法來(lái)測(cè)量極性分量。在一個(gè)特征中,絕緣襯底具有高于約30niN/m的表面能。在另一個(gè)特征中,絕緣襯底具有低于約30mN/m的表面能。在另一個(gè)特征中,絕緣襯底由絕緣材料制成。該材料可被存在于導(dǎo)電流體中的非導(dǎo)電流體潤(rùn)濕,使得自然接觸角介于0。和約20°之間。在另一特征中,絕緣襯底包含絕緣材料和頂層,該頂層由可被存在于導(dǎo)電流體中的非導(dǎo)電流體潤(rùn)濕的材料制成,從而使得自然接觸角介于0。和約20°之間。有利地,自然接觸角在零度以上。當(dāng)自然接觸角等于零度或非常接近于零度時(shí),油可以在疏水表面完全鋪開。在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備中,尤其是在使用低粘度流體時(shí),油最終可以遷移出從圓錐形凹槽,并且隨著時(shí)間的過(guò)去,該設(shè)備的規(guī)格可以變化。因此,當(dāng)使用低粘度流體時(shí),使用具有高于零度的自然接觸角的流體是特別有利的。有利地,光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備由交變電流(AC)而非連續(xù)張力(直流電流DC)來(lái)驅(qū)動(dòng)。該特殊的特征使得導(dǎo)電流體中非導(dǎo)電流體液滴的接觸角滯后降低,并且因此導(dǎo)致光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的光功率滯后降低。該現(xiàn)象已經(jīng)用實(shí)驗(yàn)方法觀察到并且在理論上被描述為一種在流體前線(fluidfrontline)和襯底之間的分界面降低摩擦的方式。絕緣襯底在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備中,舉例來(lái)說(shuō)例如在由電潤(rùn)濕控制的光學(xué)液體透鏡中,絕緣并且疏水的層(一層或多層)與非導(dǎo)電流體(通常是非極性的有機(jī)液相)以及導(dǎo)電流體(通常是極性相)相接觸。在可能的最寬溫度范圍內(nèi),理想地在-40'C和85'C之間,當(dāng)絕緣層與所述兩種不同流體(極性相和非極性相)接觸時(shí),隨著時(shí)間的流逝必須要保持它的介電性質(zhì)(介電常數(shù)、擊穿電壓、損耗因數(shù))。此外,絕緣疏水層(一層或多層)應(yīng)當(dāng)與所述存于光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備中的兩種流體不發(fā)生物理和化學(xué)作用或者僅存在有限的物理和化學(xué)作用。此外,在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的窗體上,待涂布到表面上的疏水層必須促進(jìn)導(dǎo)電流體中非導(dǎo)電流體的濕潤(rùn)。根據(jù)本發(fā)明,光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,所述頂層由具有一個(gè)或更多個(gè)以下特征的材料制成-該材料是電學(xué)上絕緣的介電材料;-該材料是疏水的和/或具有低極性,優(yōu)選介于約OmN/m和約4mN/m之間的極性;_該絕緣材料是具有低的相對(duì)介電常數(shù)"的聚合物,當(dāng)用作可潤(rùn)濕表面時(shí)優(yōu)選在1kHz下低于約3.5,或者該絕緣材料是具有高的相對(duì)介電常數(shù)er的無(wú)機(jī)層,優(yōu)選在1kHz下大于約3.5并且被疏水材料層覆蓋;-該絕緣材料具有高擊穿電壓,典型地大于約lMV/cm,有利地大于約2MV/cm,從而使短路風(fēng)險(xiǎn)最小化并且增加該電介質(zhì)的壽命;-該絕緣材料具有低損耗因數(shù)D,典型地低于約0.05,目的在于提供一種低消耗的設(shè)備;_在寬時(shí)間段以及寬溫度范圍內(nèi),尤其是-4(TC至+85t:之間,該材料具有高可靠性(即,不會(huì)損壞);_該材料和導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體沒(méi)有物理和化學(xué)作用或者僅僅只有有限的物理和化學(xué)作用,即,其對(duì)大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)具有高度抵抗性;_該材料不具有吸水性或者僅具有有限的吸水性,典型地小于約0.3%/24h;-在-4(TC和+85。C之間,該材料不溶于導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體;-該材料具有高透明度(在可見光波長(zhǎng)中透射率〉90%)和/或低的光學(xué)色散;-為了避免在流體的存在下絕緣襯底的自發(fā)分層,該材料在底板上具有優(yōu)良的粘附力,典型地根據(jù)粘附試驗(yàn)ASTMD3359-02優(yōu)于或等于3B;_該材料具有低紫外線和可見光吸收以限制(優(yōu)選避免)光線照射設(shè)備期間溫度的上升并且阻止/避免絕緣襯底和接觸的流體間的化學(xué)反應(yīng);-該材料具有高熔點(diǎn)以及高的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度,優(yōu)選高于85i:。在一個(gè)特征中,該絕緣襯底用作底板上的涂層。這種底板可由任何適當(dāng)材料例如金屬、聚合物或無(wú)機(jī)材料制成,適當(dāng)材料在沉積過(guò)程期間不會(huì)損壞并且具有其用途所必須的其它性質(zhì),比如在透鏡所要求的透明度范圍之內(nèi)的透明度。每種材料可以與通常用于改善涂布粘附力的偶聯(lián)劑相關(guān)聯(lián)。這種偶聯(lián)劑在涂布過(guò)程之前被置于底板上。在本說(shuō)明書中,對(duì)于導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體之一或者它們兩者,以及對(duì)于光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的全部部分和所述光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的整體,透明度應(yīng)被理解為在約400nm至約700nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)透射率大于約96%和/或相同波長(zhǎng)范圍內(nèi)在圍繞直接入射方向約60°(度)的圓錐體中散射能小于約2%。在一個(gè)特征中,包含表面張力等于或高于(優(yōu)選高于)約28mN/m的化合物的非導(dǎo)電流體與具有高表面能(典型地等于或大于約30mN/m)的絕緣襯底(例如聚對(duì)二甲苯(parylene)型聚合物、二乙烯基硅氧烷-苯并環(huán)丁烯型聚合物等)一起使用。在另一特征中,包含表面張力等于或小于(優(yōu)選小于)約28mN/m的化合物的非導(dǎo)電流體與具有低表面能(典型地等于或小于約30mN/m)的絕緣襯底(例如TeflonAF,Cytop⑧等)一起使用。在一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,高表面能(典型地大于約50mN/m)的絕緣材料有利地涂布有疏水材料,該疏水材料典型地具有小于約45mN/m的表面能,以及典型地小于約2mN/m的低極性。以下顯示了絕緣的和/或疏水的材料實(shí)例絕緣材料二氧化硅(Si02);氮化硅(Si3N》;鈦酸鋇(Bariumtitaniumoxide)(BaTi03);二氧化鉿(Hf0》;鉿石(HfSi0》;氧化鋯(Zr02);氧化鉭(TaA);氧化鈦(Ti02);鈦酸鍶鋇(Bariumstrontiumtitaniumoxide)(BaSrTi03);鈦酸鍶(Strontiumtitaniumoxide)(SrTi03);氧化鋁(A1203);氧化鑭(LaA);氧化釔(YA);絕緣溶膠凝膠(sol-gel),例如基于硅氧垸(siliconalkoxide)的那些;"旋涂式玻璃",例如來(lái)自Honeywell的Accuglass⑧;SSQ,即,多孔有機(jī)硅酸鹽膜材料(倍半硅氧垸);MSSQ,即,多孔有機(jī)硅酸鹽膜材料(甲基倍半硅氧烷);聚酰亞胺聚合物;氟化聚酰亞胺聚合物;SiLK半導(dǎo)體電介質(zhì)樹脂(DowChemicalCompany的商標(biāo));摻氟的氧化硅,即,氟硅酸鹽玻璃(例如FSG);氟化無(wú)定形碳薄膜(a-C:F)。絕緣且疏水的材料硅氧烷聚合物PDSM;無(wú)定形氟代聚合物,例如來(lái)自DuPont的TeflonAF1600和AF1601;聚(亞芳基醚);氟化聚(亞芳基醚);氟化或非氟化的對(duì)苯二甲基直鏈聚合物,比如聚對(duì)二甲苯,例如ParyleneC、ParyleneF或ParyleneAF_4、ParyleneVT-4、ParyieneN或Parylene無(wú)定形氟代聚合物,例如來(lái)自AsahiGlassCo的Cytop;來(lái)自Solvay的Hyflon⑧聚合物;芳族乙烯基硅氧烷聚合物,例如來(lái)自DowChemical的二乙烯基硅氧烷-苯并環(huán)丁烯(DVS-BCB)聚合物;金剛石狀碳(DLC);聚(四氟乙烯);聚乙烯;聚丙烯;氟乙烯丙烯聚合物;聚萘;氟化聚萘;硅氧垸狀聚合物膜Si0AHz。應(yīng)當(dāng)理解,絕緣襯底可以包含一種、兩種或更多種以上所列的材料。根據(jù)另一具體實(shí)施方案,絕緣襯底也可以包含一種或更多種抗氧劑。作為示例性的例子,絕緣襯底由頂層構(gòu)成或包含頂層,該頂層由一種或多種可以選自以下材料的材料制成-對(duì)苯二甲基直鏈聚合物,例如通過(guò)在約13(TC至約175。C之間的溫度下蒸發(fā)二對(duì)苯二甲基二聚物,在約600至約70(TC之間的溫度下將該二聚物氣體焦化(pyrolization)成為對(duì)苯二甲基的單體,冷凝并且聚合成透明聚合物膜從而制備的那些聚合物。實(shí)例包括*根據(jù)上述方法獲得的ParyleneC*類似于ParyleneC的ParyleneN,區(qū)別在于氯原子被氫原子取代;*類似于ParyleneN的ParyleneF(或者來(lái)自SpecialtyCoatingsSystems作為ParyleneHT⑧商品化的ParyleneAF-4),區(qū)別在于甲基被氟代甲基取代;以及*ParyleneVT-4,它是一種結(jié)構(gòu)與ParyleneF類似的聚(四氟對(duì)苯二甲基),區(qū)別在于重復(fù)單元中的四個(gè)原子連接于苯環(huán),而不是連接于脂肪族的C原子;-四氟乙烯和2,2-雙(三氟甲基)-4,5-二氟間二氧雜環(huán)戊烯的共聚物狀的氟化聚合物,例如來(lái)自Dupont的名稱TeflonAF1601和TeflonAF1600商品化的那些;這些聚合物溶解于氟化溶劑例如來(lái)自3M的FC40或FC75中。可以通過(guò)旋涂或者浸涂來(lái)沉積該聚合物溶液并且在溶劑蒸發(fā)之后形成聚合物膜;-芳族乙烯基硅氧烷型聚合物,例如二乙烯基硅氧烷-苯并環(huán)丁烯聚合物(也稱為DVS-BCB或BenzoCycloButene或Cyclotene,來(lái)自DowChemical)。該聚合物可以被旋涂或者浸涂到襯底上,并且該聚合物可以由焙烘法形成;聚合反應(yīng)是熱活化的,并且相當(dāng)于來(lái)自兩種單體的乙烯基(OC)和環(huán)丁烯基之間的選擇性反應(yīng);-環(huán)狀全氟型聚合物,例如來(lái)自AsahiGlassCo.的Cytop,它是一種帶有全氟呋喃基的全氟聚合物,其由全氟(烯基乙烯基醚)的環(huán)化聚合而獲得?!?1叩@是一種無(wú)定形氟化聚合物,因此類似于TeflonAF并且溶解于氟化溶劑中??梢杂眯炕蚪砍练e聚合物溶液并且在溶劑蒸發(fā)之后形成聚合物膜。根據(jù)特征,優(yōu)選的絕緣材料選自Teflor^、聚對(duì)二甲苯、芳族乙烯基硅氧垸型聚合物以及環(huán)狀全氟型聚合物。特別優(yōu)選的絕緣材料是ParyleneN、ParyleneC、ParyleneF或ParyleneAF_4、ParyleneVT_4、DVS-BCB聚合物、Cytop。最優(yōu)選的絕緣材料選自ParyleneF或ParyleneAF-4、ParyleneVT-4、DVS-BCB聚合物以及Cytop,特別優(yōu)選的是ParyleneF或ParyleneAF-4以及DVS-BCB聚合物。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案,絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由ParyleneF(或ParyleneAF-4[聚(a,a,a',a,-四氟對(duì)苯二甲基)])或者ParyleneHTTM(氟代聚對(duì)二甲苯狀ParyleneF或ParyleneAF-4)制成,它們都由SCS(SpecialtyCoatingSystems)出售,ParyleneF對(duì)應(yīng)于下式的氟代聚合物ParyleneF是具有低損耗因數(shù)(在60Hz下D=0.0002并且在1kHz下D=0.002),以及約31mN/m±lmN/m的表面能,并且具有低極性表面能分量(<2mN/m)的優(yōu)良絕緣體。ParyleneF(或ParyleneAF-4)膜的厚度d介于約0.5ym和約10ym之間,具有約2.2至約2.4范圍的相對(duì)介電常數(shù)£r(參見Harms等人的Proceedingsofthesymposiumonsemiconductorsandintegratedcircuitstechnology,52,(1997),76;S.Dabral等人,J.Vac.Sci,Technolo,Bll(5),(1193),1825)。ParyleneF或ParyleneAF-4是一種在可見光波長(zhǎng)中透明的聚合物,并且也可以有利地用作涂布于光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備(尤其是由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡)窗體上的疏水層。考慮到ParyleneF或ParyleneAF-4(或ParyleneHTTM)的光學(xué)性質(zhì),一個(gè)重要的方面在于和傳統(tǒng)的對(duì)UV波長(zhǎng)光線很敏感的聚對(duì)二甲苯(例如ParyleneN、C和D)相比,這種氟化聚對(duì)二甲苯在UV波長(zhǎng)光線下很穩(wěn)定。此外,ParyleneF(或AF-4),以及ParyleneHTTM,在與導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體兩者相接觸時(shí),能及時(shí)地顯示出可靠的介電性能并且在高溫下(85"C)顯示出可靠的介電性能。ParyleneF也是一種具有極低吸水(濕氣)性(根據(jù)ASTMD570,在23t下和水接觸24h之后,小于約<0.01%)的極低極性聚合物,并且因此其最有利地用于作為和水接觸的介電層的用途。此外,ParyleneF膜已經(jīng)顯示出對(duì)大多數(shù)化學(xué)物質(zhì),尤其是對(duì)大多數(shù)非導(dǎo)電流體(如可被用于電潤(rùn)濕用途中液態(tài)配方的氯代芳族烷烴和烯烴或者更普遍地說(shuō)鹵代芳族烷烴)的高抵抗性。如果有必要,ParyleneF在電潤(rùn)濕設(shè)備的底板,或襯底上的粘附可以通過(guò)位于底板(或襯底)以及PairleneF層之間的助粘劑來(lái)控制。助粘劑可以是氟化硅垸或非氟化硅烷。例如在一個(gè)CVD(化學(xué)汽相淀積)涂布步驟工藝中,使用ParyleneF能在相同的材料中形成具有所要求的介電性質(zhì)及疏水性質(zhì)的層。包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體(所述流體不可混合)以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底(其中該絕緣襯底包含ParyleneF(或ParyleneAF-4))的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備是新穎的,并且形成了本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)。尤其是,ParyleneF已經(jīng)被證明是低壓應(yīng)用的很好方法。確實(shí),在電潤(rùn)濕設(shè)備領(lǐng)域并且尤其是在由電潤(rùn)濕現(xiàn)象控制的光學(xué)液體透鏡領(lǐng)域,獲得在可能最低的電壓下工作的設(shè)備是一個(gè)重要的問(wèn)題。進(jìn)一步地,固化膜的介電常數(shù)在1kHz下為約2.2,這使得ParyleneF甚至在低厚度下(〈1000nm)成為具有低損耗因數(shù)(在60Hz和-1kHz下,D=0.0002-0.002)的低-k材料。這種低損耗因數(shù)對(duì)于及時(shí)獲得可靠介電層來(lái)說(shuō)是非常的重要,因?yàn)樵摰蛽p耗因數(shù)限制了電場(chǎng)中的熱擊穿電壓。ParyleneF也是一種具有極低吸水性(<0.01%)的極低極性的聚合物,其對(duì)于和水接觸的介電層用途來(lái)說(shuō)可能非常有利。低吸水性可以在可為低厚度(<1000nm)而增強(qiáng)的電場(chǎng)下限制水樹(watertreeing)現(xiàn)象。吸水性也可以是低劣的介電性能可靠性的形成原因(routecause)。換句話說(shuō),相比于其它可吸收更多水分的聚合物,低吸水性能可以改善介電疏水層的可靠性。進(jìn)一步地,與其它非氟化聚合物相比,ParyleneF是部分氟化的,這使得它與有機(jī)流體或非氟化流體的相互作用更低。與其它非氟化聚合物相比,這改善了該種介電疏水層的可靠性。這使得ParyleneF對(duì)大多數(shù)非氟化流體具有高度抵抗性,并且這使得ParyleneF可用作對(duì)大多數(shù)非極性流體(例如可被用于電潤(rùn)濕用途中液體配方的氯代芳族烷烴和烯烴,或者更普遍地說(shuō)鹵代芳族垸烴)具有抵抗性的絕緣疏水層。此外,由于ParyleneF是部分氟化的,所以與其它疏水聚合物相比,在與液體接觸(極性液體和非極性液體)時(shí),低極性表面能材料性能的可靠性得到了改善。圖6顯示了一個(gè)用ParyleneF層制造的、在20V左右工作的液體透鏡的光功率實(shí)例。申請(qǐng)人已經(jīng)證明,使用ParyleneF,依據(jù)液體配方的界面張力,光學(xué)液體透鏡可以在低到10V乃至低于IOV的電壓下工作。如同已經(jīng)提到的那樣,ParyleneVT-4是聚(四氟對(duì)苯二甲基),并且,例如由J.J.Senkevich等人的Polymer,41,(2000),2379-2390所公開。ParyleneVT-4可由下式表示200780007347.7說(shuō)明書第12/49頁(yè)根據(jù)另一具體實(shí)施方案,絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由芳族乙烯基硅氧烷聚合物制成,所述芳族乙烯基硅氧烷聚合物舉例來(lái)說(shuō)例如二乙烯基硅氧烷-苯并環(huán)丁烯聚合物,也稱為DVS-BCB或Cyclotene⑧,其由DowChemical出售,該聚合物的單體具有下式DVS-BCB是表面能為約36mN/m的低表面極性的聚合物,并且也是一種在可見光波長(zhǎng)下透明的聚合物。DVS-BCB是一種極低極性樹脂,還具有極低吸濕性(根據(jù)ASTMD570,在23'C下與水接觸24h之后,<0.23%)。在lMHz下,DVS-BCB聚合物固化膜的相對(duì)介電常數(shù)^為約2.6至約2.7,這使DVS-BCB聚合物成為一種具有低損耗因數(shù)(在lGHz下D=0.0008并且在20GHz下D^0.002)的低-k材料(g卩,具有低的相對(duì)介電常數(shù)、的材料也稱為"k")。充分固化的DVS-BCB聚合物膜對(duì)大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)具有高度抵抗性,這使得它們難以被除去。DVS-BCB聚合物是一種對(duì)大多數(shù)非導(dǎo)電流體具有抵抗性的絕緣疏水層,可用于電潤(rùn)濕運(yùn)用中液體配方的所述非導(dǎo)電流體例如為氯代芳族烷烴和烯烴或者更普遍地說(shuō)鹵代芳族烷烴。此外,DVS-BCB聚合物與導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體接觸時(shí),能及時(shí)地顯示出高可靠性的介電性能并且在高溫下(85'C)顯示出高可靠性的介電性能。如果有必要,DVS-BCB聚合物在電潤(rùn)濕設(shè)備的底板,或襯底上的粘附可以通過(guò)位于底板(或襯底)和DVS-BCB聚合物層之間的助粘劑來(lái)控制。該助粘劑是,例如,被稱為AP3000@(來(lái)自DowChemicals)的水解乙烯基三乙酰氧基硅垸(0.3重量%)的1-甲氧基-2-丙醇(丙二醇單甲醚)溶液。使用DVS-BCB聚合物使得能例如在一個(gè)旋涂步驟工藝中,在相同的材料中形成具有所需介電性質(zhì)和疏水性質(zhì)的層。包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體(所述流體不可混合)以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底(其中該絕緣襯底包含DVS-BCB聚合物)的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備是新穎的并且形成了本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)。根據(jù)進(jìn)一步的具體實(shí)施方案,絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或包含頂層,該頂層由環(huán)狀全氟聚合物制成。這種環(huán)狀全氟聚合物的實(shí)例是〔^1:叩(環(huán)狀透明光學(xué)聚合物),其通過(guò)全氟代(烯基乙烯醚)的環(huán)化聚合而獲得,并且由Asahi61&55出售?!?1:(^的結(jié)構(gòu)式為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>是一種無(wú)定形的含氟聚合物,其無(wú)定形狀態(tài)提供了超過(guò)95%的極高透明度。[71叩具有低折射率(111)=1.34)以及低的光學(xué)色散(阿貝數(shù)值90)。Cytop⑧同樣具有約2.1的低的相對(duì)介電常數(shù)^,以及超過(guò)1017Q.cm的體積電阻率,這使其成為一種電潤(rùn)濕用途的優(yōu)良絕緣材料。作為無(wú)定形含氟聚合物,Cytop⑧可溶于大部分的氟化溶劑中,并且可以通過(guò)旋涂或浸涂以薄膜形式施加直到其厚度為約0.1um。此外,就耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性,基本上無(wú)吸水性,約2.1至2.2的極低的相對(duì)介電常數(shù)e"從60Hz到lMHz)和約0.0007的極低的損耗因數(shù)D,以及低極性的約19mN/m的表面能這些方面而言,01:叩具有優(yōu)異的性能。為了在這種襯底上調(diào)整粘附力和最優(yōu)化粘附力,可以通過(guò)混合這種不同等級(jí)或者通過(guò)使用特定等級(jí)來(lái)使用Cytop⑧材料。如果有必要,Cytop⑧在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的底板,或者襯底上的粘附可以通過(guò)底板(或襯底)和071叩層之間的助粘劑,或者通過(guò)混合不同等級(jí)的(^1叩或使用特定等級(jí)的Cytop⑧進(jìn)行控制以調(diào)整襯底上的粘附力和最優(yōu)化粘附力。使用071叩@使得能例如在一個(gè)旋涂步驟工藝中,用相同的材料形成具有所需介電性質(zhì)和疏水性質(zhì)的層。包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體(所述流體不可混合)以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底(其中該絕緣襯底包含通過(guò)全氟(烯基乙烯基醚)聚合物的環(huán)化聚合而獲得的全氟聚合物)的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備是新穎的,并且形成了本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)。非導(dǎo)電流體根據(jù)另一特征,非導(dǎo)電流體包含有機(jī)或無(wú)機(jī)(inorganic/mineral)化合物或它們的混合物。這種有機(jī)或無(wú)機(jī)化合物的實(shí)例包括Si基單體或低聚物、Ge基單體或低聚物、Si-Ge基單體或低聚物、烴、或者它們的混合物。烴可以是直鏈的或枝化的,并且可以包含一個(gè)或更多個(gè)飽和、不飽和或部分不飽和的環(huán)狀部分。該烴有利地具有約10至約35個(gè)碳原子,優(yōu)選約15至約35個(gè)碳原子。較不優(yōu)選小于約10個(gè)碳原子的烴,因?yàn)槠淇赡軙?huì)混合入導(dǎo)電流體中。烴可以包含一個(gè)或更多個(gè)雙鍵或三鍵形式的不飽和。考慮到UV輻射分解的風(fēng)險(xiǎn),不優(yōu)選多于2或3個(gè)的雙鍵或三鍵。優(yōu)選烴不包含任何的雙鍵或三鍵,在這種情況下,本說(shuō)明書中將該烴稱為垸烴。烴可以進(jìn)一步包含作為間斷烴鏈和/或環(huán)的取代基和/或原子或原子團(tuán)的一個(gè)或更多個(gè)雜原子。這種雜原子包括,但不限于氧、硫、氮、磷、鹵素(主要如氟、氯、溴和/或碘)。應(yīng)當(dāng)注意,一個(gè)或更多個(gè)雜原子的存在不應(yīng)該影響到兩種流體的不可混合性。可以使用包含大于約99.8%的垸烴的混合物。這些混合物可以包含低于約1重量%(優(yōu)選低于約0.5%)比率的少量芳族基團(tuán)和/或不飽和部分。在所述垸烴中也可以存在氯,其比率低于約10重量%,優(yōu)選低于約7%。例如,當(dāng)由蒸餾法獲得垸烴時(shí),這種雜質(zhì)也可以作為源自烷烴制備的副產(chǎn)物而存在。根據(jù)本發(fā)明的各種特征,烴是,或者包含-直鏈或枝化的烷烴,例如癸烷(QoH22)、十二烷(。12!124)、異三十院(C30H62)等;-包含一個(gè)或更多個(gè)環(huán)的垸烴,例如叔丁基環(huán)己烷(C^H2。)等;-稠環(huán)系統(tǒng),例如a-氯萘、Ol-溴萘、順,反-十氫萘(d()H,8)等;-烴,例如可以作為IsoparV、IsoparP(來(lái)自ExxonMobil)獲得的那些物質(zhì)等的混合物。在本申請(qǐng)中,低聚物是具有許多相同(均聚低聚物)或不同(共聚低聚物)重復(fù)單元的化合物,該重復(fù)單元的數(shù)量在約2和約20之間,優(yōu)選在約2和約10之間,并且仍然更優(yōu)選在約2和約5之間。較不優(yōu)選具有大于約20個(gè)重復(fù)單元的低聚物,這是因?yàn)樗鼈兛赡茉诘蜏叵乱鸩黄谕恼扯壬仙?。非?dǎo)電流體可以包含一種或幾種以下的硅基化合物-式la、lb或lc的硅氧烷<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中Rl、R2和R'各自獨(dú)立地表示烷基、(雜)芳基、(雜)芳烷基、(雜)芳烯基或(雜)芳炔基,并且n介于約1和約20之間,優(yōu)選約1和約10之間,更優(yōu)選n是l、2、3、4或5,并且精確地說(shuō),式lc中n大于2;-式2的硅垸<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中R1、R2和R'如上定義,并且m介于約l和約20之間,優(yōu)選約1和約10之間,更優(yōu)選m是l、2或3;-式3的甲硅垸<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中Rl和R2如上定義,并且每一R3和R4獨(dú)立地表示烷基、(雜)芳基、(雜)芳垸基、(雜)芳烯基或(雜)芳炔基。在以上式中-烷基是指具有約1至約10個(gè)碳原子,優(yōu)選約1至約6個(gè)碳原子的直鏈或枝化的烷基;優(yōu)選垸基包括甲基、乙基、正丙基、異丙基;垸基可以被鹵代,例如可以包含U,l-三氟丙基;.(雜)芳基是指芳族或雜芳族的基團(tuán),其包含約5至約12個(gè)原子,形成至少一個(gè)(優(yōu)選一個(gè))芳族和/或雜芳族的環(huán),所述環(huán)任選被一個(gè)或更多個(gè)鹵素,優(yōu)選被l、2、3個(gè)鹵素原子(主要是氟、氯和/或溴)取代,并且任選與一個(gè)或更多個(gè)飽和、部分飽和或不飽和環(huán)狀系統(tǒng)稠合;優(yōu)選的(雜)芳基包括任選被1、2或3個(gè)鹵素原子取代的苯基或萘基;(雜)芳烷基中的烷基和(雜)芳基如上定義;優(yōu)選的(雜)芳垸基包括任選被1、2或3個(gè)鹵素原子取代的芐基、苯乙基;(雜)芳烯基和(雜)芳炔基對(duì)應(yīng)于這樣的基團(tuán)其中(雜)芳基部分如上定義,并且烯基和炔基分別表示進(jìn)一步包含一個(gè)或更多個(gè),優(yōu)選一個(gè)雙鍵或一個(gè)或更多個(gè),優(yōu)選一個(gè)三鍵的如上定義的直鏈或枝化的垸基。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案,在以上式la、lb和2中,全部R'相同或不同,并且優(yōu)選為甲基或鹵代烷基;根據(jù)一個(gè)進(jìn)一步的優(yōu)選具體實(shí)施方案,以上式la、lb和2中,全部R'都相同,更優(yōu)選每一R'是甲基。非導(dǎo)電流體可以包含一種或幾種以下的具體Si基物質(zhì)-六甲基二硅烷、二苯基二甲基硅垸、氯苯基三甲基硅垸、苯基三甲基硅烷,-苯乙基三(三甲基硅氧基)硅烷、苯基三(三甲基硅氧基)硅垸、聚二甲基硅氧垸、四苯基四甲基三硅氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基硅氧烷)、3,5,7-三苯基九甲基五硅氧烷、3,5-二苯基八甲基四硅氧垸、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三硅氧垸以及六甲基環(huán)三硅氧垸。非導(dǎo)電流體可以包含一種或幾種以下的鍺烷類物質(zhì)-式4的鍺氧烷(germanoxane)_式5的鍺烷式6的鍺烷丄PLR1、,R2(R')3GetO—ef0—Ge(R')3(R')3Ge—Ge—Ge(R')3R241^25R4,、R36其中R'、Rl、R2、R3、R4和n如上定義。非導(dǎo)電流體可以包含一種或幾種以下的具體鍺烷類物質(zhì)六甲基二鍺垸、二苯基二甲基鍺垸、苯基三甲基鍺烷。根據(jù)另一特征,非導(dǎo)電流體包含至少一種Si-和/或Ge-基化合物,該化合物被一個(gè)或更多個(gè)苯基和/或如氟代或非氟代烷基(乙基、正丙基、正丁基)、直鏈或枝化的烷基、氯代或溴代苯基、苯甲基、鹵代苯甲基的其它基團(tuán)所取代;或者包含Si-和/或Ge-基化合物的混合物,在該混合物中,至少一個(gè)化合物被一個(gè)或更多個(gè)苯基和/或如氟代或非氟代垸基(乙基、正丙基、正丁基)、直鏈或枝化的烷基、氯代或溴代苯基、苯甲基、鹵代苯甲基的其它基團(tuán)所取代。在一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,當(dāng)非導(dǎo)電流體包含硅氧烷化合物,尤其是芳基硅氧烷化合物時(shí),所述化合物中芳基(例如苯基)原子團(tuán)或基團(tuán)的總數(shù)與Si原子總數(shù)之比等于或小于約1.33,優(yōu)選等于或小于1,并且更優(yōu)選等于或小于約0.8。當(dāng)在有含水導(dǎo)電流體參與的情況下,芳基(例如苯基)原子團(tuán)或基團(tuán)與Si原子的比率大于約1.33的Si-基化合物在受到熱應(yīng)力之后會(huì)變得模糊。這種油類的濁度值通常高于約1000NTU。使用其中芳基(例如苯基原子團(tuán)或基團(tuán))總數(shù)與Si原子總數(shù)之比等于或小于約1.33,優(yōu)選地,小于約1,并且更優(yōu)選小于約0.8的經(jīng)選擇的Si-基化合物,例如硅氧烷或硅垸,有利地為芳基硅氧垸,導(dǎo)致濁度降低至小于約200NTU,對(duì)用于光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,例如光學(xué)透鏡來(lái)說(shuō),這是一個(gè)可接受值。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)特征,非導(dǎo)電流體包含潤(rùn)濕劑以增加所述^l體在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的絕緣襯底上的可潤(rùn)濕性。潤(rùn)濕劑的性能將取決于所述絕緣襯底表面的性能。仍然根據(jù)另一特征,作為非導(dǎo)電流體主要組分的有機(jī)或無(wú)機(jī)(inorganic/mineral)化合物或其混合物,它們本身可以具有對(duì)于襯底或涂層的濕潤(rùn)性,例如具有上述芳基單鍺垸化合物的情形,或者也可以包含存在這種性能的組分。因此,當(dāng)使用特定襯底或涂層時(shí),有機(jī)或無(wú)機(jī)(inorganic/mineral)化合物其本身可以是潤(rùn)濕劑。下表1、2和3中列舉了在Parylene或07^(^6116@或者其它具有高表面能(>30mN/m)的非導(dǎo)電材料上的有機(jī)或無(wú)機(jī)(inorganic/mineral)化合物-和/或潤(rùn)濕劑的實(shí)例0^是指"導(dǎo)電流體")。-表1-<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>*:CF1是如表6中定義的導(dǎo)電流體1-表2-<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>以下表4和5中列舉了在TeflonAF或0>^叩@或者其它具有低表面能(<30mN/m)的材料上的有機(jī)或無(wú)機(jī)(inorganic/mineral)化合物-和/或潤(rùn)濕劑的實(shí)例<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>潤(rùn)濕劑可以是單鹵代芳族化合物、a,co-二鹵代烷基化合物或它們的混合物。在一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含l-溴-4-乙基苯、ot,co-二氯辛烷或者它們的混合物作為潤(rùn)濕劑。在ParyleneC,或者在其它具有高表面能(>30mN/m)的材料上的潤(rùn)濕劑中,優(yōu)選式(i)或式(n)的那些潤(rùn)濕劑或者它們的混合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>其中-X、W和XZ是鹵原子(主要是氟、氯和/或溴);-A是任選被鹵原子取代的,并且任選包含一個(gè)或更多個(gè),優(yōu)選一個(gè)雙鍵,和/或一個(gè)或更多個(gè),優(yōu)選一個(gè)三鍵的直鏈或枝化的(CrC2o)亞烷基;-Ak是d-Qo烷基,優(yōu)選d-C6烷基,例如甲基、乙基、丙基、以及直鏈或枝化的丁基、戊基和己基;國(guó)p和q各自選自1、2、3、4或5,條件是p+q是2、3、4、5或6。優(yōu)選地,X、^和X^蟲立地為Cl或Br。Ak優(yōu)選表示乙基。式(I)的實(shí)例包括表l中所列的化合物。式(II)的實(shí)例包括表2中所列的化合物。當(dāng)與含水導(dǎo)電流體接觸時(shí),式(i)和式(n)的化合物對(duì)水解顯示出優(yōu)良的抵抗力,并且它們是特別適當(dāng)?shù)臐?rùn)濕劑。在一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含a,Q)-二氯辛烷作為抗水解潤(rùn)濕劑。在另一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含l-溴-4-乙基苯作為抗水解潤(rùn)濕劑。非導(dǎo)電流體中鹵代基團(tuán)的存在可以促進(jìn)自然接觸角的降低。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)在上述非導(dǎo)電流體組分中發(fā)現(xiàn)許多鹵代的物質(zhì),并且為了根據(jù)本發(fā)明調(diào)節(jié)自然接觸角,本領(lǐng)域技術(shù)人員可能在非導(dǎo)電流體中使用這些物質(zhì)。在另一優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含殺生物劑化合物,其可以和任選存在于導(dǎo)電流體中的殺生物劑相同或不同。在另一優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含抗氧劑。己經(jīng)在光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備中觀察到,在非導(dǎo)電流體中加入抗氧劑可以在陽(yáng)光實(shí)驗(yàn)期間的紫外線照射下防止疏水涂層性能的退化。這種特別的效果穩(wěn)定了設(shè)備的滯后并且從而增加了設(shè)備的可靠性。此外,該對(duì)紫外線照射的保護(hù)使在設(shè)備上安裝紫外線濾光器變得不必要,這降低了生產(chǎn)成本并且簡(jiǎn)化了裝配工藝。在另一優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體包含丁基化的羥基甲苯(BHT)作為抗氧劑。在TeflonAF或€)^(^@或者其它具有低表面能(<30mN/m)的材料上的潤(rùn)濕劑之中,式(m)或式(iv)的那些潤(rùn)濕劑或者它們的混合物是適當(dāng)?shù)木唧w實(shí)施方案-(III)具有低于1的苯基與硅原子比率的硅氧烷;(IV)X3-An其中XS是鹵代原子(優(yōu)選氟、氯或溴)或者氫;并且An是n個(gè)碳原子的烴或氟代烴,n是從約6至約12的整數(shù)??寡鮿┗衔锇ū绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知的那些,并且,例如BHT型(丁化的羥基甲苯)抗氧劑,例如2,6-二叔丁基-4-甲酚。導(dǎo)電流體根據(jù)另一特征,導(dǎo)電流體包含水以及為所述流體賦予導(dǎo)電性能的至少一種有機(jī)或無(wú)機(jī)離子,典型地為至少一種有機(jī)或無(wú)機(jī)離子的或可電離的鹽,或者它們的混合物。在以下說(shuō)明書中,"離子鹽"是指在水中完全或基本完全解離的鹽(例如溴陰離子和陽(yáng)離子)。"可電離鹽"是指在化學(xué)、物理或物理化學(xué)處理之后,在水中完全或基本上完全解離的鹽。本發(fā)明中適合的離子包括陽(yáng)離子和陰離子兩種,它們可以同時(shí)(然而并非必須)一起存在于導(dǎo)電流體中。陰離子的實(shí)例包括,但不限于鹵素離子,例如,氯離子、溴離子、碘離子、硫酸根離子、碳酸根離子、碳酸氫根離子、乙酸根離子等,以及它們的混合物。陽(yáng)離子的實(shí)例包括,但不限于堿性陽(yáng)離子、堿土陽(yáng)離子以及金屬的陽(yáng)離子。有機(jī)和無(wú)機(jī)離子的和可電離的鹽在本領(lǐng)域中眾所周知,這些鹽的實(shí)例包括,但不限于乙酸鉀、氯化鎂、溴化鋅、溴化鋰、溴化鈉、氯化鋰、氯化鈣、硫酸鈉等,以及它們的混合物。本發(fā)明也包含一種或更多種離子鹽和一種或更多種可電離鹽一起的混合物。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特別優(yōu)選的具體實(shí)施方案,存在于導(dǎo)電流體中的鹽是硫酸鈉、乙酸鉀、溴化鋅、溴化鈉或溴化鋰,以及它們的混合物,并且更優(yōu)選硫酸鈉、乙酸鉀、溴化鈉或溴化鋰,以及它們的混合物。如同已經(jīng)提到的那樣,導(dǎo)電流體包含有機(jī)離子或無(wú)機(jī)離子的或可電離的鹽。所述鹽溶于水中。用于導(dǎo)電流體的水應(yīng)該盡可能的純,即,沒(méi)有或基本上沒(méi)有能夠改變光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備(即由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡)光學(xué)性質(zhì)的任何其它溶解的組分。最優(yōu)選使用超高純的水。導(dǎo)電流體中溶解的鹽的濃度可以有很大比例的不同,但是要切記過(guò)高的濃度可能導(dǎo)致密度、折射率、混濁度、霧度(haze)不期望地增加,或者光學(xué)設(shè)備、透鏡的透明度的降低。根據(jù)另一特征,導(dǎo)電流體包含至少一種傳統(tǒng)的凝固點(diǎn)降低劑(freezing-pointloweringagent)。作為凝固點(diǎn)降低劑,可以提及的有醇、乙二醇、乙二醇醚、多元醇、聚醚多元醇等,或它們的混合物。它們的實(shí)例包括以下試劑乙醇、乙二醇、丙二醇(MPG或l,2-丙垸-二醇)、1,3-丙二醇、1,2,3-丙三醇(甘油)等,以及它們的混合物。根據(jù)另一個(gè)特征,導(dǎo)電流體包含至少一種粘度控制劑??捎糜诒景l(fā)明的粘度控制劑可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何類型并且可有利地為醇、乙二醇、乙二醇醚、多元醇、聚醚多元醇等,或者它們的混合物。它們的實(shí)例包括以下試劑乙醇、乙二醇、丙二醇(MPG)、1,2,3-丙三醇(甘油)等,以及它們的混合物。在一個(gè)優(yōu)選具體實(shí)施方案中,粘度控制劑具有小于約130g/mol的分子粘度控制劑可以與凝固點(diǎn)降低劑相同或不同。根據(jù)一個(gè)特征,導(dǎo)電流體包含一種同時(shí)為凝固點(diǎn)降低劑和粘度控制劑的試劑。根據(jù)仍有的另一個(gè)特征,尤其是在由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的透鏡的情形中,為了防止會(huì)使光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的光學(xué)性質(zhì)惡化的有機(jī)成分(例如細(xì)菌、真菌、藻、微藻等)的生長(zhǎng),導(dǎo)電流體有利地包含殺生物劑。這種殺生物劑可以是本領(lǐng)域中已知的任何種類,與凝固點(diǎn)降低劑和粘度控制劑的情況一樣,條件是它不改變導(dǎo)電流體的所需光學(xué)性質(zhì)(透明度、折射率等,如上所述)。殺生物劑化合物包括那些通常已知并且用于本領(lǐng)域的化合物,例如2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮(MIT)、1,2-苯并異噻唑啉-3-酮(BIT)、殺菌劑。傳統(tǒng)的抗紫外線劑也可以存在于導(dǎo)電流體、非導(dǎo)電流體或者這兩種流體中。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施方案,包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體的多相組合物在約-10。C至約+6(TC,優(yōu)選約-20。C至約+6(TC,更優(yōu)選約-2(TC至約+70'C的溫度范圍內(nèi),該組合物具有約1.5cSt和約40cSt之間,優(yōu)選約1.5cSt和約20cSt之間,更優(yōu)選約3cSt和約10cSt之間的算術(shù)平均運(yùn)動(dòng)粘度。在本申請(qǐng)中,運(yùn)動(dòng)粘度根據(jù)ASTMD7042-04來(lái)測(cè)量。在確定的溫度下,例如在-20'C、-IO'C、+60°(:或+70°。下和/或在介于-10°(:和-20°(:之間、以及+60°〇或+701:之間的溫度范圍內(nèi)的中間值下,測(cè)定轉(zhuǎn)子和定子之間液體的阻力??梢允褂肁ntonPaarSVM3000型粘度計(jì),并且參照EP-B1-0926481。這些文獻(xiàn)的內(nèi)容在此通過(guò)引用并入。算術(shù)平均運(yùn)動(dòng)粘度是使用上述方法分別測(cè)得的導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體運(yùn)動(dòng)粘度的數(shù)學(xué)平均值。根據(jù)另一個(gè)特征,在約-l(TC和約+60'C之間,優(yōu)選約-2(rC和約+6(TC之間,更優(yōu)選約-20'C和約+7(TC之間的溫度范圍內(nèi),導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體之間的粘度差異介于0cSt和約±10cSt之間,優(yōu)選0cSt和約±5cSt之間。根據(jù)另一個(gè)特征,非導(dǎo)電流體和導(dǎo)電流體具有基本相同的密度。這意味著容許密度差異可以在小范圍內(nèi)變化。典型地,優(yōu)選在2(TC下密度差異不大于約3.10—3g/cm3。根據(jù)另一特征,非導(dǎo)電流體和導(dǎo)電流體是透明的(如上定義),并且各自具有彼此不同的折射率。兩種流體的折射率差異有利地為約士0.03至約±0.8,優(yōu)選約±0.04至約±0.6,更優(yōu)選約±0.06至約±0.3。在一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方案中,非導(dǎo)電流體的折射率大于導(dǎo)電流體的折射率。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施方案,本發(fā)明的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備包含由頂層構(gòu)成、或者包含頂層的絕緣襯底,包含水和有機(jī)或無(wú)機(jī)鹽的導(dǎo)電流體,以及包含鹵代垸烴(一種或多種)和減硅氧烷油(一種或多種)的非導(dǎo)電流體,其中所述頂層由對(duì)二甲苯線性聚合物,優(yōu)選聚對(duì)二甲苯,更優(yōu)選ParyleneC、paryleneD、ParyleneN、ParyleneF或AF-4、或ParyleneVT-4,更優(yōu)選ParyleneC、PaiyleneN或ParyleneF來(lái)審喊。有利地,本發(fā)明的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備包含由頂層構(gòu)成或者包含頂層的絕緣襯底,包含水和無(wú)機(jī)鹽的導(dǎo)電流體,以及包含鹵代烷烴(一種或多種)和硅氧烷油(一種或多種)的非導(dǎo)電流體,其中所述頂層由ParyleneC制成。根據(jù)一個(gè)特別優(yōu)選的具體實(shí)施方案,本發(fā)明涉及一種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含-由頂層構(gòu)成,或者包含頂層的絕緣襯底,該頂層由ParyleneC制成;-一種導(dǎo)電流體,其包含i)約35重量°/。至約45重量°/。,優(yōu)選約38重量%至約42重量%,更優(yōu)選約40重量%的水,ii)約0.15重量%至約0.25重量%,優(yōu)選約0.17重量%至約0.23重量%,更優(yōu)選約0.20重量%的硫酸鈉,iii)約55重量%至約65重量%,優(yōu)選約58重量%至約62重量%,更優(yōu)選約60重量。/。的丙二醇(MPG),以及iv)任選的殺生物劑,不高于約0.2%;以及-一種非導(dǎo)電流體,其包含a)約15重量%至約25重量%,優(yōu)選約18重量%至約22重量%,更優(yōu)選約20重量%的苯基三(三甲基硅氧基)硅烷,b)約55重量%至約65重量%,優(yōu)選約58重量%至約62重量%,更優(yōu)選約60重量%的Ph/Si比率小于約1.33且Ph/Me比率小于約1.33的環(huán)硅氧垸和苯硅氧烷的混合物,c)約15重量%至約25重量°/。,優(yōu)選約18重量%至約22重量%,更優(yōu)選約20重量%的1,8-二氯辛垸,以及d)約0.4重量%至約0.8重量%,優(yōu)選約0.5重量%至約0.7重量°/。,更優(yōu)選約0.6重量%的丁基化的羥基甲苯,優(yōu)選2,6-二叔丁基-4-甲酚。在一個(gè)方面,本發(fā)明涉及一種包含根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備的裝置。在一個(gè)特征中,該裝置包含對(duì)導(dǎo)電流體施加A.C.(交流電流)或D.C.(直流電流)電壓,優(yōu)選A.C.電壓的器具。優(yōu)選A.C.電壓,這是因?yàn)榕c使用D.C.電壓相比,己經(jīng)觀察到了滯后的大幅度下降。本發(fā)明的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備可以是可變焦的液體透鏡、光學(xué)薄膜、光學(xué)變焦鏡頭。在仍有的另一方面,本發(fā)明涉及一種包含根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,以及用于控制該設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器或類似電子器具的設(shè)備或裝置。在一個(gè)具體實(shí)施方案中,該裝置中集成了光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備以及驅(qū)動(dòng)器或類似的電子器具。在另一個(gè)具體實(shí)施方案中,該裝置包含若干(多于一個(gè))光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備以及至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)器或類似的電子器具。根據(jù)一個(gè)特征,該驅(qū)動(dòng)器(driver)包含對(duì)導(dǎo)電流體施加A.C.或D.C.電壓,優(yōu)選A.C.電壓的器具。該裝置可以是照相機(jī)、手機(jī)、內(nèi)窺鏡、測(cè)距儀、牙科攝像機(jī)。以下,將用過(guò)非限制性實(shí)施例并且參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。li是根據(jù)本發(fā)明的可變焦的液體透鏡的簡(jiǎn)化橫截面圖。圖2展示了舉例說(shuō)明液體透鏡中不期望的焦點(diǎn)滯后的圖。凰i是在導(dǎo)電液體的存在下表面上非導(dǎo)電流體自然角的圖解描述。M^是顯示在表面張力h為44±lmN/m的導(dǎo)電流體的存在下,ParyleneC上大量取決于表面張力的非導(dǎo)電流體接觸角的圖。圓上是顯示在表面張力Yl為44±lmN/m的導(dǎo)電流體的存在下,TeflonAF上大量取決于表面張力的非導(dǎo)電流體接觸角的圖。IA顯示了一個(gè)液體透鏡光功率的實(shí)施例,該液體透鏡在20V左右工作,并且包含厚度為約700nm的ParyleneF作為介電疏水層。用于該特定實(shí)施例中的流體是一種油相和一種導(dǎo)電相,以下給出了它們的配方(全部的%都是重量%):<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>是顯示在導(dǎo)電流體(Y^44土1mN/m)的存在下,襯底極性(mN/m)和非導(dǎo)電流體(Yl二25±1mN/m)接觸角之間關(guān)系的圖。凰i是顯示在自然接觸角和高于60。之間測(cè)得的,ParyleneC上基于自然接觸角的最大接觸角滯后的圖。凰2是顯示根據(jù)本發(fā)明的液體透鏡中改善的焦點(diǎn)滯后的圖。具體實(shí)施例方式實(shí)驗(yàn)研究圖2顯示了實(shí)驗(yàn)測(cè)得的作為所施加電壓函數(shù)的液體透鏡焦距。如同圖2中所看到那樣,根據(jù)不同的斜坡電壓方向透鏡的焦距是不同的。焦點(diǎn)滯后在2.5m"左右,表示了10V的電壓滯后。在該透鏡中自然接觸角e。高于20。。更一般地說(shuō),在任何使用電潤(rùn)濕的光學(xué)用途中,這種滯后意味著設(shè)備對(duì)相同的輸入命令具有兩種特征,這使全部驅(qū)動(dòng)過(guò)程徹底地復(fù)雜化。因此,降低滯后是促進(jìn)設(shè)備驅(qū)動(dòng)過(guò)程以及改善液體透鏡光學(xué)性能的一種方式。在圖4上,在表面張力為44士lmN/m的導(dǎo)電流體的存在下,大量非導(dǎo)電流體置于ParyleneC涂層上。根據(jù)非導(dǎo)電流體的表面張力,測(cè)量并且繪制了自然接觸角。應(yīng)當(dāng)注意,根據(jù)本發(fā)明,具有高于28mN/m表面張力的非導(dǎo)電流體表現(xiàn)出低的自然接觸角。類似地,在圖5上,在表面張力為44士lmN/m的導(dǎo)電流體的存在下,相同的非導(dǎo)電流體置于TeflonAF1601涂層上。根據(jù)非導(dǎo)電流體的表面張力,測(cè)量并且繪制了自然接觸角。應(yīng)當(dāng)注意,根據(jù)本發(fā)明,具有低于約28mN/m表面張力的非導(dǎo)電流體表現(xiàn)出低的自然接觸角。在圖7上,在使用表面張力為25mN/m的非導(dǎo)電流體NCF1的各種涂層上測(cè)得自然接觸角,所述非導(dǎo)電流體NCF1被表面張力為44mN/m的導(dǎo)電流體CFl圍繞。以下表6中顯示了CFl和NCF1的組成,并且在隨后的表7中顯示了它們的物理光學(xué)特性--表6:導(dǎo)電流體CFl和非導(dǎo)電流體NCFl<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>如圖7中所看到的那樣,具有低表面極性的涂層表現(xiàn)出低的自然接觸角。在圖8上,在5.0土0.5nm厚的ParyleneC襯底上使用在0和60V之間變化的施加電壓測(cè)得最大接觸角滯后,該襯底使用被表面張力為44mN/m的導(dǎo)電流體CF1圍繞的表面張力為25mN/m的非導(dǎo)電液體。通過(guò)1/f^An/R的關(guān)系式得到透鏡焦點(diǎn),其中R是彎液面半徑的曲率,An是兩種流體之間的折射率差。半徑R和接觸角通過(guò)取決于透鏡幾何學(xué)和液體罐裝的復(fù)變函數(shù)而成幾何相關(guān)。在本設(shè)計(jì)中,焦點(diǎn)大致與1/f"5Ocos0成比例??紤]到這種設(shè)備的場(chǎng)深一般為2m'1,選擇滯后規(guī)格為不超過(guò)該值,即,ACos9<0.04。在這基礎(chǔ)上,已經(jīng)確定,非導(dǎo)電流體應(yīng)當(dāng)有利地以等于或低于20°且優(yōu)選等于或低于16。的自然接觸角鋪開。以下實(shí)施例僅僅是出于舉例說(shuō)明的目的,并且它們不應(yīng)當(dāng)被理解為以任何方式對(duì)如本說(shuō)明書和權(quán)利要求所定義的本發(fā)明范圍的限制。組合物實(shí)施例多相液體組合物全部特征都在20°測(cè)得。全部%都是重量%。以重量%表示的量的約±5%的變化仍然使得所公開的組合物成為本發(fā)明所追求的目標(biāo)。組合物1<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>組合物6<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>組合物8<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>組合物14<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>組合物18<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>組合物20<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>組合物21<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>組合物22<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>組合物23<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>組合物24<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>出組合物26<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>-表8-<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>ParyleneC上的自然接觸角低于16°。在圖9上,焦點(diǎn)被繪制為透鏡電壓的函數(shù)。不管電壓是增加或降低,該焦點(diǎn)是幾乎分辨不清的。具體化實(shí)施例2:與具體化實(shí)施例1相同,其中用ParyleneN代替ParyleneC。具體化實(shí)施例3:在作為底板上絕緣體的ParyleneC之上使用TeflonAF1601作為疏水層制造圖1所示類型的液體透鏡。非導(dǎo)電流體和導(dǎo)電流體與具體化實(shí)施例l中的相同。在TeflonAF上的自然接觸角低于16°。同樣觀察到低接觸角滯后。具體化實(shí)施例4:和具體化實(shí)施例3相同,其中用TeflonAF1600代替TeflonAFAF1601。-表9:各種絕緣材料的對(duì)比數(shù)據(jù)-<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>ParvleneF(AF-4)的具體化實(shí)施例用CVD將該聚合物涂布在由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡的底板上(參見US3,342,754)。所獲得的ParyleneF(AF-4)膜在液體透鏡中形成了絕緣且疏水的層。同樣可以在各種多層體系中,使用ParyleneC、N、F或VT-4作為可能被導(dǎo)電和/或非導(dǎo)電流體損壞的其它絕緣層的保護(hù)層,這種多層體系舉例來(lái)說(shuō)例如底板/絕緣(介電)層/ParyleneC或ParyieneN,或者ParyleneVT-4,或ParyleneF(AF-4)。這種體系的實(shí)例如下底板/絕緣層/ParyleneC、N、F或VT-4;底板/SiCVParyleneC、N、F或VT-4;底板/Si3N4/ParyleneC、N、F或VT-4;底板/ParyleneC/ParyleneN、F或VT-4;底板/ParyleneN/ParyleneC、F或VT畫4;底板/BCB聚合物/ParyleneC、N、F或VT-4;二乙烯基硅氧烷-苯并環(huán)丁烯(DVS-BCB)聚合物的具體化實(shí)施例通過(guò)旋涂、浸涂或CVD(參見US3,342,754)將DVS-BCB聚合物涂布在由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡的底板上。所獲得的DVS-BCB聚合物膜在液體透鏡中形成絕緣且疏水的層。旋涂DVS-BCB聚合物詳細(xì)過(guò)程的實(shí)施例如下使用BCB3022-46(DowChemical)助粘劑AP3000(DowChemical)底板的樣品清潔-5(TC下用丙酮超聲5min;曙50。C下用乙醇超聲5min;-5CTC下用去離子水在超聲波浴中超聲5min。助粘劑AP3000:三滴旋涂1800rpm-5s;3600rpm-20s;150'C下對(duì)板加熱lmin。BCB(3022-46)沉積4滴旋涂1800rpm-30s。285'C氮?dú)庀掠?個(gè)步驟對(duì)板加熱1-室溫氮?dú)庀?0min;2-氮?dú)庀律咧?85""C(功率70w:25min);3-285。C下1分鐘;4-氮?dú)庀禄氐绞覝?。在各種多層體系中,DVS-BCB聚合物也可以用作可能被導(dǎo)電和/或非導(dǎo)電流體破壞的其它絕緣層的保護(hù)層,所述多層體系舉例來(lái)說(shuō)例如底板/絕緣(介電)層/DVS-BCB聚合物。這種體系的實(shí)例如下底板/絕緣層(有機(jī)或無(wú)機(jī)材料)/DVS-BCB聚合物底板/Si02/DVS-BCB聚合物底板/Si3N4/DVS-BCB聚合物底板/PaiyleneC/DVS-BCB聚合物底板/ParyleneN/DVS-BCB聚合物底板/ParyleneF/DVS-BCB聚合物底板/ParyleneVT-4/DVS-BCB聚合物Cvtoi^的具體化實(shí)施例Cytop是包含全氟呋喃的全氟代聚合物,其通過(guò)全氟代(烯基乙烯基醚)的環(huán)化聚合而獲得,并且由AsahiGlassCo.以商品名Cytop(CyclicTransparencyOpticalPolymer)出售。。>10@可用作液體透鏡中絕緣且疏水的層。Cytop可以在舉例來(lái)說(shuō)例如底板/絕緣(介電)層/Cytop的各種多層體系中用作可能被導(dǎo)電和/或非導(dǎo)電流體破壞的其它絕緣層的保護(hù)層。這種體系的實(shí)例如下底板/絕緣層/Cytop底板/Si(VCytop底板/Si3N4/Cytop底板/ParyleneC/Cytop底板/ParyleneN/Cytop底板/ParyleneF/Cytop底板/ParyleneVT-4/Cytop底板/DVS-BCB聚合物/Cytop權(quán)利要求1.一種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體(5;101)和非導(dǎo)電流體(4;102),所述流體不可混合,以及在其上所述兩種流體相互接觸且形成三重分界面的絕緣襯底(2;103),其中在導(dǎo)電流體(101)的存在下,所述絕緣襯底(103)上的所述非導(dǎo)電流體(102)的自然接觸角(105)介于0°和約20°之間。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述自然接觸角(105)介于0。以上和約20°之間,優(yōu)選約5。和約16°之間。3.前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中在介于約-2(TC和約+7(rC之間的溫度范圍內(nèi),所述自然接觸角9滿足0^0^20°,優(yōu)選0°<0^20°,更優(yōu)選5°^^20°,最優(yōu)選5°^en^16°。4.前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述非導(dǎo)電流體的表面張力和所述絕緣襯底的表面能之間的差異dst在-15$dstS+15mN/m,優(yōu)選-12^d^+12mN/m的范圍內(nèi)。5.前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中絕緣襯底表面能具有介于omN/m和約4mN/m之間,優(yōu)選0mN/m和約2mN/m之間的極性分量。6.前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底具有高于約30mN/m的表面能。7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由對(duì)二甲苯線性聚合物或芳族乙烯基硅氧烷聚合物制成。8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由聚對(duì)二甲苯,優(yōu)選ParyleneC、ParyleneD、ParyleneN、ParyleneF或AF陽(yáng)4、或者ParyleneVT陽(yáng)4,更優(yōu)選PaiyleneC、ParyleneN或ParyleneF帝!j成。9.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由二乙烯基硅氧垸-苯并環(huán)丁烯(DVS-BCB)聚合物制成。10.如前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述非導(dǎo)電流體包含表面張力等于或高于約28niN/m的化合物。11.權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底具有低于約30mN/m的表面能。12.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由氟化聚合物制成。13.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由四氟乙烯和2,2-雙(三氟甲基)-4,5-二氟間二氧雜環(huán)戊烯的共聚物制成。14.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由通過(guò)全氟(烯基乙烯基醚)的環(huán)化聚合而獲得的全氟聚合物制成。15.如述權(quán)利要求11至14中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述非導(dǎo)電流體包含表面張力等于或低于約28mN/m的化合物。16.前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中在約-10'C至約+60。C,優(yōu)選約-20。C至約+60。C,更優(yōu)選-20。C至約+70。C的溫度范圍內(nèi),所述非導(dǎo)電流體和所述導(dǎo)電流體的整體具有約1.5cSt和約40cSt之間的算術(shù)平均運(yùn)動(dòng)粘度。17.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由對(duì)二甲苯線性聚合物,優(yōu)選聚對(duì)二甲苯,更優(yōu)選ParyleneC、ParyleneD、ParyleneN、ParyleneF或AF-4、或ParyleneVT-4,仍然更優(yōu)選ParyleneC、ParyleneN或ParyleneF制成,所述導(dǎo)電流體包含水和有機(jī)或無(wú)機(jī)鹽,所述非導(dǎo)電流體包含一種或多種鹵代垸烴和/或一種或多種硅氧烷油。18.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其中所述絕緣襯底由頂層構(gòu)成,或者包含頂層,該頂層由ParyleneC制成,所述導(dǎo)電流體包含水和無(wú)機(jī)鹽,所述非導(dǎo)電流體包含一種或多種鹵代烷烴以及一種或多種硅氧烷油。19,如權(quán)利要求18所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含-由頂層構(gòu)成,或者包含頂層的絕緣襯底,該頂層由ParyleneC制成;-一種導(dǎo)電流體,其包含i)約35重量%至約45重量%,優(yōu)選約38重量%至約42重量%,更優(yōu)選約40重量%的水,ii)約0.15重量%至約0.25重量%,優(yōu)選約0.17重量%至約0.23重量%,更優(yōu)選約0.20重量%的硫酸鈉,iii)約55重量%至約65重量%,優(yōu)選約58重量°/。至約62重量%,更優(yōu)選約60重量。/。的丙二醇(MPG),以及iv)任選的殺生物劑,不高于約0.2%;以及-一種非導(dǎo)電流體,其包含a)約15重量%至約25重量%,優(yōu)選約18重量%至約22重量%,更優(yōu)選約20重量%的苯基三(三甲基硅氧基)硅烷,b)約55重量%至約65重量%,優(yōu)選約58重量%至約62重量%,更優(yōu)選約60重量%的Ph/Si比率小于約1.33且Ph/Me比率小于約1.33的環(huán)硅氧垸和苯硅氧烷的混合物,c)約15重量%至約25重量%,優(yōu)選約18重量%至約22重量%,更優(yōu)選約20重量%的1,8-二氯辛烷,以及d)約0.4重量%至約0.8重量%,優(yōu)選約0.5重量%至約0.7重量%,更優(yōu)選約0.6重量%的丁基化的羥基甲苯,優(yōu)選2,6-二叔丁基-4-甲酚。20.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其是可變焦的液體透鏡、光學(xué)薄膜、光學(xué)變焦鏡頭。21.—種裝置,其包含根據(jù)權(quán)利要求20的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備以及用于控制分界面的驅(qū)動(dòng)器或電子器具。22.如權(quán)利要求21所述的裝置,其中所述驅(qū)動(dòng)器或電子器具進(jìn)一步包含對(duì)所述導(dǎo)電流體施加A.C.電壓的器具。23.如權(quán)利要求22所述的裝置,其是照相機(jī)、手機(jī)、測(cè)距儀、內(nèi)窺鏡或牙科攝像機(jī)。24.—種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體,所述流體不可混合,以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底,其中所述絕緣襯底包含ParyleneF或AF-4或者PaiyleneVT-4。25.根據(jù)權(quán)利要求24的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其是一種由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡。26.—種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體,所述流體不可混合,以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底,其中所述絕緣襯底包含芳族乙烯基硅氧烷型聚合物,優(yōu)選二乙烯基硅氧垸-苯并環(huán)丁烯(DVS-BCB)聚合物。27.根據(jù)權(quán)利要求26的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其是一種由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡。28.—種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體和非導(dǎo)電流體,所述流體不可混合,以及在其上所述兩種流體相互接觸并且形成三重分界面的絕緣襯底,其中所述絕緣襯底包含通過(guò)全氟(烯基乙烯基醚)的環(huán)化聚合而獲得的全氟聚合物。29.根據(jù)權(quán)利要求28的光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其是一種由電潤(rùn)濕驅(qū)動(dòng)的光學(xué)透鏡。全文摘要本發(fā)明涉及一種光學(xué)電潤(rùn)濕設(shè)備,其包含導(dǎo)電流體(5;101)和非導(dǎo)電流體(4;102),所述流體不可混合,以及在其上所述兩種流體相互接觸且形成三重分界面的絕緣襯底(2;103),其中在導(dǎo)電流體(101)的存在下,絕緣襯底(103)上非導(dǎo)電流體(102)的自然接觸角(105)介于0°和約20°之間。該設(shè)備可以是可變焦的液體透鏡、光學(xué)薄膜、光學(xué)變焦鏡頭。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種例如照相機(jī)、手機(jī)、內(nèi)窺鏡或牙科攝像機(jī)的裝置,其包含所述電潤(rùn)濕設(shè)備以及用于控制透鏡的驅(qū)動(dòng)器或電子器具。文檔編號(hào)G02B3/14GK101395495SQ200780007347公開日2009年3月25日申請(qǐng)日期2007年1月31日優(yōu)先權(quán)日2006年2月1日發(fā)明者B·伯格,G·利奧吉耶阿德于伊,J·勒格朗,M·梅拉德申請(qǐng)人:瓦里奧普蒂克公司