專利名稱：用于減少沉浸式光刻裝置機械磨損的集成電路制造技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路的制造以及用于減少集成電路制造中所用 設(shè)備的缺陷并且改善其耐用性的裝置和方法。更特別地，本發(fā)明涉 及用于減少沉浸式光刻裝置中部件的機械磨損的裝置和方法。
背景技術(shù)：
液體沉浸式光刻已經(jīng)作為用于先進集成電路的亞波長、光刻成 像的首要候選技術(shù)出現(xiàn)。通過使用高折射率流體填充光學(xué)投影系統(tǒng)
的最后透鏡元件和晶片表面之間的間隙，數(shù)值孔徑(NA)接近流體 折射率的光學(xué)投影系統(tǒng)是可能的。高數(shù)值孔徑能夠增加分辨率，增 加的分辨率對于改善集成電路的性能是必需的。此方式中使用的高 折射率流體通常被稱作浸液。
用于在最后透鏡元件和晶片表面之間引入浸液的一個方法是通 過使用局部流體處理以及通常稱作浸頭或噴頭的限制模塊，其附著 于這里所附現(xiàn)有技術(shù)中描述的光學(xué)投影系統(tǒng)組的底部。多個商業(yè)供 應(yīng)商已經(jīng)將此方法應(yīng)用在他們的用于高產(chǎn)量制造的全場、步進和掃 描工具(或掃描儀)的設(shè)計中。圖1A中示出了與晶片3和晶片臺2 相關(guān)的噴頭4的示意圖。某些掃描儀設(shè)計甚至可以提供多個晶片臺 以實現(xiàn)更快的晶片生產(chǎn)。噴頭4包圍光學(xué)投影系統(tǒng)的最后透鏡元件1 以允許局部化流體5填充透鏡1和晶片3之間的區(qū)域。晶片3放置 在晶片臺2中的凹處中，使得涂敷有光刻膠層IO的晶片3的上表面 基本上與晶片臺2的表面共面，從而在晶片臺2在噴頭4之下運動 時最小化與噴頭4的沖突并且最小化對流體5的流動的干擾。掃描 儀在操作中時，在噴頭4中持續(xù)補充流體5并使之循環(huán)，以防止微 ?；蚧瘜W(xué)污染物聚集或者對流體5中的細(xì)菌生長提供困難環(huán)境。微
粒、化學(xué)污染物或細(xì)菌是不希望有的，因為它們可以潛在地沉積在
晶片3的表面上而引起缺陷。晶片臺2也可以擁有其他元件，例如 晶片對準(zhǔn)及水平傳感器8，其類似地設(shè)計來將與噴頭4和流體5的流 動的沖突最小化。也可以將諸如封盤7或封板的額外元件引入掃描 儀設(shè)計，以在晶片交換期間限制流體泄漏和溢出。封盤的目的是當(dāng) 掃描儀空閑并且沒有處理晶片時，將流體5密封在噴頭4中并且防 止泄漏。封盤7允許流體5在噴頭4中繼續(xù)循環(huán)，因而減少發(fā)生缺 陷的機會。當(dāng)噴頭4正在處理晶片時，封盤7可以放置在封盤托6 中，該封盤托6可以是晶片臺2中的凹洞。如圖1B所示，為了密封 噴頭5，噴頭4使用真空、磁或其他方式拾起封盤7并且保持就位。 此"提高"操作可以進一步通過使用機械的致動器等等將封盤7從 它的盤托6向噴頭4推送進行輔助。當(dāng)噴頭5準(zhǔn)備處理晶片時，將 "提高"操作反過來并且由噴頭4將封盤7置入封盤托6中，因而 執(zhí)行"下落"操作。為了最小化與噴頭4和流體5的流動的沖突， 封盤7必須與晶片臺2保持齊平并且不應(yīng)該放置在封盤托6的任何 邊緣上?？梢酝ㄟ^機械的、磁的等方式在封盤托6中將封盤7保持 就位。
為了確保封盤7在"提高"操作期間與噴頭4形成好的密封以 及確保它在"下落，，操作期間正確地放置在封盤托6中，可能需要 在封盤托6與噴頭4之間保持對準(zhǔn)。這可以通過機械的或光學(xué)的方 法來實現(xiàn)。用于將封盤托6光學(xué)對準(zhǔn)至噴頭4的一個方法是通過向 晶片臺2上投射穿過光學(xué)投影系統(tǒng)、穿過噴頭組4、穿過封盤7的輻 射束。然后移動晶片臺2直到通過在封盤托6中感測該輻射束來確 定封盤托6直接位于噴頭4之下。為了使此方法有效，封盤7必須 對該輻射束光學(xué)透明，該輻射束可以是特定波長的受激準(zhǔn)分子激光。 在集成電路制造中使用的典型受激準(zhǔn)分子激光包括KrF受激準(zhǔn)分子 激光(248nm) , ArF受激準(zhǔn)分子激光(193nm)和？2受激準(zhǔn)分子激 光(157nm)。用來構(gòu)建封盤7的材料的示例是石英，其對于193nm 波長的輻射是光學(xué)透明的并且通常在ArF掃描儀中的光學(xué)透鏡元件中使用。如圖2中所述，封盤7可以在它的表面上進一步擁有對準(zhǔn) 圖案13以輔助光學(xué)對準(zhǔn)。對準(zhǔn)圖案13優(yōu)選地包括不同于封盤7的 襯底材料11的材料12。對準(zhǔn)圖案13還可以具有最適合光學(xué)對準(zhǔn)的 任何形狀并且將選擇性地允許入射輻射束通過。最通常用于制造光 刻掩膜的材料和工藝適合制造對準(zhǔn)圖案并且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是 已知的。例如，在鉻層中形成的對準(zhǔn)圖案可以應(yīng)用到石英封盤襯底 的一側(cè)上。
在封盤托6機械對準(zhǔn)至噴頭4的情況中，不需要封盤7的光透性。
代替封盤設(shè)計，獨立于晶片臺2的封板機制也可以用來密封噴 頭4中的流體5。封板的功能保持與封盤7的功能類似。
沉浸式光刻的 一 個主要挑戰(zhàn)是減少缺陷。在掃描過程期間沉積 在成像表面上的微粒會導(dǎo)致降低生產(chǎn)性能。光刻膠層10、浸液5和 掃描儀的其他元件，例如噴頭4、封盤7、封板或晶片對準(zhǔn)及水平傳 感器8都是污染物的潛在來源。掃描儀元件由于機械磨損或者通過 與浸液5的化學(xué)作用可以成為微粒生成器。在封盤設(shè)計中，當(dāng)封盤7 與通常由諸如不銹鋼的金屬制成的噴頭4接觸時或者當(dāng)封盤7置入 制在晶片臺2中的封盤托6中時，在噴頭4密封操作期間可以發(fā)生 機械磨損。當(dāng)重復(fù)使用時，封盤7的表面以及限定的邊緣、封盤托6 和噴頭4可以經(jīng)歷機械磨損并且摩擦生成可以潛在進入浸液的微粒， 其沉積到晶片上并且因而引起微粒導(dǎo)致的成像缺陷。為了減少機械 磨損，可以限定或斜切這些元件的鋒利邊緣，然而，創(chuàng)建限定邊緣 的機械打磨可能產(chǎn)生斷點，該斷點可以磨損并在重復(fù)使用之后生成 微粒。為獲得納米級的平整度對表面進行的機械打磨也可能導(dǎo)致類 似的斷點。石英封盤由于它們的中等硬度(莫氏硬度值為7)尤其易 受機械打磨的損害。諸如Zerodur (來自于SCHOTT公司)的由其 他陶瓷材料制造的封盤可以改善石英的硬度，但是它們在減少缺陷 方面的益處還未證實。用于熔合接觸面以及改善這樣的外殼的機械 耐久性的熱處理將改變預(yù)期機械形狀和封盤的公差(tolerance),因
此也不是優(yōu)選的。最后，封盤7的機械磨損可以由于機械的或光學(xué)
的對準(zhǔn)設(shè)計而發(fā)生。
而且，與浸液5的持續(xù)接觸可以潛在地溶解或者侵蝕來自于封 盤襯底ll、封盤對準(zhǔn)材料12、噴頭4和其他掃描儀元件的某些表面 材料，其然后可以沉積到晶片3上也造成污染物。照射時在浸液中 生成的能量自由基可以進一步增強此化學(xué)腐蝕。
保護封盤免受損害的 一 個技術(shù)方案可以是使用保護性涂層覆蓋 它。然而，不能使用在光學(xué)領(lǐng)域中使用的通用涂層，例如氧化物或 氟化物，因為它們易碎并且容易受到損害。
因此，需要一種用于執(zhí)行沉浸式光刻的裝置和方法，其包括對 機械的或化學(xué)的磨損具有增強的抵抗力從而減少成像缺陷的掃描儀 部件。
發(fā)明內(nèi)容
考慮到現(xiàn)有技術(shù)的問題和不足，因此本發(fā)明的目的是提供將最 小化由于機械磨損產(chǎn)生的缺陷的沉浸式光刻系統(tǒng)的部件。
本發(fā)明的其他目的是當(dāng)最小化噴頭的機械磨損的同時，在晶片 曝光之間密封沉浸式光刻系統(tǒng)的噴頭。
本發(fā)明的其他目的是提供用于密封沉浸式光刻系統(tǒng)的封盤，該 封盤是抗機械磨損的并且最小化由進入浸液？ 1起微粒和污染物的缺 陷。
對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的上述和其他目的在本發(fā)明中達 到，其中本發(fā)明指向用于沉浸式光刻中使用的制造物件，該制造物 件包括
a.第一部件，包括第一部件體和保護性涂層，該保護性涂層包 括所述第一部件體的至少一部分上的至少一層，其中所述第一部件 配置在沉浸式光刻工具中，使得所述第一部件體的所述部分可以在 所述沉浸式光刻工具操作期間接觸浸液，并且其中所述保護性涂層 具有大于石英的硬度。
根據(jù)一個實施例，此發(fā)明在沉浸式光刻系統(tǒng)的封盤以及噴頭上 提供薄的保護性涂層材料。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，保護性涂層可以包括多層不同材料。 保護性涂層優(yōu)選是薄的，并且可以由包括碳化硅、金剛石、類金剛 石、氮化硼、碳化硼，碳化鵠、氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鈦，碳氮化 鈦、氮化鋁鈦和碳化鈦的材料形成。
保護性涂層可以通過諸如CVD、 PECVD、 APCVD、 LPCVD、 LECVD、 PVD、薄膜蒸發(fā)、濺射以及在有氣體的情況下加溫退火的 方法形成。保護性涂層優(yōu)選地對于浸液是化學(xué)惰性的。保護性涂層 優(yōu)選地具有大于大約1000并且更優(yōu)選地大于大約2000的努氏硬度， 或者大于大約7，更優(yōu)選地大于大約9的莫氏硬度。
本發(fā)明的其他目的以及優(yōu)勢將部分地顯現(xiàn)并且從詳細(xì)的描述中 部分地明顯。
圖1A是示出了包括定位在晶片上的噴頭的現(xiàn)有技術(shù)沉浸式光 刻裝置的各種元件的示意圖。
圖1B是包括由封盤密封的噴頭的現(xiàn)有技術(shù)沉浸式光刻裝置的示 意圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)封盤的截面和平面示意圖。
圖3A-圖3C是根據(jù)本發(fā)明實施例的涂敷的封盤的示意圖。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的涂敷的封盤的截面和俯 視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將通過參考以本發(fā)明附圖為參考的以下討論更加詳細(xì)地描 述本發(fā)明。可以知道，提供本發(fā)明申請的附圖用于解釋目的，因此 沒有按比例繪制。
根據(jù)本發(fā)明，在沉浸式光刻掃描儀的部件的表面上提供薄的、
保護性的單層或多層涂層，特別地，其中此類部件可能接觸其他部 件以及接觸浸液。例如，可以在噴頭、封盤或晶片臺中的封盤托上 提供保護性涂層，以減少操作期間由于機械接觸導(dǎo)致的部件磨損。
保護性涂層優(yōu)選地足夠薄，使得維持部件的表面光潔度、平整 度和機械耐久性，例如在封盤和噴頭組件之間或者封盤和封盤托之 間。保護性涂層優(yōu)選地包括少于五層的一種或多種材料成分并且更
優(yōu)選地少于2層并且最優(yōu)選地是單層。保護性涂層中每層的厚度范 圍從大約1納米到大約150微米，更優(yōu)選地是在大約5納米和大約 50微米之間，并且最優(yōu)選地是在10納米和IO微米之間。保護性涂 層中每層優(yōu)選地是同質(zhì)成分并且具有涂敷表面上的均勻厚度。例如， 可以使用碳化硅、類金剛石(DLC)或金剛石膜的層涂敷石英封盤。 其他涂層材料的例子包括金剛石膜、類金剛石(DLC)膜、氮化硼、 碳化硼、碳化硅、碳化鴒、氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鈦、碳氮化鈦、 氮化鋁鈦和碳化鈦膜。
包括保護性涂層的材料層優(yōu)選地通過化學(xué)汽相沉積(CVD)來 沉積，這是由于該方法的相對低的成本以及CVD方法制造大量的各 種受控化學(xué)計量的膜和涂層的能力。CVD處理的變型可以包括等離 子增強的(PECVD)、常壓(APCVD)、低壓(LPCVD)、激光增 強的(LECVD)化學(xué)汽相沉積。其他沉積方法可以單獨或組合使用， 包括但不限于物理汽相沉積方法(PVD),例如薄膜蒸發(fā)或濺射。 本發(fā)明硬保護性涂層也可以通過在有氣體的情況下加溫退火來生 長。例如，通過在有氮氣的情況下加溫退火在鈦表面生長氮化鈦。 任何用于沉積或形成保護性涂層的現(xiàn)在已知或未來開發(fā)的方法都在 本發(fā)明范圍內(nèi)預(yù)期，并且本發(fā)明不限于這里列出的方法。
保護性涂層9可以選擇性地覆蓋將被保護的部件表面的一部分 (圖3A)、部件表面的若干離散或連接的部分(圖3B)或完全地 包裹部件(圖3C)。例如，在封盤的情況中，可以優(yōu)選地使用保護 性涂層包裹整個盤。在噴頭的情況中，可以優(yōu)選地僅涂敷操作期間 與封盤接觸的表面。保護性涂層必須附著在基底材料上，該基底材料可以是金屬的、 非金屬的、陶瓷的或合成的。用于構(gòu)建沉浸式光刻裝置中的部件的
基底材料的例子包括不銹鋼、鈦、Zerodur⑧玻璃陶瓷或石英。
保護性涂層必須具有低表面粗糙度以防止入射光散射，以減少 部件間接觸期間的摩擦，并且其中需要形成好的密封以防止在其接 觸的表面之間的浸液滲透。使用原子力顯微鏡(AFM)測量時，均 方根表面粗糙度優(yōu)選地必須小于50納米，更優(yōu)選地小于25納米， 并且最優(yōu)選地小于5納米。對于某些涂層，減少表面粗糙度的平滑 化可能在膜沉積之后需要，例如，通過機械打磨或加溫退火。
保護性涂層表面優(yōu)選地對于浸液是非浸濕的，以進一步防止在 接觸表面之間的浸液滲透。
保護性涂層的每 一 層以及全部涂層優(yōu)選地是無缺陷的。由于單 獨層的厚度的局部化改變、單獨層或涂層中的小孔或內(nèi)含物，層間 或者涂層和基底之間的脫層，可能引起缺陷。因為可能由于涂層中 的內(nèi)部壓力聚集而出現(xiàn)脫層，涂層中的交替層可能擁有改變的機械 性質(zhì)。例如，鈦基底上的多層涂層可以包括氮化鈦、碳氮化鈦、碳 化鈦、和類金剛石(DLC)的膜。石英基底上的多層涂層的例子可 以包括碳化硅和類金剛石(DLC)的膜。
保護性涂層優(yōu)選地具有大于1000并且更優(yōu)選地大于2000的高 努氏硬度?？蛇x地，涂層優(yōu)選地具有大于7并且更優(yōu)選地大于9的 莫氏硬度。具有高硬度的涂層也趨向于是抗磨損的，其對最小化機 械磨損是有益的。表現(xiàn)此類硬度的材料膜的例子包括金剛石膜、類 金剛石(DLC)膜、氮化硼、碳化硼、碳化硅、碳化鴒、氧化鋁、 藍(lán)寶石、氮化鈦、碳氮化鈦、氮化鋁鈦和碳化鈦膜。
保護性涂層優(yōu)選地具有高機械強度，具有大于100 GPa并且更優(yōu) 選地大于200 GPa的楊氏模量。
保護性涂層具有范圍0到0.4中的低的干摩擦系數(shù)，并且更優(yōu)選 地在范圍0到0.2中。低的摩擦系數(shù)是優(yōu)選的，因為當(dāng)封盤在相對浸 盤或者封盤腔滑動時，它將減小施加在封盤上的摩擦力。這減少了
封盤經(jīng)歷的磨損，因此改善了它的耐久性。具有低摩擦系數(shù)的材料 的例子包括金剛石膜和類金剛石膜。
在某些情況中，可以優(yōu)選地在相對的表面上涂敷類似膜，以控 制該表面之間的摩擦或控制該兩個表面的相對硬度。例如，兩個類 金剛石表面之間的摩擦系數(shù)將低于類金剛石表面與金屬表面之間的 摩擦系數(shù)。類似地，由于類金剛石表面的相對硬度大于金屬表面的 硬度，此類相對表面之間的接觸可以導(dǎo)致增加金屬表面的磨損。如 果利用類似的材料涂敷兩個表面，那么將使磨損最小化。
保護性涂層優(yōu)選地對于浸液是基本上化學(xué)惰性的，其可以包括 任何自由基、氧化、酸性或石咸性混合物，其可以在照射時在浸液中 生成或者可以在與晶片上的光刻膠接觸時已瀝濾到浸液中。保護性 涂層還必須對于任何其他可以通過噴頭循環(huán)的例如光學(xué)透鏡清潔溶 液的流體是基本上化學(xué)惰性的。此類反應(yīng)可以生成缺陷或污染物。 在工具有效壽命期間，保護性涂層優(yōu)選地對于此類浸液是基本上惰 性的，從而避免工具停機。金剛石或類金剛石膜是對于廣泛的化學(xué) 品具有化學(xué)惰性的涂層的例子。
以減少由于內(nèi)應(yīng)力造成的脫層風(fēng)險。保護性涂層和基底材料之間線 性熱膨脹系數(shù)(")的較大失配將導(dǎo)致涂層中更大的內(nèi)應(yīng)力。如果保 護性涂層在比沉浸式掃描儀操作溫度大得多的溫度下沉積，更需要
此優(yōu)先選擇。例如，金剛石膜的線性熱膨脹系數(shù)(a=lxlO-fi/Kelvin) 非常類似石英("=0.6x10-6/Kelvin)或諸如Zerodur ( =~0/Kelvin) 襯底的玻璃陶瓷的線性熱膨脹系數(shù)。因此，將金剛石膜格外優(yōu)選為 石英或玻璃陶瓷襯底的涂層材料。
當(dāng)應(yīng)用到必須傳播輻射的部件的部分時，保護性涂層優(yōu)選地對 于光學(xué)投影系統(tǒng)中使用的輻射是光學(xué)透明的。此類部件的例子是當(dāng) 結(jié)合光學(xué)對準(zhǔn)方法使用時的封盤。如果保護性涂層材料吸收入射輻 射的 一 部分并且削弱它，則保護性涂層的厚度必須減少以增強傳播。 在此方式中，涂敷部件的機械耐久性和抗磨性在沒有顯著減少它的光學(xué)透明度的情況下得到改善，從而消除了對確定用于制造封盤襯 底的新的光學(xué)透明的、抗磨損材料的需要。根據(jù)本發(fā)明，這樣的薄 的保護性涂層可以應(yīng)用在掃描儀的光學(xué)部件上，以在最小的修改和 成本且不影響光學(xué)透明度的情況下改善耐久性。此類材料的例子是 具有厚度小于1微米的金剛石或類金剛石膜的涂層。
當(dāng)保護性涂層選擇性地應(yīng)用于不在光路中分光學(xué)部件的部分時，則對于此類涂層不要求光學(xué)透明度。
不像光學(xué)元件上的現(xiàn)有技術(shù)涂層，該涂層傾向于著重光學(xué)性質(zhì)， 根據(jù)本發(fā)明的膜著重膜的機械耐久性。根據(jù)本發(fā)明，膜對于對準(zhǔn)激 光的光學(xué)透明度可能是有益的，但不要求。在涂層是強吸收的情況
中，可以將其涂敷在所有表面，除了其中光的傳播是重要的對準(zhǔn)窗 C 。
根據(jù)本發(fā)明，例如封盤的光學(xué)元件可以通過在框架11中安裝光
學(xué)透明對準(zhǔn)窗口 14來構(gòu)建，框架11由抗磨損材料構(gòu)建或使用抗磨 損保護性涂層9進行涂敷，如圖4所示。
雖然本發(fā)明已經(jīng)聯(lián)系其優(yōu)選的實施例進行了特別的示出和描 述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)上的前述以及其他改變。因此本 發(fā)明旨在不限制于描述和示出的具體形式和細(xì)節(jié)，但是落在所附權(quán) 利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種沉浸式光刻中使用的制造物件，該制造物件包括第一部件，包括第一部件體和保護性涂層，該保護性涂層包括所述第一部件體的至少一部分上的至少一層，其中所述第一部件配置在沉浸式光刻工具中，使得所述第一部件體的所述部分可以在所述沉浸式光刻工具操作期間接觸浸液，并且其中所述保護性涂層的硬度大于石英的硬度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述至少一層包括從 由以下材料組成的組中選擇的材料碳化硅、金剛石、類金剛石、 氮化硼、碳化硼，碳化鴒、氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鈦，碳氮化鈦、 氮化鋁鈦和碳化鈦。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層包括 五層或更少層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層包括 多個包括不同材料的層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 小于大約150微米的厚度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層對于 所述浸液是基本上惰性的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造物件，其中至少一個所述層由從 以下方法組成的組中選擇的方法來形成CVD、 PECVD、 APCVD、 LPCVD、 LECVD、 PVD、薄膜蒸發(fā)、濺射以及在有氣體的情況下加溫退火。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述第一部件配置在 所述沉浸式光刻工具中，使得所述第一部件體的所述部分可以接觸 第二部件體的 一部分，其中所述第二體的所述部分包括第二保護性涂層，所述第二保護性涂層包括與所述保護性涂層相同的材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述第一部件從由以下部件組成的組中選擇封盤、噴頭、封盤托和光學(xué)部件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中使用原子力顯微鏡測 量時，所述保護性涂層具有小于50nm的表面粗糙度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 大于大約100 GPa的楊氏模量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 大于大約IOOO的努氏硬度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 大于7的莫氏硬度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 范圍0到0.4的干摩擦系數(shù)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層具有 與所述第 一 部件體的線性膨脹系數(shù)基本相似的線性膨脹系數(shù)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層對于 所述沉浸式光刻工具中使用的輻射是光學(xué)透明的。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述第一部件是光學(xué)述光學(xué)部件的部分。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述第一部件包括選 擇自由石英和玻璃陶瓷組成的組中的材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造物件，其中所述保護性涂層包 括類金剛石膜。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造物件，其中所述保護性涂層對于 浸液是非浸濕的。
全文摘要
提供一種集成電路制造中用于沉浸式光刻工具的部件的保護性涂層，其中通過薄的、硬的保護性涂層來保護暴露于浸液的部件的至少一部分，該保護性涂層包括例如碳化硅、金剛石、類金剛石、氮化硼、碳化硼，碳化鎢、氧化鋁、藍(lán)寶石、氮化鈦，碳氮化鈦、氮化鋁鈦和碳化鈦的材料。可以通過例如CVD、PECVD、APCVD、LPCVD、LECVD、PVD、薄膜蒸發(fā)、濺射以及在有氣體的情況下加溫退火的方法來形成保護性涂層。保護性涂層優(yōu)選地具有大于大約1000并且更優(yōu)選地大于大約2000的努氏硬度，或大于大約7，更優(yōu)選地大于大約9的莫氏硬度。保護性涂層最小化了由于掃描儀部件機械磨損造成的缺陷。
文檔編號G03F7/20GK101196694SQ200710192730
公開日2008年6月11日 申請日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月6日
發(fā)明者D·A·科利斯, K·S·帕特爾 申請人:國際商業(yè)機器公司