專利名稱：平面顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器的制造方法，尤指一種使用光掩膜數(shù)目較 少的平面顯示器的制造方法。
背景技術(shù)：
目前的薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT LCD )制造技術(shù)是使用五道光掩膜，以分別制作出 柵極金屬層、半導(dǎo)體層、源極/漏極金屬層、接觸孔以及畫素電極的圖樣。 其中，接觸孔為介電層中容許源極/漏極金屬層與畫素電極電性連接的孔 洞。
圖1A至圖1H繪示部分公知液晶顯示器的制造方法流程。請參考圖1A， 其顯示傳統(tǒng)以第四道光掩膜制作接觸孔(圖中未示)的剖面示意圖。顯示 基板1是先經(jīng)過多道光掩膜的制造方法而制作出。其中，在玻璃基板11 上利用第三道光掩膜(圖中未示)制作出源極/漏極金屬層14圖樣，之 后再于玻璃基板11的表面制作一介電層15，以保護(hù)其下的電路結(jié)構(gòu)。其 后，于介電層15上涂布一層光刻膠16，此光刻膠16為正型光刻膠，艮口， 光刻膠16吸收光能之后可被顯影劑移除。在顯示基板1制作完成之后， 隨后利用光源3以及第四道光掩膜2，對顯示基板l進(jìn)行一曝光工藝。上 述第四道光掩膜2包括一透明石英基板21以及配置于透明石英基板21上 的一鉻膜22，而未覆蓋絡(luò)膜22區(qū)域的形狀即為接觸孔的圖樣。而當(dāng)光源 3照射第四道光掩膜2時(shí)，部分光線無法穿透有覆蓋鉻膜22的區(qū)域處，而 僅穿透未覆蓋鉻膜22的區(qū)域處。因此，對應(yīng)第四道光掩膜2上覆蓋鉻膜
522區(qū)域處的A部分光刻膠16未照射到光線，而僅有對應(yīng)第四道光掩膜2 上未覆蓋鉻膜22區(qū)域處的B部分光刻膠16可受到光線照射。
請參考圖1B，其顯示經(jīng)上述曝光工藝之后，又經(jīng)顯影劑(圖中未示) 浸泡的顯示基板1。如圖中所示，顯影劑僅移除B部分的光刻膠16而保留 A部分的光刻膠16。
請參考圖1C，其顯示經(jīng)上述顯影工藝之后，又經(jīng)浸泡刻蝕液(圖中未 示) 一段時(shí)間以形成接觸孔151、 152的顯示基板1。光刻膠16覆蓋處的 介電層15，即A部分的介電層15是被保護(hù)而不會被刻蝕液侵蝕，因此僅 有其上方無光刻膠16覆蓋的介電層15，即B部分的介電層15及/或絕緣 層13被刻蝕液移除，致使源極/漏極金屬層14及與門極金屬層12裸露。
請參考圖1D，其顯示經(jīng)上述刻蝕工藝之后，將光刻膠16移除的顯示 基板l。
請參考圖1E，其顯示傳統(tǒng)以第五道光掩膜制作畫素電極的剖面示意 圖。在移除光刻膠16之后，顯示基板1上會通過物理氣相沉積(physical vapor d印osition， PVD )沉積一層畫素電極層17，通常畫素電極層17 的材料為銦錫氧化物(IT0)。之后，再次涂布一層光刻膠層18。請注意 B部分的畫素電極層17是直接電性連接源極/漏極金屬層14與門極金屬 層12。其后的曝光過程是與圖1A類似，相異之處在于圖1E使用的光掩膜 是為第五道光掩膜4，且透明石英基板41上覆蓋的鉻膜42的形狀是畫素 電極的圖樣，而未覆蓋鉻膜42的D部分下方的光刻膠層18將可吸收光能。
請參考圖1F，其顯示以第五道光掩膜曝光后，再經(jīng)顯影劑(圖中未示 )浸泡的顯示基板l。如圖中所示，顯影劑僅移除對應(yīng)D部分的光刻膠層 18，而保留對應(yīng)C部分的光刻膠層18。
請參考圖1G，其顯示經(jīng)圖1F的顯影工藝后，又經(jīng)浸泡刻蝕液(圖中 未示) 一段時(shí)間的顯示基板l。如圖中所示，對應(yīng)D部分的畫素電極層17 是被移除。
請參考圖1H，其顯示經(jīng)圖1G的刻蝕工藝后，將光刻膠層18完全移除的顯示基板1。至此即完成傳統(tǒng)接觸孔151,152以及畫素電極171, 172的制作。
然而，隨著液晶顯示器制作尺寸越來越大，光掩膜的成本花費(fèi)也越來 越高。若以傳統(tǒng)制造方法制作液晶顯示器，則必須使用五道光掩膜而無法 降低光掩膜費(fèi)用，造成液晶顯示器制作成本高的缺失。若能利用較少光掩 膜的制造方法制作液晶顯示器，則勢必可減低生產(chǎn)時(shí)間以及生產(chǎn)費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的就是在提供一種平面顯示器的制造方法，以減少制造 平面顯示器所需使用的光掩膜數(shù)目。
本發(fā)明的另一目的在于提供另一種平面顯示器的制造方法，致使能以 較低成本制造出平面顯示器。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案是
一種平面顯示器的制造方法，應(yīng)用于一具有一金屬層、 一絕緣層及一 介電層的顯示基板，絕緣層位于金屬層及介電層之間，上述制造方法包括 下列步驟于顯示基板上形成一第一光刻膠層；利用一光掩膜對第一光刻
膠層進(jìn)行一第一曝光工藝，以在顯示基板上形成一第一區(qū)域、 一第二區(qū)域
及一第三區(qū)域；移除第一區(qū)域的部分第一光刻膠層；刻蝕第一區(qū)域的部分 介電層；移除第一光刻膠層；于顯示基板上形成一電極材料層；于電極材 料層上形成一第二光刻膠層；利用相同的光掩膜對第二光刻膠層進(jìn)行一第 二曝光工藝；移除第三區(qū)域的部分第二光刻膠層；刻蝕第三區(qū)域的部分電 極材料層；以及移除剩下的第二光刻膠層。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，于移除該第一光刻膠層之前，更包括移除第一 區(qū)域的部分絕緣層，以形成一接觸孔。
本發(fā)明另一種平面顯示器的制造方法，應(yīng)用于一具有一金屬層、 一絕 緣層及一介電層的顯示基板，絕緣層位于金屬層及介電層之間，上述制造 方法包括下列步驟于顯示基板上形成一光刻膠層；利用一光掩膜對光刻膠層進(jìn)行一第一曝光工藝，以在顯示基板上形成一第一區(qū)域、 一第二區(qū)域
及一第三區(qū)域；移除第一區(qū)域的部分光刻膠層；刻蝕第一區(qū)域的部分介電 層；移除第二區(qū)域的部分光刻膠層；于顯示基板上形成一電極材料層；以 及移除剩下的光刻膠層。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，在移除該第二區(qū)域的部分光刻膠層之前，更包 括移除第一區(qū)域的部分絕緣層，以形成一接觸孔。
上述光掩膜可為一灰階光掩膜(Gray Scale Mask )，如半色調(diào)光 掩膜(Half Tone Mask )、薄膜沉積光掩膜(Thin Layer Coating Mask )或其它形式的灰階光掩膜。光掩膜可包括一基板、 一第一材料層及一第 二材料層，基板可為一石英基板，第一材料層及第二材料層配置于基板上 以形成一第四區(qū)域、 一第五區(qū)域以及一第六區(qū)域。上述第四區(qū)域可對應(yīng)上 述第一區(qū)域，上述第五區(qū)域可對應(yīng)上述第二區(qū)域，而上述第六區(qū)域可對應(yīng) 上述第三區(qū)域。
本發(fā)明對第一材料層及第二材料層的材質(zhì)亦無限定，其可為各種形 式、種類的光學(xué)膜片或其組合以使第一材料層與第二材料層具有不同透光 率，較佳為鉻膜或多層膜。因此，可使得第四區(qū)域、第五區(qū)域以及第六區(qū) 域的透光率皆不相同，較佳為使第五區(qū)域的透光率介于第四區(qū)域及第六區(qū) 域的透光率之間。其可通過如下的方法制作第四區(qū)域上形成第一材料層， 第五區(qū)域上形成第二材料層，而第六區(qū)域上則皆沒有形成第一材料層與第 二材料層?；蛘?，第四區(qū)域上皆沒有形成第一材料層與第二材料層，第五 區(qū)域上形成第二材料層，而第六區(qū)域上則形成第一材料層。上述制作方法 的選擇取決于光刻膠層特性。第四區(qū)域的形狀較佳為接觸孔的相似形，而 第四區(qū)域與第五區(qū)域的形狀較佳為畫素電極的相似形。
上述光刻膠層可由樹脂、感光劑及溶劑以任何比例組成。第一光刻膠
層的特性較佳為與第二光刻膠層相異，如當(dāng)?shù)谝还饪棠z層為正型光刻膠 時(shí)，第二光刻膠層為負(fù)型光刻膠；而當(dāng)?shù)谝还饪棠z層為負(fù)型光刻膠時(shí)，第
二光刻膠層則為正型光刻膠。上述金屬層部分可位于第一區(qū)域中，在第一曝光工藝之后，可使第一 光刻膠層得到足夠能量以再經(jīng)顯影及刻蝕工藝后，移除第一區(qū)域的部分光 刻膠而形成接觸孔的圖樣，并使得第二區(qū)域及第三區(qū)域的第一光刻膠層無 法達(dá)到被完全移除的條件。以正型光刻膠來說，完全移除的條件是吸收到 足夠光能，以負(fù)型光刻膠來說，是沒有吸收到足夠光能。因此經(jīng)顯影工藝 后在第二區(qū)域仍存有些許厚度的光刻膠可在刻蝕工藝中保護(hù)其下結(jié)構(gòu)，并 在第三區(qū)域存有較第二區(qū)域更厚的光刻膠。
本發(fā)明并無限定顯影工藝的顯影方式，其可使用任何成分的顯影劑或 任何型態(tài)的顯影設(shè)備。本發(fā)明亦無限定刻蝕工藝的刻蝕方式，其可使用濕 式刻蝕、等離子體轟擊的干式刻蝕或其它任意方式。
之后，可再以同一光掩膜另行第二曝光工藝定義出畫素電極的圖樣。 利用同一光掩膜及與第二光刻膠層進(jìn)行曝光后，使得第三區(qū)域的部分第二 光刻膠層在顯影工藝中得以被完全移除，而形成畫素電極的圖樣。
因此，本發(fā)明僅使用單一光掩膜即可形成接觸孔及畫素電極的圖樣， 而不需使用兩道光掩膜分別形成接觸孔及畫素電極的圖樣，故而減少制造 平面顯示器所需使用的光掩膜數(shù)目及制造成本。


圖1A至圖1H是公知顯示基板的制作過程剖面示意圖2A至圖2H是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的顯示基板部分制作過程剖面 示意圖3A至圖3F是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的顯示基板部分制作過程剖面 示意圖。
主要組件符號說明
顯示基板1，6第四道光掩膜2 光源3 第五道光掩膜 半色調(diào)光掩膜5 玻璃基板ll4
柵極金屬層
12， 62 絕緣層13，63
接 觸 介電層15，65 151,152,651,652
孔
畫 素 電 極 畫素電極層17 171， 172， 671， 672 鉻膜22， 42 基板51
第一材料層53 基材61 電極材料層67 第二光刻膠層68
源極/漏極金屬層 14， 64
光刻膠層16， 18
透明石英基板21，41 第二材料層52 第一光刻膠層66 區(qū)域E， F， G
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一
圖2A至圖2H顯示本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的顯示基板部分制作過程剖 面示意圖。
首先請參考圖2A。其中，所使用的顯示基板6是先經(jīng)傳統(tǒng)第三道光掩 膜制造方法而制作出源極/漏極金屬層64。顯示基板6包括一基材61、 兩金屬層62、 64及一絕緣層63。在本實(shí)施例中，基材61是玻璃材料，金 屬層62是柵極金屬層，而金屬層64是源極/漏極金屬層。絕緣層63位 于柵極金屬層62及源極/漏極金屬層64之間，柵極金屬層62、絕緣層 63及源極/漏極金屬層64是交迭于基材61之上。
在圖2A中，先于顯示基板6上制作出一層介電層65。本實(shí)施例的介 電層65是通過化學(xué)氣相沉積(CVD )制作的氮硅化合物(SiNx )，其可保 護(hù)其下電路結(jié)構(gòu)并使其下電路電性絕緣于其上的電路。
之后，在介電層65上形成一第一光刻膠層66，在本實(shí)施例中，第一 光刻膠層66是由樹脂、感光劑及溶劑組成的負(fù)型光刻膠，其吸收光能后產(chǎn)生鍵結(jié)而無法以浸泡于顯影劑中的方式移除。
接著，利用一光源3以及一半色調(diào)光掩膜(Half Tone Mask ) 5對顯 示基板6進(jìn)行第一曝光工藝。在本實(shí)施例中，半色調(diào)光掩膜5是放置在光 源3與顯示基板6之間，且本實(shí)施例假設(shè)光源3是均勻的平行光源。
上述半色調(diào)光掩膜5包括一基板51、 一第一材料層53及一第二材料 層52，在本實(shí)施例中，基板51的材質(zhì)是透明度高的石英。半色調(diào)光掩膜 5上依照第二材料層52及第一材料層53的配置范圍形成三個(gè)區(qū)域E、 F、 G。即，半色調(diào)光掩膜5上配置第一材料層53的范圍是區(qū)域E，半色調(diào)光 掩膜5上僅配置有第二材料層52的范圍是區(qū)域F，而半色調(diào)光掩膜5上都 沒有配置第二材料層52或第一材料層53的范圍是區(qū)域G。區(qū)域E的形狀' 是欲制作的接觸孔(圖中未示)的相似形，而E及F區(qū)域的聯(lián)集形狀是欲 制作的畫素電極(圖中未示)的相似形。
本實(shí)施例的第二材料層52是鉻膜，其上制作出許多小孔(圖中未示 )以調(diào)整其透光率，故而第二材料層52可容許部分射入光線穿透。本實(shí) 施例的第一材料層53是不可透光的鉻膜，因此可阻擋遮蔽光線。
當(dāng)光源3射入半色調(diào)光掩膜5時(shí)，則在顯示基板6上形成分別對應(yīng)至 三個(gè)區(qū)域E、 F及G。其中，在對應(yīng)區(qū)域E的顯示基板6上，光源3因?yàn)楸?第一材料層53阻擋而無法射出，是故對應(yīng)E區(qū)域的部分第一光刻膠層66 無法獲得光能。對于對應(yīng)區(qū)域G的顯示基板6來說，因?yàn)楣庠?可穿透區(qū) 域G，因此對應(yīng)區(qū)域G的部分第一光刻膠層66可吸收光能而產(chǎn)生鍵結(jié)。對 于對應(yīng)區(qū)域F的顯示基板6來說，因?yàn)楸坏诙牧蠈?2限制了透光率， 所以只有部分光源3可自區(qū)域F射出而使對應(yīng)區(qū)域F的部分第一光刻膠層 66吸收光能而產(chǎn)生鍵結(jié)。因此，由上述可知對應(yīng)區(qū)域E、 F、 G的第一光刻 膠層66產(chǎn)生不等程度的鍵結(jié)。
請參考圖2B，其顯示經(jīng)圖2A的第一曝光工藝之后，再經(jīng)一顯影劑( 圖中未示)移除部分第一光刻膠層66的顯示基板6剖面示意圖。此處是 依照第一光刻膠層66的成分選用適合的顯影劑，第一光刻膠層66在顯影劑中浸泡一段時(shí)間后，可被顯影劑溶解鍵結(jié)產(chǎn)生率較低的部分。因此，經(jīng) 浸泡顯影劑過后，顯示基板6上的第一光刻膠層66依照曝光吸收能量程
度不同而呈現(xiàn)不均勻的厚度。其中，對應(yīng)區(qū)域G的部分光刻膠層66的厚 度最厚，對應(yīng)F區(qū)域的部分第一光刻膠層66的厚度次之，而對應(yīng)區(qū)域E 的部分第一光刻膠層66則被完全移除而使得介電層65是裸露于顯示基板 6的表面。請注意，此時(shí)介電層65裸露部分的形狀是欲制作的接觸孔的圖樣。
請參考圖2C，其顯示經(jīng)圖2B的顯影工藝之后，再經(jīng)刻蝕工藝的顯示 基板6剖面示意圖。此處是依照介電層65及絕緣層63的成分選用適合的 刻蝕方式，在本實(shí)施例中是使用氫氟酸(HF )(圖中未示)為刻蝕液的濕 式刻蝕。顯示基板6被浸泡于刻蝕液當(dāng)中一段時(shí)間后，裸露于顯示基板6 表面的部分介電層65及絕緣層63則被侵蝕以形成接觸孔651、 652。顯示 基板6表面存有第一光刻膠層66的部分在浸泡過程中，則被第一光刻膠 層66保護(hù)因此不被刻蝕液侵蝕。在刻蝕工藝當(dāng)中，刻蝕液由裸露在表面 的介電層65開始侵蝕，并隨著時(shí)間增加侵蝕的深度。本實(shí)施例控制浸泡 的時(shí)間以使得刻蝕工藝完畢后，是以源極/漏極金屬層64與門極金屬層 62為刻蝕終點(diǎn)。
接著，請參考圖2D，其顯示圖2C的顯示基板6再經(jīng)移除第一光刻膠 層66后的剖面示意圖。在此步驟中，顯示基板6是被浸泡于移除光刻膠 劑(圖中未示)中以使第一光刻膠層66溶解。本實(shí)施例所選用的移除光 刻膠劑是依照第一光刻膠層66的成分而選定。
請參考圖2E，其顯示圖2D經(jīng)移除第一光刻膠層66的顯示基板6再以 半色調(diào)光掩膜5進(jìn)行第二曝光工藝以制作畫素電極的剖面示意圖。如圖中 所示，首先在顯示基板6上形成一電極材料層67，接著形成一第二光刻膠 層68。本實(shí)施例制作電極材料層67的方法是以物理氣相沉積法將銦錫化 合物(IT0)沉積于顯示基板6上。因此，電極材料層67在接觸孔651、 652處是電性連接其下的源極/漏極金屬層64或門極金屬層62。本制造方法所使用的第二光刻膠層68是與第一光刻膠層66相異特性，g卩，吸收 光能時(shí)會產(chǎn)生鍵結(jié)斷裂的正型光刻膠。
如圖2E中所示，在第二曝光工藝中，與第一曝光工藝類似的，半色 調(diào)光掩膜5上區(qū)域E、 F及G的不同透光率亦使得顯示基板6上對應(yīng)E、 F 及G區(qū)域的部分第二光刻膠層68接收不同強(qiáng)度的射入光線。所以，使得 對于對應(yīng)區(qū)域G的部分第二光刻膠層68的鍵結(jié)產(chǎn)生斷裂，使得對應(yīng)區(qū)域F 的部分第二光刻膠層68有一部分鍵結(jié)產(chǎn)生斷裂，并使得對應(yīng)區(qū)域E的部 分第二光刻膠層68的鍵結(jié)保持為原來的狀態(tài)。
請參考圖2F，其顯示圖2E的顯示基板6經(jīng)浸泡于一顯影劑(圖中未 示)以移除部分第二光刻膠層68的剖面示意圖。此處是依照第二光刻膠 層68的成分選擇適用的顯影劑，第二光刻膠層68在顯影劑中浸泡一段時(shí) 間后，可被顯影劑溶解鍵結(jié)斷裂產(chǎn)生率較高的部分。因此，經(jīng)顯影工藝過 后，顯示基板6上對應(yīng)E區(qū)域的部分第二光刻膠層68的厚度是最厚，對 應(yīng)F區(qū)域的第二光刻膠層68次之，而對應(yīng)區(qū)域G的第二光刻膠層68則被 移除。顯示基板6存有第二光刻膠層68的對應(yīng)區(qū)域E、 F則為畫素電極的 圖樣。
請參考圖2G，其顯示圖2F的電極材料層67經(jīng)刻蝕以制作出畫素電極 671、 672的顯示基板6剖面示意圖。在此步驟中可依照電極材料層67的 成分選用適合的刻蝕方式，本實(shí)施例是使用草酸(圖中未示)為刻蝕液的 濕式刻蝕方式。浸泡于刻蝕液時(shí)，刻蝕液侵蝕顯示基板6上對應(yīng)區(qū)域G的 部分電極材料層67。而上有第二光刻膠層68的部分電極材料層67因受到 第二光刻膠層68的保護(hù)，因此不受到侵蝕，所以，刻蝕過后則形成畫素 電極671、 672。
請參考圖2H，其顯示圖2G的顯示基板6移除光刻膠層68后的剖面示 意圖。在本發(fā)明制造方法中，顯示基板6被浸泡于一光刻膠移除液(圖中 未示)中以將第二光刻膠層68完全溶解。此處是依照第二光刻膠層68的 成分選用適合的光刻膠移除液。至此，僅需使用一片半色調(diào)光掩膜5即可制作出接觸孔651、 652及畫素電極671、 672，故而減少光掩膜花費(fèi)，進(jìn) 而降低平面顯示器生產(chǎn)成本。 實(shí)施例二
圖3A至圖3F顯示本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的顯示基板部分制作過程剖 面示意圖。
請一并參考圖3A至圖3C，其中的制造方法是與上一實(shí)施例圖2A至圖 2C所示相同，唯有在此所使用的光刻膠層66是為一正型光刻膠，因此半 色調(diào)光掩膜5上配置第一材料層53的范圍是G區(qū)域，都沒有配置第二材 料層52或第一材料層53的范圍是E區(qū)域，其余條件皆相同，因此此處不 再贅述。經(jīng)圖3A至圖3C的制造方法之后，顯示基板6上制作出接觸孔651、 652。
另請參考圖3D，其顯示接續(xù)圖3C的制造方法。在此步驟中，首先是 利用等離子體灰化(Plasma ashing )的方式以等離子體的轟擊對光刻膠 層66作移除處理。在本實(shí)施例中，控制進(jìn)行等離子體灰化的時(shí)間以使在 此制造方法后，將對應(yīng)F區(qū)域的部分光刻膠層66移除。對應(yīng)區(qū)域E的金 屬層62、 64與對應(yīng)區(qū)域F的介電層65皆裸露于顯示基板6的表面，請注 意，上述裸露部分的形狀是欲制作的畫素電極的圖樣。
接著，請參考圖3E，其顯示經(jīng)上述等離子體灰化制造方法的顯示基板 6再經(jīng)沉積一層電極材料層67的剖面示意圖。此處是使用濺鍍方式以使銦 錫化合物附著在顯示基板6表面上以形成電極材料層67。所以，顯示基板 6裸露的部分上形成畫素電極671、 672。'
請參考圖3F，其顯示圖3E的顯示基板6經(jīng)移除光刻膠層66后的剖面 示意圖。在本步驟中，是使用剝離法(lift-off)將顯示基板6對應(yīng)區(qū)域G 的光刻膠層66移除。至此，僅需使用一道半色調(diào)光掩膜5即可制作出接 觸孔651、 652及畫素電極671、 672。此外，本實(shí)施例與上一實(shí)施例相比 較，其中曝光、顯影和刻蝕等制作步驟較少，因此制造方法所需材料費(fèi)用 亦較少，故而除因減少光掩膜數(shù)目而減少光掩膜花費(fèi)之外，更可降低制作工時(shí)及人事、材料費(fèi)用的支出，進(jìn)而降低平面顯示器生產(chǎn)成本。
所以，從上述說明中可以得知，本發(fā)明是在光掩膜上分別制作不同透
光率的多個(gè)區(qū)域，以在曝光工藝中使用同一光掩膜于顯示基板上形成接觸
孔及畫素電極的圖樣，進(jìn)而減少平面顯示器制作過程中所需要的光掩膜數(shù)
目，以達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
上述實(shí)施例僅是為了方便說明而舉例而己，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍
自應(yīng)以權(quán)利要求保護(hù)的范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1、一種平面顯示器的制造方法，應(yīng)用于一具有一金屬層、一絕緣層及一介電層的顯示基板，該絕緣層位于該金屬層及該介電層之間，其特征在于，該制造方法包括下列步驟于該顯示基板上形成一第一光刻膠層；利用一光掩膜對該第一光刻膠層進(jìn)行一第一曝光工藝，以在該顯示基板上形成一第一區(qū)域、一第二區(qū)域及一第三區(qū)域；移除該第一區(qū)域的部分該第一光刻膠層；刻蝕該第一區(qū)域的部分該介電層；移除該第一光刻膠層；于該顯示基板上形成一電極材料層；于該電極材料層上形成一第二光刻膠層；利用該光掩膜對該第二光刻膠層進(jìn)行一第二曝光工藝；移除該第三區(qū)域的部分該第二光刻膠層；刻蝕該第三區(qū)域的部分該電極材料層；以及移除剩下的該第二光刻膠層。
2、 如權(quán)利要求1所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 光掩膜包括一基板、 一第一材料層及一第二材料層，該第一材料層及該第 二材料層配置于該基板上以形成一第四區(qū)域、 一第五區(qū)域以及一第六區(qū) 域，而該第四區(qū)域?qū)?yīng)該第一區(qū)域，該第五區(qū)域?qū)?yīng)該第二區(qū)域，該第六 區(qū)域?qū)?yīng)該第三區(qū)域。
3、 如權(quán)利要求2所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 第四區(qū)域、該第五區(qū)域以及該第六區(qū)域的透光率皆不相同。
4、 如權(quán)利要求1所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 光掩膜為一半色調(diào)光掩膜(halftone mask)。
5、 如權(quán)利要求1所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 金屬層部分位于該第一區(qū)域中。
6、 如權(quán)利要求1所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，在移 除該第一光刻膠層之前，更包括移除該第一區(qū)域的部分該絕緣層。
7、 一種平面顯示器的制造方法，應(yīng)用于一具有一金屬層、 一絕緣層 及一介電層的顯示基板，該絕緣層位于該金屬層及該介電層之間，其特征 在于，該制造方法包括下列步驟于該顯示基板上形成一光刻膠層；利用一光掩膜對該光刻膠層進(jìn)行一第一曝光工藝，以在該顯示基板上 形成一第一區(qū)域、 一第二區(qū)域及一第三區(qū)域； 移除該第一區(qū)域的部分該光刻膠層； 刻蝕該第一區(qū)域的部分該介電層； 移除該第二區(qū)域的部分該光刻膠層； 于該顯示基板上形成一電極材料層；以及 移除剩下的該光刻膠層。
8、 如權(quán)利要求7所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 光掩膜包括一基板、 一第一材料層及一第二材料層，該第一材料層及該第 二材料層配置于該基板上以形成一第四區(qū)域、 一第五區(qū)域以及一第六區(qū) 域，而該第四區(qū)域?qū)?yīng)該第一區(qū)域，該第五區(qū)域?qū)?yīng)該第二區(qū)域，該第六 區(qū)域?qū)?yīng)該第三區(qū)域。
9、 如權(quán)利要求7所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 第四區(qū)域、該第五區(qū)域以及該第六區(qū)域的透光率皆不相同。
10、 如權(quán)利要求7所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 光掩膜為一半色調(diào)光掩膜。
11、 如權(quán)利要求7所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，所述 金屬層部分位于該第一區(qū)域中。
12、如權(quán)利要求7所述的平面顯示器的制造方法，其特征在于，在移 除該第二區(qū)域的部分該光刻膠層之前，更包括移除該第一區(qū)域的部分該絕
全文摘要
本發(fā)明涉及一種平面顯示器的制造方法，其是使用相同的一道光掩膜，在顯示基板上制作出接觸孔及畫素電極的圖樣，進(jìn)而減少平面顯示器制作過程中所需要的光掩膜數(shù)目，以達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
文檔編號G03F1/32GK101442028SQ20071016974
公開日2009年5月27日 申請日期2007年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者劉文雄, 張紓語 申請人:中華映管股份有限公司