專利名稱：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案涂敷到襯底上(通常到所述襯底的目標(biāo)部
分上)的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在
這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成器件 用于產(chǎn)生在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底
(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個或幾個管芯的部分)。 典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料
(抗蝕劑)層上。通常，單獨的襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分 的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全 部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描 器，在所述掃描器中，通過沿給定方向("掃描"方向)用輻射束掃描所 述圖案、同時與該方向平行或反向平行地掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo) 部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上，將所述 圖案從所述圖案形成(patterning)裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底。
已經(jīng)提出了這樣的方案，將所述襯底浸入投影光刻設(shè)備中具有相對較 高折射率的液體中(例如，水)，以便填充所述投影系統(tǒng)的最終元件和所 述襯底之間的空隙。由于曝光輻射在液體中會有更短的波長，因而這樣做 的關(guān)鍵是能夠?qū)崿F(xiàn)較小部件的成像。(液體的作用也可以當(dāng)作增加了系統(tǒng) 的有效的數(shù)值孔徑(NA)，或者也可以當(dāng)作增加了焦深。)已經(jīng)提出了其他 的浸沒液體，包括其中懸浮固體顆粒(例如，石英)的水。
然而，將襯底，或襯底及襯底臺浸沒在液體槽中(例如，見專利號為 US4， 509， 852的美國專利)意味著在掃描曝光過程中，必須要對液體的 龐大的本體進行加速。這需要附加的或更有力的電機，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望的和無法預(yù)見的后果。所提出的解決方案之一是采用液體封閉系統(tǒng)液體供給系統(tǒng)僅將液體 提供到襯底的局部區(qū)域和在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的區(qū)域(通常 襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。已經(jīng)被提出進行這種布置的方式在專利申請公開號為W099/49504的PCT專利申請中公開。如圖 2和3所示，通過至少一個進口 IN優(yōu)選沿著襯底相對于最終元件的運動方 向?qū)⒁后w提供到襯底上，并且由至少一個出口 OUT在液體已經(jīng)在投影系統(tǒng) 下方通過后去除液體。也就是，當(dāng)襯底在元件下方沿-X方向被掃描時，液 體在元件的+X側(cè)供給并在-X側(cè)吸取。圖2示意性示出經(jīng)由進口 IN供給液 體、由連接到低壓源的出口 OUT在元件的另一側(cè)吸取液體的配置。在圖2 中，沿著襯底相對于最終元件的運動方向供給液體，但是并非一定如此。 能夠在最終元件周圍布置各種方位和數(shù)量的進口和出口，在如圖3所示的 一個例子中，在最終元件周圍以規(guī)則的圖案，設(shè)置在每一側(cè)都具有出口的 四個入口組。圖4中示出又一個具有局部液體供給系統(tǒng)的浸沒式光刻解決方案。液 體由投影系統(tǒng)PL每一側(cè)的兩個溝槽進口 IN供給，由配置在進口 IN徑向 外部的多個離散的出口 0UT去除。所述進口 IN和出口 OUT能夠配置在中 心有孔的板上，并且投影束通過該孔投影。液體由投影系統(tǒng)PL的一側(cè)的 一個溝槽進口IN供給，并由在投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)的多個離散的出口OUT 去除，造成在投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的液體薄膜流?？梢蕾囉谝r底W 的運動方向選擇所使用的進口 IN和出口 0UT的組合(進口 IN和出口 OUT 的其他組合不起作用)。在第EP1420300號歐洲專利申請和第US2004-0136494號的美國專利 申請中，(每個專利申請文件都以引用的方式整體并入本文中)，公開了孿 臺或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備提供有兩個用于支撐襯底的 臺。臺在無浸沒液的第一位置的情況下，進行水平測量，而臺在存在浸沒 液的第二位置的情況下進行曝光?？商娲姆桨甘?，所述裝置僅有一個臺。浸沒式光刻的問題在于由于在襯底的頂部表面使用浸沒液，而在產(chǎn)品 中引入了成像缺陷。這些成像缺陷大多數(shù)通過浸沒液中的顆粒引入。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在減少在浸沒式投影光刻設(shè)備中由使用浸沒液引入的缺陷。在實施例中，可減少導(dǎo)致液體斑點的成像后剩余的顆粒印跡(particle printing)禾口液滴。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，所提供的光刻設(shè)備包括支架，配置用于支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫 截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；液體供 給系統(tǒng)，配置用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)， 配置用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制 器，適于在橫跨襯底的管芯線或從襯底的一邊到另一邊的管芯線的成像過 程中協(xié)調(diào)襯底臺和支架的運動，以使得通過在投影系統(tǒng)下僅沿著基本與第 一方向平行的方向向后和/或向前的管芯線的運動實現(xiàn)所述襯底臺和支 架的運動，其中第一方向處于基本上平行于頂部表面的平面中。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括支架，配置用于支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫 截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；液體供 給系統(tǒng)，配置用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)， 配置用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制 器，適應(yīng)于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底上的管芯線的成像過 程中，襯底臺沿著與頂部表面基本上平行的平面中的第一方向移動，并且 支架移動以致在每個管芯的曝光過程中沿著第一方向掃描襯底。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括-支架，配置用于支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫 截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；液體供 給系統(tǒng)，配置用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)， 配置用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制 器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底的中心部分的成像過程 中，掃描運動基本上垂直于步進運動，而在襯底的外部區(qū)域的成像過程中， 步進運動和掃描運動是相結(jié)合的，或是基本上反平行的。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括支架，配置用于支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；液體供 給系統(tǒng)，配置用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)， 配置用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制 器，配置用于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底的頂部表面的至少 一部分的成像過程中，襯底臺的掃描運動和步進運動，至少部分地結(jié)合成 一種運動或是基本平行的單獨運動。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括-支架，配置用于支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫 截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；液體供 給系統(tǒng)，配置用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)， 配置用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制 器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在成像過程中，所有掃描運動 沿一個方向。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括-用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中通過在投影系統(tǒng)下僅沿著基本與第一方向平行的方 向向后和/或向前的管芯線的運動，對橫跨襯底的管芯線進行成像，其中 第一方向處于與襯底頂部表面基本平行的平面中。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括 用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中通過沿著在基本上平行于襯底的頂部表面的平面中 的第一方向移動襯底，并控制帶圖案的輻射束以使得在每個管芯的曝光過 程中沿第一方向掃描襯底，對管芯線進行成像。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括 用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中在襯底的中心部分的成像過程中，掃描運動基本上 垂直于步進運動，而在襯底的外部區(qū)域的成像過程中，步進運動和掃描運 動是相結(jié)合的，或是基本上反平行的。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中襯底的掃描運動和步進運動，至少部分地結(jié)合成一 種運動或基本平行的單獨運動。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括-用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中在成像過程中，所有掃描運動沿一個方向。


現(xiàn)在僅作為示例并參照示意性附圖描述本發(fā)明的實施例，其中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部分，并且其中圖l示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；圖2和3示出用于投影光刻設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于投影光刻設(shè)備中的另一個液體供給系統(tǒng)；圖5是能夠用于本發(fā)明的實施例的液體供給系統(tǒng)的剖面圖；圖6是可與本發(fā)明的實施例一起使用的另一種類型的液體供給系統(tǒng)的剖面圖；圖7是示意圖，示出在成像過程中在投影系統(tǒng)下的襯底的現(xiàn)有路線；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的成像路線；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另 一個實施例的成像路線；圖10示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線；圖ll示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線； 圖12示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線； 圖13示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線； 圖14示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線；以及圖15示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的成像路線。
具體實施方式
圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括:照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，紫外線或極紫外(DUV)線)；支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如， 掩模)MA，并且與第一定位器PM相連，所述第一定位器PM配置用于根據(jù)一定的參數(shù)對所述圖案形成裝置進行精確地定位；襯底臺(例如，晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如，涂有抗蝕劑 的晶片)W，并且與第二定位器PW相連，所述第二定位器PW配置用于根 據(jù)一定的參數(shù)對所述襯底進行精確地定位；以及投影系統(tǒng)(例如，折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，配置用于通過圖案形成 裝置MA將被賦予所述輻射束B的圖案投影到所述襯底W的目標(biāo)部分C(例 如，包括一個或更多管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、 磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以對輻 射進行導(dǎo)引、整形、或控制。所述支撐結(jié)構(gòu)按照依賴于所述圖案形成裝置的方位、所述光刻設(shè)備的 設(shè)計、以及諸如例如是否將圖案形成裝置保持在真空環(huán)境中的其他條件的 方式，來支持所述圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真空、靜 電、或其他夾持技術(shù)以支持所述圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架 或臺子，例如，框架或臺子可以根據(jù)需要是固定的或是可移動的。所述支 撐結(jié)構(gòu)可以確保所述圖案形成裝置，例如相對于所述投影系統(tǒng)的處于所需 位置。這里術(shù)語"掩模版"或"掩模"的任何使用可以認為與更通用的術(shù) 語"圖案形成裝置"同義。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"圖案形成裝置"寬范圍地解釋為能夠用于賦 予輻射束橫截面圖案、以便在所述襯底的目標(biāo)部分中創(chuàng)建圖案的任意裝 置。應(yīng)該注意的是，例如，如果所述圖案包括相移特征或相移部件，或所 謂的輔助特征或輔助部件，被賦予所述輻射束的所述圖案可能不完全地與 所述襯底的目標(biāo)部分中的所需圖案相對應(yīng)。通常，被賦予所述輻射束的所 述圖案與在所述目標(biāo)部分中創(chuàng)建的器件中的具體功能層相對應(yīng)，例如集成 電路。所述圖案形成裝置可以是透射式的或是反射式的。圖案形成裝置的示 例包括掩模、可編程反射鏡陣列、和可編程LCD面板。掩模在光刻中是 眾所周知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替相移掩模類型、衰減相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例 采用小反射鏡的矩陣排列，可以獨立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同 方向反射入射輻射束。所述傾斜的反射鏡賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻 射束中的圖案。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣泛地解釋為包括任意類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光 學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，只要適于所使用的曝光輻射、或諸如使用浸沒式 液體或使用真空之類的其他因素。這里任意使用的術(shù)語"投影透鏡"可以 認為是與更通用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射掩模)。替代 地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡 陣列，或采用反射掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或 更多支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺"機器中，可以并行地使用附加的 臺，或可以在一個或更多臺上執(zhí)行預(yù)備步驟，而可以將一個或更多其他臺 用于曝光。參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所 述光刻設(shè)備可以是單獨的實體(例如，該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種 情況下，不會認為所述源形成所述光刻設(shè)備的部分，并且通過包括例如合 適的引導(dǎo)鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源 SO傳到所述輻射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的整 體部分，例如所述源是汞燈時。可以將所述源SO和所述輻射器IL稱作輻 射系統(tǒng)、如果需要所述束傳遞系統(tǒng)BD可以將所述源S0和所述輻射器IL 與所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述輻射器IL可以包括調(diào)節(jié)器AD，用于調(diào)整所述輻射束的角強度分 布。通常，可以對所述輻射器的光瞳面中的強度分布的至少外部和/或內(nèi) 部的徑向范圍(一般分別稱為o"-外部和c7-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述 輻射器IL可以包括各種其他部件，例如整合器或積分器IN和聚光器C0。 可以將所述輻射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻 性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在所述支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT的所 述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成 圖案。已經(jīng)橫穿所述圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過所述投影 系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將所述束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過第二定位器PW和定位傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或 電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同目 標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路線中。類似地，例如在來自掩模庫的機 械檢索之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位器PM和另一個定位傳 感器(圖1中未明確示出)用于將所述圖案形成裝置MA相對于所述輻射 束B的路線精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位器PM的部分 的長程模塊(粗定位)和短程模塊(精定位)來實現(xiàn)所述支撐結(jié)構(gòu)MT的 移動。類似地，可以通過形成所述第二定位器PM的部分的長程模塊和短 程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)， 所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂?圖案形成裝置對齊標(biāo)記M1、 M2和襯底對齊標(biāo)記P1、 P2來對齊圖案形成裝 置MA和襯底W。盡管所示的所述襯底對齊標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但他 們可以位于目標(biāo)部分之間的空隙(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)。類似地， 在將多于一個管芯設(shè)置在所述圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形 成裝置對齊標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少之一-1. 在步進模式中，將所述支撐結(jié)構(gòu)MT和所述襯底臺WT保持為基本 靜止，而將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單 一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以 對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一 的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C的 同時，將所述支撐結(jié)構(gòu)MT和所述襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的 動態(tài)曝光)。所述襯底臺WT相對于所述支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通 過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模 式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分(沿非掃描方向)的寬度，而所述掃描運動的長度確定了所述目標(biāo)部分(沿所述 掃描方向)的高度。3.在另一個模式中，將保持可編程圖案形成裝置的所述支撐結(jié)構(gòu)MT 保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C 的同時，對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈 沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連 續(xù)輻射脈沖之間，按照要求更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作的模 式易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置的無掩模光刻中，例如，如上所述 類型的可編程反射鏡陣列。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 另一個已經(jīng)提出的利用局部液體供給系統(tǒng)方案的浸沒式光刻解決方 案是為液體供給系統(tǒng)提供阻擋部件(barrier member),所述阻擋部件沿 著投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空隙的邊界的至少一部分延伸。圖 5以剖視圖的形式示出，這種能夠用于以液體填充投影系統(tǒng)PS和襯底W 之間的空隙ll的液體供給系統(tǒng)IH。這種液體供給系統(tǒng)僅為示例，并且能 夠替代地采用將液體提供給襯底的局部區(qū)域(即在任何一次都不遍及襯底 的整個頂部表面)的多種其它類型的液體供給系統(tǒng)，尤其是不具有氣刀 (gas khife)禾口依賴于彎液面束縛特性(meniscus pinning features)保持液體的液體供給系統(tǒng)參考圖5，所述阻擋部件12至少部分保持或容納投影系統(tǒng)PL的最終 元件和襯底W之間的空隙ll內(nèi)的液體。阻擋部件12圍繞投影系統(tǒng)PS的 底部邊緣。盡管所述阻擋部件沿Z方向(沿光軸方向)可能有一些相對運 動，但相對于投影系統(tǒng)在XY平面中基本靜止。在實施例中，在面對襯底 的頂部表面的阻擋部件的底表面和襯底表面之間形成密封，并且該密封可 為非接觸式密封，例如，氣封(gas seal)。對于襯底的無接觸式密封16 可以在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成，以使得將液體限定在襯底表面和投 影系統(tǒng)的最終元件之間的空隙內(nèi)。所述空隙至少部分地由位于投影系統(tǒng)的 最終元件PL下方并圍繞著投影系統(tǒng)的最終元件PL的阻擋部件12形成。 液體通過液體進口 13進入投影系統(tǒng)下方的和阻擋部件12之內(nèi)的空隙中， 并可以通過液體出口 13去除。所述阻擋部件12可以延伸到投影系統(tǒng)的最終元件上方少量距離，并且液面升到所述最終元件上方，以便提供液體的 緩沖區(qū)域。在實施例中，所述阻擋部件12具有內(nèi)周，該內(nèi)周在上端與投 影系統(tǒng)或其最終元件的形狀接近相符，例如，可以是圓形的。在底部，該 內(nèi)周與成像區(qū)域的形狀接近相符，例如，可為矩形，但是可以不是這樣。液體由氣封16保持在空隙11中，在使用中，氣封16在阻擋部件12 的底部和襯底W的表面之間形成。所述氣封由氣體形成(例如，使用空氣 或合成氣體(synthetic air)，但是，在實施例中，使用氮氣或另一種惰 性氣體)，氣體在壓力下經(jīng)由進口 15提供給阻擋部件12和襯底之間的間 隙，并經(jīng)由出口14抽出。配置氣體進口 15上的過壓、出口14上的真空 度(vacuum level)以及間隙的幾何形狀，以使得具有向內(nèi)的限制液體的 高速氣流。這些進口/出口可以是環(huán)繞空隙11的環(huán)形溝槽，并且氣流16 有效將液體保持在空隙11中。這種系統(tǒng)在第US2004-0207824號的美國專 利申請公開中公開，在此以引用的方式整體并入本文中。圖6示出另一種類型的液體供給系統(tǒng)IH。阻擋部件12圍繞投影系統(tǒng) PS的最終元件的外周延伸，以使得所述阻擋部件(有時稱作密封部件)為 例如整體上基本成環(huán)形。阻擋部件12的功能是至少部分地將液體保持或限制在投影系統(tǒng)PS 和襯底W之間的空隙中，以使得投影光束可以通過液體。液體的頂部平面 因阻擋部件12的存在而被簡單地保持，并且在空隙中的液面也被保持， 以使得所述液體不從阻擋部件12的頂部溢出。在阻擋部件12底部和襯底 W之間設(shè)置密封。在圖6中，所示密封為無接觸式密封，并由多個部件構(gòu) 成。提供延伸入所述空隙(但是不延伸到投影束的路線中)的(可選的) 流盤或流板(flowplate) 50，該流盤或流板50在從投影系統(tǒng)PS的光軸 徑向向外的地方起作用，所述流盤50幫助保持浸沒液并行流出進口 20， 穿過空隙，然后通過與入口在同一水平面并與入口相對的出口 (未示出) 流出(以使得所述浸沒液流過投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙)。 流體控制盤其中具有一個或更多個通孔55以減小對阻擋部件12相對于投 影系統(tǒng)PS和/或襯底W的光軸方向的運動的阻力。其次，提供進口60， 所述進口 60提供液流，該液流沿著與光軸基本平行的方向朝襯底流動并 且沿阻擋部件12的底部徑向向外運動。該液流用于幫助填充襯底W邊緣和支撐襯底的襯底臺WT之間的任何間隙。如果這個間隙不被液體填充， 當(dāng)襯底W的邊緣在阻擋部件12下方通過時，在投影系統(tǒng)PS和襯底W之間 的空隙中的液體更可能包含液泡。由于液泡會導(dǎo)致成像質(zhì)量的惡化，因此 這種情況是不希望出現(xiàn)的。在出口60徑向向外的位置，設(shè)置抽取器組件70，抽取器組件70配 置用于從阻擋部件12和襯底W之間抽取液體。下面將更詳細地描述抽取 器70，并且抽取器70形成在阻擋部件12和襯底W之間產(chǎn)生的無接觸式 密封的部分。在抽取器組件徑向向外的位置設(shè)置凹部(recess) 80，所述凹部80 通過出口82與大氣相同，并經(jīng)由進口 84與低壓源相通。在凹部80的徑 向向外的位置設(shè)置氣刀90。在第US2006-0158627號的美國專利申請公開 中詳細地公開了抽取器、凹部和氣刀的配置，第US2006-0158627號申請 在此以引用的方式并入本文中。然而，在該第US2006-0158627號申請中， 抽取器組件的配置是不同的。抽取器組件70包括液體去除裝置或抽取器或出口 95，例如在第 US2006-0038968號的美國專利申請公開中公開的一個方案，在此以引用 的方式將第US2006-0038968號的美國專利申請并入本文中?？梢允褂萌?何類型的液體抽取器。在實施例中，液體去除裝置95包括覆蓋在多孔材 料96中的出口，多孔材料96用于將液體與氣體分隔開，以實現(xiàn)單一液相 液體提取。位于多孔材料96下游處的腔97保持輕微的負壓力，并被液體 填充。腔97中的負壓力使得在多孔材料的孔中形成的彎液面(meniscus) 阻止周圍的氣體(例如，空氣)抽入液體去除裝置95的腔97。然而，當(dāng) 多孔材料96與液體相接觸時，沒有彎液面限制流動，并且液體能自由地 流入液體去除裝置95的腔97中。多孔材料96沿著阻擋部件12 (也在空 隙周圍)徑向向內(nèi)延伸，而且它的抽取率根據(jù)有多少多孔材料96被液體 覆蓋的數(shù)量而變化。盤或板200設(shè)置于液體去除裝置95和襯底W之間，以使得液體抽取 功能和彎液面控制功能能夠互相分開，并且阻擋部件12能夠針對其中每 個功能進行優(yōu)化。盤或板200是分隔器或具有將液體去除裝置95和襯底W之間的空隙分成兩個通道——上通道220和下通道230的功能的任何其他元件，其中 上通道220位于盤或板200的上表面和液體去除裝置95之間，而下通道 230位于盤或板200的下表面和襯底W之間。每個通道在其徑向最內(nèi)端對 于所述空隙都是開放的?？梢詫⒇搲毫κ┘釉谏贤ǖ?20中，而不是使上通道220處于通過一 個或更多的氣孔250 (例如，通過一個或更多個通孔250)對大氣開放的 狀態(tài)。以這種方式，能夠使上通道220更寬。因此，利用盤或板200，有兩個彎液面310、 320。第一彎液面310 位于盤或板200之上并在多孔材料96和盤或板200的頂部表面之間延伸； 第二彎液面位于盤或板200之下，并在盤或板200和襯底W之間延伸。以 這樣的方式，例如，抽取器組件70能配置用于為優(yōu)化液體抽取的第一彎 液面的控制和第二彎液面320的位置控制，以使得第二彎液面320的粘滯 阻擋(viscous drag)長度得以減小。例如，尤其在盤或板200中，該特 征能夠被優(yōu)化成使之積極地利于彎液面320保持附著于盤或板200，以使 得能夠增加在阻擋部件10下方的襯底W的掃描速度。作用在第二彎液面 320上的毛細作用力方向向外，并且由與所述彎液面相鄰的液體中的負壓 力相平衡，以使得所述彎液面處于靜止。彎液面上加載越高(例如由粘滯 阻力和慣性)，會導(dǎo)致所述彎液面與表面的接觸角越小。如上所述， 一個或更多的氣孔250可以設(shè)置在盤或板200的徑向最外 端，以使得第一彎液面310在多孔材料％之下自由地向內(nèi)和向外移動， 以使得液體去除裝置95的抽取率能根據(jù)多少多孔材料96被液體覆蓋而變 化。如圖6所示，第二彎液面320附著于盤或板200的下部的最內(nèi)的邊緣 處。在圖6中，盤或板200的最內(nèi)的下邊緣設(shè)置有銳利的邊緣，以便在位 置上束縛住第二彎液面320。盡管未在圖6中具體示出，但是所述液體供給系統(tǒng)具有處理液面變化 的裝置。這使得建立在投影系統(tǒng)PS和阻擋部件12之間的液體能被處理而 不溢出。這種液體的構(gòu)建可以在下面所述的阻擋部件12相對于投影系統(tǒng) PS的相對運動的過程中出現(xiàn)。處理這種液體的一種方法是提供阻擋部件 12，使其很大，以使得在阻擋部件12相對于投影系統(tǒng)PS的運動中，在阻 擋部件12的外周上幾乎沒有任何壓力梯度。在一種替代的或附加的配置中，可以采用例如諸如類似于抽取器96的單相抽取器的抽取器，將液體 從阻擋部件12的頂部去除。因此，可以看出，有多種從投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙中去除浸沒液的方法。這些包括浸沒液從進口20流出，流過空隙，并流進 與進口20相對的出口 (出口未示出)。依何時激活投影束PB，浸沒液可 以被輻射或可以不被輻射。浸沒液由抽取器70去除，并且這些浸沒液可 作為單相抽取。其他未被抽取器70抽取的浸沒液能被凹部80和氣(或流 體-惰性氣體)刀90的組合收集。任何這種抽取到的浸沒液可能是液體和 氣體的混合。最后，液體也能夠被從空隙中、從襯底W的邊緣和襯底臺 WS之間、通過襯底臺WS去除。液體中也可能具有大量的氣體。已經(jīng)與 襯底(即抗蝕劑)的頂表面相接觸的液體也可能被濾取(leaching)污染， 以致液體可以按如下所述以不同于其他液體的特定方式進行最佳的處理。第US11/472,566號和第US11/404， 091號的美國專利(在此以引用的 方式整體并入本文中)，也公開了液體供給系統(tǒng)。那些液體供給系統(tǒng)中任 何一種可以用于本發(fā)明的實施例中，尤其是那些致動阻擋部件12(即改變 高度和/或X或Y位置，或者相對于投影系統(tǒng)PS圍繞那些軸中的任一根 或兩根軸轉(zhuǎn)動)的系統(tǒng)。在襯底W成像的過程中(包括例如掃描運動期間襯底的頂表面實際 被照射的時間和例如步進運動期間襯底W為了到達能夠開始成像的位置 所花費的移動時間)，襯底W通過路線移動，所述路線大體在與襯底W 的頂表面基本上平行的平面中。然而，為了考慮襯底高度上的改變，襯底 也可以沿著光軸方向向上和向下移動，并且也可以圍繞基本上垂直于光軸 的軸轉(zhuǎn)動以考慮襯底W的頂表面的高度的改變。但是，主運動在基本上 平行于襯底的頂表面的平面中進行。本發(fā)明的實施例涉及到主運動，但考 慮上述襯底的不光滑的頂表面的其它的輔運動也可以進行。通常，襯底W在成像過程中移動的路線優(yōu)化用于使對襯底的整個頂 表面進行成像所花費的時間量最小。在所謂的步進和掃描方法中，典型的 路線可以如圖7所示的路線。如圖所示，襯底W以多個矩形的管芯覆蓋，所述管芯根據(jù)它們的曝光次序編號。因此，編號為"1"的管芯首先曝光， 接著是編號為"2"的管芯曝光，再接下來是編號為"3"的管芯，等等。在描述中，"向上"和"向下"表示相對于附圖的方向。實際上，例如方向可能是+AX方向。襯底W在投影系統(tǒng)下以步進運動從編號為1的管芯在曝光后的結(jié)束 位置移動到編號為2的管芯開始曝光的位置。在曝光過程中，掃描遍及襯 底W上的每個單獨的管芯。在掃描運動過程中，例如，襯底W在投影系 統(tǒng)PS下移動，并且圖案形成裝置MA通過上述支撐結(jié)構(gòu)MT在投影系統(tǒng) 上方移動。在圖7的示例中，掃描方向(即襯底W相對于投影系統(tǒng)移動的方向) 以相應(yīng)的管芯的陰影示出。于是，當(dāng)編號為l的管芯曝光時(投影系統(tǒng) PS相對于頁面靜止)，襯底W沿著頁面向下移動，以使得管芯l的底部 在頂部之前曝光。因此，管芯1掃描完畢(灰陰影)。 一旦編號為1的管 芯的頂部完成曝光，曝光停止，并且襯底W向左步進以使得編號為2的 管芯的頂部處于投影系統(tǒng)下。然后，襯底W沿著頁面向上移動，以使得 在該管芯(無陰影)的曝光過程中，沿著向下的方向?qū)幪枮?的管芯掃 描襯底。 一旦到達了編號為2的管芯的底部，襯底W向左步進以使得編 號為3的管芯的底部位于投影系統(tǒng)下。這些運動一起構(gòu)成襯底成像(即曝 光時段和曝光未發(fā)生的時段)。圖7中標(biāo)出的點線100示出襯底W的整個路線(僅僅步進運動)并 且掃描運動未在線IOO中示出，但由每個單獨的管芯的陰影表示。如圖所 示，已經(jīng)為最小成像時間優(yōu)化的所謂的蜿蜒路線的掃描和步進方向互相基 本上垂直。原理上， 一種相似類型的蜿蜒路線能用于浸沒式光刻中，并且事實上 通常已經(jīng)這樣做了。這可能不一定是最好的途徑，并且用于優(yōu)化蜿蜒路線 的更好的途徑不僅針對生產(chǎn)量，而且針對減少產(chǎn)生的缺陷的數(shù)量。不幸的是，浸沒液中攜帶的雜質(zhì)顆粒比耦合在投影系統(tǒng)PS和襯底W 之間的通常氣體更多，并且液滴也可能成為問題。所述顆?？赡苁且r底上 的物質(zhì)的顆?；騺碜砸后w供給系統(tǒng)IH的物質(zhì)的顆粒。液體供給系統(tǒng)可能 直接留下液體痕跡(trail of liquid)。當(dāng)襯底的頂表面在液體供給系統(tǒng)下面 通過時，液體供給系統(tǒng)留下的液滴可能產(chǎn)生液體斑點(liquidmark)。這些 液滴留下得越長久，由于液滴與襯底W的頂表面的抗蝕劑的相互作用的時間越長，液體斑點就可能變得越差。在圖7的路線中，從前面的管芯的 成像可能留下顆粒和/或液體斑點，顆粒和/或液體斑點影響后面管芯的 成像。附加地或替換地，在襯底W的頂表面上的襯底W的轉(zhuǎn)向過程中， 可能生成缺陷(液體斑點和/或印制顆粒(printed particle))。圖7的路線 導(dǎo)致在液體供給系統(tǒng)下面的襯底的X和Y兩個方向的運動，所述液體供 給系統(tǒng)能夠造成更高的矢量速度/離心力，所述更高的矢量速度/離心力 可能導(dǎo)致更大的顆粒沉積的機會或更大的留下液滴的機會。在這里公開了 與浸沒式光刻一起使用的具體的蜿蜒路線和掃描方向，由此可能減輕一個 或多個問題或其它的問題。理想地，蜿蜒路線使得液滴和顆粒己經(jīng)留下很 長時間并已經(jīng)有機會變干和/或與抗蝕劑相互作用的襯底的一個或多個 部分不必在液體供給系統(tǒng)IH下面通過。襯底臺WT和支撐結(jié)構(gòu)MT的位置控制由能以選擇的蜿蜒路線進行預(yù) 編程的控制器協(xié)調(diào)。在本發(fā)明的實施例中，蜿蜒路線同時針對生產(chǎn)量和減 少缺陷進行優(yōu)化。圖8示出本發(fā)明的一個實施例。整個路線110以點線示出并且與圖7 中一樣，每個單獨的管芯的陰影表示掃描每個單獨的管芯的方向。可以立 刻明顯看出，每個管芯的掃描方向為基本上平行于襯底運動的第一方向(即步進方向)的方向。襯底處于投影系統(tǒng)之下時的所有運動僅僅處于在 或沿著基本上平行于第一方向的方向向后或向前的方向上(基本上平行于 第一方向的或基本上反平行于第一方向的或在第一方向內(nèi)的方向)。這意 味著襯底W將移動，以使得管芯l的底部處于曝光能夠開始的位置。一 旦曝光已經(jīng)開始，襯底W將相對于假想的靜態(tài)投影系統(tǒng)沿著頁面向下運 動，并且同時，圖案形成裝置MA從一極端掃描到另一極端。 一旦管芯l 的頂部已經(jīng)到達并接受完曝光，曝光將停止，然后圖案形成裝置將移動回 其開始位置，然后能夠開始第二個管芯的曝光。可以或可以不在管芯1的 結(jié)束和管芯2的起始之間存在小步進(step)。以這樣的方式，襯底以列方 式成像(即橫跨襯底的管芯(直)線在襯底僅在一個方向上移動的情況下 成像)。對多個平行的管芯列成像，以使得能對襯底的所有頂表面成像。 襯底的移動方向能在相鄰的列之間方便地改變?？煽闯觯r底的步進和掃 描運動已經(jīng)被組合了。襯底上和液體供給系統(tǒng)IH下的蜿蜒路線的轉(zhuǎn)向可通過在襯底外部執(zhí)行那些轉(zhuǎn)向而完全避免(并且那些轉(zhuǎn)向可在襯底臺WT的頂表面上有效地 進行)，即如點線110所示，當(dāng)襯底不在投影系統(tǒng)下時進行轉(zhuǎn)向。 一旦管 芯112的第一條線已經(jīng)成像，襯底W運動反向旋轉(zhuǎn)180。并且管芯114 的第二條線進行成像。在管芯114的第二條線的情況下，因為襯底W的整 體運動的方向已經(jīng)改變，所以掃描方向也將改變，以使得掃描和步進方向 都是相同的。在圖8中考慮蜿蜒路線的一種方式是僅在每個管芯112、 114 線的末端進行步進。然而，在一個管芯的曝光結(jié)束和曝光下一個管芯的起 始之間必需發(fā)生小步進。確保一旦所有的管芯已經(jīng)被曝光，襯底臺WT定位在投影系統(tǒng)下，以 使得位于襯底臺WT上的封閉板(closing plate)在近旁(即在襯底W的 成像結(jié)束時，與液體供給系統(tǒng)IH位于相同的襯底臺WT的一側(cè))，這是有 利的。這將縮短生產(chǎn)時間。封閉板能夠看作假襯底，為了在襯底交換過程 中密封阻擋部件12，以使得液體供給系統(tǒng)IH能保持滿液體以防止投影系 統(tǒng)PS的最終元件變干,該假襯底位于液體供給系統(tǒng)IH的下側(cè)，例如在圖5 或圖6的阻擋部件12的中心孔的范圍。這種確保成像停止在方便的位置 的想法也能對其他原因?qū)崿F(xiàn)。例如，能夠在需要被束B照射的傳感器附近 或在直接進行襯底臺交換的邊緣附近(例如，隨著原襯底臺移出，新襯底 臺通過在原襯底臺后面、在投影系統(tǒng)之下移入，簡單地替代原襯底臺)完 成成像。就所花費的時間量而言，圖8的蜿蜒路線比圖7所示的標(biāo)準(zhǔn)的蜿蜒路 線大約降低了 30%的效率。這部分地由于對管芯線中的連續(xù)的管芯進行成 像的過程中，將圖案形成裝置MA移動回其開始位置的需要，以及為了蜿 蜒路線的轉(zhuǎn)向能發(fā)生在襯底W區(qū)域的外部，將襯底在管芯線的末端進一步 移動一點的需要。生產(chǎn)量的損失能夠通過加速圖案形成裝置的移動得以降 低。圖9示出另一個實施例的蜿蜒路線120。在本實施例中，將被曝光的 管芯的次序確保襯底W的頂部首先被曝光，并且所有的掃描運動都是向下 的。只要顆粒還沒有機會變干，液體供給系統(tǒng)IH能隨著襯底在其下行進， 將顆粒移出液體供給系統(tǒng)IH的路線。因此，該實施例的思想是每次掃描的向下的掃描運動應(yīng)該導(dǎo)致襯底頂表面的清掃動作，以使得顆粒被朝向襯 底的底部推出到襯底的任一側(cè)。當(dāng)然，掃描和步進可以是向上的(例如， 如果襯底臺的幾何形狀與此相適應(yīng))。在實施例中，在最后的管芯已經(jīng)被 曝光后，襯底不在液體供給系統(tǒng)IH下方通過。盡管未在圖9中示出，襯底W可由控制器控制，以使得如上述實施例 一樣僅僅當(dāng)所述的襯底臺WT而不是襯底W位于投影系統(tǒng)下時進行蜿蜒路 線的轉(zhuǎn)向。在圖IO所示的實施例中，在與相對于圖8所述的實施例中的路線相 同的路線上來回行進。然而，僅僅每隔一個管芯在蜿蜒路線的第一趟(pass) 131曝光，并且還進行第二趟132，沒有在第一趟131曝光的那 些管芯在第二趟132進行曝光(每次都沿著與步進方向相同的方向掃描)。 因此，管芯l通過掃描曝光，跨過將成為管芯31的位置，并且通過掃描 曝光管芯2，等等。本實施例中的思想是由于當(dāng)襯底W正越過不曝光的 管芯移動時，可將圖案形成裝置沿著與步進方向相同的方向，移動回到下 一次掃描的開始位置，所以生產(chǎn)量應(yīng)該獲得提高。在本實施例中，尤其在 下一個實施例中，襯底臺的速度在一條管芯線成像過程中保持基本上恒定(或者至少臺保持運動)，以使得步進和掃描運動在相同的速度下進行， 且在轉(zhuǎn)換或過渡中沒有速度變化。在步進期間，圖案形成裝置移回開始位 置。另一個類似于相對于圖IO描述的實施例的實施例如圖11所示。從圖 ll可以看出，來回行進蜿蜒路線三趟141、 142、 143，并且僅僅每隔兩個 管芯被曝光。其它方面的原理與相對于圖IO所描述的實施例的原理相同。另一個實施例如圖12所示。在本實施例中，對管芯列進行成像。在 向上方向的組合的掃描和步進運動過程中，對除去最下面的管芯(如圖所 示)的管芯列(線)的每個管芯進行曝光。然后使襯底W的方向反向并且 每個管芯在投影系統(tǒng)的下面通過(作為一個步進)直到管芯線的底部管芯 到達當(dāng)被曝光時沿向下方向被掃描的點。這對所有十列管芯進行，并且意 味著在投影系統(tǒng)下的襯底的所有區(qū)域的最終趟是向下的，而目標(biāo)是所有顆 粒朝向襯底W底部處的襯底臺WT的部分被推到液體供給系統(tǒng)IH前面。另一個實施例如圖13所示。在本實施例中，每列管芯在投影系統(tǒng)PS下面通過兩次，第一次，沿向上方向而第二次沿向下方向。在每趟，僅僅 曝光每隔一個管芯，并且每隔一個管芯通過與襯底w的總體運動方向相同的方向的掃描運動被曝光。因此，在圖13中，在第一趟中，通過向上方 向的掃描曝光管芯1和2，而跨過將成為管芯4和管芯3的位置。在襯底 W已經(jīng)在投影系統(tǒng)下面通過之后，使襯底的移動方向反向，管芯3和4通 過沿向下方向掃描而被曝光。然后，包括管芯5-9的下一條管芯線以相同 的方式成像，等等。另一個實施例如圖14所示，在本實施例中，環(huán)行兩列管芯的環(huán)形線 在一排中來回行進兩次。在環(huán)形線的第一趟，第一列管芯在投影系統(tǒng)下面 沿向上方向通過，且每隔一個管芯被曝光。于是在第一趟，管芯1和2通 過沿向上方向被掃描而被曝光。然后，第二列的管芯3、 4、 5沿向下方向 (在曝光過程中掃描是向下的)在返回路線被曝光(例如，每隔一個管芯 被曝光)上。在環(huán)形線的第二趟，在環(huán)形線的第一趟期間沒有曝光的管芯 被曝光，因此，管芯6和7通過沿向上方向的掃描曝光，而管芯8和9通 過沿向下方向的掃描曝光。另一個實施例如圖15所示。本實施例是包括由長方框180標(biāo)記的中 間部分的混合實施例，所述長方框180標(biāo)記的中間部分以與圖7所示的傳 統(tǒng)的掃描相同的方式進行掃描。即，掃描和步進方向基本上相互垂直。在 中間部分180已經(jīng)成像之后，接著是清掃路線，在所述清掃路線中，中間 部分180之上的顆粒移動到襯底W上方，而在中間部分180下面的顆粒向 下移動到襯底W下面。這可通過在中間部分180的外部的管芯的曝光過程 中，沿遠離襯底中心的方向掃描來實現(xiàn)。在所有的實施例中，成像可在任意處開始和結(jié)束，例如，相對圖8所 描述的實施例中，成像可分別在頂部右側(cè)或頂部左側(cè)或底部左側(cè)開始，而 在頂部左側(cè)或頂部右側(cè)或底部右側(cè)結(jié)束。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，任何實施例的 任何特征能夠與任何其他實施例相結(jié)合。盡管在本文中具體提到將光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這里所 述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引 導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭的制造等。 本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員將理解，在這種選擇性應(yīng)用的情況下，可以將這里使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認為是與更一般或上位的術(shù)語"襯 底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后，在例如顯影機(track)(—種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的 抗蝕劑進行顯影的工具)、度量工具和/或檢驗工具中，進行處理。在可 應(yīng)用的情況下，可以將這里公開的內(nèi)容應(yīng)用于這些和其他襯底處理工具 中。另外，例如為產(chǎn)生多層IC，所述襯底可以處理一次以上，使得這里使 用的術(shù)語襯底也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括 紫外(UV)輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長)。在上下文允許的情況下，術(shù)語"透鏡"可以表示各種類型的光學(xué)部件 中的任何一種或它們的組合，包括折射式和反射式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，應(yīng)該理解本發(fā)明可以用與 上述不同的方式實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含一個或更多機器可讀指 令序列的計算機程序的形式，來描述上述公幵的方法，或者采取具有在其 中存儲的這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲器、 磁盤或光盤)。可以將本發(fā)明的一個或更多的實施例應(yīng)用于任何浸沒式光刻設(shè)備中， 尤其是(但不排除其它情況)上述類型(無論浸沒液以池的形式提供還是 僅僅位于襯底的局部表面積上)。這里所考慮的液體供給系統(tǒng)應(yīng)當(dāng)作廣泛 地解釋。在一定的實施例中，可以是將液體提供給在投影系統(tǒng)和襯底和/ 或襯底臺之間的空隙的裝置或結(jié)構(gòu)組合。它可包括將液體提供給空隙的一 個或更多個結(jié)構(gòu)、 一個或更多個液體進口、 一個或更多個氣體進口、 一個 或更多個氣體出口，和/或一個或更多個液體出口的組合。在實施例中， 空隙的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或者空隙的表面可以完全 地覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者空隙可以包圍襯底和/或襯底臺。 液體供給系統(tǒng)還可以任選地包括一個或更多個控制位置、數(shù)量、質(zhì)量、形 狀、流量或其他任何液體特征的元件。以上描述是說明性的，而不是限制。因此，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 顯而易見的是，可以在不脫離所附權(quán)利要求范圍的情況下，對本發(fā)明做出 修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括支架，構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠賦予輻射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，配置成用于保持襯底；液體供給系統(tǒng)，配置成用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，配置成用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制器，適于在穿過襯底的管芯線的成像過程中協(xié)調(diào)襯底臺和支架的運動，以使得通過在投影系統(tǒng)下僅沿著基本與第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯線的運動實現(xiàn)所述襯底臺和支架的運動，其中所述第一方向處于基本上平行于頂部表面的平面中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器還適于在 管芯線己經(jīng)曝光后，當(dāng)襯底不在投影系統(tǒng)之下時，沿著基本上垂直于第一 方向的并在所述平面內(nèi)的第二方向移動襯底，然后，在穿過襯底的第二條 管芯線的曝光過程中，協(xié)調(diào)襯底臺和襯底的運動，以使得通過在投影系統(tǒng) 下面僅沿著基本與第一方向平行的方向向后和/或向前的襯底的運動實 現(xiàn)所述襯底臺和襯底的運動。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得當(dāng)液體供給系統(tǒng)將液體提供到局部區(qū)域上時，使襯底進行第二方向的移 動。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得 通過重復(fù)對穿過襯底的、 一定順序的多條管芯線的成像而對襯底成像，以 使得在最后的管芯線成像以后，定位襯底臺，使得襯底臺上的封閉板與液 體供給系統(tǒng)位于襯底的相同側(cè)，所述封閉板配置成用于關(guān)閉液體供給系統(tǒng) 的孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得 在管芯線的成像過程中，襯底臺僅僅沿一個方向移動。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得 襯底的整個頂表面通過襯底臺僅僅在投影系統(tǒng)下面沿著基本與第一方向 平行的方向向后和/或向前運動進行成像。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得 在管芯線的成像過程中，在投影系統(tǒng)下面移動襯底臺，使得每個管芯在投 影系統(tǒng)下面通過至少兩次。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得不一個接一個地掃描管芯線上的連續(xù)的管芯。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得:i) 所有管芯作為管芯線的部分成像，并且ii) 在相應(yīng)的管芯線的每一末端處成像的管芯中的每一個都通過沿具 有從襯底的中心向外的分量的方向在投影系統(tǒng)下通過而成像。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的投影光刻設(shè)備，其中，所述控制器適于使得將在管芯線中成像的、所述管芯線的最后的管芯位于襯底的開始成像 的一半，以便在所述管芯線的成像過程中在投影系統(tǒng)下通過。
11. 一種光刻設(shè)備，包括支架，構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠賦予輻 射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成用于保持襯底；液體供給系統(tǒng)，配置成用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，配置成用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo) 部分上；以及控制器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底上的管芯線的 成像過程中，襯底臺沿著與頂部表面基本上平行的平面中的第一方向移 動，并且支架移動以致在每個管芯的曝光過程中沿著第一方向掃描襯底。
12. —種光刻設(shè)備，包括支架，構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠賦予輻 射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束；襯底臺，構(gòu)造成用于保持襯底；液體供給系統(tǒng)，配置成用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，配置成用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo) 部分上；以及控制器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底的中心部分的 成像過程中，掃描運動基本上垂直于步進運動，而在襯底的外部區(qū)域的成 像過程中，步進運動和掃描運動是相結(jié)合的，或是基本上反平行的。
13. —種光刻設(shè)備，包括支架，構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠賦予輻 射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成用于保持襯底；液體供給系統(tǒng)，配置成用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，配置成用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo) 部分上；以及控制器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在襯底的頂部表面的 至少一部分的成像過程中，襯底臺的掃描運動和步進運動，至少部分地結(jié) 合成一種運動或是基本平行的單獨運動。
14. 一種光刻設(shè)備，包括-支架，構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠賦予輻 射束橫截面圖案，以形成帶圖案的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成用于保持襯底；液體供給系統(tǒng)，配置成用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，配置成用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo) 部分上；以及控制器，適于控制支架和襯底臺的運動，以使得在成像過程中，所有 掃描運動沿一個方向。
15. —種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中通過在投影系統(tǒng)下僅沿著基本與第一方向平行的方 向向后和/或向前的管芯線的運動，對穿過襯底的管芯線進行成像，其中 所述第一方向處于與襯底頂部表面基本平行的平面中。
16. —種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中通過沿著在基本上平行于襯底的頂部表面的平面中 的第一方向移動襯底，并控制帶圖案的輻射束以使得在每個管芯的曝光過 程中沿第一方向掃描襯底，以對管芯線進行成像。
17. —種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中在襯底的中心部分的成像過程中，掃描運動基本上 垂直于步進運動，而在襯底的外部區(qū)域的成像過程中，步進運動和掃描運 動是相結(jié)合的，或是基本上反平行的。
18. —種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中襯底的掃描運動和步進運動至少部分地結(jié)合成一種 運動或基本平行的單獨運動。
19. 一種器件制造方法，包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液 體投影到襯底上，其中在成像過程中，所有掃描運動沿一個方向。
全文摘要
本發(fā)明公開了光刻設(shè)備和器件制造方法。該光刻設(shè)備包括用于支撐圖案形成裝置支架，圖案形成裝置；用于保持襯底的襯底臺；液體供給系統(tǒng)，用于將液體提供到襯底的頂部表面的局部區(qū)域；投影系統(tǒng)，用于將帶圖案的輻射束通過液體投影到襯底的目標(biāo)部分上；以及控制器，適于在穿過襯底的管芯線的成像過程中協(xié)調(diào)襯底臺和支架的運動，通過在投影系統(tǒng)下僅沿著基本與第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯線的運動實現(xiàn)襯底臺和支架的運動。所述第一方向處于基本上平行于頂部表面的平面中。該器件制造方法包括用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射束通過提供于投影系統(tǒng)和襯底之間的液體投影到襯底上，通過管芯線的運動對穿過襯底的管芯線進行成像。
文檔編號G03F7/20GK101221363SQ200710152749
公開日2008年7月16日 申請日期2007年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月20日
發(fā)明者塞德里克·德瑟, 堯里·喬哈尼斯·勞仁提尤斯·瑪麗亞·凡達麥樂恩, 里查德·莫爾曼, 鮑勃·斯特里弗克爾克 申請人:Asml荷蘭有限公司