專利名稱：液晶顯示器基板、液晶顯示器及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器，特別是涉及在薄膜晶體管的陣列基 板一側(cè)形成彩色濾光層的液晶顯示器用基板及采用該基板的液晶顯示器及制 造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，把薄膜晶體管(Thin Film Transistor; TFT)作為開關(guān)元 件使用的有源矩陣型液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display; LCD)，提出 了反參差型等TFT-LCD。近年來，為了實(shí)現(xiàn)寬開口率，也提出使用在形成TFT 等開關(guān)元件的陣列基板一側(cè)形成彩色濾光層(Color Filter; CF )(或稱 CF-on-TFT)結(jié)構(gòu)的LCD。在這樣的CF-on-TFT結(jié)構(gòu)的基板上，通常直接將涂 布樹脂的彩色濾光層及其保護(hù)層(0C)刻蝕掉來形成開關(guān)元件在TFT處和存 儲(chǔ)電容處的接觸孔。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)CF-on-TFT構(gòu)造的LCD像素區(qū)域的俯視圖，圖2是圖1 的A-A'處剖視圖。如圖2和圖1所示，TFT基板10 —側(cè)具體為首先在玻璃基 板11上形成柵線或柵電極12。再在其上形成絕緣的柵絕緣層13,隔著柵絕 緣層13與柵線交叉形成數(shù)據(jù)線16。由柵線12和數(shù)據(jù)線16劃分的區(qū)域形成 像素區(qū)域。并且，在柵線12和數(shù)據(jù)線16的交叉位置附近形成TFT23。
TFT23具有由數(shù)據(jù)線金屬層和電阻接觸層15構(gòu)成的漏極26以及源極27， 漏極26及源極27的端部隔著柵絕緣層分別位于柵電極12兩側(cè)的邊緣。在鈍 化層17和柵絕緣層13之間形成有源層14，有源層14兩側(cè)分別與漏極26和 源極27的電阻接觸層15連接。在TFT23中，溝道下方的柵電極12區(qū)域作為 柵極起作用，位于柵極上方的柵絕緣層13作為絕緣層起作用。
在TFT23之上形成鈍化層17之后，再在其上的非像素區(qū)域形成黑矩陣層 18，在像素區(qū)域內(nèi)形成樹脂層19。在黑矩陣層18和樹脂層19上形成樹脂保 護(hù)層110，在樹脂保護(hù)層110上依像素形狀形成透明像素電極21。透明像素 電極21通過貫穿樹脂保護(hù)層110、樹脂層19和保護(hù)層17的源漏電極接觸孔 22與源極27相連接。同樣，透明像素電極21通過接觸孔22a與隔著柵絕緣 層13形成在公共電極114上方的存儲(chǔ)電容電極25相連接。
這樣，在以往的TFT-on-CF構(gòu)造的顯示元件的制作過程中，接觸孔的形 成是通過將其所在位置的樹脂保護(hù)層110、樹脂層19和鈍化層17全部貫穿 而得到的。雖然在工藝過程中可以將源漏電才及接觸孔22形成一個(gè)順錐形，以 便使透明像素電極21減少斷線的發(fā)生，但是由于透明像素電極21厚度一般 只有300-600A,并且接觸孔處的;^>1角28以及層間端差太大，因此，依舊 極易出現(xiàn)透明像素電極21在源漏電極接觸孔22處出現(xiàn)斷裂的情況，從而使 透明像素電極無法正常導(dǎo)通，畫面無法正常顯示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種液晶顯示器基板、液晶 顯示器及其制造方法，通過刻蝕工藝對(duì)樹脂層在TFT所處位置形成一個(gè)空白 區(qū)域，在樹脂層之上直接沉積透明像素電極，大大減小接觸孔中的層間端差， 杜絕透明像素電極在接觸孔位置出現(xiàn)斷線的問題，同時(shí)也一定程度上降低工 藝難度，提高顯示特性和可靠性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示器基板，包括
一基板；
一柵線和柵電極，形成在所述基板上；
一柵絕緣層，形成在所述基板上，并覆蓋所述柵線和柵電極； 一有源層，形成在所述柵電極上方的柵絕緣層上； 一電阻接觸層，形成在所述有源層上；
一源漏電極及數(shù)據(jù)線，形成在所述電阻接觸層上方，其中所述數(shù)據(jù)線與
所述柵線交叉定義一像素區(qū)域；
一鈍化層，形成在所述源漏電極及數(shù)據(jù)線上方，其中所述鈍化層在所述 源漏電極的源極上方形成有接觸孔；
一黑矩陣層，形成在所述像素區(qū)域之外的區(qū)域；
一樹脂層，形成在所述像素區(qū)域的鈍化層上，并露出所述鈍化層上的接 觸孔；
一像素電極，形成在所述樹脂層上，并通過所述接觸孔與所述源漏電極 的源極連接。
上述方案中，所述像素電極部分形成在所述柵線上方，與所述柵線及其 上方的柵絕緣層和鈍化層一起構(gòu)成存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)。所述樹脂層包含紅、綠和 藍(lán)三種顏色交錯(cuò)的樹脂層。所述柵線或柵電極由釹、硅、銅、銻、鴒、鉭和 鈧中一種或兩種以上材料的鋁類合金及在其上方的鈦、鉻或鉬高熔點(diǎn)金屬層 疊構(gòu)成。所述柵絕緣層的材料為氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供一種采用前述基板的液晶顯示器， 包括采用一形成有公共電極的另一基板與前述基板對(duì)置貼盒，在其間封入 液晶。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明也提供一種液晶顯示器基板的制造方法，包
括
在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的陣列結(jié)構(gòu)； 在所述陣列結(jié)構(gòu)上方形成鈍化層，并在所述薄膜晶體管的源電極上方形 成鈍化層接觸孔；
在所述陣列結(jié)構(gòu)的上方形成黑矩陣層；
在所述陣列結(jié)構(gòu)的上方形成樹脂層，并露出所述鈍化層接觸孔； 在所述樹脂層上形成像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所 述薄膜晶體管的源極連接。
上述方案中，所述形成像素電極部分形成在所述柵線上方，且與所述柵 線及其上方的柵絕緣層和鈍化層一起構(gòu)成存儲(chǔ)電容。所述形成樹脂層包含形 成紅、綠和藍(lán)三種顏色交錯(cuò)的樹脂層。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種液晶顯示器的制造方法，包括使 用前述方法形成基板后，再在所述基板上形成取向膜后，與形成有公共電極
和取向膜的對(duì)置基板貼合在一起，之間注入液晶；然后，在所述TFT基板和 對(duì)置基板外側(cè)分別粘貼偏光片。
與現(xiàn)有技術(shù)的TFT-on-CF構(gòu)造的顯示器的制作過程中，源漏電極接觸孔
的形成是通過將其所在位置的樹脂保護(hù)層和保護(hù)層全部貫穿而得到的。雖然 在工藝過程中可以將接觸孔形成一個(gè)順錐形，以便使透明像素電極減少斷線 的發(fā)生，但是由于透明像素電極厚度一般只有300-600A,并且接觸孔處的坡 度角以及層間端差太大，因此，仍然極易出現(xiàn)透明像素電極在接觸孔處出現(xiàn) 斷裂的情況，從而使透明像素電極無法正常導(dǎo)通，畫面無法正常顯示。在本 發(fā)明中，樹脂層在TFT所處位置通過刻蝕工藝形成一個(gè)空白區(qū)域，在樹脂層 之上直接沉積透明像素電極，大大減小接觸孔中的層間端差，杜絕了透明像 素電極在接觸孔位置出現(xiàn)斷線的問題，同時(shí)也一定程度上降低了工藝難度， 提高了顯示特性和可靠性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)CF-on-TFT構(gòu)造的LCD像素區(qū)域的俯視圖； 圖2是圖1的A-A'處剖視圖3是本發(fā)明的液晶顯示器基板像素區(qū)域的俯視圖； 圖4是圖3的B-B'處剖視圖； 圖5是圖3的C-C'處剖視圖6a為本發(fā)明柵線或柵電極形成后在后續(xù)形成薄膜晶體管器件部位的 截面圖6b為本發(fā)明柵線或柵電極形成后在后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位的截面圖7a為本發(fā)明柵絕緣層形成后在后續(xù)形成薄膜晶體管器件部位的截面圖7b為本發(fā)明柵絕緣層形成后在后續(xù)形成在后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位的 截面圖8a為本發(fā)明有源層和電阻接觸層形成后在后續(xù)形成薄膜晶體管器件 部位的截面圖8b為本發(fā)明有源層和電阻接觸層形成后在后續(xù)形成在后續(xù)形成存儲(chǔ) 電容部位的截面圖9a為本發(fā)明數(shù)據(jù)線和源漏電極形成后在后續(xù)形成薄膜晶體管器件部 位的截面圖9b為本發(fā)明數(shù)據(jù)線和源漏電極形成后在后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位的截 面圖10a為本發(fā)明鈍化層形成后在形成薄膜晶體管器件部位的截面圖10b為本發(fā)明鈍化層形成后在后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位的截面圖lla為本發(fā)明CF層形成后在形成薄膜晶體管器件部位的截面圖llb為本發(fā)明CF層形成后在后續(xù)形成存^f諸電容部位的截面圖12a為本發(fā)明源漏電極接觸孔形成后在形成薄膜晶體管器件部位的截 面圖12b為本發(fā)明源漏電極接觸孔形成后在后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位的截面圖。
圖中標(biāo)識(shí)10、 TFT基板；11、玻璃基板；12、柵線或柵電極；13、柵 絕緣層；14、有源層；15電阻接觸層；16、數(shù)據(jù)線；17、鈍化層；18、黑矩 陣層；19、樹脂層；110、樹脂保護(hù)層；21、透明像素電極；22、源漏電極接 觸孔；22a、接觸孔；23、 TFT; 114、 />共電極；25、存4渚電容電極；26、漏 極；27、源極；28、坡度角。
具體實(shí)施例方式
圖3是本發(fā)明的液晶顯示器基板像素區(qū)域的俯視圖；圖4是圖3的B-B， 處剖視圖；圖5是圖3的C-C，處剖視圖。如圖3、圖4和圖5所示，本發(fā)明 的TFT基板10具體包括在玻璃基板11上形成由其中包含釹、硅、銅、銻、 鎢、鉭、鈧中一種或兩種以上材料的鋁類合金和在其上方的鈦、鉻、鉬等高 熔點(diǎn)金屬層疊形成的多個(gè)柵線或柵電極12。再在其上形成由氧化物、氮化物 或者氧氮化合物(如SiNx)構(gòu)成的絕緣的柵絕緣層13，隔著柵絕緣層13 與柵線交叉形成由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的數(shù)據(jù)線16。由柵線12和數(shù)據(jù)線16劃分 的區(qū)域形成像素區(qū)域。并且，在柵線12和數(shù)據(jù)線16的交叉位置附近形成 TFT23。
TFT23包括柵電極，形成在柵電極上方的柵絕緣層13,形成在柵絕緣層 之上的有源層14,形成在有源層上方的電阻接觸層15,和形成在電阻接觸層 上方的漏極26及源極27組成。
在TFT23之上形成鈍化層17之后，再在其上的非像素區(qū)域形成由樹脂材 料形成的黑矩陣層18，在像素區(qū)域內(nèi)形成樹脂層19。在樹脂層19成型工藝 中，通過刻蝕的方法將^"線12和TFT23上方， 一直延伸到源漏電極過孔22 以外的部分以及柵電極12上方同柵電極12相重疊部分的樹脂保護(hù)層19去 掉，使各個(gè)像素區(qū)域部分的樹脂層19形成一個(gè)如圖3所示圖形。之后，按照 圖3所示形狀形成透明像素電極21。透明像素電極21通過鈍化層17的源電 極接觸孔22與源極27相連接，位于柵線12上方的透明像素電極21同柵線 12共同構(gòu)成存儲(chǔ)電容電極25。
在上述結(jié)構(gòu)的TFT基板IO中，由于樹脂層19在TFT23上方存在一個(gè)空 白區(qū)域，并且沒有樹脂層存在，因而源漏電極接觸孔22的形成只需要貫穿一 層鈍化層17，這樣就使透明像素電極21沉積時(shí)，在具有與以往相同的坡度 角28的條件下，源漏電極接觸孔22中的層間端差大大減小。另一方面，利 用柵線12來取代公共電極，與透明像素電極21構(gòu)成存儲(chǔ)電容電極25，并且 由于在存儲(chǔ)電容電極25位置不存在樹脂層19和樹脂保護(hù)層，因此也就不需 要再在存儲(chǔ)電容電極25處形成接觸孔。這樣就杜絕了透明像素電極21在源 漏電極接觸孔22和存儲(chǔ)電容位置出現(xiàn)斷線的問題，同時(shí)也一定程度上降低了 工藝難度。
本發(fā)明的LCD具體結(jié)構(gòu)為將圖3所示的基板與形成有公共電極的另一基 板對(duì)置貼盒，在其間封入液晶即可。
下面，參照?qǐng)D6a至12b詳細(xì)說明本發(fā)明LCD基板10的制造方法。
首先，在玻璃基板11上通過濺射的方法形成約2000至5000A的鋁或包 含釹、硅、銅、銻、鴒、鉭、鈧中一種或兩種以上材料的鋁類合金層以及在 其之上的約200-500A的由鈦、鉻、鉬等高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的金屬層，由此在 整個(gè)玻璃上形成了約2200-5500A的柵金屬層。之后，再在柵金屬層表面涂 布感光型樹脂材料(以下稱PR)，使用掩模版依照所需構(gòu)圖進(jìn)行第一次曝光， 并用氫氧化鉀等堿性顯影液進(jìn)行顯影，進(jìn)而得到與所需構(gòu)圖相同的抗腐蝕掩 膜，然后，再利用酸性刻蝕液進(jìn)行濕法刻蝕來形成圖6a所示柵線或柵電極 12，同時(shí)也形成了圖3所示的存儲(chǔ)電容電極25的柵極端子電極，如6b所示。
接著，通過等離子化學(xué)氣相沉積法(CVD: Chemical Vapor Deposition), 在整個(gè)基板上形成一個(gè)厚度約為3000-4000A的由SiNx構(gòu)成的柵絕緣層13。 之后再用相同的方法形成1500-2000A由a-Si構(gòu)成的有源層14和300-600A 由n+型非晶體硅構(gòu)成的電阻接觸層15，后續(xù)形成薄膜晶體管部位圖形如圖 7a所示，后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部位圖形如圖7b所示。
此后，通過涂布光刻膠，使用光掩板進(jìn)行第二次曝光，用堿性顯影液進(jìn) 行顯影，進(jìn)而得到與所需構(gòu)圖相同的抗腐蝕掩膜，然后，通過使用氟等鹵類 氣體化合物的干法刻蝕來形成薄膜晶體管的有源層和電阻接觸層。之后，再 利用濺射的方法在整個(gè)基板上形成約2000-3000A的由鉻、鉬等與柵電極12 材料相似的高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的數(shù)據(jù)材料層，如圖8a和8b所示。
在構(gòu)成數(shù)據(jù)線材料層以后，再次通過曝光、顯影和濕法刻蝕來得到所需
要的數(shù)據(jù)線16及源漏電極的構(gòu)圖。之后，再利用干法刻蝕在一定工藝條件的 控制下對(duì)溝道內(nèi)的電阻接觸層15進(jìn)行刻蝕，使溝道部分形成如圖9a所示的 結(jié)構(gòu)，從而最終在玻璃基板11上形成TFT23，存儲(chǔ)電容部分如圖9b所示。 在這步工藝中，雖然在形成電阻接觸層15時(shí)所應(yīng)用的干法刻蝕工藝會(huì)在一定 程度上對(duì)位于其下方的柵絕緣層13產(chǎn)生不良影響，但是，由于電阻接觸層 15和柵絕緣層13在材料上有所區(qū)別，因此，如果適當(dāng)?shù)目刂乒に嚄l件，就 可以將這種影響降到最低。
在完成TFT23的成型后，在整個(gè)玻璃基板ll上，通過等離子CVD法，形 成約2000-4000A由SiNx構(gòu)成的鈍化層17，薄膜晶體管部分圖形如圖10a所 示，存儲(chǔ)電容部分圖形如圖10b所示。
在鈍化層17成型以后，在像素邊緣形成不透光的黑矩陣層18,以及在 各個(gè)像素區(qū)域形成給定顏色的樹脂層19。黑矩陣層18沿?cái)?shù)據(jù)線16成帶狀延 伸，樹脂層19依照像素構(gòu)圖成島狀分布。在進(jìn)行黑矩陣層18成型時(shí)。首先， 使用等離子化學(xué)氣相沉積法，在整個(gè)玻璃基板上沉積厚度約為12000-30000A 由鉻類等化合物構(gòu)成的遮光材料黑矩陣層18，再通過曝光、顯影和干法刻蝕 形成沿?cái)?shù)據(jù)線16方向的帶狀構(gòu)圖。之后，進(jìn)行彩色樹脂層19的成型。以紅 色樹脂的成型方法為例，先利用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)或狹縫涂敷機(jī)等，在整個(gè)玻璃基 板上，以約為15000-35000A的厚度，涂布分散了紅色顏料的丙烯酸類感光 性樹脂材料。接著，通過光掩板進(jìn)行曝光，使紅色樹脂依照所需的構(gòu)圖殘留 為島狀。最后，使用氫氧化鉀等堿性顯影液進(jìn)行顯影，形成紅色的樹脂層19。 在樹脂層19的構(gòu)圖中，TFT23上方， 一直延伸到源漏電極接觸孔22以外的 部分以及柵電極12上方同柵電極12相重疊部分的樹脂層19被去掉，其中薄 膜晶體管部分截面圖形如圖lla所示，后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部分截面圖形如圖 llb所示。同樣方法，藍(lán)色和綠色樹脂也在之后依次成型。
在樹脂層成型以后，再次涂布光刻膠，并通過曝光、顯影和干法刻蝕，
貫穿鈍化層17形成直接與由數(shù)據(jù)線16構(gòu)成的源極相接觸的源漏電極接觸孔 22。由于樹脂層在源漏電極接觸孔22附近形成一個(gè)空白區(qū)域，這就使在源漏 電極接觸孔22形成時(shí)，不需要貫穿總體厚度約為17000-39000A的鈍化層17 和樹脂層19，而只需要貫穿厚度約為2000-4000A的鈍化層17,這樣就使得 源漏電極接觸孔22內(nèi)部的層間端差大大減小。源漏電極接觸孔完成后基板薄 膜晶體管部分截面圖形如圖12a所示，后續(xù)形成存儲(chǔ)電容部分截面圖形如圖 12b所示。
在完成源漏電極接觸孔22的成型以后。首先，通過'踐射的方法在整個(gè)基 板上沉積厚度約為300-600A由銦類化合物構(gòu)成的透明像素電極21,然后形 成給定圖案的掩膜，通過酸類刻蝕液刻蝕形成所需的構(gòu)圖。其中，透明像素 電極21通過源漏電極接觸孔22與源極數(shù)據(jù)線16相連接，在柵線12上方的 透明像素電極21同位于其下方的柵線12 —同構(gòu)成存儲(chǔ)電容電極25。這樣， 由于透明像素電極21和柵線12中間不存在厚度很大的樹脂層19，這樣就能 在不改變柵線12寬度和驅(qū)動(dòng)電壓的情況下，維持所需要的存儲(chǔ)電容。
最后，在溫度150-230。C的范圍內(nèi)進(jìn)行熱處理，完成TFT基板IO，完成 后的TFT基板像素區(qū)域的俯視圖如圖3所示，截面圖如圖4和圖5所示。
以上的TFT基板10在形成取向膜后，與形成有公共電極和取向膜的對(duì)置 基板貼合在一起，之間注入液晶，然后，在TFT基板10和對(duì)置基板外側(cè)分別 粘貼偏光片，形成LCD。
最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之，即可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案 進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示器基板，其特征在于，包括一基板；一柵線和柵電極，形成在所述基板上；一柵絕緣層，形成在所述基板上，并覆蓋所述柵線和柵電極；一有源層，形成在所述柵電極上方的柵絕緣層上；一電阻接觸層，形成在所述有源層上；一源漏電極及數(shù)據(jù)線，形成在所述電阻接觸層上方，其中所述數(shù)據(jù)線與所述柵線交叉定義一像素區(qū)域；一鈍化層，形成在所述源漏電極及數(shù)據(jù)線上方，其中所述鈍化層在所述源漏電極的源極上方形成有接觸孔；一黑矩陣層，形成在所述像素區(qū)域之外的區(qū)域；一樹脂層，形成在所述像素區(qū)域的鈍化層上，露出所述鈍化層上的接觸孔；以及一像素電極，形成在所述樹脂層上，并通過所述接觸孔與所述源漏電極的源極連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器基板，其特征在于所述像素電極 部分形成在所述柵線上方，與所述柵線及其上方的柵絕緣層和鈍化層一起構(gòu) 成存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器基板，其特征在于所述樹脂層包 含紅、綠和藍(lán)三種顏色交錯(cuò)的樹脂層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的液晶顯示器基板，其特征在于所述 柵線或柵電極由釹、硅、銅、銻、鎢、鉭和鈧中一種或兩種以上材料的鋁類 合金及在其上方的鈦、鉻或鉬高熔點(diǎn)金屬層疊構(gòu)成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的液晶顯示器基板，其特征在于所述 柵絕緣層的材料為氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
6、 一種采用權(quán)利要求1至5任一所述的基板的液晶顯示器，其特征在于， 包括 一形成有公共電極的另一基板與所述基板對(duì)置貼盒，在其間封入液晶。
7、 一種液晶顯示器基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的陣列結(jié)構(gòu)； 在所述陣列結(jié)構(gòu)上方形成鈍化層，并在所述薄膜晶體管的源電極上方形成鈍化層接觸孔；在所述陣列結(jié)構(gòu)的上方形成黑矩陣層；在所述陣列結(jié)構(gòu)的上方形成樹脂層，并露出所述鈍化層接觸孔；在所述樹脂層上形成像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所 述薄膜晶體管的源極連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述形成像素電極部 分形成在所述柵線上方，且與所述柵線及其上方的柵絕緣層和鈍化層一起構(gòu) 成存儲(chǔ)電容。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述形成樹脂層包含 形成紅、綠和藍(lán)三種顏色交錯(cuò)的樹脂層。
10、 一種包含權(quán)利要求7至9任一方法形成的基板的液晶顯示器的制造 方法，其特征在于，包括在所述基板上形成取向膜后，與形成有公共電極和取向膜的對(duì)置基板貼 合在一起，之間注入液晶；然后，在所述基板和對(duì)置基板外側(cè)分別粘貼偏光片。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示器基板，包括基板；柵線和柵電極；柵絕緣層；有源層；電阻接觸層；源漏電極及數(shù)據(jù)線；其中數(shù)據(jù)線與柵線交叉定義一像素區(qū)域；鈍化層，形成在源漏電極及數(shù)據(jù)線上方，并且在源漏電極的源極上方形成有接觸孔；黑矩陣層，形成在像素區(qū)域之外的區(qū)域；樹脂層，形成在像素區(qū)域的鈍化層上并露出鈍化層上的接觸孔；像素電極，形成在樹脂層上，并通過接觸孔與源漏電極的源極連接。本發(fā)明同時(shí)公開一種液晶顯示器基板的制造方法。本發(fā)明同時(shí)還公開了一種液晶顯示器及其制造方法。本發(fā)明通過改變以往的CF-on-TFT技術(shù)中CF的涂布形態(tài)以及涂布工藝，實(shí)現(xiàn)抑制液晶顯示器的導(dǎo)通不良，提高工藝可靠性，改善TFT基板顯示特性。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101387799SQ200710121729
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者夏子祺, 洪美花 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司