專利名稱：帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器及其陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型光電探測器的制造方 法，尤其涉及一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器及其陣列的制作方 法。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字信息化進(jìn)程的飛速發(fā)展，超級計算機(jī)、服務(wù)器等對大容量、 高速數(shù)據(jù)交換的需求不斷增加。光纖通信不僅廣泛應(yīng)用于長距離通信上， 在基站天線與控制站之間，樓宇內(nèi)部服務(wù)器之間，機(jī)柜之間，光背板之間 的短距離高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用前景。組成光互聯(lián)的光學(xué)元 器件的成本是制約光纖通信大規(guī)模應(yīng)用的主要因素，其中，光學(xué)元器件成 本的相當(dāng)大一部分在于其與光纖的對準(zhǔn)定位。光纖的定位精度要求很高， 其精度應(yīng)在微米量級。
光纖定位方法通常有有源對準(zhǔn)，無源對準(zhǔn)，以及兩者結(jié)合。有源對 準(zhǔn)方法是在對準(zhǔn)過程中光發(fā)射和接收同時工作，調(diào)整光學(xué)元器件，監(jiān)測光 信號，直至光信號最強(qiáng)時光路對準(zhǔn)達(dá)到最佳位置，優(yōu)點(diǎn)是光路對準(zhǔn)質(zhì)量高， 缺點(diǎn)是效率極低，光模塊成本高。無源對準(zhǔn)方法是利用光纖定位裝置實(shí)現(xiàn) 光纖與光電器件的對準(zhǔn)，優(yōu)點(diǎn)是效率高，成本低，缺點(diǎn)是需要精確的對準(zhǔn) 裝置，難以保證耦合效率。
無源對準(zhǔn)方法由于其在低成本方面的優(yōu)勢，受到國內(nèi)外研究者的普遍 關(guān)注。在現(xiàn)有技術(shù)中，V形槽被普遍地應(yīng)用于容納和定位光纖；近年來， 出現(xiàn)將光纖定位功能與光電元器件單片集成的趨勢。例如在以下現(xiàn)有技術(shù) 專利文獻(xiàn)中所述
US 6,187,515 Bl (DeanTran等，02/13/2001)描述了一種精確定位光
纖和光學(xué)器件的光學(xué)集成微型基片，其實(shí)現(xiàn)過程是在ni-v族材料襯底的 正面上利用各向異性的腐蝕特性得到一個貫通基片的槽，槽的側(cè)壁是個
4
與腐蝕特性相關(guān)的斜面，用來反射光信號；在襯底的背面垂直于正面槽側(cè) 壁的方向上腐蝕出光纖定位槽，用來定位光纖，并實(shí)現(xiàn)與正面槽側(cè)壁的精 確對準(zhǔn)?；箍酆附釉诠鈱W(xué)器件上，基片提供光纖固定功能和光信號90 度折射的功能。
CN 1455882A (戴維'洛爾斯頓等，11/12/2003)描述了一種包含光纖 對準(zhǔn)凹槽的單片半導(dǎo)體光耦合器，其在半導(dǎo)體襯底的一個面上制作用于容 納和對準(zhǔn)光纖的凹槽，在凹槽延伸部分橫向于凹槽在襯底半導(dǎo)體材料中制 備給定厚度的垂直壁，壁中通過摻雜形成不同電特性區(qū)，p型摻雜區(qū)、本 征半導(dǎo)體區(qū)和n型摻雜區(qū)形成p-i-n光探測器，當(dāng)光纖放置到凹槽時，它 直接與光探測器對準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
(一) 要解決的技術(shù)問題
有鑒于此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種帶光纖定位槽的斜面接收 光電探測器(SVPD)的制作方法，使光纖和SVPD的對準(zhǔn)精度在微米量 級，克服定位精度的漂移問題，提高定位精度的可靠性，并降低光纖對準(zhǔn) 定位的難度，降低光纖對準(zhǔn)定位的成本。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探 測器陣列的制作方法，使光纖和SVPD的對準(zhǔn)精度在微米量級，克服定位 精度的漂移問題，提高定位精度的可靠性，并降低光纖對準(zhǔn)定位的難度， 降低光纖對準(zhǔn)定位的成本。
(二) 技術(shù)方案
為達(dá)到上述一個目的，本發(fā)明提供了一種帶光纖定位槽的斜面接收光 電探測器的制作方法，該方法在斜面接收光電探測器SVPD的制作過程中 增加光纖定位槽腐蝕工藝，在SVPD的相對一側(cè)朝向SVPD有源區(qū)的方向 上腐蝕半導(dǎo)體襯底形成用于容納對準(zhǔn)光纖的光纖定位槽，將光纖定位槽與 SVPD集成為一體，位于光纖定位槽的光纖的中心精確對準(zhǔn)SVPD的有源 區(qū)中心。
上述方案中，所述光纖定位槽腐蝕工藝在SVED一器件制作工序完成后
進(jìn)行，或者在SVPD的腐蝕槽工藝完成后進(jìn)行。
上述方案中，所述光纖定位槽腐蝕工藝采用的腐蝕溶液體系包括
H2S04-H2OrH20體系，H3P04-H202-H20體系，HC1-H202-H20體系或 麗40關(guān)202-恥體系。
上述方案中，所述光纖定位槽腐蝕工藝采用濕法腐蝕工藝，利用半導(dǎo) 體襯底的各向異性的腐蝕特性，在與SVPD斜面相對的垂直方向上腐蝕形 成倒梯形或U型的腐蝕截面，形成光纖定位槽，以容納對準(zhǔn)光纖。
上述方案中，所述光纖定位槽的腐蝕截面為倒梯形或U型，由所使用 的腐蝕溶液組分和配比決定；所述光纖定位槽的深度由腐蝕時間控制，通 過選擇腐蝕溶液體系和配比，控制腐蝕時間來控制光纖定位槽的深度，使 得光纖的中心對準(zhǔn)SVPD接收有源區(qū)的中心；所述光纖定位槽的開口寬度 由腐蝕掩模窗口寬度和腐蝕液的側(cè)向腐蝕速率決定。
上述方案中，所述光纖定位槽在固定光纖時采用紫外固化膠，或采用 帶V形槽的基片從光纖的上部固定，或采用上述兩種固定方法結(jié)合。
上述方案中，所述光纖為單模光纖，或?yàn)槎嗄９饫w，朝向SVPD的光 纖端面為直接切割光纖形成的平斷面，或經(jīng)過熔融處理形成的凸透鏡端 面，或經(jīng)過拉錐處理形成的尖端面。
上述方案中，所述半導(dǎo)體襯底材料為GaAs或InP，襯底的導(dǎo)電類型 為N型或半絕緣型。
上述方案中，當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為N型時，SVPD的器件 為上表面單電極形式；當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為半絕緣型時，SVPD 的器件為上表面雙電極形式。
為達(dá)到上述另一個目的，本發(fā)明提供了一種帶光纖定位槽的斜面接收 光電探測器陣列的制作方法，其特征在于，該方法以帶一個光纖定位槽的 SVPD作為一個探測器單元，將一定數(shù)目的探測器單元組成在一起形成斜 面接收光電探測器陣列。
上述方案中，所述探測器單元的數(shù)目為4 12。
上述方案中，所述斜面接收光電探測器陣列的襯底為SI襯底，探測 器單元之間為臺面隔離。 — 上述方案中，所述斜面接收光電探測器陣列的襯底為N型襯底，探測 器單元之間除臺面隔離之外，在相鄰探測器之間通過腐蝕或機(jī)械劃片加工 出一隔離槽，臺面隔離和隔離槽隔離相結(jié)合，避免陣列單元之間的互擾， 提高器件性能。
上述方案中，所述斜面接收光電探測器陣列使用的光纖為單根光纖或 光纖帶，光纖或光纖帶的固定方式采用紫外固化膠，或采用帶V形槽的基 片從光纖或光纖帶的上部固定，或采用上述兩種固定方法結(jié)合。
(三)有益效果 從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果
1、 本發(fā)明提供的這種帶光纖定位槽的SVPD及其陣列的制作方法， 制得的單片探測器中，集成了光纖對準(zhǔn)定位凹槽和斜面接收光電探測器，
當(dāng)光纖放置到凹槽內(nèi)時，可以實(shí)現(xiàn)光纖和SVPD的直接對準(zhǔn)，對準(zhǔn)精度在
微米量級。
2、 本發(fā)明提供的這種帶光纖定位槽的SVPD及其陣列的制作方法， 可以大大降低光纖對準(zhǔn)定位的難度，降低光纖對準(zhǔn)定位的成本；并且，由 于光纖定位結(jié)構(gòu)和光電元件是單片集成的，因此不存在定位精度的漂移問 題，大大提高了定位精度的可靠性。
3、 本發(fā)明提供的這種帶光纖定位槽的SVPD及其陣列的制作方法， 光纖定位槽的制作工藝與SVPD的制作工藝集成，適合于大規(guī)模制造，以 及制作成帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列。


圖1為m-v族半導(dǎo)體襯底各向異性腐蝕特性示意圖2為本發(fā)明提供的帶光纖定位槽的SVPD的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為圖2所示帶光纖定位槽的SVPD的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列單片的示意圖； 圖5為帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列單片的光纖固定示意圖； 圖6為依照本發(fā)明第一個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探 測器的工藝流程圖7為依照本發(fā)明第二個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探 測器的工藝流程圖8為依照本發(fā)明實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的 方法流程圖9為依照本發(fā)明第三個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探 測器的工藝流程圖10為依照本發(fā)明第四個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電 探測器的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí) 施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
本發(fā)明提供的這種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制作方法， 在斜面接收光電探測器(SVPD)的制作過程中增加光纖定位槽腐蝕工藝， 在SVPD的相對一側(cè)朝向SVPD有源區(qū)的方向上腐蝕半導(dǎo)體襯底形成光纖 定位槽，將光纖定位槽與SVPD集成為一體，位于光纖定位槽的光纖的中 心精確對準(zhǔn)SVPD的有源區(qū)中心。
光纖定位槽腐蝕工藝可以緊跟在SVPD的腐蝕槽工藝之后，然后再完 成SVPD的其他制作工序；或者在SVPD器件制作工序都完成后，再進(jìn)行 光纖定位槽的腐蝕工序。光纖定位凹槽制作在與SVPD同一個面內(nèi)，且對 準(zhǔn)朝向SVPD的光接收有源區(qū)方向。
光纖定位槽腐蝕工藝采用濕法腐蝕工藝，利用半導(dǎo)體襯底的各向異性 的腐蝕特性，在與SVPD斜面相對的垂直方向上腐蝕形成倒梯形或U型的 腐蝕截面，形成光纖定位槽，以容納對準(zhǔn)光纖。
定位槽腐蝕工藝可以選擇的腐蝕溶液體系包括H2S04-H202-H20體 系，H3P04-H20rH20體系，HC1-H202-H20體系，以及NH4OH-H202-H20 體系。在與SVPD斜面相對的垂直方向上腐蝕截面為倒梯形或U型，以容 納對準(zhǔn)光纖。所述光纖定位槽的腐蝕截面具體為倒梯形或?yàn)閁型，由所使 用的腐蝕溶液組分和配比決定；所述光纖定位槽的深度由腐蝕時間控制， 通過選擇腐蝕溶液體系和配比，控制腐蝕時間來控制光纖定位槽的彈度，
使得光纖的中心對準(zhǔn)SVPD接收有源區(qū)的中心；所述光纖定位槽的開口寬 度由腐蝕掩模窗口寬度和腐蝕液的側(cè)向腐蝕速率決定，光纖定位槽的寬度 要足夠容納光纖。
光纖定位槽在固定光纖時可以采用紫外固化膠，或采用帶V形槽的基 片從光纖的上部固定，或采用上述兩種固定方法結(jié)合。光纖可以為單模光 纖或多模光纖，朝向SVPD的光纖端面為直接切割光纖形成的平斷面，或 經(jīng)過熔融處理形成的凸透鏡端面，或經(jīng)過拉錐處理形成的尖端面。
本發(fā)明將光纖定位槽的腐蝕工藝與SVPD的制作工藝相集成，制作而 成的SVPD器件單片包括半導(dǎo)體襯底、光纖定位凹槽和SVPD。 SVPD是 光接收有源區(qū)位于斜面上的光電探測器，SVPD的光接收有源區(qū)是通過外 延生長的p-i-n探測器結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體襯底材料，即SVPD的襯底材料，可 以為GaAs襯底或InP襯底，襯底的導(dǎo)電類型可以為N型襯底或SI (半絕 緣)型襯底，當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為N型時，SVPD的器件為上 表面單電極形式；當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為半絕緣型時，SVPD的 器件為上表面雙電極形式。
基于上述本發(fā)明提供的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制作 方法，本發(fā)明還提供了一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣列的制 作方法，該方法以帶一個光纖定位槽的SVPD作為一個探測器單元，將一 定數(shù)目的探測器單元組成在一起形成斜面接收光電探測器陣列。探測器單 元的數(shù)目通常為4 12。對探測器陣列單片，襯底首選為SI襯底，探測器 單元之間為臺面隔離；對N型襯底，探測器單元之間除臺面隔離之外，在 相鄰探測器之間通過腐蝕或機(jī)械劃片加工出一隔離槽，臺面隔離和隔離槽
隔離相結(jié)合，以避免陣列單元之間的互擾，提高器件性能。
探測器陣列單元使用的光纖可以為單根光纖或光纖帶，光纖或光纖帶
的固定方式可以與單個帶光纖定位槽的SVPD的光纖固定方法相同，可以 采用紫外固化膠，或采用帶V形槽的基片從光纖或光纖帶的上部固定，或 采用上述兩種固定方法結(jié)合。
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征和應(yīng)用.進(jìn)行進(jìn)一步的解釋說明。
附圖1是III-V族半導(dǎo)體襯底各向異性腐蝕特性示意圖。 對(100)晶向的III-V族半導(dǎo)體襯底片101，在沿^。方向腐蝕槽的截面
是一個倒梯形槽103，沿^0方向腐蝕槽的截面是一個V形槽102。
附圖2是帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器(SVPD)的示意圖。 其包含在襯底200上的SVPD 201和光纖定位槽204，處在襯底200 的同一個面上，光纖定位槽204方向與斜面203方向垂直，且對準(zhǔn)SVPD 201的光接收有源區(qū)205。光纖202放置并固定在定位槽204內(nèi)，光纖202 的中心與光接收有源區(qū)205的中心對準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)光纖202與SVPD 201的無 源對準(zhǔn)。
附圖3是帶光纖定位槽的SVPD的剖面示意圖。
光纖定位槽的深度Hl要使得固定在其中的光纖的中心與光接收有源 區(qū)的中心對準(zhǔn)，即Hl=Dl/2+H0/2。光纖定位槽的寬度W要大于光纖的直 徑D1，以放置容納光纖。
附圖4是帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列單片的示意圖。
其為由數(shù)個帶光纖定位槽的SVPD組成一個探測器陣列單片401，陣 列的單元數(shù)目為4，陣列單片可以實(shí)現(xiàn)探測器陣列與光纖陣列的同時對準(zhǔn)。
附圖5是帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列單片的光纖固定示意圖。
帶光纖定位槽的SVPD的探測器陣列單片401中的光纖采用帶V形槽 的基片501固定。
以下結(jié)合具體的實(shí)施例，對本發(fā)明制作帶光纖定位槽的斜面接收光電 探測器的方法進(jìn)一步詳細(xì)說明。
(一) 一種是預(yù)留光纖定位槽區(qū)域，在完成所有正面工藝之后，單獨(dú) 一步腐蝕形成光纖定位槽，然后再完成SVPD其余的制作工藝。
對于N型襯底，在進(jìn)行完所有正面工藝之后，即完成"P型歐姆接觸 金屬化"工藝之后，進(jìn)行"背面減薄"工藝之前，進(jìn)行光纖定位槽的腐蝕， 之后再完成背面工藝，完成帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器或陣列的 制造。具體工藝流程圖可參照圖6，圖6示出了依照本發(fā)明第一個實(shí)施例 制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的工藝流程圖。
對于半絕緣型襯底，也是在完成所有正面工藝之后，在"背面減薄" 工藝之前，進(jìn)行光纖定位槽的腐蝕，之后進(jìn)行背面減薄，完成帶光纖定位 槽的斜面接收光電探測器或陣列的制造。具體工藝流程圖可參照圖7，圖 7示出了依照本發(fā)明第二個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探測 器的工藝流程圖。
(二)另一種是在完成SVPD深槽斜面的腐蝕之后，進(jìn)行光纖定位槽
的腐蝕，然后再進(jìn)行SVPD其余的制作工藝。
此種方法對N型或半絕緣型兩種不同襯底的影響僅是在"深槽腐蝕"
步驟之后，添加一步"光纖定位槽腐蝕"，然后就是剩余的工藝外延材
料生長、微電子工藝制造，形成帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器或陣
列。具體方法流程圖可參照圖8，圖8示出了依照本發(fā)明實(shí)施例制作帶光
纖定位槽的斜面接收光電探測器的方法流程圖。
對于N型襯底，具體工藝流程圖可參照圖9，圖9示出了依照本發(fā)明 第三個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的工藝流程圖。
對于半絕緣型襯底，具體工藝流程圖可參照圖10，圖10示出了依照 本發(fā)明第四個實(shí)施例制作帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的工藝流 程圖。
以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行 了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而 已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制作方法，其特征在于，該方法在斜面接收光電探測器SVPD的制作過程中增加光纖定位槽腐蝕工藝，在SVPD的相對一側(cè)朝向SVPD有源區(qū)的方向上腐蝕半導(dǎo)體襯底形成用于容納對準(zhǔn)光纖的光纖定位槽，將光纖定位槽與SVPD集成為一體，位于光纖定位槽的光纖的中心精確對準(zhǔn)SVPD的有源區(qū)中心。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖定位槽腐蝕工藝在SVPD器件制作工序完 成后進(jìn)行，或者在SVPD的腐蝕槽工藝完成后進(jìn)行。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖定位槽腐蝕工藝采用的腐蝕溶液體系包括: H2S04-H202-H20體系，H3P04-H2OrH20體系，HC1-H202-H20體系或 NH4OH-H202-H20體系。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖定位槽腐蝕工藝采用濕法腐蝕工藝，利用 半導(dǎo)體襯底的各向異性的腐蝕特性，在與SVPD斜面相對的垂直方向上腐 蝕形成倒梯形或U型的腐蝕截面，形成光纖定位槽，以容納對準(zhǔn)光纖。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖定位槽的腐蝕截面為倒梯形或U型，由所 使用的腐蝕溶液組分和配比決定；所述光纖定位槽的深度由腐蝕時間控 制，通過選擇腐蝕溶液體系和配比，控制腐蝕時間來控制光纖定位槽的深 度，使得光纖的中心對準(zhǔn)SVPD接收有源區(qū)的中心；所述光纖定位槽的開 口寬度由腐蝕掩模窗口寬度和腐蝕液的側(cè)向腐蝕速率決定。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖定位槽在固定光纖時采用紫外固化膠，或 采用帶V形槽的基片從光纖的上部固定，或采用上述兩種固定方法結(jié)合。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，所述光纖為單模光纖，或?yàn)槎嗄９饫w，朝向SVPD 的光纖端面為直接切割光纖形成的平斷面，或經(jīng)過熔融處理形成的凸透鏡 端面，或經(jīng)過拉錐處理形成的尖端面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底材料為GaAs或InP，襯底的導(dǎo)電 類型為N型或半絕緣型。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制 作方法，其特征在于，當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為N型時，SVPD的 器件為上表面單電極形式；當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為半絕緣型時， SVPD的器件為上表面雙電極形式。
10、 一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣列的制作方法，其特 征在于，該方法以帶一個光纖定位槽的SVPD作為一個探測器單元，將一 定數(shù)目的探測器單元組成在一起形成斜面接收光電探測器陣列。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣 列的制作方法，其特征在于，所述探測器單元的數(shù)目為4 12。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣 列的制作方法，其特征在于，所述斜面接收光電探測器陣列的襯底為SI 襯底，探測器單元之間為臺面隔離。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣 列的制作方法，其特征在于，所述斜面接收光電探測器陣列的襯底為N型 襯底，探測器單元之間除臺面隔離之外，在相鄰探測器之間通過腐蝕或機(jī) 械劃片加工出一隔離槽，臺面隔離和隔離槽隔離相結(jié)合，避免陣列單元之 間的互擾，提高器件性能。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣 列的制作方法，其特征在于，所述斜面接收光電探測器陣列使用的光纖為 單根光纖或光纖帶，光纖或光纖帶的固定方式采用紫外固化膠，或采用帶 V形槽的基片從光纖或光纖帶的上部固定，或采用上述兩種固定方法結(jié)全文摘要
本發(fā)明涉及光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器的制作方法，在斜面接收光電探測器SVPD的制作過程中增加光纖定位槽腐蝕工藝，在SVPD的相對一側(cè)朝向SVPD有源區(qū)的方向上腐蝕半導(dǎo)體襯底形成用于容納對準(zhǔn)光纖的光纖定位槽，將光纖定位槽與SVPD集成為一體，位于光纖定位槽的光纖的中心精確對準(zhǔn)SVPD的有源區(qū)中心。本發(fā)明同時公開了一種帶光纖定位槽的斜面接收光電探測器陣列的制作方法。利用本發(fā)明，使光纖和SVPD的對準(zhǔn)精度在微米量級，克服了定位精度的漂移問題，提高了定位精度的可靠性，并降低了光纖對準(zhǔn)定位的難度，降低了光纖對準(zhǔn)定位的成本。
文檔編號G02B6/42GK101382623SQ20071012150
公開日2009年3月11日 申請日期2007年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日
發(fā)明者萬里兮, 李寶霞, 李志華, 楊成樾, 申華軍 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所