專利名稱：光學(xué)多層膜濾波器及其制造方法和電子設(shè)備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)多層膜濾波器、光學(xué)多層膜濾波器的制造方法以及安裝有光學(xué)多層膜濾波器的電子設(shè)備裝置。
背景技術(shù)：
通常，防反射膜(antireflection film)、半反射鏡(half mirror)、低通濾波器等多用于電子設(shè)備裝置的光學(xué)多層膜濾波器由基板和通過蒸鍍等形成于基板上的無機(jī)薄膜構(gòu)成。并且，該無機(jī)薄膜通常形成由氧化鈦(TiO2)等構(gòu)成的高折射率膜和由氧化硅(SiO2)等構(gòu)成的低折射率膜交錯(cuò)層疊而成的多層結(jié)構(gòu)。
但是，該無機(jī)薄膜在結(jié)構(gòu)上沒有導(dǎo)電性，所以容易帶靜電。因此，在光學(xué)多層膜濾波器的表面容易附著灰塵，給安裝有該濾波器的電子設(shè)備的光學(xué)特性帶來壞影響。
作為對(duì)這種非導(dǎo)電性的透明基板采取的靜電對(duì)策，已知有例如在防塵玻璃的外表面設(shè)置透明導(dǎo)電膜的例子(參照專利文獻(xiàn)1)。這種透明導(dǎo)電膜不損害玻璃的透明性，而且具有導(dǎo)電性，所以能夠有效除去靜電。
專利文獻(xiàn)1日本特開2004-233501號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求)但是，在構(gòu)成多層膜的最表層的膜的光學(xué)性質(zhì)非常重要的光學(xué)多層膜濾波器中，如果將專利文獻(xiàn)1所述的透明導(dǎo)電膜設(shè)置在最表層，則有可能改變光學(xué)多層膜濾波器自身的光學(xué)特性。而且，獨(dú)立于光學(xué)多層膜濾波器的制造步驟，在其它步驟中設(shè)置透明導(dǎo)電膜時(shí)，成本方面也是不利的。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于，提供一種不使光學(xué)性質(zhì)劣化且能夠長(zhǎng)時(shí)間保持防電效果的光學(xué)多層膜濾波器、簡(jiǎn)單地制造該濾波器的光學(xué)多層膜濾波器的制造方法、以及安裝有這種光學(xué)多層膜濾波器的電子設(shè)備裝置。
本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器，其具有無機(jī)薄膜，該無機(jī)薄膜形成于基板上、且無機(jī)薄膜由多層構(gòu)成，所述光學(xué)多層膜濾波器的特征在于，構(gòu)成所述無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層的密度為1.9g/cm3～2.2g/cm3。
根據(jù)本發(fā)明，將構(gòu)成無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層的密度設(shè)為1.9g/cm3～2.2g/cm3，從而原本應(yīng)顯示出高絕緣性的氧化硅層(主要為SiO2膜)的絕緣性降低(導(dǎo)電性增大)。因此，通過摩擦等引起的帶電而在表面產(chǎn)生的電荷容易移動(dòng)，借助向空氣中的電暈放電或適當(dāng)?shù)慕拥?，容易使電荷中和，光學(xué)多層膜濾波器上難以附著灰塵等。
而且，電荷容易穿過該氧化硅層到達(dá)下層，所以如果下層的絕緣性低(導(dǎo)電性高)，則電荷容易向該濾波器的面方向移動(dòng)。因此，若下層存在例如與SiO2相比絕緣性容易變低的氧化鈦或其它高折射材料那樣的絕緣性低的膜，則能夠進(jìn)一步容易使電荷逃到外部。
此外，本發(fā)明中，僅有最表層的氧化硅層的密度稍微變小，對(duì)于其它各層，與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)相同，所以光學(xué)特性與現(xiàn)有的光學(xué)多層膜濾波器相比不會(huì)變差。另外，最表層與現(xiàn)有相同為氧化硅層，可以采用與現(xiàn)有的多層膜實(shí)質(zhì)上相同的材料和相同的步驟制造，所以生產(chǎn)性不會(huì)下降。
本發(fā)明中，優(yōu)選與構(gòu)成最表層的氧化硅層相鄰的層為透明導(dǎo)電膜。
此處，可以舉出例如成分為ITO(Indium Tin Oxide)、IWO、SnO2、ZnO等的膜，作為透明導(dǎo)電膜。在本發(fā)明中的透明導(dǎo)電膜相當(dāng)于薄層電阻(sheet resistivity)為1×104(orm/square)以下的膜。
根據(jù)本發(fā)明，與構(gòu)成最表層的氧化硅層相鄰的層為透明導(dǎo)電膜，所以電荷容易在透明導(dǎo)電膜和作為最表層的氧化硅層之間移動(dòng)，并且，電荷非常容易向該濾波器的面方向移動(dòng)。因此，能夠使最表層的氧化硅層上產(chǎn)生的靜電迅速逃到外部。而且，透明導(dǎo)電膜是透明的，因此不會(huì)損害光學(xué)多層膜濾波器的光學(xué)特性。
本發(fā)明中，優(yōu)選所述無機(jī)薄膜為UV-IR截止膜或IR截止膜。
根據(jù)本發(fā)明，能夠得到如下的UV-IR截止濾波器(Ultraviolet-Infraredcut filter)和IR截止濾波器(Infrared cut filter)，它們?cè)诨宓囊粋?cè)的面具有無機(jī)薄膜，而且，與現(xiàn)有的光學(xué)多層膜濾波器相比，難以帶靜電、難以附著灰塵。
本發(fā)明中，優(yōu)選所述基板為玻璃基板或石英基板。
根據(jù)本發(fā)明，基板由玻璃基板構(gòu)成，從而作為例如CCD(電荷耦合器件)等影像元件的防塵玻璃，能夠得到一體構(gòu)成了所希望的濾波器功能、包括UV-IR截止濾波器和IR截止濾波器功能的、難以帶靜電的光學(xué)多層膜濾波器。并且，基板由石英基板構(gòu)成，從而作為例如光學(xué)低通濾波器，能夠得到一體構(gòu)成了所希望的濾波器功能的、包括UV-IR截止濾波器和IR截止濾波器功能的難以帶靜電的光學(xué)多層膜濾波器。
本發(fā)明的電子設(shè)備裝置，其特征在于，在所述電子設(shè)備裝置中安裝有上述的光學(xué)多層膜濾波器。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備裝置，因安裝有上述的光學(xué)多層膜濾波器，所以可以作為例如數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)(digital still camera)或數(shù)字視頻照相機(jī)(digital video camera)等攝像裝置、或帶照相機(jī)的移動(dòng)電話或帶照相機(jī)的電腦(個(gè)人計(jì)算機(jī))有效活用。
本發(fā)明的電子設(shè)備裝置中，優(yōu)選所述無機(jī)薄膜的最表層接地。
根據(jù)本發(fā)明，構(gòu)成無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層接地，所以能夠更高效地使從氧化硅層中移動(dòng)而來的電荷逃到外部，能夠提供難以帶靜電的電子設(shè)備裝置。
而且，最表層的SiO2的密度低，所以電荷容易在SiO2的內(nèi)部移動(dòng)。因此，僅通過將最表層接地，就能夠獲得除電效果。
本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器的制造方法，其是制造在基板上形成由多層構(gòu)成的無機(jī)薄膜的光學(xué)多層膜濾波器的方法，所述制造方法的特征在于，通過蒸鍍使所述無機(jī)薄膜的最表層成膜時(shí)的真空度為5×10-4Pa～5×10-2Pa。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，采用在5×10-4Pa～5×10-2Pa的真空壓力下、進(jìn)行蒸鍍的簡(jiǎn)便方法，使得構(gòu)成無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層的密度為1.9g/cm3～2.2g/cm3，所以能夠有效制造難以帶靜電的多層膜濾波器。而且，可以采用與現(xiàn)有的多層膜濾波器相同的材料，所以能夠采用與現(xiàn)有的多層膜實(shí)質(zhì)相同的材料和相同的步驟制造，因此也不會(huì)有生產(chǎn)性下降的可能性。此處，當(dāng)蒸鍍時(shí)的真空度大于5×10-2Pa時(shí)，成膜速度下降，并且相對(duì)于原料的消耗量，膜的附著量減少，因此并不理想。


圖1是示出本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是將本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器設(shè)置為接地時(shí)的截面圖。
圖3是示意性地示出進(jìn)行Ti3O5粉末的附著試驗(yàn)時(shí)的附著級(jí)別的圖。
圖4是表面電位測(cè)定裝置的概要圖。
圖5是表面電阻測(cè)定裝置的概要圖。
圖6是示出本發(fā)明的電子設(shè)備裝置(攝像裝置)的概要的框圖。
符號(hào)說明1...基板(玻璃基板)，2...無機(jī)薄膜，10、10’、10”...光學(xué)多層膜濾波器，100...攝像模塊，110...光學(xué)低通濾波器，120...攝像元件，130...驅(qū)動(dòng)部，140...固定夾具，150...接地線纜，200...鏡頭，300...主體部，400...攝像裝置。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例下面，根據(jù)實(shí)施例和附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器。但是，本發(fā)明并不受這些例子的某些限定。另外，各實(shí)施例中，對(duì)于具有相同的結(jié)構(gòu)和功能的部分，賦予相同符號(hào)進(jìn)行說明。
本實(shí)施例是適于光學(xué)多層膜濾波器(UV-IR截止濾波器)的一例，所述光學(xué)多層膜濾波器使可見波段通過、并具有使得在預(yù)定波長(zhǎng)以下的紫外波段和預(yù)定波長(zhǎng)以上的紅外波段中的光吸收少的良好的反射特性。
(光學(xué)多層膜濾波器的結(jié)構(gòu))圖1是示意性地示出本發(fā)明的光學(xué)多層膜濾波器10的結(jié)構(gòu)的截面圖。光學(xué)多層膜濾波器10構(gòu)成為具有玻璃基板1，其用于使光透過；以及多層的無機(jī)薄膜2，其形成于玻璃基板1的上面。
玻璃基板1為白板玻璃(折射率n＝1.52)，本實(shí)施例中使用了直徑30mm、厚度0.3mm的玻璃基板。
對(duì)于無機(jī)薄膜2的材料，高折射率材料層(H)由TiO2(n＝2.40)構(gòu)成，低折射率材料層(L)由SiO2(n＝1.46)構(gòu)成。
該無機(jī)薄膜2通過如下方式形成從玻璃基板1側(cè)起，首先層疊高折射率材料的TiO2膜2H1，在層疊后的高折射率材料的TiO2膜2H1上面層疊低折射率材料的SiO2膜2L1，接著，在低折射率材料的SiO2膜2L1的上面依次交錯(cuò)層疊高折射率材料的TiO2膜和低折射率材料的SiO2膜，無機(jī)薄膜2的最上膜層(最表層)層疊低折射率材料的SiO2膜2L30，從而形成高折射率材料的TiO2膜和低折射率材料的SiO2膜分別為30層、共計(jì)60層的無機(jī)薄膜2。
詳細(xì)說明該無機(jī)薄膜2的膜結(jié)構(gòu)。下面說明的膜厚結(jié)構(gòu)的標(biāo)記中，使用光學(xué)膜厚nd＝1/4λ的值。具體地說，將高折射率材料層(H)的膜厚標(biāo)記設(shè)為1H，同樣地將低折射率材料層(L)的膜厚標(biāo)記設(shè)為1L。并且，(xH，yL)S中的S標(biāo)記是被稱為堆棧數(shù)的重復(fù)次數(shù)，表示周期性地重復(fù)括號(hào)內(nèi)的結(jié)構(gòu)。
無機(jī)薄膜2的膜厚結(jié)構(gòu)如下形成設(shè)計(jì)波長(zhǎng)λ為550nm、第一層的高折射率材料的TiO2膜2H1為0.60H、第二層的低折射率材料的SiO2膜2L1為0.20L、接著依次為1.05H、0.37L、(0.68H、0.53L)4、0.69H、0.42L、0.59H、1.92L、(1.38H、1.38L)6、1.48H、1.52L、1.65H、1.71L、1.54H、1.59L、1.42H、1.58L、1.51H、1.72L、1.84H、1.80L、1.67H、1.77L、(1.87H、1.87L)7、1.89H、1.90L、1.90H、最表層(最表面)的低折射率材料的SiO2膜2L30為0.96L的共計(jì)60層。
(光學(xué)多層膜濾波器的制造方法)通過一般的使用了離子加速器(ion assist)的電子束蒸鍍(所謂IAD法)，在玻璃基板1之上形成無機(jī)薄膜2，從而制造了光學(xué)多層膜濾波器10。
具體地說，將玻璃基板1安裝到真空蒸鍍室(未圖示)內(nèi)之后，在真空蒸鍍室內(nèi)的下部配置填充有蒸鍍材料的坩鍋，利用電子束使蒸鍍材料蒸發(fā)。同時(shí)加速照射利用離子槍離子化的氧(使TiO2成膜時(shí)附加Ar)，從而在玻璃基板1上以上述膜厚結(jié)構(gòu)交錯(cuò)地使TiO2的高折射率材料層2H1～2H30和SiO2的低折射率材料層2L1～2L30成膜。最終得到了圖1所示的光學(xué)多層膜濾波器10。
下面，示出SiO2膜和TiO2膜的成膜條件，除了最表層的SiO2膜以外，在下述的標(biāo)準(zhǔn)條件下成膜。
<SiO2膜的成膜條件(標(biāo)準(zhǔn)條件)>
成膜速度0.8nm/sec加速電壓1000V加速電流1200mAO2流量70sccm成膜溫度150℃<TiO2膜的成膜條件(標(biāo)準(zhǔn)條件)>
成膜速度0.3nm/sec加速電壓1000V加速電流1200mAO2流量60sccmAr流量20sccm成膜溫度150℃此處，實(shí)施例1～7均在使最表層的SiO2膜(圖1中的2L30)成膜時(shí)，在將離子槍的加速電壓和加速電流設(shè)為0的狀態(tài)下(通過控制所導(dǎo)入的氧氣流量)改變成膜裝置內(nèi)的壓力，控制密度。即，最表層的SiO2膜的成膜不是離子加速器蒸鍍過程。
而且，實(shí)施例7中，采用與實(shí)施例3相同的條件，形成最表層的SiO2膜，進(jìn)一步將最上層的高折射率層(圖1中的2H30)設(shè)為ITO膜。ITO膜的成膜條件如下。
<ITO膜的成膜條件>
成膜速度0.2nm/sec加速電壓500V加速電流300mAO2流量70sccm成膜溫度150℃比較例1中，SiO2膜和TiO2膜全都在上述的標(biāo)準(zhǔn)條件下成膜，形成無機(jī)薄膜2’，制造光學(xué)多層膜濾波器10’。
比較例2中，僅僅將最上層的高折射率層設(shè)為ITO膜，除此之外的層(SiO2膜、TiO2膜)全都在標(biāo)準(zhǔn)條件下成膜，形成無機(jī)薄膜2”，制造光學(xué)多層膜濾波器10”。
將以上的、實(shí)施例1～7和比較例1、2中的最表層(SiO2膜)的成膜條件示于表1。
(分析/評(píng)價(jià)方法)(1)最表層的SiO2膜的密度在上述各條件下，在硅晶片上以約200nm的厚度形成SiO2膜之后，使用理學(xué)電氣制造的ATX-G，通過X線反射率法(GIXR法)，測(cè)定SiO2膜的密度。將測(cè)定結(jié)果示于表1。
(2)帶靜電級(jí)別(Ti3O5粉末的附著級(jí)別)如圖2所示，對(duì)于光學(xué)多層膜濾波器10、10’、10”，通過接地線纜150將最表層(最表面層)即SiO2膜2L30的端部接地之后，對(duì)帶靜電級(jí)別進(jìn)行測(cè)定。具體地說，用無塵摩擦紙(BEMCOT)(100％纖維素)強(qiáng)烈摩擦所述濾波器的表面，賦予使表面電位的初始值達(dá)到2000V左右的靜電之后，使濾波器與Ti3O5粉末接近至相隔1mm的距離，以粉末附著到濾波器表面的程度(附著級(jí)別)進(jìn)行評(píng)價(jià)。該附著級(jí)別采用圖3中示意性地示出的5個(gè)階段來進(jìn)行表示。實(shí)用性上來說，優(yōu)選為C以上。將結(jié)果示于表1。
A基本沒有Ti3O5粉末附著。
B附著有勉強(qiáng)能夠目視到的程度的Ti3O5粉末。
C略微能夠確認(rèn)到Ti3O5粉末的附著。
DTi3O5粉末的附著很顯眼。
E濾波器的整個(gè)面上附著很多Ti3O5粉末。
(3)表面電位測(cè)定用無塵摩擦紙(100％纖維素)強(qiáng)烈摩擦所述濾波器的表面，賦予使表面電位的初始值達(dá)到2000V左右的靜電之后，經(jīng)過60秒后，測(cè)定濾波器的表面電位。為了測(cè)定該表面電位，使用圖4中示出的表面電位計(jì)500。該表面電位計(jì)500由TREK-JAPEN制造，為Model 341。該表面電位計(jì)500的探針501和濾波器的樣品502的表面之間的距離為10mm。載置樣品502的臺(tái)503為金屬制，在接地的狀態(tài)下，進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定時(shí)的環(huán)境如下濕度55％±5％，氣溫25℃±3℃。
(4)表面電阻(薄層電阻)測(cè)定測(cè)定濾波器的樣品的表面電阻。為了測(cè)定該表面電阻，使用圖5中示出的表面電阻測(cè)定裝置504。該表面電阻測(cè)定裝置504由三菱化學(xué)制造，為高精度電阻率檢測(cè)儀UP MCP-HT45。該表面電阻測(cè)定裝置504的探針505與濾波器的樣品502的表面抵接。載置樣品502的臺(tái)506為Teflon(注冊(cè)商標(biāo))制。該測(cè)定條件為1000V、30sec。測(cè)定時(shí)的環(huán)境如下所示濕度55％±5％，氣溫25℃±3℃。


(評(píng)價(jià)結(jié)果)如實(shí)施例1～7所示，將離子槍的輸出設(shè)為0時(shí)，SiO2膜的密度下降到小于理論密度2.2。并且，可知密度還取決于成膜時(shí)的壓力，壓力越高，SiO2膜的密度越低。
另一方面，如比較例1、2所示，在利用離子槍進(jìn)行加速的同時(shí)成膜的情況下，SiO2膜的密度為2.213(大于理論密度2.2的原因認(rèn)為是利用加速器打入O(氧)原子而引起的)。同樣地比較例6、7的SiO2膜的密度為2.221。
并且，這樣的最表層的SiO2膜的密度直接影響帶靜電級(jí)別，實(shí)施例1～7的附著級(jí)別均為A～C。而且，若SiO2膜的密度下降，則附著級(jí)別進(jìn)一步提高。
此外，像實(shí)施例7那樣將最上層的高折射率膜設(shè)為透明導(dǎo)電膜(ITO膜)的情況下，即、與最表層的SiO2膜相鄰設(shè)置了ITO膜的情況下，附著級(jí)別為A，與實(shí)施例3相比，得到進(jìn)一步提高。
相對(duì)于此，在比較例1、2、6、7中，可知最表層的SiO2膜的密度高，容易帶靜電。即使像比較例2那樣在相鄰層上存在ITO膜，也沒有效果。
另外，實(shí)施例1～6是真空度為0.0005Pa～0.0500Pa時(shí)的結(jié)果。真空度0.0005Pa以下是一般的真空裝置的臨界值，不能將真空度設(shè)定到該數(shù)值以下。并且，真空度0.0500以上是量產(chǎn)上無法使用的值，在上限值以上的真空度中，粒子的平均自由步驟縮短，成膜速度急劇下降。若真空度在該范圍內(nèi)，則最表層的SiO2膜的密度處于1.98～2.04的范圍，此時(shí)的薄層電阻值為1.3×1011～1.20×1012，而且，表面電位達(dá)到150V以下。殘留的表面電位越小越好，作為實(shí)用上的附著級(jí)別，只要為“C”左右，就沒有問題。另外，一般常說為了除去靜電使表面電阻達(dá)到1010orm/square左右，但在用作光學(xué)部件的情況下，1012orm/square左右就足夠。因此，只要最表層的SiO2膜的密度在1.98～2.04的范圍內(nèi)，就能得到理想的防塵表面。
比較例1、3～7是在真空度與實(shí)施例1～6相同的狀態(tài)下使離子槍動(dòng)作的結(jié)果。這些比較例中，為了使真空度達(dá)到所希望的值，調(diào)整了本說明書第6頁(yè)第3段中的SiO2的成膜條件的部分的O2流量。
比較例3、4中，由于真空度過低，所以離子槍不動(dòng)作，因此在該條件下無法進(jìn)行成膜。在比較例1、5、6中，表面電阻值為1×1015orm/square以上。并且，表面電位基本不會(huì)從初始值起衰減，而維持在2000V左右。其結(jié)果，附著級(jí)別為“E”。因此，若最表層的SiO2膜的密度為2.2以上，則得到防塵性差的表面。
比較例2是最上層為SiO2、其下層插入有ITO膜(ITO自身的薄層電阻為1×104以下)的情況，比較例2的薄層電阻為7.8×105，非常低，但表面電位為1100V，附著級(jí)別為“E”。這是因?yàn)椋瑴y(cè)定表面電阻時(shí)需要較大的電極，所以電流經(jīng)由位于最上層的SiO2的針孔(微小的孔)流入，因此電阻下降。但是，靜電的情況下，針孔附近的電荷可以經(jīng)由從上方起為第二層的由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜來除去，但位于遠(yuǎn)離針孔的位置的電荷不能移動(dòng)，因此，電荷在最表層的SiO2上以孤立的狀態(tài)殘留。因此，表面電位維持在高的狀態(tài)。相對(duì)于此，實(shí)施例7中最表層的SiO2的密度低，所以電荷能夠穿過SiO2，經(jīng)由從上方起為第二層的由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜來除去。
在以上的實(shí)施例中，說明了將白板玻璃用作玻璃基板1的情況，但不限于此，還可以使用BK7、藍(lán)寶石玻璃、硼酸玻璃、藍(lán)板玻璃、SF3、以及SF7等透明基板，也可以使用一般市售的光學(xué)玻璃。
另外，說明了作為高折射率材料層的材料使用TiO2的情況，但也可以應(yīng)用Ta2O5、Nb2O5。
下面，說明包含實(shí)施例1～7的光學(xué)多層膜濾波器10來構(gòu)成的電子設(shè)備裝置。本實(shí)施例是作為電子設(shè)備裝置應(yīng)用于例如拍攝靜態(tài)圖像的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的攝像裝置的一個(gè)實(shí)施例。
圖6是示出本發(fā)明的電子設(shè)備裝置的一個(gè)構(gòu)成例的說明圖，示出了攝像模塊100和包括該攝像模塊100的攝像裝置400的構(gòu)成例。圖6所示的攝像模塊100構(gòu)成為包括光學(xué)多層膜濾波器10、光學(xué)低通濾波器110、將光學(xué)像電轉(zhuǎn)換的攝像元件的CCD(電荷耦合器件)120、以及驅(qū)動(dòng)該攝像元件120的驅(qū)動(dòng)部130。
光學(xué)多層膜濾波器10如本發(fā)明的實(shí)施例中說明的那樣由玻璃基板1和無機(jī)薄膜2構(gòu)成，該無機(jī)薄膜2通過交錯(cuò)層疊高折射率材料層和低折射率材料層而成，所述光學(xué)多層膜濾波器10具有IR-UV截止濾波器功能。該光學(xué)多層膜濾波器10借助固定夾具140設(shè)置于CCD120的前面，與所述CCD120構(gòu)成為一體，一并具有CCD120的防塵玻璃功能。該固定夾具140由金屬構(gòu)成，其與光學(xué)多層膜濾波器10的最表層電連接。而且，固定夾具140通過接地線纜150接地(落地)。
攝像裝置400構(gòu)成為包括攝像模塊100；鏡頭200，其配置于光入射側(cè)；以及主體部300，其對(duì)從攝像模塊100輸出的攝像信號(hào)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)等。另外，雖未圖示，主體部300包括如下等構(gòu)成要素信號(hào)處理部，其進(jìn)行攝像信號(hào)的校正等；記錄部，其將攝像信號(hào)記錄到磁盤等記錄介質(zhì)中；再現(xiàn)部，其再現(xiàn)該攝像信號(hào)；以及顯示部等，其顯示所再現(xiàn)的影像。這樣構(gòu)成的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)，通過搭載一體具備CCD120、防塵玻璃功能和IR-UV截止濾波器功能的光學(xué)多層膜濾波器10，能夠提供粘合精度高、光學(xué)特性強(qiáng)且良好的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)。另外，對(duì)于實(shí)施例的攝像模塊100，說明了與鏡頭200分離配置的結(jié)構(gòu)，但攝像模塊也可以包括鏡頭200來構(gòu)成。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明涉及難以帶靜電的光學(xué)多層膜濾波器以及這種光學(xué)多層膜濾波器的制造方法，在數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)或數(shù)字視頻照相機(jī)等電子設(shè)備裝置的領(lǐng)域中能夠良好地利用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)多層膜濾波器，該光學(xué)多層膜濾波器具有無機(jī)薄膜，所述無機(jī)薄膜形成于基板上、且所述無機(jī)薄膜由多層構(gòu)成，所述光學(xué)多層膜濾波器的特征在于，構(gòu)成所述無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層的密度為1.9g/cm3～2.2g/cm3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)多層膜濾波器，其特征在于，與所述構(gòu)成最表層的氧化硅層相鄰的層為透明導(dǎo)電膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)多層膜濾波器，其特征在于，所述無機(jī)薄膜為UV-IR截止膜或IR截止膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的光學(xué)多層膜濾波器，其特征在于，所述基板為玻璃基板或石英基板。
5.一種安裝有權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的光學(xué)多層膜濾波器的電子設(shè)備裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備裝置，其特征在于，所述無機(jī)薄膜的最表層接地。
7.一種光學(xué)多層膜濾波器的制造方法，該制造方法用于光學(xué)多層膜濾波器，所述光學(xué)多層膜濾波器在基板上形成有由多層構(gòu)成的無機(jī)薄膜，該制造方法的特征在于，在通過蒸鍍來使所述無機(jī)薄膜的最表層成膜時(shí)的真空度為5×10-4Pa～5×10-2Pa。
全文摘要
本發(fā)明的課題是提供一種不使光學(xué)性質(zhì)劣化且能夠長(zhǎng)時(shí)間保持防電效果的光學(xué)多層膜濾波器及其制造方法和電子設(shè)備裝置。作為解決手段，光學(xué)多層膜濾波器(10)具有形成于基板(1)上的由多層構(gòu)成的無機(jī)薄膜(2)，構(gòu)成所述無機(jī)薄膜的最表層的氧化硅層的密度為1.9g/cm
文檔編號(hào)G03B11/04GK101051093SQ20071009580
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月4日
發(fā)明者澁谷宗裕 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社