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感輻射線性樹脂組合物的制作方法

文檔序號:2797874閱讀:212來源:國知局

專利名稱::感輻射線性樹脂組合物的制作方法感輻射線性樹脂組合物
技術領域
:本發(fā)明是有關液浸曝光方法所使用的液浸膝光用感輻射線性樹脂組合物,更詳細地說,有關能使所得的圖案形狀良好,且具有優(yōu)良解像度及焦點深度充裕性,并對液浸曝光時所接觸的液浸膝光用液體的溶出物量較少的液浸曝光用感輻射線性樹脂組合物。
背景技術
:最近在制造集成電路元件用的代表性微細加工領域中,為了得到更高的集成度,而需使用能微細加工至200nm以下水準的微影蝕刻技術。但先前微影蝕刻過程一般是使用i線等的近紫外線作為輻射線,而該近紫外線極難進行四分之一微米以下水準的微細加工。因此開始研究可進行200nm以下水準的#:細加工用波長更短的輻射線。該短波長的輻射線,例如可舉代表水銀燈亮線光i瞽、等離子雷射的遠紫外線、X線、電子線等,其中又以KrF等離子雷射(波長248mn)及ArF等離子雷射(波長193nm)特別受到注目。針對該等離子雷射照射所適用之抗蝕劑曾出現(xiàn)數(shù)種利用含酸解離性官能基成分及照射輻射線(以下稱為"曝光")時會發(fā)生酸的成分(以下稱為"酸發(fā)生劑")的具有化學加強效果之抗蝕劑(以下稱為"化學加強型抗蝕劑,,)的提案。該化學加強型抗蝕劑提案,例如含有具有羧酸的t-丁基酯基或苯酚的t-丁基碳酸酯基的樹脂及酸發(fā)生劑的抗蝕劑。將該抗蝕劑曝光后可利用所產(chǎn)生酸的作用,使存在于樹脂中的t-丁基酯基或t-丁基碳酸酯基解離,而使樹脂具有由羧基或苯酚性羥基所形成的酸性基,結果成為抗蝕膜的曝光領域中可利用對堿顯影液為易溶性現(xiàn)象的物質(zhì)。今后對上述微影蝕刻技術要求可形成更微細的圖案(例如線寬90nm的微細抗蝕圖案)。為了達到比90nm更微細的圖案形成,曾考慮使上述曝光裝置的光源波長短波長化,及增加透鏡開口數(shù)(M)。但光源波長短波化需備有高額的新膝光裝置,還有,透鏡的高NA化時會因解像度與焦點深度具有交換關系,而存在提升解像度時會降低焦點深度的問題。最近為了解決該問題曾出現(xiàn)稱為液浸膝光(liquidimmersionlithography)法的微影蝕刻技術的報告。該方法為曝光時于透鏡及基板上抗蝕膜之間,至少介有抗蝕膜上具有一定厚度的純水或液體折射率介質(zhì)(浸漬液)。該方法中,例如純水等折射率(n)較大的液體取代原來空氣、氮等惰性氣體的曝光光路空間,因此既使使用相同的曝光波長光源也可同使用短波長光源及使用高M透鏡一樣達成高解像性,同時降低焦點深度。使用該液浸曝光法時可實現(xiàn),使用現(xiàn)有裝置中實際裝備的透鏡,以低成本形成具有更高解像性及優(yōu)良焦點深度的抗蝕圖案而深受注目。但該液浸曝光過程中,曝光時抗蝕膜直接接觸水等折射率液體(浸漬液)時,會由抗蝕膜溶出酸發(fā)生劑等,當該溶出物量較大時會出現(xiàn)無法得到一定形狀之圖案、充分解像度、及透鏡污染的問題。使用于液浸曝光裝置的抗蝕劑用的樹脂提案,例如專利文獻1及專利文獻2所記栽的樹脂。但既使使用該樹脂的抗蝕劑也未必得到充分的圖案形狀及解像度。專利文獻l:國際公開WO2004/068242號公報專利文獻2:特開2005-173474號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供使用液浸曝光方法可得到的良好圖案形狀及優(yōu)良解像度,且液浸曝光時對所接觸的液浸膝光用液體的溶出物量較少的液浸膝光用感輻射線性樹脂組合物。解決課題的手段本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物,是在透鏡與光抗蝕膜之間介由波長193nm的折射率超過1.44但不足1.85的液浸膝光用液體照射輻射線的液浸啄光微影蝕刻法中所使用的、形成光抗蝕膜的感輻射線性樹脂組合物中,其特征在于,該感輻射線性樹脂組合物含有含具有內(nèi)酯結構的重復單元的堿不溶性或堿難溶性但在酸作用下可成為堿易溶性的樹脂,及感輻射線性酸發(fā)生劑。還有,上述樹脂為具有上述內(nèi)酯結構的重復單元的同進還含有下式(l)所示的重復單元的共聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>式(1)中,W為氫原子、曱基或三氟甲基;W相互獨立為碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式爛基或其衍生物、碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,且R2中至少1個為脂環(huán)式烴基或其衍生物,或者任何2個W可相互鍵合形成碳數(shù)4至20的2價脂環(huán)式烴基或其衍生物,其余的W為碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基、碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式烴基或其衍生物。具有上述內(nèi)酯結構的重復單元的同時還含有式(1)所示重復單元的共聚物,其特征在于,該共聚物中所含以單體為主成分的低分子量成分,在以固體成分換算時相對于共聚物全體為0.1重量%以下。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物,其特征在于,用于液浸曝光用液體的上述液浸膝光微影蝕刻法,該液浸膝光用液體為脂環(huán)式烴化合物及/或鏈狀飽和烴化合物。發(fā)明效果本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物是以含有具有內(nèi)酯結構的重復單元的聚合物作為樹脂成分,因此既使使用于介由波長193nm的折射率超過1.44,但不足1.85的液浸曝光用液體的液浸膝光微影蝕刻法中,也可使所得到的圖案形狀良好,且具有優(yōu)良解像度及焦點深度充裕性。又既使使用烴系高折射率液體,也能得到對該液體的溶出物量較少的液浸膝光用感輻射線性樹脂組合物。具體實施例方式構成本發(fā)明樹脂的具有內(nèi)酯結構的重復單元,例如可舉下列式(21)至(2-6)。這些可單獨使用或2種以上組合使用。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>上述式(2-l)至(2-6)各式中,R3為氫原子或甲基,t為氫原子或碳數(shù)1至4可具有取代基的烷基,R5為氫原子或曱氧基。A'為單鍵或亞甲基,B'為氧原子或亞甲基。1為1至3之整數(shù),m為0或l。上述式(2-1)至(2-6)各式中又以式(2-3)為佳。式(2-3)中又以B為亞曱基、m為0或1為佳。共聚物中具有內(nèi)酯結構的重復單元的含有率相對共聚物全體優(yōu)選為5至85摩爾%,更優(yōu)選為10至70摩爾°/。,特優(yōu)選為15至60摩爾%。不足5摩爾%時會傾向使顯影性、曝光充裕性(亦稱為焦點深度充裕性)變差,超過85摩爾y。時會傾向使共聚物對溶劑之溶解性變差,及使解像度變差。具有上述內(nèi)酯結構的重復單元的同時,所使用的重復單元是在支鏈具有上述式(l)所示的酸解離性基的重復單元。式(1)中,R、為氫原子、甲基、或三氟甲基、各W相互獨立為碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式烴基或其衍生物、或碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,且112中至少1個為該脂環(huán)式烴基或其衍生物,或者任何2個W可相互鍵合,再與各自鍵合的碳原子形成碳數(shù)4至20的2價脂環(huán)式烴基或其衍生物,其余R2為碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基、或碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式烴基或其衍生物。作為W的碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,如甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、2-甲基丙基、l-甲基丙基、t-丁基等。這些烷基又以甲基、乙基為佳。作為式(l)的-COOC(R2)3部分中-C(R2)3部分的骨架,如下列式(la)、式(lb)、式(lc)、式(ld)、式(le)或式(lf)所示的基團。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>上述各式中,W相互獨立為碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,m'為0或1。碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,如曱基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、2-甲基丙基、1-曱基丙基、t-丁基等。這些烷基中又以曱基、乙基為佳。式(l)的-0)0(:003部分為,利用酸作用使該部分解離形成羧基后可成為堿可溶性部位。"堿可溶性部位"是指,堿作用下可成為陰離子(堿可溶性的)基團。"酸解離性基"是指,以保護基保護堿可溶性部位的狀態(tài)的基團,而利用酸使保護基脫離之前不是"堿可溶性"的基團。本發(fā)明的共聚物因含有式(l)所示的重復單元,故可利用酸作用使堿不溶性或堿難溶性的樹脂變?yōu)閴A易溶性樹脂。"堿不溶性或堿難溶性,,是指,于形成抗蝕圖案時所采用的堿顯影條件下,以僅使用本發(fā)明的共聚物的被膜取代由含有本發(fā)明的共聚物的感輻射線性樹脂組合物所形成的抗蝕膜進行顯影,顯影后該被膜殘留為初期膜厚的50%以上的性質(zhì)。"堿易溶性,,是指,同樣處理下被膜會溶解而喪失初期膜厚的50%以上的性質(zhì)。共聚物中式(1)所示重復單元的含有率相對共聚物全體優(yōu)選為10至70摩爾%,更優(yōu)選為20至60摩爾%,特優(yōu)選為20至50摩爾%。不足10摩爾%時會傾向降低作為抗蝕劑的解像度,超過70摩爾%時會傾向使曝光充裕性變差。曝光充裕性是指,要對曝光量變化的線幅變動情形。本發(fā)明的樹脂成分用的共聚物除了具有內(nèi)酯結構之重復單元及式(l)所示重復單元外,還可具有"其它重復單元"。"其它重復單元",如(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯、(曱基)丙烯酸2-羧酸-n-丙酯、(甲基)丙烯酸3-羧基-n-丙酯、(甲基)丙烯酸4-羧基-n-丁酯、(甲基)丙烯酸4-羧基環(huán)己酯等含有羧基(甲基)丙烯酸酯類;(甲基)丙烯腈、oc-氯丙烯腈、巴豆腈、馬來腈、富馬腈、中康腈、檸康腈、衣康腈等不飽和腈化合物;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、巴豆酰胺、馬來酰胺、富馬酰胺、中康酰胺、檸康酰胺、衣康酰胺等不飽和酰胺化合物;N-(甲基)丙烯?;鶈徇-乙烯基-e-己內(nèi)酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑等其它含氮乙烯基化合物;(曱基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、衣康酸、衣康酸酐、檸康酸、檸康酸酐、中康酸等不飽和羧酸(酐)類等之單體類,及l(fā),2-金剛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-金剛二醇二(曱基)丙烯酸酯、1,4-金剛二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環(huán)癸基二羥甲基二(甲基)丙烯酸酯等具有交聯(lián)式烴骨架的多官能性(甲基)丙烯酸酯類;甲二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(曱基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,5-二甲基-2,5-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(曱基)丙烯酸酯等不具交聯(lián)式烴骨架的(曱基)丙烯酸酯類等多官能性單體的聚合性不飽和鍵開裂而得到的重復單元,及下列式(3)至(7)所示的重復單元。這些可單獨使用或2種以上組合使用。[化5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(3)式(3)中,R7為氫原子、甲基、三氟曱基或羥基甲基,R8為碳數(shù)l至4的直鏈狀或支鏈狀亞烷基、碳數(shù)3至20之脂環(huán)式亞烷基。作為碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀亞烷基,如亞甲基、亞乙基、n-亞丙基、i-亞丙基、n-亞丁基、2-甲基亞丙基、1-甲基亞丙基、t-亞丁基。作為碳數(shù)3至20的脂環(huán)式亞烷基,如-CJk—2(n為3至20的整數(shù))所示的環(huán)亞烷基,例如環(huán)亞丙基、環(huán)亞丁基、環(huán)亞戊基、環(huán)亞己基、環(huán)亞庚基、環(huán)亞辛基等,多環(huán)型脂環(huán)式亞烷基,例如二環(huán)[2.2.l]亞庚基、三環(huán)[5.2.1.0"]亞癸基、三環(huán)[6.2.I3'6.0"]亞十二烷基、亞金剛烷基等。X'為氫原子、羥基、氰基或碳數(shù)1至10的羥基烷基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>F3C—C—CF3OH式(4)中,R9為氫原子、曱基、三氟甲基或羥基甲基,D為單鍵、碳數(shù)1至6的直鏈狀或支鏈狀亞烷基、碳數(shù)4至20的脂環(huán)式烴基、烷二醇基、烯烴酯基。作為碳數(shù)1至6的直鏈狀或支鏈狀亞烷基,如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、環(huán)亞己基等。[化7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>式(5)中,R"為氫原子、曱基、三氟曱基或羥基曱基,E為單鍵或碳數(shù)1至3的2價亞烷基。R"相互獨立為羥基、氰基、羧基、-C00R14或-M'-R15,R"為氫原子、碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基、碳數(shù)3至20的脂環(huán)式烷基,M'相互獨立為單鍵或碳數(shù)1至3的2價亞烷基,R"相互獨立為氫原子、羥基、氰基或-COOR"基。其中,至少1個的R"不為氫原子。E及NT各自獨立為單鍵、亞甲基、亞乙基、亞丙基。作為-COOR"基中的R"為氫原子、碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基、碳數(shù)3至20的脂環(huán)式烷基。碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,如甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、2-甲基丙基、1-曱基丙基、t-丁基。碳數(shù)3至20的脂環(huán)式烷基,如-CJ^(n為3至20的整數(shù))所示的環(huán)烷基,例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基等,多環(huán)型脂環(huán)式烷基,如二環(huán)[2.2.l]庚基、三環(huán)[5.2.1.02'6]癸基、三環(huán)[6.2.I3'6.02'7]十二烷基、金剛烷基等,或者可以l種以上或1個以上直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基取代環(huán)烷基或多環(huán)型脂環(huán)式烷基一部分的基團等。[化8]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>式(6)中,R"為氫原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基,J為單鍵、碳數(shù)1至20的可具有取代基的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀亞烷基、烷二醇基、烯爛酯基6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>式(7)中,R"為氫原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基,M各自獨立為單鍵、碳數(shù)1至20的可具有取代基的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀亞烷基、烷二醇基、烯烴酯基。直鏈狀或支鏈狀亞烷基,如亞曱基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、環(huán)亞己基等。p'為0或l。共聚物中的"其它重復單元"的合計含有率可根據(jù)共聚物的用途等適當調(diào)整,以使用于后述的感輻射線性樹脂組合物為例時,對共聚物全體優(yōu)選為0.1至50摩爾%,更優(yōu)選為0.1至40摩爾%,特優(yōu)選為0.1至30摩爾%。超過50摩爾%時會降低內(nèi)酯結構及式(1)所致的效果。樹脂成分用的共聚物由凝膠滲透色語法(GPC)測得的聚苯乙烯換算重均分子量(以下稱為"Mw")為1000至500000,優(yōu)選為1000至100000,更優(yōu)選為1000至50000。此時,共聚物的Mw不足1000時會傾向降低作為抗蝕劑用時的耐熱性,而超過500000時會傾向降低作為抗蝕劑用的顯影性。還有,共聚物的Mw與凝膠滲透色鐠法(GPC)測得的聚苯乙烯換算數(shù)均分子量(以下稱為"Mn")的比(Mw/Mn)優(yōu)選為1至5,更優(yōu)選為1至3。作為共聚物,該共聚物中所含的以單體為主成分的低分子量成分,以固體成分換算相對于該共聚物全體為0.1重量°/。以下。該低分子量成分例如可可由高效液相色i普法(HPLC)測定。下面將說明共聚物的制造方法。所使用的共聚物并無持別限制,例如可使用氫過氧化物類、二烷基過氧化物類、二?;^氧化物類、偶氮化合物等自由基聚合引發(fā)劑,必要時存在鏈轉移劑下于適當溶劑中,使對應構成所需分子組成的各重復單元用的聚合性不飽和單體經(jīng)聚合而得。上述聚合中使用的溶劑,如n-戊烷、n-己烷、n-庚烷、n-辛烷、n-壬烷、n-癸烷等鏈烷類;環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、萘烷、降茨烷等環(huán)鏈烷類;苯、曱苯、二甲苯、乙基苯、枯烯等芳香族烴類;氯丁烷類、溴己烷類、二氯乙烷類、六亞甲基二溴化物、氯苯等鹵化烴類;乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸i-丁酯、丙酸曱酯等飽和羧酸酯類;四氫呋喃、二曱氧基乙烷類、二乙氧基乙烷類等醚類;曱醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、l-戊醇、3一戊醇、4-曱基-2-戊醇、o-氯苯酚、2-(1-甲基丙基)苯酚等醇類;丙酮、2-丁酮、3-曱基-2-丁酮、4-甲基-2-戊酮、2-庚酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、曱基環(huán)己酮等酮類等。這些溶劑可單獨或2種以上混合使用。上述聚合中的反應溫度一般為40至150X:,優(yōu)選為50至120n,反應時間一般為1至48小時,優(yōu)選為1至24小時。上述共聚物又以囟素、金屬等雜質(zhì)較少為佳,如此可更進一步改善作為抗蝕劑用時的敏感度、解像性、工藝安全性及圖案輪廓等。作為共聚物的精制法,例如水洗、液體萃取等化學精制法,或該化學精制法與超濾、離心分離等物理精制法的組合方法等。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物為含有上述本發(fā)明的共聚物的感輻射線性樹脂組合物,還可含有光酸發(fā)生劑、酸擴散抑制劑及溶劑。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物因含有上述本發(fā)明的共聚物,故適用于透鏡與光抗蝕膜之間介由波長193nm的折射率超過1.44但不足1.85的液浸曝光用液體照射輻射線的液浸曝光微影蝕刻法。還可獲得具有優(yōu)良的作為化學加強型抗蝕劑用的敏感度、解像度、焦點深度等基本物性。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物所使用的光酸發(fā)生劑是通過曝光會發(fā)生酸的感輻射線性酸發(fā)生劑(以下單稱為"酸發(fā)生劑,,)。酸發(fā)生劑為利用曝光所發(fā)生的酸的作用,使存在于共聚物中式(l)所示重復單元中的酸解離性基解離(保護基脫離),結果使抗蝕膜的曝光部對堿顯影液成為易溶性,故具有形成正型抗蝕圖案的作用。本發(fā)明的酸發(fā)生劑優(yōu)選為含有下列式(8)所示化合物(以下稱為"酸發(fā)生劑1")的物質(zhì)。式(8)中,R"為氫原子、氟原子、羥基、碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基、碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷氧基、碳原子數(shù)2至11的直鏈狀或支鏈狀烷氧基羧基,R"為碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基或烷氧基、碳原子數(shù)1至10的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀鏈烷磺?;?,R"獨立為碳原子1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基、可被取代的苯基或可被取代的萘基,或者2個R"可相互鍵合形成碳原子數(shù)2至10的2價基,該2價基可被取代,k'為0至2的整數(shù),r為式R2。Cj2nSOr(式中IT為氟原子或可被取代的碳原子數(shù)1至12的烴基,n為1至10的整數(shù))所示陰離子,q'為0至10的整數(shù)。式(8)中,R17、R"及R"的作為碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基,如甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、2-甲基丙基、1-甲基丙基、t-丁基、n-戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基己基、n-壬基、n-癸基等。這些烷基中又以甲基、乙基、n-丁基、t-丁基等為佳。R"及R"的碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷氧基,如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、i-丙氧基、n-丁氧基、2-甲基丙氧基、1-曱基丙氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、n-己氧基、n-癸氧基等。這些烷氧基中又以曱氧基、乙氧基、n-丙氧基、n-丁氧基等為佳。R"的碳原子數(shù)2至11的直鏈狀或支鏈狀烷氧基羰基,如甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙氧基羰基、i-丙氧基羰基、n-丁氧基羰基、2-甲基丙氧基羰基、1-曱基丙氧基羰基、t-丁氧基羰基、n-戊氧基羰基、新戊氧基羰基、n-己氧基羰基、n-庚氧基羰基、n-辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、n-壬氧基羰基、n-癸氧基羰基等。這些烷氧基羰基中又以甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丁氧基羰基等為佳。R"的碳原子數(shù)1至10的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀鏈烷磺酰基如,甲烷磺?;?、乙烷磺?;?、n-丙烷磺?;?、n-丁烷磺酰基、tert-丁烷磺?;?、n-戊烷磺?;?、新戊烷磺酰基、n-己烷磺酰基、n-庚烷磺?;?、n-辛烷磺?;?、2-乙基己烷磺?;?、n-壬烷磺?;?、n-癸烷磺?;?、環(huán)戊烷磺酰基、環(huán)己烷磺?;?。這些鏈烷磺?;杏忠约淄榛酋;?、乙烷磺?;?、n-丙烷磺酰基、n-丁烷磺?;?、環(huán)戊烷磺酰基、環(huán)己烷磺?;葹榧?。又q'優(yōu)選為0至2。式(8)中IT的可被取代的苯基,如苯基、o-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二曱基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4,6-三曱基苯基、4-乙基苯基、4-t-丁基苯基、4-環(huán)己基苯基、4-氟苯基等苯基、被碳原子數(shù)1至10的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基取代的苯基;該苯基或烷基取代苯基被1個以上的羥基、羧基、氰基、硝基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基羰基、烷氧基羰氧基等至少l種基團取代的基團等。對應苯基及烷基取代苯基的取代基中,上述烷氧基,如曱氧基、乙氧基、n-丙氧基、i-丙氧基、n-丁氧基、2-甲基丙氧基、l-甲基丙氧基、t-丁氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧等碳原子數(shù)1至20的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷氧基等。上述烷氧基烷基,如甲氧基曱基、乙氧基甲基、1-甲氧基乙基、2-曱氧基乙基、1-乙氧基乙基、2-乙氧基乙基等碳原子數(shù)2至21的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷氧基烷基等。烷氧基羰基,如甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙氧基羰基、i-丙氧基羰基、n-丁氧基羰基、2-甲基丙氧基羰基、1-曱基丙氧基羰基、t-丁氧基羰基、環(huán)戊氧基羰基、環(huán)己氧基羰基等碳原子數(shù)2至21的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷氧基羰基等。上述烷氧基羰氧基,如曱氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、n-丙氧基羰氧基、i-丙氧基羰氧基、n-丁氧基羰氧基、t-丁氧基羰氧基、環(huán)戊氧基羰氧基、環(huán)己氧基羰氧基等碳原子數(shù)2至21的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷氧基羰氧基等。式(8)中R"的可被取代的苯基優(yōu)選為苯基、4-環(huán)己基苯基、4-t-丁基苯基、4-甲氧基苯基、4-t-丁氧基苯基等。R"的可被取代的萘基,如l-萘基、2-甲基-l-萘基、3-曱基一1一萘基、4一甲基一1一萘基、4一甲基一1一萘基、5-甲基一1一萘基、6-甲基一1一萘基、7-甲基一l一萘基、8-甲基-l-萘基、2,3-二甲基-1-萘基、2,4-二甲基-l-萘基、2,5-二甲基-l-萘基、2,6-二曱基-1-萘基、2,7-二甲基—l-萘基、2,8-二甲基-l一萘基、3,4一二曱基一1一萘基、3,5-二甲基-1-萘基、3,6-二甲基一1—萘基、3,7-二曱基一l-萘基、3,8-二甲基一1一萘基、4,5-二曱基一l一萘基、5,8-二甲基-1-萘基、4-乙基-l一萘基、2-萘基、l一甲基一2-萘基、3-曱基一2_萘基、4一曱基一2-萘基等萘基、被碳原子數(shù)1至IO之直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基取代的萘基;該萘基或烷基取代萘基被1個以上的羥基、羧基、氰基、硝基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基羰基、烷氧基羰氧基等至少1種基團取代的基團等。上述取代基的烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基羰基及烷氧基羰氧基,如上述苯基及烷基取代苯基所列舉的基團。式(8)中1118的可被取代的萘基優(yōu)選如1-萘基、1-(4-甲氧基萘)基、1-(4-乙氧基萘)基、1-(4-n-丙氧基萘)基、l一(4-n-丁氧基萘)基、2-(7-甲氧基萘)基、2-(7-乙氧基萘)基、2-(7-n-丙氧基萘)基、2-(7-n-丁氧基萘)基等。作為2個R"相互鍵合形成的碳原子數(shù)2至10的2價基優(yōu)選為與式(8)中的硫原子形成5員或6員的環(huán),特優(yōu)選為5員環(huán)的基團(即四氫噻吩環(huán))。對應該2價基的取代基,如上述對苯基及烷基取代苯基的取代基所列舉的羥基、羧基、氰基、硝基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基羰基、垸氧基羰氧基等。式(8)的R"優(yōu)選為曱基、乙基、苯基、4-甲氧基苯基、l-萘基、2個R"相互鍵合與硫原子形成四氫噻吩環(huán)結構的2價基團等。式(8)的陽離子部位優(yōu)選為三苯基陽離子、三-l-萘基陽離子、三-tert-丁基苯基陽離子、4-氟苯基-二苯基陽離子、二-4-氟苯基-苯基陽離子、三-4-氟苯基陽離子、4-環(huán)己基苯基-二苯基陽離子、4-曱磺酰苯基-二苯基陽離子、4-環(huán)己烷磺?;?二苯基陽離子、1-萘基二甲基陽離子、1-萘基二乙基陽離子、1-(4-羥基萘基)二甲基陽離子、1-(4-曱基萘基)二甲基陽離子、1-(4-甲基萘基)二乙基陽離子、1-(4-氰基萘基)二甲基陽離子、1-(4-氰基萘基)二乙基陽離子、1-(3,5-二甲基-4-羥基苯基)四氫噻吩銀陽離子、1-(4-甲氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、1-(4-乙氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、1-(4-n-丙氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、1-(4-n-丁氧基萘基)四氫噻吩銪陽離子、2-(7-曱氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、2-(7-乙氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、2-(7-n-丙氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子、2-(7-n-丁氧基萘基)四氫噻吩錯陽離子等。式(8)的X—所示的R2°CnF2nS03—陰離子中,CnF2n-基為碳原子數(shù)n之全氟亞烷基,該基可為直鏈狀或支鏈狀。n優(yōu)選為1、2、4或8。R2°中可被取代的碳原子數(shù)1至12的烴基優(yōu)選,如碳數(shù)1至12的烷基、環(huán)烷基、交聯(lián)脂環(huán)式烴基。具體例如,曱基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、2-曱基丙基、l-甲基丙基、t-丁基、n-戊基、新戊基、n-己基、環(huán)己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基己基、n-壬基、n-癸基、降莰基、降莰基曱基、羥基降莰基、金剛基等。式(8)的陰離子部位優(yōu)選如三氟曱烷磺酸酯陰離子、全氟-n-丁烷磺酸酯陰離子、全氟-n-辛烷磺酸酯陰離子、2-二環(huán)[2.2.l]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酸酯陰離子、2-二環(huán)[2.2.l]庚-2-基-1,1-二氟乙烷磺酸酯陰離子等。本發(fā)明的酸發(fā)生劑1可單獨或2種以上混合使用。本發(fā)明的酸發(fā)生劑中可使用酸發(fā)生劑1以外的感輻射線性酸發(fā)生劑(以下稱為"其它酸發(fā)生劑,,),如酸發(fā)生劑1以外之銀鹽化合物、含卣素化合物、二偶氮酮化合物、砜化合物、磺酸化合物等。其它酸發(fā)生劑如下列所示的物質(zhì)。錯鹽化合物銪鹽化合物如,碘錯鹽、锍鹽、餺鹽、二氮錯鹽、吡啶錯鹽等。鏘鹽化合物之具體例如,二苯基碘銪三氟甲烷磺酸鹽、二苯基碘銀九氟-n-丁烷磺酸鹽、二苯基碘銀全氟-n-辛烷磺酸鹽、二苯基碘銀2—二環(huán)[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘銀三氟甲烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘銀九氟-n-丁烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘錯全氟-n-辛烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘鎮(zhèn)2-二環(huán)[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酸鹽、環(huán)己基.2-羰基環(huán)己基.曱基三氟甲烷磺酸鹽、二環(huán)己基.2-羰基環(huán)己基三氟甲烷磺酸鹽、2-羰基環(huán)己基二甲基三氟曱烷磺酸鹽等。含囟素化合物作為含卣素化合物,如含卣烷基烴化合物、含卣烷基雜環(huán)式化合物等。含卣素化合物具體例如苯基雙(三氯甲基)-s-三嗪、4-甲氧基苯基雙(三氯甲基)-s-三嗪、l-萘基雙(三氯甲基)-s-三嗪等(三氯甲基)-s-三嗪衍生物,及l(fā),l-雙(4-氯苯基)-2,2,2-三氯乙烷等。二偶氮酮化合物作為二偶氮酮化合物,如1,3-二酮基-2-二偶氮化合物、二偶氮苯醌化合物、二偶氮萘醌化合物等。二偶氮酮之具體例如,1,2-萘醌二迭氮基—4-磺酰氯化物、1,2-萘醌二迭氮基-5一磺酰氯化物、2,3,4,—四羥基二苯曱酮之1,2一萘醌二迭氮基一4—磺酸酯或1,2-萘醌二迭氮基-5-磺酸酯、l,l,l-三(4-羥基苯基)乙烷的1,2-萘醌二迭氮基-4—磺酸酯或1,2—萘醌二迭氮基-5-磺酸酯等。砜化合物作為砜化合物,如P-酮基砜、P-磺酰砜及這些化合物的oc-二偶氮化合物等。砜化合物之具體例如,4-三苯酰甲砜、錄基苯酰甲砜、雙(苯基磺酰)甲烷等?;撬峄衔镒鳛榛撬峄衔?,如烷基磺酸酯、烷基磺酸酰亞胺、卣烷基磺酸酯、芳基磺酸酯、亞胺基磺酸酯等?;撬峄衔锞唧w例如苯偶因?qū)妆交撬狨ァ⒔罐宸又?三氟甲烷磺酸酯)、硝基芐基-9,10-二乙氧基蒽-2-磺酸酯、三氟曱烷磺酰二環(huán)[2.2.l]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、九氟-n-丁烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、全氟-n-辛烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、2-二環(huán)[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、N—(三氟甲烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(九氟-n-丁烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(全氟-n-辛烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(2-二環(huán)[2.2.l]庚-2-基一1,1,2,2-四氟乙烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、1,8-萘二羧酸酰亞胺三氟甲烷磺酸酯、1,8-萘二羧酸酰亞胺九氟-n-丁烷磺酸酯、1,8-萘二羧酸酰亞胺全氟-n-辛烷磺酸酯等。這些其它酸發(fā)生劑中又以二苯基碘銀三氟曱烷磺酸鹽、二苯基碘錯九氟-n-丁烷磺酸鹽、二苯基碘銪全氟-n-辛烷碌酸鹽、二苯基碘錯2-二環(huán)[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酸鹽、雙(4-t—丁基苯基)磺銪三氟曱烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘銪九氟-n-丁烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘銀全氟-n-辛烷磺酸鹽、雙(4-t-丁基苯基)碘銷、2-二環(huán)[2.2.1]庚-2-基1,1,2,2-四氟乙烷磺酸鹽、環(huán)己基.2-羰基環(huán)己基.甲基三氟甲烷磺酸鹽、二環(huán)己基.2-羰基環(huán)己基三氟曱烷磺酸鹽、2-羰基環(huán)己基二曱基三氟曱烷磺酸鹽、三氟甲烷磺酰二環(huán)[2.2.l]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、九氟-n-丁烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、全氟-n-辛烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、2—二環(huán)[2.2.l]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酰二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羰基二酰亞胺、N-(三氟甲烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(九氟-n-丁烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(全氟-n-辛烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、N-(2-二環(huán)[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷磺酰氧基)琥珀酰酰亞胺、1,8-萘二羧酸酰亞胺三氟曱烷磺酸酯等為佳。上述其它酸發(fā)生劑可單獨或2種以上混合使用。酸發(fā)生劑優(yōu)選為酸發(fā)生劑1,又以并用酸發(fā)生劑1及其它酸發(fā)生劑為佳。并用其它酸發(fā)生劑時,相對于酸發(fā)生劑1及其它酸發(fā)生劑的合計量,其它酸發(fā)生劑的使用比率一般為80重量%以下,優(yōu)選為60重量%以下。本發(fā)明從抗蝕劑用的敏感度及顯影性觀點,酸發(fā)生劑的合計使用量相對于共聚物100重量份優(yōu)選為0.1至20重量份,更優(yōu)選為0.5至10重量份。此時,該合計使用量不足0.1重量份時,會傾向降低敏感度及顯影性,超過20重量份時會傾向降低對輻射線的透明性,而難得到矩形的抗蝕圖案。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物除了上述共聚物及酸發(fā)生劑以外,優(yōu)選含有酸擴散抑制劑。酸擴散抑制劑為可抑制瀑光時由酸發(fā)生劑所產(chǎn)生的酸在抗蝕膜中的擴散現(xiàn)象,并具有抑制非曝光區(qū)域不希望發(fā)生的化學反應作用的成分。添加該酸擴散抑制劑時,可提升所得的感輻射線性樹脂組合物的貯藏安定性,又可更進一步提升抗蝕劑的解像度,及在曝光至曝光后加熱處理期間抑制因安置時間(PED)變動而造成的抗蝕圖案線幅變化,因此可得工藝安定性極優(yōu)良的組合物。酸擴散抑制劑優(yōu)選為含氮有機化合物。該含氮有機化合物,如下列式(9)所示化合物(以下稱為"含氮化合物(I)")、同一分子內(nèi)具有2個氮原子的化合物(以下稱為"含氮化合物(II)")、具有3個以上氮原子的聚氨基化合物及聚合物(以下統(tǒng)稱為"含氮化合物(III)")、含酰胺基之化合物、脲化合物、含氮雜環(huán)化合物等。rz'—n—r"(9)式(9)中,各R"相互獨立為氫原子、取代或非取代的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的芳烷基。含氮化合物(I)優(yōu)選如n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺、環(huán)己基胺等一(環(huán))烷基胺類;二-n-丁基胺、二-n-戊基胺、二-n-己基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二-n-壬基胺、二-n-癸基胺、環(huán)己基甲基胺、二環(huán)己基胺等二(環(huán))烷基胺類;三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、環(huán)己基二甲基胺、曱基二環(huán)己基胺、三環(huán)己基胺等三(環(huán))烷基胺類;2,2',2"-硝基三乙醇等取代烷基胺;苯胺、N-曱基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-曱基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、二苯基胺、三苯基胺、萘基胺、2,4,6-三-tert-丁基-N-曱基苯胺、N-苯基二乙醇胺、2,6-二異丙基苯胺等芳香族胺類。含氮化合物(II)優(yōu)選如亞乙基二胺、N,N,N',N'-四甲基亞乙基二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4'-二胺基二苯基曱烷、4,4'-二胺基二苯胺醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基胺、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2-(3-胺基苯基)-2-(4-胺基苯基)丙烷、2-(4-胺基苯基)-2-(3-羥基苯基)丙烷、2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥基苯基)丙烷、1,4-雙[1-(4-胺基苯基)-l-曱基乙基]苯、1,3-雙[1-(4-胺基苯基)-1-曱基乙基)苯、雙(2-二曱基胺基乙基)醚、雙(2-二乙基胺基乙基)醚、1-(2-羥基乙基)-2-咪喳啉酮、2-喹喔啉醇、N,N,N',N'-四(2-羥基丙基)亞乙基二胺、N,N,N',N",N"-五甲基二亞乙基三胺等。含氮化合物(III)優(yōu)選如聚亞乙基亞胺、聚烯丙基胺、2-二甲基胺基乙基丙烯酰胺之聚合物等。上述含酰胺基化合物優(yōu)選如N-t-丁氧基羰基二-n-辛基胺、N-t-丁氧基羰基二-n-壬基胺、N-t-丁氧基羰基二-n-癸基胺、N-t-丁氧基羰基二環(huán)己基胺、N-t-丁氧基羰基-l-金剛基胺、N-t一丁氧基羰基-2-金剛基胺、N-t-丁氧基羰基-N-曱基-1-金剛基胺、(S)-(-)-1-(t-丁氧基羰基)-2-吡咯烷甲醇、(R)一(+)—1-(t-丁氧基羰基)一2-p比咯烷曱醇、N-t-丁基羰基一4-羥基哌啶、N-t-丁氧基羰基吡咯烷、N-t-丁氧基羰基哌嗪、N,N-二-t-丁氧基羰基-1-金剛基胺、N,N-二-t-丁氧基羰基-N-甲基-1-金剛基胺、N-t-丁氧基羰基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、N,N'-二-t-丁氧基羰基六亞甲基二胺、N,N,N',N'-四-t-丁氧基羰基六亞甲基二胺、N,N'-二-t-丁氧基羰基-1,7-二胺基庚烷、N,N'-二-t-丁氧基羰基-1,8-二胺基辛烷、N,r-二-t-丁氧基羰基-1,9-二胺基壬烷、N,N'-二-t-丁氧基羰基-l,lO-二胺基癸胺、N,N'-二-1-丁氧基羰基-1,12-二胺基十二烷、N,N'-二-t-丁氧基羰基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、N-t-丁氧基羰基苯并咪唑、N-t-丁氧基羰基-2-甲基苯并咪唑、N-t-丁氧基羰基-2-苯基苯并咪唑等含N-t-丁氧基羰基之胺化合物,及曱酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-曱基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、丙酰胺、苯酰胺、吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙?;?l-金剛基胺、三聚異氰酸三(2-羥基乙酯)等。上述脲化合物優(yōu)選如尿素、甲基脲、l,l-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3-四甲基脲、1,3-二苯基脲、三-n-丁基硫脲等。上述含氮雜環(huán)化合物如,咪唑、4-曱基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑、苯并咪唑、2-苯基苯并咪唑、l-節(jié)基-2-甲基咪唑、l-芐基-2-甲基-1H-咪唑等咪唑類;吡啶、2-甲基吡,定、4-甲基吡,定、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、2-曱基-4-苯基吡啶、煙堿、煙酸、煙酸酰胺、喹啉、4-羥基喹啉、8-氧基全啉、吖啶、2,2。6',2"-聯(lián)吡啶等吡咬類;旅,秦、1-(2-羥基乙基)哌溱等哌溱類,及吡溱、吡唑、鈦嗪、喹喔啉、噪呤、吡咯烷、哌啶、哌啶乙醇、3-哌啶基-1,2-丙二醇、嗎啉、4-甲基嗎啉、l-(4-嗎啉基)乙醇、4-乙酰基嗎啉、3-(N-嗎啉基)-1,2-丙二醇、1,4一二曱基哌溱、1,4—二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷等。上述酸擴散抑制劑可單獨或2種以上混合使用。酸擴散抑制劑相對于共聚物100重量份的添加量一般為0.001至15重量份,優(yōu)選為0.001至10重量份,更優(yōu)選為0.001至5重量份。此時,酸擴散抑劑的添加量超過15重量份時,會傾向降低作為抗蝕劑用的敏感度。還有,酸擴散抑制劑之添加量不足0.001重量份時,恐因工藝條件而降低作為抗蝕劑用的圖案形狀及尺寸忠實度。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物優(yōu)選為上述共聚物、酸發(fā)生劑、酸擴散抑制劑等溶解于溶劑之中。溶劑優(yōu)選為從丙二醇單甲基醚乙酸酯、2-庚酮及環(huán)己酮中所選出至少l種(以下稱為"溶劑1")。作為溶劑,可使用溶劑1以外的溶劑(稱為"其它溶劑")。另外,溶劑1及其它溶劑可混合使用。作為其它溶劑,如丙二醇單乙基醚乙酸酯。丙二醇單n-丙基醚乙酸酯、丙二醇單i-丙基醚乙酸酯、丙二醇單n-丁基醚乙酸酯、丙二醇單i-丁基醚乙酸酯、丙二醇單sec-丁基醚乙酸酯、丙二醇單t-丁基醚乙酸酯等丙二醇-烷基醚乙酸酯類;2-丁酮、2-戊酮、3-曱基-2-丁酮、2-己酮、4-甲基-2-戊酮、3-甲基-2-戊酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-辛酮等直鏈狀或支鏈狀酮類;環(huán)己酮、3-甲基環(huán)戊酮、2-曱基環(huán)己酮、2,6-二甲基環(huán)己酮、異佛爾酮等環(huán)狀酮類;2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基丙酸n-丙酯、2-羥基丙酸i-丙酯、2-羥基丙酸n-丁酯、2-羥基丙酸i-丁酯、2-羥基丙酸sec-丁酯、2-羥基丙酸t(yī)-丁酯等2-羥基丙酸烷酯類;3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等3-烷氧基丙酸烷酯類,及n-丙醇、i-丙醇、n-丁醇、t-丁醇、環(huán)己醇、乙二醇-曱基醚、乙二醇-乙基醚、乙二醇一-n-丙基醚、乙二醇一-n-丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二-n-丙基醚、二乙二醇二-n-丁基醚、乙二醇-甲基醚乙酸酯、乙二醇-乙基醚乙酸酯、乙二醇一-n-丙基醚乙酸酯、丙二醇-甲基醚、丙二醇-乙基醚、丙二醇一-n-丙基醚、甲苯、二甲苯、2-羥基-2-曱基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-曱基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、乙酸乙酯、乙酸n-丙酯、乙酸n-丁酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙酮酸曱酯、丙酮酸乙酯、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二曱基曱酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、千基乙基醚、二-n-己基醚、二乙二醇-甲基醚、二乙二醇-乙基醚、己酸、癸酸、l-辛醇、l-壬醇、節(jié)醇、乙酸節(jié)酯、安息香酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、y-丁內(nèi)酯、碳酸乙烯、碳酸丙烯等。這些其它溶劑中又以直鏈狀或支鏈狀酮類、環(huán)狀酮類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、2-羥基丙酸烷酯類、3-烷氧基丙酸烷酯類、y-丁內(nèi)酯等為佳。上述其它溶劑可單獨或2種以上混合使用。所使用的溶劑為溶劑1及其它溶劑的混合溶劑時,其它溶劑相對于全部溶劑的比率一般為50重量%以下,優(yōu)選為30重量%以下,更優(yōu)選為25重量%以下。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物中溶劑的使用量一般為使組合物中的全固體成分濃度為2至70重量%,優(yōu)選為4至25重量%,更優(yōu)選為4至10重量°/。的量。必要時本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物可添加表面活性劑、增敏劑、脂肪族添加劑等各種添加劑。作為上述表面活性劑,為具有改良涂布性、條紋、顯影性等作用的成分。這些表面活性劑,如聚環(huán)氧乙烷月桂醚、聚環(huán)氧乙烷硬脂醚、聚環(huán)氧乙烷油醚、聚環(huán)氧乙烷n-辛基苯醚、聚環(huán)氧乙烷n-壬基苯醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等非離子系表面活性劑,及以下商品名KP341(信越化學工業(yè)(林)制)、聚流No.75、No.95(共榮社化學(林)制)、艾佛特EF301、EF303、EF352(特肯姆(抹)制)、美凱發(fā)F171、F173(大日本油墨化學工業(yè)(抹)制)、佛羅拉FC430、FC431(住友3M(林)制)、艾薩凱AG710、薩佛隆S-382、SC-lOl、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105、SC-106(旭硝子(林)制)等。這些表面活性劑可單獨或2種以上混合使用。表面活性劑可單獨或2種以上混合使用。表面活性劑相對于共聚物100重量份的添加量一般為2重量份以下。上述增敏劑具有吸收輻射線能量后將該能量傳給酸發(fā)生劑,由此增加酸生成量的作用,因此具有進一步提高感輻射線性樹脂組合物的敏感度的效果。該增敏劑,如咔唑類、乙酰苯類、二苯甲酮類、萘類、苯酚類、雙乙酰、伊紅、玫瑰紅、芘類、蒽類、吩噻溱類等。該增敏劑可單獨或2種以上混合使用。添加染料或顏料時可使膝光部的潛像可視化,緩和曝光時光暈的影響力,添加粘接助劑時可改善對基板的粘接性。該增敏劑可單獨或2種以上混合使用。增敏劑相對于共聚物100重量份的添加量一般為50重量份以下。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物可添加具有酸解離性基的脂環(huán)族添加劑,及不具有酸解離性基的脂環(huán)族添加劑,具有酸解離性基的脂環(huán)族添加劑及不具有酸解離性基的脂環(huán)族添加劑為具有改善干蝕刻耐性、圖案形狀、對基板的粘接性等作用的成分。作為該脂環(huán)族添加劑,如l-金剛烷羧酸、2-金剛酮、1-金剛烷羧酸t(yī)-丁酯、1-金剛烷羧酸t(yī)-丁氧基羰基曱酯、l-金剛烷羧酸a-丁內(nèi)酯、1,3-金剛烷二羧酸二-t-丁酯、l-金剛烷乙酸t(yī)-丁酯、1-金剛烷乙酸t(yī)-丁氧基羰基甲酯、1,3-金剛烷二乙酸二-t-丁酯、2,5-二曱基-2,5-二(金剛基羰氧基)己烷等金剛烷衍生物類;脫氧膽酸t(yī)-丁酯、脫氧膽酸t(yī)-丁氧基羰基甲酯、脫氧膽酸2-乙氧基乙酯、脫氧膽酸2-環(huán)己氧基乙酯、脫氧膽酸3-羰基環(huán)己酯、脫氧膽酸四氫吡喃酯、脫氧膽酸曱羥戊酸內(nèi)酯等脫氧膽酸酯類;石膽酸t(yī)-丁酯、石膽酸t(yī)-丁氧基羰基甲酯、石膽酸2-乙氧基乙酯、石膽酸2-環(huán)己氧基乙酯、石膽酸3-羰基環(huán)己酯、石膽酸四氫吡喃酯、石膽酸甲羥戊酸內(nèi)酯等石膽酯類;己二酸二甲酯、己二酸二乙酯、己二酸二丙酯、己二酸二n-丁酯、己二酸二t-丁酯等烷基羧酸酯類,及3-[2-羥基-2,2-雙(三氟曱基)乙基]四環(huán)[4.4.0.I2'5.l7,1。]十二烷等。該脂環(huán)族添加劑可單獨或2種以上混合使用。脂環(huán)族添加劑相對于共聚物100重量份的添加量一般為50重量份以下,優(yōu)選為30重量份以下。此時,脂環(huán)族添加劑的添加量超過50重量份時,會傾向降低抗蝕劑用的耐熱性。作為上述以外的添加劑,如堿可溶性樹脂、具有酸解離性保護基的低分子堿溶解性抑制劑、防光暈劑、保存穩(wěn)定化劑、消泡劑等。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物特別適用作為使用具有高折射率的液浸曝光用液體的液浸曝光法的化學加強型抗蝕劑。由本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物形成抗蝕圖案時,可利用回轉涂布、流延涂布、輥涂布等適當涂布法,將組合物溶液涂布于例如硅電路板、被鋁被覆之電路板等基板上,形成抗蝕膜后依情形進行預加熱處理(以下稱為"PB"),再介由有機液浸介質(zhì)將抗蝕膜膝光以形成所需的抗蝕圖案。此時所使用的輻射線可從例如KrF等離子雷射(波長248nm)、ArF等離子雷射(波長193nm)、F2等離子雷射(波長157nm)、EUV(極紫外線、波長13nm)等遠紫外線、同步加速器輻射線等X線、電子線等適當選用。又可根據(jù)曝光量等曝光條件、感輻射線性樹脂組合物的配合組成及添加劑種類等適當選用。本發(fā)明又以曝光后進行加熱處理(以下稱為"PEB")為佳,該PEB可使共聚物圓滿進行酸解離性基解離(使保護堿可溶部位的保護基脫離)。PEB的加熱條件可依感輻射線性樹脂組合物的配合組成而異,但一般為30至200'C,優(yōu)選為50至170X:。本發(fā)明為了引導出感輻射線性樹脂組合物的最大潛在能力,例如特公平6-12452號公報等所揭示,可在所使用的基板形成有機系或無機系防反射膜,還有,為了防止受環(huán)境氣體中所含的堿性雜質(zhì)等影響,例如特開平5-188598號公報等所揭示,可在抗蝕膜上設置保護膜,或并用這些技術。其次,將詠光后的抗蝕膜顯影,可形成所需抗蝕圖案。顯影用的顯影液優(yōu)選例如溶解氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨水、乙基胺、n-丙基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、乙基二曱基胺、三乙醇胺、四甲基銨羥化物、吡咯、膽堿、1,8-二氮雜二環(huán)-[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮雜二環(huán)-[4.3.0]-5-壬烯等堿性化合物中至少1種的堿性水溶液。該堿性水溶液的濃度一般為10重量%以下。此時,堿性水溶液的濃度超過10重量%時,非啄光部也會溶解于顯影液中。上述堿性水溶液所形成的顯影液例如可添加有機溶劑。作為該有機溶劑,如丙酮、曱基乙基酮、甲基i-丁基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、3-甲基環(huán)戊酮、2,6-二甲基環(huán)己酮等酮類;甲醇、乙醇、n-丙醇、i-丙醇、n-丁醇、t-丁醇、環(huán)戊醇、環(huán)己醇、1,4-己二醇、1,4-己烷二羥甲酯等醇類;四氫呋喃、二喁烷等醚類;乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸i-戊酯等酯類;甲苯、二曱苯等芳香族烴類、及苯酚、丙酮基丙酮、二甲基甲酰胺等。這些有機溶劑可單獨或2種以上混合使用。有機溶劑相對于堿性水溶液IOO體積份之的使用量優(yōu)選為100體積份以下。此時,有機溶劑的使用量超過IOO體積份時會降低顯影性,恐增加曝光部的顯影殘留量。堿性水溶液所構成的顯影液中可添加適量的表面活性劑等。以堿性水溶液所構成的顯影液顯影后,一般以水洗滌再干燥。本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物適用于使用具有高折射率的液浸介質(zhì)的液浸曝光用,特別是液浸曝光用液體為脂環(huán)式烴化合物及/或鏈狀飽和烴化合物時,該化合物在波長193nm的折射率優(yōu)選為超過1.44但不足1.85。有關液浸曝光用液體用的脂環(huán)式烴化合物將通過以下式(10-1)及式(IO-2)說明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>式(IO-1)中,1122為碳數(shù)1至10的脂肪族烴基、碳數(shù)3至14的脂環(huán)式烴基、氰基、羥基、氟原子、碳數(shù)1至10的氟取代烴基、-Si(R3e)3基或-S03R"基,nl及n2各自獨立為1至3的整數(shù),a為0至10的整數(shù),R"多個存在時該R"可相同或相異,且2個以上R"可相互鍵合形成環(huán)結構,R"及R"為碳數(shù)1至10的烷基。作為R"的碳數(shù)1至10的脂肪族烴基,如甲基、乙基、n-丙基等。2個以上R"相互鍵合形成的環(huán)結構,如環(huán)戊基、環(huán)己基等。作為碳數(shù)3至14的脂環(huán)式烴基,如環(huán)己基、降莰基等。作為碳數(shù)1至10的氟取代烴基,如三氟曱基、五氟乙基等。構成-Si(R,3基的R"及構成-S03R"基的R"為碳數(shù)1至10的烷基,作為該烷基,如甲基、乙基等。從193nm的輻射線透光率優(yōu)良的觀點,式(IO-l)的R"的取代基優(yōu)選為碳數(shù)1至10的脂肪族飽和烴基、碳數(shù)3至14的脂環(huán)式飽和烴基、氰基、氟原子、碳數(shù)1至10的氟取代飽和烴基。上述取代基中又以碳數(shù)1至10的脂肪族飽和烴基、碳數(shù)3至14的脂環(huán)族飽和烴基可得到更高折射率且對抗蝕劑的相互作用較少,又不易因抗蝕劑中水溶性成分溶出而造成缺陷及浸蝕抗蝕材料而特優(yōu)選。nl及n2優(yōu)選為l至3,nl及n2特優(yōu)選為1或2,a優(yōu)選為0、1或2。特別是a為0時,例如可提高193nm的折射率而優(yōu)選。式(10-1)所示的脂環(huán)族飽和烴化合物的具體例優(yōu)選如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>[化14](10-1-18)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-21)(10-1-22)(10-1-23)(10+24)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(to-1-25)(10-1-26)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1—28)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-29)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-30)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10+31)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-32)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-33)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-34)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10+35)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-36)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-37)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(10-1-38)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>其中,為了提高不具取代基的化合物例如193nm的折射率,優(yōu)選為cis-萘烷、trans-萘烷。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>式(10-2)中,(a)、(b)、(c)中B為亞甲基或亞乙基,R"為碳數(shù)1至10的脂肪族烴基、碳數(shù)3至14之脂環(huán)式烴基、氰基、羥基、氟原子、碳數(shù)1至10的氟取代烴基、-Si(R")3基或-S03R"基,當R26多個存在時該R"可相同或相異,且2個以上R"可相互鍵合形成環(huán)結構,e為0至10的整數(shù),n7為1至3的整數(shù),R"及R31為碳數(shù)1至10的烷基。1126與式(10-l)的R"相同。從193nm的輻射線透光率優(yōu)良的觀點,式(IO-2)的R"的取代基優(yōu)選為碳數(shù)1至10的脂肪族飽和烴基、碳數(shù)3至14的脂環(huán)式飽和烴基、氰基、氟原子、碳數(shù)l至IO的氟取代飽和烴基。與(10-l)的R"的理由相同,上述取代基中又以碳數(shù)1至10的脂肪族飽和烴基、碳數(shù)3至14的脂環(huán)式飽和烴基為佳。e優(yōu)選為0、1或2,n7優(yōu)選為1至3,特優(yōu)選為1或2,特別是e為0時例如可提高193nm的折射率而優(yōu)選?;衔?10-2)的優(yōu)選例如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>作為優(yōu)選的具體例,例如exo-三環(huán)[3,2,1,02'6]癸烷。作為所使用的液浸曝光用液體為鏈狀飽和烴化合物時,又以分子內(nèi)不含有環(huán)狀結構之飽和烴化合物為佳。作為鏈狀飽和烴化合物,如直鏈飽和烴化合物及支鏈飽和烴化合物。作為直鏈飽和烴化合物,如戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、二十烷、二十一烷、二十二烷、二十三烷、二十四烷、二十五烷、二十六烷、二十七烷、二十八烷、二十九烷、三十烷、四十烷等化合物。作為支鏈飽和烴化合物的具體例,如三十碳烷、十八碳烷。該鏈狀飽和烴化合物中又以碳數(shù)10至40的化合物為佳,特優(yōu)選為折射率高,膝光裝置啟動溫度領域下易為低粘度液體的碳數(shù)14至40的化合物。該鏈狀飽和烴化合物中,特別是具有直鏈結構的化合物對氧及膝光條件下所產(chǎn)生的臭氧等而造成的氧化反應具有高耐性而為佳。實施例實施例及比較例中各項測定、評價是按以下方法進行。(1)Mw及Mn使用東索(抹)制GPC柱(G2000HXL2根,G3000HXL1根,G4000HXLl根),以流量1.0毫升/分、溶出溶劑四氫呋喃、柱溫度40。C的分析條件,利用標準為單分散聚苯乙烯的凝膠滲透色譜法(GPC)測定,再由測定結果算出Mw/Mn。(2)以單體為主成分的低分子量成分量4吏用吉耶賽制IntersilODS-25jim柱(4.6mmcj)x250nrn),以流量l.Q毫升/分,溶出溶劑丙烯腈/O.1%磷酸水溶液的分析條件,利用高效液相色鐠法(HPLC)測定。該低分子量成分是指分子量不足1000的物質(zhì),優(yōu)選為三聚物之分子量以內(nèi)。(3)"C-NMR分析各聚合物的13C-NMR分析是使用日本電子(林)制"JUM-EX270"及CDCL測定溶劑進行分析。合成例1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>將上述化合物(m-l)53.93g(50摩爾%)、上述化合物(m-2)10.69g(10摩爾%)、上述化合物(m-3)35.38g(40摩爾%)溶解于2-丁酮200g中,再投入二曱基2,2'-偶氮雙(2-曱基丙酸酯)5.58g,得單體溶液。對投入了100g的2-丁酮的1000ml三口燒瓶進行30分鐘氮純化。氮純化后,攪拌反應釜的同時加熱至80'C,再使用滴液漏斗花費3小時滴入之前所得的單體溶液。以開始滴液為聚合開始時間,持續(xù)進行6小時聚合反應。聚合結束后將聚合溶液水冷至3(TC以下,再投入曱醇2000g中,其后濾取析出之白色粉末。以400g曱醇以漿液洗滌濾取的白色粉末2次后過濾,再以50'C干燥17小時,得白色粉末狀聚合物(74g,收率74%)。該聚合物的Mw為6900,13C-NMR分析結果為如下列重復單元所示,各重復單元的含有率為53.0:9.8:37.2(摩爾%)的共聚物。以該聚合物為丙烯酸系單體(A-1)。聚合物(A-l)共聚比a/b/c=53.0/9.8/37.2,Mw/Mn=1.70,Mw-6900,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.03。與上述合成同樣合成下列聚合物(A-2至A-6)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>聚合物(A-4)共聚比a/b/c=53.6/9.8/36.6,Mw/Mn=1.69,Mw=8100,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.04。(A-5)聚合物(A-5)共聚比:a/b/c=53.6/9.8/36.6,Mw/Mn-1.62,Mw=6100,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.03。,h3,h3~fch廣c、A4ch廣c、A~6ch廣(A-6)聚合物(A-6)共聚比a/b/c=50.0/36.9/13.1,Mw/Mn-1.78,Mw=8200,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.03。合成例2將上述化合物On-1)55.44g(50摩爾%)、上述化合物(m-2)10.99g(10摩爾%)、上述化合物(m-4)33.57g(40摩爾%)溶解于2-丁酮200g中,再投入二曱基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙腈)4.10g,得單體溶液。對投入2-丁酮100g的1000ml三口燒瓶進行30分鐘氮純化。氮純化后,攪拌反應釜的同時加熱至8(TC,再使用滴液漏斗花費3小時滴入之前所得的單體溶液。以開始滴液為聚合開始時間,持續(xù)6時聚合反應。聚合結束后將聚合溶液水冷至30。C以下,再投入甲醇2000g中,其后濾取析出的白色粉末。以400g的甲醇水漿液洗滌濾取的白色粉末2次后過濾,再以50'C干燥17小時,得白色粉末狀聚合物(72g,收率72%)。該聚合物的Mw為6800,13C-NMR分析結果為如下列重復單元所示,各重復單元的含有率為51.0:10.8:38.2(摩爾°/。)的共聚物。以該聚合物為丙烯酸系聚合物(B-1)。[化27]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>聚合物(B-1)共聚比a/b/c=51.0/10.8/38.2,Mw/Mn=l.58Mw=6300,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.03。與上述合成同樣合成下列聚合物(B_2至B-6)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>聚合物(B-2)共聚比a/b/c=50.0/36.0/14.0,Mw/Mn=l.63Mw=5800,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.04。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>聚合物(B-3)共聚比a/b/c=50.3/10.4/39.3,Mw/Mn-1.70Mw-7100,低分子量成分的殘存量(重量%)-0.03。,CH3,CH3,CH3/Oc=o/o\c=o\c=o/o(B-4)HSCO聚合物(B-4)共聚比a/b/c=40.0/46.7/13.3,Mw/Mn=l.70Mw=5900,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.03。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>聚合物(B-5)共聚比a/b/c=29.1/23.7/47.2,Mw/Mn-1.78Mw=5700,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.05。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>聚合物(B-6)共聚比a/b/c-31.4/28.5/40.1,Mw/Mn=1.93,Mw=6900,低分子量成分的殘存量(重量%)-0.08。合成例3與合成例1同樣合成比較例用的聚合物(C-l及C-2)[化33]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>聚合物(C-l)共聚比:a/b/c-ll,4/38.5/50.1,Mw/Mn-1.93Mw=6900,低分子量成分之殘存量(重量%)=0.12。[化34]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>聚合物(C-2)共聚比a/b/c=13.5/42.5/44.0,Mw/Mn-1.90Mw=8700,低分子量成分的殘存量(重量%)=0.13。實施例1至實施例16、比較例1至比較例3使用上述合成例所得的聚合物(A-1)至聚合物(A-6)、聚合物(B-l)至聚合物(B-6)、聚合物(C-l)及聚合物(C-2),依表l所示比率配合該各聚合物、下列所示的酸發(fā)生劑及其它成分后,得各感輻射線性樹脂組合物溶液。以表1所示的液浸膝光用液體對所得感輻射線性樹脂組合物進行各項評價。膜形成條件及其評價結果如表2所示。其中,"份"未特別注明時為重量基準。所使用的液浸膝光用液體在波長193nm的折射率分別為trans-萘烷為1.63,exo-三環(huán)[3,2,l,0"]癸烷為1.65,n-十六烷為1.57。所使用的折射率測定裝置為MOLLER-WEDEL公司制測角計分光儀1型UV-VIS-IR,測定方法是以最小偏角法于測定溫度25。C下測定。酸發(fā)生劑(D)(D-l):1-(4-n-丁氧基萘基)四氫噻吩錯九氟-n-丁烷磺酸鹽(D-2):三苯基锍.九氟-n-丁烷磺酸鹽(D-3):三苯基锍.2-(二環(huán)[2.2.1]庚-2-基)-1,1,2,2-四氟乙烷磺酸鹽(D-4):三苯基锍.2-(二環(huán)[2.2.1]庚烷-2-基)-1,1-二氟乙烷磺酸鹽酸擴散抑制劑(E)(E-l):(R)-(+)-1-(t-丁氧基羰基)-2-吡咯烷曱醇溶劑(F)(F-l):丙二醇單甲基醚乙酸酯(F-2):y-丁內(nèi)酯評價方法(1)圖案形成A:使用CLEANTRACKMark8(東京電子(林)制)將底層防反射膜ARC29A(普魯瓦公司制)旋涂于8英寸硅電路板上,烘烤U0S'C、60秒)后形成膜厚40nm的涂膜,接著使用CLEANTRACKMark8(東京電子(膜)制)旋涂表中所示的抗蝕組合物,烘烤(條件如表2所記載)后形成膜厚60nm或80nm的涂膜。使用Canon制ArF等離子雷射雙光束干擾曝光機,介由32nm線與空間圖案(lLlS)用棱鏡,于利用吸管將表l所記栽的折射率液體注入透鏡與抗蝕劑間的條件下進行啄光。其后依表2所示條件進行PEB,再以2.38重量%之四曱基銨羥化物水溶液于23。C下顯影60秒,水洗后千燥形成正型抗蝕圖案。此時是以1對1的線幅形成線幅32nm的線與空間圖案(1L1S)的曝光量為最佳曝光量,再以該最佳曝光量為敏感度。該測定是使用掃描型電子顯微鏡((林)日立高科技公司制S-9380)測定。還有,使用(林)日立高科技公司制S-4800觀察32nm線與空間圖案的剖面形狀,結果所形成的32nm線與空間圖案如表2所示。成功形成32nm線與空間圖案時表記為"〇,,,未形成時表記為"x,,。未評價時表記為"-"。(2)圖案形成B:與圖案形成A同樣的方法準備試驗樣品后,使用比較例3的樣品確認以水取代介于透鏡與抗蝕劑間的物質(zhì)時有無形成圖案,結果如表2所示。(3)測定溶出量預先于經(jīng)CLEANTRACKACT8(東京電子(抹)制)HMDS處理(100匸、60秒)過的8英寸硅電路板上,中心部30cm四方形的中心部鑿出直徑11.3cm的圓形狀,再搭載厚l.Omm的庫雷哈(抹)公司制硅橡膠片。其后使用10ml吸管使硅橡膠中央的鑿穿部裝滿超純水10ml。使用CLEANTRACKACT8(東京電子(林)制)將底層防反射膜ARC29A(普魯瓦公司制)旋涂于8英寸硅電路板上,烘烤(205'C,60秒)形成膜厚77nm后,使用CLEANTRACKACT8(東京電子(林)制)旋涂表3所示的抗蝕組合物,為了測定相對的溶出水準,再旋涂trans-萘烷或超純水,另準備僅旋涂抗蝕組合物的對照物。其后烘烤(115'C,60秒)形成膜厚205認的抗蝕膜。接著于所得電路板上以抗蝕膜面接觸上述超純水方式裝載上述電路板。此時是以超純水不漏出硅橡膠方式裝載。保持該狀態(tài)下以秒表計測io秒,時間過后除去硅電路板。結束實驗后以玻璃注射器回收超純水,再以該回收物作為分析用樣品。實驗結束后的超純水的回收率為95%以上。LC-MS(LC部AGILENT公司制SERIES1100MS部:PerseptiveBiosystems,Inc.公司制Mariner)所使用的柱為資生堂(株)制的柱(商品名"CAPCELLPAKMG",1根),于流量0.2ml/分,流出溶劑為3/7的水/曱醇中添加0.1重量%的曱酸、測定溫度為35。C的測定條件下,測定上述實驗所得超純水中光酸發(fā)生劑的陰離子部的峰強度。以該測定條件測定三苯基锍.九氟-n-丁烷磺酸酯之lppb、10ppb、100ppb水溶液的峰強度制作標準曲線,再使用該標準曲線由前述峰強度算出溶出量。同樣以該測定條件測定酸擴散抑制劑的lppb、10ppb、100ppb水溶液的峰強度制作標準曲線,再使用該標準曲線由前述峰強度算出酸擴散抑制劑的溶出量。溶出量的測定結果如表3所示。以抗蝕組合物涂布后不再涂布他物的溶出量為對照組,結果溶出量為相同指數(shù)函數(shù)數(shù)字的溶出量時判斷為"無溶出,,,相對地比對對照組為較低的指數(shù)函數(shù)數(shù)字時判斷為"有溶出"。<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>產(chǎn)業(yè)上的利用可能性將本發(fā)明的感輻射線性樹脂組合物適用于使用高折射率液體的液浸曝光微影蝕刻法時,可使所得圖案的形狀良好,且具有優(yōu)良解像度及焦點深度充裕性,而且對該液體的溶出量較少,因此極適合使用于制造今后逐步微細化的集成電路元件上。權利要求1.感輻射線性樹脂組合物,該組合物為在透鏡與光抗蝕膜之間介由波長193nm的折射率超過1.44但不足1.85的液浸瀑光用液體照射輻射線的液浸曝光微影蝕刻方法中所使用的、形成抗蝕膜的感輻射線性樹脂組合物,其特征為,該感輻射線性樹脂組合物含有含具有內(nèi)酯結構的重復單元的堿不溶性或堿難溶性但在酸作用下可成為堿易溶性的樹脂,及感輻射線性酸發(fā)生劑。2.如權利要求1所述的感輻射線性樹脂組合物,其中,所述的樹脂為具有內(nèi)酯結構的重復單元的同時還含有下式(1)所示的重復單元的共聚物;[化i]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>(1)式(1)中,R'為氫、甲基或三氟曱基;W相互獨立為碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式烴基或其衍生物、或碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基,且W中至少1個為該脂環(huán)式烴基或其衍生物,或任何2個W可相互鍵合形成碳數(shù)4至20的2價脂環(huán)式烴基或其衍生物,其余的R'為碳數(shù)1至4的直鏈狀或支鏈狀烷基、或碳數(shù)4至20的1價脂環(huán)式烴基或其衍生物。3.如權利要求2所述的感輻射線性樹脂組合物,其中,所述共聚物為該共聚物中所含的以單體為主成分的低分子量成分以固體成分換算時相對于該共聚物全體為0.l重量o/。以下。4.如權利要求2所述的感輻射錢性樹脂組合物,其中,具有所述內(nèi)酯結構的重復單元相對于共聚物全體的含量為5至85重量%。5.如權利要求2所述的感輻射線性樹脂組合物,其中,所述式(l)所示的重復單元具有脂環(huán)式烴結構。6.如權利要求1所述的感輻射線性樹脂組合物,其中,所述液浸膝光用液體為從脂環(huán)式烴化合物及鏈狀飽和烴化合物中所選出的至少1種的化合物。7.如權利要求1所述的感輻射線性樹脂組合物,其中,所述感輻射線性酸發(fā)生劑如下式(8)所示;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(8)中,r為氫原子、氟原子、羥基、碳原子數(shù)i至io的直鏈狀或支鏈狀烷基、碳原子數(shù)i至iq的直鏈狀或支鏈狀烷氧基、碳原子數(shù)2至11的直鏈狀或支鏈狀烷氧基羰基;R"為碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基、烷氧基或碳原子數(shù)1至10的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀鏈烷磺酰基;IT獨立為碳原子數(shù)1至10的直鏈狀或支鏈狀烷基、可被取代的苯基或可被取代的萘基,或2個R"可相互鍵合形成碳原子數(shù)2至10的2價基團,該2價基團可被取代;k'為0至2的整數(shù);X—為式R2°CnF2nS03—(式中,R2"為氟原子或可被取代的碳原子數(shù)l至12的烴基,n為1至10的整數(shù))所示的陰離子;q'為0至10的整數(shù)。全文摘要本發(fā)明是提供感輻射線性樹脂組合物,其能使液浸曝光方法所得的圖案形狀良好,且具有優(yōu)良解像度及焦點深度充裕性,且對液浸曝光時所接觸的折射率液體(浸漬液)的溶出物量較少,可形成在透鏡及抗蝕膜之間介由波長193nm的折射率超過1.44但不足1.85的液浸曝光用液體照射輻射線的液浸曝光微影蝕刻法中所使用的抗蝕膜。該感輻射線性樹脂組合物含有;含具有內(nèi)酯結構的重復單元的堿不溶性或堿難溶性但在酸作用下可成為堿易溶性的樹脂,及感輻射線性酸發(fā)生劑。文檔編號G03F7/039GK101313247SQ20068004332公開日2008年11月26日申請日期2006年11月20日優(yōu)先權日2005年11月21日發(fā)明者中村敦,勇王,辻隆幸申請人:Jsr株式會社
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