專利名稱：一種低彎曲損耗的超細低水峰光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光纖，特別是低彎曲損耗的超細的低水峰光纖，其在1285～1625nm整個波段內(nèi)適用于波分復(fù)用(WDM)傳輸。
背景技術(shù)：
1.1光纖發(fā)展現(xiàn)狀光纖作為一種通訊材料，由于其容量大、成本低、穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于通訊網(wǎng)絡(luò)以及民事和國防等領(lǐng)域中。
光纖一般由石英玻璃芯、石英玻璃保層和內(nèi)外雙層紫外光固化丙烯酸樹脂涂層組成，石英層用于傳輸信號，而樹脂層則起到保護的作用。光纖在傳輸過程中會遇到許多與傳播特性相關(guān)的問題，其中最重要的就是光纖損耗。光纖損耗主要包括固有損耗、非固有損耗、彎曲損耗和連接損耗等。其中固有損耗和非固有損耗分別是由光纖材料本身和光纖材料的純度決定的，而連接損耗則與連接工藝有關(guān)。隨著光纖材料的改進和連接工藝的不斷完善，目前這三種損耗已經(jīng)很小，可進一步降低的空間極為有限。而光纖的材料損耗則非常嚴重，在1550nm窗口，材料損耗占據(jù)傳輸總損耗的一半以上，因此只有減小這種損耗才能從根本上改善光纖的傳輸質(zhì)量。
目前，世界上多數(shù)國家的骨干網(wǎng)建設(shè)已近尾聲，因此光纖網(wǎng)建設(shè)的重點也逐漸向城域網(wǎng)、用戶接入網(wǎng)等支線網(wǎng)絡(luò)過渡，特別是隨著3G手機等新型通訊產(chǎn)品的實施和發(fā)展，人們對光纖到戶(FTTH)的需求越來越大，世界上多數(shù)發(fā)達和部分發(fā)展中國家已經(jīng)開始大力建設(shè)FTTH網(wǎng)絡(luò)。這些網(wǎng)絡(luò)的顯著特點是，鏈路不長，但線路走向復(fù)雜，線纜經(jīng)常被迫彎曲和纏繞，因此對光纖的抗彎損性能要求嚴格。
此外，光纖材料在軍事和國防上的應(yīng)用也更加深入和廣泛，特別是在制導(dǎo)技術(shù)上，正逐漸采用光纖制導(dǎo)取代原先的機械制導(dǎo)。光纖的彎曲性能對制導(dǎo)光纖具有非常特別的意義，因為在導(dǎo)彈發(fā)射時，光纖離開繞包受到非常急劇的彎曲，脫離點的彎曲半徑只有幾毫米，這就要求該光纖有非常優(yōu)異的抗彎損性能，以確保信號的傳輸。隨著射程的增加，要求繞包能容納更多、更長的光纖，而增加繞包的尺寸會帶來更多的其他問題，因此只能考慮進一步減小光纖本身的尺寸。為適應(yīng)實戰(zhàn)的需要，一種小直徑的且彎曲損耗低的光纖就顯得非常迫切。事實上，抗彎損光纖一直就是光纖材料開發(fā)和研究的重要內(nèi)容之一。早在上個世紀80年代，美國AT&T和日本的NTT公司就分別推出了壓低包層和凸型折射率光纖，該光纖在1.3μm波長下工作的截至波長可做到1.35μm。通過幾十年的努力，當(dāng)今已有不少公司都相繼推出了抗彎損光纖，且其抗彎性能也得到了很大的改善。例如，藤倉公司的FutureGuide-SR15和FutureGuide-SR15E抗彎損光纖，其分別對應(yīng)于ITU-T G.652.B光纖和ITU-T G.652.D光纖，這些光纖的最小允許彎曲半徑達到15mm，相對于普通單模光纖的30mm的彎曲半徑，縮小了一半。住友電工推出的PureAccess-Ultra光纖的最小允許彎曲半徑從常規(guī)的30mm減小到7.5mm。康寧公司的抗彎損光纖，當(dāng)彎曲半徑為32mm時，其在1550nm下的損耗不超過1dB，對應(yīng)的截至波長在870nm～970nm之間。烽火的抗彎光纖(Bend Insensitive Fiber)在10mm30圈的彎曲情況下，其在1550nm下的損耗不大于0.5dB，且相應(yīng)的截至波長在1290nm以下。這些光纖在幾何尺寸上與常規(guī)的光纖相同，裸光纖直徑都是約125μm，涂覆樹脂后直徑約245μm，可以和常規(guī)光纖很好的相容，但他們卻無法滿足光纖陀螺用等制導(dǎo)光纖對光纖小尺寸的要求。
1.2光纖彎曲特性光纖的彎曲分為宏觀彎曲和微觀彎曲兩類。宏觀彎曲是指光纖軸心彎成環(huán)形，其直徑遠大于光纖本身的直徑，約幾個毫米。光功率就在環(huán)形彎曲處從光纖內(nèi)部向外輻射，以致光纖信號發(fā)生損耗。微觀彎曲是指光纖軸心發(fā)生偏移，其彎曲直徑小于光纖本身的直徑，他們沿著光纖的長軸隨機分布，各偏轉(zhuǎn)的間隔約幾個微米，光功率就沿光纖長度間斷地從光纖內(nèi)部向外輻射，引起微彎損耗。此外，光纖彎曲還會引起模場、傳播常數(shù)、模斑、有效截至模角、數(shù)值孔徑、色散、零色散波長、偏震等一系列傳輸參數(shù)的變化。
光纖彎曲損耗的通式可用式(1)表示。
2αb=4|I1|2π3/2r1/2R3/2I2|Hμ2(ξ)|2]]>式中I1和I2是兩個積分，Hμ2(ξ)為Hankel函數(shù)。由該式可見，彎曲損耗在很大程度上取決于彎曲半徑R。
宏彎損耗，即在恒定曲率半徑中的損耗，是彎曲光纖最低階模的本征損耗，可用式(2)表示。
αpm＝AcR-1/2exp(-μR)(2)式中，Ac=12(πav3)1/2[μvk1(v)]]]>μ=4Δnv33av2n3]]>而微彎損耗則可用式(3)表示αmm=K4(kn1ω0)2(kn1ω0)2p---(3)]]>式中，K為常數(shù)，k為自由空間波數(shù)，P為彎曲功率光譜因子。由式(3)可見，微彎損耗基本取決于模場直徑，與折射率的分布無關(guān)。
除以上兩種最為重要的損耗外，光纖彎曲時還會產(chǎn)生一定的過渡損耗，也即由直光纖到彎曲的光纖之間存在一個過渡區(qū)，少量信號由低階模耦合到較高階輻射模而損耗，其大小可用式(4)表示α=(R/a)-2v432Δ2×(0.65+1.62v-1.5+2.88v-6)6---(4)]]>光纖彎曲時的傳輸效率則可用式(5)來描述Tc=PoutPinT0=exp(-αbLb)---(5)]]>式中，T0表示長度為L的光纖在直光纖狀況下的透過率，而Pout/Pin是光纖彎曲狀態(tài)下的透過率，αb為彎曲損耗，Lb為彎曲光纖長。研究表明，傳輸效率隨光纖彎曲半徑R的減小而下降，而且R越小Tc下降的速度就越快。而對于同一型號光纖，芯徑越大Tc對彎曲半徑就越敏感。
1.3影響光纖彎曲損耗的因素1.3.1MAC值當(dāng)前，MAC值被用來表示光纖彎曲性能的特征參量，無論是宏彎損耗還是微彎損耗都隨著MAC值的增加而增加[2]。所以，盡可能的減小MAC值，是提高光纖抗彎性能的途徑之一。而MAC值又是模場直徑(MFD)和截至波長(λc)的比值，如式(6)所示MAC＝MFD/λc(6)所以，減小MAC值就是設(shè)法減小光纖的MFD或(和)增加光纖的λc。
1.3.2相對折射率差一般說來，大的折射率差有利于減小彎曲損耗。如果兩根光纖的λc相同，而相對折射率差相差一倍，則在彎曲損耗相同時，折射率差較大的彎曲半徑R為折射率差較小的R的1/3。
1.3.3折射率凹陷光纖芯中心折射率凹陷對光纖的折射率有一定的影響。研究表明，當(dāng)中心凹陷寬度δ不大于(nm-no)/(nm-nc)時，凹陷的作用很小，但當(dāng)δ較大時則非常明顯，且中心凹陷寬度的增加能適當(dāng)增加基模的允許彎曲半徑，也即提高光纖的抗彎損性能。
1.3.4內(nèi)包層厚度研究分析表明，在內(nèi)包層低于外包層的光纖中，增加內(nèi)包層厚度或減小其深度(其芯層和內(nèi)包層折射率差不變)其信號的LP01模式泄漏損耗減小。也即內(nèi)包層越厚越有利于減小光纖的彎曲損耗。
1.3.5涂層的機械參數(shù)一般來說，模量越高，透水氣性越低。因此，通常第一涂層是軟的低模量緩沖涂層，第二層是堅韌的較高模量的保護材料。光纖涂層的增厚可以改善微彎，所以可增大第一層厚度，適當(dāng)調(diào)節(jié)第一、二層厚度也可改善光纖的抗彎損性能。
由以上分析可知，小尺寸的低彎曲損耗的光纖將在國民生活，特別是軍事領(lǐng)域中有著廣泛而重要的應(yīng)用，而目前市場上尚未能提供相應(yīng)的讓人滿意的光纖。另一方面，低水峰光纖的出現(xiàn)，使得光纖的應(yīng)用波段擴大到1285～1625nm整個窗口，目前已經(jīng)逐步取代了普通G.652.B光纖。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于推出一種能同時滿足低彎損、小尺寸和低水峰的符合G.652.D傳輸要求的新型光纖。研究表明，可以從光纖的折射率剖面、涂層等多方面來提高光纖的抗彎性能。
本發(fā)明旨在根據(jù)光纖彎曲理論和實踐經(jīng)驗，在富通獨特的全合成預(yù)制棒制造技術(shù)的基礎(chǔ)上，對光纖的折射率剖面進行設(shè)計和優(yōu)化，并制造出低彎曲損耗的小直徑光纖?？傊?，本發(fā)明公開了一種低彎曲損耗的超細的低水峰單模光纖，該光纖由摻雜的石英玻璃芯、石英玻璃包層和內(nèi)外兩層樹脂構(gòu)成，其中光纖的芯層和包層具有獨特的組成和結(jié)構(gòu)，裸光纖的外徑具有獨特的尺寸。光纖的芯層折射率可在1.4629～1.4664之間，芯層厚度可在2.3～3.2μm之間；第一包層的折射率可在1.4562～1.4582之間，厚度可在2.5～6.5μm之間；第二包層為純石英玻璃，其厚度可在8.5～12.3μm之間。芯層和第一包層的折射率可通過摻雜不同的組分獲得。裸光纖的外徑為80±5μm。成品光纖的直徑為140±5μm。
制造這種光纖時，先根據(jù)設(shè)計的折射率剖面，即芯層的折射率、厚度，第一包層的折射率、厚度，第二包層的折射率、厚度等參數(shù)，確定各層摻雜的組分，并采用VAD+OVD預(yù)制棒制造工藝(或其他同等的制造工藝)制造成光纖預(yù)制棒；再將該預(yù)制棒在拉絲塔上拉制成特定直徑的光纖，該光纖經(jīng)兩次紫外光固化樹脂涂覆達設(shè)計的尺寸；最后經(jīng)一些列機械、光學(xué)和化學(xué)篩選后卷盤成為光纖成品。
本發(fā)明的光纖具有獨特的折射率剖面和外觀尺寸，其截至波長不超過1324nm，模場直徑在5.5～6.5mm之間，MAC值不超過6.0。與常規(guī)單模光纖相比其抗彎損性能得到了極大的提高，最小允許彎曲半徑可達7.5mm，僅為常規(guī)光纖的1/4，達到目前市場上光纖的最佳水平。當(dāng)彎曲半徑為10mm時，其在1310nm下的損耗不超過0.4dB；而當(dāng)彎曲半徑為50mm時，其在1310nm下的損耗則不超過0.2dB。與現(xiàn)有的其他抗彎損光纖相比，本發(fā)明的光纖除具備優(yōu)異的抗彎性能外，更具有超細尺寸的顯著特點，其裸光纖的直徑約80μm，僅為常規(guī)抗彎損光纖(裸光纖直徑為125μm)的64％左右，涂覆樹脂后光纖約為140μm，僅為常規(guī)抗彎損光纖(涂覆后光纖直徑為245μm)的49％左右，每公里成品光纖的體積尚不到常規(guī)光纖的25％，石英玻璃的用量約為常規(guī)光纖的41％，樹脂用量約為常規(guī)光纖的18％，單位長度的光纖成本不到常規(guī)光纖的1/2。相同尺寸的繞包可容納的光纖長度增加了4倍以上，特別適用于光纖制導(dǎo)，特別是遠程導(dǎo)彈的光纖制導(dǎo)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方案制造的光纖的剖面圖。
圖2是圖1中裸光纖16的折射率分布示意圖。
圖3、4用于示意圖1中裸光纖16折射率分布的其它例子。
圖5所示為本發(fā)明光纖芯徑a與光纖MAC值之間的關(guān)系。
圖6所示為本發(fā)明光纖第一包層厚度b與光纖MAC值之間的關(guān)系。
圖7所示為本發(fā)明光纖的Δ1值與光纖MAC值之間的關(guān)系。
圖8所示為本發(fā)明光纖的Δ2值與光纖MAC值之間的關(guān)系。
圖9所示為本發(fā)明光纖的MAC值和光纖彎曲損耗之間的關(guān)系。
具體實施方式
參照圖1，光纖通常定義為10，本發(fā)明光纖10的結(jié)構(gòu)和常規(guī)光纖類似，主要包括分布在光纖10中心的玻璃裸光纖16，以及包圍在16周邊的第一涂層14和第二涂層15。裸光纖16包括光纖的芯層區(qū)11，第一包層區(qū)12和第二包層區(qū)13。涂層14和15通常為聚丙烯酸樹脂，可通過紫外線固化或其它方法固化制得。
本發(fā)明采用富通集團擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的全合成工藝制造光纖預(yù)制棒，然后再在拉絲塔上拉制成纖維，同時涂覆保護樹脂層，即制得所需光纖。全合成工藝簡單描述如下首先采用三噴燈VAD工藝制造芯棒，其中在第一噴燈的SiCl4原料中摻雜GeCl4以適當(dāng)?shù)奶岣咝緦?1的折射率；在第二噴燈SiCl4原料中摻雜F(也可是S等其它可使SiO2折射率下降的元素)或者不摻雜以制造第一包層12；第三噴燈為純的SiCl4，用于制造第二包層13。為確保所得光纖滿足低水峰預(yù)制棒的要求，應(yīng)適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)噴燈流量使得c滿足式(7)。然后再采用OVD技術(shù)在該芯棒外包上一層純SiO2外包，通過燒結(jié)，使該外包和第二包層融為一體，以形成完整的光纖預(yù)制棒。
c≥2.3a-b(7)參照圖2，本發(fā)明光纖具有獨特的折射率剖面結(jié)構(gòu)。通?？箯潛p光纖的折射率分布為階躍型分布，但本全合成工藝生產(chǎn)的光纖的纖芯折射率有一定的凹陷，如1.3.3所述，這種凹陷對有利于提高光纖的抗彎性能。同時，本光纖的芯層區(qū)11和第一包層區(qū)12的折射率分布都是個變化的函數(shù)?？拷w芯部分的芯層折射率可用直線方程來模擬，斜率在0.0003～0.0005之間，靠近第一包層部分的芯層區(qū)折射率可用冪函數(shù)來模擬，冪指數(shù)在-8～-7之間，其最大值用n1表示；第一包層折射率也可以用冪函數(shù)來模擬，其冪指數(shù)在-0.03～-0.01之間，其最小值用n2表示；而第二包層為純SiO2層，其折射率恒定不變，用n0表示。芯層和第一包層最大折射率差用Δ1表示，第一包層和第二包層的折射率差用Δ2表示。Δ1和Δ2分別用以下公式計算得到Δ1=n1-n0n1×100%---(8)]]>Δ2=n2-n0n2×100%---(9)]]>圖2中a表示芯層的直徑，b為第一包層的厚度。圖2中，第一包層的折射率低于第二包層，Δ2為負值。本發(fā)明中，光纖折射率剖面的特殊設(shè)計，一方面是結(jié)合了全合成工藝本身的特點，另一方面也是提高光纖抗彎性能所需。因為，全合成工藝生產(chǎn)的光纖的纖芯本身就呈一定的凹陷，因此可方便的加以利用；全合成工藝中的VAD部分，采用了3噴燈結(jié)構(gòu)，可通過原料的摻雜，噴燈噴射角度、噴燈距離和噴射流量的調(diào)節(jié)，方便的按本發(fā)明設(shè)計要求來改變光纖的剖面結(jié)構(gòu)，利于生產(chǎn)的實施。
參照圖3和4，它們代表光纖折射率分布不同于圖2的其它例子。圖3和4中Δ2值分別為0和正值。
圖5-圖8為生產(chǎn)試驗數(shù)據(jù)的分析圖，他們分別描述了光纖結(jié)構(gòu)的幾個重要參數(shù)即芯徑a，第一包層厚度b，芯層折射率差Δ1和第一包層折射率差Δ2對光纖MAC值，也即光纖的抗彎性能的影響。因為MAC值通常被視為光纖彎曲性能的表征量，MAC值越小，光纖的抗彎性能越好，如圖9所示。
實施例1通過在芯層SiO2中摻雜Ge的方法使在632.8nm波長下Δ1在0.39％～0.50％之間；在第一包層的SiO2中摻雜F使在632.8nm波長下Δ2在-0.070％～-0.014％之間；通過控制VAD噴燈流量來控制芯層和第一包層的厚度，分別在2.8～3.2μm之間和2.5～6.0μm之間；第二包層的厚度在8.5～13.0μm之間；通過控制拉絲速度、滴頭溫度等將光纖直徑控制在80±5μm；保證兩層涂覆樹脂的厚度分別約為20和10μm；最終成品光纖直徑在140±5μm；通過樹脂和固化條件的控制使得第一涂層14和第二涂層15的楊氏模量分別約為1.2MPa和760MPa，彈性模量分別為1.1MPa和1400MPa。此光纖的剖面形狀可用圖2表示。
本實施例得到的幾種典型光纖的幾何參數(shù)及其性能見表1-1和表1-2。
表1-1實施例1中幾種典型光纖的幾何參數(shù)和光學(xué)性能

表1-2實施例1中幾種典型光纖在不同波長下的彎曲損耗

*為采用IEC標(biāo)準G650光纖彎曲性能測量法測得，彎曲半徑取7.5mm。
實施例2
通過在芯層SiO2中摻雜Ge的方法使在632.8nm波長下Δ1在0.55％～0.63％之間；第一包層不特別摻雜，其折射率分布在第一噴燈的影響下自由分布；通過控制VAD噴燈流量來控制芯層和第一包層的厚度，分別在2.3～3.0μm之間和3.5～5.6μm之間；第二包層的厚度在9.4～12.3μm之間；通過控制拉絲速度、滴頭溫度等將光纖直徑控制在80μm±5μm；保證兩層涂覆樹脂的厚度分別約為20和10μm；最終成品光纖直徑在140±5μm；通過樹脂和固化條件的控制使得第一涂層14和第二涂層15的楊氏模量分別約為1.2MPa和760MPa，彈性模量分別為1.1MPa和1400MPa。此光纖的剖面形狀可用圖3表示。本實施例得到的幾種典型光纖的幾何參數(shù)及其性能見表2-1和表2-2。
表2-1實施例2中幾種典型光纖的幾何參數(shù)和光學(xué)性能

表2-2實施例2中幾種典型光纖在不同波長下的彎曲損耗

*為采用IEC標(biāo)準G650光纖彎曲性能測量法測得，彎曲半徑取7.5mm。
實施例3通過在芯層SiO2中摻雜Ge的方法使在632.8nm波長下Δ1在0.43％～0.63％之間，使Δ2在0.03％～0.07％之間；通過控制VAD噴燈流量來控制芯層和第一包層的厚度分別在2.5～2.7μm之間和4.0～6.5μm之間；第二包層的厚度在8.8～11.5μm之間；通過控制拉絲速度、滴頭溫度等將光纖直徑控制在80μm±5μm；保證兩層涂覆樹脂的厚度分別約為20和10μm；最終成品光纖直徑在140±5μm；通過樹脂和固化條件的控制使得第一涂層14和第二涂層15的楊氏模量分別約為1.2MPa和760MPa，彈性模量分別為1.1MPa和1400MPa。此光纖的剖面形狀可用圖4表示。本實施例得到的幾種典型光纖的幾何參數(shù)及其性能見表3-1和表3-2。
表3-1實施例3中幾種典型光纖的幾何參數(shù)和光學(xué)性能

表3-2實施例3中幾種典型光纖在不同波長下的彎曲損耗

*為采用IEC標(biāo)準G650光纖彎曲性能測量法測得，彎曲半徑取7.5mm。
由上可知，本實施例中光纖在彎曲半徑為7.5mm時，其附加損耗遠遠小于標(biāo)準上限0.05dB/km，也即本實施例光纖的允許彎曲半徑可達7.5mm，在目前市場上處于領(lǐng)先地位(見表4)。
表4幾家抗彎光纖的允許彎曲半徑對比

此外，除滿足低彎損性能外，為確保制造的光纖為低水峰光纖，必須保證工藝參數(shù)滿足公式(7)，同時，應(yīng)在制造過程中盡可能的避免OH基團的混入。
測試表明，本實施例中提及的光纖，除符合上述性能外，光纖的其它參數(shù)如下所示，也即本發(fā)明光纖完全適用于1260～1625nm整個波段的WMD傳輸。
本發(fā)明光纖的其它特性衰減不均勻性在光纖后向散射曲線上，任意500m長度上的實測衰減值與全長上平均500m的衰減值之差的最大值不大于0.05dB波長附加衰減1285-1330nm波長附加衰減系數(shù)≤0.05dB/km1525-1575nm波長附加衰減系數(shù)≤0.05dB/km衰減兩端差雙向測試取平均值≤0.05dB/km色散特性零色散波長范圍(λ。)1300-1324nm零色散斜率(S。)≤0.092ps/nm2.km1285-1330nm波長范圍色散系數(shù)絕對值 ≤3.4ps/nm.km1550nm波長范圍色散系數(shù)絕對值≤17.5ps/nm.km偏振模色散(PMD)≤0.15ps/km1/2@1550nm截止波長光纖截止波長(λc)1180-1330nm成纜光纖截止波長(λcc)≤1260nm使用工作波長1310-1625nm需要特別指出的是，上述實施例的方式僅限于描述實施例，但本發(fā)明不只局限于上述方式，且本領(lǐng)域的技術(shù)人員據(jù)此可在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)，容易的進行各種修飾。
權(quán)利要求1.一種低彎曲損耗的超細低水峰光纖，該光纖由折射率相對較高的芯層石英玻璃區(qū)，分布在芯層區(qū)周邊折射率相對較低的第一和第二石英玻璃包層區(qū)，以及包圍在以上玻璃區(qū)外的內(nèi)外兩個樹脂涂層構(gòu)成，所述的光纖具有以下特征零色散波長在1300～1324nm之間；通過2米法測量的光纖截至波長在1180～1330nm之間；通過22米法測量的光纜截至波長小于1260nm；在1550nm波長下的色散系數(shù)小于17.5ps/nm/km；在1285～1625nm波長范圍內(nèi)的傳輸損耗不超過0.40dB；在1383nm波長下的傳輸損耗不超過在1310nm下的傳輸損耗；在1550nm波長下的偏振模色散(PMD)不超過0.15ps/km1/2；零色散斜率系數(shù)不超過0.092ps/(nm2·km)；其特征在于芯層和第二包層石英玻璃折射率差在0.39％～0.63％之間；第一包層和第二包層石英玻璃的折射率差在-0.07％～0.07％之間；在1310nm波長下模場直徑為5.5～6.5μm；按照IEC G.650光纖彎曲性能標(biāo)準測量法進行測量，當(dāng)彎曲半徑7.5mm時，附加彎曲損耗不超過0.05dB/km。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低彎曲損耗的超細低水峰光纖，其特征在于裸光纖的直徑在75～85μm之間，第一層涂覆樹脂的厚度約20μm，楊氏模量為1.2MPa，彈性模量為1400MPa；第二層樹脂的厚度約10μm之間，楊氏模量為760MPa，彈性模量為1.1MPa；成品光纖的直徑為140±5μm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低彎曲損耗的超細低水峰光纖，其特征在于芯層區(qū)和第一包層區(qū)的折射率分布呈特定的函數(shù)分布；靠近纖芯部分的芯層折射率可用直線方程來模擬，斜率在0.0003～0.0005之間，靠近第一包層部分的芯層區(qū)折射率可用冪函數(shù)來模擬，冪指數(shù)在-8～-7之間；第-包層折射率也可以用冪函數(shù)來模擬，其冪指數(shù)在-0.03～-0.01之間；芯層厚度在2.3～3.2μm之間；第一包層厚度在2.5～6.5μm之間；第二包層厚度在8.5～12.3μm之間；第一包層和第二包層的厚度之和不小于芯層厚度的3.7倍。
專利摘要一種低彎曲損耗的超細低水峰光纖，涉及一種光纖，特別是低彎曲損耗的超細的低水峰光纖，其在1285～1625nm整個波段內(nèi)適用于波分復(fù)用(WDM)傳輸。本實用新型公開了一種低彎曲損耗的超細的低水峰單模光纖，該光纖由摻雜的石英玻璃芯、石英玻璃包層和內(nèi)外兩層樹脂構(gòu)成，光纖的芯層折射率可在1.4629～1.4664之間，芯層厚度可在2.3～3.2μm之間；第一包層的折射率可在1.4562～1.4582之間，厚度可在2.5～6.5μm之間；第二包層為純石英玻璃，其厚度可在8.5～12.3μm之間。本實用新型的光纖除具備優(yōu)異的抗彎性能外，更具有超細尺寸的顯著特點，其裸光纖的直徑約80μm，涂覆樹脂后光纖約為140μm。
文檔編號G02B6/02GK2927080SQ20062010459
公開日2007年7月25日 申請日期2006年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月13日
發(fā)明者張立永, 李群星, 黃曉鵬, 盧衛(wèi)民, 吳興坤 申請人:杭州富通通信技術(shù)股份有限公司