專利名稱：顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種應(yīng)用最廣泛的平板顯示器。LCD包括提供了場產(chǎn)生電極(例如像素電極和公共電極)的兩個(gè)面板以及插入其間的液晶(LC)層。LCD通過對(duì)場產(chǎn)生電極施加電壓使得在LC層內(nèi)產(chǎn)生電場從而顯示圖像，所述電場確定在LC層中LC分子的取向從而調(diào)整入射光的偏振。
在LCD中，由于其高對(duì)比度和寬參考視角，垂直排列(VA)模式LCD受到關(guān)注，垂直排列模式排列LC分子使得LC分子的長軸在沒有電場時(shí)垂直于面板。
VA模式LCD的寬視角可以通過在所述長產(chǎn)生電極內(nèi)的切口和在場產(chǎn)生電極上的突起而實(shí)現(xiàn)。由于切口和突起可以確定LC分子的傾斜方向，通過使用切口和突起，傾斜方向可以分布在幾個(gè)方向上使得參考視角被展寬。
但是，因?yàn)椴贾迷诮遣康腖C分子或在場產(chǎn)生電極內(nèi)的連接輔助不受邊緣場的影響，所以在施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)它們以任意方向排列。
當(dāng)LC分子被任意排列時(shí)，在任意位置可以產(chǎn)生LC分子的碰撞，并且因而可以產(chǎn)生由于碰撞所產(chǎn)生的不希望出現(xiàn)的余像。

發(fā)明內(nèi)容
典型實(shí)施例通過最大化受邊緣場的影響的LC分子并且最小化由于碰撞引起的余像從而提供了一種具有改善的顯示特性的液晶顯示器。
提供了面板的典型實(shí)施例，所述面板包括第一基底、在第一基底上形成的柵極線、覆蓋柵極線的柵極絕緣層、在柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層、與柵極線交叉并且包括在半導(dǎo)體層上形成的源極的數(shù)據(jù)線、在半導(dǎo)體層上形成并且面對(duì)源極的漏極、與數(shù)據(jù)線分離的連接輔助、覆蓋半導(dǎo)體層并且具有暴露連接輔助的接觸孔的鈍化層、和包括多個(gè)子像素電極并且在鈍化層上形成的像素電極。子像素電極通過接觸孔分別連接到連接輔助，子像素電極通過連接輔助相互電連接并且至少一個(gè)子像素電極電連接漏極。
在典型實(shí)施例中，子像素電極可以包括透射電極。
在典型實(shí)施例中，至少一個(gè)子像素電極包括反射電極。
在典型實(shí)施例中，子像素電極可以具有帶圓角的基本矩形形狀。
在典型實(shí)施例中，面板還可以包括面對(duì)第一基底的第二基底、和在第二基底上形成并且具有分別在子像素電極的中心形成的多個(gè)切口的公共電極。
在典型實(shí)施例中，切口可以具有基本圓形的形狀。
在典型實(shí)施例中，提供了面板，所述面板包括第一基底、在第一基底上形成的柵極線、與所述數(shù)據(jù)線交叉的柵極線、連接所述柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、和連接薄膜晶體管并且具有多個(gè)子像素電極和使所述子像素電極相互連接的連接輔助的像素電極。連接輔助交替布置在像素電極的左側(cè)和右側(cè)并且使子像素電極相互連接。
在典型實(shí)施例中，面板還可以包括面對(duì)第一基底的第二基底、在第二基底上形成的遮光構(gòu)件和在第二基底上形成的公共電極。連接輔助覆蓋遮光構(gòu)件。
在典型實(shí)施例中，子像素電極可以具有帶圓角的基本矩形形狀。連接輔助交替連接子像素電極的左邊和右邊。
在典型實(shí)施例中，公共電極可以具有多個(gè)切口并且切口可以具有基本圓形的形狀。
提供了一種形成顯示面板的方法的典型實(shí)施例，所述方法包括在第一基底上形成柵極線、數(shù)據(jù)線和漏極、在第一基底上形成薄膜晶體管并且連接?xùn)艠O線和數(shù)據(jù)線；連接像素電極至薄膜晶體管，像素電極包括多個(gè)子像素電極并且形成使子像素電極相互連接的連接輔助。數(shù)據(jù)線與柵極線交叉并且漏極面對(duì)數(shù)據(jù)線。至少一個(gè)子像素電極連接漏極。
在典型實(shí)施例中，連接輔助的形成包括在與像素電極不同的陣列面板的層上形成連接輔助。
在典型實(shí)施例中，連接輔助的形成包括在與像素電極相同的陣列面板的層上形成連接輔助。連接輔助包括第一連接部和第二連接部。第一連接部和第二連接部連接子像素電極的邊并且交替向像素電極的左側(cè)和右側(cè)布置。


通過參考附圖描述本發(fā)明的典型實(shí)施例，本發(fā)明將變得更為顯見，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的LCD的典型實(shí)施例的布局圖；圖2是根據(jù)在圖1中示出的本發(fā)明的LCD的TFT陣列面板的典型實(shí)施例的布局圖；圖3是根據(jù)在圖1中示出的本發(fā)明的LCD的公共電極的典型實(shí)施例的布局圖；圖4是沿圖1示出沿LCD的IV-IV線所取的截面圖；圖5是沿圖1示出沿LCD的V-V線所取的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一LCD的典型實(shí)施例的布局圖；圖7是沿圖6示出沿LCD的VI-VI線所取的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一LCD的典型實(shí)施例的布局圖；圖9是沿圖8示出沿LCD的IX-IX線所取的截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明另一LCD的典型實(shí)施例的布局圖；并且圖11是沿圖10示出沿LCD的XI-XI線所取的截面圖；具體實(shí)施方式
此后，將參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同方式實(shí)施，不應(yīng)理解為限于在此提出的實(shí)施例。
在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)的厚度。通篇相似的標(biāo)號(hào)指示相似的元件。應(yīng)當(dāng)理解例如層、膜、區(qū)或基底的元件被指稱為在另一元件“上”或連接到另一元件時(shí)，可以直接在所述其它元件上或者也可以存在居間的元件。反之，當(dāng)元件被指稱在另一元件“直接上”時(shí)，不存在居間的元件。通篇相似的標(biāo)號(hào)指示相似的元件。如同在此所使用的，術(shù)語“和/或”包括一或更多相關(guān)列舉項(xiàng)的任意和所有的組合。
應(yīng)當(dāng)理解，可以在此使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一元件、部件、區(qū)、層或部分區(qū)分于其它區(qū)、層或部分。因而，下述討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可以被稱作第二元件、部件、區(qū)、層或部分，而不偏離本發(fā)明的教導(dǎo)。
空間相關(guān)的術(shù)語，例如“下”、“上”之類，可以在此使用以方便描述在圖中所示出的一元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解空間相對(duì)術(shù)語旨在包括除了圖中所示出的取向以外的在使用或運(yùn)行中所述裝置的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被倒置，被描述為相對(duì)于其它元件或特征“下”的元件就要被描述為在相對(duì)于其它元件或特征“上”。因而，典型術(shù)語“下”可以包括上和下的取向。所述裝置還可以另外取向(旋轉(zhuǎn)90度或另外的取向)并且相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對(duì)描述術(shù)語。
在此使用的術(shù)語僅用于描述具體的實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明。如同在此所使用的，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地指出。還應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)在本文中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或部件的存在，不應(yīng)排除一或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組的存在或添加。
在此參考示意示出本發(fā)明理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的截面圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)期例如制造技術(shù)和/或公差的作為結(jié)果的示出的形狀的各種變化。因而本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)理解為限于在此示出的區(qū)的具體形狀而是包括例如來自于制造的各種形狀的偏差。
例如，作為矩形示出的注入?yún)^(qū)典型地具有圓或曲線特征和/或在其邊緣上的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)至非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，通過注入形成的埋藏區(qū)可以在埋藏區(qū)和通過其進(jìn)行注入的表面之間形成一些注入。因而，在圖中所示出的區(qū)是示意性的并且其形狀不旨在示出裝置的區(qū)的實(shí)際形狀并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另外界定，所有在此使用的術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明所述領(lǐng)域普通技術(shù)人員一般理解相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解諸如在通常使用的字典中所界定的術(shù)語，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中一致的含義而不應(yīng)以理想化或過度正式的方式解釋，除非明顯作出這樣的界定。
此后，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。現(xiàn)將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的液晶顯示器和薄膜晶體管(TFT)陣列面板的典型實(shí)施例。
現(xiàn)將參考圖1至5詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的典型實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的LCD的典型實(shí)施例的布局圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明的在圖1中示出的LCD的TFT陣列面板的典型實(shí)施例的布局圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明的在圖1中示出的LCD的公共電極面板的典型實(shí)施例的布局圖，圖4是在圖1中示出的沿IV-IV線取的截面圖，圖5是在圖1中示出的沿V-V線取的截面圖。
LCD包括TFT陣列面板100、公共電極面板200、和在面板100和200之間插入的LC層3。
現(xiàn)將參考圖1、2、4和5詳細(xì)描述TFT陣列面板100。
在由諸如透明玻璃之類的材料制成的絕緣基底100上形成多條柵極(信號(hào))線121。
柵極線121基本沿橫向延伸，相互分離并且傳輸柵極信號(hào)。各條柵極線121包括形成多個(gè)向上突起的柵極124的多個(gè)突起和具有用于與其它層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的大面積的端部。用于產(chǎn)生柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)可以安裝在柔性印刷電路(FPC)膜(未圖示)上。FPC可以貼附到基底110上，直接安裝在基底110上，或集成入基底110。柵極線121可以延伸從而連接可以與基底110集成的驅(qū)動(dòng)電路。
在典型實(shí)施例中，柵極線121可以由含Al金屬例如Al或Al合金、含Ag金屬例如Ag和Ag合金、含Cu金屬例如Cu和Cu合金、含Mo金屬例如Mo和Mo合金、Cr、Ti、或Ta制成。柵極線和存儲(chǔ)電極線(未圖示)可以具有包括具有兩個(gè)不同物理特性膜的多層結(jié)構(gòu)。在典型實(shí)施例中，兩個(gè)膜之一可以由包括但不僅限于含Al金屬、含Ag金屬、和含Cu金屬的低電阻金屬制成，用于減小在柵極線121和存儲(chǔ)電極線內(nèi)的信號(hào)延遲或電壓降。另一膜可以由例如含Mo金屬、Cr、Ti、或Ta制成，它們與例如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的其它材料具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。在一典型實(shí)施例中，所述兩個(gè)膜的組合包括下Cr膜和上Al合金膜、和下Al膜和上Mo膜。但是，柵極線121和存儲(chǔ)電極線可以由各種適用于在此描述的用途的金屬或?qū)w制成。
如同在圖4和5中所示出的，柵極線121的側(cè)部相對(duì)與基底110的表面傾斜。柵極線121相對(duì)于基底表面的傾斜角的范圍為大約30至大約80度。
柵極絕緣層140在柵極線121上和存儲(chǔ)電極線上形成。在一實(shí)施例中，柵極絕緣層140可以由氮化硅(SiNx)制成。
在柵極絕緣層140上形成多個(gè)半導(dǎo)體島154。如同在典型實(shí)施例中所示出的，各個(gè)半導(dǎo)體島154布置在柵極124上。在一典型實(shí)施例中，半導(dǎo)體島154由氫化非晶硅(簡寫為“a-Si”)或多晶硅制成。
在半導(dǎo)體島154上形成多個(gè)歐姆接觸島163和165。如同在典型實(shí)施例中所示出的，各個(gè)歐姆接觸孔163和165成對(duì)位于半導(dǎo)體島154上。在一典型實(shí)施例中，歐姆接觸島163和165由硅化物或重?fù)诫s以例如磷的n型雜質(zhì)n+氫化a-Si制成。
如在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體島154和歐姆接觸島163和165的側(cè)部相對(duì)于基底110的表面傾斜。其傾斜角在大約30至大約80度的范圍。
多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175與數(shù)據(jù)線171分離，并且在歐姆接觸163和165和柵極絕緣層140上形成多個(gè)連接(輔助)構(gòu)件178。
傳輸數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線171基本在縱向延伸并且基本以直角交叉柵極線121。各數(shù)據(jù)線171包括具有相對(duì)大的面積的用于與其它層和/或外部裝置接觸的端部。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)可以安裝在FPC膜(未圖示)上。FPC可以貼附到基底110，直接安裝在基底110上、或集成入基底110。數(shù)據(jù)線171可以延伸從而被連接到可以與基底110集成的驅(qū)動(dòng)電路。各數(shù)據(jù)線171包括向柵極124突出的多個(gè)源極173。
各個(gè)漏極175與數(shù)據(jù)線171分離并且相對(duì)于柵極124面對(duì)源極173。
柵極124、源極173、和漏極175和半導(dǎo)體到154一起形成TFT。TFT具有在半導(dǎo)體島154內(nèi)形成并且布置在源極173和漏極175之間的溝道。
連接輔助178基本平行于數(shù)據(jù)線171延伸并且與數(shù)據(jù)線171分離。
在一典型實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171、漏極175、和連接輔助178由難熔金屬例如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金制成。數(shù)據(jù)線171、漏極175、和連接輔助178還可以具有包括低電阻膜(未圖示)和良好接觸膜(未圖示)的多層結(jié)構(gòu)。在一典型實(shí)施例中，多層結(jié)構(gòu)包括下Mo(合金)膜、中間Al(合金)膜、和上Mo(合金)膜的組合以及上述下Cr膜和上Al(合金)膜與下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的組合。但是，數(shù)據(jù)線171、漏極175、和連接輔助178也可以由適用于在此描述的用途的各種金屬或?qū)w制成。
數(shù)據(jù)線171和漏極175還可以具有帶狀側(cè)部并且其傾斜角可以在大約30至大約80度的范圍內(nèi)。
歐姆接觸163和165僅插入在下面的半導(dǎo)體道154和上面的數(shù)據(jù)線171以及上面的漏極175之間并且減少了其間的接觸電阻。半導(dǎo)體島154包括多個(gè)被暴露的部分，這些部分不被數(shù)據(jù)線171和漏極175覆蓋，例如位于源極173和漏極175之間的部分。
鈍化層180形成于數(shù)據(jù)線171、漏極175、連接輔助178和半導(dǎo)體154被暴露的部分上。在一典型實(shí)施例中，鈍化層180由包括但不僅限于氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣體，具有良好平坦特性的光敏有機(jī)材料、或具有介電常數(shù)低于4的低介電絕緣材料例如通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成的a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F制成。鈍化層180可以包括具有非有機(jī)絕緣體的下膜和有機(jī)絕緣體的上膜的多層結(jié)構(gòu)，使得可以取得有機(jī)絕緣體的杰出的絕緣特性同時(shí)避免半導(dǎo)體154被暴露的部分被有機(jī)絕緣體損壞。
鈍化層180具有分別暴露數(shù)據(jù)線171的端部179、漏極175的端部和連接輔助178的多個(gè)接觸孔182、185、和188。鈍化層180和柵極絕緣層140具有暴露柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181。
多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸輔助81和82形成于鈍化層180上。在一典型實(shí)施例中像素電極191和接觸輔助81和82可以由例如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或例如Ag或Al的反射導(dǎo)體制成。
像素電極191包括基本布置為直線且具有基本正方形的第一至第三子像素電極9a1、9a2、和9a3。在布局圖中子像素電極9a1、9a2、和9a3可以具有圓角。第一子像素電極9a1通過接觸孔185連接漏極175，并且第一至第三子像素電極9a1、9a2、9a3通過接觸孔188分別連接連接輔助178。
像素電極191通過第一子像素電極9a1物理和電連接漏極175，使得像素電極191從漏極175接收數(shù)據(jù)電壓并且第二和第三子像素電極9a2和9a3從連接輔助178接收數(shù)據(jù)電壓。
被施加以數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與公共電極270合作產(chǎn)生電場，所述電場確定了在液晶層3內(nèi)液晶分子的取向。
像素電極191和公共電極面板200的公共電極270形成液晶電容器，所述電容器在TFT截止后存儲(chǔ)施加的電壓。
接觸輔助81和82分別通過接觸孔181和182而被連接到柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179。接觸輔助81和82保護(hù)端部129和179并且完成端部129和179與外部裝置的粘接。
公共電極面板200的描述參考圖1、3、和5。
用于避免光泄漏的稱為黑矩陣的遮光構(gòu)件220形成于用例如透明玻璃的材料制成的絕緣基底210上。遮光構(gòu)件220包括多個(gè)面對(duì)像素電極191的開口并且具有與像素電極191基本相同的平面形狀。
在基底210上形成多個(gè)濾色器230。濾色器230基本布置在被遮光構(gòu)件220所封閉或包圍的區(qū)內(nèi)。如在所示出的實(shí)施例中，濾色器230可以基本沿像素電極191的縱向延伸。在一典型實(shí)施例中，濾色器230可以代表例如紅、綠、和藍(lán)顏色的原色之一。
用于避免濾色器230被暴露并且提供基本平坦的表面的保護(hù)層250形成于濾色器230和遮光構(gòu)件220上。在典型實(shí)施例中，可以省略保護(hù)層250。
在一典型實(shí)施例中由透明導(dǎo)電材料例如ITO和IZO制成的公共電極形成于保護(hù)層250上并且比像素電極191相對(duì)要厚。
公共電極270具有多個(gè)圓形切口27組。
一組圓形切口27基本面對(duì)第一至第三子像素電極9a1至9a3的中心。在典型實(shí)施例中，圓形切口27覆蓋接觸孔188。
配向?qū)?1和21涂覆在面板100和200的內(nèi)表面上。配向?qū)?1和21可以是homeotropic的?？梢蕴峁┢衿?未圖示)于面板100和200的外表面使得其偏振軸可以交叉并且透射軸之一可以平行于柵極線121。在典型實(shí)施例中，當(dāng)LCD是反射型LCD時(shí)，可以省略偏振片之一。
LCD還可以包括至少一個(gè)延遲膜(未圖示)用于補(bǔ)償LC層3的延遲。延遲膜具有雙折射并且相對(duì)于LC層3而延遲。延遲膜可以包括單軸或雙軸光補(bǔ)償膜、具體地，是負(fù)單軸補(bǔ)償膜。
LCD還可以包括用于透過偏振片對(duì)LC層3提供光線的背光單元(未圖示)、延遲膜、和面板100和200。
在典型實(shí)施例中，LC層3具有負(fù)介電各向異性并且經(jīng)歷垂直取向，使得在LC層3中的LC分子31的長軸以其在無電場時(shí)基本垂直于面板100和200表面取向。因而，入射光線不可以穿過包括偏振片的交叉的偏振系統(tǒng)。
在對(duì)公共電極270施加公共電壓和對(duì)像素電極191施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，產(chǎn)生基本垂直于面板100和200的電場。LC分子31趨向于響應(yīng)所述電場而改變其取向使得其長軸基本垂直于電場方向。公共電極270和像素電極191基本上被用作場產(chǎn)生電極。
公共電極270的圓形切口27和像素電極191的邊扭曲了電場從而具有基本垂直于圓形切口27的邊和像素電極191的邊的水平分量。因而，各個(gè)子像素電極9a1-9a3上的LC分子被所述水平分量在一方向上傾斜并且傾斜方向的方位角分布局部化為多個(gè)方向，由此增加了LCD的視角。
此外，當(dāng)像素電極包括連接子像素電極9a1-9a3并且與像素電極191形成于相同層上的連接時(shí)，所述連接扭曲了LC分子31的取向并且在所述連接上的LC分子31以任意方向取向。因而，產(chǎn)生了LC分子的碰撞。但是，在圖示的典型實(shí)施例中，子像素電極9a1-9a3通過連接與數(shù)據(jù)線171形成在相同層上的附件178而相互連接。這里，連接輔助178不影響液晶分子的取向，并且因而不產(chǎn)生液晶分子的碰撞。其優(yōu)點(diǎn)是不產(chǎn)生由于碰撞而引起的余像。
現(xiàn)將參考圖6和7詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的另一典型實(shí)施例。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的用于LCD的TFT陣列面板的典型實(shí)施例的布局圖，而圖7是圖6中所示出的LCD沿VII-VII線的截面圖。
參考圖6和7，LCD包括TFT陣列面板、公共電極200、插入在面板100和200之間的LC層3、覆在面板100和200外表面上的偏振片(未圖示)。
根據(jù)該實(shí)施例的面板100和200的分層結(jié)構(gòu)與在圖1至5中所示出的基本相同。
對(duì)于TFT陣列面板100，包括柵極124和端部129的柵極線121形成于基底110上，并且在其上順序形成柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體154、和多個(gè)歐姆接觸163和165。多條包括源極173和端部179的數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175、和多個(gè)連接輔助178形成于歐姆接觸163和165上，并且在其上形成鈍化層180。在鈍化層180和柵極絕緣層140上提供了多個(gè)接觸孔181、182、185、和188。多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸輔助81和82形成于鈍化層180上，并且配向?qū)油扛灿谄渖稀?br> 對(duì)于公共電極面板200、遮光構(gòu)件220、多個(gè)濾色器230、包括多個(gè)圓形切口的公共電極270、和配向?qū)?1形成于絕緣基底210上。
與在圖1至4中所示出的LCD不同，在圖6和7中示出的LCD是包括反射電極的透反型。
包括TFT陣列面板100、公共電極面板200、和LC層3的LCD具有透射區(qū)TA和反射區(qū)RA。透射區(qū)TA包括透射電極192而反射區(qū)RA包括反射電極194。透射區(qū)TA是未布置反射電極194的區(qū)而反射區(qū)RA是布置反射電極194的區(qū)。
在透射區(qū)TA中的光線從TFT陣列面板100透過液晶層3到公共電極面板200從而顯示圖像，而在反射區(qū)RA的光線通過被反射電極194反射透過液晶層3兩次而顯示圖像。
在典型實(shí)施例中，鈍化層180可以具有不平坦的表面，以便最大化漫反射并且反射電極194也可以具有取決于或?qū)?yīng)于鈍化層180的不平坦表面的不平坦的表面。
在一典型實(shí)施例中，透射電極192由例如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制成而反射電極194由反射導(dǎo)電體例如Ag、Al、Cr及其合金制成。在典型實(shí)施例中，反射電極194可以具有包括由具有低電阻的反射性導(dǎo)體例如Ag、Al、及其合金制成的上層，和與其它材料例如ITO和IZO具有良接觸特性的下層材料，例如Mo、Mo合金、Cr、Ta、Ti。
反射電極194僅布置在第一子像素電極9a1上。在典型實(shí)施例中，反射電極194可以布置在其它的子像素電極9a2和9a3上的透射電極192上。
在典型實(shí)施例中，優(yōu)選對(duì)應(yīng)于透射區(qū)TA的濾色器230比對(duì)應(yīng)于反射區(qū)RA的濾色器230薄，從而透射區(qū)TA內(nèi)的單元間隙兩倍于形成于反射區(qū)RA內(nèi)的單元間隙。對(duì)應(yīng)于反射區(qū)RA的濾色器230可以具有光孔“H”以補(bǔ)償由于光路差別所引起的顏色表示的差別。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的LCD的另一典型實(shí)施例的布局圖，圖9是在圖8中示出的LCD沿IX-IX線取的截面圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一典型實(shí)施例的布局圖，而圖11是在圖10中示出LCD的沿XI-XI線取的截面圖。
根據(jù)該實(shí)施例的面板100和200的分層結(jié)構(gòu)與在圖2和4中所示出的基本相同。
如同在圖8和9中所示出的，多條包括柵極124和端部129的柵極線121形成于基底110上，并且在其上順序形成柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體154、和多個(gè)歐姆接觸163和165。多條包括源極173和端部179的數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175、和多個(gè)連接輔助178形成于歐姆接觸163和165上，并且在其上形成鈍化層180。提供多個(gè)接觸孔181、182、和185于鈍化層180和柵極絕緣層140上。多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸輔助81和82形成于鈍化層180上。
與在圖2和4中所示出的LCD不同，在圖8和9示出的實(shí)施例中，像素電極191的第一至第三子像素電極9a1至9a3通過連接輔助177相互連接，連接輔助177在LCD中與像素電極191形成在相同的層內(nèi)。
連接輔助177包括分別布置在像素電極191的第一至第三子像素電極9a1至9a3的左側(cè)和右側(cè)的左和右連接輔助177a和177b。一個(gè)連接輔助177a在子像素電極對(duì)9a1和9a2之間在左側(cè)被示出，而另一連接輔助177b在右側(cè)布置在子像素電極對(duì)9a2和9a3之間。連接輔助177a和177b形成于由像素電極191所界定的柱形區(qū)域內(nèi)，在于像素電極9a1、9a2和9a3的左和右邊之內(nèi)并且交替在子像素電極9a1、9a2、9a3的左和右側(cè)之間。優(yōu)選左和右連接輔助177a和177b形成對(duì)。在示出的典型實(shí)施例中，盡管產(chǎn)生了LC分子的碰撞，但是碰撞分布在像素電極191的一側(cè)，使得難于識(shí)別出碰撞。
如同在圖10和11的實(shí)施例中所示出的，左連接輔助177a連接第二和第二子像素電極9a1和9a2的左側(cè)(邊)而右連接輔助177b連接第二和第三子像素電極9a2和9a3的右側(cè)(邊)。在該實(shí)施例中，左和右連接輔助177a和177b布置得相鄰于數(shù)據(jù)線171。盡管產(chǎn)生了液晶分子的碰撞，但是由于連接輔助177a和177b布置得重疊遮光構(gòu)件，所以所述碰撞被隱藏在上面板的遮光構(gòu)件(未圖示)下面。
如在典型實(shí)施例中所示出的，像素電極的子像素電極通過使用連接輔助而相互連接，連接輔助與另一層形成或布置在子像素的邊緣。因而，LC分子的布置未散布并且可以隱藏LC分子的碰撞。
盡管參考優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解在不偏離權(quán)利要求中所界定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種改良和替代。
權(quán)利要求
1.一種面板，包括第一基底；在所述第一基底上形成的柵極線；覆蓋所述柵極線的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層；與所述柵極線交叉并且包括形成于所述半導(dǎo)體層上的源極的數(shù)據(jù)線；在所述半導(dǎo)體層上形成并且面對(duì)所述源極的漏極；與所述數(shù)據(jù)線分離的連接輔助；覆蓋所述半導(dǎo)體層并且包括暴露所述連接輔助的接觸孔的鈍化層；和包括多個(gè)子像素電極并且形成于所述鈍化層上的像素電極，其中所述子像素電極通過所述接觸孔而分別連接所述接觸輔助，并且其中所述子像素電極通過所述連接輔助相互電連接并且至少所述子像素電極之一電連接漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中所述子像素電極包括透射電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中至少所述子像素電極之一包括反射電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中所述子像素電極具有帶圓角的基本矩形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，還包括面對(duì)所述第一基底的第二基底；和在所述第二基底上形成并且包括分別基本形成于子像素電極中心上的多個(gè)切口的公共電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中所述切口具有圓形形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中所述連接輔助形成于與數(shù)據(jù)線相同的面板的層上。
8.一種面板，包括第一基底；在所述第一基底上形成的柵極線；與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線；連接所述柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；和連接所述薄膜晶體管并且包括多個(gè)子像素電極和使所述子像素電極相互連接的連接輔助的像素電極，其中所述連接輔助布置在所述像素電極的左側(cè)或右側(cè)并且使所述子像素電極相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，還包括面對(duì)所述第一基底的第二基底；在所述第二基底上形成的遮光構(gòu)件；和在所述第二基底上形成的公共電極，其中所述連接輔助重疊所述遮光構(gòu)件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的面板，其中所述子像素電極具有帶圓角的基本矩形形狀并且所述連接輔助連接所述子像素電極的左邊或右邊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的面板，其中所述連接輔助交替連接所述子像素電極的左邊或右邊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的面板，其中所述公用電極包括多個(gè)切口。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的面板，其中所述切口具有圓形形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中所述連接輔助連接到相鄰子像素電極的對(duì)邊。
15.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中所述子像素電極包括透射電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中至少一個(gè)子像素電極包括反射電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中所述連接輔助形成在與像素電極相同的層內(nèi)。
18.一種形成顯示面板的方法，所述方法包括在第一基底上形成柵極線、數(shù)據(jù)線和漏極，所述數(shù)據(jù)線與柵極線交叉并且所述漏極面對(duì)數(shù)據(jù)線；在所述第一基底上形成薄膜晶體管并且連接所述柵極線和數(shù)據(jù)線；連接所述像素電極到所述薄膜晶體管，所述像素電極包括多個(gè)子像素電極；和形成使所述子像素電極相互連接的連接輔助；其中至少一個(gè)子像素電極連接漏極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述連接輔助的形成包括在與像素電極不同的陣列面板的層上形成所述連接輔助。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述連接輔助的形成包括在像素電極的陣列面板相同的層上形成所述連接輔助，所述連接輔助包括第一連接部和第二連接部，其中所述第一連接部和第二連接部連接所述子像素電極的邊并且交替向所述像素電極的左和右側(cè)布置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種面板及其制造方法，所述面板包括在第一基底上的柵極線、覆蓋所述柵極線的柵極絕緣層、在所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、與所述柵極線交叉并且包括源極的在所述半導(dǎo)體層上面對(duì)所述源極的漏極數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線分離的連接輔助、覆蓋所述半導(dǎo)體層并且包括暴露所述接觸輔助的接觸孔的鈍化層和包括多個(gè)子像素電極并且形成于所述鈍化層上的像素電極。所述子像素電極通過所述連接孔連接所述連接輔助，通過所述連接輔助相互電連接并且至少一個(gè)所述子像素電極電連接漏極。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101025530SQ20061017013
公開日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2006年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月23日
發(fā)明者李宰瑛, 樸源祥, 尹海榮, 金尚佑, 林載翊, 李承珪, 沈昌佑, 呂庸碩, 崔智娟 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社