專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別涉及在光照射下賦予取向膜取向控制功能的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為取向處理用于液晶顯示裝置的取向膜、即賦予取向控制功能的方法，迄今為止有摩擦(rubbing)處理的方法。摩擦取向處理是通過用布在規(guī)定方向上摩擦取向膜，進(jìn)行取向處理。另一方面，作為非接觸地賦予取向膜取向控制功能的方法，有光取向法。
專利文獻(xiàn)1公開了下述技術(shù)，即對(duì)取向膜照射紫外線的偏振光，利用光能量反應(yīng)引起的激發(fā)狀態(tài)使取向膜的分子鏈發(fā)生新的鍵合反應(yīng)或分解反應(yīng)，由此賦予液晶分子預(yù)傾角(pretilt angle)和方向性。
特開平7-318942號(hào)公報(bào)(相關(guān)專利US5,604,615)發(fā)明內(nèi)容此種取向膜由聚酰亞胺類樹脂的涂布膜形成。使用帶有烷基側(cè)鏈的聚酰亞胺樹脂利用光取向賦予取向膜取向控制功能時(shí)，可通過使偏振光對(duì)基板面的照射方向傾斜來形成預(yù)傾角。但是現(xiàn)有的例子中未考慮紫外線切斷得到的微小分解產(chǎn)物的生成量。分解產(chǎn)物的量成為殘留圖像特性或熱穩(wěn)定性、電穩(wěn)定性下降等顯示性能變差的要因。
具體而言，如果取向膜具有離子的吸附點(diǎn)，則液晶中的離子在該吸附點(diǎn)反復(fù)吸附、解吸，由此導(dǎo)致取向膜上起因于直流成分(DC)的殘留圖像特性發(fā)生劣化。如果取向膜的分解產(chǎn)物(短分子成分)大量殘留，則引起下述現(xiàn)象。
(1)由于該短分子成分為低分子量，因此超過一定量的殘留成分溶出于液晶中，導(dǎo)致液晶分子取向的電壓保持率下降。
(2)如果假定該短分子成分為摩擦產(chǎn)生的磨屑之類物質(zhì)，則大量殘留導(dǎo)致取向膜表面的彈性率下降。
(3)由于大量殘留的短分子成分不利于取向控制，故降低取向膜的熱穩(wěn)定性或電特性。
本發(fā)明的目的在于消除上述問題，使采用光解型光取向膜的液晶顯示裝置能進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。
通過在光取向處理后的取向膜內(nèi)殘留規(guī)定量的來源于該取向膜的分解產(chǎn)物(短分子成分)，實(shí)現(xiàn)上述目的。該短分子成分是在光照射下生成的取向膜的分解產(chǎn)物殘留形成的。本發(fā)明特征在于以單位面積來規(guī)定該分解產(chǎn)物的殘留量。
本發(fā)明的液晶顯示裝置具備液晶顯示面板，所述液晶顯示面板由在形成有用于像素選擇的有源(active)元件的主面的最上層上具有第1取向膜的第1基板、形成有濾色器的主面的最上層上具有第2取向膜的第2基板、封入所述第1基板的所述第1取向膜與所述第2基板的所述第2取向膜之間的液晶構(gòu)成。
其特征在于，上述第1取向膜與上述第2取向膜均通過光照射被賦予液晶取向功能，上述賦予了液晶取向功能的取向膜中含有規(guī)定量的來源于該取向膜的短分子成分。
其特征在于，上述短分子成分為在光照射下生成的取向膜的分解產(chǎn)物，該分解產(chǎn)物在取向膜中的量為0.1ng以上、3957.5ng以下，另外，其上限還可以為1000.0ng以下，其上限也可以為500.0ng以下。
可以根據(jù)適當(dāng)選擇取向膜所要求的功能性，選擇上述分解產(chǎn)物的最適量的范圍。
需要說明的是，本發(fā)明并不限定于上述結(jié)構(gòu)及下述實(shí)施方式所公開的結(jié)構(gòu)，不言而喻，只要不脫離本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，可以對(duì)包含所謂TN型、所謂IPS型、所謂VA型的所有液晶顯示裝置進(jìn)行各種變更。
根據(jù)本發(fā)明可以適當(dāng)?shù)匾种埔壕е械碾x子吸附在取向膜的膜分子的極性部分(例如，聚酰亞胺的末端部分或聚酰亞胺的酰亞胺環(huán)C＝O部、具有高極性的取代基作為聚酰亞胺的側(cè)鏈的情況)。
由此，能抑制由吸附離子性雜質(zhì)引起的起因于DC的殘留圖像特性的劣化，得到高品質(zhì)的圖像顯示。


本發(fā)明的伴隨光取向處理產(chǎn)生的來源于取向膜的分解產(chǎn)物的代表性結(jié)構(gòu)式的說明圖[圖2]說明液晶顯示面板的簡略結(jié)構(gòu)的剖面圖[圖3]用于從圖2所示的液晶顯示面板中采集試樣的工序圖[圖4]用于從圖2所示的液晶顯示面板中采集試樣的圖3的后續(xù)工序圖[圖5]使用本發(fā)明試樣基板的低分子量成分測定系統(tǒng)的測定步驟的說明圖[圖6]圖5中的生成氣體濃縮(收集)裝置的構(gòu)成圖[圖7]模式地表示構(gòu)成本發(fā)明的液晶顯示裝置的液晶顯示面板的外觀的側(cè)視圖[圖8]模式地說明構(gòu)成本發(fā)明的液晶顯示裝置的液晶顯示面板整體的構(gòu)成例的展開側(cè)視圖[圖9]模式地說明光取向的處理裝置的圖[圖10]表示連接在分解產(chǎn)物的Y1上的物質(zhì)結(jié)構(gòu)式的圖[圖11]表示連接在分解產(chǎn)物的Y2上的物質(zhì)結(jié)構(gòu)式的圖[圖12]GC色譜圖的例子[圖13]說明電壓保持率的圖[圖14]表示電壓保持率與分解產(chǎn)物的量的關(guān)系圖符號(hào)說明SUB1薄膜晶體管基板SUB2濾色器基板
GCMS帶有濃縮導(dǎo)入裝置的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀QCB石英室S-SUB1試樣基板HTR加熱裝置TTB接收管具體實(shí)施方式
下面參照實(shí)施例的附圖詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明。
圖1是作為本發(fā)明中伴隨光取向處理產(chǎn)生的來源于取向膜的分解產(chǎn)物的短分子成分的代表性結(jié)構(gòu)式的說明圖。此處僅給出代表性結(jié)構(gòu)，顯然本發(fā)明并不限定于此。
另外，圖1中X連接H、CH3、(CH2)n-CH3、(CF2)n-CF3等。Y1連接H、CH3或圖10表示的物質(zhì)。Y2連接圖11表示的物質(zhì)。
本實(shí)施例檢驗(yàn)上述分解產(chǎn)物的殘留量對(duì)取向膜功能的影響。具體而言，使用下述材料制作具有各種條件的取向膜的液晶顯示器(LCD)面板。
<材料>
BAPP/CBDA的縮聚物(Mw＝50000)BAPP2，2-二{4-(對(duì)氨基苯氧基)苯基}丙烷CBDA1，2，3，4-環(huán)丁烷四羧酸二酐<LCD制作方法>
采用旋涂法或印刷法等分別在TFT基板與LCD基板上制作取向膜，在干凈的烘箱(clean oven)中、在230℃下加熱2小時(shí)左右。在此處取向膜的膜厚為100nm，但賦予取向所必須的膜厚只要為約20～200nm即可。改變下述條件，對(duì)制成的取向膜賦予取向控制功能，所述條件為光的照射量(積算光量)、是否用半導(dǎo)體制造等級(jí)的純水清洗、是否在光照射后加熱。其后，粘合TFT基板和LCD基板，注入液晶，制作LCD。
另外，通過摩擦處理使積算光量為0的試樣No.1取向。上述取向膜的制作條件示于下表1。


<取向膜功能的檢驗(yàn)>
本實(shí)施例基于電壓保持率、殘留圖像消失等級(jí)、LCD單元的可靠性觀點(diǎn)，對(duì)多個(gè)如上所述制得的LCD的分解產(chǎn)物適當(dāng)量進(jìn)行檢驗(yàn)。
《分解產(chǎn)物生成量的測定方法》此處，對(duì)殘留在取向膜中的分解產(chǎn)物(低分子量成分)的測定方法進(jìn)行說明。圖2、圖3、圖4是從液晶顯示面板采集測定用試樣的順序的說明圖。此處以構(gòu)成有源矩陣(active matrix)方式的TN型液晶顯示裝置的液晶顯示面板為例進(jìn)行說明。需要說明的是，液晶顯示裝置是在液晶顯示面板中插入驅(qū)動(dòng)電路或顯示控制裝置而構(gòu)成的。下面有時(shí)將液晶顯示面板簡稱為面板。
圖2是說明液晶顯示面板的簡略結(jié)構(gòu)的剖面圖。液晶顯示面板是在作為第1基板的薄膜晶體管基板SUB1與作為第2基板的濾色器基板SUB2之間挾住液晶LC而構(gòu)成的。此處，從短邊長為140mm以上的液晶顯示面板中采集試樣。
圖3為用于從圖2所示的液晶顯示面板中采集試樣的工序圖。圖3(A)為標(biāo)記(marking)工序，在從面板的端部到內(nèi)側(cè)的距離a、b、c、d均為20mm以上的部位形成的e＝120mm×f＝120mm的正方形的四角標(biāo)記+。使用玻璃筆進(jìn)行標(biāo)記。此時(shí)，對(duì)薄膜晶體管基板SUB1側(cè)與濾色器基板SUB2側(cè)的兩面一致之處實(shí)施標(biāo)記。
圖3(B)為清洗工序。該工序中，用丙酮等有機(jī)溶劑清洗圖3(A)中標(biāo)記得到的正方形部分的表面(薄膜晶體管基板SUB1側(cè)與濾色器基板SUB2側(cè)的兩面)。清洗的目的是為了在隨后實(shí)施的分析中，不檢出試樣表面的污漬。因此，接觸試樣時(shí)，戴上在半導(dǎo)體組裝等中使用的無塵手套。另外，在放置試樣的支架(圖上未標(biāo)識(shí))上，放上尺寸大于試樣的未使用過的清潔紙，在源極上放置試樣。每次將試樣翻面時(shí)都要更換清潔紙。
作為清洗方法之一例，將純度為99％以上的新品丙酮涂布在未使用過的布上，用該布擦拭所希望區(qū)域表面上的污漬。優(yōu)選對(duì)薄膜晶體管基板SUB1側(cè)與濾色器基板SUB2側(cè)分別至少重復(fù)5次上述操作。
圖3(C)是從面板采集試樣的切斷工序。在與清洗后的120mm×120mm的正方形區(qū)域的四邊分別距離10mm的內(nèi)側(cè)部分切斷面板，切出100mm×100mm的正方形。此時(shí)，為了在隨后的分析中不檢出試樣表面的污漬，也戴上在半導(dǎo)體組裝等中使用的無塵手套。另外，切斷時(shí)的支架(圖上未標(biāo)識(shí))上與上述同樣地放上尺寸大于試樣的未使用過的清潔紙，在源極上放置試樣。
圖4是用于從圖2所示的液晶顯示面板采集試樣的圖3的后續(xù)工序圖。圖4(D)是面板分離工序，表示在圖3(C)中清洗后的試樣的平面圖。將該試樣分成薄膜晶體管基板SUB1與濾色器基板SUB2。分離時(shí)，由于兩基板間夾著液晶，故例如可以在兩基板間吹入空氣剝離兩基板。
進(jìn)行該分離工序時(shí)，也戴上上述在半導(dǎo)體組裝等中使用的無塵手套。另外，如圖4(E)所示，將分離得到的兩基板(分析用試樣基板S-SUB1與S-SUB2)放于支架(圖上未標(biāo)識(shí))上時(shí)，也放上尺寸大于試樣的未使用過的清潔紙，使作為面板內(nèi)側(cè)的一面朝上放置在清潔紙上。需要說明的是，此處僅以薄膜晶體管基板側(cè)SUB1作為分析用試樣基板S-SUB1時(shí)，可以丟棄分離得到的作為濾色器基板側(cè)的另一張?jiān)嚇踊錝-SUB2，但是假定進(jìn)一步進(jìn)行取向膜的分析時(shí)，優(yōu)選對(duì)該試樣基板S-SUB2進(jìn)行與試樣基板S-SUB1相同的操作。
圖4(F)是液晶沖洗工序，除去殘留附著在試樣基板SUB1上的液晶。用經(jīng)丙酮清洗后的鑷子等夾住試樣基板S-SUB1，將純度為99％以上的環(huán)己烷CH直接賦予試樣基板S-SUB1的兩面，沖洗液晶。之后，用高壓空氣等使試樣基板表面的環(huán)己烷干燥并除去。該操作至少重復(fù)10次。在該液晶沖洗工序中，也戴上上述在半導(dǎo)體組裝等中使用的無塵手套。
將經(jīng)過液晶沖洗工序的試樣基板S-SUB1置于圖中未標(biāo)識(shí)的支架上時(shí)，也在支架上放上相同的清潔紙，使薄膜晶體管圖案面朝上。
上面說明了從短邊尺寸為140mm以上的液晶顯示面板中采集試樣的工序，但從短邊尺寸不足140mm的液晶顯示面板中采集試樣時(shí)，可以由多張面板與上述相同地進(jìn)行試樣切割，使試樣基板的總面積為100mm2。或者，當(dāng)只能準(zhǔn)備25mm2的試樣時(shí)，將測定的分析結(jié)果換算成100mm2。
測定如上所述地采集的試樣的分解產(chǎn)物(低分子量成分)量。
圖5說明使用本發(fā)明的試樣基板的分解產(chǎn)物生成量測定系統(tǒng)的測定步驟。該測定系統(tǒng)由生成氣體濃縮(收集)裝置GCC與帶有生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS構(gòu)成。圖6是圖5的生成氣體濃縮(收集)裝置GCC的結(jié)構(gòu)圖。生成氣體濃縮(收集)裝置GCC為GL SCIENCE社制的“MSTD258MB”，帶有生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS是島津制作所制的“GC/MSQP-2010”。
圖5中的生成氣體濃縮(收集)裝置GCC是在圖6所示的石英室(chamber)QCB中裝入試樣基板S-SUB1，導(dǎo)入氦氣He作為凈化氣(purge gas)，邊從試樣的背面進(jìn)行凈化，邊用加熱裝置HTR在250℃下加熱30分鐘。此期間，收集石英室QCB內(nèi)的氣體作為收集氣體CG，將其從接收(trap)管TTB的一端導(dǎo)入。
接收管TTB為玻璃管，其中充填了收集用樹脂(2，6-二苯醚結(jié)構(gòu)的耐熱性樹脂)，利用泵等從另一端進(jìn)行排氣使收集氣體CG通過。通過過程中，收集氣體CG中含有的成分吸附到接收管TTB內(nèi)。取下該接收管TTB，安裝在圖5的帶有生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS上。
通過對(duì)安裝在圖5的帶有生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS的生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置上的接收管TTB進(jìn)行加熱至270℃后、冷卻到-130℃、再加熱至270℃的處理，將吸附在接收管TTB內(nèi)的成分濃縮。將濃縮后的接收管TTB從生成氣體濃縮導(dǎo)入裝置上取下，安裝在氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS上。在氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀GCMS中，加熱至40℃，保持5分鐘。其后，在10℃下加熱1分鐘，進(jìn)一步在280℃下保持21分鐘。通過該處理分析成分，得到色譜圖。
得到的色譜圖之一例如圖12所示。圖12是GC色譜圖的例子。另外，雖然圖上未標(biāo)識(shí)，但是得到各色譜峰的MS譜，進(jìn)行鑒定。由該分析結(jié)果得到的一例示于下表2。


如上所述，對(duì)各試樣，計(jì)算分解產(chǎn)物的峰面積總和，以基準(zhǔn)物質(zhì)C16為基礎(chǔ)，計(jì)算取向膜中的分解產(chǎn)物生成量。上表顯示檢出485.8ng分解產(chǎn)物。
《電壓保持率(VHR)的測定方法》電壓保持率是表示下述情況下電壓下降程度的指標(biāo)，即首先在液晶單元的電極間施加電壓，使其處于完全充電的狀態(tài)，然后，將電路改變?yōu)榉烹姞顟B(tài)時(shí)電壓下降的程度。向液晶單元施加的驅(qū)動(dòng)電壓V0與電極間電位V之間的關(guān)系如圖13所示。該圖中，VHR為保持在1幀(frame)期間充電的電荷的比例(面積比)，用下式(1)定義。
VHR＝S1/(S1+S2) ...(1)對(duì)作為評(píng)價(jià)對(duì)象的LCD的TFT元件施加使其經(jīng)常處于ON狀態(tài)的電壓(例如，柵極-共用電極(gate-common)間為18V)。對(duì)于漏極-共用電極(drain-common)間電壓，每幀僅施加一定時(shí)間的規(guī)定電壓，此外的期間從漏極-共用電極驅(qū)動(dòng)電路切斷，處于開路狀態(tài)。監(jiān)控此時(shí)的電極間的電位。
此處，測定條件如下所示。
柵極-共用電極電壓18V(直流)漏極-共用電極幀頻率(設(shè)定值)3Hz漏極-共用電極電壓施加時(shí)間(設(shè)定值)0.0267s漏極-共用電極電壓(設(shè)定值)4V測定溫度25℃《殘留圖像消失等級(jí)的檢驗(yàn)》如下所述地對(duì)殘留圖像消失等級(jí)進(jìn)行檢驗(yàn)。
(A)評(píng)價(jià)方法使液晶顯示面板顯示畫面被黑白相間地分成16份的黑白旗(checker flag)狀圖案。保持該狀態(tài)2分鐘。用中間色調(diào)測定黑白旗狀圖案消失的時(shí)間。
(B)評(píng)價(jià)基準(zhǔn)等級(jí)31分鐘時(shí)不消失。
等級(jí)21分鐘以內(nèi)消失。
等級(jí)1出現(xiàn)殘留圖像，2、3秒以內(nèi)消失。
等級(jí)0不產(chǎn)生殘留圖像。
《LCD單元可靠性的檢驗(yàn)》對(duì)LCD單元可靠性如下所述地劃分等級(jí)。
等級(jí)1在100℃的高溫下放置1000小時(shí)后，出現(xiàn)黑畫面，生成暈斑。
等級(jí)0在100℃的高溫下放置1000小時(shí)顯示也正常。
《檢驗(yàn)結(jié)果》按照上述各種檢驗(yàn)方法，分析表1的試樣的結(jié)果示于下表3。


如果伴隨光取向處理產(chǎn)生的來源于取向膜的分解產(chǎn)物多，則作為聚酰亞胺的特性大幅度降低，成為降低作為聚酰亞胺優(yōu)點(diǎn)的熱穩(wěn)定性或電穩(wěn)定性的原因。
上述表3中，對(duì)于LCD單元的可靠性，試樣No.11生成斑點(diǎn)，為等級(jí)1。因此，從LCD可靠性觀點(diǎn)考慮，分解產(chǎn)物的量至少為3957.5ng以下，優(yōu)選為3500.0ng以下。
另外，從上述分析結(jié)果得到的分解產(chǎn)物生成量與電壓保持率的關(guān)系示于圖14。分解產(chǎn)物的低分子量成分在結(jié)晶中溶出的可能性高，導(dǎo)致電壓保持率(取向保持率)下降。圖14的圖中，分解產(chǎn)物生成量為1000ng以上時(shí)電壓保持率下降的傾向顯著。如果考慮該情形，則分解產(chǎn)物生成量優(yōu)選為1000.0ng以下。
并且由于低分子量成分的存在導(dǎo)致取向膜表面的彈性率下降，因此優(yōu)選殘留量更少。但是，另一方面，通過少量存在低分子量成分，使液晶中的離子性雜質(zhì)不吸附在取向膜表面，而是被低分子量成分捕獲，提高起因于DC的殘留圖像特性。由表3的殘留圖像消失等級(jí)檢驗(yàn)的結(jié)果可知?dú)埩袅?的試樣No.1中殘留圖像不消失。另外，作為分解產(chǎn)物生成量的下限值，由于考慮只要存在少量分解產(chǎn)物即具有殘留圖像消失的效果，故只要為0.1ng以上即認(rèn)為有效。
另外，試樣No.2～No.6中未出現(xiàn)殘留圖像，試樣No.7以后產(chǎn)生殘留圖像。作為分解產(chǎn)物生成量的上限值，只要為試樣No.6和No.7之間的殘留量、即只要為500.0ng以下即認(rèn)為有效。
由此，從殘留圖像消失的觀點(diǎn)來看，分解產(chǎn)物生成量只要為0.1ng以上、500.0ng以下即可，從完全不產(chǎn)生殘留圖像的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為4.8ng以上、485.8ng以下。
根據(jù)該分析，可以分別從電壓保持率、殘留圖像消失等級(jí)、LCD單元的可靠性觀點(diǎn)考慮，檢驗(yàn)分解產(chǎn)物的最適量。
另外，可以通過參照表1制作具有上述分解產(chǎn)物的最適量的取向膜。
<LCD的整體結(jié)構(gòu)>
圖7是模式地表示構(gòu)成本發(fā)明的液晶顯示裝置的液晶顯示面板外觀的側(cè)視圖。該液晶顯示面板是粘合薄膜晶體管(TFT)基板SUB1與濾色器(CF)基板SUB2，在兩基板的粘合間隙中封入液晶。TFT基板SUB1的兩邊從CF基板SUB2的對(duì)應(yīng)的兩邊露出，在該露出的短邊上搭載作為掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路芯片的柵極驅(qū)動(dòng)器(gate driver)GDR，長邊上搭載作為顯示信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路芯片的漏極驅(qū)動(dòng)器(draindriver)DDR。圖7中繪制了二個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器GDR，五個(gè)漏極驅(qū)動(dòng)器DDR，但其是模式圖，各驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量取決于液晶顯示面板的尺寸、精密度等。
圖8是模式地說明液晶顯示裝置整體的結(jié)構(gòu)例的展開側(cè)視圖。圖8使用了所謂縱向電場方式(TN方式)的液晶顯示面板。需要說明的是，圖8中，用相同尺寸表示TFT基板SUB1與CF基板SUB2，但實(shí)際上如圖7所說明，TFT基板SUB1從CF基板SUB2中露出。其在圖8中用縱向虛線表示。TFT基板SUB1的主面上形成作為有源元件的使用薄膜晶體管電路的矩陣排列的多個(gè)構(gòu)成像素的像素電極PX、組裝在像素的矩陣排列區(qū)域(顯示區(qū)域)周圍的柵極驅(qū)動(dòng)器GDR、漏極驅(qū)動(dòng)器DDR及附屬電路CIR。覆蓋包括該顯示區(qū)域的最表面形成TFT基板側(cè)取向膜OR I 1。
CF基板SUB2的主面上形成對(duì)置電極(在該方式中也稱為共通電極)CT與濾色器CF，覆蓋包括對(duì)應(yīng)于上述顯示區(qū)域的區(qū)域的最表面形成CF基板側(cè)取向膜OR I 2。
然后，在TFT基板SUB1的取向膜OR I 1和CF基板SUB2的取向膜OR I 2之間封入液晶LC，并用粘合劑SL密封。
需要說明的是，在TFT基板SUB1的外面及CF基板SUB2的外面，分別層疊有偏光板POL1、POL2。該液晶顯示裝置為透射型，TFT基板SUB1的背面設(shè)置有背光(back light)BL。
<光取向的處理裝置>
圖9模式地說明光取向的處理裝置。TFT基板SUB1或CF基板SUB2的主面上形成未賦予取向控制功能的取向膜OR I 1或OR I 2。使用紫外燈UVL作為光源。用偏光鏡PLZ從紫外燈UVL發(fā)出的紫外線中只選擇規(guī)定的偏光成分，照射形成在TFT基板SUB1或CF基板SUB2上的取向膜OR I 1或OR I 2。將TFT基板SUB1或CF基板SUB2向箭頭A方向傳送，賦予基板整個(gè)區(qū)域的取向膜取向控制功能。需要說明的是，基板相對(duì)于光源的移動(dòng)是相對(duì)的，也可以使光源側(cè)移動(dòng)，或者也可以使光源與基板兩者均移動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置具有第1基板、第2基板和液晶，所述第1基板在形成有像素選擇用有源元件的基板的最上層具有第1取向膜，所述第2基板在形成有濾色器的基板的最上層具有第2取向膜，所述液晶被封入所述第1取向膜與所述第2取向膜之間，其特征為，所述第1取向膜與所述第2取向膜均通過光照射被賦予液晶取向功能，所述賦予了取向功能的取向膜內(nèi)含有來源于該取向膜的短分子成分。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述短分子成分為在光照射下生成的取向膜的分解產(chǎn)物。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為3957.5ng以下。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為3500.0ng以下。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為1000.0ng以下。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為500.0ng以下。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為0.1ng以上。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述分解產(chǎn)物的殘留量在每100cm2內(nèi)為4.8ng以上、485.8ng以下。
9.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，形成所述取向膜時(shí)，進(jìn)行積算光量為1.5～10.0J/cm2的光照射，之后，加熱該取向膜。
全文摘要
本發(fā)明抑制使用光解型光取向膜的液晶顯示裝置的該取向膜伴隨光取向處理產(chǎn)生的雜質(zhì)引起的顯示性能的劣化，能進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。在被賦予了液晶取向功能的取向膜上，來源于該取向膜的分解產(chǎn)物為每100cm
文檔編號(hào)G02F1/133GK1991525SQ200610169998
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日
發(fā)明者酒井亞紀(jì), 國松登, 園田英博, 松山茂 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器