專利名稱：密封結(jié)構(gòu)、密封方法、液晶裝置及其制造方法、投影儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及密封結(jié)構(gòu)、密封方法、液晶裝置及其制造方法、以及投影儀。
背景技術(shù)：
作為液晶投影儀等投影型顯示裝置的光調(diào)制機(jī)構(gòu)而被利用的液晶裝置，在一對(duì)基板間的周緣部配設(shè)密封材料，并在其中央部密封有液晶層。在該一對(duì)基板的內(nèi)側(cè)形成有對(duì)液晶層施加電壓的電極。在該電極的內(nèi)側(cè)形成有在非選擇電壓施加時(shí)控制液晶分子的取向的取向膜?；诜沁x擇電壓施加時(shí)和選擇電壓施加時(shí)的液晶分子的取向變化，調(diào)制光源光，以制作圖像光。
作為取向膜，可以利用對(duì)由附加了側(cè)鏈烷基(alkyl)的聚酰亞胺(polyimide)等構(gòu)成的高分子膜的表面實(shí)施了研磨(rubbing)處理的膜。所謂研磨處理是指通過用柔軟的布構(gòu)成的輥(roller)在規(guī)定方向上摩擦高分子膜的表面而使高分子取向在規(guī)定方向。通過該取向性高分子和液晶分子的分子間相互作用，使液晶分子沿取向性高分子配置。即，非選擇電壓施加時(shí)的液晶分子取向在規(guī)定方向上。而且，通過側(cè)鏈烷基向液晶分子提供預(yù)傾斜(pretilt)。
在將備有有機(jī)取向膜的液晶裝置用作投影儀的光調(diào)制機(jī)構(gòu)的情況下，由于從光源照射的強(qiáng)光或熱，有可能使取向膜慢慢分解。長(zhǎng)時(shí)間使用之后，有液晶分子沒有排列為期望的預(yù)傾斜角等、液晶分子的取向控制功能以及液晶投影儀的顯示品質(zhì)降低的可能性。
因而，一直對(duì)由耐光性以及耐熱性優(yōu)越的無機(jī)材料構(gòu)成的取向膜的采用進(jìn)行研究。作為無機(jī)取向膜的制造方法，提出了離子束濺射法或斜方蒸鍍法等方案(例如參照特開昭57-157214號(hào)公報(bào))。在這些方法中，以規(guī)定的入射角度對(duì)基板連續(xù)入射無機(jī)材料的粒子而形成由無機(jī)材料的柱狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的無機(jī)取向膜。在液晶裝置中，液晶分子沿?zé)o機(jī)取向膜的柱狀結(jié)構(gòu)體取向。也就是說，由無機(jī)取向膜賦予對(duì)液晶分子的取向限制以及預(yù)傾斜。
為了在一對(duì)基板間密封液晶層，需要在無機(jī)取向膜的表面配設(shè)密封材料。但是，因?yàn)橛芍鶢罱Y(jié)構(gòu)體構(gòu)成的無機(jī)取向膜是多孔質(zhì)的，故有可能在密封材料和無機(jī)取向膜的界面上形成較大的間隙。在水分或雜質(zhì)等通過該間隙從液晶裝置的外部侵入到液晶層的情況下，主要妨礙液晶裝置中的液晶分子的取向控制功能。這個(gè)可導(dǎo)致液晶投影儀的可靠性的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種可以降低水分或雜質(zhì)等侵入的可能性的密封結(jié)構(gòu)、密封方法、液晶裝置及其制造方法。另外，目的在于提供一種可靠性優(yōu)越的投影儀。
本發(fā)明的密封結(jié)構(gòu)是針對(duì)多孔質(zhì)層的密封結(jié)構(gòu)，其中具備第1密封材料，其配設(shè)在所述多孔質(zhì)層的表面；和第2密封材料，其配設(shè)在所述多孔質(zhì)層的表面并且具有水硬性。
根據(jù)該構(gòu)成，通過第2密封材料的水分吸收，可防止介由第1密封材料和多孔質(zhì)層的界面的水分的侵入、以及介由多孔質(zhì)層的內(nèi)部的水分的侵入。
本發(fā)明的液晶裝置，其中具備一對(duì)基板；液晶層，其配置在所述一對(duì)基板之間；第1密封材料，其配置在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍并密封所述液晶層；和第2密封材料，其配置在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍并具有水硬性。
根據(jù)該構(gòu)成，通過第2密封材料的水分吸收，可防止水分從液晶裝置的外部侵入到液晶層。
希望在所述基板的內(nèi)面形成有多孔質(zhì)的取向膜。
根據(jù)該構(gòu)成，可防止介由第1密封材料和多孔質(zhì)層的界面的水分對(duì)液晶層的侵入、以及介由取向膜的內(nèi)部的水分對(duì)液晶層的侵入。
希望所述第2密封材料配設(shè)在所述第1密封材料的外側(cè)。
根據(jù)該構(gòu)成，通過使第2密封材料露出到外部而確實(shí)地固化第2密封材料。
希望所述第2密封材料由以金屬醇鹽為主成分的材料構(gòu)成。
根據(jù)該構(gòu)成，第2密封材料吸收水分而確實(shí)地進(jìn)行固化。
本發(fā)明的液晶裝置的制造方法，是在一對(duì)基板間密封了液晶層的液晶裝置的制造方法，其中具有隔著所述液晶層的周圍所配置的第1密封材料，粘合所述一對(duì)基板的工序；和在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍配置具有水硬性的第2密封材料的工序。
根據(jù)該構(gòu)成，提供一種通過第2密封材料的配置可防止水分對(duì)液晶層的侵入的液晶裝置。
本發(fā)明的密封方法，其中具有在所述多孔質(zhì)層的表面配置密封材料的工序；和向所述多孔質(zhì)層中的所述密封材料的配置區(qū)域，賦予對(duì)所述密封材料的親和性的工序。
根據(jù)該構(gòu)成，容易將密封材料填充到多孔質(zhì)層，因此可以防止水分經(jīng)由密封材料與多孔質(zhì)層的侵入及水分經(jīng)由多孔質(zhì)層內(nèi)部的侵入。
本發(fā)明的液晶裝置的制造方法，其是在第1基板與第2基板之間密封了液晶層的液晶裝置的制造方法，其中具有隔著配置在所述液晶層周圍的第1密封材料，粘合所述第1基板與所述第2基板的工序；和對(duì)所述第1基板或所述第2基板的所述密封材料的配置區(qū)域賦予對(duì)所述密封材料的親和性的工序。
根據(jù)該構(gòu)成，基板相對(duì)于密封材料的濕潤(rùn)性良好，因而使水分侵入到液晶層的可能性降低。
希望只向所述第1基板或第2基板中的所述密封材料的所述配置區(qū)域賦予對(duì)所述密封材料的親和性。
根據(jù)該構(gòu)成，只使密封材料的配設(shè)區(qū)域活性化，從而可防止對(duì)除此以外的區(qū)域的吸濕性的賦予。
希望向所述第1基板或第2基板上形成的多孔質(zhì)的取向膜賦予對(duì)所述密封材料的親和性。
根據(jù)該構(gòu)成，取向膜對(duì)密封材料的濕潤(rùn)性良好，因而可防止介由密封材料和取向膜的界面的水分對(duì)液晶層的浸入、以及介由取向膜的內(nèi)部的水分對(duì)液晶層的浸入。
所述賦予對(duì)密封材料的親和性的工序可以具有對(duì)所述第1基板或所述第2基板照射光的工序；對(duì)所述第1基板或所述第2基板進(jìn)行等離子體處理的工序；或?qū)λ龅?基板或所述第2基板配置表面改性劑的配置的工序。
本發(fā)明的液晶裝置，使用上述的液晶裝置的制造方法。
根據(jù)該構(gòu)成，可以提供一種水分等浸入液晶層的可能性小的液晶裝置。
本發(fā)明的投影儀，將所述液晶裝置作為光調(diào)制機(jī)構(gòu)來具備。
根據(jù)該構(gòu)成，可以提供一種可靠性優(yōu)越的投影儀。


圖1是第1實(shí)施方式涉及的液晶裝置的TFT陣列基板的平面圖。
圖2是液晶裝置的等效電路圖。
圖3是液晶裝置的平面結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖4是液晶裝置的剖面結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖5A是離子束濺射裝置的示意圖。
圖5B是形成了無機(jī)取向膜的基板的側(cè)剖面圖。
圖6A、6B、以及6C是第1實(shí)施方式涉及的密封結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖7A、7B、以及7C是有機(jī)硅化合物的化學(xué)式。
圖8是第2實(shí)施方式涉及的液晶裝置的TFT陣列基板的平面圖。
圖9A、9B、以及9C是第2實(shí)施方式涉及的密封方法的說明圖。
圖10是表示投影儀的重要部分的概略構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下說明所利用的各附圖中，為了將各部件作成可識(shí)別的大小而適當(dāng)?shù)刈兏烁鞑考目s小比例。在本說明書中，將液晶裝置的各構(gòu)成部件中的液晶層側(cè)稱為內(nèi)側(cè)；而將其相反側(cè)稱為外側(cè)。另外，所謂“非選擇電壓施加時(shí)”以及“選擇電壓施加時(shí)”，分別是指“對(duì)液晶層的施加電壓處于閾值電壓附近之時(shí)”以及“對(duì)液晶層的施加電壓比閾值電壓高得多之時(shí)”。
(第1實(shí)施方式)最初，說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式。如圖6A～6C所示，第1實(shí)施方式涉及的液晶裝置，是在一對(duì)基板10、20間的周緣部配設(shè)有第1密封材料19并且在其中央部密封了液晶層50的液晶裝置60。在基板10、20間的第1密封材料19的外側(cè)配設(shè)有由水硬性材料構(gòu)成的第2密封材料80。而且，本實(shí)施方式的液晶裝置60，是利用了作為開關(guān)(switching)元件的薄膜晶體管(Thin Film Transistor、以下稱為TFT)元件的有源矩陣(activematrix)方式的透過型液晶裝置。
(液晶裝置)圖1是液晶裝置的TFT陣列(array)基板的平面圖。在TFT陣列基板10的中央部形成有圖像制作區(qū)域101。在該圖像制作區(qū)域101的周緣部配設(shè)有第1密封材料19。在圖像制作區(qū)域101密封有液晶層50(參照?qǐng)D4)。液晶層50是在基板上直接涂布液晶而形成的，在第1密封材料19上沒有設(shè)置液晶的注入口。在該第1密封材料19的外側(cè)配設(shè)有作為本實(shí)施方式的特征部分的第2密封材料80。在該第2密封材料80的外側(cè)，安裝有對(duì)后述的掃描線供給掃描信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)元件110、和對(duì)后述的數(shù)據(jù)線供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)元件120。該驅(qū)動(dòng)元件110、120、和TFT陣列基板10的端部的連接端子79，通過配線76進(jìn)行電連接。
在TFT陣列基板10所粘貼的對(duì)向基板20(參照?qǐng)D4)上，形成有共同電極21。共同電極21形成在圖像制作區(qū)域101的幾乎整個(gè)區(qū)域上。共同電極21的四角上設(shè)置有基板間導(dǎo)通部70。所述基板間導(dǎo)通部70和連接端子79通過配線78進(jìn)行電連接。由外部輸入的各種信號(hào)經(jīng)由連接端子79而被供給到圖像制作區(qū)域101，從而驅(qū)動(dòng)液晶裝置。
(等效電路)圖2是液晶裝置的等效電路圖。透過型液晶裝置的圖像制作區(qū)域具有配置為矩陣狀而且分別形成了像素電極9的多個(gè)點(diǎn)(dot)。在像素電極9的側(cè)方，形成有作為進(jìn)行向像素電極9的通電控制的開關(guān)元件的TFT元件30。TFT元件30的源極上連接著數(shù)據(jù)線6a。從所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)元件對(duì)各數(shù)據(jù)線6a供給圖像信號(hào)S 1、S2、…、Sn。
TFT元件30的柵極上連接著掃描線3a。從上述掃描線驅(qū)動(dòng)元件以規(guī)定的定時(shí)對(duì)掃描線3a脈沖狀地供給掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm。TFT元件30的漏極上連接著像素電極9。如果通過由掃描線3a供給的掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm，使作為開關(guān)元件的TFT元件30僅在一定期間導(dǎo)通，則由數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn，經(jīng)由像素電極9而以規(guī)定的定時(shí)被寫入到各點(diǎn)的液晶中。
寫入液晶內(nèi)的規(guī)定電平(level)的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn，在一定期間內(nèi)被保持形成于像素電極9和后述的共同電極之間的液晶電容中。為了防止所保持的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn泄漏(leak)，在像素電極9和電容線3b之間形成有和液晶電容并聯(lián)配置的存儲(chǔ)電容17。如果對(duì)液晶施加電壓信號(hào)，則液晶分子的取向狀態(tài)發(fā)生變化。其結(jié)果，使入射到液晶的光源光被調(diào)制，以制作圖像光。
(平面結(jié)構(gòu))圖3是液晶裝置的平面結(jié)構(gòu)的說明圖。在本實(shí)施方式的液晶裝置中，多個(gè)像素電極9(由虛線9a表示其輪廓)在TFT陣列基板上排列為矩陣狀。像素電極9具有矩形形狀并由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide、以下稱為ITO)等的透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。而且，在TFT陣列基板上，沿像素電極9的縱橫的境界設(shè)置有數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a以及電容線3b。在本實(shí)施方式中，形成了各像素電極9的矩形區(qū)域是點(diǎn)；并且配置衛(wèi)矩陣狀的每一個(gè)點(diǎn)皆是顯示區(qū)域。
TFT元件30，以多晶硅膜等構(gòu)成的半導(dǎo)體層1a為中心而形成。半導(dǎo)體層1a的源極區(qū)域(后述)介由接觸孔5與數(shù)據(jù)線6a相連接。半導(dǎo)體層1a的漏極區(qū)域(后述)介由接觸孔8與像素電極9相連接。在與半導(dǎo)體層1a中的掃描線3a的對(duì)向部分上形成有溝道區(qū)域1a’。
(剖面結(jié)構(gòu))圖4是液晶裝置的剖面結(jié)構(gòu)的說明圖、也是圖3的A-A’線的側(cè)剖面圖。如圖4所示，本實(shí)施方式的液晶裝置60具有TFT陣列基板10；對(duì)向基板20，其與TFT陣列基板10對(duì)向配置；和液晶層50，其被夾持在TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間。TFT陣列基板10具有由玻璃或石英等的透光性材料構(gòu)成的基板主體10A、分別形成在基板主體10A的內(nèi)側(cè)的TFT元件30、像素電極9、以及取向膜16。對(duì)向基板20具有由玻璃或石英等的透光性材料構(gòu)成的基板主體20A、分別形成在基板主體20A的內(nèi)側(cè)的共同電極21以及取向膜22。
在TFT陣列基板10的表面上形成有后述的第1遮光膜11a以及第1層間絕緣膜12。在第1層間絕緣膜12的表面上形成半導(dǎo)體層1a，并以該半導(dǎo)體層1a為中心形成TFT元件30。在與半導(dǎo)體層1a中的掃描線3a的對(duì)向部分上形成有溝道區(qū)域1a’。溝道區(qū)域1a’的一端側(cè)形成源極區(qū)域；另一端側(cè)形成漏極區(qū)域。該TFT元件30采用了LDD(Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)。因此，在源極區(qū)域以及漏極區(qū)域上分別形成了雜質(zhì)濃度相對(duì)高的高濃度區(qū)域、和相對(duì)低的低濃度區(qū)域(LDD區(qū)域)。也就是說，在源極區(qū)域形成了低濃度源極區(qū)域1b和高濃度源極區(qū)域1d；在漏極區(qū)域形成了低濃度漏極區(qū)域1c和高濃度漏極區(qū)域1e。
在半導(dǎo)體層1a的表面上形成有柵極絕緣膜2。在柵極絕緣膜2的表面上形成有掃描線3a。在與掃描線3a中的溝道區(qū)域1a’的對(duì)向部分上形成了柵電極。另外，在柵極絕緣膜2以及掃描線3a的表面上形成了第2層間絕緣膜4。第2層間絕緣膜4的表面形成了數(shù)據(jù)線6a。而且，通過形成于第2層間絕緣膜4上的接觸孔5，數(shù)據(jù)線6a和高濃度源極區(qū)域1d相連接。在第2層間絕緣膜4以及數(shù)據(jù)線6a的表面上形成了第3層間絕緣膜7。在第3層間絕緣膜7的表面上形成了像素電極9。經(jīng)由形成于第2層間絕緣膜4以及第3層間絕緣膜7上的接觸孔8，像素電極9和高濃度漏極區(qū)域1e相連接。以覆蓋像素電極9的方式形成無機(jī)取向膜16。通過無機(jī)取向膜16，可限制非選擇電壓施加時(shí)的液晶分子的取向。
還有，在本實(shí)施方式中，通過延伸設(shè)置半導(dǎo)體層1a，從而形成了第1存儲(chǔ)電容電極1f。另外，通過延伸設(shè)置柵極絕緣膜2，從而形成了介質(zhì)膜。通過在電介質(zhì)膜的表面上配置電容線3b而形成了第2存儲(chǔ)電容電極。由此，構(gòu)成了所述存儲(chǔ)電容17。
在與TFT元件30的形成區(qū)域?qū)?yīng)的基板主體10A的表面上形成了第1遮光膜11a。第1遮光膜11a防止入射到液晶裝置的光侵入半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)域1a’、低濃度源極區(qū)域1b以及低濃度漏極區(qū)域1c。
在對(duì)向基板20中的基板主體20A的表面上形成了第2遮光膜23；第2遮光膜23是防止入射到液晶裝置的光侵入半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)域1a’、低濃度源極區(qū)域1b、低濃度漏極區(qū)域1c等的部件，并被設(shè)置在俯視時(shí)與半導(dǎo)體層1a重疊的區(qū)域中。再有，在對(duì)向基板20的表面的幾乎整個(gè)區(qū)域上形成了由ITO等導(dǎo)電體構(gòu)成的共同電極21。在共同電極21的表面上形成了無機(jī)取向膜22。通過無機(jī)取向膜22限制非選擇電壓施加時(shí)的液晶分子的取向。
在TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間夾持著由向列(nematic)型液晶等構(gòu)成的液晶層50。向列型液晶分子具有正的介電常數(shù)各向異性；在非選擇電壓施加時(shí)沿基板水平取向，而在選擇電壓施加時(shí)沿電場(chǎng)方向垂直取向。再有，向列型液晶分子具有正的折射率各向異性；其雙折射和液晶層厚度之積(retardation延遲)Δnd，例如約是0.40μm(60℃)。根據(jù)TFT陣列基板10的取向膜16的取向限制方向、和根據(jù)對(duì)向基板20的取向膜22的取向限制方向，被設(shè)定為大約扭曲了90°的狀態(tài)。由此，本實(shí)施方式的液晶裝置60，以扭轉(zhuǎn)向列模式(twisted nematic mode)執(zhí)行動(dòng)作。
在各基板10、20的外側(cè)，配置了由對(duì)聚乙烯醇(PVA)摻雜了碘元素的材料等構(gòu)成的偏振片18、28。還有，作為優(yōu)選，將偏振片18、28安裝在由藍(lán)寶石玻璃或水晶等高熱傳導(dǎo)率材料構(gòu)成的支撐基板上，并與液晶裝置60隔開配置。偏振片18、28，具有吸收其吸收軸方向的直線偏振光、將透過軸方向的直線偏振光透過的功能。TFT陣列基板10的偏振片18，以其透過軸與取向膜16的取向限制方向幾乎一致的方式進(jìn)行配置。
液晶裝置60，將對(duì)向基板20面向光源側(cè)配置。只有光源光中與偏振片28的透過軸一致的直線偏振光透過偏振片28并入射到液晶裝置60。在非選擇電壓施加時(shí)的液晶裝置60中，以使相對(duì)基板水平取向的液晶分子呈向液晶層50的厚度方向扭曲了大約90°的螺旋狀的方式進(jìn)行層疊配置。入射到液晶裝置60的直線偏振光，被旋光大約90°后從液晶裝置60射出。該直線偏振光，因?yàn)榕c偏振片18的透過軸一致所以透過偏振片18。由此，在非選擇電壓施加時(shí)的液晶裝置60中進(jìn)行白顯示(normally white mode)。
在選擇電壓施加時(shí)的液晶裝置60中，液晶分子相對(duì)基板垂直取向。入射到液晶裝置60的直線偏振光，沒有被旋光而從液晶裝置60射出。所述直線偏振光，因?yàn)榕c偏振片18的透過軸正交所以不透過偏振片18。由此，選擇電壓施加時(shí)的液晶裝置60中進(jìn)行黑顯示。
(無機(jī)取向膜)如上所述，在各基板10、20的內(nèi)側(cè)形成有無機(jī)取向膜16、22。以下，對(duì)TFT陣列基板10的無機(jī)取向膜16進(jìn)行說明。對(duì)向基板20的無機(jī)取向膜22也具有與此相同的構(gòu)成。
無機(jī)取向膜16，由SiO2、SiO等硅氧化物，或Al2O3、ZnO、MgO、ITO等金屬氧化物等形成為厚度0.02～0.3μm(優(yōu)選為0.02～0.08μm)左右。對(duì)于無機(jī)取向膜16的制造，可以利用離子束濺射(ion beam sputter)法或磁控管濺射(magnetron sputter)法等的濺射法、蒸鍍法、溶膠凝膠(sol-gel)法、自組織法等。以下，對(duì)根據(jù)離子束濺射法的無機(jī)取向膜16的制造方法進(jìn)行說明。
圖5A是離子束濺射裝置的示意圖。離子束濺射裝置S100具備排氣泵S4，其控制真空腔室S3及其內(nèi)部壓力；基板支架(holder)S5，其在真空腔室S3內(nèi)固定基板10；靶(target)S2，其向基板10噴出濺射粒子；和離子源S1，其向靶S2照射離子束。離子源S1與氣體供給源S13連接。在離子源S1的內(nèi)部設(shè)置著絲極(filament)S11以及引出電極S12。
利用離子束濺射裝置10來形成無機(jī)取向膜，可執(zhí)行以下的順序。首先，將基板10固定在真空腔室S3內(nèi)的基板支架S5上，并且通過排氣泵S4對(duì)真空腔室S3的內(nèi)部進(jìn)行減壓。然后，由氣體供給源S13對(duì)離子源S1內(nèi)供給氬氣等惰性氣體，并對(duì)絲極S11施加電壓以使熱電子產(chǎn)生。于是，產(chǎn)生的熱電子和導(dǎo)入的惰性氣體發(fā)生碰撞而在離子源S1上產(chǎn)生等離子體。接著，對(duì)引出電極S12施加離子加速電壓，通過等離子體對(duì)產(chǎn)生的離子進(jìn)行加速。由此，從離子源S1照射離子束。被離子束照射的靶S2，向基板10噴出由無機(jī)取向膜的形成材料構(gòu)成的濺射粒子。該濺射粒子堆積在基板10上，在基板10上形成無機(jī)取向膜。
真空腔室S3內(nèi)的壓力優(yōu)選為5×10-1Pa以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5×10-2Pa以下。如果該壓力過高，則降低所照射的濺射粒子的直進(jìn)性?；?0的溫度，優(yōu)選為150℃以下，進(jìn)一步優(yōu)選為100℃以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為50～80℃。通過將基板10保持在較低的溫度下，從而可以抑制吸附在基板10的濺射粒子從最初吸附的位置移動(dòng)的現(xiàn)象(migration)。施加在引出電極S12上的離子加速電壓，優(yōu)選為400～3000V，進(jìn)一步優(yōu)選為800～2000V。如果離子加速電壓過低，則濺射速率降低；而如果離子加速電壓過高，則難于形成均勻的膜。
圖5B是形成了無機(jī)取向膜的基板的側(cè)剖面圖。如果以大致恒定的入射角度對(duì)基板10連續(xù)入射濺射粒子，則濺射粒子堆積成斜柱狀而形成無機(jī)材料的柱狀結(jié)構(gòu)體16a。在基板10的表面無數(shù)地形成該柱狀結(jié)構(gòu)體16a，從而構(gòu)成無機(jī)取向膜16。還有，通過調(diào)整圖5A所示的靶S2和基板10的角度，使濺射粒子以規(guī)定的入射角度對(duì)基板10入射，從而能夠?qū)D5B所示的柱狀結(jié)構(gòu)體16a賦予規(guī)定的傾斜角度。在液晶裝置中，液晶分子沿柱狀結(jié)構(gòu)體16a取向。也就是說，通過無機(jī)取向膜16，使非選擇電壓施加時(shí)的液晶分子取向限制在規(guī)定方向，并且對(duì)液晶分子賦予預(yù)傾斜。
還有，也可以采用以下構(gòu)成通過預(yù)先在無機(jī)取向膜的基底膜表面形成多個(gè)傾斜面，通過所述濺射法在所述表面上形成無機(jī)取向膜，從而使所述多個(gè)傾斜面的形狀傳達(dá)到無機(jī)取向膜的表面。再有，也可以在通過所述濺射法形成了無機(jī)取向膜之后，進(jìn)行以規(guī)定角度入射離子束的離子銑削(ion milling)，在無機(jī)取向膜的表面上形成具有規(guī)定的方向性的凹部。再有，也可以預(yù)先在無機(jī)取向膜的基底膜表面進(jìn)行離子銑削，然后用所述濺射法形成無機(jī)取向膜，進(jìn)一步在其表面再次進(jìn)行離子銑削而在無機(jī)取向膜的表面形成凹部。任何一種情況下，都能夠提供可對(duì)液晶分子確實(shí)地賦予期望的預(yù)傾斜角的無機(jī)取向膜。
(密封結(jié)構(gòu))圖6A～6C是本實(shí)施方式涉及的密封結(jié)構(gòu)的說明圖，也是圖1的B-B線的側(cè)剖面圖。還有，如圖1所示，在TFT陣列基板10的周緣部配設(shè)有第1密封材料19，并在其中央部密封有液晶層。
如圖6C所示，在各基板10、20的內(nèi)側(cè)形成了所述無機(jī)取向膜16、22。在該無機(jī)取向膜16、22之間的液晶層50的周圍配設(shè)有第1密封材料19。第1密封材料19，由在環(huán)氧(epoxy)等的熱固化性樹脂中混合了固化劑的材料、或進(jìn)一步混合了丙烯酸(acrylic)等的紫外線固化性樹脂的材料構(gòu)成。再有，為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定的液晶層厚(cell gap)，在第1密封材料19中分散球形的間隔件19a。
再有，在無機(jī)取向膜16、22間中的液晶層50的周圍、第1密封材料19的外側(cè)配設(shè)了第2密封材料80。該第2密封材料80由吸收水分而固化的水硬性材料構(gòu)成。作為該水硬性材料，希望采用將包含硅元素的金屬醇鹽作為主成分的材料。即，將由圖7A的化學(xué)式所表示的聚二烷氧基硅氧烷、圖7B的聚二甲氧基硅氧烷、或圖7C的四烷氧基硅烷等的有機(jī)硅化合物作為主劑來使用。還有，對(duì)于水硬性材料，除主劑以外配合了交聯(lián)劑以及固化催化劑，根據(jù)需要也配合了顏料或骨材。具體地，作為水硬性材料，可以采用株式會(huì)社日興制的テリオスコ一トNP-3600QD。這個(gè)是含有硅成分的重量在90％以上的硅溶液，是在常溫下形成硬質(zhì)的非晶質(zhì)的玻璃膜的涂布溶液。
作為一例，對(duì)將四烷氧基硅烷(Si(OR)4)作為主劑進(jìn)行采用、將鹵素(X)作為固化催化劑進(jìn)行采用時(shí)的固化結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
(1)(2)(3)如(1)式所示，BX4-離子極容易和Si進(jìn)行置換而成為SiX4-離子，并且加速(2)式所示的水解反應(yīng)以及(3)式所示的脫水縮合反應(yīng)。其結(jié)果，在常溫下進(jìn)行固化而生成玻璃(SiO2)。在此，(1)式以及(2)式中所消耗的水(H2O)則比(3)式中所生成的水要多。由此，該材料可以吸收水分而進(jìn)行固化。
接著，利用圖6A～6C，對(duì)本實(shí)施方式涉及的液晶裝置的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖6A所示，在形成于基板10上的無機(jī)取向膜16的表面涂布第1密封材料19。
然后，如圖6B所示，在第1密封材料19的內(nèi)側(cè)涂布液晶而形成液晶層50。該液晶的涂布，可利用液滴噴出法等來進(jìn)行。接著粘貼TFT陣列基板10和對(duì)向基板20并且使第1密封材料19固化。因?yàn)榈?密封材料19是由熱固化性樹脂以及/或紫外線固化性樹脂構(gòu)成，所以進(jìn)行加熱處理以及/或紫外線照射處理而固化第1密封材料19。由此，不但使TFT陣列基板10和對(duì)向基板20的相對(duì)位置固定，而且通過分散在第1密封材料19中的間隔件19a實(shí)現(xiàn)了規(guī)定的液晶層厚。還有，也可以在第1密封材料中設(shè)置液晶注入口，在粘貼了基板10、20之后注入液晶。
接著，如圖6C所示，在第1密封材料19的外側(cè)配設(shè)有第2密封材料80。具體而言，從隔著第1密封材料19而粘貼的一對(duì)基板10、20的側(cè)面，利用分配器(dispenser)向基板10、20的間隙涂布水硬性材料。因?yàn)榛?0、20的間隔是幾μm左右，所以涂布的水硬性材料通過毛細(xì)管現(xiàn)象而填充在基板10、20的間隙中。通過該水硬性材料吸收水分而在常溫下進(jìn)行固化，從而在基板10、20間的周緣部配設(shè)第2密封材料80。還有，作為優(yōu)選，在低粘度的狀態(tài)下涂布第2密封材料80，并且使第2密封材料80填充在無機(jī)取向膜16的柱狀結(jié)構(gòu)體16a的間隙內(nèi)。再有，也可以對(duì)TFT陣列基板10的表面不但涂布第1密封材料19而且涂布第2密封材料80之后再粘貼對(duì)向基板20。再有，也可以對(duì)所涂布的水硬性材料施行干燥處理而使其固化。
以上所述，完成本實(shí)施方式涉及的液晶裝置。
不過，因?yàn)槿鐖D5B所示那樣由柱狀結(jié)構(gòu)體16a構(gòu)成的無機(jī)取向膜16是多孔質(zhì)，故有可能在第1密封材料19和基板10之間形成間隙。特別是有可能在第1密封材料19和無機(jī)取向膜16的界面形成較大的間隙。如果通過該間隙，水分或雜質(zhì)等從液晶裝置的外部浸入液晶層，則會(huì)阻礙液晶裝置的各種功能。特別是，如果作為極化性分子的水浸入持有極化結(jié)構(gòu)的液晶中則發(fā)生液晶的取向不良。
對(duì)此，本實(shí)施方式的密封結(jié)構(gòu)，具有在一對(duì)基板10、20間中的液晶層50的周圍配設(shè)了具有水硬性的第2密封材料80的構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，從液晶裝置60的外部浸入液晶層50的水分由第2密封材料80吸收，由此，降低了水分浸入液晶層50的內(nèi)部的可能性。其結(jié)果，可以長(zhǎng)期穩(wěn)定地維持液晶裝置60的各種功能。特別是，防止作為極化性分子的水浸入持有極化結(jié)構(gòu)的液晶中而發(fā)生液晶的取向不良的情況。通過將該液晶裝置60采用為光調(diào)制機(jī)構(gòu)，從而提高液晶投影儀的可靠性。
再有，本實(shí)施方式的密封結(jié)構(gòu)，具有在第1密封材料19的外側(cè)配設(shè)了第2密封材料80的構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，因?yàn)榈?密封材料80露出在外部，故第2密封材料80確實(shí)地進(jìn)行固化。再有，因?yàn)閷?duì)于液晶層50而言第1密封材料19與以往一樣進(jìn)行接觸，所以防止由第2密封材料80的影響引起的液晶層50的惡化以及伴隨該惡化的液晶裝置60的可靠性的降低。還有，如果對(duì)照這些觀點(diǎn)沒有問題，也可以在第1密封材料19的內(nèi)側(cè)配設(shè)第2密封材料80。
所述的本實(shí)施方式的密封結(jié)構(gòu)，是由第2密封材料80補(bǔ)齊了第1密封材料19所期待的各種各樣的密封功能之中的水分隔斷功能的。為了增強(qiáng)該水分隔斷功能，也可以附加第3密封材料。再有，為了補(bǔ)齊第1密封材料19所期待的其他的功能，也可以附加第3密封材料。所述各密封材料，只要各條件容許也可以以任一順序進(jìn)行配設(shè)。
另一方面，即使在第2密封材料80中也能夠滿足第1密封材料19具有的密封功能或可靠性等的情況下，也可以代替第1密封材料19只配設(shè)第2密封材料80。
(第2實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖9A～9C所示，第2實(shí)施方式涉及的液晶裝置的制造方法，是在TFT陣列基板10(第1基板)和對(duì)向基板20(第2基板)之間密封了液晶層50的液晶裝置60的制造方法，其中具有隔著第1密封材料19來粘貼基板10和基板20的工序；和向形成于基板10、20上的無機(jī)取向膜16、22的表面中的密封材料19的配置區(qū)域，賦予對(duì)密封材料19的親和性的工序。還有，對(duì)與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成的部分，省略或簡(jiǎn)化其詳細(xì)說明。
(液晶裝置)圖8是液晶裝置的TFT陣列基板的平面圖。在TFT陣列基板10的中央部形成了圖像制作區(qū)域101。在該圖像制作區(qū)域101的周緣部配設(shè)了密封材料19。在圖像制作區(qū)域101中密封有液晶層50(參照?qǐng)D9C)。液晶層50是在基板上直接涂布液晶而形成的；在密封材料19上沒有設(shè)置液晶層的注入口。在該密封材料19的外側(cè)，安裝有將掃描信號(hào)供給到后述的掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)元件110、和將圖像信號(hào)供給到后述的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)元件120。該驅(qū)動(dòng)元件110、120、與TFT陣列基板10的端部的連接端子79，通過配線76而進(jìn)行電連接。
在粘貼于TFT陣列基板10的對(duì)向基板20(參照?qǐng)D9C)上，形成了共同電極21。共同電極21幾乎形成在圖像制作區(qū)域101的整個(gè)區(qū)域中。在共同電極21的四角設(shè)置了基板間導(dǎo)通部70?；彘g導(dǎo)通部70和連接端子79通過配線78進(jìn)行電連接。通過將從外部輸入的各種信號(hào)介由連接端子79而供給到圖像制作區(qū)域101，從而驅(qū)動(dòng)液晶裝置。
(液晶裝置的制作方法)圖9A～9C是本實(shí)施方式涉及的液晶裝置的制造方法的說明圖，也是圖8的B-B線的側(cè)剖面圖。還有，如圖8所示，在FTF陣列基板10的周緣部配設(shè)有密封材料19，而在其中央部密封有液晶層。
在本實(shí)施方式中，如圖9A所示，對(duì)基板10中的密封材料19(參照?qǐng)D9B)的配設(shè)區(qū)域施行表面處理；如圖9B所示那樣配設(shè)密封材料19；如圖9C所示那樣粘貼對(duì)向基板20；從而形成液晶裝置60。
首先，如圖9A所示那樣對(duì)基板10施行表面處理。如上所述，因?yàn)樵诨?0的表面形成有無機(jī)取向膜16，故對(duì)該無機(jī)取向膜16施行表面處理。在此，作為優(yōu)選僅對(duì)密封材料19的配設(shè)區(qū)域施行表面處理。特別優(yōu)選表面處理不到達(dá)液晶層50(參照?qǐng)D9C)的形成區(qū)域。因此，在密封材料19的配設(shè)區(qū)域以外的區(qū)域配置掩模(mask)90而施行表面處理。作為所述掩模90，可以利用光致抗蝕劑(photoresist)或硬質(zhì)掩模(hard mask)等。通過僅在密封材料19的配設(shè)區(qū)域施行表面處理，從而可以防止密封材料19的配設(shè)區(qū)域以外的區(qū)域被活性化，并被賦予吸濕性。特別是通過防止對(duì)液晶層50的形成區(qū)域賦予吸濕性，從而降低了水分或雜質(zhì)等浸入液晶層50的可能性。
所述表面處理，優(yōu)選為照射光來進(jìn)行。具體而言，優(yōu)選其利用紫外線燈等照射紫外線。通過紫外線分解·去除吸附在基板10的表面上的有機(jī)物等，使基板10上所形成的無機(jī)取向膜16的表面活性化。其結(jié)果，提高無機(jī)取向膜16對(duì)密封材料19的親和性。還有，也可以代替紫外線，或同時(shí)照射紫外線、電子射線或激光等。
再有，作為表面處理也可以進(jìn)行等離子體處理。該處理?xiàng)l件是例如在利用了氧氣的情況下，等離子體功率(power)是50～1000W、氧氣的流量是50～100ml/min、基板對(duì)等離子體放電電極的輸送速度是0.5～10mm/sec、基板的溫度是70～90℃。通過將氧氣等離子體化而形成氧離子或氧自由基(radical)等的激發(fā)活化種。通過該激發(fā)活化種類分解·去除吸附在基板10的表面上的有機(jī)物等而使無機(jī)取向膜16的表面活性化。其結(jié)果，提高無機(jī)取向膜16對(duì)密封材料19的親和性。還有，代替氧氣也可以利用氬氣、氮?dú)獾榷栊詺怏w。另外，等離子體處理既可以在真空中也可以在大氣壓中進(jìn)行?；蛘?，也可以利用由氧等離子體生成的臭氧氣體等。
再有作為表面處理，也可以采用HMDS((CH3)3SiNHSi(CH3)3；六甲基二硅氮烷)。具體而言，通過將基板10暴露在充滿了容器內(nèi)的HMDS蒸汽中而在無機(jī)取向膜16的表面上涂布HMDS。其結(jié)果，提高無機(jī)取向膜16對(duì)密封材料的親和性。
再有作為表面處理，也可以在基板10涂布表面改性劑或是進(jìn)行氣相成膜。作為表面改性劑，采用與無機(jī)取向膜16的表面的硅烷醇基(Si-O-H)結(jié)合而形成單分子膜的材料。具體而言，只要采用氯硅烷或氨基硅烷、烷氧基硅烷、硅氮烷等的硅烷偶合劑即可。再有，也可以采用癸醇或十八醇(碳鏈長(zhǎng)的)、異丙醇等的醇類。再有，也可以采用具有疏水性基的表面活性劑類。任何一種情況下，因?yàn)榭梢詫o機(jī)取向膜16的表面的羥基置換為疏水基來改性無機(jī)取向膜16的表面，所以能夠提高與由樹脂材料等構(gòu)成的密封材料19的親和性。
結(jié)束了無機(jī)取向膜16的表面處理之后，去除掩模90。
接著，如圖9B所示，在施行了表面處理的無機(jī)取向膜16的表面上涂布密封材料19。作為密封材料19，能夠采用在環(huán)氧等熱固化性樹脂中混合了固化劑的材料、或進(jìn)一步混合了丙烯酸等的紫外線固化性樹脂的材料。還有也可以令用于確保與對(duì)向基板的導(dǎo)通的導(dǎo)電性粒子分散到密封材料19中。該密封材料19利用分配器等涂布在基板10的周緣部。
不過，因?yàn)閳D5B所示的無機(jī)取向膜16是由無機(jī)材料構(gòu)成的柱狀結(jié)構(gòu)體16a而構(gòu)成的，故缺乏與由樹脂材料等構(gòu)成的密封材料19的親和性。因此，有可能在無機(jī)取向膜16和密封材料19的界面形成較大的間隙。另外，難于向無機(jī)取向膜16的柱狀結(jié)構(gòu)體16a的間隙填充密封材料19。并且存在著通過這些間隙，水分或雜質(zhì)等從液晶裝置的外部浸入液晶層的可能性。
對(duì)此，在圖9B所示的本實(shí)施方式中，無機(jī)取向膜16對(duì)密封材料19的親和性較高。因此，所涂布的密封材料19在無機(jī)取向膜16的表面濕潤(rùn)擴(kuò)展，并且填充到無機(jī)取向膜16的柱狀結(jié)構(gòu)體16a的間隙內(nèi)。由此，水分或雜質(zhì)等從無機(jī)取向膜16和密封材料19的界面、或從無機(jī)取向膜16的柱狀結(jié)構(gòu)體16a的間隙等侵入液晶層的內(nèi)部的可能性較低。
還有，作為優(yōu)選，在通過加熱等使密封材料19的粘度降低的狀態(tài)下而對(duì)密封材料19進(jìn)行涂布。由此，能夠?qū)o機(jī)取向膜16的柱狀結(jié)構(gòu)體16a的間隙確實(shí)地填充密封材料。
其后，如圖9C所示那樣在密封材料19的內(nèi)側(cè)涂布液晶。液晶的涂布，可以利用液滴噴出法等來進(jìn)行。然后，將TFT陣列基板10和對(duì)向基板20的位置進(jìn)行對(duì)位，粘貼基板并且使密封材料19固化。還有，作為優(yōu)選，即使對(duì)對(duì)向基板20中的密封材料19的配設(shè)區(qū)域，也預(yù)先施行所述表面處理。
根據(jù)以上所述，完成本實(shí)施方式涉及的液晶裝置。
如以上詳述的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的液晶裝置的制造方法，可降低水分或雜質(zhì)等侵入液晶層50的內(nèi)部的可能性。其結(jié)果，長(zhǎng)期穩(wěn)定地維持液晶裝置60的各種功能。特別是，防止作為極化性分子的水浸入持有極化結(jié)構(gòu)的液晶中而發(fā)生液晶的取向不良的情況。通過將該液晶裝置60采用為光調(diào)制機(jī)構(gòu)而提高液晶投影儀的可靠性。
還有以上，雖然不僅對(duì)液晶層50的形成區(qū)域而且對(duì)在基板10、20的表面全體形成無機(jī)取向膜16、22的情況進(jìn)行了說明，但是也存在僅在液晶層的形成區(qū)域形成無機(jī)取向膜而在密封材料的配設(shè)區(qū)域不形成無機(jī)取向膜的情況。也就是說，在密封材料的配設(shè)區(qū)域中使ITO等的透明導(dǎo)電膜露出，并且使分散在密封材料中的導(dǎo)電性粒子接觸到透明導(dǎo)電膜上，以確?；彘g的導(dǎo)通的情況。即使在該情況下，如果用濺射法形成ITO等，則可使透明導(dǎo)電膜以柱狀結(jié)構(gòu)體來構(gòu)成。由此，有可能在透明導(dǎo)電膜和密封材料的界面上形成較大的間隙。因而，即使在密封材料的配設(shè)區(qū)域不形成無機(jī)取向膜的情況下，也優(yōu)選適用本實(shí)施方式涉及的液晶裝置的制造方法。據(jù)此，可防止透明導(dǎo)電膜和密封材料的界面形成較大的間隙的情況，并且降低水分或雜質(zhì)等侵入液晶層的內(nèi)部的可能性。
(投影儀)接著，利用圖10對(duì)本發(fā)明的投影儀進(jìn)行說明。圖10是表示投影儀的重要部分的概略構(gòu)成圖。該投影儀是將所述的各實(shí)施方式涉及的液晶裝置作為光調(diào)制機(jī)構(gòu)而具備的儀器。
在圖10中，810是光源；813、814是分色鏡(dichroic mirror)；815、816、817是反射鏡；818是入射透鏡；819是中繼透鏡，820是出射透鏡；822、823、824是由本發(fā)明的液晶裝置構(gòu)成的光調(diào)制機(jī)構(gòu)；825是正交分色菱鏡(cross dichroic prism)；826是投影透鏡。光源810由金屬鹵化物燈(metal halide lamp)和將燈的光反射的反射器(reflector)812來構(gòu)成。
分色鏡813，不僅使來自光源810的白色光中所包含的紅色光透過，而且將綠色光和藍(lán)色光反射。透過的紅色光由反射鏡817反射并且入射到紅色光用光調(diào)制機(jī)構(gòu)822。由分色鏡813反射的綠色光，由分色鏡814反射并且入射到綠色光用光調(diào)制機(jī)構(gòu)823。由分色鏡813反射的藍(lán)色光，透過分色鏡814。針對(duì)藍(lán)色光，為了防止由較長(zhǎng)光路引起的光損失，設(shè)置了由包括入射透鏡818、中繼透鏡819以及出射透鏡820的中繼透鏡系統(tǒng)構(gòu)成的導(dǎo)光機(jī)構(gòu)821。而且，介由該導(dǎo)光機(jī)構(gòu)821，藍(lán)色光入射到藍(lán)色光用光調(diào)制機(jī)構(gòu)824。
由各光調(diào)制機(jī)構(gòu)822、823、824調(diào)制后的三色光，入射到正交分色菱鏡825。該正交分色菱鏡825是粘貼了4個(gè)直角菱鏡的部件；在其界面X字狀地形成了將紅光反射的多層電介質(zhì)膜和將藍(lán)光反射的多層電介質(zhì)膜。由這些多層電介質(zhì)膜使三色光進(jìn)行合成，而形成了顯示彩色圖像的光。所合成的光，由作為投影光學(xué)系統(tǒng)的投影透鏡826投影到屏幕827，使圖像放大后進(jìn)行顯示。
所述投影儀，將所述各實(shí)施方式的液晶裝置作為光調(diào)制機(jī)構(gòu)而具備。各實(shí)施方式的液晶裝置，因?yàn)閭溆心凸庑砸约澳蜔嵝詢?yōu)越的無機(jī)取向膜，所以沒有由從光源照射的強(qiáng)光或熱引起的取向膜惡化的情況。而且，水分等通過密封材料和無機(jī)取向膜的界面或通過無機(jī)取向膜的內(nèi)部所形成的間隙而浸入到液晶層的可能性較低。由此，該投影儀，長(zhǎng)期穩(wěn)定地維持著液晶裝置中的液晶分子的取向控制功能并且具有較高的可靠性。
還有，本發(fā)明的技術(shù)范圍，并非限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍中，還包括在上述實(shí)施方式中增加了各種變更的方式。例如，雖然實(shí)施方式中以作為開關(guān)元件而具備了TFT的液晶裝置為例進(jìn)行了說明，但是也可以將本發(fā)明適用于作為開關(guān)元件而具備了薄膜二極管(Thin Film Diode)等二端子型元件的液晶裝置。另外，雖然實(shí)施方式中以透過型液晶裝置為例進(jìn)行了說明，但也可以將本發(fā)明適用于反射型液晶裝置中。再有，雖然實(shí)施方式中以TN(Twisted Nematic扭轉(zhuǎn)向列)模式起作用的液晶裝置為例進(jìn)行了說明，但是也可以將本發(fā)明適用于以VA(Vertical Alignment垂直取向)模式起作用的液晶裝置。再有，雖然在實(shí)施方式中將3板式的投影型顯示裝置(投影儀)作為例子進(jìn)行了說明，但是也可以將本發(fā)明適用于單板式的投影型顯示裝置或直視型顯示裝置。
再有，也可以將本發(fā)明的液晶裝置適用于投影儀以外的電子儀器。作為該具體例，可以舉出移動(dòng)電話機(jī)。該移動(dòng)電話機(jī)在顯示部中具備了所述各實(shí)施方式或其變形例涉及的液晶裝置。再有，作為其他的電子儀器，還可以舉出IC卡、攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、頭盔顯示器(head mounted display)、進(jìn)一步有附帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)碼照相機(jī)的取景器、便攜式TV、DSP裝置、PDA、電子記事本、電光公告牌、宣傳公告用顯示器等。
權(quán)利要求
1.一種密封結(jié)構(gòu)，其是針對(duì)多孔質(zhì)層的，其中具備第1密封材料，其配設(shè)在所述多孔質(zhì)層的表面上；和第2密封材料，其配設(shè)在所述多孔質(zhì)層的所述表面上，并具有水硬性。
2.一種液晶裝置，其中具備，一對(duì)基板；液晶層，其配置在所述一對(duì)基板間；第1密封材料，其配置在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍，并密封所述液晶層；和第2密封材料，其配置在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍，并具有水硬性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶裝置，其中，所述基板的內(nèi)面形成有多孔質(zhì)的取向膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶裝置，其中，所述第2密封材料配設(shè)在所述第1密封材料的外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的液晶裝置，其中，所述第2密封材料由將金屬醇鹽作為主成分的材料構(gòu)成。
6.一種液晶裝置的制造方法，其是在一對(duì)基板間密封了液晶層的液晶裝置的制造方法，其中具有隔著第1密封材料，粘貼所述一對(duì)基板的工序；和在所述一對(duì)基板間的所述液晶層的周圍配置具有水硬性的第2密封材料的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置的制造方法，其中，所述配置第2密封材料的工序具有從隔著所述第1密封材料而粘貼的所述一對(duì)基板的側(cè)面，向所述一對(duì)基板的間隙注入水硬性材料的工序。
8.一種密封方法，其是針對(duì)多孔質(zhì)層的，其中具有在所述多孔質(zhì)層的表面上配置密封材料的工序；和向所述多孔質(zhì)層中的所述密封材料的配置區(qū)域賦予對(duì)所述密封材料的親和性的工序。
9.一種液晶裝置的制造方法，其是在第1基板和第2基板之間密封了液晶層的液晶裝置的制造方法，其中具有隔著第1密封材料使所述第1基板和所述第2基板粘貼的工序；和向所述第1基板或所述第2基板中的所述密封材料的配置區(qū)域賦予對(duì)所述密封材料的親和性的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶裝置的制造方法，其中，僅向所述第1基板或所述第2基板中的所述密封材料的所述配置區(qū)域賦予對(duì)所述密封材料的親和性。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的液晶裝置的制造方法，其中，向形成在所述第1基板或第2基板上的多孔質(zhì)的取向膜賦予對(duì)所述密封材料的親和性。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的液晶裝置的制造方法，其中，所述賦予對(duì)密封材料的親和性的工序具有向所述第1基板或所述第2基板照射光的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的液晶裝置的制造方法，其中，所述賦予對(duì)密封材料的親和性的工序具有對(duì)所述第1基板或所述第2基板進(jìn)行等離子體處理的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的液晶裝置的制造方法，其中，所述賦予對(duì)密封材料的親和性的工序具有在所述第1基板或所述第2基板上配置表面改性劑的工序。
15.一種液晶裝置，其中，使用權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的液晶裝置的制造方法進(jìn)行制造。
16.一種投影儀，其中，作為光調(diào)制機(jī)構(gòu)，具備權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)、或權(quán)利要求15中所述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶裝置，其中具備一對(duì)基板(10)、(20)；液晶層(50)，其配置在所述一對(duì)基板(10)、(20)間；第1密封材料(19)，其配置在所述一對(duì)基板10、20間的所述液晶層(50)的周圍并且密封所述液晶層(50)；和第2密封材料(80)，其配置在所述一對(duì)基板(10、20)間的所述液晶層(50)的周圍并且具有水硬性。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1841168SQ20061007175
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月28日
發(fā)明者宮下武, 田中孝昭 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社