專利名稱：光纖和傳輸系統(tǒng)以及波分復用傳輸系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及能夠抑制受激布里淵散射(以下稱為SBS。)的發(fā)生、以更高功率的信號進行傳輸的光纖。
本發(fā)明主張于2004年11月5日申請的日本特愿2004-321912號、于2005年3月17日申請的日本特愿2005-77008號、以及于2005年7月6日申請的日本特愿2005-197639號的優(yōu)先權，并在這里引用其內容。
背景技術：
近年來，開始了把光纖接入各個家庭，使用該光纖進行各種信息的交換的光纖入戶(Fiber To The Home以下稱為FTTH。)的服務。
作為傳輸各種信息的FTTH的一種形態(tài)，存在以各自不同的方式，使用一根光纖同時傳輸廣播信號和其他通信信號的系統(tǒng)(ITUTRecommendation G.983.3)。一般來講，在這種系統(tǒng)中，廣播信號多數情況是模擬信號、基帶信號或光SCM信號。
從作為傳輸介質的光纖的角度觀察到的該系統(tǒng)的特征如下所示。
·FTTH通常是雙星型的PON(Passive Optical Network)，分配損耗大(假定通常最大為32個分支)。
·由于傳輸模擬信號、基帶信號或光SCM信號，所以需要增大接收機中的CNR(Carrier Noise Ratio載噪比)，所需的受光部的最低信號光功率大于通信中所使用的數字傳輸。
因此，在該系統(tǒng)中，需要增大信號輸入部中的必要信號光功率。特別是如果考慮到信號光在傳輸中的衰減和分配損耗，則在更長距離的線路和更多分支的線路中，需要更高的功率。當然，對于信號能夠傳輸到盡可能遠的距離，而且一次可同時分配給眾多的用戶的情況而言，從各種角度(建設成本、維護性、系統(tǒng)設計等)看都是有利的。
作為與本發(fā)明有關的以往技術，可列舉出非專利文獻1～3以及專利文獻1。
非專利文獻1A.R.Charaplyvy，J.Lightwave Technol.，vol.8，pp.1548-1557(1990)專利文獻1美國專利第5,267,339號非專利文獻2K.Shiraki，et al.，J.Lightwave Technol.，vol.14，pp.50-57(1996)非專利文獻3Y.Koyamada，et al.，J.Lightwave Technol.，vol.22，pp.631-639(2004)但是，在使用光纖的光傳輸中，會存在如下的情況，即、作為一種非線性現象的SBS，會導致出現即使要把某個功率以上的光入射到光纖中，也只能入射一定的光量(以下稱為SBS閾值功率。)，其余的光則成為后方散射光而返回到入射光側的現象，由此對輸入部中的信號光功率形成了限制(例如參照非專利文獻1。)。

發(fā)明內容
本發(fā)明就是鑒于上述的情況而提出的，其目的是為了使更高功率的光入射到光纖中，而提供一種可抑制SBS的產生，與以往的光纖相比能夠進一步提高SBS閾值功率的光纖和使用該光纖的傳輸系統(tǒng)以及波分復用傳輸系統(tǒng)。
為了達到上述的目的，本發(fā)明提供一種光纖，其中，在光纖中產生的聲模的基模的第1模場直徑與該光纖的光強度分布的第2模場直徑不同。
在本發(fā)明的光纖中，也可以是，第1模場直徑為第2模場直徑的1.6倍以上或2/3以下。
在本發(fā)明的光纖中，也可以是，在光纖中產生的聲模的基模的第1模場直徑，其直徑大于等于10μm或小于等于6μm。
在本發(fā)明的光纖中，通過減小光纖的聲場分布與光的功率分布的重疊，與具有同等光學特性的光纖相比，可以減少受激布里淵散射的發(fā)生。
在本發(fā)明的光纖中，通過使光纖的聲場分布擴展得比光的功率分布寬，可以減小聲場分布與光的功率分布的重疊。
在本發(fā)明的光纖中，通過使光纖的聲場分布縮小得比光功率分布窄，可以減小聲場分布與光的功率分布的重疊。
在本發(fā)明的光纖中，也可以具有與具有同等光學特性的光纖相比為其1.5倍以上的受激布里淵閾值功率。
在本發(fā)明的光纖中，也可以具有與具有同等光學特性的光纖相比為其2倍以上的受激布里淵閾值功率。
在本發(fā)明的光纖中，也可以是，光纜截止波長小于等于1260nm，波長1310nm時的模場直徑大于等于7.9μm并小于等于10.2μm，零色散波長在1300nm～1324nm的范圍內。
在本發(fā)明的光纖中，也可以具有在中心部具有纖芯，在該纖芯的外周部具有包層，該包層由折射率不同的2層以上構成的結構。
在上述光纖中，也可以是，包層由2層構成，在把與纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把第1包層的折射率設為nc1，把第2包層的折射率設為nc2時，nc1＜nc2。
在上述光纖中，也可以是，包層由3層構成，在把與纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把與第2包層的外周鄰接的包層設為第3包層，把第1包層的折射率設為nc1，把第2包層的折射率設為nc2，把第3包層的折射率設為nc3時，nc2＜nc1＜nc3。
另外，本發(fā)明提供一種光纖，其中，在把從布里淵光譜的頻率低的一側數的第i個峰值增益設為g(i)，把所存在的多個峰值中的最大增益設為Max(g)時，g(i)≥
的峰值存在2個以上。
在上述光纖中，也可以是，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
在上述光纖中，也可以是，g(i)≥
的峰值存在2個以上。
在上述光纖中，也可以是，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
另外，本發(fā)明提供一種傳輸系統(tǒng)，其構成為使用上述本發(fā)明的光纖進行模擬信號傳輸或基帶傳輸或光SCM傳輸。
另外，本發(fā)明提供一種波分復用傳輸系統(tǒng)，其構成為使用上述本發(fā)明的光纖進行模擬信號傳輸和/或基帶傳輸或光SCM傳輸，并且進行數據傳輸和/或聲音傳輸。
根據本發(fā)明，可提供能夠抑制SBS的發(fā)生，以更高功率的信號進行傳輸的光纖、使用了該光纖的能夠進行多分支、長距離傳輸的傳輸系統(tǒng)以及波分復用傳輸系統(tǒng)。


圖1是說明閾值功率的曲線圖。
圖2是表示一般的光纖構造的端面圖。
圖3是表示光功率分布和聲模場分布的重疊狀態(tài)的曲線圖。
圖4A是實現SBS抑制的光功率和聲模場分布的示例。
圖4B是實現SBS抑制的光功率和聲模場分布的示例。
圖4C是實現SBS抑制的光功率和聲模場分布的示例。
圖5是表示聲MFD和光MFD的相對值與布里淵增益的關系的曲線圖。
圖6是舉例說明以往型的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖7是表示圖6的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖8是表示圖6的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖9是表示第1實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖10是表示第1實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖11是表示第1實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖12是表示第2實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖13是表示第2實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖14是表示第2實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖15是表示第3實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖16是表示第3實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖17是表示第3實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖18是表示第4實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖19是表示第4實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖20是表示第4實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖21是表示第5實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖22是表示第5實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖23是表示第5實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖24是表示第6實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖25是表示第6實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖26是表示第6實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖27是表示第7實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖28是表示第7實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖29是表示第7實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖30是表示第8實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖31是表示第8實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖32是表示第8實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖33是表示第9實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖34是表示第9實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖35是表示第9實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖36是表示第10實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖37是表示第10實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖38是表示第10實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖39是表示第11實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖40是表示第11實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖41是表示第11實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖42是表示第12實施例的光纖的折射率分布的曲線圖。
圖43是表示第12實施例的光纖的光強度分布和聲模的分布的曲線圖。
圖44是表示第12實施例的光纖的布里淵光譜的曲線圖。
圖45是表示使用本發(fā)明的光纖構成的傳輸系統(tǒng)(波分復用傳輸系統(tǒng))的圖。
圖中1-光纖；2-纖芯；3-包層；10-光傳輸系統(tǒng)(波分復用傳輸系統(tǒng))。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
本發(fā)明的光纖具有在光纖中產生的聲模的基模的模場直徑與該光纖的光強度分布的模場直徑不同的結構，由此，可抑制SBS的發(fā)生，以更高功率的信號進行傳輸。
SBS是在構成光纖的石英玻璃等介質的聲學聲子與入射光的相互作用下而產生的非彈性散射的一種。從高功率信號光輸入的角度講，SBS具有·閾值功率比其他非彈性散射低、·布里淵散射光的大部分成為后方散射光的特征。
圖1是舉例表示通常的光纖中的SBS閾值功率的曲線圖。在ITU-TG.650.2，Definitions and test methods for statistical and non-linearattributed of single-mode fiber and cable，Appendix II中記載有SBS閾值功率的測定方法。
該閾值功率表示SBS效率急速增大的光強度。因此，如果閾值功率低，即在比其他非彈性散射更低的入射光功率的情況下，則發(fā)生SBS。并且，所產生的SBS光幾乎全部都被散射到后方(入射側)，SBS光不向前方(受光側)傳播，只有因SBS而減少后的入射信號光向前方傳播。在這2個作用下，即使要向光纖入射高功率光，SBS閾值功率以上的光也不會向前方傳播(參照圖1中的表示透射光的功率的曲線。)。
SBS閾值功率在信號光的光譜線寬窄的情況下，可用下式(1)近似表示。
Pth=21·AeffgBO·Leff...(1)]]>在式(1)中，Pth表示SBS閾值功率、Aeff表示纖芯有效截面面積、gBO表示布里淵增益系數。另外，Leff是有效作用長度，其通過下式(2)求得。
Leff=1-exp(-αL)α...(2)]]>在式(2)中，α表示光纖的損耗、L表示光纖實際長度(線路長度)。
從式(1)可知，為了提高SBS閾值功率，只要增大纖芯有效截面面積Aeff、或減小布里淵增益系數gBO即可。但是，由于Aeff與例如色散特性等其他光學特性密切相關，所以希望盡可能避免選擇增大Aeff。因此，作為實質可行的方法，可以考慮減小布里淵增益系數。
布里淵增益系數，在信號光的光譜線寬窄的情況下，如果假定布里淵光譜是勞倫茲(Lorentz)型，則可用下式(3)表示。
gBO=2pn07p122cλ2ρ0vAΔvB...(3)]]>在式(3)中，n0表示光纖介質(在本例中是石英玻璃)的折射率、P12表示普克爾斯(Pockels)的光彈性系數、c表示光速、λ表示信號光波長、ρ0表示光纖介質(在本例中是石英玻璃)的密度、vA表示光纖的包層中的音速、ΔvB表示布里淵光譜的半值全寬(FWHM)。另外，到此為止的關于一般的SBS的說明，可參照例如非專利文獻1等。
從式(3)可看出，由于ΔvB以外的參數是材料或系統(tǒng)固有的參數，所以難以進行大幅變更或改善。即，為了提高閾值功率，只有擴展布里淵光譜寬度一種方法。
作為實現布里淵光譜擴大的方法，公開有如下的方法，即，通過在光纖的長度方向上改變光學特性和摻雜物濃度、以及殘留應力，在長度方向上改變布里淵增益成為最大的頻率(峰值頻率)，由此來擴大光纖傳輸線路整體的布里淵光譜寬度(例如參照專利文獻1、非專利文獻2。)。但是，如果采用基于該以往技術的方法，則光纖的光學特性在長度方向上也必然發(fā)生改變，因此，在實用上是不希望的。
另一方面，作為布里淵光譜的其他表達方式，相互作用的(多個)聲學聲子模的空間擴展、和光學模的空間功率分布的重疊的總和，也可以用下式(4)、(5)表示(例如參照非專利文獻3。)。
S(v)=ΣiSi(v)...(4)]]>[算式5]Si(v)=Gi2Γi2π2[(v-v0+f1)2+(Γ12π)2...(5)]]>在式(4)、(5)中，Si(v)表示各個聲模的頻率v下的布里淵增益，i表示各個聲模編號，v0表示峰值頻率，fi表示各個聲模的聲頻，Γi表示聲波衰減系數(衰減緩和時間的倒數)。另外，Gi通過下式(6)求出。
Gi=p12ω0βi∫0∞X2(r)·Yzi(r)·rdr...(6)]]>在式(6)中，P12表示普克爾斯(Pockels)的光彈性系數、ω0表示入射光的角振動頻率、βi表示各個聲模的傳播常數。另外，X(r)和Yzi(r)分別是光纖中的傳播光的電場分布、和各個聲模的軸(z)向振動的位移量分布。另外，在此，峰值頻率下的S(v)(＝S(v0))相當于式(3)中的gBO。
根據式(4)～式(6)，本發(fā)明人發(fā)現通過減小Gi，即，減小傳播光的電場分布與各個聲模的軸(z)向的振動位移量分布的分布重疊，可減小布里淵增益(＝增大閾值功率)。
因此，本發(fā)明人對如何減小上述重疊的具體方法進行了深入研究。下面說明研究的結果。
圖2舉例表示現有的光纖的結構。該光纖1由纖芯2和包層3構成，該纖芯2由折射率高的石英玻璃構成，該包層3由設在該纖芯2的外周的石英玻璃構成。在纖芯2的部分，添加有提高折射率的摻雜劑(例如鍺)。在包層3中，未進行特意的摻雜劑的添加。如圖2所示，光纖1的構造為同心狀，中央的纖芯2的折射率與包層3相比，相對提高，光在被封閉在該纖芯2中的狀態(tài)下進行導波。
另一方面，與SBS相關的聲模也同樣在光纖中傳播。對于聲波來說，向石英玻璃中添加任何元素都具有降低音速(＝封閉聲波)的效果。因此，在圖2所示的構造的情況下，聲波也和光一樣，被封閉在纖芯2的部分中進行導波。
圖3表示圖2的構造下的聲模的位移量分布(場分布)、和光的功率分布(電場分布的乘方分布)的計算結果的一例。如在此舉例表示的那樣，在沒有特意降低SBS的以往的光纖中，聲模場分布和光的功率分布具有大致相同的分布。
為了減少聲場分布與光的功率分布的重疊，如圖4A～4B所示，可采用(a)把聲場分布中心與光功率分布中心錯開(參照圖4A)、(b)使聲場分布擴展得比光功率分布寬(參照圖4B)，或者(c)使光功率分布擴展得比聲場分布寬(參照圖4C)的方法。
但是，關于上述(a)，如圖2所示的那樣，基于光纖的構造，聲模和光功率的分布不得不成為同心狀，因而難以實施。
因此，可根據上述(b)和(c)的方法，減少聲場分布與光的功率分布的重疊，從而可實現SBS的抑制和SBS閾值功率的增加。
為了進行更詳細的說明，定義場分布的擴展。一般來講，對于像光纖那樣的在中心具有最大值的分布，作為其空間擴展的指標，使用成為場徑的指標。關于場徑的定義，在不同的領域有不同的定義。在光纖領域中，一般使用Petermann II的定義的模場直徑(MFD)，但在本發(fā)明中，作為光強度的空間分布，以具有成為峰值功率的1/e的直徑為場徑(以下把其稱為光MFD。)。
不使用一般的MFD的原因是，在式(6)中，由于進行重疊積分的直接分布是模場分布X的乘方，即光功率分布，所以在與聲模分布的比較中，在直觀上容易理解。
另一方面，關于與聲模有關的場徑，以具有成為峰值位移量的1/e的直徑為MFD(以下把其稱為聲MFD。)。
根據該定義，圖3所示的情況下的光MFD和聲MFD分別被計算為7.5μm、7.1μm。
圖5表示在把光MFD固定而使聲MFD變化時的布里淵增益的變化的模擬例。這里，可看出，為了把閾值功率改善1.5倍以上(＝使布里淵增益為1/1.5倍)，只要使聲MFD為光MFD的大約1.6倍以上或2/3以下即可。另外，根據圖5可判斷出，為了把閾值功率改善2倍以上(＝使布里淵增益為1/2倍)，只要使聲MFD為光MFD的大約2.2倍以上或1/2以下即可。這里，雖然是固定了光MFD，但是，即使在使光MFD變化的情況下，只要能夠滿足光MFD與聲MFD的相對關系，也能夠導出圖5的關系。
并且，理想的是，希望只通過改變聲MFD來實現SBS抑制。因為本發(fā)明的對象既然是光纖，則在光纖的光學特性中除了SBS以外，還存在各種各樣的要求性能。為了在滿足這些要求性能的同時實現SBS抑制，需要在不改變光MFD的情況下，改變聲MFD。
通常，在信息通信中使用的光纖的本定義下的光MFD，在波長為1550nm左右時，為6～10μm左右。因此，具有該光MFD的光纖為了實現使聲MFD為光MFD的1.6倍以上或2/3以下，只要實質上使聲MFD為10μm以上或6μm以下即可。
作為使光纖的聲MFD為光MFD的1.6倍以上或2/3以下的方法，可列舉出例如把纖芯的折射率分布和摻雜物濃度分布復雜化，或在纖芯中添加多種摻雜物，使其濃度分布在徑向發(fā)生變化，或在包層中添加摻雜物的方法等。
下面，對本發(fā)明的傳輸系統(tǒng)進行說明。
使用上述本發(fā)明的光纖的優(yōu)點是，能夠導入更高功率的信號光。因此，通過使用本發(fā)明的光纖來進行需要比較高功率的模擬傳輸、基帶傳輸或光SCM傳輸，能夠實現更多分支、長距離的傳輸，可享受最大的實惠。特別是在傳輸距離為15km以上，和/或分支數在32分支以上那樣的系統(tǒng)的情況下，可享受最大的實惠。
另外，使用本發(fā)明的光纖，還能夠進行在上述的模擬傳輸、基帶傳輸或光SCM傳輸的基礎上同時進行其他的傳輸的波分復用傳輸。作為波分復用傳輸，可以是ITU-T G.983.3所示那樣的FTTH的一種形式，或者是CWDM等。
當然，作為傳輸系統(tǒng)，并不限定于這些用途。例如，不僅可使用在通常的公共數據通信中，而且也可以使用在數字長距離無線中繼傳輸系統(tǒng)、ITS、傳感器用途、遠程激光切割系統(tǒng)等中。
最后，在本例中，都是以基模為對象來對聲模進行的說明，但實際上，聲模不限于單模，還有存在多模的情況。但是，即使在該情況下，也基本上是，在光的模式為基模時，式(6)的重疊最大的聲模是基模。因此，在此預先說明，在考慮SBS抑制時，對于聲模，即使只以基模為對象，一般也沒有問題。
實施例[以往例]對圖2、圖3所示的以往例進一步進行詳細的說明。
圖6是以往型折射率分布的示例。通過使用這樣的折射率分布可獲得以下這樣的特性。另外，圖7表示本以往例中的光功率和聲模的分布。
·光纖截止波長為1.27μm·光纜截止波長為1.21μm·模場直徑(Petermann II)，在波長為1310nm時為9.43μm，波長為1550nm時為10.57μm。
·零色散波長為1307.0nm。
·波長色散值在波長為1310nm時為0.26ps/nm/km，在波長為1550nm時為17.43ps/nm/km。
·彎曲直徑為20mm時的彎曲損耗，在波長為1310nm時為1.0dB/m，在波長為1550nm時為19.7dB/m。
·光MFD在波長為1550nm時為7.60μm。
·聲MFD為7.10μm本以往例具有由IUT-T G.652所規(guī)定的一般的單模光纖的特性。(聲MFD)/(光MFD)為0.93。圖8表示該以往例的光纖的布里淵光譜。如圖8所示，測定了具有單一峰值的布里淵光譜。
圖9表示第1實施例的折射率分布。第1實施例的光纖具有折射率在中央附近具有折射率最大值，相對于半徑以大致一定的斜率減少的分布。下面說明具有圖9所示的折射率分布的光纖的光學特性。另外，圖10表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
·光纖截止波長為1.25μm·光纜截止波長為1.20μm·模場直徑(Petermann II)，在波長為1310nm時為9.46μm，波長為1550nm時為10.86μm。
·零色散波長為1330.5nm。
·波長色散值在波長為1310nm時為-1.90ps/nm/km，在波長為1550nm時為16.27ps/nm/km。
·彎曲直徑為20mm時的彎曲損耗，在波長為1310nm時為2.6dB/m，在波長為1550nm時為39.5dB/m。
·光MFD在波長為1550nm時為6.76μm。
·聲MFD為3.18μm由此可知，本實施例的光纖具有與以往例的光纖大致相同的光學特性。(聲MFD)/(光MFD)為0.47，為以往例的一半左右。根據圖10還可知，聲模的擴展比光學功率窄。圖11表示本實施例的光纖的布里淵光譜。根據圖11可知，光譜的峰值降低了一半左右。測定出的SBS閾值功率相對于以往例，改善了3.0dB。
圖12表示第2實施例的折射率分布。第2實施例的光纖為纖芯由2層構成的折射率分布。下面說明具有圖12所示的折射率分布的光纖的光學特性。另外，圖13表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
·光纖截止波長為1.29μm·光纜截止波長為1.22μm·模場直徑(Petermann II)，在波長為1310nm時為9.27μm，波長為1550nm時為10.53μm。
·零色散波長為1326.3nm。
·波長色散值在波長為1310nm時為-1.55ps/nm/km、在波長為1550nm時為16.77ps/nm/km。
·彎曲直徑為20mm時的彎曲損耗，在波長為1310nm時為0.5dB/m，在波長為1550nm時為12.8dB/m。
·光MFD在波長為1550nm時為6.59μm。
·聲MFD為2.49μm由此可知，本實施例的光纖具有與以往例的光纖大致相同的光學特性。(聲MFD)/(光MFD)為0.38，為以往例的一半左右。根據圖13還可知，聲模的擴展比光學功率窄。圖14表示本實施例的光纖的布里淵光譜。根據圖14可知，光譜的峰值降低了一半左右。測定出的SBS閾值功率相對于以往例，改善了3.2dB。
圖15表示第3實施例的折射率分布。第3實施例的光纖為纖芯由2層構成的折射率分布。下面說明具有圖15所示的折射率分布的光纖的光學特性。另外，圖16表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
·光纖截止波長為1.26μm·光纜截止波長為1.20μm·模場直徑(Petermann II)，在波長為1310nm時為9.31μm，波長為1550nm時為10.70μm。
·零色散波長為1335.3nm。
·波長色散值在波長為1310nm時為-2.43ps/nm/km、在波長為1550nm時為16.14ps/nm/km。
·彎曲直徑為20mm時的彎曲損耗，在波長為1310nm時為2.1dB/m，在波長為1550nm時為34.8dB/m。
·光MFD在波長為1550nm時為6.83μm。
·聲MFD為3.81μm由此可知，本實施例的光纖具有與以往例的光纖大致相同的光學特性。(聲MFD)/(光MFD)為0.56，為以往例的一半左右。根據圖16還可知，聲模的擴展比光學功率窄。圖17表示本實施例的光纖的布里淵光譜。根據圖17可知，光譜的峰值降低了一半左右。測定出的SBS閾值功率相對于以往例，改善了3.7dB。
圖18表示第4實施例的折射率分布。圖18是纖芯附近的放大圖，在圖18的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第4實施例的光纖由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成。表1示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖19表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
r11.38μm，Δ10.60％
r22.76μm，Δ20.20％r34.15μm，Δ30.45％光纖截止波長1280nm光纜截止波長1220nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)8.64μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)9.85μm零色散波長1335.4nm波長為1310nm時的波長色散值-2.31ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值17.73ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.06dB/m直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗2.65dB/m波長為1550nm時的光MFD6.48μm聲MFD2.54μm。
本實施例的光纖雖然具有比以往例的光纖小的MFD，但根據式(1)可知，SBS閾值功率Pth與有效纖芯截面面積Aeff成比例。而且Aeff與MFD2成比例。即，一般來講，隨著MFD的變小，SBS閾值功率也變小。但是，在本實施例的光纖中，從圖19可知，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.37，也為以往例的一半左右。圖20表示本實施例的光纖的布里淵光譜。10980MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10830MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率，在長度為20km的光纖中為12.9dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.2dB。
圖21表示第5實施例的折射率分布。圖21是纖芯附近的放大圖，在圖21的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第5實施例的光纖由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成。表2示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖22表示本實施例中的光功率和聲模的分布。零色散波長為1318.4，滿足ITU-T G.652。
r11.22μm，Δ10.53％r23.05μm，Δ20.22％r34.27μm，Δ30.45％光纖截止波長1290nm光纜截止波長1225nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)9.30μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)10.52μm零色散波長1318.4nm波長為1310nm時的波長色散值-0.77ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值16.84ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.51dB/m直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗10.0dB/m波長為1550nm時的光MFD7.25μm。
聲MFD2.38μm。
本實施例的光纖具有與以往例的光纖相同程度的MFD。從圖22還可知，在本實施例的光纖中，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.33，也為以往例的一半左右。圖23表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11130MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10900MHz、10990MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為13.4dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.7dB。
圖24表示第6實施例的折射率分布。圖24是纖芯附近的放大圖，在圖24的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第6實施例的光纖由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成。表3示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖25表示本實施例中的光功率和聲模的分布。零色散波長為1314.0，滿足ITU-T G.652。
r11.45μm，Δ10.52％r22.90μm，Δ20.20％r34.35μm，Δ30.45％r48.70μm，Δ4-0.08％光纖截止波長1275nm光纜截止波長1210nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)8.63μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)9.66μm零色散波長1314.0nm波長為1310nm時的波長色散值-0.37ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值16.78ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.15dB/m
直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗5.0dB/m波長為1550nm時的光MFD6.83μm聲MFD2.70μm本實施例的光纖具有比以往例的光纖小的MFD。與第4實施例一樣，對于以往的構造，如果是本光纖的MFD，則可預測SBS閾值功率將發(fā)生劣化。但是，在本實施例的光纖中，從圖25還可知，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.39，也為以往例的一半左右。圖26表示本實施例的光纖的布里淵光譜。10750MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10830MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為13.0dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.3dB。
圖27表示第7實施例的折射率分布。圖27是纖芯附近的放大圖，在圖27的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第7實施例的光纖與第3～第6實施例一樣，由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成，該3層構造的纖芯包括具有最大相對折射率差Δ1的中心纖芯、與中心纖芯鄰接且具有最低相對折射率差Δ2的第2纖芯、和與第2纖芯鄰接且具有最大相對折射率差Δ3的第3纖芯。但是，本實施例的光纖與第3～第6實施例不同，為具有平緩的分布的構造，其邊界不分明。這里，使用相對折射率差的徑向變化率(d相對折射率差/d半徑)，規(guī)定了各層的半徑。在纖芯區(qū)域，分別以變化率為0的點為第2纖芯、第3纖芯的半徑r2、r3。而且把在r2的內側變化率最小的半徑作為中心纖芯的半徑r1。表4示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖28表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
r11.44μm，Δ10.76％r22.29μm，Δ20.17％
r33.94μm，Δ30.46％r44.85μm光纖截止波長1260nm光纜截止波長1206nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)8.84μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)10.12μm零色散波長1338.8nm波長為1310nm時的波長色散值-2.71ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值15.86ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.13dB/m直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗4.3dB/m波長為1550nm時的光MFD6.36μm聲MFD2.21μm本實施例的光纖具有比以往例的光纖小的MFD。與第4實施例一樣，對于以往的構造，如果是本光纖的MFD，則可預測SBS閾值功率將發(fā)生劣化。但是，在本實施例的光纖中，從圖28還可知，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.39，也為以往例的一半左右。圖29表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11080MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，11010、10840MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為13.5dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.8dB。
圖30表示第8實施例的折射率分布。圖30是纖芯附近的放大圖，在圖30的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第8實施例的光纖與第3～第6實施例一樣，由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成，該3層構造的纖芯包括具有最大相對折射率差Δ1的中心纖芯、與中心纖芯鄰接且具有最低相對折射率差Δ2的第2纖芯、和與第2纖芯鄰接且具有最大相對折射率差Δ3的第3纖芯。但是，本實施例的光纖與第3～第6實施例不同，為具有平緩的分布的構造，對其邊界的定義采用與第7實施例相同的定義。表5示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖31表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
r11.40μm，Δ10.63％r22.12μm，Δ20.22％r33.63μm，Δ30.38％r45.08μm光纖截止波長1350nm光纜截止波長1250nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)9.15μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)10.39μm零色散波長1326.8nm波長為1310nm時的波長色散值-1.54ps/nm/km在波長為1550nm時的波長色散值16.52ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.06dB/m直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗2.2dB/m波長為1550nm時的光MFD6.73μm聲MFD2.22μm
本實施例的光纖具有與以往例的光纖相同程度的MFD。從圖31還可知，在本實施例的光纖中，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.33，也為以往例的一半左右。圖32表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11010MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10860、11090MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為12.6dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了3.9dB。
圖33表示第9實施例的折射率分布。圖33是纖芯附近的放大圖，在圖33的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第9實施例的光纖與第3～第6實施例一樣，由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成，該3層構造的纖芯包括具有最大相對折射率差Δ1的中心纖芯、與中心纖芯鄰接且具有最低相對折射率差Δ2的第2纖芯、和與第2纖芯鄰接且具有最大相對折射率差Δ3的第3纖芯。但是，本實施例的光纖與第3～第6實施例不同，為具有平緩的分布的構造，對其邊界的定義采用與第7實施例相同的定義。表6示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖34表示本實施例中的光功率和聲模的分布。零色散波長為1314.5nm，滿足ITU-T G.652。
r11.31μm，Δ10.60％r21.92μm，Δ20.26％r33.38μm，Δ30.50％r45.02μm光纖截止波長1380nm光纜截止波長1260nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)9.02μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)10.10μm
零色散波長1314.5nm波長為1310nm時的波長色散值-0.41ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值17.15ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗＜0.01dB/m，直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗0.4dB/m波長為1550nm時的光MFD7.00μm聲MFD2.23μm本實施例的光纖具有與以往例的光纖相同程度的MFD。從圖34還可知，在本實施例的光纖中，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.32，也為以往例的一半左右。圖35表示本實施例的光纖的布里淵光譜。10960MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10870、11090MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為12.6dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了3.9dB。
圖36表示第10實施例的折射率分布。圖36是纖芯附近的放大圖，在圖36的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第10實施例的光纖與第3～第6實施例一樣，由3層構造的纖芯和具有大致一定的折射率的包層構成，該3層構造的纖芯包括具有最大相對折射率差Δ1的中心纖芯、與中心纖芯鄰接且具有最低相對折射率差Δ2的第2纖芯、和與第2纖芯鄰接且具有最大相對折射率差Δ3的第3纖芯。但是，本實施例的光纖與第3～第6實施例不同，為具有平緩的分布的構造，對其邊界的定義采用與第7實施例相同的定義。表7示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖37表示本實施例中的光功率和聲模的分布。
r11.33μm，Δ10.66％
r22.11μm，Δ20.15％r34.18μm，Δ30.50％r44.87μm光纖截止波長1300nm光纜截止波長1230nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)9.23μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)10.15μm零色散波長1333.5nm波長為1310nm時的波長色散值-2.21ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值16.32ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗0.5dB/m直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗9.8dB/m波長為1550nm時的光MFD6.77μm聲MFD2.24μm本實施例的光纖具有與以往例的光纖相同程度的MFD。從圖37還可知，在本實施例的光纖中，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.33，也為以往例的一半左右。圖38表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11000MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10830、11120MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為14.3dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了5.6dB。
圖39表示第11實施例的折射率分布。圖39是纖芯附近的放大圖，在圖39的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第11實施例的光纖與第3～第6實施例一樣，具有3層構造的纖芯，該3層構造的纖芯包括具有最大相對折射率差Δ1的中心纖芯、與中心纖芯鄰接且具有最低相對折射率差Δ2的第2纖芯、和與第2纖芯鄰接且具有最大相對折射率差Δ3的第3纖芯。但是，本實施例的光纖與第3～第6實施例不同，為具有平緩的分布的構造，對其邊界的定義采用與第7實施例相同的定義。表8示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖40表示本實施例中的光功率和聲模的分布。零色散波長為1323.9nm，滿足ITU-TG.652。
r11.07μm，Δ10.68％r21.54μm，Δ20.18％r33.43μm，Δ30.66％r44.15μm，Δ4-0.05％r515.29μm光纖截止波長1290nm光纜截止波長1225nm波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)8.40μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)9.43μm零色散波長1323.9nm波長為1310nm時的波長色散值-0.96ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值16.60ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗＜0.01dB/m，直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗1.33dB/m波長為1550nm時的光MFD6.68μm
聲MFD2.01μm本實施例的光纖具有與以往例的光纖相同程度的MFD。從圖40還可知，在本實施例的光纖中，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.30，也為以往例的一半左右。圖41表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11120MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10820、10920MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為13.1dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.4dB。
圖42表示第12實施例的折射率分布。圖42是纖芯附近的放大圖，在圖42的折射率分布中，包層半徑為62.5μm。第12實施例的光纖的特征是，在具有與第11實施例同樣的3層構造的纖芯的基礎上，包層由3層構成。當把纖芯側的第1包層的相對折射率差設為Δ4，把其外側的低折射率的第2包層的相對折射率差設為Δ5時，具有Δ5＜Δ4＜0的關系。表9示出了本構造的構造參數(各層的半徑和相對折射率差)和光學特性。另外，圖43表示本實施例中的光功率和聲模的分布。零色散波長為1319.8nm，滿足ITU-TG.652。另外，與具有大致相同的MFD的第11實施例相比，具有小一個數量級的彎曲損耗。
r11.12μm，Δ10.68％r21.67μm，Δ20.18％r33.50μm，Δ30.66％r44.16μm，Δ4-0.05％r512.27μm，Δ5-0.25％r618.86μm光纖截止波長1292nm光纜截止波長1228nm
波長為1310nm時的模場直徑(Petermann II)8.40μm波長為1550nm時的模場直徑(Petermann II)9.42μm零色散波長1319.8nm波長為1310nm時的波長色散值-0.89ps/nm/km波長為1550nm時的波長色散值16.87ps/nm/km直徑為20mm、波長為1310nm時的彎曲損耗＜0.01dB/m，直徑為20mm、波長為1550nm時的彎曲損耗0.13dB/m波長為1550nm時的光MFD6.69μm聲MFD2.02μm本實施例的光纖具有比以往例的光纖小的MFD。與第4實施例一樣，對于以往的構造，如果是本光纖的MFD，則可預測SBS閾值功率將發(fā)生劣化，但在本實施例的光纖中，從圖43還可知，聲模的擴展比光學功率窄，(聲MFD)/光MFD)是0.30，也為以往例的一半左右。圖44表示本實施例的光纖的布里淵光譜。11030MHz附近的最大峰值降低到以往例的一半左右。并且，10740、10840MHz附近存在與最大峰值相同程度高度的峰值，對SBS閾值功率的改善是有效的。所測定的SBS閾值功率在長度為20km的光纖中為13.2dBm，已確認相對于通常的光纖，改善了4.5dB。
圖45表示使用了本發(fā)明的光纖1的基于PON結構的傳輸系統(tǒng)(波分復用傳輸系統(tǒng))10。傳輸系統(tǒng)10基于ITU-T G.983.3的規(guī)定，以波長1.31μm和波長1.49μm進行數據信號的傳輸，以波長1.55μm進行影像信號的傳輸。在圖45中，作為數據傳輸的一例，表示了基于互聯網和數據流的數字影像分發(fā)的示例。但是，通過追加適當的裝置，也可以進行聲音信號的傳輸。另外，在1.55μm波段的影像傳輸中，廣泛使用把通常的廣播波直接以模擬信號的形式進行傳輸的方式。這樣的方式在用戶側的廣播系統(tǒng)接收部中，能夠解調成原來的廣播波的信號，從而能夠直接使用以往的電視接收機。
在圖45的系統(tǒng)中，利用1根光纖來傳輸數據信號和模擬信號(影像信號)。但是，在本發(fā)明的傳輸系統(tǒng)中，也可以分別使用數據信號用光纖和模擬信號的光纖。在這樣的系統(tǒng)中，通過使用本發(fā)明的光纖，可獲得延長傳輸距離等的效果。
以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行了說明，但本發(fā)明不限于這些實施例。在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內，能夠進行構造的附加、省略、置換、以及其他的變更。本發(fā)明不受上述的說明的限定，而只由附加的權利要求書所限定。
權利要求
1.一種光纖，在上述光纖中產生的聲模的基模的第1模場直徑與該光纖的光強度分布的第2模場直徑不同。
2.根據權利要求1所述的光纖，其中，上述第1模場直徑是上述第2模場直徑的1.6倍以上或2/3以下。
3.根據權利要求1所述的光纖，其中，上述第1模場直徑的直徑大于等于10μm或小于等于6μm。
4.根據權利要求1所述的光纖，其中，通過減小上述光纖的上述聲場分布與光的功率分布的重疊，與具有同等光學特性的光纖相比，減少了受激布里淵散射的發(fā)生。
5.根據權利要求4所述的光纖，其中，通過使上述光纖的上述聲場分布擴展得比上述光的功率分布寬，減小了上述聲場分布與上述光的功率分布的重疊。
6.根據權利要求4所述的光纖，其中，通過使上述光纖的上述聲場分布縮小得比上述光功率分布窄，減小了上述聲場分布與上述光的功率分布的重疊。
7.根據權利要求1所述的光纖，其中，具有與具有同等光學特性的光纖相比為其1.5倍以上的受激布里淵閾值功率。
8.根據權利要求1所述的光纖，其中，具有與具有同等光學特性的光纖相比為其2倍以上的受激布里淵閾值功率。
9.根據權利要求1所述的光纖，其中，光纜截止波長小于等于1260nm，波長1310nm時的模場直徑大于等于7.9μm并小于等于10.2μm，零色散波長在1300nm～1324nm的范圍內。
10.根據權利要求1所述的光纖，其中，在中心部具有纖芯，在該纖芯的外周部具有包層，該包層由折射率不同的2層或2層以上構成。
11.根據權利要求10所述的光纖，其中，上述包層由2層構成，在把與上述纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與該第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把上述第1包層的折射率設為nc1，把上述第2包層的折射率設為nc2時，nc1＜nc2。
12.根據權利要求10所述的光纖，其中，上述包層由3層構成，在把與上述纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與該第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把與該第2包層的外周鄰接的包層設為第3包層，把上述第1包層的折射率設為nc1，把上述第2包層的折射率設為nc2，把上述第3包層的折射率設為nc3時，nc2＜nc1＜nc3。
13.根據權利要求1所述的光纖，其中，在把從布里淵光譜的頻率低的一側數的第i個峰值增益設為g(i)，把所存在的多個峰值中的最大增益設為Max(g)時，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
14.根據權利要求1所述的光纖，其中，在把從布里淵光譜的頻率低的一側數的第i個峰值增益設為g(i)，把所存在的多個峰值中的最大增益設為Max(g)時，g(i)≥
的峰值存在2個以上。
15.根據權利要求1所述的光纖，其中，在把從布里淵光譜的頻率低的一側數的第i個峰值增益設為g(i)，把所存在的多個峰值中的最大增益設為Max(g)時，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
16.一種傳輸系統(tǒng)，其構成為使用權利要求1所述的光纖進行模擬信號傳輸或基帶傳輸或光SCM傳輸。
17.一種波分復用傳輸系統(tǒng)，其構成為使用權利要求1所述的光纖進行模擬信號傳輸和/或基帶傳輸或光SCM傳輸，并且進行數據傳輸和/或聲音傳輸。
18.一種光纖，在把從布里淵光譜的頻率低的一側數的第i個峰值增益設為g(i)，把所存在的多個峰值中的最大增益設為Max(g)時，g(i)≥
的峰值存在2個以上。
19.根據權利要求18所述的光纖，其中，在上述光纖中產生的聲模的基模的第1模場直徑是該光纖的光強度分布的第2模場直徑的1.6倍以上或2/3以下。
20.根據權利要求19所述的光纖，其中，上述第1模場直徑的直徑大于等于10μm或小于等于6μm。
21.根據權利要求18所述的光纖，其中，通過減小上述光纖的聲場分布與光的功率分布的重疊，與具有同等光學特性的光纖相比，減少了受激布里淵散射的發(fā)生。
22.根據權利要求21所述的光纖，其中，通過使上述光纖的上述聲場分布擴展得比上述光的功率分布寬，減小了上述聲場分布與上述光的功率分布的重疊。
23.根據權利要求21所述的光纖，其中，通過使上述光纖的上述聲場分布縮小得比上述光的功率分布窄，減小了上述聲場分布與上述光的功率分布的重疊。
24.根據權利要求18所述的光纖，其中，具有與具有同等光學特性的光纖相比為其1.5倍以上的受激布里淵閾值功率。
25.根據權利要求18所述的光纖，其中，具有與具有同等光學特性的光纖相比為其2倍以上的受激布里淵閾值功率。
26.根據權利要求18所述的光纖，其中，光纜截止波長小于等于1260nm，波長1310nm時的模場直徑大于等于7.9μm并小于等于10.2μm，零色散波長在1300nm～1324nm的范圍內。
27.根據權利要求18所述的光纖，其中，在中心部具有纖芯，在該纖芯的外周部具有包層，該包層由折射率不同的2層以上構成。
28.根據權利要求27所述的光纖，其中，上述包層由2層構成，在把與上述纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與該第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把上述第1包層的折射率設為nc1，把上述第2包層的折射率設為nc2時，nc1＜nc2。
29.根據權利要求27所述的光纖，其中，上述包層由3層構成，在把與上述纖芯鄰接的包層設為第1包層，把與該第1包層的外周鄰接的包層設為第2包層，把與該第2包層的外周鄰接的包層設為第3包層，把上述第1包層的折射率設為nc1，把上述第2包層的折射率設為nc2，把上述第3包層的折射率設為nc3時，nc2＜nc1＜nc3。
30.根據權利要求18所述的光纖，其中，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
31.根據權利要求18所述的光纖，其中，g(i)≥
的峰值存在2個以上。
32.根據權利要求18所述的光纖，其中，g(i)≥
的峰值存在3個以上。
33.一種傳輸系統(tǒng)，其構成為使用權利要求18所述的光纖進行模擬信號傳輸或基帶傳輸或光SCM傳輸。
34.一種波分復用傳輸系統(tǒng)，其構成為使用權利要求18所述的光纖進行模擬信號傳輸和/或基帶傳輸或光SCM傳輸，并且進行數據傳輸和/或聲音傳輸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光纖，在上述光纖中產生的聲模的基模的第1模場直徑與該光纖的光強度分布的第2模場直徑不同。另外，使用該光纖構成了進行模擬信號傳輸或基帶傳輸或光SCM傳輸的傳輸系統(tǒng)。
文檔編號G02B6/036GK101048684SQ20058003675
公開日2007年10月3日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權日2004年11月5日
發(fā)明者松尾昌一郎, 谷川莊二, 內山圭祐, 姬野邦治 申請人:株式會社藤倉