專利名稱：半導(dǎo)體處理中控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及半導(dǎo)體處理，更具體而言，涉及控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu) 的臨界尺寸的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體處理中，半導(dǎo)體器件/電路通過沉積材料層并對材料層圖案化 而形成在晶片上。通常，器件/電路的特征利用圖案化工藝形成到所沉積的 材料層上。
在傳統(tǒng)的圖案化工藝中，在要在其上形成器件/電路的特征的膜層頂部 沉積光刻膠層。在光刻膠上方定位具有器件/電路的特征的布圖的光掩模， 然后進(jìn)行曝光。使用顯影溶液來溶解通過光掩模被曝光或未被曝光的光刻 膠的那一部分。然后使用刻蝕系統(tǒng)來剝離未被光刻膠保護(hù)的膜層的那一部 分。以這種方式，光掩模上的特征被形成作為膜層上的結(jié)構(gòu)。
然而，與圖案化工藝相關(guān)聯(lián)的不均勻性可能在通過圖案化工藝形成的 結(jié)構(gòu)的臨界尺寸中產(chǎn)生不希望發(fā)生的變化。例如，用在圖案化工藝中的光 刻膠顯影和傳統(tǒng)的刻蝕工具(例如等離子體干法刻蝕機(jī)) 一般從晶片的中 心到邊緣產(chǎn)生結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的不均勻變化。在傳統(tǒng)的刻蝕工具中，校正 這種不均勻變化可能是很困難的。

發(fā)明內(nèi)容
在示例性實(shí)施例中，控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸是通過以下 方式實(shí)現(xiàn)的首先利用顯影工具對晶片上的膜層頂部的光刻膠進(jìn)行顯影， 光刻膠顯影是包括顯影的溫度和時(shí)長在內(nèi)的顯影工具工藝變量的函數(shù)。在 對光刻膠顯影之后，利用刻蝕工具對晶片上的膜層執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)刻蝕步 驟。在執(zhí)行了一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟之后，利用光學(xué)度量工具測量晶片上的多個(gè)位置處的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸。在測量了臨界尺寸之后，基于在晶片上的
多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸調(diào)節(jié)顯影工具工藝變量中的一個(gè)或多 個(gè)。


通過結(jié)合附圖參考下面的描述可以最好地理解本申請，附圖中相似的 部分可以由相似的標(biāo)號指代
圖l示出了示例性的晶片； 圖 2-A至2-F示出了示例性的沉積和圖案化工藝；
圖3和4示出了用在示例性的沉積和圖案化工藝中的示例性工具； 圖5示出了示例性顯影工具中的示例性熱板；
圖6是示出了臨界尺寸和溫度之間的關(guān)系的示例性視圖；以及
圖7是示出了整個(gè)晶片上臨界尺寸變化的示例性分布特性的示例性視圖。
具體實(shí)施例方式
下面的描述闡明了大量的特定配置、參數(shù)等等。然而，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到， 這些描述并不是要作為對本發(fā)明的范圍的限制，而只是提供作為對示例性 實(shí)施例的描述。
參考圖1，如前所述，形成半導(dǎo)體器件/電路的特征作為晶片102上的 結(jié)構(gòu)的工藝包括在晶片102上沉積材料層并對材料層圖案化。更具體而
言，通過沉積材料層，然后去除所沉積的材料層的若干部分，以一次一層 的方式形成半導(dǎo)體器件/電路的特征作為結(jié)構(gòu)。
沉積材料層的工藝通常被稱為沉積工藝。示例性的沉積工藝包括化學(xué)
氣相沉積(CVD)、氧化、旋涂、濺射等等。被沉積的示例性材料包括聚 合物、氧化物、金屬等等。
在所沉積的材料層上形成特征的工藝通常被稱為圖案化工藝，圖案化 工藝一般包括光刻工藝和刻蝕工藝。更具體而言，在典型的光刻工藝中， 半導(dǎo)體器件/電路的特征被以一次一層的方式布局在一系列光掩模上。單個(gè)光掩模一般包括用于整個(gè)晶片102上的一個(gè)或多個(gè)芯片的一層的布圖。
現(xiàn)在參考圖2-A至2-F，這些圖描述了示例性的沉積和圖案化工藝。
應(yīng)當(dāng)注意到，下面的描述是說明性的而非全面的。因此，沉積和圖案化工 藝可包括更少的或更多的工藝步驟。
參考圖2-A，膜層200被沉積在晶片102上。如前所述，膜層200包 括各種材料，例如聚合物、氧化物、金屬等等。應(yīng)當(dāng)注意到，膜層200可 以沉積在后續(xù)層的頂部，而不是直接沉積在晶片102上。
參考圖2-B，光刻膠層202被沉積在膜層200的頂部。應(yīng)當(dāng)注意到， 光刻膠層202可以直接沉積在晶片102的頂部，而不是沉積在材料層200 上。參考圖3，涂布器工具302可用于沉積光刻膠層202 (圖2-B)。
參考圖2-C，光掩模204被定位在晶片102、膜層200和光刻膠層202 上方。光掩模204包括阻光部分206和透光部分208。光掩模204的阻光 部分206可被圖案化以與要形成的結(jié)構(gòu)具有相同形狀。這種類型的光掩模 通常被稱為"明場"掩模?；蛘?，光掩模204的透光部分208可被圖案化 以與要形成的結(jié)構(gòu)具有相同形狀。這種類型的光掩模通常被稱為"暗場" 掩模。為了說明的方便和清楚，光掩模204被示出并描述為"明場"掩 模。
參考圖2-D，光掩模204被相對于晶片102對齊，以使得要形成的結(jié) 構(gòu)被定位在正確的預(yù)期位置中。當(dāng)光掩模204被適當(dāng)?shù)貙R時(shí)，光掩模 204和光刻膠202的一部分被曝光。如圖2-D所示，光刻膠202只有某些 部分被曝光，即，在光掩模204的透光部分208 (圖2-C)下的部分被曝 光。參考圖3，步進(jìn)器工具304可用于定位光掩模204并對光掩模204曝 光(圖2-C)。
再次參考圖2-D，在該示例中，光刻膠層202具有這樣的材料特性 即其溶解性響應(yīng)于曝光。更具體而言，當(dāng)被曝光時(shí)，某些光刻膠從可溶的 變?yōu)椴豢扇艿?。這種類型的光刻膠通常被稱為"負(fù)型"膠。相反地，某些 光刻膠在被曝光時(shí)從不可溶的變?yōu)榭扇艿摹＿@種類型的光刻膠通常被稱為 "正型"膠。
為了方便和清楚起見，假定光刻膠層202是"正型"膠。因此，現(xiàn)在
8參考圖2-E，當(dāng)光刻膠層202被暴露于適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)溶劑(即，顯影劑) 時(shí)，被曝光的光刻膠層202的那一部分被溶解。參考圖3，顯影工具306 可用于對光刻膠層202顯影(圖2-E)，其中光刻膠顯影是顯影工具工藝 變量(包括顯影的溫度和時(shí)長)的函數(shù)。
現(xiàn)在參考圖2-F，隨后對膜層200進(jìn)行刻蝕以去除膜層200未被光刻 膠層202保護(hù)的部分。應(yīng)當(dāng)注意到，可以使用多個(gè)刻蝕步驟。參考圖3， 刻蝕工具308可用于刻蝕膜層200。
再次參考圖2-F，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，在已經(jīng)刻蝕了膜層200
后，在晶片102上的多個(gè)位置處測量形成在晶片102上的結(jié)構(gòu)的臨界尺
寸?；谠诙鄠€(gè)位置處的臨界尺寸測量結(jié)果，可以生成整個(gè)晶片上的臨界
尺寸測量結(jié)果的分布特性。在本示例中，形成在晶片102上的結(jié)構(gòu)包括膜
層200和光刻膠層202的剩余部分。在本示例性實(shí)施例中，所測得的臨界
尺寸可包括寬度(例如，頂寬、中寬、底寬等等)、高度、側(cè)壁角度等 等。
參考圖3，光學(xué)度量工具310可用于測量臨界尺寸。在本示例性實(shí)施 例中，光學(xué)度量工具310優(yōu)選地以小于l納米(更優(yōu)選地小于0.2或0.3納 米)的誤差測量臨界尺寸。通常，光學(xué)度量包括將入射束指向結(jié)構(gòu)，測量 所得到的衍射束，并分析衍射束以確定結(jié)構(gòu)的各種特性，例如臨界尺寸。 關(guān)于光學(xué)度量的更詳細(xì)描述，請參見2001年7月16日提交的題為 "GENERATION OF A LIBRARY OF PERIODIC GRATING DIFFRACTION SIGNALS"的美國專利申請No. 09/907,488; 2001年8月 6日提交的題為"METHOD AND SYSTEM OF DYNAMIC LEARNING THROUGH A REGRESSION-BASED LIBRARY GENERATION PROCESS"的美國專利申請No. 09/923,578;以及2003年6月27日提交 的題為"OPTICAL METROLOGY OF STRUCTURES FORMED ON SEMICONDUCTOR WAFERS USING MACHINE LEARNING SYSTEMS" 的美國專利申請No. 10/608,300，所有這些申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合 于此。
繼續(xù)參考圖3，在本示例性實(shí)施例中，基于在晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸調(diào)節(jié)顯影工具306的一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量。
具體而言，調(diào)節(jié)顯影工具工藝變量以補(bǔ)償整個(gè)晶片上的臨界尺寸測量結(jié)果 的分布特性的不均勻性。
例如，如果測得的臨界尺寸在晶片中心處較高而在晶片邊緣處較低，
則調(diào)節(jié)一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量，以在顯影工具306中產(chǎn)生在晶片中 心處較低而在晶片邊緣處較高的臨界尺寸。從而，當(dāng)隨后在刻蝕工具308 中處理晶片時(shí)，在整個(gè)晶片上產(chǎn)生了均勻的臨界尺寸。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，利用顯影工具306對光刻膠顯影、利用刻蝕 工具308刻蝕膜層、利用光學(xué)度量工具310測量結(jié)構(gòu)的臨界尺寸以及調(diào)節(jié) 一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量的過程可以針對任何數(shù)目的額外晶片進(jìn)行重 復(fù)，直到在晶片上測得的臨界尺寸在可接受的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)是均勻的為止。當(dāng)獲 得了可接受的臨界尺寸均勻性時(shí)，利用顯影工具306和刻蝕工具308對另 外的晶片進(jìn)行處理，而無需調(diào)節(jié)顯影工具306的顯影工具工藝變量?？梢?利用光學(xué)工具310繼續(xù)測量晶片上結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，以繼續(xù)監(jiān)視工藝。為 了增大產(chǎn)量，可以以確立的時(shí)間間隔或處理的晶片數(shù)間隔測量晶片上的臨 界尺寸。
參考圖4，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，另一個(gè)度量工具402被用于在晶 片已經(jīng)在顯影工具306中被處理了之后并且在被刻蝕工具308處理之前測 量臨界尺寸。度量工具402所獲得的測量結(jié)果提供了在刻蝕工具308的處 理之前整個(gè)晶片上的臨界尺寸的變化的分布特性。光學(xué)度量工具402和 310所測得的臨界尺寸的變化的分布特性的改變可用于確定與刻蝕工具 308相關(guān)聯(lián)的不均勻性。
應(yīng)當(dāng)注意到，光學(xué)度量工具402和310可以是獨(dú)立的工具。或者，光 學(xué)度量工具402和310可以是集成工具。例如，光學(xué)度量工具402可以集 成在顯影工具306中，光學(xué)度量工具310可以集成在刻蝕工具308中。另 外，應(yīng)當(dāng)注意到，可以使用單個(gè)獨(dú)立光學(xué)度量工具來在一個(gè)或多個(gè)晶片已 經(jīng)在顯影工具306和刻蝕工具308中進(jìn)行了處理之后獲得臨界尺寸測量結(jié) 果，而不是使用兩個(gè)光學(xué)度量工具402和310。
參考圖5，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，顯影工具402 (圖3)包括熱板502，熱板502用于在曝光后烘烤期間加熱晶片。如圖5所示，熱板502可 包括多個(gè)區(qū)504a-504g，每個(gè)區(qū)具有獨(dú)立的溫度設(shè)置。盡管熱板502被示 為具有七個(gè)區(qū)，但是應(yīng)當(dāng)注意到，熱板502可以具有任何數(shù)目的區(qū)。
區(qū)504a-504g的獨(dú)立溫度設(shè)置允許晶片的不同區(qū)域被加熱到不同溫 度。如圖6所示，通常，增大溫度減小了形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺 寸。從而，整個(gè)晶片上結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的分布特性可以通過調(diào)節(jié)區(qū)504a-504g的溫度設(shè)置來加以調(diào)節(jié)(圖5)。
例如，參考圖7，假定分布特性702示出了在晶片已經(jīng)在刻蝕工具 308 (圖3)中進(jìn)行了處理之后整個(gè)晶片上臨界尺寸的分布特性。如前所 述，刻蝕工具傾向于產(chǎn)生在晶片中心處臨界尺寸比在在晶片邊緣處高的結(jié) 構(gòu)。從而，在該示例中，為了補(bǔ)償分布特性702的不均勻性，可以調(diào)節(jié)顯 影工具306 (圖3)中區(qū)504a-504g (圖5)的溫度設(shè)置，以生成在顯影工 具306中進(jìn)行了處理之后的整個(gè)晶片上的、與分布特性702相反的臨界尺 寸的分布特性。具體而言，參考圖5，相對于區(qū)504a-504g的接近晶片邊 緣的溫度設(shè)置，可以提高區(qū)504a-504g的接近晶片中心的溫度設(shè)置。在顯 影工具306 (圖3)中調(diào)節(jié)顯影工藝以補(bǔ)償由刻蝕工具308 (圖3)產(chǎn)生的 整個(gè)晶片上臨界尺寸的不均勻性的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，顯影工具306 (圖3) 中的顯影工藝一般可能比刻蝕工具308 (圖3)中的刻蝕工藝更好控制。
出于說明和描述目的，己經(jīng)給出了特定實(shí)施例的前述描述。這些描述 并不是窮舉性的，也不是要將本發(fā)明限制在所公開的精確形式，應(yīng)當(dāng)理 解，在前述教導(dǎo)的情況下，可以有許多修改和變化。
權(quán)利要求
1. 一種控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的方法，包括a)利用顯影工具對晶片上膜層頂部的光刻膠進(jìn)行顯影，所述光刻膠顯影是包括顯影的溫度和時(shí)長在內(nèi)的顯影工具工藝變量的函數(shù)；b)在a)之后，利用刻蝕工具對所述晶片上的所述膜層執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟；c)在b之后，利用光學(xué)度量工具測量所述晶片上的多個(gè)位置處的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸；以及d)基于在所述晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸調(diào)節(jié)所述顯影工具工藝變量中的一個(gè)或多個(gè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中對于多個(gè)額外晶片重復(fù)進(jìn)行步驟 a)到d)，并且當(dāng)在c)中測得的臨界尺寸在可接受標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)是均勻的時(shí)， 省略步驟d)。
3. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中d)包括基于來自c)的測量結(jié)果生成所述整個(gè)晶片上臨界尺寸測量結(jié)果的分 布特性；調(diào)節(jié)所述顯影工具工藝變量中的一個(gè)或多個(gè)，以產(chǎn)生在a)之后形成 在所述光刻膠中的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的、與所生成的分布特性相反的分布特 性。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在a)之后，利用另一個(gè)光學(xué)度量工具測量形成在所述光刻膠中的結(jié) 構(gòu)的臨界尺寸。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述另一個(gè)光學(xué)度量工具與所述顯 影工具相集成。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)度量工具與所述刻蝕工具 相集成。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)度量工具以小于1納米的 誤差在c)中測量所述臨界尺寸。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述光學(xué)度量工具以小于0.2或0.3 納米的誤差在c)中測量所述臨界尺寸。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述顯影工具包括具有多個(gè)區(qū)的熱板，其中每個(gè)區(qū)具有獨(dú)立的溫度設(shè)置，并且其中d)包括基于在所述晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，調(diào)節(jié)所述熱 板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的溫度設(shè)置。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中調(diào)節(jié)所述溫度設(shè)置包括當(dāng)在接近所述晶片的中心的位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸大于在接近 所述晶片的邊緣的位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸時(shí)，相對于所述熱板的接 近所述晶片邊緣的區(qū)的溫度設(shè)置，提高所述熱板的接近所述晶片中心的區(qū) 的溫度設(shè)置。
11. 一種控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的方法，包括a) 利用顯影工具對晶片上膜層頂部的光刻膠進(jìn)行顯影，其中所述晶片被所述顯影劑中的熱板加熱，所述熱板具有多個(gè)區(qū)，每個(gè)區(qū)具有獨(dú)立的溫度設(shè)置；b) 在a)之后，利用刻蝕工具刻蝕所述晶片上的所述膜層；c) 在b)之后，利用光學(xué)度量工具測量所述晶片上的多個(gè)位置處的結(jié) 構(gòu)的臨界尺寸；以及d) 基于在所述晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，調(diào)節(jié)所 述熱板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的溫度設(shè)置。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中對于多個(gè)額外晶片重復(fù)進(jìn)行步驟 a)到d)，并且當(dāng)在c)中測得的臨界尺寸在可接受標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)是均勻的時(shí)， 省略步驟d)。
13. 如權(quán)利要求ll所述的方法，其中d)包括當(dāng)在接近所述晶片的中心的位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸大于在接近 所述晶片的邊緣的位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸時(shí)，相對于所述熱板的接 近所述晶片邊緣的區(qū)的溫度設(shè)置，提高所述熱板的接近所述晶片中心的區(qū) 的溫度設(shè)置。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中d)包括基于來自C)的測量結(jié)果，生成所述整個(gè)晶片上臨界尺寸測量結(jié)果的 分布特性；調(diào)節(jié)所述熱板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的溫度設(shè)置，以產(chǎn)生在a)之后形成在 所述光刻膠中的結(jié)果的臨界尺寸的、與所生成的分布特性相反的分布特 性。
15. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在a)之后，利用另一個(gè)光學(xué)度量工具測量形成在所述光刻膠中的結(jié) 構(gòu)的臨界尺寸。
16. —種控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的方法，包括a) 利用涂布器工具在晶片上的膜層的頂部涂布光刻膠；b) 利用步進(jìn)器工具對所述光刻膠曝光，以將結(jié)構(gòu)圖案轉(zhuǎn)移到所述光刻膠上；c) 利用顯影工具對所述光刻膠進(jìn)行顯影，其中所述晶片被所述顯影 工件中的熱板加熱，所述熱板具有多個(gè)區(qū)，每個(gè)區(qū)具有獨(dú)立的溫度設(shè)置；d) 在C)之后，利用刻蝕工具刻蝕所述晶片上的所述膜層；e) 在d)之后，利用光學(xué)度量工具測量所述晶片上的多個(gè)位置處的結(jié) 構(gòu)的臨界尺寸；以及f) 基于在所述晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，調(diào)節(jié)所述 熱板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的溫度設(shè)置。
17. —種控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸的系統(tǒng)，包括 顯影工具，其用于對晶片上膜層頂部的光刻膠進(jìn)行顯影，所述顯影工具由一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量控制；刻蝕工具，其用于在所述光刻膠已經(jīng)在所述顯影工具中顯影之后刻蝕 所述膜層；以及第一光學(xué)度量工具，其用于在所述膜層已經(jīng)在所述刻蝕工具中被刻蝕 之后測量所述晶片上的多個(gè)位置處的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，其中，基于在所述晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸來調(diào)節(jié) 所述一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量。
18. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中，多個(gè)額外晶片被在所述顯影劑和刻蝕工具中進(jìn)行處理，并且被所述第一光學(xué)度量工具測量，并且調(diào)節(jié)所 述一個(gè)或多個(gè)顯影工具工藝變量，直到由所述第一光學(xué)度量工具測得的晶 片上的臨界尺寸在可接受標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)是均勻的為止。
19. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，還包括第二光學(xué)度量工具，其用于測量在所述顯影工具中形成在所述光刻膠 中的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸。
20. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述第二光學(xué)度量工具與所述顯影工具相集成。
21. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)度量工具與所述刻 蝕工具相集成。
22. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)度量工具以小于1 納米的誤差在c)中測量所述臨界尺寸。
23. 如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)度量工具以小于 0.2或0.3納米的誤差在c)中測量所述臨界尺寸。
24. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述刻蝕工具是等離子體刻蝕工具。
25. 如權(quán)利要求n所述的系統(tǒng)，其中所述顯影工具包括具有多個(gè)區(qū)的熱板，每個(gè)區(qū)具有獨(dú)立的溫度設(shè)置，并且其中，基于在所述晶片上的多個(gè) 位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸，調(diào)節(jié)所述熱板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的溫度設(shè) 置。
26. 如權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中當(dāng)在接近所述晶片的中心的位置 處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸大于在接近所述晶片的邊緣的位置處測得的結(jié)構(gòu) 的臨界尺寸時(shí)，相對于所述熱板的接近所述晶片邊緣的區(qū)的溫度設(shè)置，提 高所述熱板的接近所述晶片中心的區(qū)的溫度設(shè)置。
27. 如權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中調(diào)節(jié)所述熱板的一個(gè)或多個(gè)區(qū)的 溫度設(shè)置，以在所述顯影工具中產(chǎn)生形成在所述光刻膠中的結(jié)構(gòu)的臨界尺 寸的、與所述第一光學(xué)度量工具測得的整個(gè)晶片上的臨界尺寸測量結(jié)果的 分布特性相反的分布特性。
全文摘要
在半導(dǎo)體處理中，控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸是通過以下方式實(shí)現(xiàn)的首先利用顯影工具對晶片上膜層頂部的光刻膠進(jìn)行顯影，光刻膠顯影是包括顯影的溫度和時(shí)長在內(nèi)的顯影工具工藝變量的函數(shù)。在對光刻膠顯影之后，利用刻蝕工具對晶片上的膜層執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟。在執(zhí)行了一個(gè)或多個(gè)刻蝕步驟之后，利用光學(xué)度量工具測量晶片上的多個(gè)位置處的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸。在測量了臨界尺寸之后，基于在晶片上的多個(gè)位置處測得的結(jié)構(gòu)的臨界尺寸調(diào)節(jié)顯影工具工藝變量中的一個(gè)或多個(gè)。
文檔編號G03C5/00GK101432658SQ200580029097
公開日2009年5月13日 申請日期2005年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者溫格·楊, 阿蘭·諾蘭特 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社