技術(shù)編號：2772348
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導(dǎo)體處理，更具體而言，涉及控制形成在晶片上的結(jié)構(gòu) 的臨界尺寸的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體處理中，半導(dǎo)體器件/電路通過沉積材料層并對材料層圖案化 而形成在晶片上。通常，器件/電路的特征利用圖案化工藝形成到所沉積的 材料層上。在傳統(tǒng)的圖案化工藝中，在要在其上形成器件/電路的特征的膜層頂部 沉積光刻膠層。在光刻膠上方定位具有器件/電路的特征的布圖的光掩模， 然后進行曝光。使用顯影溶液來溶解通過光掩模被曝光或未被曝光的光刻 膠的那一部分。然后使用刻蝕...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。