專(zhuān)利名稱(chēng)：用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。某些實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，它包括使用示出在晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值下標(biāo)線(xiàn)將如何印制于晶片上的模擬圖像檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
背景技術(shù)：
以下描述和示例不由于它們包含于該部分內(nèi)而被承認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)。
制造諸如邏輯和存儲(chǔ)器器件的半導(dǎo)體器件通常包括使用系列半導(dǎo)體制造工藝來(lái)處理基片，諸如半導(dǎo)體晶片，以形成各種部件和半導(dǎo)體器件的若干層。例如，光刻是一種半導(dǎo)體制造工藝，它包括將圖案從標(biāo)線(xiàn)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片上排列的抗蝕劑。半導(dǎo)體制造工藝的其它示例包括，但不限于，化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、沉積和離子植入?？梢栽诎雽?dǎo)體晶片上的一種排列上制造多種半導(dǎo)體器件，隨后將其分成個(gè)別的半導(dǎo)體器件。
光刻通常是集成電路制造過(guò)程中的最重要的過(guò)程之一，因?yàn)檫@是在晶片上圖案化部件的過(guò)程。隨后，通過(guò)光刻在抗蝕劑中印制的圖案用作掩模層，以在后續(xù)處理步驟中將該圖案轉(zhuǎn)移到晶片上的另外的層。因此，光刻期間形成于晶片上的圖案直接影響晶片上形成的集成電路的部件。結(jié)果，對(duì)于集成電路制造過(guò)程來(lái)說(shuō)，光刻期間在晶片上形成的缺陷可能特別成問(wèn)題。在光刻期間在形成圖案的晶片上形成缺陷的許多方式之一是將標(biāo)線(xiàn)上存在的缺陷轉(zhuǎn)移到晶片上。因此，相當(dāng)嚴(yán)格地進(jìn)行諸如不需要的微?；蚱渌镔|(zhì)的標(biāo)線(xiàn)上缺陷的檢測(cè)和校正，以防止在光刻期間將標(biāo)線(xiàn)上的這些缺陷轉(zhuǎn)移到晶片上。
然而，隨著集成電路的尺寸減小以及從標(biāo)線(xiàn)轉(zhuǎn)移到晶片上的圖案變得更加復(fù)雜，標(biāo)線(xiàn)上形成的部件中的缺陷或容限(marginalities)變得越發(fā)重要。特別是，如果圖案未精確形成于標(biāo)線(xiàn)上，當(dāng)圖案的尺寸減小且圖案的復(fù)雜度增加時(shí)，這種偏差更甚地產(chǎn)生晶片上的缺陷。此外，標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)中的容限會(huì)使得該設(shè)計(jì)不正確地印制于晶片上。因此，已致力于可用于檢測(cè)將引起晶片上的問(wèn)題的標(biāo)線(xiàn)上的圖案中或設(shè)計(jì)中的問(wèn)題的方法和系統(tǒng)。這些努力相對(duì)復(fù)雜和困難，這至少部分地是因?yàn)椴⒎菢?biāo)線(xiàn)上形成的圖案中的所有偏差或容限(與理想圖案相比)將引起會(huì)負(fù)面影響集成電路的晶片上的誤差。換言之，標(biāo)線(xiàn)上形成的圖案中的某些誤差將根本不會(huì)產(chǎn)生晶片上的缺陷，或者會(huì)產(chǎn)生不降低集成電路的性能特征的基片上的缺陷。因此，開(kāi)發(fā)用于使標(biāo)線(xiàn)圖案合格的合適方法和系統(tǒng)中的諸多挑戰(zhàn)之一是區(qū)分“要緊”的圖案缺陷或容限和不要緊的那些。
在制造標(biāo)線(xiàn)前檢查標(biāo)線(xiàn)圖案的一種方法是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)。但是，常規(guī)的DRC僅以標(biāo)稱(chēng)處理?xiàng)l件進(jìn)行操作，或至多以有限數(shù)量的處理?xiàng)l件和/或以器件內(nèi)的有限數(shù)量的點(diǎn)的情況下操作。已提出了其它用于在制造標(biāo)線(xiàn)前檢測(cè)設(shè)計(jì)圖案缺陷的基于軟件的方法，且Weed的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物No.2003/0119216A1中描述了這樣一種方法，其完整地結(jié)合在此作為參考。然而，該方法被設(shè)計(jì)成僅確定最佳聚焦和曝光設(shè)定而不探測(cè)可用于每個(gè)設(shè)計(jì)的處理窗口條件的全范圍。Bula等人的美國(guó)專(zhuān)利No.6373975中描述了另一方法，它完整地結(jié)合在此作為參考，該方法僅進(jìn)行模擬以測(cè)試特定的設(shè)計(jì)規(guī)則違反而不將完整的芯片模擬圖像和基準(zhǔn)進(jìn)行比較以檢測(cè)任意缺陷。
因此，這種軟件方法具有若干缺點(diǎn)。特別是，這些軟件方法不暴露處理窗口條件的全范圍，從而不能檢測(cè)處理窗口容限并錯(cuò)過(guò)潛在的缺陷。此外，這些方法不確定出現(xiàn)缺陷的準(zhǔn)確聚焦和曝光條件，從而阻礙了設(shè)計(jì)的完全優(yōu)化。缺乏完整的處理窗口信息還限制了實(shí)現(xiàn)用于器件上的所有關(guān)鍵部件的關(guān)鍵尺寸控制的高級(jí)處理控制技術(shù)的能力。
由此，期望開(kāi)發(fā)能在制造標(biāo)線(xiàn)前在整個(gè)芯片內(nèi)并在處理?xiàng)l件范圍(諸如聚焦和曝光)上檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷或容限的方法和系統(tǒng)，以降低制造適合于在集成電路制造中使用的標(biāo)線(xiàn)的成本并減少制造通過(guò)集成電路制造限制的標(biāo)線(xiàn)的有關(guān)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的各種實(shí)施例的以下描述不按任何方式構(gòu)成為限制所附權(quán)利要求書(shū)的主題。這里所述的方法一般稱(chēng)作虛擬處理窗口限定條件(vPWQ)方法。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。該方法包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該方法還包括用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像。該第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。因此，該方法包括在兩個(gè)步驟中進(jìn)行模擬首先，模擬從設(shè)計(jì)到標(biāo)線(xiàn)(即，掩模制造過(guò)程的模擬)；隨后，模擬標(biāo)線(xiàn)到晶片圖案轉(zhuǎn)移(即，晶片制造過(guò)程的模擬)。此外，該方法包括使用所述第二模擬圖像檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二模擬圖像包括由所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)定義的完整芯片的模擬圖像。在一些實(shí)施例中，上述不同值跨晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的預(yù)定處理窗口。因此，該方法可以包括全處理窗口上的完整芯片的模擬以確定在處理?xiàng)l件(諸如聚焦和曝光)變化時(shí)首先出錯(cuò)的器件區(qū)域。在另一實(shí)施例中，標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)包括通過(guò)分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)部件數(shù)據(jù)(featuredata)修改的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
在另一實(shí)施例中，該方法包括基于所述檢測(cè)步驟的結(jié)果確定晶片印制過(guò)程的處理窗口。在另一實(shí)施例中，該方法還包括確定在哪些不同值處在第二模擬圖像中出現(xiàn)至少一個(gè)缺陷。在又一實(shí)施例中，該方法包括確定在比在標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的其它區(qū)域中出現(xiàn)缺陷時(shí)的不同值更靠近晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的不同值處出現(xiàn)缺陷的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)步驟包括將所述第二模擬圖像和基準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較。按此方式，該方法涉及通過(guò)與基準(zhǔn)圖像的比較對(duì)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的“有缺陷”區(qū)域的識(shí)別。該基準(zhǔn)圖像可包括示出如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上的附加模擬圖像。在另一這種實(shí)施例中，基準(zhǔn)圖像示出如何將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)理想地印制于晶片上。在其它實(shí)施例中，檢測(cè)步驟包括將所述第二模擬圖像之一和附加模擬圖像進(jìn)行比較，所述附加模擬圖像示出如何以比對(duì)應(yīng)于所述一個(gè)第二模擬圖像的不同值更靠近晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。
在一些實(shí)施例中，該方法可包括生成附加模擬圖像，它示出如何以標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。一個(gè)這種實(shí)施例包括選擇在標(biāo)線(xiàn)上產(chǎn)生最小數(shù)量的設(shè)計(jì)圖案缺陷的所述標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值。這樣，該方法可包括為標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)選擇最合適的掩模制造過(guò)程。在另一實(shí)施例中，該方法包括根據(jù)所述檢測(cè)步驟的結(jié)果改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。該改變步驟可包括改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的RET部件數(shù)據(jù)。按此方式，該方法允許分辨率提升、光學(xué)近似校正(OPC)規(guī)則、設(shè)計(jì)布局等的最佳選擇。
在一個(gè)實(shí)施例中，該方法可包括基于所述檢測(cè)的結(jié)果生成所述標(biāo)線(xiàn)的檢查過(guò)程。在一個(gè)這種實(shí)施例中，該方法可包括鏈接vPWQ數(shù)據(jù)和標(biāo)線(xiàn)檢查，以驅(qū)動(dòng)檢查器的選擇性靈敏度。在一附加實(shí)施例中，該方法可包括基于所述檢測(cè)步驟的結(jié)果生成所述晶片的檢查過(guò)程。在一個(gè)這種實(shí)施例中，該方法可包括鏈接vPWQ數(shù)據(jù)和晶片檢查，以驅(qū)動(dòng)檢查器的選擇性靈敏度。在一個(gè)不同的實(shí)施例中，該方法包括在檢測(cè)步驟后制造標(biāo)線(xiàn)，檢查所述標(biāo)線(xiàn)，并基于所述檢測(cè)和所述檢查的結(jié)果生成所述晶片的檢查過(guò)程。按此方式，該方法可包括鏈接vPWQ和標(biāo)線(xiàn)檢查數(shù)據(jù)的組合及晶片檢查以驅(qū)動(dòng)晶片檢查器的選擇性靈敏度。在另一實(shí)施例中，該方法可包括在所述檢測(cè)步驟后制造標(biāo)線(xiàn)，檢查所述標(biāo)線(xiàn)，并基于所述檢測(cè)的結(jié)果、所述檢查的結(jié)果、標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的設(shè)計(jì)者生成的關(guān)鍵部件數(shù)據(jù)或其某一組合生成用于晶片的檢查過(guò)程。這樣，該方法可包括鏈接vPWQ、標(biāo)線(xiàn)檢查和/或設(shè)計(jì)者識(shí)別的關(guān)鍵部件的組合以驅(qū)動(dòng)晶片檢查靈敏度、度量采樣方案和關(guān)鍵尺寸(CD)控制系統(tǒng)用于最佳產(chǎn)量。
在再一實(shí)施例中，該方法可包括識(shí)別所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，它與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第二區(qū)域相比具有更高的概率被有缺陷地印制，并基于所述識(shí)別的結(jié)果生成用于將用標(biāo)線(xiàn)印制的晶片的過(guò)程控制方法。在一個(gè)這種實(shí)施例中，該方法可包括鏈接vPWQ與晶片CD度量工具以驅(qū)動(dòng)最佳采樣方案并檢測(cè)vPWQ識(shí)別的關(guān)鍵區(qū)域中的處理出錯(cuò)的最早的可能征兆。在又一實(shí)施例中，該方法可包括識(shí)別所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，該區(qū)域與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第二區(qū)域相比具有更高的概率被有缺陷地印制，并基于所述識(shí)別改變所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。按此方式，該方法可包括將vPWQ數(shù)據(jù)反饋給設(shè)計(jì)者和/或設(shè)計(jì)過(guò)程以便優(yōu)化vPWQ所識(shí)別的區(qū)域中的器件電氣參數(shù)，作為在處理窗口容差方面最大的限制。上述每個(gè)方法實(shí)施例可包括這里所述的任何其它步驟。
另一實(shí)施例涉及一種模擬引擎，它被配置為生成第一模擬圖像，該圖像示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該模擬引擎還被配置為用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像。該第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。該第二模擬圖像可用于檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。該模擬引擎還如這里所述地被配置。
附加實(shí)施例涉及一種系統(tǒng)，它被配置為檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。該系統(tǒng)包括模擬引擎，它被配置為生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該模擬引擎還被配置為用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像。該第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。該系統(tǒng)還包括被配置為使用所述第二模擬圖像檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的處理器。該系統(tǒng)還如這里所述地被進(jìn)一步配置。
另一實(shí)施例涉及一種用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的不同方法。該方法包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該方法還包括用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像。該所述第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。此外，該方法包括將所述第二模擬圖像的特征的變化率確定誒所述不同值的函數(shù)。該方法還包括基于所述變化率檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)步驟可包括使用所述變化率結(jié)合所述第二模擬圖像來(lái)檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。該方法的每個(gè)實(shí)施例還可包括這里所述的任何其它步驟。
一附加實(shí)施例涉及一種用于檢測(cè)印制于標(biāo)線(xiàn)上的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。該方法包括以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)的圖像印制于晶片上。該方法還包括按照所述不同值確定所述圖像特征的變化率。此外，該方法包括基于所述變化率檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。該方法還可包括這里所述的任何其它步驟。


對(duì)于本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)將得益于以下較佳實(shí)施例的詳細(xì)描述和對(duì)附圖的參照而變得顯而易見(jiàn)，其中
圖1是示出用于使用于集成電路制造的標(biāo)線(xiàn)合格的方法的流程圖。
圖2是示出用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
圖3是示出用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法和其它處理步驟之間的數(shù)據(jù)流的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
圖4是示出具有不同水平和類(lèi)型的關(guān)鍵性的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的不同區(qū)域的一個(gè)示例的示意圖。
圖5是示出可生成模擬圖像的晶片印制過(guò)程參數(shù)的不同值的一個(gè)示例的示意圖，它們可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
圖6是示出可生成模擬圖像的晶片印制過(guò)程參數(shù)的不同值的一個(gè)示例的示意圖，它們可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
圖7是示出可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的晶片印制過(guò)程參數(shù)的不同值下印制于晶片上的關(guān)心的一種排列的示意圖。
圖8是示出在可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的晶片印制過(guò)程參數(shù)的不同值下模擬或印制于晶片上的管芯的一種排列的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖9-12是示出用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的各種雖然本發(fā)明容許各種修改和替換形式，其特定實(shí)施例作為示例在附圖中示出并在此詳細(xì)描述。附圖可不按比例繪制。但應(yīng)理解，附圖及其詳細(xì)描述不旨在將本發(fā)明限制于所公開(kāi)的特殊形式，相反地本發(fā)明將覆蓋落在所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效方案和可選方案。
具體實(shí)施例方式
如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“晶片”一般表示由半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基片。這種半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料的示例包括，但不限于，單晶硅、砷化鎵和磷化銦。這種基片可在半導(dǎo)體制造設(shè)備中普遍地找到和/或處理。
一晶片可僅包括基片。這種晶片通常稱(chēng)作“原始晶片”?；蛘?，晶片可包括形成于基片上的一層或多層。例如，這些層可包括，但不限于，抗蝕劑、電介質(zhì)材料和導(dǎo)電材料?？刮g劑可包括能通過(guò)光刻技術(shù)、電子束光刻技術(shù)或X射線(xiàn)光刻技術(shù)形成圖案的任何材料。電介質(zhì)材料的示例包括，但不限于，二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氮化鈦。電介質(zhì)材料的其它示例包括“低k”電介質(zhì)材料，諸如AppliedMaterials，Inc.，Santa Clara，California的Black DiamondTM，以及Novellus Systems，Inc.，San Jose，California的CORALTM，諸如“干凝膠”的“超低k”電介質(zhì)材料，和諸如五氧化鉭的“高k”電介質(zhì)材料。此外，導(dǎo)電材料的示例包括，但不限于，鋁、多晶硅和銅。
晶片上形成的一層或多層可被形成圖案或不形成圖案。例如，晶片可包括具有可重復(fù)圖案特征的多個(gè)管芯。這種材料層的形成和處理可最終獲得完成的半導(dǎo)體器件。這樣，晶片可包括其上尚未形成完整半導(dǎo)體器件的所有層的基片或者其上已形成了完整半導(dǎo)體器件的所有層的基片。術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體器件”這里與術(shù)語(yǔ)“集成電路”可互換使用。此外，諸如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件等的其它器件也可形成于晶片上。
“標(biāo)線(xiàn)”或“掩模”一般被定義為具有其上形成并按一定圖案配置的基本不透明區(qū)域的基本透明的基片。例如，基片可包括諸如石英的玻璃材料?；静煌该鞯膮^(qū)域可由諸如鉻的材料構(gòu)成。在光刻工藝的曝光步驟期間，標(biāo)線(xiàn)可設(shè)置于涂布抗蝕劑的晶片上，以使標(biāo)線(xiàn)上的圖案能轉(zhuǎn)移到該抗蝕劑。例如，標(biāo)線(xiàn)的基本不透明的區(qū)域可保護(hù)下面的抗蝕劑區(qū)域免受對(duì)能量源的曝光。本領(lǐng)域已知許多不同類(lèi)型的標(biāo)線(xiàn)，且這里使用的術(shù)語(yǔ)標(biāo)線(xiàn)旨在包括所有類(lèi)型的標(biāo)線(xiàn)。
如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“缺陷”表示使得標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤地印制于晶片上的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)中的容限。此外，在晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的僅某些值下，缺陷可印制于晶片上。術(shù)語(yǔ)“晶片印制工藝”這里與術(shù)語(yǔ)“光刻工藝”互換使用。
術(shù)語(yǔ)“第一”和“第二”這里僅用于區(qū)分不同的模擬圖像、標(biāo)線(xiàn)上的不同區(qū)域等，而不按任何其它方法加以解釋。
用于使用于集成電路制造的標(biāo)線(xiàn)合格的一種特別成功的方法是Peterson等人于2002年8月2日提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序號(hào)No.09/211156中所述的處理窗口限定(PWQ)方法，其整體結(jié)合在此作為參考。該方法一般包括在晶片上印制制造的光掩模并按指定方式檢查該晶片以檢測(cè)會(huì)引起制造晶片的出錯(cuò)和低產(chǎn)量的設(shè)計(jì)容限。雖然對(duì)于設(shè)計(jì)缺陷檢測(cè)來(lái)說(shuō)有效，但在已制造掩模或標(biāo)線(xiàn)之前PWQ不能檢測(cè)設(shè)計(jì)缺陷，常造成很高的成本。此外，校正標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)和用校正的設(shè)計(jì)制造新掩模用于附加設(shè)計(jì)缺陷檢測(cè)是既昂貴又耗時(shí)的。
為在制成標(biāo)線(xiàn)前檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的容限，已開(kāi)發(fā)了這里所述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，它們?cè)谶@里一般稱(chēng)作“虛擬處理窗口限定條件(vPWQ)”。代替制造實(shí)際的掩模和用該掩模印制真正的晶片，vPWQ使用標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)分別模擬如果將該標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于掩模和晶片上該掩模和晶片的模樣。晶片上標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的模樣的模擬圖像可以在期望在生產(chǎn)環(huán)境中使用的聚焦和曝光條件的全范圍上生成。
在vPWQ中，通過(guò)比較基準(zhǔn)圖像和示出了如何將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上的不同的模擬圖像來(lái)檢測(cè)缺陷，這些不同的模擬圖像是針對(duì)晶片印制工藝的焦距、曝光和/或其它參數(shù)的不同值產(chǎn)生的。基準(zhǔn)圖像可表示如何以最佳焦距/最佳曝光條件或標(biāo)稱(chēng)聚焦和曝光條件將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上?；蛘撸鶞?zhǔn)圖像可以是標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的理想圖像，它可通過(guò)光學(xué)近似校正(OPC)“修正”之前(即在通過(guò)OPC數(shù)據(jù)修改標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)前)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)生成。因此，基本上，vPWQ是用于數(shù)據(jù)庫(kù)檢查方法的虛擬晶片，其中為不同的聚焦和曝光條件生成虛擬晶片，優(yōu)選在將在光刻工藝中用于標(biāo)線(xiàn)的整個(gè)處理窗口上。按此方式，可在將設(shè)計(jì)交送掩模前為合理聚焦和曝光條件的最佳可能范圍(即最大處理窗口)優(yōu)化完整的設(shè)計(jì)布局(包括OPC和其它標(biāo)線(xiàn)增強(qiáng)技術(shù)(RETs))。
因此，一般，用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的一個(gè)實(shí)施例包括生成第一模擬圖像，該圖像顯示如何使用標(biāo)線(xiàn)制造工藝將該標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。在一個(gè)實(shí)施例中，vPWQ使用包括所有光學(xué)增強(qiáng)(OPC、相移特征和其它RET)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)，并模擬如何制造掩模。按此方式，這里所述的方法中所使用的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)可包括通過(guò)RET特征數(shù)據(jù)修改的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
該方法還包括用第一模擬圖像生成第二模擬圖像。第二模擬圖像示出如何以晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。例如，生成第二模擬圖像可使用一個(gè)或多個(gè)模型完成，諸如抗蝕劑模型(例如，用標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上的抗蝕劑的模型)和光刻模型(例如，將用于將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上的曝光工具的光學(xué)參數(shù)的模型，以及光刻工藝中所涉及的其它處理步驟的模型，諸如顯影和后曝光烘培)。這些模型和/或用于這些模型的參數(shù)可從一個(gè)或多個(gè)源獲得，諸如KLA-Tencor的PROLITH軟件。
模擬第二圖像的不同值可跨晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的預(yù)定處理窗口。例如，預(yù)定處理窗口可以是對(duì)于將與標(biāo)線(xiàn)一起使用的晶片印制工藝的希望的或可用的處理窗口。然而，如這里進(jìn)一步描述的，為與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)一起使用而確定的實(shí)際處理窗口可小于該預(yù)定的處理窗口。一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括，但不限于，劑量和聚焦。例如，上述一個(gè)或多個(gè)參數(shù)也可以包括可用于與標(biāo)線(xiàn)一起使用的不同類(lèi)型的照明(例如，環(huán)形和四極)。在一個(gè)實(shí)施例中，這里也稱(chēng)作“測(cè)試圖像”的第二模擬圖像可示出如何以晶片級(jí)在聚焦和曝光條件的全部范圍上印制實(shí)際掩模。該第一和第二模擬圖像可包括標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)所定義的完整芯片的模擬圖像。
因此，vPWQ包括將模擬分成兩個(gè)步驟1)使用標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)庫(kù)描述來(lái)呈現(xiàn)將如何寫(xiě)標(biāo)線(xiàn)的模擬圖像(模擬標(biāo)線(xiàn)制造工藝)；以及2)使用模擬的標(biāo)線(xiàn)圖案來(lái)呈現(xiàn)模擬的晶片圖案。這兩個(gè)步驟方法有許多優(yōu)點(diǎn)。例如，該方法允許用戶(hù)不僅模擬標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)，還模擬標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)加掩模制造工藝的組合，從而能為給定的設(shè)計(jì)選擇最佳掩模制造工藝和/或?qū)x定工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)規(guī)則。該方法還通過(guò)去除對(duì)掩模偏移的設(shè)計(jì)而產(chǎn)生更精確的模擬。
此外，該方法包括用第二模擬圖像檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。例如，可將測(cè)試圖像與基準(zhǔn)圖像逐點(diǎn)進(jìn)行比較，且例如使用算法在測(cè)試圖像中識(shí)別缺陷。用于這里所述的方法的算法可與典型的標(biāo)線(xiàn)檢查中所使用的那些相同或基本類(lèi)似。在一個(gè)實(shí)施例中，與第二模擬圖像比較以檢測(cè)缺陷的基準(zhǔn)圖像包括模擬圖像，它示出如何在晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值下將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。在不同的實(shí)施例中，與第二模擬圖像比較以檢測(cè)缺陷的基準(zhǔn)圖像示出如何理想地將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上。按此方式，基準(zhǔn)圖像可以是RET裝飾前設(shè)計(jì)者理論上想象的電路布局或者在最佳聚焦和曝光條件下的模擬晶片圖像。
用于缺陷檢測(cè)的基準(zhǔn)圖像也可以是上述基準(zhǔn)圖像的變型。例如，如上所述，基準(zhǔn)圖像可以是設(shè)計(jì)者想要的標(biāo)線(xiàn)圖案布局或者在最佳聚焦和曝光條件下模擬的圖案。該“設(shè)計(jì)者想要的”布局可通過(guò)模擬期望的掩模進(jìn)行修改來(lái)設(shè)計(jì)偏移，使得基準(zhǔn)圖像示出將在標(biāo)稱(chēng)掩碼制造條件下被印制于標(biāo)線(xiàn)上的未裝飾圖案。
基準(zhǔn)圖像也可以是示出如何在最佳聚焦和曝光條件下將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上的模擬圖像?？梢酝ㄟ^(guò)使用也包括在測(cè)試中的設(shè)計(jì)中的晶片印制圖像和/或標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試單元數(shù)據(jù)校準(zhǔn)模擬模型來(lái)改進(jìn)該模擬基準(zhǔn)圖像的使用?；蛘?，可通過(guò)使用包含在先前或測(cè)試標(biāo)線(xiàn)中的晶片印制圖像和/或用于新設(shè)計(jì)的一些部分的數(shù)據(jù)來(lái)修改基準(zhǔn)模擬圖像，從而可在晶片級(jí)獲得。
基準(zhǔn)圖像模擬也可用從先前設(shè)計(jì)或測(cè)試標(biāo)線(xiàn)收集的空間圖像數(shù)據(jù)加以校準(zhǔn)?；鶞?zhǔn)空間圖像數(shù)據(jù)可通過(guò)將現(xiàn)有標(biāo)線(xiàn)插入掃描儀并在晶片平面上監(jiān)控空間圖像而生成?；蛘撸鶞?zhǔn)空間圖像可通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)現(xiàn)有標(biāo)線(xiàn)插入其中光學(xué)條件被設(shè)為模擬物理曝光系統(tǒng)(掃描儀)性能的空間圖像缺陷檢測(cè)和/或檢查工具而生成。空間圖像缺陷檢測(cè)和/或檢查工具的示例在2003年10月6日提交的Stokowski等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序號(hào)No.09/679617中示出，其完整地結(jié)合在此作為參考。
也可將第二模擬圖像與不同類(lèi)型的基準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較。例如，示出如何在晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值下將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上的基準(zhǔn)模擬圖像對(duì)于檢測(cè)根據(jù)這一個(gè)或多個(gè)參數(shù)變化的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷特別有用。換言之，這種基準(zhǔn)圖像將對(duì)檢測(cè)會(huì)減小可與標(biāo)線(xiàn)一起使用的處理窗口的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷特別有用。特別是，某些缺陷在標(biāo)稱(chēng)參數(shù)下不會(huì)出現(xiàn)，但在第二模擬圖像中會(huì)出現(xiàn)，特別是當(dāng)參數(shù)遠(yuǎn)離標(biāo)稱(chēng)值時(shí)。vPWQ可包括確定在不同值中的哪個(gè)值的情況中在第二圖像中出現(xiàn)至少一個(gè)缺陷。根據(jù)這些缺陷的特征(例如，缺陷是否是“殺傷(killer)”缺陷)以及出現(xiàn)這些缺陷時(shí)的參數(shù)值，可在晶片印制工藝中用于標(biāo)線(xiàn)的處理窗口可小于預(yù)定處理窗口。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，該方法可包括根據(jù)檢測(cè)步驟的結(jié)果確定用于晶片印制工藝的處理窗口。標(biāo)線(xiàn)處理窗口內(nèi)晶片印制工藝的期望性能的檢查是PWQ和vPWQ方法的特別效能。
然而，由于這種基準(zhǔn)圖像示出如何在標(biāo)稱(chēng)參數(shù)下將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上，該比較不會(huì)檢測(cè)出諸如根本不印制于晶片上的部件的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。特別是，如果具有簡(jiǎn)單地不印制的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的部件，這些部件將從為標(biāo)稱(chēng)參數(shù)模擬的基準(zhǔn)圖像和第二模擬圖像兩者中丟失。因此，通過(guò)這種比較將不檢測(cè)出丟失的部件。然而，表示標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的理想圖像的基準(zhǔn)圖像將包括可印制的和不可印制的部件。這樣，這種“理想”基準(zhǔn)圖像和第二模擬圖像之間的比較可用于檢測(cè)丟失部件類(lèi)型的缺陷。這樣，可在第二模擬圖像和不同的基準(zhǔn)圖像之間進(jìn)行多重比較以檢測(cè)不同種類(lèi)的缺陷，從而提升了vPWQ方法的缺陷檢測(cè)能力。
如上所述，通過(guò)比較測(cè)試和基準(zhǔn)圖像可進(jìn)行缺陷檢測(cè)。從基準(zhǔn)圖像中的相應(yīng)區(qū)域變化超過(guò)一閾值的測(cè)試圖像中的任何區(qū)域都被標(biāo)記為缺陷。物理標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)中使用的所有算法工具可用于該缺陷檢查步驟，包括基于局部幾何形態(tài)改變?nèi)毕蓍撝怠⒒谟糜诓煌瑪?shù)量的最相鄰像素的不同平滑濾波器應(yīng)用多種算法檢測(cè)器，以及檢測(cè)單邊錯(cuò)位(CD誤差)和/或雙邊錯(cuò)誤(配準(zhǔn)誤差)。
缺陷檢測(cè)算法可與用于物理標(biāo)線(xiàn)檢測(cè)工具的那些具有相同的調(diào)諧能力。特別是，用于這里所述的方法的算法可配置為能優(yōu)化算法的靈敏度以檢測(cè)將影響器件性能和產(chǎn)量的缺陷，但不會(huì)被理想和實(shí)際成像性能之間的較小差異花費(fèi)過(guò)度的精力。在一個(gè)這種實(shí)施例中，算法的靈敏度可根據(jù)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)特征(例如，尺寸、關(guān)鍵性等)在標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中隨區(qū)域改變。在另一個(gè)這種實(shí)施例中，算法的靈敏度可根據(jù)檢測(cè)步驟的結(jié)果動(dòng)態(tài)地或?qū)崟r(shí)地改變。算法的靈敏度可按本領(lǐng)域已知的任何方式改變(例如，通過(guò)改變算法中使用的閾值)。
在一個(gè)這種實(shí)施例中，這里所述的方法可被配置為以選擇性的靈敏度進(jìn)行缺陷檢測(cè)，這里被稱(chēng)為“智能檢查(SmartInspection)”。例如，缺陷可通過(guò)比較不同處理?xiàng)l件下的模擬晶片圖像和標(biāo)稱(chēng)或基準(zhǔn)圖像而由vPWQ識(shí)別。這種比較的靈敏度直接影響vPWQ處理的缺陷檢測(cè)結(jié)果。如果靈敏度太高，由于vPWQ將檢測(cè)過(guò)多數(shù)量的缺陷，所以全部標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)將不合格。另一方面，如果靈敏度太低，潛在的關(guān)鍵缺陷可能會(huì)逃過(guò)檢測(cè)。2004年7月1日提交的Marella等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序號(hào)No.10/883372中描述了可用于實(shí)現(xiàn)智能檢查的方法示例，其整體結(jié)合在此作為參考。如本專(zhuān)利申請(qǐng)中所述的，并非所有設(shè)計(jì)區(qū)域?qū)τ谄骷阅芡鹊仃P(guān)鍵。此外，如果設(shè)計(jì)者對(duì)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的個(gè)別部分加標(biāo)記，以指示最關(guān)鍵區(qū)域和/或?qū)ζ骷阅懿灰o的區(qū)域(偽填充區(qū)域、冗余接觸件、不連接的線(xiàn)路等)，可局部地改變vPWQ的靈敏度以將最大靈敏度應(yīng)用于這些最關(guān)鍵區(qū)域并將降低的靈敏度應(yīng)用于不關(guān)鍵的區(qū)域。這種缺陷檢測(cè)方法的示例也在2004年12月3日提交的Hess等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.11/003291中示出，其整體結(jié)合在此作為參考。
如這里所述的，該方法可包括為標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)確定處理窗口。處理窗口可包括使第二模擬圖像顯示可接受的缺陷水平的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的那些值。此外，這里所述的方法可包括針對(duì)一個(gè)或多個(gè)參數(shù)值的改變確定標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的不同區(qū)域的靈敏度。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，該方法可包括確定其中在比標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的其它區(qū)域中出現(xiàn)缺陷時(shí)的不同值更接近于晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值處出現(xiàn)缺陷的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的一個(gè)區(qū)域。換言之，可根據(jù)當(dāng)參數(shù)離開(kāi)標(biāo)稱(chēng)值時(shí)區(qū)域多快地呈現(xiàn)出缺陷而在標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中識(shí)別不同的區(qū)域。這種信息可用于這里所述的許多實(shí)施例。例如，該信息可用于適應(yīng)特殊標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)的標(biāo)線(xiàn)檢查、晶片檢查、處理控制方法等。
這里所述的方法還可包括根據(jù)檢測(cè)步驟的結(jié)果產(chǎn)生用于標(biāo)線(xiàn)的檢查過(guò)程。在一個(gè)這種實(shí)施例中，智能檢查概念的另一擴(kuò)展是使用vPWQ檢查的輸出來(lái)改變所制造的標(biāo)線(xiàn)的檢查的靈敏度。特別是，標(biāo)線(xiàn)檢查的靈敏度可以在vPWQ結(jié)果指示最嚴(yán)格的處理窗口的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)區(qū)域中較高，同時(shí)該靈敏度可在vPWQ結(jié)果指示更寬松的處理窗口的區(qū)域中較低。Hess等人的專(zhuān)利申請(qǐng)也描述了這種標(biāo)線(xiàn)檢查方法，其整體結(jié)合在此作為參考。
在另一實(shí)施例中，這里所述的方法可包括根據(jù)檢測(cè)步驟的結(jié)果產(chǎn)生用于晶片的檢查過(guò)程。在一個(gè)這種實(shí)施例中，這里所述的方法可通過(guò)用vPWQ方法的輸出改變被印制晶片的檢查的靈敏度作為晶片上位置的函數(shù)來(lái)使用智能檢查概念。特別地，晶片檢查的靈敏度可在vPWQ結(jié)果指示最嚴(yán)格的處理窗口的區(qū)域中較高，同時(shí)該靈敏度可在vPWQ結(jié)果識(shí)別更舒適的處理窗口的區(qū)域中較低。
在一附加實(shí)施例中，該方法可包括在檢測(cè)步驟之后制造標(biāo)線(xiàn)(例如，如果檢測(cè)步驟的結(jié)果指示標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中沒(méi)有明顯或重大的缺陷)。該方法實(shí)施例也可包括檢查標(biāo)線(xiàn)并根據(jù)檢測(cè)步驟的結(jié)果和標(biāo)線(xiàn)的檢查產(chǎn)生用于晶片的檢查過(guò)程。在一個(gè)這種實(shí)施例中，這里所述的方法可使用具有vPWQ和制造標(biāo)線(xiàn)檢查的組合結(jié)果的智能檢查概念，以按照晶片上的位置確定被印制晶片的檢查靈敏度。因此，在物理標(biāo)線(xiàn)檢查顯示沒(méi)有問(wèn)題且vPWQ模擬預(yù)測(cè)相對(duì)較寬松的處理窗口的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)區(qū)域中，可放松晶片檢查靈敏度。在vPWQ檢測(cè)到受限處理窗口或標(biāo)線(xiàn)檢查找到其中與標(biāo)稱(chēng)的偏差不足以大到被認(rèn)為是缺陷的較小最佳圖案但可限制處理窗口的區(qū)域(“副規(guī)格區(qū)域(subspec region)”)中可增加靈敏度。最高靈敏度可保留用于vPWQ和標(biāo)線(xiàn)檢查兩者識(shí)別處理窗口的潛在約束的位置。在一些實(shí)施例中，該方法可包括基于vPWQ方法的檢測(cè)步驟的結(jié)果、標(biāo)線(xiàn)檢查的結(jié)果、標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的設(shè)計(jì)者生成的關(guān)鍵部件數(shù)據(jù)或者其某些組合生成晶片的檢查過(guò)程。
在附加實(shí)施例中，該方法可包括識(shí)別標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，該區(qū)域比標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第二或其它區(qū)域更可能被有缺陷地印制。一個(gè)這種實(shí)施例還可包括根據(jù)識(shí)別步驟的結(jié)果產(chǎn)生用于將用標(biāo)線(xiàn)印制的晶片的處理控制方法。按此方式，該方法可包括為特殊標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)確定最佳晶片度量采樣方案。例如，可額外仔細(xì)地測(cè)量晶片上的與其中vPWQ和/或標(biāo)線(xiàn)檢查識(shí)別有限處理窗口的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置，且可在那些位置上進(jìn)行關(guān)鍵尺寸(CD)測(cè)量以確保該器件滿(mǎn)足規(guī)范。也可按任何其它方式額外地關(guān)注，諸如增加這些位置中執(zhí)行的測(cè)量的數(shù)量和/或靈敏度。
在另一示例中，也可使用具有通過(guò)vPWQ、標(biāo)線(xiàn)檢查和/或物理晶片PWQ確定的最有限處理窗口的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的區(qū)域的識(shí)別來(lái)改進(jìn)工廠中使用的CD控制方法或其它度量或處理控制方法。例如，代替跟蹤和調(diào)節(jié)劑量和聚焦以獲得測(cè)試結(jié)構(gòu)或其它部件的最穩(wěn)定CD，具有最有限處理窗口的區(qū)域的識(shí)別允許控制回路(統(tǒng)計(jì)處理控制(SPC)和/或自動(dòng)處理控制(APC))被優(yōu)化以保持這些位置不漂移到所允許的規(guī)范限制以外?？刂苹芈返膬?yōu)化可包括a)變換度量采樣方案以測(cè)量具有最有限處理窗口的特定部件或者b)測(cè)量其它部件，確定引起這些測(cè)試結(jié)構(gòu)尺寸的印制的聚焦和曝光條件，并應(yīng)用模擬以預(yù)測(cè)聚焦和曝光的確定值時(shí)處理窗口有限部件的預(yù)期結(jié)果。該優(yōu)化技術(shù)是2004年2月13日提交的Preil等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序號(hào)No.10/778752中所述的CD控制技術(shù)的擴(kuò)展，其整體結(jié)合在此作為參考。
在附加實(shí)施例中，這里所述的方法可包括基于上述識(shí)別步驟改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。例如，vPWQ輸出可反饋回設(shè)計(jì)者或設(shè)計(jì)過(guò)程。這些結(jié)果可用于確定將用標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制的晶片上形成的電路定時(shí)、電路的寄生參數(shù)和電氣性能。這些結(jié)果還可用于確定vPWQ所檢測(cè)到的缺陷是否具有將影響電路性能的特征，諸如尺寸。當(dāng)前，在假定布局工具繪制的理想設(shè)計(jì)將出現(xiàn)于晶片上的情況下，進(jìn)行該物理(或電氣)檢驗(yàn)。然而，這里所述的vPWQ方法可用于識(shí)別與該標(biāo)稱(chēng)情況的預(yù)計(jì)偏差并定位將具有與標(biāo)稱(chēng)的最大偏差的電路區(qū)域。
顯然，使用當(dāng)前可用的硬件，嘗試在可能大小的全范圍上改變晶體管的每個(gè)單個(gè)部分的同時(shí)對(duì)具有數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管的電路的電氣性能建模是不實(shí)際的。然而，這里所述的vPWQ方法可將被改變和測(cè)試的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的點(diǎn)數(shù)減少到可管理的數(shù)量。在將設(shè)計(jì)提交成對(duì)掩模組之前，設(shè)計(jì)者或者設(shè)計(jì)過(guò)程或工具可使用該數(shù)據(jù)和對(duì)電路的哪些部分對(duì)器件性能最重要的了解來(lái)運(yùn)行有限數(shù)量的附加檢驗(yàn)。
vPWQ與物理PWQ不同的另一方面是在虛擬檢查期間靈活改變模擬條件的能力。特別是，PWQ依賴(lài)于在聚焦和曝光的預(yù)設(shè)條件下印制的物理晶片。由于可將圖像印制于晶片上的這些條件的數(shù)量相對(duì)有限，數(shù)據(jù)是高度的粒度(例如，0.1μm的焦距增量)，從而可能從一種設(shè)定到另一種設(shè)定產(chǎn)生缺陷數(shù)量的較大變化。然而，vPWQ可在進(jìn)行檢查時(shí)改變?cè)O(shè)定(例如，在執(zhí)行vPWQ時(shí)實(shí)時(shí)地)。例如，如果在一種預(yù)設(shè)聚焦或曝光增量中出現(xiàn)太多缺陷，可自動(dòng)運(yùn)行附加模擬以填充間隙并確定開(kāi)始缺陷印制的精確的聚焦和/或曝光設(shè)定。所以，vPWQ可以形成每個(gè)關(guān)鍵部件的允許處理窗口的更加精確的圖。
這里所述的vPWQ方法可用于檢測(cè)用于二元掩模(玻璃襯底鉻(COG)掩模)或具有任意數(shù)量RET的掩模(諸如OPC)、相移掩模(交替孔或嵌入PSM(EPSM))、亞分辨率輔助部件(SRAF)(諸如散射棒、襯線(xiàn)和錘頭)、無(wú)鉻相移掩模(CPL)和灰度級(jí)圖像的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。這里所述的vPWQ方法也可應(yīng)用于其中期望的圖案被分解成多個(gè)圖案的互補(bǔ)掩模，這多個(gè)圖案可在不同的光照條件下成像。對(duì)于互補(bǔ)掩模，vPWQ方法包括生成模擬圖像，每個(gè)模擬圖像都示出如何通過(guò)不同的標(biāo)線(xiàn)將多個(gè)圖案分開(kāi)地印制于晶片上。隨后，vPWQ方法可使用每個(gè)模擬圖像組合所生成的附加模擬圖像(測(cè)試圖像)，這些圖像示出如何在掃描儀上使用多個(gè)曝光晶片印制工藝將最終標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)圖案印制于晶片上。
這里所述的vPWQ方法可使用反射掩模和近13nm的曝光波長(zhǎng)同等地應(yīng)用于使用可見(jiàn)光、紫外光和深紫外光照(例如，248nm、193nm和157nm光源)的光學(xué)光刻工藝、電子束光刻或超紫外光刻。vPWQ方法也可應(yīng)用于無(wú)掩模光刻系統(tǒng)，其中標(biāo)線(xiàn)檢查是不可能的。在這種情況下，vPWQ檢查具有使對(duì)困難的晶片級(jí)管芯到數(shù)據(jù)庫(kù)檢查最小化的額外優(yōu)點(diǎn)。
因此，這里所述的方法具有優(yōu)于其它標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)檢查方法的若干優(yōu)點(diǎn)。例如，這里所述的方法可用于在制造掩模和印制晶片前檢測(cè)和校正標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的處理窗口容限。這樣，這里所述的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)檢查方法基本上比當(dāng)前可用的方法廉價(jià)。此外，模擬了掩模制造工藝和晶片圖案轉(zhuǎn)移工藝。因此，這里所述的方法說(shuō)明標(biāo)線(xiàn)制造工藝和晶片印制工藝如何改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。對(duì)于設(shè)計(jì)者，vPWQ提供了測(cè)試多個(gè)設(shè)計(jì)變型的能力而不用購(gòu)買(mǎi)昂貴的多個(gè)掩模變型。因此，設(shè)計(jì)者可選擇具有最寬處理窗口的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以最大化器件產(chǎn)量。vPWQ還提供產(chǎn)生具有選擇性靈敏度的標(biāo)線(xiàn)檢查、晶片檢查以及CD度量和處理控制方法的能力(采樣方案、處理窗口定中心和最大化用于生產(chǎn)的可用處理窗口)。此外，vPWQ方法的結(jié)果可用于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)(例如，電路設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)特征的優(yōu)化，諸如定時(shí)、寄生參數(shù)、其它電氣參數(shù)或上述組合)。
晶片級(jí)模擬的一個(gè)較佳實(shí)施例包括空間圖像(標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程)、抗蝕劑處理(晶片印制過(guò)程)和蝕刻過(guò)程的模擬，以確定晶片上形成的最終物理圖案。其它方法包括僅空間圖像模擬；使用可調(diào)節(jié)閾值模型的空間圖像模擬，該模型被校準(zhǔn)成將實(shí)際光致抗蝕劑性能模擬為CD、間距和局部環(huán)境的函數(shù)；以及使用可調(diào)節(jié)閾值的空間圖像模擬，該閾值被校準(zhǔn)成將抗蝕劑處理和蝕刻后圖案轉(zhuǎn)移模擬成CD、間距和局部環(huán)境的函數(shù)。
因此，晶片級(jí)模擬可不僅包括光刻(晶片印制)過(guò)程，還包括全圖案轉(zhuǎn)移過(guò)程，包括以下部分的任一個(gè)、某些組合或全部蝕刻、拋光、薄膜沉積或生長(zhǎng)和影響器件的最終結(jié)構(gòu)和拓?fù)涞娜魏纹渌襟E?？稍诓煌禃r(shí)生成模擬圖像的光刻參數(shù)也可包括部分相干度、光照模式、數(shù)值孔徑、透鏡象差(例如，Zernike系數(shù))、抗蝕劑參數(shù)(例如，厚度、顯影速率模型、集中參數(shù)模型、Dill系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù))和/或薄膜參數(shù)(例如，基片反射率、厚度、防反射涂層屬性等)。
除形成圖案的結(jié)構(gòu)的物理模擬外，晶片級(jí)模擬也可包括器件性能的電氣模擬。器件的電氣性能—最終使用應(yīng)用中預(yù)期的電路的選定區(qū)域的參數(shù)屬性(例如，電阻、電容、晶體管性能等)、電路的局部區(qū)域的性能(例如，鎖相環(huán)頻率、定時(shí)等)或全電路的模擬性能—可用作設(shè)計(jì)的合格/不合格標(biāo)準(zhǔn)和/或用于選擇用于進(jìn)一步檢查、度量和/或處理控制的關(guān)鍵區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法可包括基于vPWQ方法的結(jié)果改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。在一個(gè)這種實(shí)施例中，可通過(guò)改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的RET部件數(shù)據(jù)來(lái)改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
晶片上印制的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的模擬可以用多個(gè)不同標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的參數(shù)來(lái)進(jìn)行，且晶片印制的模擬可使用用于多個(gè)不同曝光工具、蝕刻工具或其它處理的參數(shù)來(lái)進(jìn)行。不同處理和工具的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的檢查會(huì)是有價(jià)值的，因?yàn)槊總€(gè)工具或處理將具有按不同方式影響圖案轉(zhuǎn)移的不同的誤差。隨后，可使用vPWQ模擬來(lái)確定設(shè)計(jì)、光學(xué)增強(qiáng)(例如，OPC、RET等)、掩模制造過(guò)程和晶片制造過(guò)程的最佳組合。在一個(gè)這種實(shí)施例中，該方法可包括生成附加模擬圖像，它示出了如何以標(biāo)線(xiàn)制造工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。這種實(shí)施例還可包括選擇在標(biāo)線(xiàn)上形成最小數(shù)量的設(shè)計(jì)圖案缺陷的標(biāo)線(xiàn)制造工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值。
也可使用印制的晶片來(lái)根據(jù)管芯到數(shù)據(jù)庫(kù)檢查執(zhí)行vPWQ概念以及與標(biāo)線(xiàn)和晶片檢查、CD控制及設(shè)計(jì)優(yōu)化的數(shù)據(jù)鏈接。盡管執(zhí)行這種印制晶片檢查包括制造標(biāo)線(xiàn)和印制晶片，但vPWQ方法的這種實(shí)施例仍對(duì)集成電路制造過(guò)程有附加的價(jià)值。
被配置成執(zhí)行這里所述的vPWQ方法的系統(tǒng)可表現(xiàn)為類(lèi)似于目前的KLA-Tencor標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)的情況，但任選地沒(méi)有標(biāo)線(xiàn)處理和光學(xué)系統(tǒng)。這種系統(tǒng)可包括可用于定義檢查參數(shù)的用戶(hù)界面以及用于處理輸入的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)并通過(guò)該數(shù)據(jù)呈現(xiàn)模擬掩模水平(即，如上所述地生成第一模擬圖像)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。該系統(tǒng)也可包括大型并行計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，用以在聚焦和/或曝光條件的一定范圍下模擬掩模到晶片圖案轉(zhuǎn)移(即，如上所述地生成第二模擬圖像)。
如果針對(duì)晶片印制工藝的聚焦和曝光的不同值生成第二模擬圖像，上述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)可被配置為為每個(gè)聚焦-曝光(F-E)組合比較全芯片基準(zhǔn)和測(cè)試的圖像，并識(shí)別在檢查方法中設(shè)定的條件下的成為缺陷的位置?？稍贔-E設(shè)定之間比較這些缺陷位置，且在多個(gè)F-E條件下在同一位置處出現(xiàn)的缺陷可被連結(jié)為單個(gè)缺陷。可用它在模擬圖像中作為缺陷印制時(shí)的聚焦和曝光條件范圍標(biāo)記每個(gè)缺陷。隨后，可自動(dòng)優(yōu)先化這些缺陷用于檢查和分析?？蓪⒆罡邇?yōu)先級(jí)分配給最接近標(biāo)稱(chēng)F-E條件處出現(xiàn)的那些缺陷和/或具有無(wú)缺陷的最有限范圍的那些。缺陷圖可呈現(xiàn)給用戶(hù)用于檢查和分類(lèi)，且可生成檢查報(bào)告并將其存儲(chǔ)用于以后的在線(xiàn)(與模擬引擎鏈接)或離線(xiàn)的檢查和/或附加分析。
由于無(wú)工廠化設(shè)計(jì)公司將它們的產(chǎn)品提供給多家鑄造廠的趨勢(shì)，可使用這里所述的vPWQ方法進(jìn)行檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)數(shù)量正快速增長(zhǎng)。鑄造廠可使用多個(gè)vPWQ工具來(lái)及時(shí)證明它們的所有設(shè)計(jì)都合格，如具有較寬范圍產(chǎn)品的IDM那樣(電信、無(wú)線(xiàn)、消費(fèi)應(yīng)用)。此外，這里所述的方法可以使用類(lèi)似于在當(dāng)前可用的標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)中使用的硬件實(shí)現(xiàn)，該標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)如從KLA_Tencor(San Jose，California)可購(gòu)得的TeraScan系統(tǒng)。按此方式，可在基本沒(méi)有開(kāi)發(fā)成本的情況下實(shí)現(xiàn)這里所述的方法，并可使之在當(dāng)前可用的標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)上商業(yè)可用。此外，這里所述的方法可在與標(biāo)線(xiàn)檢查、晶片檢查、度量和分析工具相鏈接的硬件上執(zhí)行，以在系統(tǒng)之間簡(jiǎn)便地共享數(shù)據(jù)。
圖1是示出用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的方法的一個(gè)示例的流程圖。該方法包括設(shè)計(jì)電路，如圖1的步驟10所示?？墒褂矛F(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方法或系統(tǒng)來(lái)設(shè)計(jì)電路。該方法還包括檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)，如步驟12所示。檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)可包括檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)的物理特征。物理檢驗(yàn)可用本領(lǐng)域已知的任何方法或系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行。如步驟14所示，該方法包括確定系統(tǒng)設(shè)計(jì)是否通過(guò)物理檢驗(yàn)。如果該設(shè)計(jì)不能通過(guò)物理檢驗(yàn)，該方法包括重新設(shè)計(jì)電路和重復(fù)物理檢驗(yàn)，這包括重復(fù)步驟10、12和14。
如果設(shè)計(jì)通過(guò)了物理檢驗(yàn)，該方法包括生成電路的布局，如步驟16所示。電路布局可使用本領(lǐng)域已知的任何方法或系統(tǒng)生成。該方法還包括檢驗(yàn)電路的布局，如步驟18所示。布局的檢驗(yàn)可包括邏輯檢驗(yàn)和/或設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)。布局檢驗(yàn)可用本領(lǐng)域已知的任何方法或系統(tǒng)進(jìn)行。如步驟20所示，該方法包括確定布局是否通過(guò)檢驗(yàn)。如果布局不能通過(guò)檢驗(yàn)，該方法包括改變電路布局和重新檢驗(yàn)電路的經(jīng)修改的布局，這可包括重復(fù)步驟16、18和20。
如果布局通過(guò)檢驗(yàn)，該方法包括將RET添加到電路布局，如步驟22所示。該步驟通常稱(chēng)作“裝飾”電路布局。將RET添加到電路布局可按本領(lǐng)域已知的任何方式進(jìn)行。RET可包括本領(lǐng)域已知的任何RET。如步驟24中所示，該方法包括檢驗(yàn)裝飾。檢驗(yàn)裝飾可包括光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)。如步驟26所示，該方法包括確定經(jīng)裝飾的布局是否通過(guò)檢驗(yàn)。如果經(jīng)裝飾的設(shè)計(jì)不能通過(guò)檢驗(yàn)，則該方法包括改變裝飾設(shè)計(jì)中的RET和重新檢驗(yàn)裝飾設(shè)計(jì)，這可包括重復(fù)步驟22、24和26。
如果裝飾設(shè)計(jì)通過(guò)檢驗(yàn)，則該方法包括形成掩模，如步驟28所示。如步驟30所示，該方法包括用掩模檢查來(lái)檢驗(yàn)掩模?？梢杂帽绢I(lǐng)域已知的任何系統(tǒng)和方法來(lái)檢查該掩模。如步驟32所示，該方法包括確定掩模是否通過(guò)檢驗(yàn)。如果該掩模不能通過(guò)檢查，該方法包括確定該掩模是否可修復(fù)，如步驟34所示。如果確定該掩模是可修復(fù)的，則該方法包括修復(fù)該掩模，如步驟36所示，隨后重新檢驗(yàn)修復(fù)過(guò)的掩模，這可以包括重復(fù)步驟30和32。如果該掩模被確定為不可修復(fù)，則該方法包括廢棄該掩模并任選地重新輪轉(zhuǎn)該過(guò)程，如步驟38所示。
如果掩模通過(guò)檢驗(yàn)，則該方法包括印制晶片，如步驟40所示。如步驟42所示，該方法包括檢驗(yàn)印制的晶片。在一個(gè)示例中，檢驗(yàn)印制的晶片可包括PWQ晶片檢查，這可以如上所述地執(zhí)行。如步驟44所示，該方法包括確定所印制的晶片是否通過(guò)檢驗(yàn)。如果這些晶片不能通過(guò)檢查，該方法可包括確定是否可以修復(fù)使得晶片不能通過(guò)檢查的標(biāo)線(xiàn)中的缺陷，如步驟46所示。如果該標(biāo)線(xiàn)缺陷是可修復(fù)的，該方法包括修復(fù)掩模，如步驟36所示，且該方法可在步驟36后繼續(xù)進(jìn)行，如圖1所示。如果標(biāo)線(xiàn)上的缺陷被確定為是不可修復(fù)的，該方法包括廢棄該掩模并任選地重新輪轉(zhuǎn)該過(guò)程，如步驟38所示。如果晶片被確定為通過(guò)檢驗(yàn)，該方法包括交付該標(biāo)線(xiàn)用于生產(chǎn)，如步驟48所示。
在圖1所示的方法中，在印制晶片前不檢測(cè)任何RET處理窗口容限或任何其它標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷。這樣，如果標(biāo)線(xiàn)圖案中存在缺陷或容限，廢棄印制的晶片并修改晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)過(guò)程(例如，標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)、標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程、晶片印制過(guò)程等)所涉及的參數(shù)是相對(duì)昂貴的。圖2是示出用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。此方法可以包括圖1中所述和所示的許多步驟或者可以不包含它們。同時(shí)包含在圖1和2中的那些步驟已用相同的標(biāo)號(hào)指示且這里將不進(jìn)一步描述。然而，圖2所述的方法包括一個(gè)圖1中所不包含的重要步驟，它使圖2所示的方法具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。
特別地，圖2所示的方法包括檢驗(yàn)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)的裝飾，如步驟50所示，它不同于圖1所示的方法的步驟24而包括vPWQ缺陷檢測(cè)。步驟50中的vPWQ可如這里所述地執(zhí)行。此外，可為要使用標(biāo)線(xiàn)的晶片印制工藝執(zhí)行步驟50中執(zhí)行的vPWQ方法以在全預(yù)定處理窗口上檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。這樣，在該方法中，可以在制造掩模前有利地檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)中存在的任何容限。如圖2所示的方法可包括這里所述的任何其它步驟。例如，圖2所示的方法可包括生成用于標(biāo)線(xiàn)的檢查過(guò)程和/或生成用于晶片的檢查過(guò)程。這些檢查過(guò)程可如上所述地生成并可在步驟30和42中用于分別檢驗(yàn)標(biāo)線(xiàn)和晶片。
圖3是示出vPWQ與工廠中的晶片檢查、標(biāo)線(xiàn)檢查、晶片度量和APC控制中的一個(gè)或多個(gè)之間的數(shù)據(jù)流的示例的流程圖。如圖3所示，包括先前設(shè)計(jì)和模型的歷史52可提供給合成步驟54，其中該設(shè)計(jì)可按諸如RTL碼或連線(xiàn)表格式的合適格式創(chuàng)建。諸如定時(shí)、功率和信號(hào)完整性的集成電路的特征56可提供給合成步驟以檢驗(yàn)該設(shè)計(jì)。通過(guò)檢驗(yàn)確定的設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵路徑58可提供給數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60。
標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的創(chuàng)建可在步驟62中執(zhí)行。標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的創(chuàng)建例如可包括將連線(xiàn)表轉(zhuǎn)換成GDS格式。例如包括先前設(shè)計(jì)和/或模型的歷史64可提供到創(chuàng)建步驟。此外，邏輯檢驗(yàn)步驟(LVS)66可用于檢驗(yàn)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。通過(guò)LVS所確定的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵部件68可提供到數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60?？稍诓襟E70中用諸如校準(zhǔn)的光刻模型、關(guān)鍵尺寸和/或其它數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)72進(jìn)行標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)的OPC裝飾。裝飾可以包括將任何RET添加到標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。物理檢驗(yàn)步驟74可包括用諸如ORC的技術(shù)檢驗(yàn)裝飾的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)。通過(guò)物理檢驗(yàn)步驟確定的關(guān)鍵OPC76或其它關(guān)鍵RET可提供到數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60。此外，可使用數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60提供的邊緣放置誤差(EPE)容差數(shù)據(jù)78執(zhí)行物理檢驗(yàn)步驟74。
如圖3所示，在標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的OPC裝飾后，可在步驟80中執(zhí)行vPWQ缺陷檢測(cè)。vPWQ可根據(jù)這里所述的實(shí)施例中的任一個(gè)在步驟80中執(zhí)行。用于“智能vPWQ”82的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可通過(guò)數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60提供給vPWQ方法。vPWQ可生成關(guān)鍵OPC信息84，它可提供到數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60。根據(jù)vPWQ方法的結(jié)果，可使用校準(zhǔn)數(shù)據(jù)88(諸如PSC、BKM、空間成像測(cè)量系統(tǒng)(AIMS)校準(zhǔn)數(shù)據(jù)等)執(zhí)行掩模制造步驟86。在制造掩模后，可在步驟86中制造的掩模上執(zhí)行掩模檢驗(yàn)步驟90。掩模檢驗(yàn)步驟90可使用智能檢查數(shù)據(jù)92，它可通過(guò)數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60提供。該智能檢查數(shù)據(jù)可通過(guò)步驟80中執(zhí)行的vPWQ方法生成。此外，掩模檢驗(yàn)步驟所生成的關(guān)鍵掩模數(shù)據(jù)94可提供到數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60。
在一些實(shí)施例中，可執(zhí)行第二vPWQ方法(vPWQ2)，如步驟96所示。圖3所示的vPWQ2是可在對(duì)實(shí)際掩模圖像(即，所制造的標(biāo)線(xiàn)的圖像)的掩模檢查之后進(jìn)行的vPWQ的可選實(shí)施例。換言之，除了用實(shí)際掩模圖像代替模擬的標(biāo)線(xiàn)圖像，vPWQ2可如這里所述地執(zhí)行?？梢允褂脕?lái)自數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60的“智能vPWQ”的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)98來(lái)執(zhí)行vPWQ2?！爸悄躹PWQ”參數(shù)98可以與“智能vPWQ”參數(shù)82相同或不同。由vPWQ2生成的關(guān)鍵OPC100或其它關(guān)鍵RET可提供到數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60。
晶片制造步驟102可以在vPWQ2之后執(zhí)行?？墒褂眯?zhǔn)的度量工具106進(jìn)行晶片制造步驟104的檢驗(yàn)，它可以包括本領(lǐng)域已知的任何度量工具。晶片制造步驟102的檢驗(yàn)可使用數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60提供的用于晶片檢查的“智能采樣”參數(shù)108進(jìn)行，該參數(shù)例如可通過(guò)關(guān)鍵路徑58、關(guān)鍵部件68、掩模位置數(shù)據(jù)、關(guān)鍵OPC76和100等加以確定。此外，晶片制造步驟的檢驗(yàn)可以用由數(shù)據(jù)“總線(xiàn)”60提供的自動(dòng)處理控制(APC)110信息來(lái)執(zhí)行。APC信息可從vPWQ和/或vPWQ2的結(jié)果生成，如這里所述的。
圖4示出了如何在標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中重疊多種類(lèi)型的關(guān)鍵性(設(shè)計(jì)、RET、掩模制造)以使圖案在處理窗口容限處經(jīng)受最多，這會(huì)限制可用的處理容限。特別地，設(shè)計(jì)關(guān)鍵區(qū)域112被示為在空間114中被繪制，它表示標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的區(qū)域。設(shè)計(jì)關(guān)鍵區(qū)域112例如可由設(shè)計(jì)者根據(jù)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)電氣模擬來(lái)創(chuàng)建或“標(biāo)記”。相反，掩模制造關(guān)鍵區(qū)域116在空間114中分開(kāi)地示出。該掩模制造關(guān)鍵區(qū)域包括具有標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的有限處理窗口的區(qū)域。這些關(guān)鍵區(qū)域可通過(guò)用于檢查制造的標(biāo)線(xiàn)的標(biāo)線(xiàn)檢查系統(tǒng)來(lái)創(chuàng)建或“標(biāo)記”。更優(yōu)選地，這些關(guān)鍵區(qū)域可通過(guò)這里所述的vPWQ方法確定。
光刻關(guān)鍵區(qū)域118也被示為在空間114中被分開(kāi)地繪制。光刻關(guān)鍵區(qū)域可包括具有晶片印制工藝的有限處理窗口的區(qū)域。光刻關(guān)鍵區(qū)域可由圖案形成過(guò)程的vPWQ模擬識(shí)別和“標(biāo)記”，它可如這里所述地執(zhí)行?？梢岳斫猓瑘D4所示的關(guān)鍵區(qū)域112、116和118僅僅作為不同關(guān)鍵區(qū)域的一些示例給出。顯然，關(guān)鍵區(qū)域可根據(jù)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)、標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程、晶片印制過(guò)程或其某些組合而有所變化。
上述每一個(gè)關(guān)鍵區(qū)域可組合于如由空間120示出的單個(gè)圖中，以示出標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的哪些區(qū)域具有多種類(lèi)型的關(guān)鍵性。可以為密集度量和/或晶片級(jí)檢查選擇對(duì)于多個(gè)原因成為關(guān)鍵的區(qū)域以確保產(chǎn)量。特別地，用于標(biāo)線(xiàn)或晶片的檢查過(guò)程可如上所述地生成，且檢查過(guò)程的靈敏度可根據(jù)每個(gè)區(qū)域取得關(guān)鍵資格的一個(gè)或多個(gè)原因隨標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的區(qū)域而改變。例如，與僅呈現(xiàn)一種關(guān)鍵性的區(qū)域相比，可以用更高的靈敏度檢查呈現(xiàn)出兩種不同類(lèi)型的關(guān)鍵性的區(qū)域。按此方式，可以為晶片檢查、度量和CD控制優(yōu)先化具有多種類(lèi)型的關(guān)鍵性的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的區(qū)域。
這里進(jìn)一步所述的附加方法可用于上述vPWQ方法并可能用于其它標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷檢測(cè)方法。特別是，這里進(jìn)一步所述的方法提供了用于進(jìn)行缺陷檢測(cè)和這里所述的其它計(jì)算的改進(jìn)方法，以減少檢測(cè)對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)不關(guān)鍵或不重要的缺陷的數(shù)量，從而防止這些“有害”缺陷的檢測(cè)使重要的缺陷變得模糊。此外，這里進(jìn)一步所述的方法可用于將對(duì)設(shè)計(jì)檢查缺陷和/或進(jìn)行校正的次序作出優(yōu)先化，以改善處理窗口。
設(shè)想vPWQ像作為Peterson等人的專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)的基于晶片的檢查方法的PWQ那樣工作，這在以上引用作為參考。在PWQ中的晶片上，以不同的聚焦和/或曝光條件來(lái)曝光全領(lǐng)域，且將這些測(cè)試領(lǐng)域與以最佳聚焦和曝光條件曝光的基準(zhǔn)領(lǐng)域進(jìn)行比較。一般，測(cè)試區(qū)域與基準(zhǔn)區(qū)域差得越遠(yuǎn)，將檢測(cè)到更多缺陷，因?yàn)榇蛴〉牟考荒苷_地成像。因此，印制的部件不正確地成像時(shí)的聚焦和曝光條件定義了器件的可使用處理窗口的極限。vPWQ基本進(jìn)行相同的測(cè)試與基準(zhǔn)比較，但這是關(guān)于模擬圖像的而不制造掩模和印制晶片。所以，vPWQ方法允許在制造昂貴的掩模和用這些掩模印制晶片之前識(shí)別和校正標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)中的弱點(diǎn)。
在進(jìn)行高度靈敏的測(cè)試與基準(zhǔn)比較過(guò)程中，即使部件尺寸的較小變化也認(rèn)為是缺陷。當(dāng)聚焦和/或曝光條件偏離標(biāo)稱(chēng)最佳設(shè)定時(shí)，檢測(cè)到的缺陷數(shù)量會(huì)變得過(guò)多。該問(wèn)題可通過(guò)降低檢查(測(cè)試與基準(zhǔn)比較)靈敏度來(lái)緩解，但在這種情況中會(huì)錯(cuò)過(guò)某些重要的缺陷。
期望保持最高靈敏度，但基于缺陷造成災(zāi)難性成像故障而不僅僅是較小的關(guān)鍵尺寸(CD)誤差的可能性對(duì)它們進(jìn)行優(yōu)先化。換言之，重要信息可以不是哪些部件的CD改變了幾納米(nm)。相反，重要信息是在聚焦和/或曝光和/或其它處理?xiàng)l件中有較小變化時(shí)哪些部件將改變不可接受的許多納米。因此，兩個(gè)部件可具有嚴(yán)格相同的絕對(duì)CD誤差，但如果一個(gè)部件對(duì)帶有另外的處理變化的較大的附加變化敏感則它遠(yuǎn)比另一個(gè)部件重要。因此，上述基于晶片的PWQ和vPWQ可如這里進(jìn)一步描述地進(jìn)行修改，以根據(jù)變化率在潛在缺陷之間進(jìn)行區(qū)分。
特別地，用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的一個(gè)實(shí)施例包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造工藝將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該生成步驟可如同在上述vPWQ方法中那樣執(zhí)行。該實(shí)施例還包括用第一模擬圖像生成第二模擬圖像，這可以如在上述vPWQ方法中那樣執(zhí)行。特別地，第二模擬圖像示出了如何以晶片印制工藝的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。然而，與上述vPWQ方法不同，本實(shí)施例包括按照不同值確定第二模擬圖像的特征的變化率。此外，該方法包括基于變化率檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。在一些實(shí)施例中，檢測(cè)步驟可包括結(jié)合第二模擬圖像使用變化率以檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。例如，可以用變化率結(jié)合上述vPWQ結(jié)果執(zhí)行缺陷檢測(cè)。計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的這些實(shí)施例可包括這里所述的任何其它步驟。
用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)上印制的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的方法的另一實(shí)施例是PWQ的修改版本，它包括以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)圖像印制于晶片上。該方法還包括按照不同值確定圖像特征的變化率。此外，本方法包括基于上述變化率檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。該方法實(shí)施例可包括這里所述的任何其它步驟。
因此，這里所述的方法可包括不僅如同在vPWQ和PWQ中那樣使用測(cè)試CD和基準(zhǔn)CD之間的差來(lái)檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷，還使用測(cè)試CD的變化率。這種缺陷檢測(cè)可按若干方式完成，且可按若干不同的方式使用這些結(jié)果，這將在以下略述。計(jì)算和使用變化率信息的不同方法可以相互分開(kāi)或組合地使用，如以下所述的。此外，盡管這里相對(duì)于CD中的變化率對(duì)方法進(jìn)行描述，但可以理解變化率信息可以是測(cè)試圖像(例如，部件外形)的任何可測(cè)量參數(shù)的變化率。此外，盡管這里相對(duì)于晶片印制過(guò)程的聚焦和曝光的不同值進(jìn)一步對(duì)方法進(jìn)行了描述，但可以理解這里所述的方法可用于會(huì)影響晶片上印制的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的晶片印制過(guò)程的這些和/或任何其它參數(shù)的不同值。
增加對(duì)CD變化率的vPWQ和PWQ靈敏度的一種方法是改變?nèi)毕輽z測(cè)中使用的基準(zhǔn)。例如，代替將為標(biāo)稱(chēng)最佳聚焦和曝光條件模擬的基準(zhǔn)圖像(E0，F(xiàn)0)用作用于與測(cè)試圖像的所有比較的基準(zhǔn)?？蓪⒚總€(gè)測(cè)試圖像(En，F(xiàn)n)與其最近的近鄰(例如，比上述測(cè)試圖像更靠近(E0，F(xiàn)0)處的標(biāo)稱(chēng)值的其它測(cè)試和/或基準(zhǔn)圖像)進(jìn)行比較。換言之，可通過(guò)對(duì)第二或測(cè)試模擬圖像之一與附加模擬圖像進(jìn)行比較來(lái)執(zhí)行vPWQ的檢測(cè)步驟，這些附加模擬圖像示出了如何以比與一個(gè)第二模擬圖像相對(duì)應(yīng)的不同值更靠近用于晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。
圖5示出了當(dāng)前用于缺陷檢測(cè)的一個(gè)布局示例，其中將每個(gè)測(cè)試圖像(En，F(xiàn)n)與同一標(biāo)稱(chēng)基準(zhǔn)圖像(E0，F(xiàn)0)進(jìn)行比較。特別地，測(cè)試圖像120各自與基準(zhǔn)圖像122進(jìn)行比較。這種比較可用于被實(shí)際印制于晶片上的圖像的PWQ?；蛘?，這種比較可用于模擬測(cè)試和基準(zhǔn)圖像的vPWQ?？梢岳斫猓M管圖5示出了四個(gè)測(cè)試圖像，但缺陷檢測(cè)方法可使用任意數(shù)量的測(cè)試圖像。
圖6示出了可用于標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷檢測(cè)的新結(jié)構(gòu)，其中將每個(gè)測(cè)試圖像(En，F(xiàn)n)124與其3個(gè)最相鄰的近鄰(NN)126、128和130進(jìn)行比較，它們?nèi)酷槍?duì)比測(cè)試圖像更靠近標(biāo)稱(chēng)值(E0，F(xiàn)0)的至少一個(gè)參數(shù)被模擬或印制。測(cè)試和基準(zhǔn)圖像的這種比較這里稱(chēng)之為“級(jí)聯(lián)”測(cè)試與基準(zhǔn)缺陷檢測(cè)。對(duì)于使用為曝光劑量和聚焦的不同值所模擬的圖像的vPWQ，這種比較可容易地執(zhí)行。通過(guò)按合適的方式印制晶片(例如，通過(guò)添加具有偏移聚焦和曝光條件的欄以用作基準(zhǔn)位置，代替其中所有基準(zhǔn)欄以標(biāo)稱(chēng)條件曝光的當(dāng)前配置)，該方法還可應(yīng)用于基于晶片的PWQ。
在圖6的示例中，3個(gè)最近的近鄰各自用于與測(cè)試圖像進(jìn)行比較?；蛘?，用于與測(cè)試圖像比較的近鄰數(shù)量可從1到8變化。對(duì)于一個(gè)比較，用戶(hù)可在其它參數(shù)固定的情況下根據(jù)聚焦或曝光選擇最近的近鄰，或者可選擇聚焦和曝光量都改變的對(duì)角最近的近鄰。對(duì)于3個(gè)以上的最近近鄰，可將從標(biāo)稱(chēng)最佳聚焦和曝光條件進(jìn)一步移開(kāi)的測(cè)試圖像與被檢查的測(cè)試圖像進(jìn)行比較，從而采樣從優(yōu)選操作條件移開(kāi)的變化率。盡管這些比較中的一個(gè)或多個(gè)是多余的(因?yàn)闉橥獠拷彽臋z查重復(fù)比較)，可將不同的加權(quán)因數(shù)應(yīng)用于缺陷檢測(cè)和/或優(yōu)先化算法。此外，盡管圖6中示出了4個(gè)測(cè)試圖像，但可以理解這里所述的方法可以使用任何數(shù)量的測(cè)試圖像用于缺陷檢測(cè)。
圖7示出了可用于PWQ缺陷檢測(cè)的印制于晶片上的管芯的一個(gè)布局。在該示例中，將每個(gè)測(cè)試位置與對(duì)應(yīng)于晶片印制過(guò)程的最佳聚焦和曝光值的標(biāo)稱(chēng)基準(zhǔn)圖像(它們?cè)趫D7中用0指示)進(jìn)行比較。在該結(jié)構(gòu)中，每組測(cè)試條件被檢查4次。測(cè)試條件可改變聚焦、曝光或這兩者。
圖8示出了可對(duì)PWQ缺陷檢測(cè)的聚焦和曝光的不同值印制于晶片上或者可對(duì)vPWQ缺陷檢測(cè)的聚焦和曝光的不同值被模擬的管芯圖像的一個(gè)布局。在該示例中，將每個(gè)測(cè)試圖像與對(duì)比被檢查的測(cè)試圖像的那些值更靠近標(biāo)稱(chēng)值的晶片印制過(guò)程參數(shù)值被印制或模擬的另一測(cè)試圖像進(jìn)行比較。每個(gè)測(cè)試圖像可仍像圖7那樣被比較四次，但可以用對(duì)設(shè)定之間的變化率有更大靈敏度地測(cè)試更多參數(shù)值?？蓪?biāo)稱(chēng)條件(0)的某一拷貝印制于晶片上用于校準(zhǔn)和背景噪聲檢查。
通過(guò)第基準(zhǔn)缺陷檢測(cè)執(zhí)行這種級(jí)聯(lián)測(cè)試，缺陷檢測(cè)算法可檢測(cè)出與相鄰曝光條件(聚焦和/或曝光)最不同的區(qū)域，從而增加對(duì)CD中局部變化率的檢查的靈敏度。即使兩個(gè)測(cè)試圖像相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)條件具有完全相同的CD變化，如果測(cè)試圖像之一的CD在多個(gè)參數(shù)值上變化緩慢同時(shí)另一測(cè)試圖像的CD在最近基準(zhǔn)聚焦和當(dāng)前測(cè)試聚焦之間快速變化，則可調(diào)節(jié)檢查的靈敏度以檢測(cè)變化最快因此可能對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)最重要的測(cè)試圖像的CD。對(duì)于將測(cè)試圖像與多個(gè)基準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較的情況，加權(quán)因數(shù)可應(yīng)用于這多個(gè)比較以得出最終缺陷分?jǐn)?shù)。該最終缺陷分?jǐn)?shù)可用于確定測(cè)試圖像是否是有缺陷，并優(yōu)先化缺陷的實(shí)際大小。
此外，因?yàn)関PWQ方法基于模擬，vPWQ可用于更準(zhǔn)確地按照聚焦和/或曝光(“曝光條件”)確定關(guān)鍵尺寸的變化率。變化率的確定可按若干方式進(jìn)行。最準(zhǔn)確的方法將是以曝光條件的每個(gè)組合為每個(gè)部件計(jì)算CD的真實(shí)導(dǎo)數(shù)，dCD/dE和dCD/dF。另一方法是計(jì)算空間圖像的斜率，dE/dx，或者每個(gè)部件的閾值能量和曝光條件的組合下的標(biāo)準(zhǔn)化圖像對(duì)數(shù)斜率(NILS)(Eth)。斜率或NILS越小，CD將隨曝光或處理?xiàng)l件的變化而更快速地變化。因此，該斜率可被看做CD變化率的指示。
斜率或?qū)?shù)數(shù)據(jù)可獨(dú)立地用作確定部件是否有缺陷的單獨(dú)標(biāo)準(zhǔn)，或者斜率和導(dǎo)數(shù)可同測(cè)試與基準(zhǔn)比較一起用于優(yōu)先化比較算法所檢測(cè)出的缺陷的重要性。類(lèi)似地，級(jí)聯(lián)測(cè)試與基準(zhǔn)比較可獨(dú)立使用，或者與上述標(biāo)稱(chēng)基準(zhǔn)比較的測(cè)試組合使用。這些可能的組合允許單獨(dú)根據(jù)缺陷大小、單獨(dú)根據(jù)缺陷的變化率或根據(jù)大小和變化率的組合來(lái)檢測(cè)和/或優(yōu)先化這些缺陷。加權(quán)因數(shù)可應(yīng)用于該比較中使用的多個(gè)項(xiàng)，用以過(guò)濾和/或優(yōu)先化缺陷。加權(quán)因數(shù)可以是線(xiàn)性或非線(xiàn)性的，且加權(quán)算法可包括輸入的截項(xiàng)或高次冪系數(shù)。例如，2nm CD誤差的加權(quán)可根據(jù)CD變化率高低而變化，而另一方面，10nm CD誤差的加權(quán)可被設(shè)定為較高，而不管變化率如何。
上述選項(xiàng)中的任一個(gè)可獨(dú)立或組合地使用。為清楚起見(jiàn)，可能的選項(xiàng)被標(biāo)號(hào)，且將提升檢查值的選項(xiàng)的組合如下地列出。
選項(xiàng)1用總處于標(biāo)稱(chēng)操作點(diǎn)的基準(zhǔn)的基準(zhǔn)比較的測(cè)試選項(xiàng)2計(jì)算CD對(duì)于劑量和/或焦距的導(dǎo)數(shù)選項(xiàng)3計(jì)算空間圖像和/或NILS的空間導(dǎo)數(shù)選項(xiàng)4級(jí)聯(lián)基準(zhǔn)比較的測(cè)試選項(xiàng)1本身基本上與在vPWQ和PWQ的缺陷檢測(cè)步驟中進(jìn)行的比較相同。選項(xiàng)2、3或4各自可獨(dú)立地用于替代選項(xiàng)1。然后，關(guān)注的組合是選項(xiàng)1和2；1和3；或1、2和3選項(xiàng)4和2；4和3；或4、2和3選項(xiàng)1和4；1、4和2；1、4和3；或者所有四個(gè)選項(xiàng)一起。
在任一這些組合中，不同的選項(xiàng)根據(jù)所應(yīng)用的加權(quán)因數(shù)而具有對(duì)缺陷過(guò)濾或優(yōu)先化的較大或較小的影響。
除了如上所述的絕對(duì)CD誤差數(shù)據(jù)以外的CD變化率信息的使用允許改善最易于處理窗口限制故障和依賴(lài)圖案的產(chǎn)量損失的設(shè)計(jì)和/或標(biāo)線(xiàn)的區(qū)域的檢測(cè)。變化率數(shù)據(jù)允許將更高的靈敏度應(yīng)用于檢查(物理的或虛擬的)，而使檢測(cè)系統(tǒng)不被無(wú)法實(shí)施的大量缺陷檢測(cè)淹沒(méi)，從而增強(qiáng)了可使用的系統(tǒng)靈敏度。
導(dǎo)數(shù)一般不能容易地從用于基于晶片的PWQ的物理晶片中計(jì)算出，但對(duì)基準(zhǔn)的正常的測(cè)試以及對(duì)基準(zhǔn)比較的級(jí)聯(lián)的測(cè)試可組合用于增強(qiáng)的PWQ。在一個(gè)示例中，代替當(dāng)前的BABA或BBABBA布局，其中B是標(biāo)稱(chēng)最佳聚焦和曝光下的基準(zhǔn)而A是測(cè)試情況，級(jí)聯(lián)方法將具有ABCDEFGH圖案的布局，其中每個(gè)曝光將使其設(shè)定稍許偏離前一領(lǐng)域，使得該布局對(duì)圖案保真度比處理?xiàng)l件中的小變化更靈敏。該布局還提供了晶片上更加可能的測(cè)試條件。為了裁定，缺陷將分配給具有離標(biāo)稱(chēng)最遠(yuǎn)的設(shè)定的領(lǐng)域。當(dāng)堆疊每組測(cè)試條件的多個(gè)拷貝時(shí)，可簡(jiǎn)單地去除由于該規(guī)則引起的任何隨機(jī)誤差。相同的概念可應(yīng)用于BBA型結(jié)構(gòu)。
圖9是用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的另一實(shí)施例的流程圖。如圖9所示，本實(shí)施例包括系統(tǒng)設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)，如步驟132所示。系統(tǒng)設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)可以用設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134進(jìn)行。此外，在步驟132中檢驗(yàn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可被提供給設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134。可以用本領(lǐng)域已知的任何系統(tǒng)和方法進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)。該方法還包括邏輯設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)，如步驟136所示。邏輯設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)136可以用通過(guò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)步驟132生成的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134進(jìn)行。此外，步驟136中檢驗(yàn)的邏輯設(shè)計(jì)可提供給設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134。邏輯設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)可以用本領(lǐng)域已知的任何方法和系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行。
該方法包括物理設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)，如步驟138所示。物理設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)可在步驟138中使用步驟136中檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134來(lái)進(jìn)行。物理設(shè)計(jì)和檢驗(yàn)可使用本領(lǐng)域已知的任何方法和系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行，諸如DRC和LVS。此外，步驟138中檢驗(yàn)的物理設(shè)計(jì)可提供給設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)134。如步驟140中所示，該方法可包括掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備可以用設(shè)計(jì)134和光刻模型142來(lái)進(jìn)行。掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備可以用本領(lǐng)域已知的任何方法或系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行。掩模數(shù)據(jù)可提供給幾何數(shù)據(jù)144。
代替對(duì)幾何數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)規(guī)則檢查，該方法包括vPWQ，如步驟146中所示的。使用步驟140中生成的掩模數(shù)據(jù)(其結(jié)果可從幾何數(shù)據(jù)144中獲得)和光刻模型142進(jìn)行vPWQ。vPWQ也可以根據(jù)這里所述的任何實(shí)施例進(jìn)行。如這里進(jìn)一步所述的，vPWQ可使用掩模數(shù)據(jù)庫(kù)作為輸入并進(jìn)行全管芯F-E矩陣計(jì)算。該計(jì)算可使用上述系統(tǒng)相對(duì)較快地執(zhí)行。例如，對(duì)于5個(gè)不同的焦距值和7個(gè)不同的曝光值，對(duì)于90nm代標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)在約10小時(shí)內(nèi)進(jìn)行計(jì)算。用于進(jìn)行該計(jì)算的vPWQ方法的版本檢測(cè)CD缺陷的相對(duì)較大部分(約全部CD缺陷的30％)并檢測(cè)所有災(zāi)難性事件，諸如短路、開(kāi)路，和印制SRAF。顯然，僅通過(guò)一個(gè)版本的vPWQ方法生成這些結(jié)果，且缺陷檢測(cè)結(jié)果可如上所述地被調(diào)整和/或優(yōu)化。
vPWQ方法的輸出可提供到步驟148中執(zhí)行的掩模寫(xiě)入。掩模寫(xiě)入過(guò)程也可使用幾何數(shù)據(jù)144來(lái)執(zhí)行涉及將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上的所有步驟。該方法包括在所制造的掩模上進(jìn)行掩模度量，如步驟150所示。掩模度量可使用本領(lǐng)域已知的任何系統(tǒng)和方法來(lái)進(jìn)行。該方法還包括制造的掩模的檢查，如步驟152所示?？梢杂脦缀螖?shù)據(jù)144進(jìn)行掩模檢查?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的任何方法和系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行掩模檢查。
根據(jù)掩模度量和檢查的結(jié)果(如果掩模通過(guò)合格規(guī)范)，該方法包括將掩模印制于晶片上，如步驟154所示。將掩模印制于晶片上可以包括使用本領(lǐng)域已知的任何系統(tǒng)和方法。該方法還包括晶片度量，如步驟156所示。印制的晶片的晶片度量可包括本領(lǐng)域已知的任何方法或系統(tǒng)。晶片度量的結(jié)果也可提供給光刻模型142。晶片度量的結(jié)果可用于校準(zhǔn)和/或更新光刻模型。如步驟158所示，該方法包括晶片檢查。晶片檢查可以用本領(lǐng)域已知的任何系統(tǒng)和方法來(lái)進(jìn)行。圖9所示的方法還可包括這里所述的任何其它步驟。
圖10是用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的一不同實(shí)施例的流程圖。特別地，圖10示出了可在上述任何方法中使用的vPWQ方法的一個(gè)實(shí)施例。如圖10所示，標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)和RET裝飾數(shù)據(jù)160可用于生成標(biāo)線(xiàn)數(shù)據(jù)162。按此方式，標(biāo)線(xiàn)數(shù)據(jù)162可包括經(jīng)裝飾的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。此外，可以用光刻數(shù)據(jù)166生成工廠模型數(shù)據(jù)164，諸如掃描儀參數(shù)、抗蝕劑參數(shù)和預(yù)定處理窗口(諸如聚焦和劑量范圍)，它們可用于確定將生成模擬圖像的晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值。
標(biāo)線(xiàn)數(shù)據(jù)162和工廠模型數(shù)據(jù)164被提供到vPWQ模塊168。vPWQ模塊168可包括用于能如上所述地使用標(biāo)線(xiàn)數(shù)據(jù)162和工廠模型數(shù)據(jù)164生成模擬圖像的任何硬件和/或軟件。在一個(gè)實(shí)施例中，vPWQ模塊可包括模擬引擎，諸如PROLITH軟件中所包含的。模擬引擎可被配置為如這里所述地生成第一和第二模擬圖像。在另一實(shí)施例中，vPWQ模塊可被配置成一系統(tǒng)，它包括與處理器耦合的上述模擬引擎。處理器可被配置為根據(jù)這里所述的任何實(shí)施例使用第二模擬圖像檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。vPWQ模塊168所執(zhí)行的vPWQ方法可包括這里所述的任何其它步驟。vPWQ模塊可被進(jìn)一步配置，如這里所述的。
如圖10所示，vPWQ模塊168產(chǎn)生包含誤差列表的輸出170。誤差列表可包括vPWQ模塊檢測(cè)出的任何潛在的缺陷。通過(guò)vPWQ模塊或另一軟件模塊或其它硬件，可以對(duì)輸出170執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)附加函數(shù)。例如，可檢查誤差列表的潛在缺陷以確定這些潛在缺陷是否是實(shí)際缺陷、這些潛在缺陷是什么類(lèi)型的缺陷、等等。此外，該輸出可用于確定可與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)一起使用的處理窗口?？扇缟纤龅卮_定要使用標(biāo)線(xiàn)的晶片印制過(guò)程的處理窗口。此外，該輸出可進(jìn)行格式化以呈現(xiàn)給用戶(hù)，由另一軟件模塊使用，存儲(chǔ)于諸如工廠數(shù)據(jù)庫(kù)的一個(gè)或多個(gè)模塊中，等等。圖10所示的方法可包括這里所述的任何其它步驟。
圖11是用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的另一實(shí)施例的流程圖。如圖11所示，通過(guò)RET裝飾174和數(shù)據(jù)分裂178修改掩模層數(shù)據(jù)172。經(jīng)修改的掩模層數(shù)據(jù)用于生成掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)178。掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)178被提供到vPWQ模塊180。例如，掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)178可提供到vPWQ模塊180的輸入數(shù)據(jù)庫(kù)182。vPWQ模塊還可包括描述標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的模塊。該模塊可包括掩模寫(xiě)入器模塊184。vPWQ模塊可使用帶有輸入數(shù)據(jù)庫(kù)182中的掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)178的掩模寫(xiě)入器模塊184來(lái)生成第一模擬圖像，它示出如何使用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。
vPWQ模塊還可包括描述晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)模型。這些模型可包括掃描儀模型186和抗蝕劑模型188。此外，晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值190可提供到輸入數(shù)據(jù)庫(kù)182。這一個(gè)或多個(gè)參數(shù)例如可包括焦距F和曝光E。此外，提供到輸入數(shù)據(jù)庫(kù)182的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值可包括參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值(例如，F(xiàn)0，E0)。提供到輸入數(shù)據(jù)庫(kù)182的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值還可包括測(cè)試值(例如，F(xiàn)n，En)。這些測(cè)試值可包括標(biāo)線(xiàn)的預(yù)定處理窗口內(nèi)的值。在一些實(shí)施例中，這些測(cè)試值可跨預(yù)定處理窗口。
vPWQ模塊使用掃描儀模型186、抗蝕劑模型188、第一模擬圖像和不同值190來(lái)生成第二模擬圖像192。第二模擬圖像示出被印制于標(biāo)線(xiàn)上的掩模寫(xiě)入器數(shù)據(jù)將如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值印制于晶片上。第二模擬圖像還可示出如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將整個(gè)芯片印制于晶片上。在該實(shí)施例中，vPWQ模塊180也可用掃描儀模型186、抗蝕劑模型188、第一模擬圖像和晶片印制過(guò)程參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值生成基準(zhǔn)模擬圖像194。比較基準(zhǔn)模擬圖像194和第二模擬圖像192以確定模擬圖像之間的差異196。vPWQ模塊可使用容差規(guī)范198來(lái)確定哪些有資格作為一差異。被比較的模擬圖像之間的差異可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷，如這里進(jìn)一步描述的。
在一些實(shí)施例中，代替或除了使用示出如何通過(guò)晶片印制過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上的模擬圖像檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷，可以使用示出在不同的半導(dǎo)體制造過(guò)程后晶片上的圖案的模擬圖像缺陷檢測(cè)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，vPWQ模塊180可包括蝕刻模型200。蝕刻模型200描述了在通過(guò)光刻過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上之后在晶片上進(jìn)行的蝕刻過(guò)程。vPWQ模塊180可使用蝕刻模型200并結(jié)合第二模擬圖像來(lái)生成示出如何通過(guò)蝕刻過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于晶片上的附加模擬圖像。可將這些附加模擬圖像與基準(zhǔn)模擬圖像進(jìn)行比較以檢測(cè)出模擬圖像之間的差異，如上所述。模擬圖像之間的差異可用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。對(duì)于將在晶片上執(zhí)行并會(huì)影響晶片上印制的圖案的任何其它過(guò)程，類(lèi)似的圖像模擬和缺陷檢測(cè)也可由vPWQ模塊執(zhí)行。這些過(guò)程例如可包括沉積和化學(xué)機(jī)械拋光。
vPWQ模塊180基于模擬圖像192和基準(zhǔn)模擬圖像194之間的差異196生成輸出202。輸出202可包括模擬圖像之間的差異、與這些差異的位置相對(duì)應(yīng)的模擬圖像的一些部分(測(cè)試和/或基準(zhǔn))、數(shù)據(jù)庫(kù)剪輯、確定用于標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的處理窗口和/或不同模擬圖像之間檢測(cè)到的差異的嚴(yán)重性(例如，量度)的坐標(biāo)。vPWQ模塊180也可配置為允許基于輸出202執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)用戶(hù)動(dòng)作204。用戶(hù)動(dòng)作例如可包括標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的拒絕、要由vPWQ模塊執(zhí)行的附加模擬的選擇、vPWQ模塊的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的調(diào)整和/或vPWQ模塊所使用的規(guī)則的改變。圖11所示的方法可包括這里所述的任何其它步驟。
圖12是用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的又一實(shí)施例。特別地，圖12示出了可以進(jìn)行某種形式的PWQ的半導(dǎo)體制造過(guò)程中的不同點(diǎn)。例如，如圖12所示，該方法可包括對(duì)掩模層數(shù)據(jù)庫(kù)205執(zhí)行vPWQ206。在通過(guò)RET裝飾210修改掩模層數(shù)據(jù)庫(kù)后，可對(duì)經(jīng)裝飾的掩模層數(shù)據(jù)進(jìn)行vPWQ208。在vPWQ208后，經(jīng)裝飾的掩模層數(shù)據(jù)可用于生成標(biāo)線(xiàn)布局212。標(biāo)線(xiàn)布局212用于執(zhí)行數(shù)據(jù)分裂214。在數(shù)據(jù)分裂214后，可對(duì)分裂的數(shù)據(jù)執(zhí)行vPWQ216。vPWQ206、208和216可如這里所述地執(zhí)行。
在執(zhí)行vPWQ216后，如步驟218所示，可制造掩模。在制造掩模后，該方法可包括檢查制造的掩模，如步驟220所示。檢查制造的掩模可包括使用制造的掩模的圖像的vPWQ222。換言之，除了代替使用第一模擬圖像生成測(cè)試模擬圖像之外，vPWQ222可如這里所述地執(zhí)行，在vPWQ222中，可使用實(shí)際掩模圖像來(lái)生成測(cè)試模擬圖像。在檢查掩模后，假定掩模通過(guò)合格證明，掩?？捎缮a(chǎn)設(shè)備接收，如步驟224所示。當(dāng)掩模由制造設(shè)備接收時(shí)，可以用制造掩模的圖像如上所述地再次執(zhí)行vPWQ226。
該方法還包括使用制造的掩模印制晶片，如步驟228所示。在印制晶片后，可使用實(shí)際印制晶片的圖像執(zhí)行vPWQ230。換言之，除了用印制晶片的圖像取代第二模擬圖像外，vPWQ230可如這里所述地執(zhí)行。在執(zhí)行vPWQ230后，該方法可包括蝕刻印制晶片，如步驟232所示。在蝕刻印制晶片后，vPWQ234可使用實(shí)際蝕刻的晶片圖像來(lái)執(zhí)行。換言之，除了用蝕刻晶片的圖像取代第二模擬圖像外，可如這里所述地執(zhí)行vPWQ234。此外，vPWQ也可在半導(dǎo)體制造過(guò)程的其它步驟之后執(zhí)行。按此方式，這里所述的vPWQ方法可貫穿半導(dǎo)體制造過(guò)程應(yīng)用于許多不同的點(diǎn)，如圖12所示。圖12所示的方法可包括這里所述的任何其它步驟。
配置成執(zhí)行這里所述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可如上所述地配置。該系統(tǒng)還包括載體介質(zhì)。該載體介質(zhì)可用本領(lǐng)域已知的任何方法或設(shè)備與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)耦合或包含其中。實(shí)現(xiàn)諸如這里所述的方法的程序指令可在載體介質(zhì)上傳輸或存儲(chǔ)其中。載體介質(zhì)可以是傳輸媒介，諸如線(xiàn)路、電纜或無(wú)線(xiàn)傳輸鏈接，或者是沿著這些線(xiàn)路、電纜或鏈接傳輸?shù)男盘?hào)。載體介質(zhì)還可以是存儲(chǔ)介質(zhì)，諸如只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán)或者磁帶。
在一實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可配置成執(zhí)行程序指令以執(zhí)行根據(jù)以上任一實(shí)施例的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法。一般，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可廣泛地定義為具有一個(gè)或多個(gè)處理器的任何設(shè)備，它執(zhí)行來(lái)自存儲(chǔ)器介質(zhì)的指令。
程序指令可以按任何方式實(shí)現(xiàn)，包括基于過(guò)程的技術(shù)、基于組件的技術(shù)和/或面向?qū)ο蟮募夹g(shù)。例如，程序指令可以按需要用ActiveX控件、C++對(duì)象、JavaBeans、Microsoft Foundation Class(MFC)或其它技術(shù)或方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。該系統(tǒng)可如這里所述地被進(jìn)一步配置。
根據(jù)本描述，本發(fā)明的各方面的進(jìn)一步修改和可選實(shí)施例是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的。例如，提供了計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法和用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的方法。因此，本描述僅僅是說(shuō)明性且用于向本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員教示實(shí)施本發(fā)明的一般方式?？梢岳斫?，這里所示和所述的本發(fā)明的形式被認(rèn)為是當(dāng)前的較佳實(shí)施例。元件和材料可替換這里所述和所示的那些，部分和過(guò)程可顛倒，且本發(fā)明的某些部件可單獨(dú)使用，如本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員得益于本發(fā)明的描述后顯而易見(jiàn)的?？筛淖冞@里所述的元件而不背離以下權(quán)利要求書(shū)中所述的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上；用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像，其中所述第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上；以及使用所述第二模擬圖像檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二模擬圖像包括由所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)定義的完整芯片的模擬圖像。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)包括由分辨率提升技術(shù)部件數(shù)據(jù)修改的集成電路設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同值跨晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的預(yù)定處理窗口。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括基于所述檢測(cè)的結(jié)果確定晶片印制過(guò)程的處理窗口。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括確定在哪些不同值處在第二模擬圖像中出現(xiàn)至少一個(gè)缺陷。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括確定標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的區(qū)域，在所述區(qū)域中，在比在標(biāo)線(xiàn)上的其它區(qū)域中出現(xiàn)缺陷時(shí)的不同值更靠近晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的不同值處出現(xiàn)缺陷。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)包括將所述第二模擬圖像和基準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，其中所述基準(zhǔn)圖像包括示出如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上的附加模擬圖像。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)包括將所述第二模擬圖像和基準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，其中所述基準(zhǔn)圖像示出如何將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)理想地印制于晶片上。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)包括將所述第二模擬圖像之一和附加模擬圖像進(jìn)行比較，所述附加模擬圖像示出如何以比對(duì)應(yīng)于所述一個(gè)第二模擬圖像的不同值更靠近晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的標(biāo)稱(chēng)值的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括生成附加模擬圖像，它示出如何以標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上，并選擇在標(biāo)線(xiàn)上產(chǎn)生最小數(shù)量的設(shè)計(jì)圖案缺陷的所述標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括根據(jù)所述檢測(cè)的結(jié)果改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，其中所述改變包括改變標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的分辨率提升技術(shù)部件數(shù)據(jù)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括基于所述檢測(cè)的結(jié)果生成所述標(biāo)線(xiàn)的檢查過(guò)程。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括基于所述檢測(cè)的結(jié)果生成所述晶片的檢查過(guò)程。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述檢測(cè)后制造標(biāo)線(xiàn)，檢查所述標(biāo)線(xiàn)，并基于所述檢測(cè)和所述檢查的結(jié)果生成所述晶片的檢查過(guò)程。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述檢測(cè)后制造標(biāo)線(xiàn)，檢查所述標(biāo)線(xiàn)，并基于所述檢測(cè)的結(jié)果、所述檢查的結(jié)果、標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的設(shè)計(jì)者生成的關(guān)鍵部件數(shù)據(jù)或其某一組合生成用于晶片的檢查過(guò)程。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括識(shí)別所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，它與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第二區(qū)域相比具有更高的概率被有缺陷地印制，并基于所述識(shí)別的結(jié)果生成用于將用標(biāo)線(xiàn)印制的晶片的過(guò)程控制方法。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括識(shí)別所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第一區(qū)域，它與標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的第二區(qū)域相比具有更高的概率被有缺陷地印制，并基于所述識(shí)別改變所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
19.一種模擬引擎，它被配置為生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上；用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像，其中所述第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上，其中所述第二模擬圖像可用于檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
20.一種被配置為檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的系統(tǒng)，包括模擬引擎，它被配置為生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上；以及用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像，其中所述第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上；以及處理器，它被配置為使用所述第二模擬圖像檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
21.一種用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上；用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像，其中所述第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上；確定所述第二模擬圖像的特征的變化率，作為所述不同值的函數(shù)；以及基于所述變化率檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)包括使用所述變化率結(jié)合所述第二模擬圖像來(lái)檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
23.一種用于檢測(cè)印制于標(biāo)線(xiàn)上的標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)的圖像印制于晶片上；確定所述圖像特征的變化率，作為所述不同值的函數(shù)；以及基于所述變化率檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
全文摘要
提供了用于檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。一種方法包括生成第一模擬圖像，它示出了如何用標(biāo)線(xiàn)制造過(guò)程將標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)印制于標(biāo)線(xiàn)上。該方法還包括用所述第一模擬圖像生成第二模擬圖像。該第二模擬圖像示出了如何以晶片印制過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的不同值將標(biāo)線(xiàn)印制于晶片上。該方法還包括使用所述第二模擬圖像檢測(cè)所述標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。另一方法包括上述生成步驟，以及按照不同值確定第二模擬圖像的特征的變化率。該方法還包括基于變化率檢測(cè)標(biāo)線(xiàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的缺陷。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1910516SQ200580003027
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2005年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月29日
發(fā)明者Z·K·塞丁, Y·熊, L·格拉瑟, C·黑斯, M·E·普里爾 申請(qǐng)人:克拉-坦科技術(shù)股份有限公司