專利名稱：用于浸漬光刻的聚合物、含有它的光致抗蝕劑組合物、制備半導(dǎo)體器件的方法及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種用于浸漬光刻的聚合物和一種含有它的光致抗蝕劑組合物，以在半導(dǎo)體器件的制造中獲得精細圖案。
背景技術(shù)：
當(dāng)前所使用的光刻技術(shù)為采用曝光系統(tǒng)的干式光刻技術(shù)，在該曝光系統(tǒng)中介于曝光透鏡與晶片之間的間隔以空氣填充。為了使用干式光刻開發(fā)出60nm分辨率的器件，需要使用諸如F2激光(157nm)或遠紫外(EUV)激光的光源的新曝光系統(tǒng)。然而，當(dāng)使用F2激光時很難顯影薄膜(pellicle)，并且當(dāng)使用EUV激光時難于顯影掩模和光源。
為了克服上述問題，已經(jīng)開發(fā)出浸漬光刻。
在浸漬光刻中，適宜的水溶液填充投影透鏡與晶片之間的間隔，從而增加對應(yīng)于該溶液折射率的光學(xué)數(shù)值孔徑。溶液中的光源的實際波長等于通過將空氣中的光源的波長除以該溶液的折射率所計算出的值。例如，如果反射率為1.44的水用作介質(zhì)，則將ArF光源的193nm波長轉(zhuǎn)換為134nm。這與當(dāng)使用具有諸如F2激光(157nm)的較短波長的光源來增加分辨率的效果相同。
然而，因為投影透鏡與晶片之間的間隔并非填充空氣而填充常規(guī)浸漬光刻中的水溶液，所以光致抗蝕劑中所存在的光酸發(fā)生劑可溶解在該水溶液中，導(dǎo)致曝光透鏡污染及光致抗蝕劑圖案變形。

發(fā)明內(nèi)容
本公開提供一種用于浸漬光刻的聚合物，其在浸漬光刻過程中防止光酸發(fā)生劑溶解在用于浸漬光刻的水溶液中。本文還公開一種含有該聚合物的光致抗蝕劑組合物。
此外，本文中公開一種使用所公開的光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕劑圖案的方法，及一種通過所公開的方法制造的半導(dǎo)體器件。


為了更完整地理解本發(fā)明，應(yīng)該參考下面的詳細描述和附圖，附圖中圖1a為說明本公開中所用的沐浴型浸漬光刻曝光器的剖視圖；圖1b為說明本公開中所用的淋浴型浸漬光刻曝光器的剖視圖；圖1c為說明本公開中所用的浸沒型浸漬光刻曝光器的剖視圖；圖2a為說明得自制備實施例1的聚合物的NMR光譜；圖2b為說明得自制備實施例2的聚合物的NMR光譜；圖3a為說明得自實施例3的光致抗蝕劑圖案的照片；圖3b為說明得自實施例4的光致抗蝕劑圖案的照片；及圖4為說明得自對比例的光致抗蝕劑圖案的照片。
說明書、附圖和實施例為說明性的，并且不意味著限制本公開于本文中所描述的具體實施方案。
附圖中各元件的符號說明10晶片20用于浸漬光刻的溶液30浸漬透鏡單元40晶片臺50投影透鏡單元具體實施方式
提供一種通過直接組合光酸產(chǎn)生劑與光致抗蝕劑聚合物所獲得的用于浸漬光刻的光酸產(chǎn)生聚合物。該聚合物包含式1所示的重復(fù)單元[式1]
式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；及A為光酸產(chǎn)生基團，任何適宜的光酸產(chǎn)生劑可以無限制地使用。在本文中，“光酸產(chǎn)生基團”是指通過曝光產(chǎn)生酸的基團。優(yōu)選地，X1為C1-C3亞烷基，包括A的重復(fù)單元由式1a表示[式1a] 式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；及R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基。
優(yōu)選地，由式1a表示的重復(fù)單元由式1b表示[式1b]
在式1a的聚合物中，用作光酸產(chǎn)生劑的組分為磺酸基(-SO3-)，其中磺酸(-SO3H)是通過曝光產(chǎn)生的。
按照該方法，通過直接將用作水性光酸產(chǎn)生劑的基團組合至有機光致抗蝕劑型聚合物的化合物，可以防止光酸產(chǎn)生劑在曝光期間溶解在用于浸漬光刻的水溶液中。
優(yōu)選地，該聚合物包含由式2或式3表示的聚合重復(fù)單元[式2]
式中X1、X2和X3單獨為C1-C10亞烷基、硫或氧；R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基；R2為直鏈或支鏈C1-C10亞烷基，或者經(jīng)鹵素部分取代的直鏈或支鏈C1-C10亞烷基；R3為酸不安定保護基；及a∶b∶c∶d的相對量以重量份計為100∶10～40∶30～70∶10～40。
式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基；R2為酸不安定保護基；R3和R4單獨為氫或甲基；及a∶b∶c∶d的相對量以重量份計為5～30∶100∶5～30∶5～70。
“酸不安定保護基”為可以被酸分離的基團。當(dāng)將酸不安定保護基組合至光致抗蝕劑時，其防止光致抗蝕劑溶解于堿性顯影溶液中。然而，當(dāng)酸不安定保護基被通過曝光產(chǎn)生的酸分離時，該光致抗蝕劑可以溶解于堿性顯影溶液中。
可以使用任何適宜的酸不安定保護基。適宜的實例公開于USP5212043(1993年5月18日)、WO 97/33198(1997年9月12日)、WO96/37526(1996年11月28日)、EP 0794458(1997年9月10日)、EP0789278(1997年8月13日)、USP 5750680(1998年5月12日)、USP6051678(2000年4月18日)、GB 2345286 A(2000年7月5日)、USP6132926(2000年10月17日)、USP 6143463(2000年11月7日)、USP6150069(2000年11月21日)、USP 6180316 B1(2001年1月30日)、USP6225020 B1(2001年5月1日)、USP 6235448 B1(2001年5月22日)和USP6235447 B1(2001年5月22日)中，其中各公開引入本文作為參考。
優(yōu)選地，酸不安定保護基選自叔丁基、四氫吡喃-2-基、2-甲基四氫吡喃-2-基、四氫呋喃-2-基、2-甲基四氫呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、叔丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基和2-乙?；『?acetylment)-1-基。
優(yōu)選地，式2或式3的聚合重復(fù)單元分別由式2a或式3a表示 式中a∶b∶c∶d的相對量以重量份計為100∶10～40∶30～70∶10～40。
式中a∶b∶c∶d的相對量以重量份計為5～30∶100∶5～30∶5～70。
所公開的聚合物包含直鏈的聚合重復(fù)單元。如果必要，所公開的聚合物可以進一步包含另一個單體或添加劑。
并且，提供一種含有所公開的聚合物和有機溶劑的光致抗蝕劑組合物。如果必要，所公開的光致抗蝕劑組合物可以進一步含有光酸產(chǎn)生劑、光致抗蝕劑聚合物和/或添加劑。優(yōu)選地，所公開的光致抗蝕劑組合物用于浸漬光刻。
光致抗蝕劑聚合物可以為化學(xué)放大型光致抗蝕劑聚合物。優(yōu)選地，該光致抗蝕劑聚合物為包含由式4表示的聚合重復(fù)單元的聚合物[式4] 式中e∶f∶g的相對量以重量份計為100∶5～30∶40～70∶10～40。
可以采用任何適宜的有機溶劑，適宜的溶劑的實例公開于上述參考文獻中。優(yōu)選的有機溶劑選自3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、環(huán)己酮、2-庚酮、乳酸乙酯及其混合物。優(yōu)選地，基于用于浸漬光刻的光致抗蝕劑聚合物，該有機溶劑以500～3000重量份的量存在。
當(dāng)進一步包含光致抗蝕劑聚合物時，基于100重量份的光致抗蝕劑組合物，本發(fā)明的聚合物優(yōu)選以5～20重量份的量存在。
所公開的聚合物的使用不限于浸漬光刻，它可以用于一般的干式光刻技術(shù)中。在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)涂布光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕劑薄膜時，光酸產(chǎn)生劑作為獨立分子包含在光致抗蝕劑組合物中，并且不均勻地分布在光致抗蝕劑組合物中。結(jié)果，即使未曝光的光致抗蝕劑薄膜也可以通過使用低水平的曝光能量顯影。然而，因為光酸產(chǎn)生劑直接與本發(fā)明聚合物中的有機聚合物組合，所以該光酸產(chǎn)生劑均勻地分布，從而防止未曝光的部分在低水平的曝光能量下顯影。
另外，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟(a)將上述的光致抗蝕劑組合物涂布于下覆層上以形成光致抗蝕劑薄膜；(b)曝光該光致抗蝕劑薄膜；(c)顯影該經(jīng)曝光的光致抗蝕劑薄膜以獲得光致抗蝕劑圖案；及(d)將該光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模來進行蝕刻過程以蝕刻該下覆層，從而獲得下覆層圖案。
優(yōu)選地，使用用于浸漬光刻的曝光設(shè)備來進行曝光步驟(b)。以上方法可以進一步包含在該曝光步驟(b)之前的軟烘焙步驟或在該曝光步驟(b)之后的后烘焙步驟。優(yōu)選地，該烘焙步驟在70～200℃的溫度下進行。
步驟(b)的光源優(yōu)選選自F2(157nm)、ArF(193nm)、KrF(248nm)、E-束、EUV(遠紫外線)和離子束，且曝光步驟(b)優(yōu)選以約1～100mJ/cm2的曝光能量來進行。
步驟(c)可在堿性顯影溶液中進行，該溶液優(yōu)選為0.5～5％重量的TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液。
用于浸漬光刻的曝光器通常包括浸漬透鏡單元、晶片臺和投影透鏡單元。該浸漬透鏡單元被配置以包括外殼單元、供給單元和用于浸漬光刻的水溶液的回收單元。在曝光步驟過程中，將用于浸漬光刻的水溶液施加至浸漬透鏡單元。
用于浸漬光刻的曝光器優(yōu)選為淋浴型、沐浴型或浸沒型曝光器的任一種。
圖1a圖示了一種包括浸漬透鏡單元30的用于浸漬光刻的沐浴型曝光器，以便用用于浸漬光刻的水溶液20覆蓋晶片10的整個表面。
圖1b圖示了一種包括浸漬透鏡單元30的用于浸漬光刻的淋浴型曝光器，其在投影透鏡單元50底部處容納用于浸漬光刻的水溶液20。
圖1c圖示了一種包括浸漬透鏡單元30的用于浸漬光刻的浸沒型曝光器，其中安裝晶片10的晶片臺40浸沒于用于浸漬光刻的水溶液20中。
并且，還提供一種通過所公開的方法制造的半導(dǎo)體器件。
實施例將參考以下實施例詳細描述本發(fā)明，實施例并非意欲限定本發(fā)明。
制備實施例1合成聚(雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸叔丁酯/雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸2-羥乙酯/N-[(全氟丁磺酰基)氧基]-降莰烷(norbonane)-2，3-二羧基酰亞胺/馬來酐)將雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸叔丁酯(19.41g)、雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸2-羥乙酯(5.4g)、N-[(全氟丁磺?；?氧基]-降莰烷-2，3-二羧基酰亞胺(9.5g)、馬來酐(14g)和作為聚合引發(fā)劑的AIBN(2，2′偶氮二異丁腈)(1.35g)溶解在THF(四氫呋喃)(40g)中。使所得混合物在67℃下聚合24小時。在反應(yīng)之后，在乙醚中獲得沉淀物，過濾，及在真空中脫水，從而合成用于浸漬光刻的式2a化合物(參見圖2a的NMR光譜)。
制備實施例2合成聚(甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylic acid)/丙烯酸叔丁酯/馬來酐/N-[(全氟辛磺?；?氧基]-降莰烷-2，3-二羧基酰亞胺)將甲基丙烯酸甲酯(2.0g)、丙烯酸叔丁酯(9.0g)、馬來酐(2.0g)、N-[(全氟辛磺酰基)氧基]-降莰烷-2，3-二羧基酰亞胺)(2.0g)和作為聚合引發(fā)劑的AIBN(2，2′偶氮二異丁腈)(0.3g)溶解在丙酮(45g)中。使所得混合物在67℃下聚合6小時。在聚合之后，在水中獲得沉淀物，過濾，及在真空中脫水，從而獲得式3a的化合物(產(chǎn)率48％，參見圖2b的NMR光譜)。
制備實施例3合成聚(雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸叔丁酯/雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸2-羥乙酯/馬來酐)將雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸叔丁酯(23.57g)、雙環(huán)[2，2，1]庚-5-烯-2-羧酸2-羥乙酯(3.90g)、馬來酐(14g)和作為聚合引發(fā)劑的AIBN(2，2′偶氮二異丁腈)(0.55g)溶解在THF(20g)中。使所得混合物在67℃下聚合24小時。在聚合之后，在乙醚中獲得沉淀物，過濾，及在真空中脫水，從而獲得式4的化合物(產(chǎn)率76％)。
實施例1制備所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物(1)將自制備實施例1獲得的式2a聚合物(1g)及三乙醇胺(0.006g)溶解在丙二醇甲醚乙酸酯(13g)中，從而獲得所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物。
實施例2制備所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物(2)將作為光酸產(chǎn)生劑的自制備實施例2獲得的聚合物(0.1g)、作為光致抗蝕劑聚合物的自制備實施例3獲得的聚合物(1g)和三乙醇胺(0.001g)溶解在丙二醇甲醚乙酸酯(13g)中，從而獲得所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物。
實施例3形成所公開的光致抗蝕劑圖案(1)將自實施例1獲得的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物以240nm的厚度涂布在晶片上，并在130℃下軟烘焙90秒，從而獲得光致抗蝕劑薄膜。接著，將所涂布的晶片沉入水中3分鐘，以便觀察通過所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物形成的光致抗蝕劑圖案是否會受到用于浸漬光刻的水溶液影響。
然后，使用ArF曝光器曝光該光致抗蝕劑薄膜，并在130℃下后烘焙90秒。接著，將它在2.38％重量的TMAH水溶液中顯影40秒，從而獲得光致抗蝕劑圖案(參見圖3a)。
如圖3a所示，該光致抗蝕劑圖案是通過所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物來垂直形成。
實施例4形成所公開的光致抗蝕劑圖案(2)重復(fù)實施例3的程序，所不同的是，將自實施例2獲得的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物以200nm的厚度涂布在晶片上，從而獲得光致抗蝕劑圖案。
如圖3b所示，該光致抗蝕劑圖案是通過所公開的用于浸漬光刻的光致抗蝕劑組合物來垂直形成。
對比例形成光致抗蝕劑圖案將包括獨立的光酸產(chǎn)生劑的感光劑(由JSR公司制造；AR1221J)以240nm的厚度涂布在晶片上，并在130℃下軟烘焙90秒，從而獲得光致抗蝕劑薄膜。接著，將所涂布的晶片沉入水中3分鐘，以便觀察通過常規(guī)光致抗蝕劑組合物形成的光致抗蝕劑圖案是否會受到用于浸漬光刻的水溶液影響。
然后，使用ArF曝光器曝光該光致抗蝕劑薄膜，并在130℃下后烘焙90秒。接著，將它在2.38％重量的TMAH水溶液中顯影40秒，從而獲得光致抗蝕劑圖案(參見圖4)。
如圖4所示，該光致抗蝕劑圖案并未垂直形成，而是通過該常規(guī)光致抗蝕劑組合物變形。
如上所述，以所公開的組合物垂直形成光致抗蝕劑圖案。即使當(dāng)通過組合物形成的光致抗蝕劑薄膜與水溶液長時間接觸時，光酸產(chǎn)生劑也不會溶解在用于浸漬光刻的水溶液中，從而防止曝光透鏡污染及通過曝光的光致抗蝕劑圖案變形。
權(quán)利要求
1.一種包含式1所示的重復(fù)單元的光酸產(chǎn)生聚合物[式1] 式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；及A為光酸產(chǎn)生基團。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的聚合物，其中X1為C1-C3亞烷基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的聚合物，其中該重復(fù)單元由式1a表示[式1a] 式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；及R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的聚合物，其中X1為C1-C3亞烷基。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的聚合物，其中該重復(fù)單元由式1b表示[式1b]
6.根據(jù)權(quán)利要求3的聚合物，其中該聚合物包含由式2表示的聚合重復(fù)單元[式2] 式中X1、X2和X3單獨為C1-C10亞烷基、硫或氧；R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基；R2為直鏈或支鏈C1-C10亞烷基，或者經(jīng)鹵素部分取代的直鏈或支鏈C1-C10亞烷基；及R3為酸不安定保護基；式中a∶b∶c∶d的相對量，以重量份計，為100∶10～40∶30～70∶10～40。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的聚合物，其中該酸不安定保護基選自叔丁基、四氫吡喃-2-基、2-甲基四氫吡喃-2-基、四氫呋喃-2-基、2-甲基四氫呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、叔丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基和2-乙?；『?1-基。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的聚合物，其中該聚合重復(fù)單元由式2a表示[式2a] 式中a∶b∶c∶d的相對量，以重量份計，為100∶10～40∶30～70∶10～40。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的聚合物，其中該酸不安定保護基選自叔丁基、四氫吡喃-2-基、2-甲基四氫吡喃-2-基、四氫呋喃-2-基、2-甲基四氫呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、叔丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基和2-乙?；『?1-基。
10.根據(jù)權(quán)利要求3的聚合物，其中該聚合物包含由式3表示的聚合重復(fù)單元[式3] 式中X1為C1-C10亞烷基、硫或氧；R1為直鏈或支鏈C1-C10烷基，或者經(jīng)鹵素部分或全部取代的直鏈或支鏈C1-C10烷基；R2為酸不安定保護基；及R3和R4單獨為氫或甲基；式中a∶b∶c∶d的相對量，以重量份計，為5～30∶100∶5～30∶5～70。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的聚合物，其中該聚合重復(fù)單元由式3a表示[式3a] 式中a∶b∶c∶d的相對量，以重量份計，為5～30∶100∶5～30∶5～70。
12.一種光致抗蝕劑組合物，包含權(quán)利要求1的光酸產(chǎn)生聚合物和有機溶劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的光致抗蝕劑組合物，還包含至少一種選自光酸發(fā)生劑、光致抗蝕劑聚合物和添加劑的組分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的光致抗蝕劑組合物，其中該光致抗蝕劑聚合物為化學(xué)放大型光致抗蝕劑聚合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的光致抗蝕劑組合物，其中該光致抗蝕劑聚合物由式4表示[式4] 式中e∶f∶g的相對量，以重量份計，為100∶5～30∶40～70∶10～40。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的光致抗蝕劑組合物，其中基于100重量份的該光致抗蝕劑組合物，聚合物以5～20重量份的量存在。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的光致抗蝕劑組合物，其中該有機溶劑選自3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、環(huán)己酮、2-庚酮、乳酸乙酯及其混合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求12的光致抗蝕劑組合物，其中基于100重量份的該光致抗蝕劑聚合物，有機溶劑以500～3000重量份的量存在。
19.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟(a)將權(quán)利要求12的光致抗蝕劑組合物涂布在下覆層上，以形成光致抗蝕劑薄膜；(b)曝光該光致抗蝕劑薄膜；(c)顯影所曝光的光致抗蝕劑薄膜，以獲得光致抗蝕劑圖案；及(d)將該光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模來進行蝕刻過程，以蝕刻該下覆層，從而獲得下覆層圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，包括利用用于浸漬光刻的曝光設(shè)備來進行該曝光步驟(b)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，還包括在該曝光步驟(b)之前的軟烘焙過程或在該曝光步驟(b)之后的后烘焙過程。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，包括在70～200℃的溫度下進行該烘焙步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中該步驟(b)的光源選自F2(157nm)、ArF(193nm)、KrF(248nm)、E-束、EUV(遠紫外線)和離子束。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，包括以約1～100mJ/cm2的曝光能量進行該曝光步驟(b)。
25.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，包括以堿性顯影溶液進行該顯影步驟(c)。
26.一種通過權(quán)利要求19的方法制備的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
一種包含由式1所示重復(fù)單元的用于浸漬光刻的聚合物，及含有該聚合物的光致抗蝕劑組合物。由本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物形成的光致抗蝕劑薄膜是高度抗溶解的，即防止光酸發(fā)生劑溶解于浸漬光刻的水溶液中，從而防止曝光導(dǎo)致的曝光透鏡污染和光致抗蝕劑圖案的變形。
文檔編號G03F7/20GK1873532SQ200510136300
公開日2006年12月6日 申請日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月2日
發(fā)明者鄭載昌, 卜喆圭, 林昌文, 文承燦 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司