專利名稱：半導體抗反射層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體抗反射層的制作方法。
背景技術：
現(xiàn)有的制作抗反射層的工藝是在生成抗反射層之后直接進行光刻工藝。使用增強型化學氣相淀積生長的ARL(抗反射層)，其反應氣體一般分為兩種一種反應氣體主要由SiH4和N2O組成，這種氣體一般運用在鋁層或通孔的工藝中，能夠起到降低金屬反射，增強后續(xù)光刻工程的CD(條寬)穩(wěn)定性；另一種反應氣體主要由SiH4、N2O和NH3組成，與普通由SiH4和N2O反應生成的SiON相比，由于該氣體形成的SiON對于在器件隔離STI(淺槽隔離)工藝中使用的HDP(高密度等離子體)一SiO2具有更大的濕法選擇比，一般在10∶1以上，所以該氣體一般被運用在Field SiN(場區(qū)氮化硅)和Gate Poly(柵極多晶硅)制作工藝之后，這種氣體在消除SiN和Poly(多晶硅)對于光刻的駐波效應方面會有幫助，這也通常被運用在DUV(深紫外線)光刻技術中。
DUV的光刻膠在曝光、顯像的過程中，H+從中游離出來，這也使得光刻膠能溶解于顯影液中。但如果ARL與光刻膠直接接觸，SiON表面的N-鍵會與H+鍵結合，形成共價鍵，這就使得一部分的光刻膠不能溶解，從而形成footing(足突)或scumming(浮渣)現(xiàn)象，如圖1所示。這會嚴重的影響光刻膠的形狀以及CD的控制。
對于無NH3的ARL而言，解決這種問題的方法是，直接加SiO2。而對于有NH3的ARL，這種方法并不適用，因為這種ARL還要兼顧對SiO2的濕法高選擇比。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種半導體抗反射層的制作方法，既能夠消除在帶NH3的ARL上，SiON與DUV光刻膠直接接觸產(chǎn)生的footing或scumming現(xiàn)象，又能兼顧對SiO2的濕法高選擇比，并且能簡便易行，可以投入大批量生產(chǎn)。
為解決上述技術問題，本發(fā)明半導體抗反射層的制作方法的技術方案是，包括三個步驟，分別是首先進行抗反射層的生長，然后對抗反射層進行O2等離子處理，最后進行光刻。
本發(fā)明通過加入O2等離子處理的步驟，消除了在帶NH3的ARL上，SiON與DUV光刻膠直接接觸產(chǎn)生的footing或scumming現(xiàn)象，并且對SiO2具有較高的濕法選擇比，該方法簡便易行，可以投入大批量生產(chǎn)。


下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步描述圖1為現(xiàn)有技術處理后的器件結構；圖2為使用本發(fā)明處理后的器件結構；圖3為進行O2等離子處理的時間與濕法選擇比的關系圖。
具體實施例方式
本發(fā)明半導體抗反射層的制作方法，包括現(xiàn)有技術中抗反射層的生長和光刻兩個步驟，并且在所述抗反射層生長和光刻兩個步驟之間，還增加了一個對抗反射層進行的O2等離子處理的步驟。在進行O2等離子處理時，RF(無線電頻率)功率為500～2000瓦，O2的流量為200～2000sccm，氣體壓強為0.1～2Torr。如果是對于場區(qū)氮化硅的抗反射層進行O2等離子處理，其處理時間為10～60S；如果是對于柵極多晶硅的抗反射層進行O2等離子處理，其處理時間為10～60S。
通過本發(fā)明的方法對抗反射層進行處理，產(chǎn)生的footing或scumming現(xiàn)象大大好轉(zhuǎn)，可參見圖2。另外，在經(jīng)過O2等離子處理后，濕法刻蝕速率會有所降低，因為對于SiO2的濕法刻蝕速率為16A/min來說，增加了20s或30s的O2等離子處理，還可以保持高于10∶1的濕法刻蝕的選擇比。
權利要求
1.一種半導體抗反射層的制作方法，包括抗反射層的生長和光刻兩個步驟，其特征在于，在所述抗反射層生長和光刻兩個步驟之間，還包括一個對抗反射層進行的O2等離子處理的步驟。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體抗反射層的制作方法，其特征在于，在進行O2等離子處理時，RF功率為500～2000瓦，O2的流量為200～2000sccm，氣體壓強為0.1～2Torr。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體抗反射層的制作方法，其特征在于，對于場區(qū)氮化硅的抗反射層進行O2等離子處理的時間為10～60S。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體抗反射層的制作方法，其特征在于，對于柵極多晶硅的抗反射層進行O2等離子處理的時間為10～60S。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體抗反射層的制作方法，包括抗反射層的生長和光刻兩個步驟，在所述抗反射層生長和光刻兩個步驟之間，還包括一個對抗反射層進行的O
文檔編號G03F7/00GK1983520SQ20051011141
公開日2007年6月20日 申請日期2005年12月13日 優(yōu)先權日2005年12月13日
發(fā)明者王劍敏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司