技術(shù)編號：2782715
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 現(xiàn)有的制作抗反射層的工藝是在生成抗反射層之后直接進行光刻工藝。使用增強型化學(xué)氣相淀積生長的ARL(抗反射層)，其反應(yīng)氣體一般分為兩種一種反應(yīng)氣體主要由SiH4和N2O組成，這種氣體一般運用在鋁層或通孔的工藝中，能夠起到降低金屬反射，增強后續(xù)光刻工程的CD(條寬)穩(wěn)定性；另一種反應(yīng)氣體主要由SiH4、N2O和NH3組成，與普通由SiH4和N2O反應(yīng)生成的SiON相比，由于該氣體形成的SiON對于在器件隔離STI(淺槽隔離)工藝中使用...
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