專利名稱：曝光掩模的對位方法，以及薄膜元件基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于使用全息照相等曝光技術的精細加工，更詳細講，是關于使曝光掩模與成為曝光對象的對象體進行對位的方法，以及使用該方法的薄膜元件基板的制造方法。
背景技術：
近年來，在半導體裝置的圖案形成工序中，TIR(Total InternalReflection全內部反射)型全息照相曝光技術廣受觀注，該曝光技術使用全息照相曝光裝置，采用由對全息照相掩模記錄所要求圖案的記錄工序、和對該全息照相掩模照相再生光，對半導體圖案用的光致抗蝕劑層進行感光的曝光工序構成的方法。
在記錄工序中，首先，向與半導體裝置的圖案相對應的掩模圖案(原十字線)照射激光的記錄光束后產生衍射光，射到全息照相掩模的記錄面上。另一方面，對于全息照相掩模的記錄面，以一定的角度從全息照相掩模的背側照射參照光，與來自原十字線的衍射光干涉。由此，在全息照相掩模的記錄面上產生干涉圖案，并將它記錄在全息照相記錄面上。
在曝光工序中，將全息照相掩模置于和原十字線(reticule)同等的位置上，由與記錄時相反的方向照射再生光的曝光光束，使再現(xiàn)原圖案的衍射光在光致抗蝕劑上成像，并對光致抗蝕劑進行曝光。通常，在該曝光工序中，通過使全息照相掩模與在成為曝光對象體的基板側上形成的對準標記和全息照相層側上形成的對準標記相對合(重合)，而使基板和全息照相掩模對位。
以往，使用多個全息照相掩模形成圖案時，在與該多個全息照相掩模上分別形成的各對準標記相對應的位置上，使用形成各個對準標記的基板，進行全息照相掩模和基板的對位(參照非特許文獻1)。
因此，在基板側上需要多個與全息照相掩模相對應的對準標記，使用的全息照相掩模數(shù)越多，基板側的對準標記數(shù)也越多，所以存在的問題是為形成對準標記，基板上需要寬闊的面積。
在這種全息照相曝光裝置用的全息照相掩模中編入的對準標記，雖然與器件區(qū)域分別制作，但是，對制作裝置的精度上，器件區(qū)域及其他全息照相掩模(其他層)用的對準標記，需要設置5mm的間距(參照圖11和圖12)來制作。
在此，圖11(a)和(b)分別是表示制作全息照相用掩模的原Cr制掩模(原十字線)的第1層掩模和第2層掩模的簡要平面圖。如圖11(a)所示，第1層掩模1設有位于中央部分的第1層器件區(qū)域D1、和位于四角處的第1層對準標記A1。如圖11(b)所示，第2層掩模2設有位于中央部分第2層器件區(qū)域D2、和位于四角處的第2層對準標記A2。A1和A2的標識模樣不同。
圖12(a)和(b)是表示全息照相用掩模(第2層掩模)中的器件區(qū)域記錄時和對準標記記錄時，各自的工序的簡要構成圖。如圖12(a)所示，在器件區(qū)域記錄時，用遮光板將原Cr掩模2的4個對準標記A2為封閉狀態(tài)，通過經由器件區(qū)域D2的目標光束和經由棱鏡的參照光束，在全息照相掩模上進行記錄。另一方面，如圖12(b)所示，在對準標記記錄時，用遮光板將器件區(qū)域D2為封閉形態(tài)，通過經由原Cr掩模2的4個對準標記A2的目標光束，在全息照相掩模上進行記錄。其中，制成的全息照相用掩模中，在對準標記和器件區(qū)域之間分別設置5mm的間距而制作。另外，盡管未圖示，對于在同一掩模上設置該對準標記和其他層用對準標記時，在兩個對準標記之間分別設置5mm的間距而制作。
另外，對合曝光時，上層的對準標記與下層的對準標記重疊而形成圖案，所以以后曝光時不再使用基準。
SID 03 Digest，p-40，pp.350-353。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的問題是上述現(xiàn)有技術中存在的問題。
為此，本發(fā)明的目的是提供一種既保持在同一曝光掩模中的對準標記間的最小允許間距，又能縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域，而且，又能再利用對象體的對準標記的，曝光掩模的對位方法，以及利用該方法的薄膜元件基板的制造方法。
本發(fā)明通過提供下述1中所示的曝光掩模的對位方法，即可達到上述目的。
1.一種曝光掩模的對位方法，其中，使用形成了對準標記的多個全息照相掩模，對成為形成了對準標記的曝光對象的對象體進行圖案曝光時，使用兩者的對準標記，進行多次上述全息照相掩模與上述對象體之間的對位，其特征在于將上述對象體上的用于圖案曝光的一個區(qū)域，和與該一個區(qū)域的曝光用的全息照相掩模進行對位用的對準標記連接的直線，將上述對象體上的與上述一個區(qū)域鄰接的用于圖案曝光的其他區(qū)域，和對于與該其他區(qū)域曝光用的全息照相掩模進行對位用的對準標記連接的直線，交叉地設置上述各個對準標記，進行對位。
根據(jù)本發(fā)明，既能在同一曝光掩模中對準標記之間保持最小容許間距，又能縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域。而且在對合曝光時，將上層的對準標記重疊在下層的對準標記上，進行形成圖案，成為以后曝光時可使用的基準。即，對象體上的對準標記可再利用。因此，將一個區(qū)域或其他區(qū)域與對準標記連接成直線，只要將這些區(qū)域上的任意一點和對準標記上的任意一點連接成直線就可以，但最好是將形成一個區(qū)域或其他區(qū)域的圖形中心(重心)與形成對準標記的圖形中心連成直線。
本發(fā)明還分別提供下述2.～5.中所示的發(fā)明。
2.上述1所述的曝光掩模的對位方法，其中上述一個區(qū)域之曝光中用的全息照相掩模，由至少對上述其他區(qū)域可遮光的形狀而成。
根據(jù)這樣的方法，可更有效地縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域。
3.一種薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用已形成對準標記的多個全息照相掩模，進行圖案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括使用上述1或2所述的曝光掩模的對位方法，進行對位的第1工序；和通過從上述全息照相掩模上照射曝光光束，對上述對象體進行曝光形成圖案的第2工序。
根據(jù)這種方法，由于能擴展在形成半導體裝置等器件中所用的薄膜元件基板的電路圖案時可利用的區(qū)域，所以可提供更高密度集成化的器件。
4.一種薄膜元件基板的制造方法，其中利用了使用已形成對準標記的多個全息照相掩模進行圖案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括在上述全息照相掩模上記錄含有對準標記的所要圖案的第1工序；使用上述1或2所述的曝光掩模的對位方法，進行對位的第2工序；和通過從上述全息照相掩模上照射曝光光束，對上述對象體進行曝光，形成圖案的第3工序。
根據(jù)這樣的方法，由于能夠擴展在形成半導體裝置等器件中所用的薄膜元件基板的電路圖案時可利用的區(qū)域，所以可提供更高密度集成化的器件。
5.上述3或4所述的薄膜元件基板制造方法，上述對象體的對準標記，是在該對象體上曝光最初圖案時形成。
根據(jù)這樣的方法，由于不需要另外在對象體上形成對準標記，所以可減少作業(yè)工序，并能提高生產效率。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種曝光掩模的對位方法，既能在同一曝光掩模中對準標記之間保持最小容許間距，又能縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域，而且還能再利用對象體的對準標記。另外，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種能夠形成以高密度集成化的器件的薄膜元件基板的制造方法。
圖1是表示用于實施本實施方式曝光掩模的對位方法的全息照相曝光裝置總體構成的圖。
圖2是表示用于說明本實施方式曝光掩模的對位方法的圖(對象體上的下層曝光圖案平面示圖)。
圖3(a)是表示下層用全息照相掩模的一例平面圖，圖3(b)是表示上層用全息照相掩模的一例平面圖。
圖4是表示用于說明本實施方式曝光掩模的對位方法的圖(對上層進行曝光時曝光圖案的平面圖)。
圖5(a)是曝光時、5(b)是顯影后、5(c)是蝕刻后，分別表示被曝光基板中的對準標記部分的截面圖。
圖6是表示相當于圖5(b)顯影后的被曝光基板的平面圖。
圖7是表示用于說明本實施方式薄膜元件基板制造方法的圖。
圖8是表示用于說明本實施方式薄膜元件基板制造方法的圖。
圖9是表示用于說明本實施方式薄膜元件基板制造方法的圖。
圖10是表示用于說明本實施方式薄膜元件基板制造方法的圖。
圖11(a)和(b)是表示用于制作全息照相用掩模的原Cr制掩模(原十字線)的簡要平面圖。
圖12(a)和(b)是表示全息照相用掩模(第2層掩模)中的器件區(qū)域記錄時和對準標記記錄時，各個工序的簡要構成的圖。
圖中200、200a、200b…全息照相掩模、201…棱鏡、202…全息照相記錄面、210…被曝光基板、212…感光性材料膜、212a…第1感光性材料膜、212b…第2感光性材料膜、214…感光性材料膜表面、220…臺面、222…臺面裝置、230…第1信息處理裝置、240…距離測定光學系統(tǒng)、250…膜厚測定光學系統(tǒng)、260…光源、270…第2信息處理裝置、280…曝光光源、282…曝光光源驅動裝置、A111～A114，A121～A124，A131～A134，A141～A144…對準標記，D11～D16…下層區(qū)域，D21～D23…上層區(qū)域、200L…下層用全息照相掩模、200U…上層用全息照相掩模、S…遮光區(qū)域、501…被曝光基板、502…薄膜層(SiO2等)、503…圖案形成層、504…光致抗蝕劑層、A…對準標記、300…第1原版掩模、302…第2原版掩模、310…第1干涉條紋圖案、312…干涉條紋圖案、316…第1電路圖案、320…第2干涉條紋圖案、322…干涉條紋圖案、A1～A8…對準標記、B1～B4…區(qū)域、HM…全息照相掩模、L…曝光光源、L1…記錄光束、L2…參照光、L3…曝光光束、P…棱鏡、P11、P21、P31、P41…干涉條紋圖案、P12、P22、P32、P42…對準標記、P1-P4…對準標記。
具體實施例方式
以下參照
本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明并不僅限定于下述實施方式。
圖1是為實施本實施方式的曝光掩模的對位方法，而使用的全息照相曝光裝置的總體構成的圖。
如圖1所示，該曝光裝置，主要由包括棱鏡201、具有臺面220的臺面裝置222、第1信息處理裝置230、距離測定光學系統(tǒng)240、膜厚測定光學系統(tǒng)250、光源260、第2信息處理裝置270、曝光光源280、曝光光源驅動裝置282、和基準系統(tǒng)290構成。
臺面裝置222構成為將作為形成了感光性材料膜212的曝光對象體被曝光基板210，用真空卡盤等保持在臺面220上，臺面220的位置可在上下方向(Z方向)和水平方向(XY平面)上調節(jié)。
光源260構成為可射出距離測定光學系統(tǒng)240和膜厚測定光學系統(tǒng)250測定用的光束。距離測定光學系統(tǒng)240的構成為具有射束分裂器、圓柱型透鏡、光傳感器、誤差信號檢測器等，調整全息照相記錄面202與被曝光基板上涂布的感光性材料膜表面214的距離，可控制曝光時的焦點。
第1信息處理裝置230的構成為根據(jù)由距離側定光學系統(tǒng)240測定的全息照相記錄面與被曝光基板上形成的感光性材料膜表面的距離，設定臺面220的位置，以形成適宜的焦點。膜厚測定光學系統(tǒng)250構成為具備光束分裂器、光探測器、增幅器、A/D轉換器等，具備用于測定被曝光基板210上形成的感光性材料膜212厚度的構成。
第2信息處理裝置270構成為移動曝光光源280，使曝光光源280照射的曝光光束在適當?shù)钠毓鈪^(qū)域內掃描，同時，根據(jù)由膜厚測定光學系統(tǒng)250輸出的感光性材料膜212厚度的相對值，控制曝光的光量。
曝光光源280構成為可向全息照相掩模200的全息照相記錄面202上照射曝光光束。曝光光源驅動裝置282構成為移動該曝光光源280，在被曝光基板210上所要求的曝光區(qū)域內掃描，進行曝光。而且該曝光裝置備有在與被曝光基板210相對的面上安裝了記錄與規(guī)定十字線圖案相對應干涉圖案的全息照相掩模200的棱鏡201。
基準系統(tǒng)290具備觀察對準標記的觀察機構、根據(jù)由觀察機構獲得的信息，檢測全息照相掩模200的對準標記與被曝光基板210的對準標記位置偏移的位置偏移檢測機構。
本實施方式中，作為觀察機構的顯微鏡292是通過全息照相掩模200，觀察在被曝光基板210上形成對準標記的。顯微鏡292具有例如CCD照相機等圖像攝取裝置，以攝取觀察到的對準標記圖像，由顯微鏡292觀察，由圖像攝取裝置攝取的全息照相掩模200的對準標記和被曝光基板210的對準標記圖像，轉換成圖像信號，輸送給作為位置偏移檢測機構的位置偏移檢測裝置294。
位置偏移檢測裝置294，從圖像信號中提取全息照相掩模200側的對準標記和被曝光基板210側的對準標記特征點，并計算出特征點之間的距離。例如，在被曝光基板210上形成十字狀的對準標記，在全息照相掩模200側上形成X字狀的對準標記，在這種情況下，作為特征點，例如，分別提取十字狀的交點和X字狀的交點，計算出該交點間的距離。將計算出的距離信息傳送給第1信息處理裝置230。
第1信息處理裝置230構成為還能在XY方向上移動臺面裝置222，設定被曝光基板210的位置，以減小該基準之間的距離(基準偏移量)，由此，可使全息照相掩模200與被曝光基板210變成對位。
這樣，在全息照相掩模200與被曝光基板210進行對位時，該被曝光基板210上的下層曝光圖案，可形成圖2中所示的圖案。在此，圖2是使用多個全息照相掩模200，為在被曝光基板210上形成器件等，進行二層(下層和上層)圖案形成時，表示下層曝光圖案的平面圖。
如圖2所示，本實施方式中，首先，在被曝光基板210上規(guī)定的部位，通過下層用的全息照相掩模200進行曝光，設置圖案化的矩形狀的一個下層區(qū)域D11，同時在該下層區(qū)域D11的對角延長線上，以規(guī)定的間距，設置與上層用的全息照相掩模200對位用的4個十字狀對準標記A111、A112、A113、A114。接著，通過下層用的全息照相掩模200進行曝光，設置與上述下層區(qū)域D11鄰接的，圖案化的矩形狀的另一個下層區(qū)域D12，同時在該下層區(qū)域D12的對角延長線上，以規(guī)定的間距，設置與上層用的全息照相掩模200進行對位用的4個十字狀對準標記A121、A122、A123、A124。接著，通過下層用的全息照相掩模200進行曝光，設置與上述下層區(qū)域D12鄰接的圖案化的矩形狀的另一個下層區(qū)域D13，同時在該下層區(qū)域D13的對角延長線上，以規(guī)定的間距，設置與上層用的全息照相掩模200進行對位用的4個十字狀對準標記A131、A132、A133、A134。
作為此處所用的下層用全息照相掩模200，例如圖3(a)所示，可使用具有規(guī)定遮光區(qū)域S掩蔽圖案的全息照相掩模200L。該全息照相掩模200L，為在被曝光基板210上形成規(guī)定的對準標記，具備對準標記A1、A2、A3、A4，同時，在對一個下層區(qū)域曝光時，至少對其他的下層區(qū)域形成可遮光的形狀。具體講，全息照相掩模200L，例如，對下層區(qū)域D11進行曝光時，雖然對該下層區(qū)域D11進行曝光，但對與其鄰接的下層區(qū)域D12利用遮光區(qū)域S形成遮光的形狀。全息照相掩模200L，例如，對下層區(qū)域D12進行曝光時，雖然對該下層區(qū)域D12進行曝光，但對與其鄰接的下層區(qū)域D11和下層區(qū)域D13，兩者都由遮光區(qū)域S形成遮光的形狀。
進而，和上述一樣，依次設置被曝光基板210上的圖案化的矩形狀下層區(qū)域D14與上層用全息照相掩模200對位用的對準標記A141、A142、A143、A144、下層區(qū)域D15和對準標記A151、A152、A153、A154、及下層區(qū)域D16和對準標記A161、A162、A163、A164。如此制作，可得到具有圖2所示下層曝光圖案的被曝光基板210。
接著，對于這種被曝光基板210，為對上層形成圖案，使用上層用的全息照相掩模200進行對合。作為此處使用的上層用全息照相掩模200，例如，如圖3(b)所示，可使用具有規(guī)定遮光區(qū)域S掩模圖案的全息照相掩模200U。該全息照相掩模200U，其形狀與下層用全息照相掩模200L大致一樣，使用被曝光基板210上規(guī)定的十字狀對準標記，具備為與該被曝光基板210進行對位的X字狀對準標記A5、A6、A7、A8，同時，對一個上層區(qū)域進行曝光時，至少對其他上層區(qū)域形成可遮光的形狀。具體講，如圖4所示，全息照相掩模200U，例如，對上層區(qū)域D22進行曝光時，雖然對該上層區(qū)域D22進行曝光，但對與其鄰接的上層區(qū)域D21和上層區(qū)域D23，兩者都由遮光區(qū)域S形成遮光的形狀。圖4是表示在圖2所示的被曝光基板210的下層曝光圖案上，通過上層用的全息照相掩模200U，對上層進行曝光時的曝光圖案平面圖。
如上述，在本實施方式中，將被曝光基板210上進行圖案曝光的一個下層區(qū)域(例如，D11)、和與該下層區(qū)域對應的上層區(qū)域(例如，D21)曝光用的一個上層用全息照相掩模200U進行對位用的對準標記(例如，A112)連接成直線，將對被曝光基板210上與上述一個下層區(qū)域(D11)鄰接圖案進行曝光的其他下層區(qū)域(例如，D12)，和與該其他下層區(qū)域相對應的上層區(qū)域(例如，D22)的曝光中用的上層用全息照相掩模200U進行對位用的對準標記(例如，A121)連接的直線，以交叉方式設置各個對準標記(A112和A121)，進行對位。由此，在同一全息照相掩模200中的對準標記之間，既保持最小的容許間距，又能縮小對象體被曝光基板210的對準標記所需要的區(qū)域。本發(fā)明中，至少一個對準標記存在這種關系，就能設置具有這種關系的多個對準標記。
采用本實施方式的方法時，形成圖案時的對準標記部分，例如可如圖5所示地進行變化。在此，圖5(a)是、曝光時、圖5(b)是顯影后、和圖5(c)是蝕刻后，各自的被曝光基板中的對準標記部分的截面圖。如圖5(a)所示，曝光時，是對位于在下層被曝光基板501上設置的對準標記A上，依次層疊了薄膜層(SiO2等)502、圖案形成層503、和光致抗蝕劑504的層疊體的表面上的光致抗蝕劑504，利用曝光光束進行曝光。由此，顯影后，如圖5(b)所示，除去光致抗蝕劑504、形成具有表面顯現(xiàn)相當于下層對準標記A的十字狀模樣圖案形成層503的層疊體。此時顯影后的圖案，如圖6所示。進而蝕刻后，如圖5(c)所示，除去圖案形成層503，形成具有表面顯現(xiàn)相當于下層對準標記A的十字狀模樣絕緣層502的層疊體。這樣，該對準標記部分(相當于下層對準標記A的十字狀模樣)，在其標識部分區(qū)域上，由于上層用全息照相掩模的X字狀對準標記沒有形成圖案，所以也可用作以后對合曝光時的對準標記。
以下參照圖7～圖10，對本實施方式的薄膜元件基板制造方法進行說明。
首先，形成第1個圖案(形成最初的圖案)。
如圖7(A)所示，在貼合在棱鏡201上的全息照相掩模200a的全息照相記錄面202上，例如，使用Cr制的第1個原版掩模300(也叫原十字線)，記錄與第1十字線圖案相對應的干涉條紋。在第1個十字線圖案中，至少含有與含有目的薄膜元件基板中的薄膜元件的薄膜電路相對應的圖案。
具體講，是將記錄光束L1(物體光)照射到第1原版掩模300上，并使經第1原版掩模300衍射的光照射到全息照相掩模200a的全息照相記錄面202上。使通過該第1原版掩模300的記錄光束L1與從全息照相記錄面202的其他面?zhèn)?，透過棱鏡201照射的參照光L2形成干涉。由此，所要的圖案干涉條紋記錄在全息照相記錄面202上。
圖7(B)是形成第1干涉條紋圖案310的全息照相掩模200a之一例的圖。如圖7(B)所示，第1干涉條紋圖案310中，含有與構成薄膜電路的第1電路圖案相對應的干涉條紋圖案312及形成對準標記的干涉條紋圖案P11、P21、P31、P41。另外，在全息照相掩模200a中設有規(guī)定的遮光區(qū)域S。
接著，如圖8所示，在配置原版掩模300的位置上，取代原版掩模300，配置形成第1感光性材料膜212a的被曝光基板210。隨后，從與圖7(A)中參照光L2射入側相反方向(參照光L2射出側)，使再生光的曝光光束L3，通過棱鏡201照射全息照相記錄面202，對被曝光基板210上形成的第1感光性材料膜212a進行曝光。這時，改變棱鏡201的方向，將全息照相掩模200a改移成棱鏡201，使棱鏡201的斜面朝向曝光光束L3的射入側。由此，將與全息照相記錄面202上記錄的第1干涉條紋圖案310相對應的圖案形成在被曝光基板210上。
利用第1干涉條紋圖案310形成的圖案一例是和圖2所示圖案一樣的圖案。即，如圖2所示，在區(qū)域D11、D12、…上形成與全息照相掩模200a的干涉條紋圖案P11、P21、P31、P41相對應的對準標記A111、A112、…及與干涉條紋圖案312相對應的第1電路圖案。隨后，進行必要的顯影和蝕刻處理，第1圖案形成結束。
接著進行第2圖案形成。
如圖9(A)所示，在貼合在棱鏡201上的全息照相掩模200b的全息照相記錄面202上，例如使用Cr制的第2原版掩模302，記錄與第2十字線圖案相對應的干涉條紋。在第2十字線圖案中，至少含有與含有薄膜元件基板中的薄膜元件的薄膜電路相對應的圖案。利用和圖7(A)的工序一樣的方法進行記錄干涉條紋的工序。與該記錄干涉條紋工序不同，通過只照射物體光L1，在全息照相掩模200b的全息照相記錄面202上，形成對準標記P12、P22、P32、P42。
圖9(B)是形成第2干涉條紋圖案和第2對準標記的全息照相掩模200b之一例的圖。如圖9(B)所示，第2干涉條紋圖案中，含有與構成薄膜電路的第2電路圖案相對應的干涉條紋圖案320。在全息照相掩模200b的四角處，為使該全息照相掩模200b與被曝光基板210進行對位，而形成的對準標記P12、P22、P32、P42。在全息照相掩模200b中設有規(guī)定的遮光區(qū)域S。
接著，如圖10所示，在配置原版掩模302的位置上，配置在第1電路圖案上形成第2感光性材料膜212b的被曝光基板210。取代原版掩模302。隨后，從與圖9(A)中參照光L2相反的方向(參照光L3射出側)，通過棱鏡201使曝光光束L3照射在全息照相記錄面202上，對第2感光性材料膜212b進行曝光。這時，同樣改變棱鏡201的方向，將全息照相掩模200b改移成棱鏡201，使棱鏡201的斜面朝向曝光光束L3的射入側。
對本工序進行更具體地說明。
首先，通過使被曝光基板210上形成的對準標記A111、112、113、114，…(圖2)與全息照相掩模200b上形成的對準標記P12、P22、P32、P42(圖9(B))進行重合，使形成了第2感光性材料膜212b的被曝光基板210與全息照相掩模200b進行對位。具體講，如圖1所示，將全息照相掩模200b和被曝光基板210設置在規(guī)定的位置上后，利用設置在觀察各對準標記的位置上的顯微鏡292，通過棱鏡201的垂直面，攝取全息照相掩模200b和被曝光基板210的對準標記的重疊的圖像。將顯微鏡292中攝取的圖像作為圖像信號，傳送給位置偏移檢測裝置294，從對準標記的重疊圖像中提取特征點。例如，提取對準標記A111的十字交點和對準標記P12的X字交點位置，并計算出該交點之間的距離。將該距離信息傳送給第1信息處理裝置230，驅動臺面裝置222，以減小該距離，使全息照相掩模200b與被曝光基板210進行對位。這時，采用上述的對位方法(參照圖2、圖4)進行對位。
隨后，向全息照相記錄面202照射曝光光束L3。在感光性材料膜212b上，與全息照相掩模200b的對準標記P12、P22、P32、P42相對應的對準際記和記錄在全息照相記錄面202上的干涉條紋圖案320相對應的第2電路圖案同時形成。此時的對準標記和第2電路圖案的一例是與圖4所示圖案一樣的實例。之后進行必要的顯影和蝕刻處理，形成第2圖案結束。
另外，使用上述遮擋機構等，在全息照相掩模200b的X字狀對準標記部分上進行圖案曝光時，對合曝光時，在被曝光基板210上的十字狀(下層)對準標記區(qū)域上，對第2電路圖案(上層)用全息照相掩模200b的X字狀對準標記不進行圖案形成，在以后的曝光中也能成為基準。使用這種辦法，重復圖9和圖10中所述的工序，還能繼續(xù)進行第3圖案形成、第4圖案形成、…。
本發(fā)明的薄膜元件基板制造方法，例如，可適用于形成EL顯示裝置和液晶顯示裝置等電光學裝置中的構成各像素的像素電路和控制該像素電路的驅動器(集成電路)。除了這種電光裝置的制造外，還能適用于各種器件的制造。例如，可制造FeRAM(ferroelectric RAM)、SRAM、DRAM、NOR型RAM、NAND型RAM、漂移門型不揮發(fā)存儲器、磁性RAM(MRAM)等各種存儲器。除此之外，使用薄膜晶體管(TFT)，還可用于集成化的傳感器、搭載CPU的銀行卡等。進而，在使用微波的非接觸型通訊系統(tǒng)中，制造搭載微小電路片(IC芯片)的廉價附屬物時，也可適用。
本發(fā)明既能保持同一曝光掩模中對準標記之間的最小容許間距，又能縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域。而且，可再利用對象體的對準標記，從而提供了一種曝光掩模的對位方法，作為可形成高密度集成化器件的薄膜元件基板制造方法，具有工業(yè)可利用性。
權利要求
1.一種曝光掩模的對位方法，是使用形成了對準標記的多個全息照相掩模，對成為形成了對準標記的曝光對象的對象體進行圖案曝光時，使用兩者的對準標記，進行多次上述全息照相掩模與上述對象體之間的對位，其特征在于將上述對象體上的用于圖案曝光的一個區(qū)域，和與該一個區(qū)域的曝光用的全息照相掩模進行對位用的對準標記連接的直線，將上述對象體上的與上述一個區(qū)域鄰接的用于圖案曝光的其他區(qū)域，和對于與該其他區(qū)域曝光用的全息照相掩模進行對位用的對準標記連接的直線，交叉地設置上述各個對準標記，進行對位。
2.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的對位方法，其特征在于上述一個區(qū)域之曝光用的全息照相掩模，由至少對上述其他區(qū)域，可遮光的形狀而成。
3.一種薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用已形成對準標記的多個全息照相掩模，進行圖案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括使用權利要求1或2所述的曝光掩模的對位方法，進行對位的第1工序；和通過從上述全息照相掩模上照射曝光光束，對上述對象體進行曝光形成圖案的第2工序。
4.一種薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用形成對準標記的多個全息照相掩模進行圖案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括在上述全息照相掩模上記錄含有對準標記的所要圖案的第1工序；利用權利要求1或2所述的曝光掩模的對位方法，進行對位的第2工序；和通過從上述全息照相掩模上照射曝光光束，對上述對象體進行曝光，形成圖案的第3工序。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的薄膜元件基板制造方法，其特征在于上述對象體的對準標記是在該對象體上曝光最初圖案時形成。
全文摘要
提供一種既能保持同一曝光掩模中對準標記之間的最小容許間距，又能縮小對象體的對準標記所需要的區(qū)域，還能再利用對象體的同一掩模的曝光掩模的對位方法，及薄膜元件基板的制造方法。本發(fā)明提供使用形成對準標記的多個全息照相掩模，對成為形成對準標記的曝光對象體進行圖案曝光時，使用兩個對準標記，使全息照相掩模與對象體的對位，進行多次，使曝光掩模對位的方法，將對象體上為圖案曝光的一個區(qū)域和與該區(qū)域曝光用掩模進行對位用標識連接的直線，將與對象體上一區(qū)域鄰接的為圖案曝光的其他區(qū)域，和與該其他區(qū)域曝光用掩模進行對位用標識連接的直線，以交叉方式設置各個對準標記進行對位的方法。
文檔編號G03H1/22GK1755527SQ20051009951
公開日2006年4月5日 申請日期2005年9月13日 優(yōu)先權日2004年9月27日
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