專利名稱：圖形修正裝置和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在利用激光對(duì)形成規(guī)定圖形的基板的圖形形狀的凸出部分進(jìn)行修正的同時(shí)，對(duì)缺損部分涂敷布線材料進(jìn)行修正的圖形修正技術(shù)，適用于液晶顯示裝置的制造方法。另外，本發(fā)明，涉及顯示裝置的制造技術(shù)，特別涉及對(duì)在TFT基板等上制作的電路圖形不合格的發(fā)生防患于未然的技術(shù)。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是在兩片玻璃基板之間夾有液晶的結(jié)構(gòu)，在一個(gè)玻璃基板(也稱為彩色濾光片(CF)基板)上形成交互涂敷藍(lán)、綠、紅的樹脂(有色樹脂)的彩色濾光片，在另一個(gè)基板(也稱為有源矩陣基板或薄膜晶體管(TFT)基板)上形成由薄膜晶體管構(gòu)成的像素電路及布線或驅(qū)動(dòng)電路等等。
在彩色濾光片及布線中出現(xiàn)圖形缺陷時(shí)就成為顯示異常，該液晶顯示裝置就變成廢品。在顯示異常中，例如，有在彩色濾光片基板中，由于涂敷于彩色濾光片上的有色樹脂滲出到相鄰像素而產(chǎn)生的顏色不良(混色)及由于樹脂的膜厚不均勻產(chǎn)生的涂敷不勻，在有源矩陣基板中有線間短路及斷線等等。
液晶顯示裝置的彩色濾光片和布線由數(shù)層圖形重合而形成。因此，圖形缺陷，在形成上層圖形之前，必須進(jìn)行修正。在圖形缺陷的檢測(cè)方法中可以使用一般的圖形檢查裝置。
作為彩色濾光片的有色樹脂的滲出及布線短路的修正方法，如專利文獻(xiàn)1所示，一般方法是通過(guò)對(duì)短路部分照射激光將其除去進(jìn)行修正。還存在像液晶顯示裝置這樣，同一形狀的圖形重復(fù)形成的場(chǎng)合，如專利文獻(xiàn)2所示，使用經(jīng)過(guò)具有標(biāo)準(zhǔn)圖形形狀的掩模進(jìn)行激光照射的方法，將與標(biāo)準(zhǔn)圖形不同的部分除去進(jìn)行修正的方法。作為對(duì)圖形缺陷部分涂敷布線材料的方法，如專利文獻(xiàn)3所示，存在以逐漸收窄的前端口徑細(xì)的中空吸管進(jìn)行涂敷的方法。
另外，在專利文獻(xiàn)4中，揭示了通過(guò)激光加工使在半導(dǎo)體裝置的電路圖形中發(fā)生的短路缺陷斷開進(jìn)行修正的技術(shù)。另外，在引用文獻(xiàn)5中，揭示了將鈀等金屬材料(電路圖形的素材)作成液體狀態(tài)或氣體狀態(tài)對(duì)該斷開缺陷部分進(jìn)行涂敷或噴涂對(duì)在半導(dǎo)體裝置的電路圖形中發(fā)生的斷開缺陷進(jìn)行修正的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_平9-307217號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_平5-27111號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_平8-66652號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_平10-177844號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_平10-324973號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在對(duì)圖形缺陷照射激光而進(jìn)行修正時(shí)，進(jìn)行修正作業(yè)的操作員，在使缺陷位置與激光照射區(qū)域重合之后，進(jìn)行激光照射。另外，在通過(guò)具有標(biāo)準(zhǔn)圖形的掩模進(jìn)行激光照射的場(chǎng)合，操作員也必須對(duì)照射區(qū)域進(jìn)行設(shè)定使其與實(shí)圖形重合。在任何一種方法中，由于操作員確定激光照射位置，修正后的圖形形狀不僅由操作員的技巧所左右，而且對(duì)所有的修正機(jī)都必須配備操作員而使成本提高。所以，最好是可以自動(dòng)確定激光照射區(qū)域。
作為自動(dòng)確定激光照射區(qū)域的方法，有在取得激光照射區(qū)域和實(shí)圖形的圖像，通過(guò)圖像處理，檢測(cè)預(yù)先指示的基準(zhǔn)點(diǎn)之后，通過(guò)使這些基準(zhǔn)點(diǎn)重合而進(jìn)行圖形重合的方法。利用這一方法，可以進(jìn)行自動(dòng)修正。
然而，由于有時(shí)基準(zhǔn)點(diǎn)必須設(shè)定于形狀上有特征的位置，可以設(shè)定基準(zhǔn)點(diǎn)的區(qū)域受到限制。因此，存在在基準(zhǔn)點(diǎn)中有缺陷的場(chǎng)合及在由于基準(zhǔn)點(diǎn)與缺陷位置分開而不能同時(shí)進(jìn)入觀察光學(xué)系統(tǒng)的視野的場(chǎng)合，不能發(fā)現(xiàn)基準(zhǔn)點(diǎn)，因而不能使圖形重合的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種在利用通過(guò)掩模進(jìn)行激光照射所得到的激光照射區(qū)域和實(shí)圖形對(duì)準(zhǔn)的機(jī)構(gòu)的同時(shí)，可以自動(dòng)進(jìn)行圖形缺陷修正的裝置。
另外，在上述專利文獻(xiàn)4、5中記述的技術(shù)，為了對(duì)在顯示裝置上制作的電路圖形進(jìn)行修正，由于修正在電路圖形中會(huì)產(chǎn)生凸凹。所以，很難得到具有所要求的質(zhì)量和精度的電路圖形。
另外，過(guò)去，電路圖形的檢查是在顯示裝置完成后進(jìn)行。由于電路圖形是將多個(gè)圖形層層疊在顯示裝置上制作的，電路圖形的缺陷，只有在顯示裝置的最上層形成的圖形的缺陷可以進(jìn)行修正。
本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的，本發(fā)明的另一目的是在不降低電路圖形的質(zhì)量和精度的情況下防止在顯示裝置上制作的電路圖形不合格的發(fā)生。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的方式1，根據(jù)對(duì)象圖形而切換使用具有與修正圖形形狀相同的標(biāo)準(zhǔn)圖形的掩模，并通過(guò)將承載基板的基板載臺(tái)和承載掩模的掩模載臺(tái)制作成為同步移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，在利用基準(zhǔn)點(diǎn)使基板和掩模的位置重合之后，可以使基板載臺(tái)和掩模載臺(tái)同步移動(dòng)一直到達(dá)缺陷位置，即使是缺陷很大時(shí)，也可以使基板上圖形和掩模圖形以高精度重合而進(jìn)行激光照射。
另外，利用從檢查裝置取得的缺陷附近圖像來(lái)檢測(cè)缺陷和圖形，從該位置關(guān)系預(yù)先確定基準(zhǔn)點(diǎn)和激光照射區(qū)域，可以在解決找不到基板上的圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的問(wèn)題及由于缺陷大而不能對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題的同時(shí)，可以縮短搜索基板上的圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的時(shí)間。
另外，本發(fā)明的方式2，是通過(guò)對(duì)上面形成光刻膠圖形的層進(jìn)行刻蝕而形成具有多個(gè)圖形層的顯示裝置的制造方法，在上述各個(gè)圖形層的形成工序中，在上述刻蝕之前，進(jìn)行光刻膠圖形的檢查工序和按照上述檢查工序的檢查結(jié)果修正光刻膠圖形的修正工序。
此處，上述修正工序，也可以包含在上述檢查工序中的檢查結(jié)果顯示光刻膠圖形的短路缺陷時(shí)利用激光加工對(duì)該光刻膠圖形的短路缺陷部分進(jìn)行的斷開處理。另外，也可以包含在上述檢查工序中的檢查結(jié)果顯示光刻膠圖形的斷開缺陷時(shí)對(duì)該光刻膠圖形的短路缺陷部分進(jìn)行的光刻膠材料再涂敷處理及通過(guò)對(duì)該再涂敷部分進(jìn)行激光加工而在局部完成光刻膠圖形的再形成處理。
由于利用本發(fā)明，不僅可以提高缺陷的修正精度，而且可以使修正自動(dòng)化，所以可以做到提高顯示質(zhì)量和降低成本。此外，通過(guò)修正的自動(dòng)化，可以在連續(xù)傳送中進(jìn)行檢查和修正，可以做到由于檢查和修正工序的處理時(shí)間的減少和成品率的提高而導(dǎo)致的成本降低。
另外，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)閷?duì)光刻膠圖形進(jìn)行修正，可以減小圖形缺陷修正對(duì)圖形層的影響。另外，因?yàn)樵陲@示裝置的圖形層的各個(gè)形成工序中進(jìn)行光刻膠圖形的檢查及修正，可以對(duì)各圖形層的圖形缺陷進(jìn)行修正。所以，可以在不降低電路圖形的質(zhì)量和精度的情況下防止在顯示裝置上制作的電路圖形不合格的發(fā)生。


本發(fā)明的其它特點(diǎn)、目的和優(yōu)點(diǎn)可從參考下面的附圖的詳述而更加明晰，附圖中圖1為說(shuō)明在液晶顯示裝置的有源矩陣基板上形成的像素的一例的平面模式圖。
圖2為示出存在橫跨多個(gè)像素電極的巨大短路的示例的模式平面圖。
圖3為具有與短路部分的布線圖形相同形狀的激光透射圖形的掩模的說(shuō)明圖。
圖4為本發(fā)明的激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。
圖5為本發(fā)明的修正裝置的系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。
圖6為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第1例的說(shuō)明圖。
圖7為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第2例的說(shuō)明圖。
圖8為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第3例的說(shuō)明圖。
圖9為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第4例的說(shuō)明圖。
圖10為實(shí)現(xiàn)登錄布線的圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)和掩模像的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置關(guān)系的另一種方法的激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。
圖11為激光照射區(qū)域的計(jì)劃方法的說(shuō)明圖。
圖12為提取的圖形基準(zhǔn)點(diǎn)的說(shuō)明圖。
圖13為激光照射區(qū)域的檢測(cè)法的說(shuō)明圖。
圖14為激光照射區(qū)域的設(shè)定法的說(shuō)明圖。
圖15為激光照射區(qū)域的形狀的說(shuō)明圖。
圖16為包含圖11所示的缺陷的布線的修正過(guò)程中間的掩模對(duì)準(zhǔn)的說(shuō)明圖。
圖17為激光照射區(qū)域的另一種設(shè)定方法的說(shuō)明圖。
圖18為激光照射區(qū)域的再一種設(shè)定法的說(shuō)明圖。
圖19為掩模夾持器的構(gòu)成例的說(shuō)明圖。
圖20為實(shí)現(xiàn)登錄布線的圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)和掩模像的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置關(guān)系的再一種方法的激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。
圖21為本發(fā)明的缺陷修正裝置的另一構(gòu)成例的說(shuō)明圖。
圖22為示出本發(fā)明的缺陷修正裝置的整體構(gòu)成的一例的說(shuō)明圖。
圖23為示出本發(fā)明的缺陷修正裝置的整體構(gòu)成的另一例的說(shuō)明圖。
圖24為光學(xué)單元的附屬裝置的說(shuō)明圖。
圖25為實(shí)施異物除去時(shí)的修正流程的說(shuō)明圖。
圖26為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的工藝過(guò)程圖。
圖27為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3的工藝過(guò)程圖。
圖28為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4的工藝過(guò)程圖。
圖29為說(shuō)明在液晶顯示裝置的布線圖形中存在斷線時(shí)的修正的示圖。
圖30為示出實(shí)施例5的實(shí)施斷線缺陷修正方法的優(yōu)選修正裝置的構(gòu)成的示圖。
圖31為說(shuō)明斷線修正用的材料的涂敷狀態(tài)的材料涂敷機(jī)構(gòu)的放大圖。
圖32為材料涂敷機(jī)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖33為對(duì)圖29的斷線缺陷的部分利用材料涂敷機(jī)構(gòu)涂敷修正用材料的狀態(tài)的說(shuō)明圖。
圖34為斷線缺陷的修正法的說(shuō)明圖。
圖35為說(shuō)明作為本發(fā)明的實(shí)施例5的修正作業(yè)的流程的示圖。
圖36為說(shuō)明使用具有掩模交換功能的激光電子電路圖形修正裝置的檢查和修正系統(tǒng)的示圖。
圖37為說(shuō)明使用具有掩模交換功能的激光電子電路圖形修正裝置的另一檢查和修正系統(tǒng)的示圖。
圖38為說(shuō)明電子電路基板的另一設(shè)置形態(tài)的示圖。
圖39為用來(lái)說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例8的電路圖形形成工序的工藝過(guò)程圖。
圖40為用來(lái)說(shuō)明圖39所示的光刻膠圖形修正工序(S3906)的工藝過(guò)程圖。
圖41為用來(lái)說(shuō)明短路缺陷修正工序的示圖。
圖42為用來(lái)說(shuō)明斷開缺陷修正工序的示圖。
圖43為用來(lái)說(shuō)明異物混入缺陷修正工序的示圖。
圖44為用來(lái)說(shuō)明圖39所示的電路圖形形成工序(S3903)的工藝過(guò)程圖。
圖45為用來(lái)說(shuō)明局部改變曝光掩模進(jìn)行曝光的場(chǎng)合的示圖。
圖46為示出在實(shí)施例8的光刻膠圖形檢查工序及光刻膠圖形修正工序中使用的光刻膠圖形檢查及修正系統(tǒng)的一例的示圖。
圖47為圖46所示的光刻膠圖形修正裝置的概略構(gòu)成圖。
圖48為分配器的概略剖面圖。
圖49為示出再涂敷的光刻膠材料的變形例的示圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，在實(shí)施例的說(shuō)明中是以液晶顯示裝置的布線修正為例進(jìn)行說(shuō)明的，但一般也可以應(yīng)用于在平面上形成的圖形的修正，并不限定于液晶顯示裝置。
一般，液晶顯示裝置是在兩片玻璃基板之間夾有液晶的結(jié)構(gòu)，利用由矩陣配置的多個(gè)圖像的像素電極和對(duì)置電極及液晶形成的電容器內(nèi)的電場(chǎng)對(duì)各個(gè)像素的液晶的分子的取向進(jìn)行控制而生成電子潛影，在透射型的液晶顯示裝置中，是通過(guò)控制在背面設(shè)置的背照燈的光的透射率使此電子潛影可視化而顯示圖像。通過(guò)在有源矩陣基板上，形成控制像素電極的施加電壓的電路，并且在彩色濾光片基板上，例如，形成3色的彩色濾光片而顯示彩色圖像。
圖1為說(shuō)明在液晶顯示裝置的有源矩陣基板上形成的像素的一例的平面模式圖。在圖1中示出兩個(gè)相鄰的像素。在有源矩陣基板上形成的各種布線及電極由中間夾著絕緣層的薄膜多層電路構(gòu)成。
在圖1中，在優(yōu)選使用玻璃的基板9上在一個(gè)方向上平行形成多條柵布線31。在柵布線31的一部分上向像素內(nèi)突出形成薄膜晶體管的柵電極31A。在柵電極31A之上構(gòu)圖形成作為活性層的半導(dǎo)體層(此處為a-Si層)32的島形部。
為覆蓋柵布線31形成未圖示的柵絕緣層，由柵絕緣層絕緣的多個(gè)漏布線33在與柵布線31交叉的另一方向上平行地形成。在由兩條柵布線31和兩條漏布線33包圍的區(qū)域中形成一個(gè)像素。漏布線33的一部分在半導(dǎo)體層32上延伸成為薄膜晶體管的漏電極33A。另外，在半導(dǎo)體層32之上，與漏電極33A在同一層中還形成與上述漏電極33A靠近對(duì)峙的形成薄膜晶體管的溝道的源電極33B。
在柵布線31和漏布線33的上層，形成鈍化層薄膜，在其上形成像素電極34。像素電極34是優(yōu)選使用ITO的透明電極，中間經(jīng)過(guò)未圖示的接觸孔導(dǎo)電連接源電極33B。另外，漏電極33A和源電極33B，在工作中是可以交換的，但為了說(shuō)明方便而表述如上。
柵布線31是掃描布線，漏布線33是信號(hào)布線，與由掃描信號(hào)選擇的柵布線31相連接的薄膜晶體管變成ON(導(dǎo)通)，在像素電極34中生成與供給該漏布線33的顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電壓。在此像素電極34和未圖示的對(duì)置電極之間產(chǎn)生大小與在該像素電極34中生成的電壓相應(yīng)的電場(chǎng)。利用此電場(chǎng)來(lái)控制液晶的分子取向而控制從背照燈發(fā)出的照明光的透射量形成可視畫面。
這種薄膜多層電路，一般利用光刻技術(shù)以柵布線31、柵絕緣膜、半導(dǎo)體、漏電極及像素電極的順序形成。由于各層存在重合的部分，短路及斷線等圖形異常，必須在形成下一層之前進(jìn)行修正。
在利用光刻技術(shù)形成布線之中，首先，使布線材料在整個(gè)基板上形成均勻的薄膜，涂敷感光性樹脂作為光刻膠。之后，通過(guò)形成電路圖形的掩模進(jìn)行光照使光刻膠感光。在使用正型光刻膠時(shí)，可通過(guò)顯影去除感光的部分而形成光刻膠圖形。再通過(guò)刻蝕工序、光刻膠剝離工序形成布線。
作為圖形異常之一的短路是未受到刻蝕而殘留的部分，是由于光刻膠殘留及刻蝕不足產(chǎn)生的。特別是，在光刻膠涂敷時(shí)附著的異物，由于表面張力在異物的周圍聚集光刻膠，會(huì)產(chǎn)生巨大的光刻膠殘留而產(chǎn)生橫跨數(shù)個(gè)像素的布線短路。
圖2為示出存在橫跨多個(gè)像素電極的巨大短路21的示例的模式平面圖。其中示出像素電極34發(fā)生橫跨相鄰四像素的短路的狀態(tài)。一般的激光加工機(jī)可以以矩形形狀的激光進(jìn)行照射，分?jǐn)?shù)次將短路部分去掉。然而，如圖2所示，由于在像素電極的圖形完全破壞的場(chǎng)合不了解原來(lái)的布線圖形，很難以高精度修復(fù)電極的形狀。
因此，通過(guò)具有與如圖3這樣的短路21部分的布線圖形形狀相同的激光透射圖形22的掩模5以激光進(jìn)行照射去掉短路21部分時(shí)，通過(guò)將每個(gè)像素的像素電極34分別分離，就可以進(jìn)行高精度的修正。
由于液晶顯示裝置的電路是數(shù)層圖形層疊而形成的，所以在對(duì)圖形異常以外的部分進(jìn)行激光照射時(shí)，有可能使已經(jīng)形成的下層受到影響。以像素電極34的圖形異常的場(chǎng)合為例進(jìn)行說(shuō)明。一般，像素電極34使用ITO(氧化銦錫)，而柵布線31和漏布線33使用鋁。ITO在波長(zhǎng)長(zhǎng)例如200～300nm時(shí)吸收率高，而鋁在該波長(zhǎng)的反射率高。
因此，在使用波長(zhǎng)200～300nm的激光進(jìn)行照射時(shí)，可以只去掉ITO。在使用具有規(guī)定的布線圖形的掩模進(jìn)行激光修正時(shí)，即使修正圖形異常部以外的部分也受到激光照射，利用材料的激光吸收特性的差異，也可以只去掉應(yīng)該修正的地方。
圖4為本發(fā)明的激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。另外，圖5為本發(fā)明的修正裝置的系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。從激光振蕩器1發(fā)出的照射激光100由光束擴(kuò)展器2將光束的直徑擴(kuò)大到規(guī)定的值，由均化器3保證在整個(gè)激光照射區(qū)域上激光強(qiáng)度的均勻性。使經(jīng)過(guò)整形的激光通過(guò)設(shè)置于掩模載臺(tái)4上的掩模5，再在通過(guò)成像透鏡6和物鏡7之后，對(duì)載置于基板載臺(tái)8上的玻璃基板9上的布線圖形10或電極等的修正地點(diǎn)11進(jìn)行照射。
成像透鏡6和物鏡7配置為可使掩模5的像投影到玻璃基板9之上，并以成像透鏡6和物鏡7的焦距之比(M＝物鏡7的焦距/成像透鏡6的焦距)的倍數(shù)的大小將掩模像投影到玻璃基板9上。利用這一光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成，可以對(duì)縮小掩模5的透射部分的區(qū)域照射激光。
在掩模5上形成掩模圖形16，該掩模圖形16是在玻璃基板9上形成的布線圖形10的標(biāo)準(zhǔn)圖形的1/M倍的圖形。掩模圖形16可以由對(duì)激光100的反射率高的材料，例如鋁等形成。
掩模載臺(tái)4和基板載臺(tái)8，可以在與激光照射光學(xué)系統(tǒng)的光軸方向垂直的面內(nèi)移動(dòng)，可使其互相同步移動(dòng)。由于載置于掩模載臺(tái)4上的掩模5的像是縮小為1/M倍投影到玻璃基板9上，所以在掩模載臺(tái)4的移動(dòng)量為V時(shí)，投影的像移動(dòng)V/M。
所以，通過(guò)使掩模載臺(tái)4和基板載臺(tái)8同步移動(dòng)并使掩模載臺(tái)4的移動(dòng)量和基板載臺(tái)8的移動(dòng)量之比與掩模圖形16和布線圖形10的大小之比相等，就可以使布線圖形10和激光照射圖形保持一致不變而移動(dòng)。
如前所述，掩模圖形16和布線圖形10的大小之比與成像透鏡6和物鏡7的焦距之比相等。一般，由于成像透鏡6是固定的，掩模圖形16和布線圖形10的大小之比由物鏡7確定。所以，可以附加可以與物鏡7的交換機(jī)構(gòu)連動(dòng)而改變掩模載臺(tái)4的移動(dòng)量和基板載臺(tái)8的移動(dòng)量之比的機(jī)構(gòu)。
為了使經(jīng)過(guò)掩模5照射的激光圖形和玻璃基板9上的布線圖形10的位置重合，一般，在各個(gè)圖形上設(shè)定基準(zhǔn)點(diǎn)，通過(guò)使各個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置達(dá)到規(guī)定的值而使位置重合?；鶞?zhǔn)點(diǎn)的檢測(cè)可以采用圖形匹配等一般的方法。
圖形匹配，是在預(yù)先將圖形的特征部分的圖像作為模板進(jìn)行登錄的同時(shí)，在該圖像上設(shè)定基準(zhǔn)點(diǎn)，通過(guò)從實(shí)圖形的圖像中檢測(cè)與登錄的圖像一致的地方而檢測(cè)基準(zhǔn)點(diǎn)的方法。布線圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)，利用這種圖形匹配方法很容易檢測(cè)。
下面參照?qǐng)D4對(duì)經(jīng)過(guò)掩模5照射的激光圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的檢測(cè)方法予以說(shuō)明。首先，從光源12照射的照明光由透鏡13聚光并經(jīng)半透明反射鏡48a照射掩模5時(shí)，掩模5的像(掩模像、掩模圖形)借助成像透鏡6和物鏡7在玻璃基板9上成像。
在存儲(chǔ)此掩模圖形時(shí)，由于必須不能將掩模像以外的部分寫入，可以向基板載臺(tái)8上的圖形投影部20投影或?qū)⒕哂信c玻璃基板9同樣厚度的板狀的夾具置于基板載臺(tái)8之上并將掩模像投影到該夾具表面。
由于成像位置是玻璃基板9的表面，使圖形投影部20的高度與玻璃基板表面一致，為了可以與玻璃基板9的厚度的改變相對(duì)應(yīng)，具有可以改變物鏡7和玻璃基板9之間的距離的機(jī)構(gòu)。在基板載臺(tái)8處于加載/卸載玻璃基板9時(shí)的位置時(shí)，將該圖形投影部20安裝到圖形投影部20進(jìn)入到視野的位置。結(jié)果，每次在將要修正的玻璃基板加載到基板載臺(tái)8時(shí)都可以檢查激光照射區(qū)域的位置而可以防止誤修正。
作為照明掩模5的照明光也可以使用加工用的激光。一般，為照射激光所使用的成像透鏡6和物鏡7，使用與照射的激光波長(zhǎng)一致的補(bǔ)色的器件。因此，在使用波長(zhǎng)不同的光作為照明光時(shí)，由于折射率不同，掩模像的位置會(huì)偏離。在使用加工用的激光時(shí)，具有不存在這種偏離的優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)減小激光輸出或在掩模像投影部使用不能加工的材料很容易就可以實(shí)現(xiàn)。
在對(duì)投影于圖形投影部20的圖形像利用CCD相機(jī)14經(jīng)半透明反射鏡48b進(jìn)行拍攝時(shí)，為了拍攝整個(gè)掩模的像，采用單步進(jìn)給方式進(jìn)行拍攝。此時(shí)，將掩模載臺(tái)4的移動(dòng)量和拍攝的圖像相對(duì)應(yīng)地保存到掩模像存儲(chǔ)部60。
圖5的修正裝置的系統(tǒng)構(gòu)成包括激光振蕩器1和激光控制器1A；透鏡切換機(jī)40；透鏡控制器40A；掩模載臺(tái)4；掩模載臺(tái)控制器4A；掩模載臺(tái)的編碼器4B；圖像輸入裝置14；基板載臺(tái)8；基板載臺(tái)控制器8A；基板載臺(tái)的編碼器8B；掩模像存儲(chǔ)部60；基準(zhǔn)點(diǎn)存儲(chǔ)部70以及綜合載臺(tái)控制器74。
還包括圖像數(shù)據(jù)獲取部71；照射區(qū)域計(jì)劃部72；裝置控制器73以及異物去除噴嘴75；各構(gòu)成要素按照?qǐng)D中的箭頭所示的控制關(guān)系和被控制關(guān)系連接。激光圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)，設(shè)定在靠近存儲(chǔ)于掩模像存儲(chǔ)部60中的設(shè)定于掩模像的布線圖形中的基準(zhǔn)點(diǎn)的位置。
另外，也可采用通過(guò)設(shè)置使圖4的半透明反射鏡48b的取向可轉(zhuǎn)動(dòng)90度、切換、可使透鏡15改變?yōu)榕c物鏡7的焦距相同的透鏡的機(jī)構(gòu)，使掩模像直接成像于CCD相機(jī)14上進(jìn)行拍攝的方法。
下面參照?qǐng)D4和圖6對(duì)求出激光圖形和布線圖形重合時(shí)的激光圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)和布線圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置關(guān)系的方法予以說(shuō)明。另外，圖6為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第1例的說(shuō)明圖。將玻璃基板9置于圖4的基板載臺(tái)8上，利用CCD相機(jī)14對(duì)正常布線的圖形圖像(A)進(jìn)行拍攝并顯示于監(jiān)視器64。此時(shí)，如圖6所示，將拍攝的布線的圖形圖像(A)和存儲(chǔ)于掩模像存儲(chǔ)部60中的圖像(B)作為半透射圖像的重合的合成圖像(C)進(jìn)行顯示。
使半透射圖像重合的合成圖像(C)，可通過(guò)計(jì)算出布線的圖形圖像(A)的亮度值和掩模圖像(B)的亮度值的平均值很容易進(jìn)行顯示。在畫面上的掩模圖像，與掩模載臺(tái)4同步進(jìn)行顯示，并在移動(dòng)掩模載臺(tái)4時(shí)，監(jiān)視器64的畫面上的掩模圖像也移動(dòng)。通過(guò)操作員操作，使基板載臺(tái)8或掩模載臺(tái)4移動(dòng)以使兩個(gè)圖像一致，并在一致時(shí)存儲(chǔ)布線的圖形圖像(A)的基準(zhǔn)點(diǎn)和掩模圖像(B)的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置。
圖7為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第2例的說(shuō)明圖。作為將布線的圖形圖像(A)和掩模圖像(B)同時(shí)顯示的另一方法，也可以如圖7所示，將從掩模圖像(B)提取的輪廓線的掩模邊緣圖像(B’)成為與布線的圖形圖像(A)重合的顯示方法。掩模邊緣圖像(B’)由照明光通過(guò)的部分和遮光的部分構(gòu)成，是對(duì)比度高的圖像。
所以，其輪廓提取，可以是使用一般的邊緣檢測(cè)方法。作為使布線的圖形圖像(A)和掩模邊緣圖像(B’)重合的方法，在布線的圖形圖像(A)是明亮的(亮度值高)的圖像時(shí)，處于輪廓線位置的圖像以黑(亮度值接近0的值)表示，而在布線的圖形圖像(A)是暗淡的(亮度值低)的圖像時(shí)，以白(亮度值接近最大值的值)表示。
圖8為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第3例的說(shuō)明圖。另外，在布線的圖形圖像(A)是明亮的(亮度值高)的圖像時(shí)，處于輪廓線位置的圖像以黑(亮度值接近0的值)表示，圖9為取得掩模和實(shí)圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)的方法的第4例的說(shuō)明圖，是利用在圖6中說(shuō)明的布線的圖形圖像(A)和掩模圖像(B)的另一個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)取得方法。在圖8中，是將掩模圖像(B)的一部分與布線的圖形圖像(A)上下重合顯示，比較在兩圖像的邊界的圖像的重疊的方法。
另外，在圖9中，是將掩模圖像(B)的一部分與布線的圖形圖像(A)左右重合顯示，比較在兩圖像的邊界的圖像的重疊的方法。
圖10為實(shí)現(xiàn)登錄布線的圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)和掩模像的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置關(guān)系的另一種方法的激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。與圖4相同的附圖標(biāo)記表示同一功能部分，重復(fù)的說(shuō)明則省略。圖10是在圖4的構(gòu)成上增加光源12b和CCD相機(jī)14b、透鏡13b、15b的構(gòu)成。在圖10中，首先，在使以光源12b照明的掩模像在CCD相機(jī)14b的攝像元件上成像進(jìn)行拍攝的同時(shí)，利用CCD相機(jī)14a對(duì)在圖形投影部20上成像的掩模像1進(jìn)行拍攝。以CCD相機(jī)14a、14b拍攝的圖像，利用圖6～圖9所示的方法在同一畫面上顯示，通過(guò)調(diào)整CCD相機(jī)14a、14b的位置使其一致。
之后，將玻璃基板9置于基板載臺(tái)8上，點(diǎn)亮光源12b，使得可以對(duì)玻璃基板9上的布線圖形進(jìn)行拍攝。以CCD相機(jī)14a、14b拍攝的圖像，利用圖6～圖9所示的方法在同一畫面上顯示，為使兩個(gè)圖像一致調(diào)整掩模載臺(tái)4或基板載臺(tái)8的位置，在一致時(shí)，就將圖形圖像的基準(zhǔn)點(diǎn)和掩模像的基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置予以存儲(chǔ)。
在修正部分比激光照射區(qū)域大時(shí)，可將激光分?jǐn)?shù)次進(jìn)行照射，將該修正部分去掉。此時(shí)，以圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)作為起點(diǎn)，在步進(jìn)(step)移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行修正。在修正部分中包含圖形的基準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)，由于不能通過(guò)圖形匹配找到基準(zhǔn)點(diǎn)，使用相鄰布線的圖形圖像的基準(zhǔn)點(diǎn)。一般，在最初的位置找不到基準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)，可以采用使視野以渦旋形狀移動(dòng)進(jìn)行搜索一直到找到基準(zhǔn)點(diǎn)為止的方法。
然而，通過(guò)搜索一直到找到有效的基準(zhǔn)點(diǎn)為止是需要時(shí)間的，有時(shí)不僅不能在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行修正，反而誤將缺陷判定為基準(zhǔn)點(diǎn)。因此，使用從檢查裝置取得的缺陷附近圖像，預(yù)先計(jì)劃設(shè)定使用的基準(zhǔn)點(diǎn)及步進(jìn)區(qū)域。
下面對(duì)激光照射區(qū)域的計(jì)劃方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)圖形基準(zhǔn)點(diǎn)的檢測(cè)方法進(jìn)行說(shuō)明。圖11為激光照射區(qū)域的計(jì)劃方法的說(shuō)明圖，圖11(a)是具有缺陷部分的像素的布線圖形的平面圖，圖11(b)是提取的缺陷部分的說(shuō)明圖。另外，圖12為提取的圖形基準(zhǔn)點(diǎn)的說(shuō)明圖。在對(duì)圖11(a)的布線圖形進(jìn)行圖像處理提取圖11(b)所示的缺陷圖像的同時(shí)，利用對(duì)圖12所示的圖形匹配，檢測(cè)圖形基準(zhǔn)點(diǎn)候選81a～81e。
在這一圖形匹配中，由于在匹配的模板的范圍內(nèi)存在缺陷時(shí)檢測(cè)誤差變大，從檢測(cè)的匹配區(qū)域80a、80b、80c、80d、80e和缺陷21的位置關(guān)系選擇不包含缺陷21的匹配區(qū)域。根據(jù)這一規(guī)則，在圖12的示例中，由于匹配區(qū)域80c包含缺陷21而被除外。從剩下的匹配區(qū)域80a、80b、80d、80e之中選擇使用的圖形基準(zhǔn)點(diǎn)，例如，為縮短從基準(zhǔn)點(diǎn)起的移動(dòng)時(shí)間，選擇最接近缺陷的圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81a。另外，在使用大于等于2個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)，為了進(jìn)一步提高位置重合的精度，也可以選擇圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81a和81d。
下面對(duì)激光照射區(qū)域的設(shè)定法的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖13為激光照射區(qū)域的檢測(cè)法的說(shuō)明圖。圖11所示的缺陷21由二值化像素給出。如圖13所示，通過(guò)對(duì)每個(gè)X坐標(biāo)值計(jì)算包含于缺陷中的像素?cái)?shù)可以計(jì)算出在X軸上的投影值。同樣，對(duì)于Y軸也算出投影值。從在X軸、Y軸上的投影值得到的始點(diǎn)和終點(diǎn)可以檢測(cè)缺陷區(qū)域85。一般，為防止未加工部分的發(fā)生，將激光照射區(qū)域86設(shè)定為比缺陷區(qū)域85大規(guī)定值大小。此處，將圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81和激光照射區(qū)域86的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行存儲(chǔ)。
圖14為激光照射區(qū)域的設(shè)定法的說(shuō)明圖。另外，圖15為激光照射區(qū)域的形狀的說(shuō)明圖。在由于缺陷21大，通過(guò)一次激光照射不能對(duì)整個(gè)缺陷進(jìn)行激光照射時(shí)，如圖14(a)所示，可分?jǐn)?shù)次進(jìn)行激光照射。由于激光照射區(qū)域86的大小是已知的，以從缺陷區(qū)域85的左上的點(diǎn)偏移規(guī)定量的點(diǎn)作為始點(diǎn)設(shè)定激光照射區(qū)域86a、86b、86c、86d使缺陷區(qū)域85被完全包含。為了防止發(fā)生未加工部分，將各激光照射區(qū)域設(shè)定為有若干量的重疊。與激光一次照射時(shí)一樣，對(duì)圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81和各激光照射區(qū)域的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行存儲(chǔ)。
激光照射區(qū)域86，如圖14(b)所示，也可以是六角形。由于一般光學(xué)系統(tǒng)的視野是圓形，與四角形相比，六角形時(shí)一次照射的面積大，具有可以減少射束數(shù)的效果。因?yàn)闉榱朔乐拱l(fā)生未加工部分，將激光照射區(qū)域86設(shè)定為重疊，存在進(jìn)行多次激光照射的區(qū)域。為了回避這一點(diǎn)，可以采用如圖15(a)所示的切角形狀及如圖15(c)、(d)所示的圓形形狀。
在分成數(shù)次進(jìn)行激光照射時(shí)，激光照射區(qū)域的步進(jìn)移動(dòng)精度必須高。在液晶顯示裝置的制造中，基板尺寸日益大型化，使用的基板從超過(guò)1m至2m的基板。與此同時(shí)，基板載臺(tái)也增大，為確保亞微米的步進(jìn)移動(dòng)精度，導(dǎo)致移動(dòng)速度的降低及成本的增加。因此，在修正裝置中，一般必須在修正位置中進(jìn)行再次對(duì)準(zhǔn)。然而，如前所述，由于在對(duì)準(zhǔn)中使用的基準(zhǔn)點(diǎn)位置存在制約，并不一定限定于在修正位置中存在基準(zhǔn)點(diǎn)。因此，利用布線圖形及已經(jīng)加工的布線圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
圖16為包含圖11所示的缺陷的布線的修正過(guò)程中間的掩模對(duì)準(zhǔn)的說(shuō)明圖。這一缺陷，如圖14所示，缺陷21通過(guò)四次激光照射而去掉。圖16為在對(duì)圖14(a)的激光照射區(qū)域86a進(jìn)行激光照射之后的說(shuō)明圖。此后，在對(duì)激光照射區(qū)域86b進(jìn)行激光照射時(shí)進(jìn)行步進(jìn)移動(dòng)，但在移動(dòng)精度不夠時(shí)使用通過(guò)修正形成的布線部87a和正常部87b的圖形，對(duì)激光照射區(qū)域86b進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)。
利用這一方法，即使是數(shù)次步進(jìn)移動(dòng)，對(duì)準(zhǔn)也不會(huì)偏離。另外，即使是比激光照射區(qū)域大的缺陷，通過(guò)使已經(jīng)修正的圖形部分重疊，可以進(jìn)行精密的對(duì)準(zhǔn)。
圖17為激光照射區(qū)域的另一種設(shè)定方法的說(shuō)明圖。這一設(shè)定方法，是預(yù)先對(duì)圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81的激光照射區(qū)域86進(jìn)行設(shè)定，通過(guò)與圖11(b)的缺陷圖像相比較選擇激光照射區(qū)域的方式。這一方式，由于可以預(yù)先設(shè)定激光照射區(qū)域，例如，如圖17(b)所示，通過(guò)設(shè)定使TFT部91處于激光照射區(qū)域86a的中心，不僅可以對(duì)圖形形狀復(fù)雜的TFT部91進(jìn)行高精度的加工，而且可以將激光照射區(qū)域的重疊部分設(shè)定于激光照射產(chǎn)生的影響小的地方。
圖18為激光照射區(qū)域的再一種設(shè)定方法的說(shuō)明圖。預(yù)先設(shè)定的激光照射區(qū)域86，也可以是圖18所示的形狀。圖18是只對(duì)有可能發(fā)生缺陷的區(qū)域設(shè)定激光照射區(qū)域的示例。是在存在不能進(jìn)行激光照射的區(qū)域時(shí)的有效區(qū)域指定方法。在此示例中，也可以與圖11(b)的缺陷圖像相比較選擇激光照射區(qū)域。
圖19為掩模夾持器的構(gòu)成例的說(shuō)明圖。如上所述，液晶顯示裝置的TFT基板是由數(shù)層薄膜重疊形成的。因此，存在數(shù)種修正圖形。假如是在一個(gè)裝置中只能對(duì)一個(gè)圖形進(jìn)行修正的構(gòu)成，則每次在修正層改變及品種改變時(shí)，必須進(jìn)行更換掩模的作業(yè)，效率很低。
因此，可以使用圖19(a)所示的結(jié)構(gòu)的掩模載臺(tái)。在X載臺(tái)52上設(shè)置的掩模夾持器51中裝有數(shù)種掩模5。掩模夾持器51是可以相對(duì)X載臺(tái)52移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，可以對(duì)修正對(duì)象使用的掩模進(jìn)行切換。
X載臺(tái)52和Y載臺(tái)53，在使布線圖形的位置重合時(shí)使用。θ載臺(tái)54可以在對(duì)布線圖形的傾斜進(jìn)行校正時(shí)使用，存儲(chǔ)設(shè)置掩模5時(shí)的調(diào)整值，在掩模切換時(shí)利用存儲(chǔ)的值進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)校正。在狹縫板56中開出具有矩形及圓形斜線等簡(jiǎn)單形狀的孔縫，可以應(yīng)用在對(duì)利用掩模修正的圖形形狀的微調(diào)或?qū)Ξ愇镞M(jìn)行集中激光照射使其除去的用途之中。
圖19(b)是掩模載臺(tái)的另一個(gè)示例。掩模夾持器51固定于X載臺(tái)52之上，通過(guò)移動(dòng)X載臺(tái)52和Y載臺(tái)53可以對(duì)掩模進(jìn)行切換。
此外，在圖4中，也可以使用液晶顯示裝置代替掩模5，形成為此所必需的圖形。由于通過(guò)使用液晶顯示裝置可以制作成任意的圖形，不需要進(jìn)行上述的掩模切換。此時(shí)，為了使激光產(chǎn)生的液晶顯示裝置的損傷減小，可以提高圖形的縮小倍率。例如，使縮小率為1/100時(shí)，由于在處于掩模位置的液晶顯示裝置中能量密度為1/10000，可以減小損傷。
圖20為設(shè)定與布線圖形形狀相同的激光照射區(qū)域的另一種激光照射光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成的說(shuō)明圖。與圖4、圖6相同的附圖標(biāo)記與同一功能部分相對(duì)應(yīng)，重復(fù)說(shuō)明則省略。在圖20中，反射鏡18是在石英玻璃等透明基板上蒸鍍鋁等激光反射率高的材料制作而成。由鋁等形成的反射部，與掩模5一樣，在受到激光照射時(shí)，形成變成圖3的激光照射區(qū)域的圖形。
另外，為了使斜向入射的激光垂直照射基板，反射鏡的反射面17相對(duì)于反射鏡18成一角度而形成。另外，通過(guò)使用DMD(數(shù)字微鏡器件)代替反射鏡18，可通過(guò)對(duì)DMD進(jìn)行控制而成為從CAD數(shù)據(jù)生成的圖形形狀，以具有任意形狀的照射區(qū)域的激光進(jìn)行照射。
圖21為本發(fā)明的缺陷修正裝置的另一構(gòu)成例的說(shuō)明圖。與圖4、圖10、圖20相同的附圖標(biāo)記與同一功能部分相對(duì)應(yīng)，重復(fù)說(shuō)明則省略。在圖21中，從激光振蕩器1輸出的點(diǎn)狀的激光受到電流反射鏡98的反射，由Fθ透鏡97使激光垂直入射到掩模面。通過(guò)改變電流反射鏡98的角度，可以使激光對(duì)整個(gè)掩模5的表面進(jìn)行照射。這一方式，由于是使光點(diǎn)進(jìn)行掃描，所以可以以均勻的強(qiáng)度在掩模5的表面內(nèi)進(jìn)行激光照射。
圖22為示出本發(fā)明的缺陷修正裝置的整體構(gòu)成的一例的示圖。在圖22(a)中，在基板載臺(tái)8上設(shè)置玻璃基板9，基板載臺(tái)8具有在Y方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)軸。光學(xué)單元101是設(shè)置圖4、圖10、圖20、圖21所示的光學(xué)系統(tǒng)的單元，具有在X方向上和Z方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)軸。激光照射位置的定位由基板載臺(tái)8的Y軸移動(dòng)和光學(xué)單元101的X軸移動(dòng)進(jìn)行，聚焦在光學(xué)單元101的Z軸上調(diào)整。這一構(gòu)成，與覆蓋區(qū)變大這樣的缺點(diǎn)相反，由于可以獨(dú)立地控制兩個(gè)軸，可以高精度地進(jìn)行定位。
圖22(b)是另一裝置構(gòu)成例，光學(xué)單元101安裝于光學(xué)單元載臺(tái)102上。光學(xué)單元載臺(tái)102具有在Y方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)軸，光學(xué)單元101具有在X方向上和Z方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)軸。這一構(gòu)成具有可以使裝置的覆蓋區(qū)減小的優(yōu)點(diǎn)。
圖23為示出本發(fā)明的缺陷修正裝置的整體構(gòu)成的另一例的示圖。在圖23(a)中，光學(xué)單元載臺(tái)103安裝于設(shè)置在床臺(tái)上的軌道104上。一般，由于基板9設(shè)置于消振臺(tái)105之上，不僅是不會(huì)使在光學(xué)單元101移動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)傳遞到玻璃基板的結(jié)構(gòu)，消振臺(tái)105可以制作得很小。與圖22(a)一樣，也可以是使基板載臺(tái)8移動(dòng)而將光學(xué)單元載臺(tái)102固定的結(jié)構(gòu)。
圖23(b)是使基板載臺(tái)8傾斜的結(jié)構(gòu)，將玻璃基板9吸附在基板載臺(tái)8移動(dòng)。玻璃基板的加載和卸載，有使基板載臺(tái)8成為水平進(jìn)行的方法和使用可使玻璃基板9保持豎立的傳送裝置等等方法。為了縮小裝置的設(shè)置床臺(tái)面積，即覆蓋面，對(duì)基板載臺(tái)8和水平面形成的角度θ的范圍沒(méi)有限制，特別是在80～95度的范圍內(nèi)時(shí)，可以防止在激光加工時(shí)產(chǎn)生的加工屑的再附著及透鏡污染。
圖24為光學(xué)單元101的附屬裝置的說(shuō)明圖。圖24(a)示出透鏡保護(hù)罩的一例。為了防止在激光加工時(shí)發(fā)生的加工屑及煙氣附著到透鏡110的表面，在透鏡前面設(shè)置這種透鏡保護(hù)罩。由于固定使用透鏡保護(hù)罩時(shí)保護(hù)罩本身會(huì)受到污染，所以將薄膜形狀的保護(hù)罩112安裝成為卷在卷軸113上，在激光照射結(jié)束時(shí)卷繞以便在激光照射時(shí)可以使用新的部分。
為了使透鏡110的交換容易進(jìn)行，設(shè)置有透鏡保護(hù)罩導(dǎo)桿111，在透鏡保護(hù)罩112和透鏡110之間形成一個(gè)間隙。在加工對(duì)象是飛散物等少的加工物時(shí)，為了定期地更換保護(hù)罩，可以在透鏡前面安裝可以安裝的蓋子形狀的保護(hù)罩。另外，也可以采用在透鏡附近安裝吸引煙氣的管道的方法及在透鏡前面吹送氮?dú)饣蚩諝夥乐刮畚锔街姆椒?。圖24(b)是異物去除噴嘴的一例。在圖形檢查中檢測(cè)的缺陷中也包含異物，但也有只附著在玻璃基板9的表面的異物116。這種異物116利用從異物去除噴嘴115吹送的氮?dú)饣蚩諝饪梢院苋菀壮ァ?br> 圖25為實(shí)施異物除去時(shí)的修正流程的說(shuō)明圖。首先，將玻璃基板加載到修正裝置(步驟1，以下以S1這樣的方式表述)，在移動(dòng)到缺陷位置后(S2)，取得圖像(S3)。在吹送氮?dú)饣蚩諝獬ギ愇镏?S4)，再次取得圖像(S5)。比較吹送氮?dú)饣蚩諝馇昂蟮膱D像(S6)，在圖像有差別判定異物去除時(shí)，就不進(jìn)行激光照射，而在圖像沒(méi)有差別判定異物固著時(shí)，就進(jìn)行激光照射(S7)。檢查是否存在下一個(gè)缺陷(S8)，有缺陷時(shí)就重復(fù)上述的步驟，在沒(méi)有缺陷時(shí)，就卸載玻璃基板(S9)。
是否需要進(jìn)行缺陷修正可利用圖11所示的缺陷附近圖像判定。如圖12所示，因?yàn)榭梢詸z測(cè)圖形基準(zhǔn)點(diǎn)81a～81e，從與基準(zhǔn)點(diǎn)的相對(duì)位置關(guān)系可以很容易判定是需要修正的缺陷和不需要修正的缺陷。對(duì)于不需要修正的缺陷，不需要進(jìn)行激光照射。因?yàn)楦鶕?jù)本實(shí)施例，即使存在橫跨數(shù)個(gè)像素的短路缺陷，也可以匯總進(jìn)行修正，所以可以在削減成本的同時(shí)，提高修正精度。

圖26為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的工藝過(guò)程圖。圖26示出形成在實(shí)施例2中的液晶板中使用的開關(guān)元件薄膜晶體管的玻璃基板的制造過(guò)程。形成此開關(guān)元件的玻璃基板通稱為“TFT基板”或“陣列基板”，以下稱其為TFT基板。在實(shí)施例2中，首先，在制造TFT基板時(shí)提供的玻璃基板上形成無(wú)機(jī)物膜或有機(jī)物膜(S10)。
作為代表性的無(wú)機(jī)物，可以舉出的有構(gòu)成TFT基板的布線的金屬材料。在完成了成膜的玻璃基板上涂敷光刻膠并燒結(jié)(S11)。
此處，所謂光刻膠是感光材料，用來(lái)使成膜的材料加工成為規(guī)定形狀。之后，通過(guò)對(duì)光刻膠實(shí)施曝光(S12)，利用構(gòu)成TFT基板布線圖形對(duì)光刻膠實(shí)施曝光。之后，通過(guò)對(duì)光刻膠實(shí)施顯影(S13)，使得與構(gòu)成TFT基板的布線圖形相同的光刻膠圖形保留在成膜的玻璃基板上。
之后，對(duì)在玻璃基板上形成的光刻膠圖形實(shí)施外觀檢查(S14)。在外觀檢查中，在玻璃基板上成膜的成膜材料和光刻膠圖形的對(duì)比很明顯。所以，可以判別由于異物等成核造成光刻膠形狀異常的部位。之后，根據(jù)光刻膠圖形的外觀檢查，實(shí)施致命缺陷位置信息提取(S15)。
將在外觀檢查中超過(guò)一般管理基準(zhǔn)的形狀異常、尺寸異常的圖形缺陷作為致命缺陷候選予以提取。作為光刻膠形狀的異常，大致可分為本來(lái)應(yīng)該獨(dú)立的多個(gè)部位變成相連的短路缺陷和本來(lái)應(yīng)該相連的部位缺損的斷開缺陷。在實(shí)施例2中，特別以短路缺陷作為對(duì)象進(jìn)行說(shuō)明。
之后，根據(jù)構(gòu)成液晶板的布線圖形的設(shè)計(jì)信息，求出致命區(qū)域的位置信息，從光刻膠圖形的外觀檢查得到的光刻膠圖形形狀、尺寸、位置信息，提取有關(guān)真正的致命缺陷的位置信息。此處，有關(guān)致命的光刻膠圖形的形狀、尺寸、位置信息的信息是由布線圖形的形狀及電學(xué)特性求出的，與TFT基板的設(shè)計(jì)規(guī)格不同。
然后，實(shí)施光刻膠圖形修正(S16)。在光刻膠圖形修正中，利用在提取致命缺陷位置信息之際同時(shí)獲得的致命缺陷的形狀、尺寸來(lái)確定加工規(guī)格。這一場(chǎng)合的光刻膠缺陷修正與已經(jīng)在其它實(shí)施例中說(shuō)明的一樣，利用激光等將短路的光刻膠去除。因?yàn)樵诠饪棠z圖形修正完成的玻璃基板上不存在缺陷，在作為下一個(gè)工序的刻蝕(S17)中，對(duì)成膜的材料之中未被光刻膠覆蓋的部分進(jìn)行加工。
于是，通過(guò)完成剝離光刻膠(S18)，成膜的材料以正規(guī)的圖形形狀留在玻璃基板上(S19)。通過(guò)將從成膜(S10)至光刻膠剝離(S18)的一系列處理重復(fù)規(guī)定次數(shù)，完成TFT基板。
圖27為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3的工藝過(guò)程圖。在圖27中，示出在液晶板中使用的TFT基板的制造過(guò)程。在實(shí)施例3中，首先，在制造TFT基板時(shí)提供的玻璃基板上形成無(wú)機(jī)物膜或有機(jī)物膜(S30)。此處，因?yàn)樽鳛槌赡さ拇硇缘臒o(wú)機(jī)物，可以舉出的有設(shè)置在TFT基板上的透明金屬ITO(氧化銦錫)，下面就以ITO膜作為代表例進(jìn)行說(shuō)明。
在成膜已完成的階段，實(shí)施外觀檢查(S31)。此處，由于ITO是透明的，可以了解到在ITO上存在異物和在ITO下層存在異物兩種情況。在此成膜完成階段的外觀檢查的結(jié)果，通過(guò)成膜后外觀檢查結(jié)果的存放(S41)這一處理將數(shù)據(jù)累積。
之后，在TFT基板上涂敷光刻膠并在實(shí)施燒結(jié)(S32)、曝光(S33)、顯影(S34)之后對(duì)光刻膠圖形實(shí)施外觀檢查(S35)。光刻膠的外觀檢查的結(jié)果，通過(guò)光刻膠圖形的外觀檢查結(jié)果的存放(S42)這一處理將數(shù)據(jù)累積。
此處，在光刻膠圖形的外觀檢查的結(jié)果中，對(duì)成膜上的光刻膠的形狀異常位置信息和不存在光刻膠但透明膜下存在異物這兩方面進(jìn)行觀測(cè)。于是通過(guò)差值處理(S43)只將光刻膠的涂敷和燒結(jié)以下發(fā)生的光刻膠圖形的形狀異常部位分離提取。實(shí)施從分離提取的光刻膠圖形形狀異常部和TFT基板的設(shè)計(jì)規(guī)格提取致命缺陷位置信息(S36)。
然后，通過(guò)實(shí)施光刻膠圖形修正(S37)、實(shí)施刻蝕(S37)、實(shí)施光刻膠剝離(S39)，已成膜的材料以正規(guī)的圖形形狀留在玻璃基板上。通過(guò)將從成膜(S30)至光刻膠剝離(S39)的一系列處理重復(fù)規(guī)定次數(shù)，完成TFT基板。
圖28為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4的工藝過(guò)程圖。在圖28中，首先，在制造TFT基板時(shí)提供的玻璃基板上形成無(wú)機(jī)物膜或有機(jī)物膜(S50)。之后，實(shí)施外觀檢查(S51)。此處，將在成膜上存在并且大于等于規(guī)定的管理尺寸的異物予以提取。之后，實(shí)施異物去除(S52)。
在此處的異物去除中可以應(yīng)用接觸式的異物去除方式和非接觸式的異物去除方式。作為接觸式的去除方式有使刷子進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)、往復(fù)運(yùn)動(dòng)振動(dòng)為代表的使刷子碰到成膜上的異物而將其去除的方式。
另外，可以采用使用以鑷子為代表的器具去除異物的方式和利用針狀的結(jié)構(gòu)體及與刃物類似的結(jié)構(gòu)體去除異物的方式。于是，此時(shí)實(shí)施異物去除坐標(biāo)信息的存放處理(S63)。另一方面，作為非接觸式的異物去除方式，可以舉出的有激光光線和高壓流體。
之后，在TFT基板上涂敷光刻膠并在實(shí)施燒結(jié)(S53)、曝光(S54)、顯影(S55)之后對(duì)光刻膠圖形實(shí)施外觀檢查(S56)。之后，在實(shí)施致命缺陷位置信息提取(S5)之后，實(shí)施光刻膠圖形的修正(S58)和光刻膠圖形修正結(jié)果的存放(S64)。然后，實(shí)施刻蝕(S59)、實(shí)施光刻膠剝離(S60)。
之后，進(jìn)入到修正數(shù)管理基準(zhǔn)判定(S61)。此處，使用由于已經(jīng)執(zhí)行檢查而累積的異物去除坐標(biāo)信息和光刻膠圖形修正結(jié)果。根據(jù)異物去除坐標(biāo)信息進(jìn)行修正的異物數(shù)不滿足管理基準(zhǔn)的場(chǎng)合，意味著在成膜中異物多，就發(fā)出工序管理警告(S65)，并促使在成膜裝置內(nèi)進(jìn)行檢修和采取對(duì)策。
另外，光刻膠圖形修正結(jié)果的存放(S64)的結(jié)果不滿足修正數(shù)管理基準(zhǔn)的場(chǎng)合表示從光刻膠涂敷和燒結(jié)(S53)起一直到顯影(S55)為止之間發(fā)生了毛病，這也和先前一樣發(fā)出工序管理警告(S65)并促使對(duì)相當(dāng)?shù)难b置內(nèi)進(jìn)行檢修和采取對(duì)策。
當(dāng)然，在修正數(shù)滿足管理基準(zhǔn)的場(chǎng)合，就對(duì)TFT基板實(shí)施下面的成膜(S62)，形成TFT基板。結(jié)果，就可以一直對(duì)工序進(jìn)行監(jiān)視，不僅是修正，還可以做到及時(shí)對(duì)設(shè)備進(jìn)行維修。
下面對(duì)液晶顯示裝置的布線修正的實(shí)施例5進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施例5中，與實(shí)施例1一樣，是以液晶顯示裝置的布線修正為例進(jìn)行說(shuō)明的，但也可以應(yīng)用于在平面上形成的一般圖形的修正，并不限定于液晶顯示裝置。
圖29為說(shuō)明在液晶顯示裝置的布線圖形中存在斷線時(shí)的修正的示圖。在TFT基板的TFT陣列的形成工序，特別是在電極及布線的形成工序中，由于異物附著等原因，如圖29所示，有時(shí)在布線(此處為漏布線33)中發(fā)生斷線216。因此，例如，在漏布線33形成之后，通過(guò)外觀檢查等等來(lái)檢查該漏布線33有無(wú)斷線，并在發(fā)現(xiàn)斷線時(shí)根據(jù)需要進(jìn)行修正。
另外，對(duì)于柵布線31有時(shí)也同樣會(huì)發(fā)生斷線，如下所述，可以與漏布線的斷線修正一樣進(jìn)行修正，但由于是TFT基板制作工序的初始階段，也可以將全部布線、電極圖形剝離除去而重新制作。
圖30為示出實(shí)施例5的實(shí)施斷線缺陷修正方法的優(yōu)選修正裝置的構(gòu)成的示圖。本裝置，是在實(shí)施例1中示出的可以利用激光進(jìn)行短路修正的自動(dòng)修正裝置的結(jié)構(gòu)上增加斷線修正用的材料涂敷機(jī)構(gòu)206的裝置。另外，符號(hào)201表示修正綜合控制器、204表示激光頭驅(qū)動(dòng)軸、207表示激光、208表示缺陷部。
在圖30中，示出的是將材料涂敷機(jī)構(gòu)206相對(duì)圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202的光軸斜著配置，從此傾斜方向涂敷斷線修正用材料的結(jié)構(gòu)。圖31為說(shuō)明斷線修正用的材料的涂敷狀態(tài)的材料涂敷機(jī)構(gòu)的放大圖。根據(jù)實(shí)施例5，可以利用圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202的觀察像實(shí)時(shí)確認(rèn)涂敷位置及材料涂敷狀態(tài)，并且可以利用涂敷機(jī)構(gòu)控制裝置203進(jìn)行控制。
例如，如圖31所示，在使材料涂敷機(jī)構(gòu)206與電子電路基板210(例如，TFT基板)接觸進(jìn)行涂敷時(shí)，必須對(duì)材料涂敷機(jī)構(gòu)206與基板210的接觸狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)以便不會(huì)過(guò)度接觸基板210而損傷基板210或損傷材料涂敷機(jī)構(gòu)206。通過(guò)利用圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202進(jìn)行監(jiān)測(cè)可以在優(yōu)選接觸狀態(tài)下供給涂敷材料。
下面對(duì)TFT基板的布線的一部分缺失的場(chǎng)合，即以斷線狀態(tài)的場(chǎng)合為例，就斷線缺陷修正步驟予以詳細(xì)說(shuō)明。其中，是以對(duì)圖29所示的斷線缺陷216進(jìn)行修正的場(chǎng)合為例進(jìn)行說(shuō)明。將利用檢查裝置(未圖示)檢測(cè)的斷線缺陷216的TFT基板210由傳送自動(dòng)裝置(未圖示)等傳送到修正裝置并設(shè)置于載臺(tái)209上。
另一方面，經(jīng)生產(chǎn)線的網(wǎng)絡(luò)205接收由檢查裝置檢測(cè)的缺陷位置信息，并根據(jù)該信息驅(qū)動(dòng)載臺(tái)209使斷線缺陷位置216在修正裝置的光學(xué)系統(tǒng)視野內(nèi)再現(xiàn)。
之后，利用自動(dòng)對(duì)焦機(jī)構(gòu)(未圖示)使整個(gè)光學(xué)系統(tǒng)在與設(shè)置載臺(tái)209的TFT基板210的面垂直的Z方向上移動(dòng)使焦點(diǎn)與TFT基板210的表面合焦。也可以利用基板載臺(tái)209使基板210在Z方向上移動(dòng)。在使光學(xué)系統(tǒng)202移動(dòng)時(shí)，通過(guò)使激光振蕩器及照射光學(xué)系統(tǒng)也一體移動(dòng)，可以使激光光學(xué)系統(tǒng)的光軸保持一定。
此處，從設(shè)置于激光光學(xué)系統(tǒng)中的CCD相機(jī)拍攝的圖像，判定是否是可以修正的斷線缺陷216。在判斷是可以修正的斷線缺陷216時(shí)，以涂敷材料(液狀)243在源電極33上涂敷。
在由于異物的原因產(chǎn)生斷線缺陷216而異物殘留時(shí)，在利用修正裝置的脈沖激光將異物去除之后進(jìn)行斷線缺陷216修正。另外，根據(jù)需要，可通過(guò)激光照射等方法將通過(guò)涂敷材料243連接的布線的氧化膜去除而使連接電阻減小。
材料涂敷機(jī)構(gòu)206的前端，置于存放容器內(nèi)以使其不會(huì)由于涂敷材料243而固化。這是為了使材料涂敷機(jī)構(gòu)206的前端部保持一定狀態(tài)。移動(dòng)斷線缺陷216的位置到大致為圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202的視野的中心部并移動(dòng)材料涂敷機(jī)構(gòu)206的前端部使其到達(dá)此視野的中心部。材料涂敷機(jī)構(gòu)206，具有只使這一部分可以進(jìn)行微小移動(dòng)的功能，根據(jù)圖像識(shí)別可以自動(dòng)移動(dòng)到斷線缺陷216的位置。
在使材料涂敷機(jī)構(gòu)206從這一狀態(tài)緩慢下降時(shí)，前端部與漏布線211的表面接觸。使其再下降時(shí)，材料涂敷機(jī)構(gòu)206的前端部由于彈性力而彎曲，在觀察視野內(nèi)向前端方向偏移。通過(guò)觀察此偏移，可以確認(rèn)材料涂敷機(jī)構(gòu)206的前端部接觸到漏布線211。通過(guò)不斷對(duì)一定的偏移量進(jìn)行監(jiān)視，可以使材料涂敷機(jī)構(gòu)206的下降量穩(wěn)定。
另外，在偏移量過(guò)大時(shí)，由于在源電極33上施加力，有可能損傷源電極33，所以此偏移量設(shè)定為數(shù)μm大小。在確認(rèn)接觸后，利用材料涂敷機(jī)構(gòu)206供給材料。
圖32為材料涂敷機(jī)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖33為對(duì)圖29的斷線缺陷216的部分利用材料涂敷機(jī)構(gòu)涂敷修正用材料的狀態(tài)的說(shuō)明圖。材料涂敷機(jī)構(gòu)206是以作為金屬膜的原料的金屬絡(luò)合物填充的吸管，例如由玻璃材料形成的玻璃吸管。
材料涂敷機(jī)構(gòu)206，如圖32(a)所示，具有在吸管內(nèi)填充液體的涂敷材料243的結(jié)構(gòu)。在將此吸管內(nèi)的材料243按照如圖32(b)所示的方式以機(jī)械工具238擠出或利用氣體壓力(為了抑制與材料的反應(yīng)優(yōu)選是使用惰性氣體)向斷線缺陷216部分供給微量涂敷材料243(圖33、圖31)。在涂敷涂敷材料243之際，如圖31所示，為了充分確保連接部，對(duì)正常部上面也供給涂敷材料243以使布線接觸電阻降低而充分地進(jìn)行布線連接。
圖34為斷線缺陷的修正法的說(shuō)明圖。在供給涂敷材料243之后，如圖34(a)所示，進(jìn)行涂敷形狀的整形。在此成形中，如實(shí)施例1所示，進(jìn)行利用掩模的形狀的整形加工。一般，金屬膜，由于是利用熱加工的加工產(chǎn)物，必須具有很強(qiáng)的加工能量，根據(jù)加工條件及TFT基板210的層疊狀態(tài)的不同，有可能損傷底層。因此，在涂敷材料243是金屬絡(luò)合物的狀態(tài)時(shí)，優(yōu)選是進(jìn)行以光化學(xué)反應(yīng)引起的分子離解為主的加工導(dǎo)致的圖像形成。
在退火(熱處理)引起的金屬膜的形成中體積變化大的場(chǎng)合，假如在退火中進(jìn)行一次處理之后進(jìn)行整形處理時(shí)，退火后的體積變動(dòng)小更好。退火處理可利用紅外線燈、基板加熱器或激光照射進(jìn)行。
在激光照射中，優(yōu)選是選擇在涂敷材料243中存在吸收的激光。為了不進(jìn)行利用激光照射除去涂敷材料243的加工，優(yōu)選是激光采用連續(xù)振蕩、進(jìn)行連續(xù)熱處理。
此外，在利用這些激光照射等等的退火工序中，通過(guò)向斷線修正部供給惰性氣體抑制退火時(shí)的氧化及涂敷材料243的金屬膜的形成前的材質(zhì)變化，可以進(jìn)行可靠性高的布線連接。
利用掩模加工對(duì)電子電路圖形進(jìn)行整形(圖34(a))。在掩模加工中，如實(shí)施例所示，通過(guò)使用脈沖寬度為數(shù)nm的脈沖激光，可以進(jìn)行熱影響小的加工。之后，通過(guò)退火使金屬膜析出，完成斷線修正，得到修正布線219(圖34(b))。根據(jù)需要，也可以在金屬膜形成后加入布線整形的工序。
以上示出的是在TFT基板210的源電極33的工序中的斷線缺陷216的修正，不過(guò)在其它TFT層中缺失的圖形修正中也可以利用同樣的處理。此外，對(duì)在TFT基板中不殘留的、在生產(chǎn)工序上必需的中間層的圖形也同樣可以應(yīng)用。也包含這種場(chǎng)合，在涂敷材料243由于光化學(xué)反應(yīng)材質(zhì)改變時(shí)，成為對(duì)涂敷材料243及材料涂敷機(jī)構(gòu)206進(jìn)行遮光，可以進(jìn)行穩(wěn)定的材料供給的結(jié)構(gòu)。
圖35為說(shuō)明作為本發(fā)明的實(shí)施例5的修正作業(yè)的流程的示圖。利用上述的材料涂敷機(jī)構(gòu)206，可成為圖35所示的修正系統(tǒng)。利用根據(jù)外觀檢查等等的缺陷檢測(cè)裝置檢測(cè)并分類的電子電路基板的各種圖形缺陷，按照以下的步驟進(jìn)行修正。
··短路缺陷在圖35中，對(duì)短路缺陷修正的步驟進(jìn)行說(shuō)明。首先，選擇符合TFT基板210的圖形的掩模(S1A)。利用修正對(duì)象層的材料、圖形(層疊結(jié)構(gòu))等選定激光能量及波長(zhǎng)、射束數(shù)等加工條件(S2A)。根據(jù)需要，可分階段應(yīng)用多個(gè)條件。使圖形與電子電路基板重合，進(jìn)行利用激光的掩模加工(S3A)。在修正區(qū)域在一個(gè)激光照射區(qū)域包括不了時(shí)，將其分割為多個(gè)，順序進(jìn)行修正。加工狀態(tài)，利用圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202的拍攝圖像進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，判定修正完成或再加工(S4A)。
··異物缺陷在存在異物時(shí)，即使是該異物的存在地點(diǎn)和大小對(duì)修正對(duì)象層沒(méi)有影響，有時(shí)會(huì)影響下一個(gè)層疊圖形。因此，就TFT基板210的生產(chǎn)工序而言優(yōu)選是預(yù)先予以除去。短路修正也一樣，根據(jù)異物種類(以顏色及形狀判斷)及異物發(fā)生位置、層疊結(jié)構(gòu)等選定加工條件(S1B)。
這種場(chǎng)合，既可以與短路修正同樣實(shí)施掩模修正，但為了有效利用激光能量，將激光收縮為矩形或圓形來(lái)加工異物是有效的(S2B)。加工，利用觀察光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行監(jiān)視，判斷修正是否完成(S3B)。在電路圖形中存在異物而實(shí)施去除加工時(shí)，說(shuō)不定對(duì)圖形有影響，此時(shí)，進(jìn)行下面說(shuō)明的斷線修正。
··斷線缺陷下面對(duì)斷線缺陷的修正步驟進(jìn)行說(shuō)明。首先，進(jìn)行材料涂敷機(jī)構(gòu)(S1C)。利用觀察光學(xué)系統(tǒng)監(jiān)視涂敷狀態(tài)，判定在涂敷材料中是否充滿斷線缺陷(S2C)。(判定在涂敷材料中是否發(fā)現(xiàn)斷線缺陷(S2C)。)在材料體積變動(dòng)大時(shí)，為了提高連接可靠性使材料更穩(wěn)定，暫時(shí)通過(guò)退火進(jìn)行一次熱處理(S2C)。
利用上述的[圖形A]的步驟實(shí)施掩模修正，整形成符合電子電路圖形的形狀(S4C)。整形后，在退火(S5C)中析出金屬膜。修正狀態(tài)，由修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)視，進(jìn)行修正完成的判斷(S6C)。利用以上的修正步驟修正的TFT基板210傳送到下一個(gè)工序。
在圖32示出的非接觸型的材料涂敷機(jī)構(gòu)206中，由于可以利用在實(shí)施例1中說(shuō)明的掩模修正方式，對(duì)材料涂敷后的圖形進(jìn)行整形，不需要像過(guò)去那樣進(jìn)行與源電極33的寬度高精度重合的材料涂敷。利用非接觸型的材料涂敷機(jī)構(gòu)206對(duì)包含缺陷部分的寬區(qū)域進(jìn)行材料涂敷，并通過(guò)掩模加工形成圖形。就是說(shuō)，不需要的部分可通過(guò)激光加工進(jìn)行去除加工，在存在斷線缺陷216的布線上殘留涂敷材料243，通過(guò)對(duì)其進(jìn)行退火可以形成金屬布線。
在這種方式中，由于可以使材料涂敷機(jī)構(gòu)206不與基板210接觸進(jìn)行涂敷，由于可以縮短材料涂敷機(jī)構(gòu)206的控制量即控制時(shí)間，所以修正處理時(shí)間縮短。此時(shí)，材料涂敷機(jī)構(gòu)206的位置精度，通過(guò)預(yù)先實(shí)施激光修正光學(xué)系統(tǒng)202和材料涂敷機(jī)構(gòu)206的位置校正，可得到涂敷材料243在斷線缺陷部分216上與涂敷材料243與正常部分重合涂敷的程度的位置精度。
涂敷區(qū)域，由于存在利用掩模加工的整形工序，不需要一定要在源電極33的布線寬度內(nèi)?？梢愿采w斷線缺陷部216。在圖32(b)中，將材料涂敷機(jī)構(gòu)206配置在相對(duì)基板的垂直方向上，涂敷材料243以射出方式涂敷，但如圖31所說(shuō)明的，也可以從傾斜方向進(jìn)行。涂敷狀態(tài)，利用圖形修正裝置光學(xué)系統(tǒng)202的觀察圖像進(jìn)行監(jiān)視，對(duì)射出量及位置進(jìn)行控制。在這種方式中，與接觸型的材料涂敷機(jī)構(gòu)206相比，可以提高斷線缺陷修正處理速度。
圖36為說(shuō)明使用具有掩模交換功能的激光電子電路圖形修正裝置的檢查和修正系統(tǒng)的示圖。其中，說(shuō)明的是不停止基板210，通過(guò)連續(xù)傳送進(jìn)行檢查和修正的處理系統(tǒng)。在檢查工序250中，利用攝像元件225，例如具有CCD相機(jī)14元件的行傳感器227等對(duì)基板210進(jìn)行拍攝，由圖像處理裝置225進(jìn)行缺陷檢測(cè)圖像處理而使缺陷可視。
行傳感器，為了也可以對(duì)大型基板進(jìn)行檢查，在一軸方向上排列多個(gè)，并將多列交錯(cuò)排列。照明，通過(guò)將下射(與攝像元件同軸照明)、斜向照明228、透射照明229單獨(dú)應(yīng)用或復(fù)合應(yīng)用進(jìn)行照射，通過(guò)照明切換，不僅可以使缺陷的可視變得容易，而且可以對(duì)缺陷種類進(jìn)行分類。另外，根據(jù)需要，通過(guò)偏光照明和偏光檢測(cè)，可以使由偏光特性可變的有機(jī)物等構(gòu)成的薄膜及異物的可視變得容易。檢測(cè)圖像發(fā)送到圖像處理裝置225，于其中實(shí)施必要的圖像處理，進(jìn)行缺陷檢測(cè)。
利用這些檢查工序250檢測(cè)的斷線、短路、異物的缺陷種類和坐標(biāo)信息經(jīng)生產(chǎn)線的網(wǎng)絡(luò)205將數(shù)據(jù)發(fā)送到檢查修正管理服務(wù)器224。此處，將可成為生產(chǎn)上致命的缺陷，即布線短路及斷線缺陷、成為工序上問(wèn)題的異物等提取，確定修正對(duì)象缺陷的確定和修正方法。
這些數(shù)據(jù)發(fā)送到修正工序251的修正控制PC226。另外，在缺陷數(shù)超過(guò)一定值，推測(cè)在生產(chǎn)工序上存在問(wèn)題時(shí)，生產(chǎn)管理PC(未圖示)230通過(guò)網(wǎng)絡(luò)205發(fā)送信息，發(fā)出警告要實(shí)施工序?qū)Σ摺?br> 修正工序251，是由作為3個(gè)修正頭的異物去除頭(激光光學(xué)系統(tǒng))230、材料涂敷頭(材料涂敷機(jī)構(gòu))206及短路缺陷修正兼圖像形成頭(激光光學(xué)系統(tǒng))232構(gòu)成的。為了提高連續(xù)傳送中的處理效率，各個(gè)修正頭獨(dú)立進(jìn)行修正。它們是相對(duì)于基板傳送方向在平行方向上移動(dòng)對(duì)缺陷地點(diǎn)進(jìn)行修正?；?，一直不斷受到傳送，為了移動(dòng)也在傳送方向上移動(dòng)，但具有只要移動(dòng)量跟得上基板傳輸速度即可，在傳送方向上移動(dòng)一定量時(shí)返回原點(diǎn)的機(jī)構(gòu)。
在返回原點(diǎn)時(shí)缺陷位置流動(dòng)時(shí)，對(duì)其進(jìn)行跟蹤使修正頭在傳送方向上移動(dòng)。為了使修正無(wú)遺漏，對(duì)于從哪一個(gè)缺陷起進(jìn)行修正等的坐標(biāo)及對(duì)象缺陷等的修正步驟，由檢查修正管理服務(wù)器224確定。異物去除激光光學(xué)系統(tǒng)230基本功能是異物去除，但必要時(shí)也可以用來(lái)進(jìn)行短路修正。
檢查工序250在一定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行處理，修正工序251的處理時(shí)間取決于修正對(duì)象的缺陷數(shù)。因此，在修正工序251需要處理時(shí)間時(shí)，基板210的傳送有可能停滯。因此，在基板210的傳送中空出大約半個(gè)基板至一個(gè)基板的間隔進(jìn)行傳送，修正工序251的處理時(shí)間差由這一傳送間隔調(diào)整。
就是說(shuō)，在檢查工序250和修正工序251中設(shè)置用來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的傳輸速度的速度控制功能233。它們也可以根據(jù)修正對(duì)象數(shù)將各修正頭設(shè)置多個(gè)來(lái)加速處理速度。另外，附圖標(biāo)記209表示載臺(tái)。
圖37為說(shuō)明使用具有掩模交換功能的激光電子電路圖形修正裝置的另一檢查和修正系統(tǒng)的示圖。與圖36相同的附圖標(biāo)記對(duì)應(yīng)同一功能部分。這一結(jié)構(gòu)，示出的是修正工序251的傳輸系統(tǒng)209具有兩個(gè)分支的示例。與圖36一樣，各修正頭在與傳送方向的正交方向上移動(dòng)，并且移動(dòng)到缺陷位置坐標(biāo)進(jìn)行修正。
傳輸系統(tǒng)是兩分支系統(tǒng)，但修正頭為一個(gè)單元，橫跨兩個(gè)傳輸系統(tǒng)移動(dòng)進(jìn)行修正。例如，由于對(duì)于一個(gè)缺陷進(jìn)行短路修正處理的時(shí)間，異物去除頭230和材料涂敷頭206空閑，了利用這些空閑頭對(duì)另一個(gè)基板進(jìn)行異物去除(也可以進(jìn)行短路修正)及斷線部的材料涂敷。
另外，傳送系統(tǒng)209可以分別獨(dú)立地進(jìn)行速度控制，在修正工序中，由于具有兩個(gè)傳送系統(tǒng)也可以進(jìn)行傳送調(diào)整，可使檢查工序250的處理速度保持一定。這些可利用速度控制功能233不斷監(jiān)視傳送速度，進(jìn)行控制，并由檢查修正管理服務(wù)器224確定修正方法、修正工序251的傳送方法。
以上說(shuō)明的是利用連續(xù)傳送進(jìn)行檢查和修正工序的處理的系統(tǒng)，即使是步進(jìn)傳送也可以進(jìn)行檢查和修正。此時(shí)，在檢查用相機(jī)中不是行傳感器停止使用之際，利用面?zhèn)鞲衅鬟M(jìn)行拍攝。另外，在如連續(xù)傳送那樣使用行傳感器的場(chǎng)合，在步進(jìn)傳送中拍攝動(dòng)畫。在修正工序中，在步進(jìn)停止時(shí)進(jìn)行修正。在此場(chǎng)合，檢查行和傳送行以不同的步進(jìn)和速度移動(dòng)。此外，即使是檢查工序是連續(xù)傳送，修正工序是步進(jìn)傳送，也可以做到上述檢查和修正。
以上是針對(duì)載置電子電路基板210的載臺(tái)209相對(duì)于裝置設(shè)置面為水平的場(chǎng)合的說(shuō)明，而在電子電路基板210大型化的場(chǎng)合，裝置的設(shè)置面積擴(kuò)大。于是，也可以如圖38所示。就是說(shuō)，圖38為說(shuō)明電子電路基板的另一設(shè)置形態(tài)的示圖。載置異物去除頭和材料涂敷頭的修正單元230，設(shè)置于移動(dòng)載臺(tái)235上，可以對(duì)基板210上的任意點(diǎn)進(jìn)行修正。
通過(guò)將迄今說(shuō)明的檢查和修正系統(tǒng)的傳送形態(tài)，如圖38所示，設(shè)置成為垂直或接近垂直的取向，可使裝置設(shè)置面積減小。此時(shí)，通過(guò)使檢查和修正工序的光學(xué)系統(tǒng)也在基板210的法線方向上構(gòu)成，可以與水平傳送同樣進(jìn)行檢查和修正。
作為本發(fā)明的實(shí)施例8，以TFT基板的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。
TFT基板的制造過(guò)程，包括在玻璃基板上形成柵電極的工序(柵電極形成工序)、在形成柵電極的玻璃基板上形成柵絕緣膜的工序(柵絕緣膜形成工序)、形成非晶硅等的TFT活性層(島形部)的工序(島形部形成工序)、漏源電極形成工序(漏源形成工序)、形成保護(hù)膜的工序(保護(hù)膜形成工序)。
此處，至少柵電極形成工序、島形部形成工序以及漏源電極形成工序(將這些工序稱為電路圖形形成工序)，在電路圖形(柵電極、島形部、漏源電極)的形成中利用光刻膠圖形刻蝕。
在實(shí)施例8中，在這些電路圖形形成工序的各個(gè)之中，在刻蝕之前，檢查光刻膠圖形，通過(guò)按照該檢查結(jié)果進(jìn)行光刻膠圖形的修正，將在電路圖形中可能產(chǎn)生的毛病在該電路圖形形成前予以修正。
圖39為用來(lái)說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例8的電路圖形形成工序的工藝過(guò)程圖。其中，是以電路圖形為漏源電極的場(chǎng)合為例進(jìn)行說(shuō)明的。
首先，通過(guò)成膜工序，在形成柵電極、柵絕緣膜及島形部的玻璃基板(中間品)上形成漏源膜(S3901)。之后，利用光刻膠膜涂敷及燒結(jié)工序涂敷光刻膠液并燒結(jié)，在漏源膜上形成光刻膠膜(S3902)。之后，進(jìn)行后述的曝光工序，在掩模投影圖形中反映對(duì)下層的電路圖形(柵電極、島形部)的光刻膠圖形的修正歷史(S3903)、顯影(S3904)，在漏源膜上形成光刻膠圖形。
其后，進(jìn)行光刻膠圖形的外觀檢查，檢測(cè)短路缺陷、斷開缺陷、異物混入等缺陷(S3905)。其中，在光刻膠圖形的外觀檢查裝置中，例如，可以利用已有的圖形匹配技術(shù)。就是說(shuō)，在利用吹風(fēng)等將光刻膠圖形上的可以去除的異物吹飛之后，對(duì)光刻膠圖形的拍攝圖像及預(yù)先準(zhǔn)備的光刻膠圖形的正常圖像進(jìn)行比較而檢測(cè)兩者不一致的部分。
之后，將檢測(cè)的不一致部分與預(yù)先對(duì)每個(gè)缺陷種類準(zhǔn)備的光刻膠圖形的缺陷圖像進(jìn)行比較。于是，將與最類似的缺陷圖像相對(duì)應(yīng)的缺陷種類作為由不一致部分產(chǎn)生的缺陷檢測(cè)。
在S3905中，在光刻膠圖形的外觀檢查中不存在異常的場(chǎng)合，就通過(guò)進(jìn)行刻蝕(S3907)及光刻膠圖形剝離(S3908)而形成漏源電極。
另一方面，在S3905中，在光刻膠圖形的外觀檢查中存在異常時(shí)，進(jìn)行后述的光刻膠圖形修正工序，在進(jìn)行針對(duì)漏源電極的光刻膠圖形的修正的同時(shí)，生成針對(duì)漏源電極的光刻膠圖形的修正歷史(S3906)。其后，通過(guò)進(jìn)行刻蝕(S3907)及光刻膠圖形剝離(S3908)而形成漏源電極。
圖40為用來(lái)說(shuō)明圖39所示的光刻膠圖形修正工序(S3909)的工藝過(guò)程圖。
首先，確認(rèn)在圖39所示的光刻膠圖形檢查工序(S3905)中檢測(cè)的缺陷種類(S4001)。在缺陷種類是短路缺陷時(shí)，就進(jìn)入到S4002～S4004的短路修正工序，在是斷開缺陷時(shí)就進(jìn)入到S4005～S4007的斷開缺陷修正工序，并且，在異物混入時(shí)則進(jìn)入到S4008～S4011的異物混入缺陷修正工序。
(1)短路缺陷修正工序在圖39所示的光刻膠圖形檢查工序(S3905)中，在圖41(A)所示的本來(lái)應(yīng)該分離的光刻膠圖形4100、4101由于部分A互相連接而形成的短路缺陷被檢測(cè)時(shí)，可選擇形成如圖41(B)所示的用來(lái)只對(duì)該部分A進(jìn)行激光照射的開口4103的加工用掩模4102(S4002)。
借助經(jīng)過(guò)具有與圖3所示的短路21部分的布線圖形形狀相同的激光透射圖形22的掩模5進(jìn)行激光照射，將短路21部分去除而使各像素每個(gè)彼此分離。之后，根據(jù)要修正的光刻膠膜的材料、膜厚等等選定激光的光強(qiáng)度、波長(zhǎng)、射束(脈沖)數(shù)等的加工條件(S4003)。
之后，如圖41(C)所示，在使選定的加工用掩模4102與部分A重合的同時(shí)，按照選定的加工條件使激光經(jīng)過(guò)該加工用掩模4102照射短路缺陷位置。此時(shí)，由拍攝裝置拍攝部分A，通過(guò)對(duì)拍攝的部分A的圖像進(jìn)行分光波形(例如RGB強(qiáng)度)分析而研究部分A的分光特性，由該分光特性測(cè)定部分A的殘膜的厚度，根據(jù)該測(cè)定結(jié)果改變激光的加工條件(射束)數(shù)進(jìn)行反饋控制也可以。
例如，也可以測(cè)定每一射束的膜厚的變化，利用測(cè)定結(jié)果計(jì)算除去殘膜所必需的射束數(shù)而改變加工條件?；蛘撸部梢詼y(cè)定部分A的殘膜的厚度分布，將在部分A中與其它部分相比厚度大(小)的部分的光強(qiáng)度加強(qiáng)(減弱)來(lái)改變加工條件。結(jié)果，如圖41(D)所示，部分A去除而使光刻膠圖形4100、4101分離(S4004)。
(2)斷開缺陷修正工序在圖39所示的光刻膠圖形檢查工序中(S3905)，在圖42(A)所示的本來(lái)應(yīng)該連接的光刻膠圖形4200、4201由于部分B互相分離而形成的斷開缺陷被檢測(cè)時(shí)，可對(duì)如圖42(B)所示的部分B進(jìn)行光刻膠液4202的局部再涂敷和燒結(jié)(S4005)。
此時(shí)，由拍攝裝置拍攝部分B，通過(guò)對(duì)拍攝的部分B的圖像進(jìn)行分光波形分析而研究部分B的分光特性，由該分光特性測(cè)定對(duì)部分B的再涂敷的光刻膠液的膜厚或硬度，根據(jù)該測(cè)定結(jié)果改變光刻膠液的射出數(shù)等涂敷條件及加熱溫度等燒結(jié)條件進(jìn)行反饋控制也可以。
例如，也可以測(cè)定每一射出的膜厚的變化，利用測(cè)定結(jié)果計(jì)算形成規(guī)定的光刻膠膜所必需的射出數(shù)而改變加工條件。或者，也可以測(cè)定在部分B上形成的光刻膠膜的硬度分布，將在部分B中與其它部分相比硬化程度小(大)的部分的加熱溫度加強(qiáng)(減弱)來(lái)改變加工條件。
另外，也可以在S4005之前，對(duì)部分B進(jìn)行激光照射而形成微細(xì)的凹部或形成粗糙度。這樣一來(lái)，就可以使光刻膠液具有對(duì)涂敷位置的自對(duì)準(zhǔn)功能。
之后，選擇如圖42(C)所示的用來(lái)對(duì)部分B再形成光刻膠圖形的再形成用掩模4203(S4006)。另外，根據(jù)再涂敷的光刻膠膜的材料、膜厚等，選定激光的波長(zhǎng)、射束數(shù)等加工條件。之后，如圖42(D)所示，在進(jìn)行使選定的再形成用掩模4203與部分B位置重合的同時(shí)，按照選定的加工條件，經(jīng)過(guò)該局部曝光用掩模4203對(duì)部分B照射激光而進(jìn)行整形(S4007)。
結(jié)果，如圖41(E)所示，在部分B上形成光刻膠膜而使光刻膠圖形4200、4201連接(S4007)。
另外，光刻膠液的涂敷以大概的精度進(jìn)行，如前所述，通過(guò)與電路圖形形狀相同的掩模圖形進(jìn)行激光照射也可以進(jìn)行形狀整形。就是說(shuō)，經(jīng)過(guò)具有與圖3的短路21部分的布線圖形形狀相同的激光透射圖形22的掩模5進(jìn)行激光照射，可以使短路21部分去除而使各像素每一個(gè)的像素電極34彼此分離。
(3)異物混入缺陷修正工序在圖39所示的光刻膠圖形檢查工序中(S3905)，在圖43(A)所示的利用吹風(fēng)等不能去除的異物4301混入光刻膠圖形4300的部分C的異物混入缺陷被檢測(cè)時(shí)，如圖43(B)所示，可對(duì)包含部分C及形成迂回圖形的部分的區(qū)域D進(jìn)行光刻膠液4203的局部再涂敷和燒結(jié)(S4008)。
此時(shí)，由拍攝裝置拍攝區(qū)域D，通過(guò)對(duì)拍攝的區(qū)域D的圖像進(jìn)行分光波形分析而研究區(qū)域D的分光特性，由該分光特性測(cè)定對(duì)區(qū)域D的再涂敷的光刻膠液的膜厚或硬度，根據(jù)該測(cè)定結(jié)果改變光刻膠液的射出數(shù)等涂敷條件及加熱溫度等燒結(jié)條件進(jìn)行反饋控制也可以。
例如，也可以測(cè)定每一射出的膜厚的變化，利用測(cè)定結(jié)果計(jì)算形成規(guī)定的光刻膠膜所必需的射出數(shù)而改變加工條件?；蛘?，也可以測(cè)定在區(qū)域D上形成的光刻膠膜的硬度分布，將在區(qū)域D中與其它部分相比硬化程度小(大)的部分的加熱溫度加強(qiáng)(減弱)來(lái)改變加工條件。
之后，選擇如圖43(C)所示的用來(lái)迂回該部分C形成光刻膠圖形的迂回用掩模4302(S4009)。另外，根據(jù)再涂敷的光刻膠膜的材料、膜厚等，選定激光的光強(qiáng)度、波長(zhǎng)等加工條件。之后，如圖43(D)所示，在進(jìn)行使選定的迂回用掩模4202與區(qū)域D位置重合的同時(shí)，按照選定的加工條件，經(jīng)過(guò)該迂回用掩模4202對(duì)區(qū)域D照射激光而進(jìn)行整形(S4010)。結(jié)果，如圖43(E)所示，在區(qū)域E形成迂回圖形4304。
另外，也可以在S4009之前，對(duì)部分C照射激光而將混入異物的光刻膠圖形部分去除。在此場(chǎng)合，在刻蝕層(底層)不產(chǎn)生膜剝離等的場(chǎng)合，也可以進(jìn)行與(2)斷開缺陷修正工序的場(chǎng)合同樣的處理(S4005～S4007)在部分C上再形成光刻膠圖形。
圖44為用來(lái)說(shuō)明圖39所示的電路圖形形成工序(S3903)的工藝過(guò)程圖。
首先，研究對(duì)下位的電路圖形層是否執(zhí)行圖40的S4008～4010(異物混入缺陷修正工序)。例如，在形成對(duì)象的電路圖形是漏源電極時(shí)，對(duì)作為下位的電路圖形層的島形部層或柵電極層，研究是否執(zhí)行圖40的S4008～S4010(S4401)。
在S4401中判斷為不執(zhí)行時(shí)，經(jīng)過(guò)通常的電路圖形工序(S4402)。另一方面，在S4401中判斷為執(zhí)行時(shí)，必須形成迂回電路。在用來(lái)形成電路圖形的曝光工序中，為了形成正常電路(不形成迂回電路的狀態(tài))圖形，不使用在圖40的S4008～S4010中進(jìn)行的修正。
于是，對(duì)這一坐標(biāo)部分涂敷光刻膠(利用光刻膠使正常電路圖形部分平坦化進(jìn)行再形成)(S4403)，利用激光加工形成與新的下層圖形重合的迂回電路(S4404)。
另外，在曝光工序使用DMD及液晶顯示裝置等的無(wú)掩模工序中，下面對(duì)方法有效。就是說(shuō)，在在S4401中判斷為不執(zhí)行時(shí)，使用對(duì)形成對(duì)象的電路圖形準(zhǔn)備的標(biāo)準(zhǔn)的曝光用掩模進(jìn)行曝光。另一方面，在S4401中判斷為執(zhí)行時(shí)，與在下位的電路圖形裝置中使用的迂回用掩模重合對(duì)曝光掩模進(jìn)行局部改變而進(jìn)行曝光。
例如，在島形部層(TFT活性層)的形成工序中，執(zhí)行圖40的S4008～S010的結(jié)果，如圖45(A)所示，在島形部4501在與本來(lái)的形成位置E為距離H的偏移位置F處形成時(shí)，在漏源電極層的形成工序中，執(zhí)行圖44的S4403，為了在該島形部4501上應(yīng)該形成的漏電極4502、源電極4503與此偏移重合并從本來(lái)的電極端部4504延長(zhǎng)一個(gè)距離H而形成，局部改變漏電極4502、源電極4503用的曝光掩模。于是，使用該曝光掩模進(jìn)行曝光。
下面對(duì)圖39所示的光刻膠圖形檢查工序(S3905)及光刻膠圖形修正工序(S3906)中使用的光刻膠圖形檢查和修正系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明。
圖46為示出在實(shí)施例8的光刻膠圖形檢查工序及光刻膠圖形修正工序中使用的光刻膠圖形檢查及修正系統(tǒng)的一例的示圖。
如圖所示，光刻膠圖形檢查和修正系統(tǒng)，具有檢查在流過(guò)載臺(tái)480上的TFT基板的半成品(在最上層形成光刻膠圖形的TFT基板)485上形成的光刻膠圖形的光刻膠圖形檢查裝置460，按照在光刻膠圖形檢查裝置460中的檢查結(jié)果對(duì)在流過(guò)載臺(tái)480的上的TFT基板的半成品485上形成的光刻膠圖形的缺陷進(jìn)行修正的光刻膠圖形修正裝置470和與光刻膠圖形檢查裝置460及光刻膠圖形修正裝置470相連接的LAN等的網(wǎng)絡(luò)490。
光刻膠圖形檢查裝置460，具有行傳感器461和缺陷檢測(cè)裝置462。行傳感器461，是由多個(gè)攝像元件(例如CCD相機(jī))排列而構(gòu)成的，可以對(duì)TFT基板的半成品485具備的至少一行大小的TFT元件的半成品進(jìn)行拍攝。
缺陷檢測(cè)裝置462，是檢測(cè)在TFT基板的半成品485上形成的光刻膠圖形的缺陷的計(jì)算機(jī)。在缺陷檢測(cè)裝置462上，針對(duì)在TFT基板上制作的TFT元件，預(yù)先登錄柵電極用的光刻膠圖形、柵絕緣膜用的光刻膠圖形、島形部用的光刻膠圖形及漏源電極用的光刻膠圖形各自的正常圖像。
另外，分別針對(duì)柵電極用的光刻膠圖形、柵絕緣膜用的光刻膠圖形、島形部用的光刻膠圖形及漏源電極用的光刻膠圖形中的每一個(gè)，對(duì)缺陷的每一種類(短路、斷開及異物混入等)預(yù)先進(jìn)行登錄。
缺陷檢測(cè)裝置462，將利用行傳感器461拍攝的各TFT元件的半成品的光刻膠圖形圖像與該光刻膠圖形的正常圖像進(jìn)行比較，利用圖形匹配技術(shù)檢測(cè)兩者不一致的部分。于是，將檢測(cè)的不一致部分與每個(gè)缺陷的種類預(yù)先登錄的該光刻膠圖形的缺陷圖像進(jìn)行比較，將與最類似的缺陷圖像相對(duì)應(yīng)的缺陷種類作為在不一致的部分中產(chǎn)生的缺陷檢測(cè)。之后，生成包含缺陷種類、缺陷發(fā)生地點(diǎn)的坐標(biāo)信息、缺陷發(fā)生地點(diǎn)的拍攝圖像的缺陷信息，經(jīng)過(guò)網(wǎng)絡(luò)490發(fā)送到光刻膠圖形修正裝置470。
另外，缺陷檢測(cè)裝置462，也可以將由行傳感器461拍攝的各TFT元件的半成品的光刻膠圖形圖像的各像素與鄰接像素(正常部)進(jìn)行比較，判定缺陷的存在。另外，也可以利用從光刻膠圖形圖像提取的特征量(形狀、顏色、膜厚等等)，判定缺陷的種類。另外，也可以通過(guò)與上述登錄圖像配合，有無(wú)缺陷及種類。
光刻膠圖形修正裝置470，具有將光刻膠液局部涂敷及燒結(jié)的涂敷燒結(jié)機(jī)構(gòu)471；進(jìn)行掩模和TFT基板的半成品485的缺陷部分的位置重合、利用激光加工對(duì)光刻膠圖形的缺陷部分進(jìn)行修正的拍攝激光光學(xué)系統(tǒng)472；以及控制裝置473?？刂蒲b置473，是控制涂敷燒結(jié)機(jī)構(gòu)471和拍攝激光光學(xué)系統(tǒng)472的計(jì)算機(jī)。
圖47為光刻膠圖形修正裝置470的概略構(gòu)成圖。
涂敷燒結(jié)機(jī)構(gòu)471(參照?qǐng)D46)具有涂敷機(jī)構(gòu)及燒結(jié)機(jī)構(gòu)。燒結(jié)機(jī)構(gòu)具有設(shè)置有可以局部改變熱量的加熱面的加熱器4715。涂敷機(jī)構(gòu)具有保持光刻膠液的分配器4711及驅(qū)動(dòng)分配器4711從分配器4711噴出光刻膠液的驅(qū)動(dòng)裝置4712。圖48為分配器4711的概略剖面圖。
如圖所示，分配器4711，具有形成噴出口的保持部47111；活塞部47112；以及輔助氣體引導(dǎo)部47113。在保持部47111中保持光刻膠液47114?；钊?7112，由驅(qū)動(dòng)裝置4712驅(qū)動(dòng)，將保持于保持部47111中的光刻膠液47114從噴出口壓出。另外，在保持于保持部47111中的光刻膠液47114和保持部47111之間可以填充氮?dú)獾扔脕?lái)使光刻膠液47114材料穩(wěn)定化的惰性氣體47115。
引導(dǎo)部47113形成于保持部47111的周圍，向著從保持部47111的噴出口的周圍將保持于保持部47111中的光刻膠液47114壓出方向?qū)尿?qū)動(dòng)裝置4712供給的氮?dú)獾榷栊詺怏w噴出。通過(guò)設(shè)置引導(dǎo)部47113，即使是將分配器4711配置于與TFT基板的半成品485的缺陷部分分離的位置時(shí)，也可以對(duì)該缺陷部分涂敷(散布)光刻膠液47114。
另外，為了可以利用后述的拍攝光學(xué)系統(tǒng)對(duì)涂敷于該缺陷部分的光刻膠液的涂敷狀態(tài)及燒結(jié)狀態(tài)以及利用激光加工的整形狀態(tài)等實(shí)時(shí)進(jìn)行監(jiān)視，分配器4711，如圖7所示，也可以配置于與拍攝光學(xué)系統(tǒng)及激光光學(xué)系統(tǒng)的光軸L不重合的位置。
拍攝激光光學(xué)系統(tǒng)472(參照?qǐng)D46)，具有激光光學(xué)系統(tǒng)及拍攝光學(xué)系統(tǒng)。此處，激光光學(xué)系統(tǒng)與拍攝光學(xué)系統(tǒng)具有相同的光軸L。
激光光學(xué)系統(tǒng)，具有激光振蕩器4721；由光束擴(kuò)展器及均化器等構(gòu)成的光束整形機(jī)構(gòu)4722；由掩模載臺(tái)等構(gòu)成的掩模機(jī)構(gòu)4723；成像透鏡4724；以及物鏡4725。從激光振蕩器4721照射的激光，利用光束整形機(jī)構(gòu)4722擴(kuò)展成為規(guī)定的束徑，并且整形成為使激光照射區(qū)域的激光強(qiáng)度分布成為規(guī)定的分布。
之后，整形了的激光，整形為與設(shè)置在掩模機(jī)構(gòu)4741上的掩模相應(yīng)的掩模投影圖形，之后，經(jīng)過(guò)成像透鏡4724及物鏡4725照射到設(shè)置在載臺(tái)480上的TFT基板的半成品485的缺陷部分上。
拍攝光學(xué)系統(tǒng)具有設(shè)置有AF(自動(dòng)聚焦)機(jī)構(gòu)的拍攝裝置(例如CCD相機(jī))4731；透鏡4732；半透明反射鏡4733；光刻膠圖形拍攝用照明裝置(例如光源用光纖)4734；聚光透鏡4735；半透明反射鏡4736；掩模拍攝用照明裝置(例如光源用光纖)4737；聚光透鏡4738；半透明反射鏡4739；透射照明用照明裝置(例如光源用光纖)4740；聚光透鏡4741。
拍攝裝置4731，經(jīng)過(guò)半透明反射鏡4733及透鏡4732對(duì)設(shè)置于掩模機(jī)構(gòu)4723中的掩模的影像進(jìn)行拍攝。此時(shí)，通過(guò)將掩模拍攝用照明裝置4737的光經(jīng)過(guò)聚光透鏡4738及半透明反射鏡4739照射到設(shè)置于掩模機(jī)構(gòu)4723中的掩模上來(lái)調(diào)節(jié)掩模的影像的亮度。另外，拍攝裝置4731經(jīng)過(guò)半透明反射鏡4733及透鏡4732對(duì)設(shè)置于載臺(tái)480的TFT基板的半成品485的影像進(jìn)行拍攝。
此時(shí)，通過(guò)將光刻膠圖形拍攝用照明裝置4734的光經(jīng)過(guò)聚光透鏡4735及半透明反射鏡4736照射到設(shè)置于載臺(tái)480中的TFT基板的半成品485來(lái)調(diào)節(jié)半成品485的影像的亮度。通過(guò)將透射照明用照明裝置4740的光經(jīng)過(guò)聚光透鏡4741從里側(cè)照射到設(shè)置于載臺(tái)480中的TFT基板的半成品485來(lái)調(diào)節(jié)半成品485的影像的亮度。
控制裝置473，經(jīng)過(guò)網(wǎng)絡(luò)490按照從缺陷檢測(cè)裝置462發(fā)來(lái)的缺陷信息，控制光刻膠圖形修正裝置470的各部，進(jìn)行局部光刻膠液的涂敷及燒結(jié)以及光刻膠圖形的缺陷修正。
(1)局部光刻膠液的涂敷及燒結(jié)控制裝置471，在從缺陷檢測(cè)裝置462接收到的缺陷信息中包含的缺陷種類是斷開缺陷或異物混入缺陷時(shí)，為了局部光刻膠液的涂敷及燒結(jié)進(jìn)行對(duì)光刻膠圖形修正裝置470的各部的控制。首先，控制載臺(tái)480，移動(dòng)設(shè)置于載臺(tái)480上的TFT基板的半成品485，以使包含于缺陷信息中的缺陷發(fā)生地點(diǎn)的坐標(biāo)信息表示的位置與分配器4711產(chǎn)生的光刻膠液的涂敷位置一致。
之后，控制驅(qū)動(dòng)裝置4712，使光刻膠液從分配器4711中噴出，涂敷光刻膠液使其覆蓋該半成品的光刻膠圖形的缺陷部分。此時(shí)，對(duì)利用拍攝裝置4731拍攝的光刻膠圖形缺陷部分的影像進(jìn)行分光波形分析，研究該缺陷部分的分光特性，由預(yù)先登錄到控制裝置471的分光特性及光刻膠液的膜厚的關(guān)系信息測(cè)定在該缺陷部分上再涂敷的光刻膠液的膜厚，并根據(jù)該測(cè)定結(jié)果進(jìn)行反饋控制改變光刻膠液的射出數(shù)等涂敷條件。
例如，測(cè)定每一射出的膜厚的變化，利用測(cè)定結(jié)果控制驅(qū)動(dòng)裝置4712，使為了形成規(guī)定的光刻膠膜所必需的射出數(shù)的光刻膠液從分配器4711噴出。另外，光刻膠液的膜厚也可以利用拍攝裝置4731具備的AF機(jī)構(gòu)的焦點(diǎn)位置的變化進(jìn)行測(cè)定。另外，也可以設(shè)置再涂敷的光刻膠液的壓出機(jī)構(gòu)(壓勺等)，并利用此壓出機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)光刻膠液的膜厚。
之后，控制加熱器4715，將再涂敷于TFT基板的半成品485的光刻膠缺陷部分上的光刻膠液燒結(jié)。此時(shí)，對(duì)利用拍攝裝置4731拍攝的光刻膠液的再涂敷部分的影像進(jìn)行分光波形分析，研究該再涂敷部分的分光特性，由預(yù)先登錄到控制裝置471的分光特性及光刻膠液的硬化度的關(guān)系信息測(cè)定該再涂敷部分的光刻膠液的硬化度，并根據(jù)該測(cè)定結(jié)果進(jìn)行反饋控制改變光刻膠液的燒結(jié)條件。
例如，測(cè)定再涂敷部分的光刻膠膜的硬度分布，控制加熱器4715以使在該再涂敷中與其它部分相比硬化程度小(大)的部分的加熱溫度加強(qiáng)(減弱)來(lái)改變加工條件。
(2)光刻膠圖形的缺陷修正控制裝置471，按照從缺陷檢測(cè)裝置462接收到的缺陷信息，為了光刻膠圖形的缺陷部分的修正進(jìn)行對(duì)光刻膠圖形修正裝置470的各部的控制。首先，將從缺陷檢測(cè)裝置462接收到的缺陷信息中包含的光刻膠圖形缺陷部分的拍攝圖像在未圖示的顯示裝置上顯示，使操作員將該缺陷部分修正用的掩模(加工用掩模、再形成用掩模、迂回用掩模)設(shè)置于掩模機(jī)構(gòu)4723上。
之后，對(duì)設(shè)置于掩模機(jī)構(gòu)4723上的掩模和設(shè)置于載臺(tái)480上的TFT基板的半成品485由拍攝裝置4731進(jìn)行拍攝，例如，為了使設(shè)置于掩模中的基準(zhǔn)標(biāo)記與半成品485的規(guī)定位置重合，通過(guò)控制載臺(tái)480，使設(shè)置在載臺(tái)480上的TFT基板的半成品485移動(dòng)。
之后，控制激光振蕩器4721，對(duì)TFT基板的半成品485的光刻膠圖形進(jìn)行整形。此時(shí)，對(duì)利用拍攝裝置4731拍攝的光刻膠圖形的缺陷部分的影像進(jìn)行分光波形分析，研究該缺陷部分的分光特性，由預(yù)先登錄到控制裝置471的分光特性及光刻膠膜的膜厚的關(guān)系信息測(cè)定在該缺陷部分上光刻膠膜的膜厚，并根據(jù)該測(cè)定結(jié)果進(jìn)行反饋控制改變激光的加工條件。
例如，測(cè)定每一射束的膜厚的變化，利用測(cè)定結(jié)果控制激光振蕩器4721以便輸出用于去除殘膜所必需的射束數(shù)的激光脈沖?；蛘撸瑴y(cè)定缺陷部分的殘膜的厚度分布，改變光束整形機(jī)構(gòu)4722以使在該缺陷部分中與其它部分相比厚度大(小)的部分的激光強(qiáng)度加強(qiáng)(減弱)。
另外，光刻膠圖形修正裝置470，如圖47所示，也可以具備利用吹風(fēng)、光分解、熱及化學(xué)處理分解等來(lái)去除混入到光刻膠圖形中的異物的異物去除機(jī)構(gòu)4750。
以上，對(duì)本實(shí)施例8進(jìn)行了說(shuō)明。在實(shí)施例8中，因?yàn)閷?duì)光刻膠圖形進(jìn)行修正，可以減小由于圖形缺陷的修正對(duì)圖形層的影響。另外，因?yàn)樵赥FT基板的各個(gè)圖形層的形成工序中進(jìn)行光刻膠圖形的檢查和修正，可以對(duì)各圖形層的圖形缺陷進(jìn)行修正。所以，可以在不降低電路圖形的質(zhì)量和精度的情況下防止在TFT基板上制作的電路圖形不合格的發(fā)生。
另外，在實(shí)施例8中，是對(duì)光刻膠圖形的缺陷部分進(jìn)行光刻膠液的再涂敷，但光刻膠材料也可以不是液狀。例如，可以采用圖49(A)所示的薄膜狀的光刻膠材料4901?；蛘撸部梢圆捎脠D49(B)所示的粒子狀的光刻膠材料4902。另外，在圖49中，附圖標(biāo)記4903是光刻膠膜，附圖標(biāo)記4904是刻蝕層(底層)。
雖然上面示出和描述了根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但應(yīng)該了解，公開的實(shí)施例可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行改變和改型。因此，本發(fā)明并不受限于上面的示出和描述的細(xì)節(jié)，而包括由所附的權(quán)利要求覆蓋的全部的改變和改型。
權(quán)利要求
1.一種圖形修正裝置，根據(jù)檢查裝置的檢查數(shù)據(jù)，對(duì)在基板上形成的電子電路圖形的缺陷進(jìn)行修正使其正?；涮卣髟谟诎▽?duì)與上述電子電路圖形的標(biāo)準(zhǔn)圖形形狀相同的區(qū)域照射激光的激光照射單元；從上述檢查裝置接收修正部附近圖像和修正部坐標(biāo)的檢查數(shù)據(jù)接收單元；從上述修正部附近圖像分離并檢測(cè)修正部和圖形的修正部及圖形檢測(cè)單元；將上述激光照射單元的照射區(qū)域分割為多個(gè)區(qū)域并確定照射順序的照射區(qū)域設(shè)定單元；檢測(cè)上述基板上的電子電路圖形和上述激光照射區(qū)域的偏離量的圖形偏離檢測(cè)單元；根據(jù)由上述圖形偏離檢測(cè)單元檢測(cè)的偏離量，使上述基板或上述激光照射區(qū)域中的至少一個(gè)移動(dòng)以使上述基板上的圖形和上述激光照射區(qū)域一致的位置調(diào)整單元；以及在上述激光照射單元的激光照射之后，判定上述電子電路圖形的缺陷修正是否成功的修正成否判定單元。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述激光照射單元，使用形成了具有與上述標(biāo)準(zhǔn)圖形同樣或?yàn)槠鋽?shù)倍大小的圖形的掩?；蚍瓷溏R，根據(jù)在上述基板上形成的修正對(duì)象的圖形形狀變更使用數(shù)種上述掩?；蚍瓷溏R。
3.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述位置調(diào)整單元，使用形成具有與上述標(biāo)準(zhǔn)圖形同樣或?yàn)槠鋽?shù)倍大小的圖形的掩模或反射鏡作為上述激光照射單元，可使上述基板與該掩?；蚍瓷溏R平行且同步移動(dòng)，可使上述掩?；蚍瓷溏R與上述基板同方向移動(dòng)，且該掩?；蚍瓷溏R的移動(dòng)量和上述基板的移動(dòng)量之比與在該掩模或反射鏡上形成的上述圖形和上述標(biāo)準(zhǔn)圖形的大小之比相等。
4.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述激光照射單元由多個(gè)遮光元件或反射鏡以格柵狀配置而成，具有可獨(dú)立控制各個(gè)上述遮光元件或反射鏡的單元。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述位置調(diào)整單元，根據(jù)在利用上述激光照射單元將在該掩?；蚍瓷溏R上形成的圖形進(jìn)行投影時(shí)的投影倍率，改變上述掩?；蚍瓷溏R的移動(dòng)量和作為修正對(duì)象的上述基板的移動(dòng)量之比。
6.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述修正部及圖形檢測(cè)單元具有從修正部和圖形的相對(duì)位置關(guān)系判定是否需要修正的判定單元。
7.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元將上述激光照射單元的照射區(qū)域分割以在上述各分割區(qū)域內(nèi)包含正常圖形部或已經(jīng)修正的圖形部，并確定照射順序。
8.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元，在為了使在上述基板上形成的圖形和上述激光照射區(qū)域重合而使用至少一個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)的同時(shí)，由利用上述修正部及圖形檢測(cè)單元檢測(cè)了該基準(zhǔn)點(diǎn)的修正部和圖形的相對(duì)位置確定該基準(zhǔn)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元使上述分割了的上述激光照射區(qū)域的外形為圓形、十二角形或八角形。
10.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元使上述分割了的上述激光照射區(qū)域的外形為四角形或六角形，且其角為圓形。
11.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元使用由上述檢查數(shù)據(jù)接收單元取得的上述修正部附近圖像確定該修正部附近的基準(zhǔn)點(diǎn)，對(duì)上述激光照射區(qū)域進(jìn)行分割。
12.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述修正成否判定單元，通過(guò)比較上述修正前后的圖像判定修正是否成功，并在判定修正未完成時(shí)再次進(jìn)行激光照射。
13.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述圖形偏離檢測(cè)單元將上述掩模像投影到上述載臺(tái)上的規(guī)定位置，在利用用于檢測(cè)上述基板上的圖形的單元檢測(cè)該掩模像并將其存儲(chǔ)之后，檢測(cè)上述基板上的圖形和上述存儲(chǔ)的圖形的偏離量。
14.如權(quán)利要求13所述的圖形修正裝置，其特征在于作為上述掩模像投影位置，在移動(dòng)上述載臺(tái)使上述基板傳送到上述載臺(tái)的位置時(shí)，上述掩模像投影區(qū)域存在于用來(lái)檢測(cè)上述基板上的圖形的單元內(nèi)的視野內(nèi)。
15.如權(quán)利要求13所述的圖形修正裝置，其特征在于上述掩模像投影單元是圖形修正裝置的激光器。
16.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述圖形偏離檢測(cè)單元，將上述掩模像投影到上述載臺(tái)上的規(guī)定位置，在利用用于檢測(cè)上述基板上的圖形的單元檢測(cè)該掩模像并將其存儲(chǔ)之后，提取該掩模圖形的輪廓，在上述基板上的圖形圖像上重合顯示，與上述掩模的移動(dòng)同步地移動(dòng)上述掩模像。
17.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述圖形偏離檢測(cè)單元，將上述掩模像投影到上述載臺(tái)上的規(guī)定位置，在對(duì)該掩模像利用用于檢測(cè)上述基板上的圖形的單元檢測(cè)并將其存儲(chǔ)之后，使上述掩模像和上述基板上的圖形圖像在同一畫面上的上下或左右分別顯示，與上述掩模的移動(dòng)同步地移動(dòng)上述掩模像。
18.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述圖形偏離檢測(cè)單元，利用不同的拍攝單元對(duì)上述掩模像和上述基板上的圖形進(jìn)行拍攝，使上述掩模像和上述基板上的圖形圖像在同一畫面上的上下或左右分別顯示。
19.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述圖形偏離檢測(cè)單元，將上述基板上的圖形圖像和上述掩模像一致時(shí)的該基板和該掩模的相對(duì)位置進(jìn)行存儲(chǔ)。
20.如權(quán)利要求1所述的圖形修正裝置，其特征在于上述照射區(qū)域設(shè)定單元，只對(duì)預(yù)先分割了的上述激光照射區(qū)域裝中的、包含由上述修正部及圖形檢測(cè)單元檢測(cè)的修正部的區(qū)域進(jìn)行激光照射。
21.一種圖形修正裝置，是形成了電子電路圖形的基板的圖形修正裝置，其特征在于包括對(duì)與標(biāo)準(zhǔn)圖形形狀相同的區(qū)域照射激光的激光照射單元；從檢查裝置接收修正部附近圖像和修正部坐標(biāo)的檢查數(shù)據(jù)接收單元；從上述修正部附近圖像分離并檢測(cè)修正部和圖形的修正部及圖形檢測(cè)單元；將上述激光照射區(qū)域分割為多個(gè)區(qū)域并確定照射順序的照射區(qū)域設(shè)定單元；檢測(cè)上述基板上的圖形和上述激光照射區(qū)域的偏離量的圖形偏離檢測(cè)單元；根據(jù)由上述電路圖形偏離檢測(cè)單元檢測(cè)的偏離量，使上述基板或上述激光照射區(qū)域中的至少一個(gè)移動(dòng)以使上述基板上的圖形和上述激光照射區(qū)域一致的位置調(diào)整單元；在激光照射之后，判定修正是否成功的修正成否判定單元；以及供給具有與上述電子電路圖形同等功能的涂敷材料，對(duì)圖形缺損部進(jìn)行補(bǔ)全的修正單元。
22.如權(quán)利要求21所述的圖形修正裝置，其特征在于至少涂敷覆蓋上述圖形的缺損部的量的涂敷材料，并將作為上述電子電路圖形多余的部分通過(guò)使用掩?；蚍瓷溏R而照射的激光去除。
23.一種圖形修正裝置，是形成了電子電路圖形的基板的圖形修正裝置，其特征在于包括對(duì)與標(biāo)準(zhǔn)圖形形狀相同的區(qū)域照射激光的激光照射單元；從檢查裝置接收修正部附近圖像和修正部坐標(biāo)的檢查數(shù)據(jù)接收單元；從上述修正部附近圖像分離并檢測(cè)修正部和圖形的修正部及圖形檢測(cè)單元；將激光照射區(qū)域分割為多個(gè)區(qū)域并確定照射順序的照射區(qū)域設(shè)定單元；檢測(cè)上述基板上的圖形和上述激光照射區(qū)域的偏離量的圖形偏離檢測(cè)單元；根據(jù)由上述電路圖形偏離檢測(cè)單元檢測(cè)的偏離量，使上述基板或上述激光照射區(qū)域中的至少一個(gè)移動(dòng)以使上述基板上的圖形和上述激光照射區(qū)域一致的位置調(diào)整單元；在激光照射后，判定修正是否成功的修正成否判定單元；對(duì)上述基板進(jìn)行拍攝的攝像元件；通過(guò)對(duì)該基板照射檢查光的垂直下射照明、斜向照明和透射照明中的任何一種單獨(dú)應(yīng)用或復(fù)合應(yīng)用，使上述電路圖形上存在的異物或斷線及短路等圖形缺陷顯現(xiàn)，并且利用圖像處理裝置對(duì)上述缺陷的提取及缺陷種類進(jìn)行分類的檢查單元；對(duì)上述圖形缺損部供給具有與該圖形同等功能的涂敷材料的材料涂敷單元；以及從上述電路圖形和上述涂敷材料的光學(xué)特性出發(fā)，通過(guò)對(duì)下射照明、斜向照明、透射照明、偏光照明、檢測(cè)等單獨(dú)應(yīng)用或復(fù)合應(yīng)用，對(duì)上述涂敷材料的涂敷量進(jìn)行計(jì)測(cè)，控制上述材料涂敷單元的涂敷量控制單元。
24.如權(quán)利要求23所述的圖形修正裝置，其特征在于在利用上述檢查單元實(shí)施的檢查工序和上述激光照射或涂敷布線材料的上述修正工序中，為了調(diào)整上述檢查工序和上述修正工序中的處理速度，上述檢查工序以一定的速度處理，并根據(jù)缺陷種類及缺陷大小、缺陷數(shù)控制在上述修正工序和上述檢查工序間的傳送及該修正工序的傳送速度。
25.如權(quán)利要求23所述的圖形修正裝置，其特征在于根據(jù)上述缺陷種類及缺陷大小、缺陷數(shù)，向多個(gè)修正傳送系統(tǒng)傳送基板，控制缺陷位置信息、缺陷修正方法和缺陷修正工序。
26.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于以在形成無(wú)機(jī)物或有機(jī)物的膜后，依次實(shí)施了光刻膠涂敷、曝光、顯影處理的玻璃基板作為對(duì)象，對(duì)顯影完成階段的光刻膠圖形進(jìn)行外觀檢查而提取致命缺陷位置信息，在將提取的致命缺陷位置的光刻膠圖形形狀修正為正常形狀之后，通過(guò)依次實(shí)施刻蝕、光刻膠剝離處理，將形成了膜的材料加工成為規(guī)定的圖形。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述玻璃基板上形成無(wú)機(jī)物或有機(jī)物的膜后，實(shí)施外觀檢查，將該檢查結(jié)果信息進(jìn)行存儲(chǔ)，在依次實(shí)施光刻膠涂敷、曝光、顯影處理之后，對(duì)顯影完成階段的光刻膠圖形進(jìn)行外觀檢查而提取致命缺陷位置信息，通過(guò)實(shí)施與先前存儲(chǔ)的成膜完成階段中的檢查結(jié)果信息的比較處理提取致命缺陷位置信息，根據(jù)提取的致命缺陷位置信息將光刻膠圖形形狀修正為正常形狀之后，通過(guò)依次實(shí)施刻蝕、光刻膠剝離處理，將形成了膜的材料加工成為規(guī)定的圖形。
28.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述玻璃基板上形成無(wú)機(jī)物或有機(jī)物的膜后，實(shí)施外觀檢查，在將在該外觀檢查中發(fā)現(xiàn)的異物去除的同時(shí)，將異物去除坐標(biāo)的信息進(jìn)行存儲(chǔ)，在依次實(shí)施光刻膠涂敷、曝光、顯影處理之后，對(duì)顯影完成階段的光刻膠圖形進(jìn)行外觀檢查而提取致命缺陷位置信息，在將提取的致命缺陷位置的光刻膠圖形形狀修正為正常形狀的同時(shí)，將光刻膠圖形修正坐標(biāo)位置進(jìn)行存儲(chǔ)，在通過(guò)依次實(shí)施刻蝕、光刻膠剝離處理，將形成了膜的材料加工成為規(guī)定的圖形時(shí)，根據(jù)先前存儲(chǔ)了的成膜完成階段的檢查結(jié)果信息及光刻膠圖形修正坐標(biāo)信息對(duì)致命異物發(fā)生狀況進(jìn)行管理，同時(shí)，在超過(guò)一定的管理基準(zhǔn)時(shí)，發(fā)出警告并指示出對(duì)策。
29.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有多個(gè)通過(guò)在上面形成了光刻膠圖形的層進(jìn)行刻蝕而形成的圖形層，其特征在于在上述各個(gè)圖形層的形成工序中，在上述刻蝕之前，進(jìn)行光刻膠圖形的檢查工序和按照上述檢查工序的檢查結(jié)果修正光刻膠圖形的修正工序。
30.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述修正工序，包含在上述檢查工序的檢查結(jié)果示出光刻膠圖形的短路缺陷時(shí)，通過(guò)激光加工對(duì)該光刻膠圖形的短路缺陷部分進(jìn)行斷開的處理。
31.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述修正工序，包含在上述檢查工序的檢查結(jié)果示出光刻膠圖形的斷開缺陷時(shí)，對(duì)該光刻膠圖形的斷開缺陷部分再涂敷光刻膠材料的處理；和對(duì)該光刻膠材料的再涂敷部分進(jìn)行激光加工而在局部再形成光刻膠圖形的處理。
32.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述修正工序，包含在上述檢查工序的檢查結(jié)果示出有異物混入光刻膠圖形中時(shí)，對(duì)該光刻膠圖形的包含異物混入的區(qū)域再涂敷光刻膠材料的處理；和對(duì)該光刻膠材的再涂敷部分進(jìn)行激光加工，在局部再形成光刻膠圖形以使應(yīng)該在該異物混入部分形成的光刻膠圖形偏移而避開該異物混入部分的處理。
33.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于包含以下處理，即，在采用局部偏移了的光刻膠圖形形成的圖形是島形部時(shí)，在比該島形部更上位的圖形層的形成工序中，形成局部變形的光刻膠圖形，以使得在假設(shè)上述偏移不存在時(shí)可能形成的該島形部的位置上應(yīng)該形成的光刻膠圖形，延伸到由于上述偏移了的光刻膠圖形而形成的該島形部的位置。
全文摘要
提供一種圖形修正裝置和顯示裝置的制造方法，在由兩條柵布線和兩條漏布線包圍的區(qū)域中有像素，對(duì)相鄰像素電極的短路缺陷，經(jīng)過(guò)具有與該短路部分的柵布線和漏布線及像素電極的圖形相對(duì)應(yīng)的透射圖形的掩模進(jìn)行激光照射使短路部分去除。上述短路部分的去除，可通過(guò)利用檢查裝置發(fā)出的信息與正常的圖形進(jìn)行比較而了解到，并可以對(duì)在基板上形成的圖形缺陷自動(dòng)進(jìn)行修正。因此，通過(guò)將上述方法應(yīng)用于顯示裝置的制造工序，特別是光刻膠圖形形成工序，可以實(shí)現(xiàn)具有高質(zhì)量的吸收特性的顯示裝置。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1755437SQ200510078160
公開日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者中須信昭, 山田薰, 田中雄一郎, 新井武, 樸木秀行, 吉村和士, 川村徹也, 大川政德 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器