專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件及其制造方法，特別涉及一種LCD器件及其制造方法，通過減少用于制造多晶硅薄膜晶體管的掩模數(shù)量簡化制造工藝并提高生產率。
背景技術：
最近，隨著信息顯示技術的研究和發(fā)展及使用便攜式(移動)信息介質的需求與日俱增，正在積極地研究一種能夠替代現(xiàn)有的顯示器件CRT的輕薄膜型平板顯示器(FPD)并使其商業(yè)化。
FPD中，特別是LCD，一種通過使用液晶的光學各向異性特性而產生圖像的器件，表現(xiàn)了其極高的清晰度、彩色顯示功能及圖像質量，因此其常用于筆記本電腦、臺式機監(jiān)視器等中。
液晶顯示面板包括濾色片基板，即第一基板；陣列基板，即第二基板；及在濾色片基板及陣列基板之間形成的液晶層。
使用薄膜晶體管(TFT)作為液晶顯示器件的開關器件，及使用非晶硅薄膜或多晶硅薄膜作為TFT的溝道層。
在LCD器件的制造過程中，需要多輪掩模工序(即，光刻工序)制造包括TFT的陣列基板，因此需要一種減少掩模工序數(shù)量的方法以提高生產率。
通常使用的LCD器件結構現(xiàn)在將參考圖1進行說明。
圖1所示為通常使用的LCD的陣列基板的部分平面圖。雖然實際的陣列基板包括M×N個像素，N條柵線及M條數(shù)據(jù)線互相交叉，但為了說明，圖1僅示出一個像素。
如圖所示，柵線16及數(shù)據(jù)線17垂直及水平放置在陣列基板10上以限定一個像素區(qū)。在柵線16及數(shù)據(jù)線17的交叉點處形成作為開關器件的TFT。在各像素區(qū)內形成像素電極18。
TFT包括連接至柵線16的柵極21、連接至數(shù)據(jù)線17的源極22、及連接至像素電極18的漏極23。TFT還包括第一絕緣膜(未示出)、第二絕緣膜(未示出)，以絕緣柵極21和源極/漏極22和23；以及有源圖案24以通過在柵極21施加柵電壓而在源極22與漏極23之間形成導電溝道。
通過在第一及第二絕緣膜上形成的第一接觸孔40A，源極22電性連接至有源圖案24的源區(qū)，漏極23電性連接至有源圖案24的漏區(qū)。
在漏極23上形成具有第二接觸孔40B的第三絕緣膜(未示出)，以使得漏極23與像素電極18通過第二接觸孔40B電性連接。
上述陣列基板的制造工藝現(xiàn)將參考圖2A至2F做出說明。
圖2A至2F為沿圖1中的線I-I’提取的陣列基板制造工序的順序截面圖。這里的TFT為使用多晶硅作為溝道層的多晶硅TFT。
如圖2A所示，通過使用光刻工藝(第一掩模工藝)在基板10上形成作為多晶硅薄膜的有源圖案24。
接著，如圖2B所示，第一絕緣膜15A及導電金屬材料順序沉積在其上形成有有源圖案24的基板10的整個表面上，然后，通過使用光刻工藝(第二掩模工藝)對導電金屬材料有選擇地構圖以在有源圖案24上方形成柵極21而第一絕緣膜15A插入其中。
這以后，通過使用柵極21作為掩模，向有源圖案24的特定區(qū)域內注入高濃度雜質離子，形成p+型或n+型源/漏區(qū)24A和24B。形成的源/漏區(qū)24A和24B用于歐姆接觸源極/漏極(以后說明)。
然后，如圖2C所示，第二絕緣膜15B設置在其上形成有柵極21的基板10的整個表面，接著，通過光刻工藝(第三掩模工藝)去除第一及第二絕緣膜15A和15B的一部分以形成使得源區(qū)/漏區(qū)24A和24B的一部分暴露的第一接觸孔40A。
接下來，如圖2D所示，導電金屬材料沉積在基板10的整個表面然后通過光刻工藝(第四掩模工藝)在其上形成圖案以形成通過第一接觸孔40A與源區(qū)24A相連接的源極22及與漏區(qū)24B相連接的漏極23。在這種情況下，組成源極22的一部分導電金屬層沿一個方向延伸以形成數(shù)據(jù)線17。
接著，如圖2E所示，第三絕緣膜15C沉積在基板10的整個表面，然后，通過光刻工藝(第五掩模工藝)形成第二接觸孔40B使得漏極23的一部分暴露。
最后，如圖2F所示，透明導電金屬材料沉積在其上形成有第三絕緣膜15C的基板10的整個表面上，然后通過光刻工藝(第六掩模工藝)形成圖案以形成通過第二接觸孔40B與漏極23相連接的像素電極18。
如上所述，在制造包括多晶硅TFT的陣列基板過程中，需要總共六輪光刻工藝以形成有源圖案、柵極、第一接觸孔、源極/漏極、第二接觸孔及像素電極。
光刻工藝是一種將在掩模上所形成的圖案轉移到沉積有薄膜的基板上以形成所需要的圖案的過程，包括多個過程例如提供感光液、曝光及顯影過程。因此，這些繁多的光刻工藝降低了生產率并嚴重導致了所制造的TFT性能惡化的可能。
特別是，設計形成圖案的掩模價格昂貴，因此在工藝生產中所使用的掩模數(shù)量的增加將導致制造費用相應地提高。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一個優(yōu)點在于提供一種LCD器件及其制造方法，該方法能夠通過同時形成柵極、數(shù)據(jù)線及像素電極以減少在制造薄膜晶體管(TFT)中使用的掩模數(shù)量。
本發(fā)明的另一優(yōu)點在于提供一種LCD器件及其制造方法，能夠在進行源極/漏極構圖的同時去除暴露像素電極的柵金屬以防止由于像素電極邊緣的底切(undercut)引起的與漏極斷開的缺陷。
為達到本發(fā)明的如具體表達和概括描述的這些及其他的一些優(yōu)點及發(fā)明的目的，提供了一種用于制造LCD器件的方法，包括提供第一及第二基板；在第一基板上形成具有源域、漏域及溝槽域的有源層；在第一基板上形成第一絕緣層；在第一基板上形成第一和第二導電層；通過在第一和第二導電層上形成圖形以形成柵極、柵線及像素電極；在第一基板上形成第二絕緣層；通過移除第一和第二絕緣層的一部分及移除像素電極上部的第二絕緣層以形成使源域和漏域的一部分曝光的接觸孔；在第一基板上形成第三導電層；利用在第三導電層上形成圖案及使像素電極上部的第二導電層曝光，形成通過接觸孔與源域和漏域電性連接的源極和漏極；及在第一和第二基板之間形成液晶層。
為了達到上述優(yōu)點，本發(fā)明還提供了一種制造LCD器件的方法，包括提供第一和第二基板；在第一基板上形成有源層；在第一基板上形成第一絕緣層；形成具有包含第一和第二導電層的雙層結構的柵極、柵線和像素電極；形成使有源層和像素電極的一部分曝光的第二絕緣層；利用在第三導電層上形成圖案及使第一導電層的像素電極曝光以形成通過接觸孔與有源層的一部分電性連接的源極和漏極；及在第一和第二基板之間形成液晶層。
為了達到上述優(yōu)點，本發(fā)明又提供了一種液晶顯示(LCD)器件，包括第一和第二基板；第一基板上的有源層；第一基板上的第一絕緣層；柵極、柵線和像素電極，柵極、柵線具有第一和第二導電層，像素電極具有第一導電層；第一基板上的第二絕緣層，該第二絕緣層具有接觸孔；第一基板上的源極和漏極，該源極通過接觸孔與源域相連接及漏極通過接觸孔與漏域相連接；及在第一和第二基板之間的液晶層。
所附的附圖結合構成說明書的一部分，更清楚的表明本發(fā)明的前述及其它的目的、特征、方面及優(yōu)點。


所附的附圖被包括用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并結合構成說明書的一部分，示出本發(fā)明的各種實施方式，而且與下面的描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1所示為常用LCD器件的陣列基板一部分的平面圖；圖2A至2F所示為沿圖1中的線I-I’提取的陣列基板制造工序的順序截面圖；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的陣列基板一部分的平面圖；圖4A至4D所示為沿圖3中的線III-III’提取的陣列基板制造工序的順序截面圖；圖5A至5D所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式同時形成圖4B和4C中的柵極、柵線和像素電極的工藝；圖6A至6D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板制造工序的順序截面圖；圖7A至7D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板制造工序的順序平面圖；圖8A至8D為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式形成圖6B至6D中的柵極、柵線和像素電極的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將結合附圖詳細描述本發(fā)明的LCD器件及其制造方法的優(yōu)選實施例。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的陣列基板的一部分平面圖，尤其示出了包括薄膜晶體管(TFT)的一個像素。雖然實際的LCD器件包括M×N個像素，N條柵線及M條數(shù)據(jù)線互相交叉，但為了方便說明在圖3中僅示出一個像素。
在該實施例中，以使用多晶硅薄膜作為溝道層的多晶硅TFT作為舉例說明，本發(fā)明并不局限于此，非晶硅薄膜也可以用作TFT的溝道層。
如圖所示，柵線116和數(shù)據(jù)線117垂直和水平放置在陣列基板110上，以限定一個像素區(qū)。另外，在柵線116和數(shù)據(jù)線117的交叉點處形成作為開關器件的TFT，而且，在像素區(qū)中形成與TFT相連并與濾色片基板(未示出)的公共電極一起驅動液晶的像素電極150B。
TFT包括與柵線116相連接的柵極121、與數(shù)據(jù)線117相連接的源極122及與像素電極150B相連接的漏極123。另外，TFT還包括第一和第二絕緣膜(未示出)以絕緣柵極121和源極/漏極122和123，以及有源圖案124用于通過在柵極121施加的柵電壓而在源極122和漏極123之間形成導電溝道。
通過在第一和第二絕緣膜上形成的接觸孔140，源極122的一部分與有源圖案124的源區(qū)電性連接及漏極123的一部分與有源圖案124的漏區(qū)電性連接。源極122的另一部分與數(shù)據(jù)線117相連接以形成數(shù)據(jù)線117的一部分并且漏極123的另一部分延伸至像素區(qū)以與像素電極150B電性連接。
由柵金屬形成的導電圖案160B’(即構成柵極121和數(shù)據(jù)線116的導電金屬)保留在像素電極150B的邊緣，并且通過在同一層上同時形成像素極150B以及柵極121和數(shù)據(jù)線116，能夠減少用于制造TFT的掩模數(shù)量，現(xiàn)詳細描述陣列基板的制造工藝。
圖4A至4D所示為沿圖3中的線III-III’提取的陣列基板制造工藝的順序截面圖。
如圖4A所示，通過使用光刻工藝(第一掩模工藝)在由例如玻璃的透明絕緣材料制成的基板110上形成作為硅層的有源圖案124。
在這種情況下，可以在基板110上形成作為二氧化硅(SiO2)膜的緩沖層，其上可形成有源圖案124。該緩沖層用于防止在制造工序中玻璃基板110上存在的例如鈉(Na)離子的雜質滲透到上層。
硅層能夠形成為非晶硅薄膜或結晶的硅薄膜，并且在本發(fā)明中，通過使用結晶的多晶硅薄膜形成TFT。通過在基板上形成非晶硅薄膜后使用多種結晶方法可形成多晶硅薄膜，下面做出說明。
首先，非晶硅薄膜可通過多種方法沉積形成，其中典型的方法為低壓化學汽相沉積(LPVCD)及等離子增強化學汽相沉積(PECVD)。
之后，為了去除存在于非晶硅薄膜中的氫原子，執(zhí)行脫氫工序，然后在其上進行結晶。為了結晶非晶硅薄膜，可使用固相結晶法(SPC)使非晶硅薄膜結晶，該方法是在高溫爐中對非晶薄膜進行高溫處理或使用激光對其進行準分子激光退火處理(ELA)。
在激光結晶法中，ELA經(jīng)常使用脈沖形式的激光，并且最近，正在研究使晶粒橫向(平行方向)生長的顯著改善結晶特性的連續(xù)橫向固化(sequentiallateral solidification)法(SLS)。
SLS利用了晶粒在垂直方向朝液相硅和固相硅的交界面生長的事實。通過適當控制激光能量和激光輻射范圍，使晶粒橫向生長到一定長度，可以增大硅晶粒的尺寸。
圖4B和4C示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式同時形成柵極、柵線和像素電極的工藝，現(xiàn)參考圖5A到5D進行說明。
如圖5A所示，在其上形成有有源圖案124的基板110上的整個表面依次形成第一絕緣膜115A即柵絕緣膜、第一導電膜150和第二導電膜160。
為形成像素電極，第一導電膜150由具有極好傳導性能的透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成，而為了形成柵極和柵線，第二導電膜160由低阻的不透明導電材料如鋁、鋁合金、鎢、銅、鉻、鉬等形成。
其次，如圖5B(或圖4B)所示，為形成柵極121、柵線116和像素電極150B，通過使用光刻工藝(第二掩模工藝)對第二導電膜160和第一導電膜150有選擇地進行構圖。
柵極121包括形成為透明的第一導電膜的第一柵極圖案150A、形成為不透明的第二導電膜的第二柵極圖案160A，并且與像素電極150B形狀相同的形成為不透明第二導電膜的像素電極圖案160B保留在由透明第一導電膜形成的像素電極150B上。
然后，再通過使用柵極121作為掩模將雜質離子(即摻雜劑)注入到有源圖案124的一定區(qū)域內以形成源區(qū)124A和漏區(qū)124B，即，歐姆接觸層。在這種情況下，柵極121作為離子阻擋層，防止摻雜劑(dopant)滲透到有源圖案124的溝道區(qū)124C中。
有源圖案124的電特性能夠隨所注入的摻雜劑的類型而改變，并且如果所注入的摻雜劑為第三族元素例如硼(B)，則形成P型TFT，而如果注入的摻雜劑為五族元素例如磷(P)，則形成N型TFT。
離子注入工序之后，可以開始執(zhí)行激活所注入的摻雜劑的工序。
之后，如圖5C所示，第二絕緣膜115B沉積在其上形成有柵極121、柵線116和像素電極150B的基板110的整個表面上，以形成由感光材料例如光刻膠制成的感光膜170。
為了具有高孔徑比，第二絕緣膜115B可由透明有機絕緣材料例如苯并環(huán)丁稀(BCB)或丙烯酸數(shù)脂形成。
然后，如圖5D所示，通過光刻工藝(第三掩模工藝)將光照射到感光膜上，將曝光的感光膜170顯影以形成感光膜圖案170’，從而形成接觸孔并打開像素電極區(qū)。
接著，通過使用感光膜圖案170’作為掩模，去除第二絕緣膜115B和第一絕緣膜115A的一部分以形成使得有源圖案124的源區(qū)/漏區(qū)124A和124B的一部分暴露的一對接觸孔140，與此同時，去除第二絕緣膜115B和像素電極區(qū)上的形成為第二導電膜的像素電極圖案160B，使得由透明導電材料形成的作為第一導電膜的像素電極150B的表面暴露。
由于光刻設備和掩模之間存在對準余量，打開的像素電極區(qū)向內偏離像素電極150B一定距離，留下了像素電極150B邊緣的上部形成作為第二導電膜的第二導電膜圖案160B’。
不使用掩模而是使用第二絕緣膜115B的圖案(或感光膜圖案170’)去除保留在像素電極150B上部的像素電極圖案160B，這樣在接觸孔140形成的同時能夠打開像素電極去，在這種情況下，就會過度蝕刻第二導電膜即像素電極圖案160B，因此在位于像素電極150B邊緣上部的第二絕緣膜115B與第二導電膜圖案160B’之間的邊界處就會產生底切。
之后，如圖4C所示，去除感光膜圖案170’然后執(zhí)行兩次光刻工藝以形成柵極121、柵線116和像素電極150B。
接下來，如圖4D所示，第三導電膜沉積在基板110的整個表面然后通過光刻工藝(第四掩模工藝)在其上形成圖案以形成通過接觸孔140與源區(qū)124A相連接的源極122和與漏區(qū)124B相連接的漏極123。
源極122的一部分沿一個方向延伸以形成數(shù)據(jù)線117，并且漏極123的一部分沿像素電極150B方向延伸以與像素電極150B相連接。
在根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的陣列基板的制造過程中，在柵極、柵線和像素電極上同時形成圖案并減少了形成接觸孔的工序，這樣其與常用的制造工序相比減少了兩輪掩模工藝。因此，由于制造工序的簡化和制造費用的減少而提高了生產率。
但是，如上所述，由于在位于像素電極150B邊緣上部的第二導電膜圖案160B’上產生的底切，可能無法使漏極123和像素電極150B相連接。
這樣，在下面形成源極/漏極的工序中，為了防止由于第二導電膜圖案的底切而無法連接漏極123和像素電極150B的缺陷，需要蝕刻第二導電膜以打開像素電極區(qū)。這將在本發(fā)明第二實施方式中詳細說明。
圖6A至6D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板制造工序的順序截面圖，圖7A至7D所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板制造工序的順序平面圖。
除了為防止在蝕刻第二絕緣膜和像素電極區(qū)的第二導電膜時由于第二導電膜圖案上的底切而使漏極123和像素電極150B之間斷開從而改變工藝的次序以外，第二實施例中LCD器件的制造工藝與第一實施例中相同。
參考圖6A和7A，通過使用光刻工藝(第一掩模工藝)在由透明絕緣材料例如玻璃形成的基板210上形成作為硅層的有源圖案224。
接著，如圖6B和7B所示，第一絕緣膜215A、第一導電膜和第二導電膜在基板210的整個表面上順序形成。
之后，通過使用光刻工藝(第二掩模工藝)對第二和第一導電膜有選擇地構圖以同時形成柵極221、柵線216和像素電極250B。
柵極221包括作為透明第一導電膜的第一柵極圖案250A和作為不透明第二導電膜的第二柵極圖案260A，與像素電極250B形狀相同的作為不透明第二導電膜的像素電極圖案260B保留在由透明第一導電膜形成的像素電極250B上。
之后，通過使用柵極221作為掩模，將雜質離子(即，摻雜劑)注入到有源圖案224的特定區(qū)域中以形成源區(qū)224A和漏區(qū)224B，即歐姆接觸層。
為了防止第一實施方式中由于第二導電膜圖案的底切引起的漏極與像素電極斷開，在第二實施方式中，在下述形成源極/漏極的工藝中蝕刻第二導電膜以打開像素電極區(qū)。這將通過下面的圖6C和6D中進行詳細描述。
如圖6C和7C所示，第二絕緣膜215B沉積在其上形成有柵極221、柵線和像素電極250B的基板210的整個表面，然后通過光刻工藝(第三掩模工藝)對其構圖以在源區(qū)/漏區(qū)224A和224B形成接觸孔240并同時打開像素電極區(qū)。在該實施方式中，僅去除像素電極區(qū)的第二絕緣膜215B以留下在像素電極250B上部的由第二導電膜形成的像素電極圖案260B。
第三掩模工藝將通過圖8A至8D在下面詳細描述。
首先，如圖8A所示，在其上形成有第二絕緣膜215B的基板210的整個表面形成由感光材料例如光刻膠形成的第一感光膜270。
之后，如圖8B所示，通過光刻工藝向第一感光膜270上照射光然后使曝光的第一感光膜270進行顯影以形成第一感光膜圖案270’，以形成接觸孔并打開像素電極區(qū)。
接下來，通過使用第一感光膜圖案270’作為掩模，去除第二絕緣膜215B和第一絕緣膜215A的一部分以形成使有源圖案224的源區(qū)/漏區(qū)224A和224B的一部分暴露的一對接觸孔240，同時去除像素電極區(qū)的第二絕緣膜215B以使作為第二導電膜的像素電極圖案260B表面曝光。
之后，如圖8C所示，第三導電膜280沉積在基板210的整個表面上，然后對源極/漏極構圖而形成第二感光膜370。
這時，由于第三導電膜280直接沉積在像素電極去的像素電極圖案250B的上部以電性連接像素電極圖案250B，因此雖然通過蝕刻工藝(以后說明)去除了部分像素電極圖案250B和第三導電膜280，但不會產生第一實施方式中漏極與像素電極之間斷開的現(xiàn)象。
通過光刻工藝(第四掩模工藝)向第二感光膜370上照射光，然后將曝光的第二感光膜370顯影以形成第二感光膜圖案370’，從而限定源區(qū)/漏區(qū)并去除像素電極區(qū)的像素電極圖案260B。
通過使用第二感光膜圖案370’作為掩模去除第三導電膜280的一部分以同時形成通過接觸孔240與源區(qū)224A相連接的源極222和與漏區(qū)224B相連接的漏極223，與此同時，去除像素電極區(qū)的像素電極圖案260B以暴露作為透明第一導電膜的像素電極250B的表面。
在這種情況下，為了通過一次蝕刻工藝同時蝕刻構成源極/漏極222和223的第三導電膜及構成像素電極圖案260B的第二導電膜，第二和第三導電膜可由相同的導電金屬材料形成。
與本發(fā)明第一實施例的理由相同，沒有被蝕刻的像素電極區(qū)的像素電極圖案260B保留在像素電極250B邊緣的上部，以形成第二導電膜圖案260B’。
當去除保留在像素電極250B的上部、作為第二導電膜的像素電極圖案260B時，同時形成源極/漏極222和223，雖然由于過度蝕刻第二導電膜引起在第二導電膜圖案260B’邊界處產生底切，但是由于漏極223和第二導電膜圖案260B’互相連接，因此不會產生本發(fā)明第一實施方式中的漏極223與像素電極250B之間斷開的缺陷。
之后，如圖6D和7D所示，當去除第二感光膜圖案370’時，形成柵極221、源極/漏極222和223以及像素電極250B。
這時，源極222的一部分沿一個方向中延伸以形成數(shù)據(jù)線217，漏極223的一部分朝向像素區(qū)延伸以與像素電極250B相連接。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD器件及其制造方法具有許多優(yōu)點。
即，例如由于在柵極和像素電極上同時構圖，能夠減少用于制造TFT的掩模數(shù)量，這樣，就能夠減少制造工序和成本。
另外，在通過第四掩模結構制造陣列基板的過程中，解決了當打開像素電極區(qū)時所產生的漏極和像素電極之間斷開的缺陷，從而提高了生產率。
在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，本發(fā)明還可有其它多種實施方式，應當理解，上述的實施例并不限于前述描述的任何細節(jié)，除非另外指出，其可以在所附權利要求的精神和限定的范圍內廣泛的構造，因此在權利要求及其等同范圍內的所有改變和變型都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，包括提供第一和第二基板；在所述第一基板上形成具有源區(qū)、漏區(qū)及溝道區(qū)的有源層；在所述第一基板上形成第一絕緣層；在所述第一基板上形成第一和第二導電層；通過對所述第一和第二導電層上構圖形成柵極、柵線及像素電極；在所述第一基板上形成第二絕緣層；通過去除所述第一和第二絕緣層的一部分及去除位于所述像素電極上部的第二絕緣層，形成暴露出所述源區(qū)和漏區(qū)的一部分的接觸孔；在所述第一基板上形成第三導電層；通過對所述第三導電層構圖并暴露位于所述像素電極上部的第二絕緣層，形成通過所述接觸孔與所述源區(qū)和漏區(qū)電性連接的源極和漏極；及在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于由硅層形成所述有源層。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于由結晶硅層形成所述硅層。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于通過對所述第一和第二導電層構圖，使得所述柵極和柵線由具有第一和第二導電層的雙層結構形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于通過對所述第一和第二導電層上構圖，使得所述像素電極由第一導電層形成。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于所述像素電極的上部保留所述第二導電層的像素電極圖案。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于去除所述像素電極上的第二絕緣層以暴露所述像素電極圖案。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于所述第一或第二導電膜由氧化銦錫和氧化銦鋅之一形成。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于所述第二導電層由鋁、鋁合金、鎢、銅、鉻和鉬之一形成。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括對所述像素電極上的第二導電膜構圖以在像素電極上部的外圍暴露電性連接至所述漏極的第二導電層圖案。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于當所述漏極的一部分電性連接至位于像素電極上的第二導電層圖案時，對位于所述像素電極上的第三和第二導電膜構圖。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于所述用于形成接觸孔的掩模包括用于打開像素電極區(qū)的像素電極圖案。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于使用掩模去除所述像素電極上的第二絕緣層，暴露出像素電極上的第二導電層。
14.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵極之后，通過使用柵極作為掩模將雜質離子注入到有源層的區(qū)域內形成源區(qū)和漏區(qū)。
15.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于形成所述接觸孔和去除像素電極上的第二絕緣層的步驟同時進行。
16.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于形成所述源極和漏極及暴露所述像素極上的第二導電層的步驟同時進行。
17.一種制造液晶顯示器件的方法，包括提供第一和第二基板；在所述第一基板上形成有源層；在所述第一基板上形成第一絕緣層；形成包含第一和第二導電層的雙層結構的柵極、柵線及像素電極；形成暴露所述有源層的一部分和所述像素電極的第二絕緣層；通過對所述第三導電層構圖并暴露所述第一導電層的像素電極形成通過所述接觸孔電性連接到所述有源層的一部分的源極和漏極；在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其特征在于通過對所述第一和第二導電層構圖由所述第一導電層形成像素電極。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其特征在于所述像素電極的上部保留有所述第二導電層的像素電極圖案。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成第二絕緣層的步驟包括在所述第一基板上形成第二絕緣層；及形成通過去除第一和第二絕緣層的一部分暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的一部分的接觸孔并且通過去除像素電極上的第二絕緣層暴露所述像素電極。
21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其特征在于形成所述接觸孔與去除所述像素電極上的第二絕緣層的步驟同時進行。
22.根據(jù)權利要求17所述的方法，其特征在于通過對所述像素電極上的第二導電層構圖暴露該像素電極的第一導電層，使得保留所述第二導電層圖案與位于像素電極上部邊緣處的漏極保持電性連接。
23.一種液晶顯示器件，包括第一和第二基板；位于所述第一基板上的有源層；位于所述第一基板上的第一絕緣層；柵極、柵線和像素電極，所述柵極、柵線具有第一和第二導電層并且所述像素電極具有第一導電層；位于所述第一基板上的第二絕緣層，該第二絕緣層具有接觸孔；位于所述第一基板上的源極和漏極，所述源極通過所述接觸孔與源區(qū)相連接，并且所述漏極通過所述接觸孔與漏區(qū)相連接；及位于所述第一和第二基板之間的液晶層。
24.根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于所述像素電極上部的邊緣保留有由所述第二導電層形成的第二導電層圖案。
25.根據(jù)權利要求24所述的器件，其特征在于所述漏極的一部分延伸到像素區(qū)并連接至位于所述像素電極上的第二導電層圖案。
26.根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于所述像素電極由透明導電材料形成。
27.根據(jù)權利要求26所述的器件，其特征在于所述透明導電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
28.根據(jù)權利要求26所述的器件，其特征在于所述柵極和柵線由在與所述像素電極相同的透明導電材料上形成不透明導電材料的雙層結構形成。
29.根據(jù)權利要求28所述的器件，其特征在于所述雙層結構包括不透明導電材料和透明導電材料。
30.根據(jù)權利要求29所述的器件，其特征在于所述不透明導電材料形成于所述透明材料之上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造LCD器件的方法，包括提供第一和第二基板；在第一基板上形成具有源區(qū)、漏區(qū)及溝道區(qū)的有源層；第一和第二絕緣層；第一和第二導電層；形成暴露源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔；在第一基板上形成第三導電層；暴露第二導電層，形成通過接觸孔與源區(qū)和漏區(qū)電性連接的源極和漏極；及在第一和第二基板之間形成液晶層。
文檔編號G02F1/133GK1734334SQ20051007776
公開日2006年2月15日 申請日期2005年6月24日 優(yōu)先權日2004年8月12日
發(fā)明者樸容仁, 柳俊錫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社