專利名稱:光記錄介質(zhì)及其使用的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及用于根據(jù)全息技術原理而在其上三維地記錄數(shù)字數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)、用于在光記錄介質(zhì)上記錄信息的方法、用于再現(xiàn)光記錄介質(zhì)上的信息的方法,以及一種信息記錄/再現(xiàn)設備。
背景技術:
在全息存儲中,通過使用參考光束和物光束這兩束光來復用地記錄二維數(shù)字數(shù)據(jù),從而執(zhí)行三維記錄。已知的復用記錄方法有角度復用、波長復用、相位碼復用,等等。
JP-A 2004-4434中公開了一種用于以高填充密度(packing density)在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)方法。
該文獻公開了一種僅在多個區(qū)域中的一個區(qū)域記錄信息的方法,該方法通過以物光束和參考光束選擇性地照射該區(qū)域而對記錄層進行劃分以獲得該區(qū)域。在該方法中,不同的信息可記錄在不同的區(qū)域,因此可提高每個介質(zhì)的記錄容量。
通過在記錄介質(zhì)上方部署僅在對應于希望從其處再現(xiàn)信息的區(qū)域的部分有開口的空間光束選擇器,并在這樣狀態(tài)下以參考光來照射記錄層,就可僅從所希望的區(qū)域再現(xiàn)用上述方法記錄的信息。
在上述方法中,在記錄信息時不使用空間光束選擇器,而是在再現(xiàn)時將其部署在介質(zhì)上方。因此,很難在介質(zhì)和空間光束選擇器之間獲得精確的對準。當不能獲得介質(zhì)和空間光束選擇器之間的精確對準時,就可能會出現(xiàn)相鄰區(qū)域的信息被再現(xiàn)的問題。
而且,還會出現(xiàn)下面兩個問題。
首先,作為全息存儲器的候選記錄材料的光敏聚合物和光折射材料是感光材料,并很容易對自然光曝光(就像照相機的底片),因此會發(fā)生錯誤的記錄和數(shù)據(jù)損壞等。因此,當假設將此材料用于可刪除介質(zhì)時,用于避免曝光的設備是很必要的。
其次,根據(jù)存儲系統(tǒng)的一個方面,表明介質(zhì)上的記錄/再現(xiàn)位置的地址信息是必須的。當如在傳統(tǒng)的光盤介質(zhì)中所使用的利用凹坑(pit)和抖動(wobble)的地址信息被記錄在同一記錄表面上時,雖然在全息記錄中使用會聚光(condensed light)記錄了幾萬比特的二維信息,但是使用相同的會聚光只能從一個凹坑或抖動讀取1比特信息。
因此,用于記錄地址信息的區(qū)域面積的比例變得相對較大,而實質(zhì)的記錄區(qū)域則減小了。
發(fā)明內(nèi)容
考慮上述情況而得到本發(fā)明,本發(fā)明提供了一種光記錄介質(zhì),其中可精確地向特定區(qū)域記錄或從特定區(qū)域再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
本發(fā)明提供了一種光記錄介質(zhì),其包括全息記錄層,通過全息技術在該全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;用于控制遮光組件的透光狀態(tài)的控制電極。這里,遮光組件具有通過在記錄單元區(qū)域基礎上劃分遮光組件而獲得的多個像素,并且透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有這樣的遮光組件,其透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。因此,僅能向變得透光的像素記錄信息或從其再現(xiàn)信息,因此可避免串寫和串讀。
遮光組件固定在全息記錄層上。因此,變得透光的像素的位置可被非常精確地指定,而且記錄/再現(xiàn)的位置也可被非常精確地指定。不必提供地址信息區(qū)域就可在合適的位置記錄/再現(xiàn)信息,于是可抑制實際記錄區(qū)域的減小。
由于遮光組件附著在至少一個主表面上,因此通過合適地對其它表面進行遮光,可有效地避免全息記錄層的曝光。
根據(jù)下面的詳細說明和附圖可獲得對本發(fā)明的更全面理解,所述說明和附圖對本發(fā)明來說僅是示例性的而并非限制性的,其中圖1A和1B分別是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖和剖面圖;圖2A和2B是各自示出了圖1A和1B的液晶平板的具體配置的剖面圖;圖3A和3B是示出了根據(jù)第一實施方式的用于光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)設備的配置圖;圖4示出了在介質(zhì)和設備之間進行位置校準的原理;圖5示出了將一個像素的形狀與一個束斑的形狀進行比較的簡圖;圖6A和6B示出了像素的另一種形狀;圖7示出了MEMS平板中像素的例子;圖8示出了相位碼調(diào)制模式的例子;圖9A、9B和9C分別是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖、剖面圖和后視圖;圖10是示出了根據(jù)第二實施方式的用于光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)設備的配置圖;圖11A、11B和11C分別是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖、剖面圖和后視圖;圖12A、12B和12C分別是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖、剖面圖和后視圖;圖13A和13B分別是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖和剖面圖;圖14是示出了根據(jù)第三實施方式的用于光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)設備的配置圖;圖15A和15B分別是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光記錄介質(zhì)的平面圖和剖面圖;圖16A和16B分別是根據(jù)第四實施方式的用于光記錄介質(zhì)的心軸的平面圖和剖面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種光記錄介質(zhì),其包括全息記錄層,通過全息技術在該全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;用于控制遮光組件的透光狀態(tài)的控制電極。這里,遮光組件具有通過在記錄單元區(qū)域基礎上劃分遮光組件而獲得的多個像素,透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。
這里將描述本發(fā)明的各個組成元件。
固定到全息記錄層的主表面的遮光組件可以是(由一種材料制成的)這樣的結構,其不透光到設置在下方的全息記錄層。具體地說,可使用液晶平板或MEMS(Micro Elctro-Mechanical System,微機電系統(tǒng))作為遮光組件。
從避免全息記錄層曝光的方面考慮,優(yōu)選地,當不向控制電極供電時,遮光組件不透光。
而且,從執(zhí)行精確的記錄/再現(xiàn)的方面考慮,優(yōu)選地,遮光組件通過使用粘合劑而被牢固地固定在全息記錄層的主表面上??商峁┚哂邢嗷ヅ浜系耐黄鸩考桶枷莶考鸟詈蠙C構,從而將遮光組件和全息記錄層固定在一起。
本發(fā)明的記錄介質(zhì)可以是通過這樣的方法獲得的介質(zhì),即反射層和全息記錄層按此順序形成在基板上,并在全息記錄層上固定地提供遮光組件。
從避免串寫等方面考慮,優(yōu)選地,像素具有與透過光束的束斑形狀接近的形狀。更優(yōu)選地,緊湊地排列每一個都具有基本規(guī)則的六邊形形狀的像素。
而且,當遮光組件是MEMS平板時,優(yōu)選地,通過對開孔的開啟/關閉來控制透光狀態(tài)。
控制電極被提供來向遮光組件提供控制電壓,控制電極可被提供在不同于光照射面的區(qū)域,例如全息記錄層的側面。
可在全息記錄層的另一主表面提供百葉窗,并可固定地安裝另一遮光組件。
從避免曝光的方面考慮,優(yōu)選地在全息記錄層的側面提供遮光膜。
本發(fā)明還提供了一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄信息的方法,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;以及控制電極,用于控制遮光組件的透光狀態(tài),其中遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分遮光組件而獲得的多個像素,透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。這里,所述方法包括以下步驟向控制電極施加預定電壓,以使得遮光組件的至少一個像素變得透光;以及在此狀態(tài)下,通過透光像素用物光束照射全息記錄層,同時用參考光束照射以物光束照射的位置,以在對應于該像素的區(qū)域記錄信息。
本發(fā)明還提供了一種用于從光記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;以及控制電極,用于控制遮光組件的透光狀態(tài),其中遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分遮光組件而獲得的多個像素,透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。這里,所述方法包括以下步驟向控制電極施加預定電壓,以使得遮光組件的至少一個像素變得透光;以及在此狀態(tài)下,用參考光束照射全息記錄層并檢測通過透光像素的參考光束,以再現(xiàn)記錄在對應于該像素的區(qū)域上的信息。
本發(fā)明還提供了一種用于向光記錄介質(zhì)記錄信息和從光記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的設備,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;以及控制電極,用于控制遮光組件的透光狀態(tài),其中遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分遮光組件而獲得的多個像素,透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。這里,該設備包括其上承載光記錄介質(zhì)的承載部件、電連接到控制電極的連接部件、用于通過連接部件來電控遮光組件的控制器,以及用于向全息記錄層發(fā)射物光束和參考光束的光發(fā)射器。在該設備中,優(yōu)選地,當在全息記錄層上記錄信息A時,控制器將遮光組件中對應于其中要記錄信息A的像素的位置的部分設置為透光狀態(tài)。
下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。
1.第一實施方式圖1A和1B分別是示出了根據(jù)第一實施方式的光記錄介質(zhì)的結構的平面圖和剖面圖。圖1A和1B所示的根據(jù)該實施方式的介質(zhì)1具有這樣的結構反射層3、全息記錄層5、遮光組件7和保護層9按此順序形成在基板2上。使用具有劃分為多個像素7a的區(qū)域的液晶平板作為遮光組件7。液晶平板7通過粘合劑等固定,并被保護層9所保護。在該介質(zhì)的一個側面,提供了用于電控液晶平板7的透光狀態(tài)(透光狀態(tài)或不透光狀態(tài))的控制電極11。控制電極11電連接到下面將描述的光記錄/再現(xiàn)設備中的控制器,控制器逐個像素地控制液晶平板7。該介質(zhì)的另一側面覆蓋有遮光膜13,用于避免全息記錄層5曝光??墒褂冒缣剂W拥恼诠獠牧系哪せ駻BS樹脂膜作為遮光膜13。
全息記錄層5由例如光敏聚合物或光折射材料的全息記錄材料制成。
液晶平板7是常黑型(當不向其供電時不透光)。當液晶平板7與設備分離時(當不施加電壓時),所有像素7a都不透光。在此狀態(tài)下,來自外部的光被阻斷,于是全息記錄層5不會曝光。
圖2A和2B是示出了常黑型的液晶平板的示例的剖面圖。圖2A示出了VA(Vertically Aligned,垂直排列)型的液晶平板,圖2B示出了TN(Twisted Nematic,扭轉(zhuǎn)向列)型液晶平板。在兩種類型中,基本的配置是相同的。液晶分子29被密封在下平板27a和上平板27b之間,其中下平板27a包括偏光板21a、透射層23a以及電極-取向(electrode-and-orientation)膜25a,而上平板27b則包括偏光板21b、透射層23b以及電極-取向膜25b。
在VA類型中,偏光板21a和偏光板21b被布置為相互正交。在這種布置中,當不施加電場時,液晶分子沿垂直方向排列,因此入射光的偏振方向沒有被液晶改變,沒有光透過。另一方面,當施加電場時,液晶分子沿水平方向排列,因此入射光的偏振方向被液晶改變,光可以透過。利用上述配置可獲得常黑型的液晶平板。
在TN型中,偏光板21a和偏光板21b被布置在同一方向。在這種布置中,當不施加電場時,液晶分子是扭轉(zhuǎn)的,因此入射光的偏置方向被液晶改變,沒有光透過。另一方面,當施加電場時,液晶分子沿垂直方向排列,入射光的偏振方向沒有被液晶改變,光可以透過。利用這種配置可獲得常黑型液晶平板。
現(xiàn)在將參照圖3A和3B來描述用于向介質(zhì)記錄信息和從介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法。圖3A是根據(jù)本實施方式的記錄/再現(xiàn)設備30的配置簡圖,圖3B是介質(zhì)1的平面圖。
從光源31發(fā)射的激光束33被準直鏡35轉(zhuǎn)化為平行光,該平行光被分束器37分為兩束光33a和33b。兩束光之一的光束33a的直徑被擴束器39增大,所得到的光束被空間光調(diào)制器41轉(zhuǎn)化為具有預定信息的物光束33c。物光束33c通過分束器42,被物鏡43會聚,并通過液晶平板7中的像素7b落在介質(zhì)1中的全息記錄層5上,其中像素7b在下面將描述的控制器55的控制下變?yōu)橥腹獾?。另一光?3b被反射鏡45a和45b導向檢流計鏡47,被檢流計鏡47反射,并通過透鏡對49而作為參考光落在與物光束33c相同的位置。檢流計鏡47以垂直于圖面的軸47a為中心旋轉(zhuǎn),并改變光束33b的反射角。即使在光束33b的反射角改變的情況下,通過透鏡對49的動作,光束33b落在與具有不同的入射角的參考光束幾乎相同的位置。當參考光束33b的入射角不同時,不同的干涉條紋圖案被記錄在介質(zhì)1上。通過改變檢流計鏡的角度可實現(xiàn)角度復用記錄。
當再現(xiàn)時,光束33a被空間光調(diào)制器41阻斷(可替換地,光束33a被單獨提供的百葉窗等阻斷),介質(zhì)1僅被參考光束33b照射。當全息記錄層5的干涉條紋圖案被由介質(zhì)1的反射層3反射的光束照射時,該光束被干涉條紋圖案衍射,從而產(chǎn)生再現(xiàn)光束33d。再現(xiàn)光束33d從介質(zhì)1向物鏡43行進,被分束器42反射,并被光檢測器51例如CCD所檢測,從而再現(xiàn)信息。
介質(zhì)1被承載在承載部件52上,控制電極11通過具有連接電極53a的連接部件53而電連接到控制器55。如圖3B所示,控制器55使得要被記錄的像素7b變?yōu)橥腹獾?。在該狀態(tài)下,通過透光像素7b,用物光束33c和參考光束3b照射全息記錄層5。在此情形下,可僅在對應于像素7b的區(qū)域記錄信息,而且可避免串寫(曝光相鄰像素正下方的全息記錄層5)。對于信息再現(xiàn)來說,通過檢測通過透光像素7b的再現(xiàn)光束33d,僅能再現(xiàn)記錄在對應于像素7b的區(qū)域中的信息。因此可避免串讀(再現(xiàn)記錄在相鄰像素正下方的全息記錄層5中的信息)。在本實施方式中,液晶平板7固定在全息記錄層5上,因此可通過控制液晶平板7中的像素來精確地指定要執(zhí)行記錄/再現(xiàn)的位置。
虛線圍繞的光源50的位置是固定的,承載部件52被驅(qū)動器(未示出)驅(qū)動,從而可在X和Y方向上(X方向是由圖中箭頭示出的方向,Y方向是與圖面垂直的方向)可移動。因此,例如當順序地向液晶平板7中的在X方向排列的像素記錄信息或從液晶平板7中的在X方向排列的像素再現(xiàn)信息時,重復如下操作,即將承載部件52右移一個像素的量,從而將透光像素左移一個像素的量,并且在該狀態(tài)下的記錄或再現(xiàn)信息。
為了執(zhí)行介質(zhì)1和記錄/再現(xiàn)設備30之間的精確對準,每次移動承載部件52時,都在記錄/再現(xiàn)信息之前矯正承載部件52的位置。將參照圖4描述位置矯正。圖4是僅示出了圖3A的液晶平板7的一部分和光檢測器51的一部分的簡圖。在液晶平板7中,像素7b是透光的。光檢測器51被劃分為4個小區(qū)域51a。當用參考光束33b照射全息記錄層5時,再現(xiàn)光束33d從像素7b發(fā)射出,然后進入光檢測器51。當介質(zhì)1和記錄/再現(xiàn)設備30之間的對準不精確時,進入4個小區(qū)域51a的光束的量互不相同。在此情形下,調(diào)整承載部件52的位置,以使得進入4個小區(qū)域的光束的量變得彼此相等。再現(xiàn)光束33d被像素7b的邊緣衍射,并作為多束衍射光束57a和57b而被檢測。
雖然上面已描述了具體實施方式
,但是本發(fā)明并不限于這些實施方式,而是可被作出各種修改。
在圖1A和1B中,像素7a是正方形的。但是,如圖5所示,物光束33c的束斑59的形狀一般是圓形的,因此陰影區(qū)域沒有被用到。因此,如圖6A所示,優(yōu)選地,像素7a具有基本規(guī)則的六邊形形狀,并且被緊湊地排列。從圖6B可理解,在此情形下,未被使用的陰影區(qū)域減小了?!盎疽?guī)則的六邊形”不僅包括嚴格規(guī)則的六邊形,還包括通過將六邊形的縱向和橫向變長而獲得的形狀。該形狀可以是五邊形或包括六條或更多條邊的形狀(例如八邊形)。
任何組件例如MEMS平板都可用來作為遮光組件7,只要該組件可逐個像素地控制透光狀態(tài)。圖7示出了MEMS平板中像素的示例。在此情形下,可通過對開孔的開啟/關閉來控制透光狀態(tài)。
復用并不限于角度復用,而是可以是波長復用、相位碼復用等。在執(zhí)行波長復用的情形下,準備用于發(fā)射不同波長的激光束的多個光源,物光束的光源是固定的。通過順序地改變參考光束的波長,可執(zhí)行復用。在執(zhí)行相位碼復用的情形下,通過使用相位調(diào)制器來預先調(diào)制參考光束,多種調(diào)制模式被產(chǎn)生并順序地改變,從而執(zhí)行復用。圖8示出了調(diào)制模式的示例。在此情形下,通過使用四種調(diào)制模式,可執(zhí)行四路復用。
雖然在上述實施方式中,介質(zhì)1和記錄/再現(xiàn)設備30之間的對準是通過移動承載部件52來實現(xiàn)的,但是承載部件52可以是固定的(換句話說,介質(zhì)1不移動),而由虛線圍繞的整個光發(fā)射器50是可移動的??赏ㄟ^使用電動機等來移動光發(fā)射器??商鎿Q地,只有光發(fā)射器50的一部分可由反射鏡、分束器等的合適組合來移動。
控制電極11可形成在介質(zhì)1的主表面上(例如主表面的末端部)。可通過將整個介質(zhì)1置于暗盒等之中來對其進行遮蔽,以代替提供遮光膜對介質(zhì)1進行遮蔽。在此情形下,百葉窗等可被提供在光入射表面上。百葉窗可具有可被機械地開啟/關閉的任何結構。
2.第二實施方式圖9A到9C分別是示出了根據(jù)第二實施方式的光記錄介質(zhì)的結構的平面圖、剖面圖和后視圖。介質(zhì)1具有這樣的結構,其中全息記錄層5形成在透明基板61上,具有多個像素7a的液晶平板7作為全息記錄層5上的遮光組件被粘合劑等固定。具有遮光特性的百葉窗63被提供在基板61的后表面上。百葉窗63被劃分為第一組件63a和第二組件63b,它們可在圖9C所示的箭頭所表明的方向上移動。當開啟第一組件63a的區(qū)域時,第一組件63a向下移動,并重疊在第二組件63b上。另一方面,當開啟第二組件63b的區(qū)域時,第二組件63b向上移動,并重疊在第一組件63a上。其他配置與第一實施方式類似。
現(xiàn)在參照圖10來描述用于記錄/再現(xiàn)該介質(zhì)的方法。圖10是根據(jù)本實施方式的記錄/再現(xiàn)設備30的配置簡圖。
在本實施方式中,向透射型介質(zhì)記錄并從其再現(xiàn)信息。信息以類似于反射型介質(zhì)的情形(第一實施方式)的方式而被記錄。當再現(xiàn)信息時,必須用來自下方的參考光束來照射透射型介質(zhì)。因此,在本實施方式中,設備30還包括反射鏡65a和65b、檢流鏡67,以及透鏡對69。當記錄時,光束33b被反射鏡45a反射,并通過與第一實施方式相同的光路而落在介質(zhì)1上。當再現(xiàn)時,反射鏡45a從光路移出。因此,光束33b就不被反射鏡45a反射,而是實際上直線前進,被反射鏡65a和65b并進而被檢流鏡67反射,穿過透鏡對69,落在介質(zhì)1上。之后,再現(xiàn)光束33d被產(chǎn)生,穿過物鏡43,被分束器42反射,被光檢測器51檢測。
介質(zhì)1承載在承載部件52上。為了用來自下方的光束照射介質(zhì)1,承載部件52具有透光特性或開口。設備30具有開啟/關閉百葉窗63的機構。其他配置類似于第一實施方式。
百葉窗63并不限于圖9C所示,而是可具有任何可被機械地開啟/關閉的結構。百葉窗63可被劃分為3部分或更多。百葉窗63可以是像手風琴那樣可折疊,或者可以具有圖7所示的開孔那樣的結構。
在另一實施方式中,如圖11A到11C所示,可提供可被逐個像素地控制的遮光組件(例如液晶平板或MEMS)71來代替百葉窗63。具體地說,在此情形下,在全息記錄層5的兩面都提供遮光組件。記錄該介質(zhì)的方法與具有百葉窗的介質(zhì)的情形相同。再現(xiàn)方法基本相同,除了當發(fā)射參考光束時,遮光組件71被控制以把要被再現(xiàn)的像素設置為透光狀態(tài)。
全息記錄層5的一個表面上的遮光組件的大小和像素數(shù)與另一表面上的遮光組件的大小和像素數(shù)可以是互不相同的。如圖12A到12C所示,優(yōu)選地將背面的遮光組件72中的像素72a的大小設置為大于前面的遮光組件7的像素7a的大小。由于可用參考光束照射整個背面,因此即使增大遮光組件72的像素大小,記錄/再現(xiàn)位置的精確性也不會變壞。在此情形下,用于控制遮光組件72的電極數(shù)量可以減少,并且可降低制造成本。在圖12的配置中,不必精確地對準前面的遮光組件和第二面的遮光組件,從而提高了生產(chǎn)率和產(chǎn)量。
3.第三實施方式圖13A和13B分別是示出了根據(jù)第三實施方式的光記錄介質(zhì)的結構的平面圖和剖面圖。
介質(zhì)1具有這樣的配置,其中數(shù)據(jù)全息記錄層74和數(shù)據(jù)保護層75交替堆疊。液晶平板7被附著作為頂面,液晶平板77被附著到一個側面。其他配置與第一實施方式類似。
現(xiàn)在參照圖14來描述用于記錄/再現(xiàn)該介質(zhì)的方法。圖14是根據(jù)本實施方式的記錄/再現(xiàn)設備30的配置圖。
在本實施方式中,主要地,參考光束的照射方法與第一實施方式不同。光束33b被反射鏡45a和45b反射,之后被透鏡81會聚。記錄層74被來自介質(zhì)1的側面的會聚光束照射。為了用參考光束照射多個記錄層74中的每一個,提供了用于垂直移動反射鏡45b的驅(qū)動器(透鏡致動器)(未示出)。因為必須在介質(zhì)1的多個記錄層74的每一個上獲得物光束33c的焦點,因此提供了移動物鏡43的驅(qū)動器。
通過使用該介質(zhì),當記錄時,僅在指定的平面位置處的像素7a被變?yōu)橥腹獾?。頂面被物光?3c照射。僅有這樣的像素77a被變?yōu)橥腹獾模⒈粎⒖脊馐?3b照射,所述像素77a位于要從側面向其寫信息的那一層。當再現(xiàn)時,僅有這樣的像素77a被變?yōu)橥腹獾?,并被參考光?3b照射,所述像素77a位于要從側面從其再現(xiàn)信息的那一層。要從其再現(xiàn)信息的頂面中的平面位置上的像素7a被變?yōu)橥腹獾?,信息從像?a被讀取。根據(jù)平面地址信息和要向其施加光的層地址信息來管理記錄/再現(xiàn)地址控制。
在本實施方式中,可在多個記錄層中記錄信息,因此可提高每單位面積的記錄密度。
在另一實施方式中,可在參考光束33b的光路中提供相位調(diào)制器,且可執(zhí)行相位碼復用記錄。在此情形下,多層記錄和復用記錄都可被執(zhí)行,因此可獲得極高的記錄密度。
4.第四實施方式圖15A和15B分別是示出了根據(jù)第四實施方式的光學記錄介質(zhì)的結構的平面圖和剖面圖。介質(zhì)1具有盤的形狀,并包括中央的夾具部件83中的突起的控制電極11,盤的整個外緣被遮光膜13覆蓋。其他配置與第一實施方式類似。
圖16A和16B分別是示出了用于附著介質(zhì)1的心軸85的結構的平面圖和剖面圖。心軸85的夾具部件83具有凹陷連接電極53a,介質(zhì)1的突起控制電極11將被裝入到該凹陷連接電極53a中。心軸85裝配在與第一實施方式類似的記錄/再現(xiàn)設備30(見圖1)中。凹陷連接電極53a電連接到記錄/再現(xiàn)設備30的控制器55。
當向本實施方式的介質(zhì)1記錄信息,或從其再現(xiàn)信息時,首先,介質(zhì)1被附著到心軸85,從而介質(zhì)1的突起控制電極11電連接到心軸85的凹陷連接電極53a。介質(zhì)1的液晶平板7被控制器55通過電極11和53a而逐個像素地控制??刂破?5使得只有要被記錄/再現(xiàn)的像素變?yōu)橥腹獾模畔⒁灶愃朴诘谝粚嵤┓绞降姆绞奖挥涗?再現(xiàn)。
雖然圖15A和15B示出了反射型結構,但是也可采用類似于第二實施方式的透射型結構。可以類似于圖11A到11C和圖12A到12C所示的實施方式的方式,在介質(zhì)的兩面都提供遮光組件??刂齐姌O11和連接電極53a中的每一個的形狀都可進行各種修改。例如,控制電極11可具有凹陷的形狀,而連接電極53a可具有突起的形狀。
上面已經(jīng)描述了本發(fā)明,很明顯,可以多種方式對本發(fā)明作出修改。這些變化不應被認為是離開了本發(fā)明的精神和范圍,這些對于本領域的技術人員來說是明顯的修改將包括在所附權利要求的范圍中。
權利要求
1.一種光記錄介質(zhì),包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息;固定到所述全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;以及用于控制所述遮光組件的透光狀態(tài)的控制電極,其中所述遮光組件具有通過在記錄單元區(qū)域基礎上劃分所述遮光組件而獲得的多個像素,而且所述光透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。
2.如權利要求1所述的介質(zhì),其中當不向所述控制電極施加電流時,所述遮光組件處于不透光狀態(tài)。
3.如權利要求1所述的介質(zhì),其中每個所述像素都具有基本規(guī)則的六邊形的形狀,且所述像素被緊湊地排列。
4.如權利要求1所述的介質(zhì),其中所述遮光組件是液晶平板或微機電系統(tǒng)平板。
5.如權利要求1所述的介質(zhì),其中所述遮光組件是微機電系統(tǒng)平板,所述透光狀態(tài)通過對開孔的開啟/關閉而被控制。
6.如權利要求1所述的介質(zhì),其中所述控制電極被提供在全息記錄層的側面上。
7.如權利要求1所述的介質(zhì),其中反射層和所述全息記錄層以此順序形成在基板上,所述遮光組件固定在所述全息記錄層上。
8.如權利要求7所述的介質(zhì),其中遮光膜被提供在所述全息記錄層的側面上。
9.如權利要求1所述的介質(zhì),其中百葉窗被提供在所述全息記錄層的另一主表面上。
10.如權利要求9所述的介質(zhì),其中遮光膜被提供在所述全息記錄層的側面上。
11.如權利要求1所述的介質(zhì),其中另一遮光組件被固定在所述全息記錄層的所述另一主表面上。
12.如權利要求11所述的介質(zhì),其中遮光膜被提供在所述全息記錄層的側面上。
13.一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄信息的方法,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息,還包括固定到所述全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件,還包括控制電極,用于控制所述遮光組件的透光狀態(tài),其中所述遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分所述遮光組件而獲得的多個像素,并且所述透光狀態(tài)可被逐個像素地控制,所述方法包括以下步驟向所述控制電極施加預定電壓,以使得所述遮光組件的至少一個所述像素變得透光;在此狀態(tài)下,通過所述透光像素用物光束照射所述全息記錄層;以及同時用參考光束照射用所述物光束照射的位置,以在對應于所述像素的區(qū)域記錄信息。
14.一種用于從光記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息,還包括固定到所述全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件,還包括控制電極,用于控制所述遮光組件的透光狀態(tài),其中所述遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分所述遮光組件而獲得的多個像素,所述透光狀態(tài)可被逐個像素地控制,所述方法包括以下步驟向所述控制電極施加預定電壓,以使得所述遮光組件的至少一個所述像素變得透光;在此狀態(tài)下,用參考光束照射所述全息記錄層;以及檢測通過所述透光像素的所述參考光束,以再現(xiàn)記錄在對應于所述像素的區(qū)域上的信息。
15.一種用于向光記錄介質(zhì)記錄信息和從光記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的設備,所述光記錄介質(zhì)包括全息記錄層,通過全息技術在所述全息記錄層上記錄信息,還包括固定到所述全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件,還包括控制電極,用于控制所述遮光組件的透光狀態(tài),其中所述遮光組件具有通過以記錄單元區(qū)域為基礎來劃分所述遮光組件而獲得的多個像素,所述透光狀態(tài)可被逐個像素地控制,所述設備包括其上承載所述光記錄介質(zhì)的承載部件;電連接到所述控制電極的連接部件;用于通過所述連接部件來電控制所述遮光組件的控制器;以及用于向所述全息記錄層發(fā)射物光束和參考光束的光發(fā)射器。
16.如權利要求15所述的設備,其中當在所述全息記錄層上記錄信息A時,所述控制器將遮光組件中對應于其中要記錄所述信息A的像素的位置的部分設置為透光狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光記錄介質(zhì),包括全息記錄層,通過全息技術在該全息記錄層上記錄信息;固定到全息記錄層的至少一個主表面的遮光組件;用于控制遮光組件的透光狀態(tài)的控制電極,其中,遮光組件具有通過在記錄單元區(qū)域基礎上劃分遮光組件而獲得的多個像素,并且透光狀態(tài)可被逐個像素地控制。
文檔編號G03H1/04GK1825441SQ200510072398
公開日2006年8月30日 申請日期2005年5月31日 優(yōu)先權日2005年2月23日
發(fā)明者金岡利知 申請人:富士通株式會社