專利名稱：用于表征光刻技術(shù)對晶片的影響的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝。更具體的，本發(fā)明涉及確定在尋求改善光刻工藝性能的過程中的工藝改變的影響。
電子工業(yè)仍舊依賴于半導(dǎo)體工藝的發(fā)展以在更緊密的區(qū)域內(nèi)實現(xiàn)更高功能的器件。對于許多應(yīng)用來說，實現(xiàn)更高功能的器件需要將大量電子器件集成到單個硅晶片內(nèi)。隨著硅晶片的每給定面積的電子器件數(shù)目的增加，制造工藝變得更難。
已經(jīng)按多種要求制造出具有多種應(yīng)用的很多種半導(dǎo)體器件。這種硅基半導(dǎo)體器件通常包括例如p-溝道MOS(PMOS)、n-溝道MOS(NMOS)和互補MOS(CMOS)晶體管的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，雙極晶體管，BiCMOS晶體管。上述MOSFET器件在導(dǎo)電柵極和類硅(silicon-like)襯底之間包括絕緣材料；因此，這些器件通常被稱為IGFET(絕緣柵FET)。
這些半導(dǎo)體器件的每一個通常包括在其上形成多個有源器件的半導(dǎo)體襯底。給定有源器件的特定結(jié)構(gòu)可在器件類型之間改變。例如，在MOS晶體管內(nèi)，有源器件通常包括源區(qū)和漏區(qū)以及調(diào)節(jié)源區(qū)和漏區(qū)之間的電流的柵電極。
在制造上述器件的過程中一個重要的步驟是使用光刻和刻蝕工藝形成器件或器件的部分。在光刻中，晶片襯底被涂上稱為光致抗蝕劑的光敏材料。接著，晶片被曝光；照在晶片上的光穿過掩模板。該掩模板限定所希望的將要印制在襯底上的特征。曝光之后，顯影涂有抗蝕劑的晶片襯底。被限定在掩模上的所希望的特征保留在涂有光致抗蝕劑的襯底上。未曝光區(qū)域的抗蝕劑用顯影劑洗掉。具有限定的所希望的特征的晶片經(jīng)受刻蝕。依賴于生產(chǎn)過程，刻蝕可以是其中使用液體化學(xué)品去除晶片材料的濕法腐蝕或者是其中晶片材料經(jīng)受射頻(RF)感應(yīng)等離子體的干法刻蝕。
通常所希望的特征具有特定區(qū)域，在該特定區(qū)域中最后被印制并被刻蝕的區(qū)域必須隨時間被精確再現(xiàn)。這些被稱為關(guān)鍵尺寸(CD)。當器件幾何尺寸接近亞微米范圍時，晶片制造變得更依賴于在正常工藝變化范圍內(nèi)保持一致的CD。在光掩模上被設(shè)計并被復(fù)制的有源器件尺寸和在晶片襯底上實際呈現(xiàn)的那些必須是可重復(fù)的和可控制的。在許多情況下，工藝試圖保持最后CD等于掩蔽CD。然而，工藝中的不足或技術(shù)的改變(其可在給定制造工藝中實現(xiàn)，如果該工藝是“被調(diào)節(jié)的”)通常會不可避免地呈現(xiàn)偏離掩蔽CD的最后CD。
為改善印制質(zhì)量，通常需要表征線寬和線寬形狀對成品率的影響。一般，在多個條件下在一個或多個關(guān)鍵層處曝光晶片，其后為成品率探測這些晶片。例如，通常通過在不同劑量下曝光晶片以產(chǎn)生多個線尺寸來量化柵極寬度對成品率的影響。一般，在不同曝光或者焦距值下曝光每個晶片。由于硅和加工成本是昂貴的，因此希望在晶片上得到相同的信息；即，使用一系列劑量或焦距曝光晶片。
Ausschnitt等人的U.S.專利5,757,507通常涉及需要光刻技術(shù)的制造工藝，更具體的涉及監(jiān)控在用于微電子制造中使用的光刻技術(shù)和刻蝕工藝過程中的偏離和重疊誤差，這對更多具有在小于0.5μm數(shù)量級的尺寸的監(jiān)控圖案特征方面是尤其有用的。
Leroux等人的U.S.專利5,962,173通常涉及制造集成電路的領(lǐng)域，更具體的涉及在制造這些具有極其窄的線元件例如柵極線的電路的過程中保持精確度。
Leroux等人的U.S.專利5,902,703通常涉及制造集成電路的領(lǐng)域，更具體的涉及在制造這些具有相對窄的線元件例如柵極線的電路的過程中保持精確度。該發(fā)明的目的還在于檢驗步進器鏡頭制造質(zhì)量。
Ziger等人的U.S.專利5,976,741通常涉及確定制造集成電路領(lǐng)域內(nèi)的照明曝光劑量和其它工藝參數(shù)的方法。更具體的，該發(fā)明涉及在分步重復(fù)系統(tǒng)(step and repeat system)內(nèi)加工半導(dǎo)體晶片的方法。
Ziger等人的U.S.專利6,301,008B1涉及半導(dǎo)體器件及其制造，更具體的，涉及用于研制相對窄線寬的元件例如柵極線同時在其制造過程中保持精確度的裝置和工藝。
Bowes的U.S.專利申請US 2002/0182516 A1通常涉及半導(dǎo)體制造工藝的度量衡。更具體的，該發(fā)明是用于在加工半導(dǎo)體晶片的過程中相對于半導(dǎo)體晶片同時對器件特征進行關(guān)鍵尺寸(CD)測量和對掩模重疊進行對準測量的針梳刻線(needle comb reticle)圖案。在此引入該參考文獻和前面提到的那些參考文獻的全文作為參考。
在一個實例工藝中，通過將一系列曝光劑量(或焦距)對晶片襯底上的不同列或行的管芯曝光來得到數(shù)據(jù)。在該實例工藝中，管芯在多種曝光劑量下被印制。每列管芯可在特定曝光劑量下曝光。隨著使用者步進穿過晶片，曝光劑量會增加。然而，存在多個挑戰(zhàn)要解決。第一，不相關(guān)的橫跨晶片的成品率損失會與已曝光陣列混淆。第二，更難以捉摸的挑戰(zhàn)一般是曝光域包括多個管芯(如位于用于晶片步進器的掩模內(nèi))。就包括很小的管芯的曝光域來說，曝光和分類圖(sortmaps)之間的關(guān)系會容易偏移，這會導(dǎo)致關(guān)于成品率與關(guān)鍵線寬的關(guān)系的錯誤假設(shè)。分類圖是橫跨晶片襯底逐個管芯繪制的，該晶片襯底具有對已完成的具有有源器件的晶片進行了電測量(例如“晶片分類”)的有源器件。分類圖是在晶片上測試的管芯的電測試結(jié)果，這些管芯可包括電測試圖案和電路或者可以是具有終端用戶用途的器件，例如存儲器件、微處理器、微控制器、放大器、專用集成電路(ASIC)等。此外，上述器件可以是用多種晶片制造工藝制造的數(shù)字器件或模擬器件，例如CMOS、BiCMOS、Bipolar等。襯底可以是硅、砷化鎵(GaAs)或其它適用于在其上制造微電子電路的襯底。
隨著時間的過去，具有特定實例產(chǎn)品的給定晶片襯底將顯示出在其制造過程中接收的加工晶片襯底的分類圖特性。隨著每一晶片的芯片數(shù)目的增加，分類圖和步進器圖之間的關(guān)系變得更難解。另外，步進器圖會有意沿水平和垂直方向的任何一個方向或者兩個方向偏移，這會進一步復(fù)雜化兩圖的關(guān)系。因而，需要一種方法來解決晶片級曝光表征的以下兩個挑戰(zhàn)，即混淆成品率和系統(tǒng)缺陷以及將曝光域和成品率圖對準。
在實例實施例中，存在一種用于制造具有襯底的晶片的方法。該方法包括為對襯底的曝光域隨機分配數(shù)字。使用該隨機分配數(shù)字將曝光參數(shù)分配給各個曝光域。根據(jù)分配的曝光參數(shù)加工晶片。
在另一實例實施例中，存在一種用于橫跨襯底隨機化曝光條件的方法，該方法包括產(chǎn)生一隨機數(shù)列表。將隨機數(shù)映射給曝光域。隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表形成并根據(jù)隨機數(shù)被分類。將曝光劑量分配給根據(jù)隨機數(shù)分類的列表內(nèi)的每個曝光域并根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸?。該實施例的特征在于曝光域可在分配的曝光劑量下被印制?br> 在另一實例實施例中，存在一種用于表征光刻技術(shù)對晶片的影響的方法。該方法包括確定將要研究的影響和確定將要印制的多個曝光域。選擇至少一個參考管芯位置。執(zhí)行隨機化程序。參考管芯在曝光下被印制以使該參考管芯變明顯。每個曝光域在分配的曝光劑量下被印制。對晶片進行電測量并且將電測量與線寬聯(lián)系起來。
在另一實例實施例中，一種系統(tǒng)表征光刻技術(shù)對晶片的影響。該系統(tǒng)包括用于產(chǎn)生一隨機數(shù)列表的裝置、用于將隨機數(shù)映射給曝光域、形成隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表的裝置。存在用于根據(jù)隨機數(shù)對隨機數(shù)和曝光域的列表分類的裝置以及用于根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸惖难b置。對列分類之后，存在用于在分配的劑量下印制曝光域的裝置。該實施例的特征進一步包括用于選擇至少一個參考管芯位置的裝置和用于在曝光下印制參考管芯以使該參考管芯變明顯的裝置。
本發(fā)明的上述概述并不旨在代表本發(fā)明的每個公開的實施例或每個方面。在以下的圖中和詳細描述中將提供其它特征和實例實施例。
結(jié)合附圖考慮以下本發(fā)明的多個實施例的詳細描述會對本發(fā)明更完整地理解，其中

圖1概述了涉及根據(jù)本發(fā)明的實施例的印制曝光劑量的步驟；圖2A說明了根據(jù)本發(fā)明的實施例的曝光襯底的實例線寬圖以表征多晶硅柵寬對成品率的影響。
圖2B在根據(jù)本發(fā)明的實例工藝中，描述了多晶硅CD的電測量與聯(lián)機(inline)掃描電子顯微鏡(SEM)CD測量之間的關(guān)系；圖2C為實例工藝，描述了作為多晶硅線寬的函數(shù)的閾值電壓(Vt)衰減(roll off)曲線；圖2D為實例工藝，示出對于五種不同多晶硅光刻工藝的作為線寬的函數(shù)的相對成品率；以及圖3概述了根據(jù)本發(fā)明的實施例的涉及在如圖2A-2D所描述的實例工藝中得到數(shù)據(jù)的步驟。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)本發(fā)明在解決用戶在進行晶片級曝光表征的過程中會遇到的兩個挑戰(zhàn)方面是有用的，這兩個挑戰(zhàn)即混淆成品率和系統(tǒng)缺陷，其中用戶不能分辨和關(guān)聯(lián)特定系統(tǒng)的逐晶片的成品率變化以及將曝光域和成品率圖的對準，其中用戶可將特定曝光域與成品率聯(lián)系起來。成品率應(yīng)是成功通過電測試的產(chǎn)品或測試管芯的數(shù)目。通常成品率可以表示為好管芯對測試管芯數(shù)目的百分比。
為將混淆成品率和系統(tǒng)的橫跨晶片的缺陷的可能性減到最小，根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法是橫跨晶片隨機化曝光條件。參考圖1。一個實例方法是產(chǎn)生一隨機數(shù)列表210。將隨機數(shù)分配給每個曝光域220。根據(jù)隨機數(shù)對曝光域/隨機數(shù)的列表分類230。將曝光劑量分配給該根據(jù)隨機數(shù)分類的列表240。根據(jù)曝光域?qū)υ摿斜碓俅畏诸?50。每個曝光域在分配的劑量下被印制260。
在根據(jù)本發(fā)明的另一實例實施例中，21個步進器曝光(shot)的組具有分配給每個曝光的隨機數(shù)。隨機數(shù)可以用多個眾所周知的方法產(chǎn)生。它們可通過使用隨機數(shù)表手動產(chǎn)生或者在包括計算機或計算設(shè)備的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中產(chǎn)生?？衫密浖绦騺懋a(chǎn)生需要的隨機數(shù)列表。這種程序可存在于獨立計算機上或者通過客戶/服務(wù)器計算機的網(wǎng)絡(luò)。參考用于21個曝光域的情況的表1。根據(jù)隨機數(shù)對表1列表分類。
參考表2。參考表2。所希望的是具有相同曝光條件(例如相同劑量、焦點等)的三次復(fù)制的七種級別的曝光劑量。將該七種曝光劑量分配給3個組內(nèi)的21個曝光。
接著，根據(jù)步進器曝光對表2的列表分類以提供根據(jù)劑量分配所隨機化的曝光。參考表3。當然，如果這些域系統(tǒng)地不同，那么它們會被從隨機化列表中除去。例如，一些域只是部分地位于晶片上并且由于焦點影響因此會與內(nèi)部域不同而系統(tǒng)地產(chǎn)生。
表1 表2 表3分配給步進器曝光號根據(jù)隨機數(shù)的分類及附屬的劑量 根據(jù)曝光號的隨機化結(jié)果的隨機數(shù)
在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，將步進器圖與晶片分類或參數(shù)測試(p測試)圖對準的挑戰(zhàn)可通過有意提供一與其它很不相同的偏離中心的步進器域來解決，采用這種方式晶片分類圖或p測試圖會由此清晰地確定相關(guān)性。參數(shù)測試可包括在器件制造過程中在多個階段的器件的典型元件的測試。這些測試可包括晶體管、電阻器、二極管、接觸和轉(zhuǎn)接鏈路(contact and via chains)等，但不限于此。簡單電路，例如環(huán)形振蕩器、存儲模塊等可用晶體管和其它典型元件制造。
例如，在潛在地關(guān)鍵多晶硅層處，一個域可被嚴重曝光過度從而引起該域內(nèi)的所有管芯顯示出異常的漏電流。另一可能性應(yīng)是不曝光一個域?qū)?dǎo)致嚴重問題的一個域。例如，在金屬化步驟處，所述域內(nèi)的所有管芯由于短路應(yīng)是無功能的。在分類之后，將顯示出異常失效的芯片分配給基于步進器圖的步進器域。只要參考標記管芯偏離中心，那么就可確定對方位差別的修正。參考圖2A。晶片圖300示出旨在表征線寬對成品率的影響的橫跨晶片測試的線寬的實例。注意參考管芯310比下一個最小線寬小大約0.10μm，尺寸為約0.279μm。
在根據(jù)本發(fā)明的實施例的實例工藝中，所希望的是依賴于在多晶硅柵極層處的用于0.35μm雙多層(poly layer)非易失性存儲器工藝的5種不同抗蝕劑涂敷程序的參數(shù)和成品率來表征線寬。為在25片200mm晶片的一批內(nèi)完成上述內(nèi)容，用每個抗蝕劑工藝涂敷五個晶片，其后用7種曝光劑量的相同隨機化圖案曝光每個晶片。一個曝光域被故意曝光過度以便用作標記以將聯(lián)機測試與參數(shù)和成品率數(shù)據(jù)聯(lián)系起來。注意在沒有該工藝的情況下，將單個小管芯與步進器域位置明確地聯(lián)系起來是重要的。參考管芯310顯示出很強的漏電流，這可明確地允許將分類圖與橫跨該晶片的線寬聯(lián)系起來。在多晶硅層處測量所有晶片上的所有部位處的線寬。
圖2B示出電測量和聯(lián)機SEM測量之間的關(guān)系。圖320是描述SEM多CD測量對這種SEM測量如何電學(xué)表現(xiàn)的偏移的曲線325。零偏移意味著物理多CD測量與電多CD測量完全關(guān)聯(lián)。
與多晶硅CD相關(guān)的另一參數(shù)是閾值電壓衰減。參考圖2C。圖330描述了多晶硅CD與閾值電壓衰減的關(guān)系曲線335。
由于每個曝光域包括多個芯片(在該情況下為20)，因此使用該技術(shù)的成品率分析是一個挑戰(zhàn)。嚴重曝光過度的域引起該域內(nèi)期望的所有管芯的漏泄損耗。這允許聯(lián)機線寬和成品率圖完全相互關(guān)聯(lián)。因此，晶片內(nèi)的每個芯片可接著與曝光域和聯(lián)機多CD測量明確相關(guān)。成品率作為平均線寬的函數(shù)可由在每種劑量下好芯片對曝光芯片的比率計算出。圖2D示出用于5種不同多涂敷工藝的作為線寬的函數(shù)的相對成品率。圖340描述了成品百分比與多CD的關(guān)系曲線345。五種實例抗蝕劑工藝350被繪制。注意每條曲線345的每個數(shù)據(jù)點是700～1000個管芯的平均數(shù)。應(yīng)當強調(diào)的是圖2B-2D所示的數(shù)據(jù)是由僅僅25個晶片得到的以及線寬對5種獨特的抗蝕劑工藝的參數(shù)性能和成品率的依賴關(guān)系在該一批內(nèi)被完全表征。
在根據(jù)本發(fā)明特征的其它工藝中，可應(yīng)用使用隨機化曝光條件表征多個級別的對準的影響。例如，可在聯(lián)合實驗中對多晶硅和金屬化進行研究。這些表征可說明用于進行和分析橫跨單個晶片的光刻實驗的基于統(tǒng)計學(xué)的框架。
參考圖3。在根據(jù)本發(fā)明的實例實施例中，用戶可隨后進行工藝400以制造特征化晶片，如圖2A的實例所示。用戶按照他或她的經(jīng)驗在給定晶片制造工藝中會遇到在復(fù)雜的現(xiàn)代亞微米工藝中在特定步驟的晶片損失和伴隨的成本增加。如前面所提到的，在實例CMOS工藝的多晶硅層中，工藝在印制特征的區(qū)域內(nèi)會經(jīng)受挑戰(zhàn)。用戶確定將要研究的影響410。將要印制的管芯部位的數(shù)目必須被確定420。通常，將要印制的部位的數(shù)目已經(jīng)由已處于線內(nèi)的生產(chǎn)管芯限定。為了能夠?qū)⒕€寬和電測試聯(lián)系起來，選擇一個或多個參考管芯位置430。執(zhí)行隨機化程序440。例如，用戶可隨后進行圖1所概述的隨機化程序205。執(zhí)行完隨機化程序440，用戶可選擇在曝光下印制(多個)參考管芯以使它們變明顯450(即通過電測試是可檢測的)。在印制(多個)參考管芯之后，每個曝光域在分配的劑量下被印制460。例如，如關(guān)于圖2A所討論的多晶硅漏泄與漏電流強烈相關(guān)。通常在偏離中心的位置印制一個或多個參考管芯。這些參考管芯可被印制在晶片的四個象限內(nèi)。特定的成品率限制問題(yield limiting issue)和工藝通常會指導(dǎo)用戶關(guān)于參考管芯的適當?shù)臄?shù)目和位置。
這種使用單個晶片解決一次表征一個晶片的挑戰(zhàn)的方法在于它對逐晶片的影響不敏感。例如，如果無關(guān)的缺陷問題影響了在特定劑量下曝光的單個晶片，那么成品率損失會被錯誤地歸因于印制在該特定晶片上的線寬。同樣，通過隨機化，減小了橫跨晶片的系統(tǒng)性影響對成品率的影響。最后，該方法比標準的一次表征一個晶片的方法使用的晶片少。
本發(fā)明可被并入作為晶片步進設(shè)備的附加特征。多個廠商，例如CANON，ASML和NIKON制造這種設(shè)備。這種設(shè)備通常是計算機控制的并且用戶可編制用于生產(chǎn)、測試和表征的復(fù)雜程序。
在根據(jù)本發(fā)明的實例實施例中，晶片步進器可具有程序以在給定工藝期間表征晶片襯底。例如，可在計算機內(nèi)編制特定程序從而控制步進器。表征程序可存在于程序存儲器，光、磁存儲內(nèi)，或可存在于作為內(nèi)部內(nèi)聯(lián)網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)的一部分的客戶/服務(wù)器配置內(nèi)。作為聯(lián)機監(jiān)控系統(tǒng)的一部分，可設(shè)計用于測試的25的組之中的樣品襯底。用戶進入計算機內(nèi)以控制他或她想要研究的晶片步進器影響。計算機產(chǎn)生一將要印制的用于給定掩模和晶片組合的管芯部位的列表。計算機選擇參考管芯位置。計算機執(zhí)行隨機化程序。完成選擇管芯位置的隨機化和選擇參考管芯位置后，計算機命令晶片步進器在分配的曝光參數(shù)下印制管芯。
雖然已經(jīng)參考幾個特定實例實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)認識到在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可在本發(fā)明內(nèi)進行在下面的權(quán)利要求中列出的多種變化。
權(quán)利要求
1.一種用于制造具有襯底的晶片的方法(200)，包括為對襯底的曝光域隨機分配數(shù)字(210，220)；使用隨機分配數(shù)字(230，240)為各個曝光域分配曝光參數(shù)(250)；以及根據(jù)分配的曝光參數(shù)加工晶片(260)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中分配的曝光參數(shù)包括以下的至少一種光學(xué)鄰近校正(OPC)，特征尺寸，曝光劑量。
3.一種用于橫跨襯底隨機化曝光條件的方法(200)，包括產(chǎn)生一隨機數(shù)列表(210)；將隨機數(shù)映射給曝光域(220)，形成隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表；根據(jù)隨機數(shù)對該隨機數(shù)和曝光域的列表分類(230)；將曝光劑量分配給根據(jù)隨機數(shù)分類的列表內(nèi)的每個曝光域(240)；以及根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸?250)。
4.如權(quán)利要求3的方法，進一步包括在分配的曝光劑量下印制曝光域(260)。
5.一種用于表征光刻技術(shù)對晶片的影響的方法(410)，該方法包括確定要研究的影響(410)；確定要印制的多個曝光域(420)；選擇至少一個參考管芯位置(430)；執(zhí)行隨機化程序(440)；在曝光下印制參考管芯以使該參考管芯變明顯(450)；以及在分配的曝光劑量下印制每個曝光域(460)。
6.如權(quán)利要求5的方法，進一步包括，對晶片進行電測量；以及將電測量與線寬聯(lián)系起來。
7.如權(quán)利要求5的方法，其中參考管芯位置是偏離中心的。
8.如權(quán)利要求5的方法，其中選擇的參考管芯位置位于晶片上的四個象限內(nèi)。
9.如權(quán)利要求5的方法，其中執(zhí)行隨機化程序包括，產(chǎn)生一隨機數(shù)列表；將隨機數(shù)映射給曝光域，形成隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表；根據(jù)隨機數(shù)對該隨機數(shù)和曝光域的列表分類；將曝光劑量分配給根據(jù)隨機數(shù)分類的列表內(nèi)的每個曝光域；以及根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸悺?br> 10.用于制造具有襯底的晶片的系統(tǒng)，包括用于為襯底的曝光域隨機分配數(shù)字的裝置；用于使用隨機分配數(shù)字來為各個曝光域分配曝光參數(shù)的裝置；以及用于根據(jù)分配的曝光參數(shù)加工晶片的裝置。
11.用于表征光刻技術(shù)對晶片的影響的系統(tǒng)，包括用于產(chǎn)生一隨機數(shù)列表的裝置；用于將隨機數(shù)映射給曝光域，形成隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表的裝置；用于根據(jù)隨機數(shù)對該隨機數(shù)和曝光域的列表分類的裝置；用于將曝光劑量分配給根據(jù)隨機數(shù)分類的列內(nèi)的每個曝光域的裝置；用于根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸惖难b置；以及用于在分配的劑量下印制曝光域的裝置。
12.如權(quán)利要求11的系統(tǒng)，進一步包括，用于選擇至少一個參考管芯位置的裝置；和用于在曝光下印制參考管芯以使該參考管芯變明顯的裝置。
13.一種制造電子器件的方法，包括用預(yù)定劑量曝光光敏層的步驟，其中采用根據(jù)一個或多個上述權(quán)利要求的方法來確定預(yù)定劑量。
14.一種制造電子器件的方法，包括用預(yù)定劑量曝光光敏層的步驟，其中采用根據(jù)權(quán)利要求1的方法來確定預(yù)定劑量。
15.一種制造電子器件的方法，包括用預(yù)定劑量曝光光敏層的步驟，其中采用根據(jù)權(quán)利要求5的方法來確定預(yù)定劑量。
16.一種制造電子器件的方法，包括將光致抗蝕劑涂在襯底上(200)；用預(yù)定劑量曝光光致抗蝕劑，所述劑量采用一種方法預(yù)先確定，該方法包括為襯底的曝光域隨機分配數(shù)字(210，220)；使用隨機分配數(shù)字(230，240)為各個曝光域分配曝光參數(shù)(250)；以及根據(jù)分配的曝光參數(shù)曝光襯底上的光致抗蝕劑(260)。
17.如權(quán)利要求16的方法，其中分配的曝光參數(shù)包括以下的至少一種光學(xué)鄰近校正(OPC)，特征尺寸，曝光劑量。
18.一種制造電子器件的方法，包括將光致抗蝕劑涂在晶片上形成光敏層；用預(yù)定劑量曝光光致抗蝕劑，所述劑量采用一種方法預(yù)先確定，該方法包括表征光刻技術(shù)對晶片的光敏層的影響(410)，該表征包括確定要研究的影響(410)；確定要印制的多個曝光域(420)；選擇至少一個參考管芯位置(430)；執(zhí)行隨機化程序(440)；在曝光下印制光敏層上的參考管芯以使該參考管芯變明顯(450)；以及在分配的曝光劑量下印制光敏層上的每個曝光域(460)。
全文摘要
在制造半導(dǎo)體的過程中，通常需要表征線寬和線寬形狀對成品率的影響。在一個實例實施例中，存在一種用于橫跨襯底隨機化曝光條件的方法(200)。該方法包括產(chǎn)生一隨機數(shù)列表(210)。將隨機數(shù)映射給曝光域(220)，形成隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表。根據(jù)隨機數(shù)對該隨機數(shù)和相應(yīng)曝光域的列表分類(230)。為根據(jù)隨機數(shù)分類的列表內(nèi)的每個曝光域分配曝光劑量(240)。根據(jù)曝光域?qū)α斜矸诸?250)。
文檔編號G03F7/20GK1882883SQ200480011590
公開日2006年12月20日 申請日期2004年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月29日
發(fā)明者D·茲格, S·錢 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司