專利名稱：液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置(LCD)的陣列基板，更具體地，涉及使用衍射曝光工藝制造的具有多晶硅薄膜晶體管(TFT)的LCD陣列基板，及其制造方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，在用于在屏幕上顯示圖像信息的顯示裝置中，陰極射線管(CRT)已經(jīng)得到了最為廣泛的使用。但是，由于與其顯示面積相比較大的體積和重量，CRT存在很多不便之處。為此，開發(fā)出薄平板顯示器，這種顯示器可以在任何地方使用，因為它具有大的顯示面積和非常薄的外形。平板顯示器現(xiàn)在正在代替CRT。特別是，液晶顯示器(LCD)比其它平板顯示器表現(xiàn)出更高的分辨率，并且在顯示運(yùn)動圖像時具有可以與CRT的顯示質(zhì)量相比的快的響應(yīng)速度。
在工作中，LCD利用了光學(xué)各向異性和偏振現(xiàn)象。換句話說，液晶分子的排列方向可由人工施加到具有細(xì)長結(jié)構(gòu)并定向排列的液晶分子上的電磁場控制。
人工控制排列方向的能力使得能夠改變液晶分子的排列方向，并且可以調(diào)制由于光學(xué)各向異性而偏振的光。因此，通過施加電磁場，LCD能夠顯示圖像信息。
有源矩陣液晶顯示器包括多個薄膜晶體管(TFT)和與以矩陣結(jié)構(gòu)排列的TFT相連的多個像素電極。有源矩陣LCD由于其高分辨率和出眾的運(yùn)動圖像再現(xiàn)能力而得到廣泛的應(yīng)用。
LCD的基本元件是液晶板，現(xiàn)在將參考附圖進(jìn)行介紹。
圖1是典型的LCD的局部分解透視圖。通常，LCD 11包括上基板5和下基板22。上基板5包括黑底層6、包含紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子濾色器的濾色器7、以及在濾色器7上形成的透明公共電極18。下基板22包括像素區(qū)(P)、在像素區(qū)(P)上形成的像素電極17、以及包括開關(guān)元件(T)的陣列互連線。在上基板5和下基板22之間，插入液晶層15。
在本領(lǐng)域中下基板22被稱為“陣列基板”。在下基板22上，作為開關(guān)元件的多個薄膜晶體管以矩陣結(jié)構(gòu)排列，并且選通線13和數(shù)據(jù)線15被形成為穿過上述多個薄膜晶體管。而且，像素區(qū)(P)由選通線13和數(shù)據(jù)線15的交叉圖形限定。
在像素區(qū)(P)上形成的像素電極17由具有較高的光透射率的透明導(dǎo)電材料(例如，銦錫氧化物(ITO))制成。
當(dāng)在像素電極17上的液晶層14的液晶分子根據(jù)通過薄膜晶體管施加的信號而排列時，如上所述構(gòu)成的LCD 11顯示圖像。液晶分子的排列使得能夠控制通過液晶層14的光量。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)的LCD陣列基板的某些像素的局部放大平面圖。陣列基板采用p-Si TFT。換句話說，在LCD中采用的TFT根據(jù)作為有源溝道的半導(dǎo)體層的晶體狀態(tài)被分為非晶硅(a-Si)TFT和多晶硅(p-Si)TFT。
在p-Si TFT中，由于TFT具有高的場效應(yīng)遷移率，所以有利地提高了用于確定驅(qū)動像素數(shù)量的驅(qū)動電路的驅(qū)動頻率，并且因此使得高清晰度能力成為可能。而且，在p-Si TFT中，由于可以減小對像素區(qū)充入的信號電壓的充電時間，并由此降低了傳送信號的失真，所以可以預(yù)期圖像質(zhì)量的提高。此外，由于p-Si TFT能夠用低于10V的電壓驅(qū)動，所以與具有較高驅(qū)動電壓(大約25V)的a-Si TFT相比，還具有低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
參考圖2，多個選通線111和多個正交的數(shù)據(jù)線112以矩陣結(jié)構(gòu)排列，從而限定多個像素區(qū)(P)。
在數(shù)據(jù)線112與選通線111的交叉點(diǎn)，各TFT(T)包括半導(dǎo)體層116、柵極120、源極126和漏極128，并且像素電極134與TFT電連接。
半導(dǎo)體層116通過第一和第二半導(dǎo)體層接觸孔122a和122b與源極126和漏極128電連接，漏極128通過漏極接觸孔130與像素電極134電連接。
通過在基板上淀積非晶硅(a-Si)膜，并且使用激光退火來晶化所淀積的a-Si膜以形成多晶硅，從而形成半導(dǎo)體層116。
圖3A到3G示意性地示出了用于得到圖2的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖，其中剖面圖沿圖2的線I-I′截取。在圖3A到3G所示的工藝中，使用采用了p-Si TFT的陣列基板，并且通過將掩模圖形轉(zhuǎn)印到形成有薄膜的基板上來形成各個圖形。例如，使用包括光致抗蝕劑涂覆、掩模對準(zhǔn)、通過掩模對光致抗蝕劑曝光、以及光致抗蝕劑顯影的光刻工藝。
參考圖3A，使用第一絕緣材料在絕緣基板1的整個表面上形成緩沖層30，然后使用第一掩模工藝在緩沖層30上形成多晶硅有源層32a。
通過在緩沖層30上淀積非晶硅層，對非晶硅層進(jìn)行脫氫處理，并用熱處理將非晶硅層晶化為多晶硅層，來形成有源層32a。
參考圖3B，在圖3A的工藝之后，依次淀積第二絕緣材料和第一金屬膜，并用第二掩模工藝構(gòu)圖，以在有源層32a的中部形成柵絕緣層36和柵極38(在圖3D和3E中示出)。
而且，為了在有源層32a中形成溝道區(qū)以及重?fù)诫s的源極區(qū)和漏極區(qū)，用柵極38作為掩模對有源層32a的兩個暴露的邊緣進(jìn)行離子摻雜。
參考圖3C，在圖3B的工藝之后，在得到的基板1的結(jié)構(gòu)上用第三絕緣材料形成第一絕緣層40。
參考圖3D，在圖3C的工藝之后，淀積第三絕緣材料并利用第三掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成具有部分地暴露出有源層32a的兩個邊緣的第一和第二歐姆接觸孔46a和46b的第二絕緣層44。另選地，第一和第二絕緣層40和44可以作為一層形成。
在有源層32a的兩個邊緣，左邊緣為與由隨后的工藝形成的源極連接的源極區(qū)Ia，右邊緣為與漏極連接的漏極區(qū)Ib。接著，用雜質(zhì)離子對有源層32a的兩個暴露邊緣進(jìn)行重?fù)诫s，以形成歐姆接觸層32b和32c。
接著，參考圖3E，淀積第三金屬膜，然后用第四掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成漏極50和源極52。此時，漏極50通過第一歐姆接觸孔(圖3D的46a)與漏極區(qū)Ib的歐姆接觸層32c連接，源極52通過第二歐姆接觸孔(圖3D的46b)與源極區(qū)Ia的歐姆接觸層32b連接。
在該工藝中，所形成的TFT(T)包括半導(dǎo)體層32、柵極38以及源極和漏極52和50。柵極38與選通線(未示出)連接，源極52與數(shù)據(jù)線(未示出)連接。
接著，參考圖3F，在圖3E的工藝之后，在所得到的基板1的結(jié)構(gòu)上淀積第四絕緣材料，然后用第五掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成具有漏極接觸孔56的第三絕緣層54。
接著，參考圖3G，在所得到的基板1的包括漏極接觸孔56的結(jié)構(gòu)上淀積銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，然后用第六掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成像素電極62。當(dāng)TAB鍵合時，銦錫氧化物與金屬形成低電阻接觸。
如上所述，現(xiàn)有技術(shù)的LCD陣列基板用六個掩模步驟制造。
各掩模工藝代表了用于在基板上所形成的薄膜中形成所需要的圖形的一系列工藝。每個掩模工藝將掩模圖形轉(zhuǎn)印到薄膜上，并且包括光致抗蝕劑涂覆、曝光以及顯影等步驟。
隨著掩模工藝的數(shù)量的增加，生產(chǎn)率下降，并且缺陷發(fā)生的可能性增加。而且，由于被設(shè)計用于形成圖形的掩模非常昂貴，所以在陣列基板的制造中所用掩模數(shù)量的增加意味著LCD制造成本的增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及基本消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個或更多個問題的LCD陣列基板及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種包括一基板的LCD陣列基板。在基板上依次形成有源層、第一絕緣層和柵極。源極區(qū)和漏極區(qū)分別位于有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，并且分別摻雜了雜質(zhì)離子。第二絕緣層覆蓋包括柵極的基板的整個表面。像素電極位于第二絕緣層上。第一和第二接觸孔位于第一和第二絕緣層中，并且分別暴露出源極區(qū)和漏極區(qū)的一部分。源極的一部分通過第一接觸孔接觸源極區(qū)，漏極的第一部分接觸漏極區(qū)，漏極的第二部分接觸像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提供一種LCD陣列基板的制造方法。該方法包括在基板上依次形成有源層、第一絕緣層和柵極。通過在有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)注入雜質(zhì)離子，在有源層的預(yù)定區(qū)域上分別形成源極區(qū)和漏極區(qū)。在包括柵極的基板的整個表面上形成第二絕緣層。在第二絕緣層上形成像素電極，通過去除覆蓋在源極區(qū)和漏極區(qū)上的第一和第二絕緣層的一部分來形成第一和第二接觸孔。所形成的源極的一部分通過第一接觸孔接觸源極區(qū)，所形成的漏極的第一部分接觸漏極區(qū)，其第二部分接觸像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方案，提供一種LCD陣列基板的制造方法。該方法包括使用第一掩模工藝在基板上形成有源層，并且在基板上淀積第一絕緣層和第一金屬層。使用第二掩模工藝對第一金屬層進(jìn)行構(gòu)圖以形成柵極。通過在有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)注入雜質(zhì)離子，在有源層的預(yù)定區(qū)域上形成源極區(qū)和漏極區(qū)。在所得到的包括柵極的基板的整個表面上淀積第二絕緣層和透明導(dǎo)電膜。使用第三掩模工藝去除第一和第二絕緣層以及透明導(dǎo)電膜的一部分，以形成部分地暴露源極和漏極的第一和第二接觸孔，以及像素電極。在基板上淀積第二金屬層，并使用第四掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成源極和漏極，使得源極通過第一接觸孔連接到源極區(qū)，漏極通過第二接觸孔連接到漏極區(qū)。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上述總體介紹以及隨后的詳細(xì)介紹只是示例性的和說明性的，用于為權(quán)利要求書所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。


為進(jìn)一步理解本發(fā)明而提供的并且被引入作為本申請的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說明書一起說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的LCD的局部分解透視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的LCD陣列基板的一些像素的局部放大平面圖；圖3A到3G是示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖；圖4A到4F是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖；圖5A到5E是示例性地示出了在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖4C中介紹的第三掩模工藝的剖面圖；圖6是在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD陣列基板的制造方法中所用衍射掩模的局部平面圖；圖7A到7C是示出了由于在第三掩模工藝中的衍射曝光所引起的問題的剖面圖；圖8A和8B是用于在衍射曝光后測量光致抗蝕劑膜的SEM顯微照片；圖9A到9C是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖；圖10是在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD陣列基板的制造方法中所用衍射掩模的局部平面圖；圖11是采用雙柵極結(jié)構(gòu)的LCD陣列基板的像素的放大平面圖；圖12是在制造圖11的LCD陣列基板的過程中所用衍射掩模的局部平面圖；以及圖13A和13B是圖12的選定部分的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考顯示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例的附圖來介紹本發(fā)明。
圖4A到4F是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖。把圖4A到4F與圖3A到3G進(jìn)行比較，可以看出，與圖3A到3G的現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明的實(shí)施例中所用的掩模的數(shù)量減少了。
參考圖4A，制備透明絕緣基板400。然后，淀積薄多晶硅膜，隨后用第一掩模工藝對其進(jìn)行構(gòu)圖(未示出)，以形成有源層410?？梢酝ㄟ^在基板上淀積薄非晶硅膜，然后晶化所淀積的非晶硅膜來形成有源層410。
可以通過以下各種方法淀積非晶硅膜，例如低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)。
可以通過固相晶化方法或受激準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法進(jìn)行非晶硅膜的晶化。ELA方法使用脈沖型激光束。
除了上述晶化方法，已經(jīng)提出了連續(xù)橫向固化(SLS)方法，并進(jìn)行了廣泛的研究。SLS方法橫向生長晶粒，以大大增強(qiáng)晶化特性。
SLS方法表現(xiàn)出晶粒沿與液相硅和固相硅之間的邊界相垂直的方向生長的趨勢。例如，參看Robert S.Sposili，M.A.Crowder，and James S.Im，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.452，956-957，1997。該方法適當(dāng)?shù)乜刂萍す馐拇笮『驼丈浞秶?，以便使晶粒橫向生長至所希望的長度，從而增加硅晶粒的大小。
另選地，雖然沒有在附圖中示出，但是在形成有源層410之前，可以在基板上形成諸如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SixNy)的緩沖層。
緩沖層防止諸如Na等雜質(zhì)在工藝期間(特別是，在晶化期間)滲入上層。
在非晶硅膜晶化之后，進(jìn)行脫氫工藝，以減少在非晶硅膜中的氫原子的數(shù)量。
接著，參見圖4B，在包含有源層410的基板400上依次淀積第一絕緣層420和第一金屬層(未示出)。第一絕緣層420是柵絕緣層，由氧化硅或氮化硅制成。而且，金屬層以Al、Mo和Cu的單層或Al和Mo的雙層形成。然后用第二掩模工藝(未示出)對所淀積的金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，以在有源層410上方形成柵極430。
接著，用柵極430作為注入掩模，將雜質(zhì)離子注入有源層410，以分別在有源層410的兩個邊緣形成源極區(qū)410a和漏極區(qū)410b。
此時，有源層410的電特性隨所注入雜質(zhì)的導(dǎo)電類型而變化。例如，當(dāng)注入的雜質(zhì)為III族元素，例如，硼(B)時，有源層410用作P型TFT的元件，而當(dāng)注入的雜質(zhì)為V族元素，例如，磷(P)時，有源層410用作N型TFT的元件。
另選地，有源層410可以在源極區(qū)和漏極區(qū)的上表面具有輕摻雜的漏極(LDD)區(qū)。通過在有源層410中以與源極區(qū)和漏極區(qū)相比較低的濃度注入雜質(zhì)離子來形成LDD區(qū)。
參考圖4C，在形成源極區(qū)410a和漏極區(qū)410b之后，在所得到的包括柵極430的基板400的結(jié)構(gòu)上依次淀積第二絕緣層440和透明導(dǎo)電層。然后用第三掩模工藝(未示出)對這些層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成暴露源極區(qū)410a的第一接觸孔460、暴露漏極區(qū)410b的第二接觸孔462以及像素電極450。
在第三掩模工藝中，因為第一接觸孔460、第二接觸孔462以及像素電極450最好在一個掩模工藝中形成，所以使用衍射掩?；虬肷{(diào)(half-tone)掩模。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，衍射掩模具有狹縫結(jié)構(gòu)，該狹縫結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)于多個光透射區(qū)的多個狹縫區(qū)。穿過衍射掩模的狹縫區(qū)的透射光的量小于完全透射區(qū)的透光量。因此，當(dāng)使用具有狹縫區(qū)和完全透射區(qū)的衍射掩模對光致抗蝕劑膜曝光時，狹縫區(qū)內(nèi)剩下的光致抗蝕劑膜的厚度與完全透射區(qū)內(nèi)剩下的光致抗蝕劑膜的厚度不同。
換句話說，當(dāng)光致抗蝕劑膜是正型光致抗蝕劑時，暴露在穿過狹縫區(qū)照射的光中而形成的光致抗蝕劑膜的厚度大于暴露在穿過完全透射區(qū)照射的光中而形成的光致抗蝕劑膜的厚度。當(dāng)光致抗蝕劑膜是負(fù)型時，暴露在穿過完全透射區(qū)照射的光中而形成的光致抗蝕劑膜的厚度大于暴露在穿過狹縫區(qū)照射的光中而形成的光致抗蝕劑膜的厚度。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，用半色調(diào)區(qū)代替衍射掩模的狹縫區(qū)，以獲得相同的曝光效果。
具體地說，在本發(fā)明中，在垂直方向或水平方向連續(xù)排列多個衍射圖形，即，多個衍射狹縫，以形成大尺寸屏柵(screen)。結(jié)果，通過一個掩模工藝可以同時形成接觸孔和像素電極，這將通過圖5A到5E詳細(xì)介紹。
參考圖4D，在用第三掩模工藝形成第一接觸孔460、第二接觸孔462以及像素電極450之后，在所得到的基板400的結(jié)構(gòu)上淀積第二金屬層(未示出)，例如，Mo或Mo合金(例如，MoTa、MoW)。
用第四掩模工藝(未示出)對所淀積的第二金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成源極470和漏極480。源極470通過第一接觸孔460與源極區(qū)410a電連接。而且，漏極480具有通過第二接觸孔462與漏極區(qū)410b電連接的一個邊緣，其另一個邊緣與像素電極450電連接。而且，源極470還連接到數(shù)據(jù)線(未示出)。
如上所述，本發(fā)明的LCD陣列基板用四個掩模工藝來制造。因此，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的制造方法相比，本實(shí)施例可以省略兩個掩模工藝。由此，提高了生產(chǎn)率并降低了生產(chǎn)成本。
通過圖4A到4D的過程，本發(fā)明可以形成透射型LCD，并且通過增加圖4E和4F的過程，還可以兼具反射型LCD的功能。
即，如圖4E所示，在包括源極和漏極470和480的基板400的整個表面上淀積第三絕緣層490，然后對其進(jìn)行構(gòu)圖以形成第三接觸孔492。第三接觸孔492部分地暴露出漏極480，并且暴露出像素電極450的透射部分T。
接著，如圖4F所示，在包括第三接觸孔492的第三絕緣層490上淀積第二金屬層，然后用增加的第六掩模工藝(未示出)對其進(jìn)行構(gòu)圖以形成反射電極496，同時暴露出透射部分T。反射電極496通過第三接觸孔492與漏極480電連接，并用作反射部分R。
圖5A到5E是示出了在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD陣列基板的制造方法中的示例性的第三掩模工藝的剖面圖。
首先，如圖5A所示，在所得到的包括半導(dǎo)體層500、第一絕緣層520和柵極530的基板500的結(jié)構(gòu)上依次淀積第二絕緣層540和透明導(dǎo)電層552。隨后，在透明導(dǎo)電層552上涂覆光致抗蝕劑膜570。在本實(shí)施例中，第二絕緣層540是由有機(jī)絕緣材料制成的平面化的膜。
接著，參考圖5B，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，使用衍射掩模580對光致抗蝕劑膜570進(jìn)行曝光。衍射掩模580包括部分地透射入射光的第一透射區(qū)A1、完全透射入射光的第二透射區(qū)A2和完全阻擋入射光的阻擋區(qū)A3。因此，入射光穿過衍射掩模的第一透射區(qū)A1和第二透射區(qū)A2照射在光致抗蝕劑膜570上。
接著，參考圖5B和5C，曝光后的光致抗蝕劑膜570被顯影，從而留下了第一透射區(qū)A1和阻擋區(qū)A3內(nèi)的光致抗蝕劑膜，而去除了第二透射區(qū)A2內(nèi)的光致抗蝕劑膜。雖然示例性地介紹了正型光致抗蝕劑膜，但是也可以使用負(fù)型光致抗蝕劑膜。
在光致抗蝕劑膜570被顯影之后，對應(yīng)于第一透射區(qū)A1形成第一光致抗蝕劑圖形572，該第一光致抗蝕劑圖形572比對應(yīng)于阻擋區(qū)A3的第二光致抗蝕劑圖形574要薄。
用第一和第二光致抗蝕劑圖形572和574作為掩模，對透明導(dǎo)電層552和第二絕緣層540進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成第一接觸孔560和第二接觸孔562。
接著，參考圖5D，在形成第一和第二接觸孔560和562之后，用灰化工藝去除第一光致抗蝕劑圖形572。還部分地去除第二光致抗蝕劑圖形574，從而減小其厚度。
接著，參考圖5E，用第二光致抗蝕劑圖形574作為掩模，蝕刻暴露的導(dǎo)電層552，從而形成像素電極550。然后使用剝離劑(stripper)去除第二光致抗蝕劑圖形574。
在上述第三掩模工藝中，通過使用衍射掩模580的一個掩模工藝來形成第一和第二接觸孔560和562以及像素電極550。具體地說，除了形成第一和第二接觸孔以及像素電極550的區(qū)域之外，各個采用衍射狹縫582的第一透射區(qū)A1遍及整個像素區(qū)，如圖5B所示。為此目的，本發(fā)明利用能夠進(jìn)行大面積衍射的衍射掩模，這將在下面詳細(xì)介紹。
雖然在上述實(shí)施例中介紹的工藝中第二絕緣層540為有機(jī)絕緣材料，但是，第二絕緣層也可以是無機(jī)材料。如在隨后結(jié)合本發(fā)明的另一個實(shí)施例的介紹，當(dāng)?shù)诙^緣層為無機(jī)材料時，可能出現(xiàn)臺階覆蓋問題。具體地說，因為無機(jī)材料被淀積為薄層，所以在與之前形成的金屬層重疊的區(qū)域中無機(jī)膜可以變得非常薄。
圖6是在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD陣列基板的制造方法中所用衍射掩模的局部平面圖。在圖4C中介紹的第三掩模工藝中使用該衍射掩模，用于大尺寸屏柵。只顯示出了該掩模的對應(yīng)于一個單元像素區(qū)的部分。具體地說，圖6的衍射掩模是設(shè)計用于正型光致抗蝕劑膜的衍射掩模，但是本發(fā)明并不限于此。
參考圖5B和6，衍射掩模580包括用來形成接觸孔的第二透射區(qū)A2和用來形成像素電極的阻擋區(qū)A3。而且，衍射掩模還包括具有連續(xù)排列的多個狹縫600并且面積較大的第一透射區(qū)A1。
在圖6中，狹縫600沿行方向排列。另選地，狹縫600可以沿列方向或者以點(diǎn)的形式形成。
參考圖5B到圖5E，第二透射區(qū)A2完全透過入射光，從而形成了部分地暴露源極區(qū)和漏極區(qū)510a和510b的接觸孔560和562。以衍射圖形的形式形成第一透射區(qū)A1，以部分地透過入射光，從而只在阻擋區(qū)A3形成像素電極550。
如圖6所示，第一透射區(qū)A1的衍射圖形600包括多個用于部分地阻擋光的條600a和多個用于透過光的間隔600b。所設(shè)計的條600a或間隔600b的寬度范圍可以是大約1.0μm到大約2.0μm，并且可以根據(jù)特定的曝光設(shè)備和工藝配方而變化。
雖然上述實(shí)施例顯示并且介紹了第二絕緣層540由有機(jī)絕緣材料形成，第二絕緣層540也可以由無機(jī)絕緣材料形成。
在此情況下，應(yīng)注意，當(dāng)?shù)诙^緣層540由無機(jī)絕緣材料形成時，第二絕緣層540形成得較薄，因此，當(dāng)在第二絕緣層540下形成了金屬層時，會造成臺階覆蓋(step coverage)，即，與金屬層厚度對應(yīng)的高度差。
因此，當(dāng)在衍射曝光區(qū)域的下方存在金屬層時，照射光被金屬反射，從而使在金屬層上方的光致抗蝕劑膜不均勻，從而可能引起工藝缺陷。
圖7A到7C是示出了在第三掩模工藝中的衍射曝光的缺陷的剖面圖。
參考這些圖，與圖5A到5D的過程相比較，針對第二絕緣層由無機(jī)絕緣材料而不是有機(jī)絕緣材料形成的情況，對由在衍射曝光部分下方形成的金屬層引起的缺陷進(jìn)行說明。
參考圖7A，在基板700上淀積第二絕緣層740和透明導(dǎo)電層752。基板700包括有源層710、第一絕緣層720、柵極730和在透明導(dǎo)電層752上的光致抗蝕劑膜770。在這種情況下，光通過衍射掩模780照射在光致抗蝕劑膜770上。
則，由于第二絕緣層740由無機(jī)絕緣材料形成，并且與有機(jī)絕緣材料相比非常薄，所以由于下面的金屬層等而表現(xiàn)出高度差。
衍射掩模780包括用于部分地透過入射光的第一透射區(qū)A1、用于完全透過入射光的第二透射區(qū)A2和用于完全阻擋入射光的阻擋區(qū)A3。在所示結(jié)構(gòu)中，形成柵極730的區(qū)域B與裝置的其它部分相比存在高度差。
接著，使通過衍射掩模780曝光的光致抗蝕劑膜顯影，以形成第一光致抗蝕劑圖形772和第二光致抗蝕劑圖形774。即，通過使光致抗蝕劑膜顯影，光通過衍射掩模780的第一透射區(qū)和阻擋區(qū)照射的區(qū)域內(nèi)的光致抗蝕劑膜得以保留，但光完全透射的第二透射區(qū)內(nèi)的光致抗蝕劑膜被去除。
接著，參考圖7B，通過使用第一和第二光致抗蝕劑圖形772和774作為掩模，依次蝕刻暴露的透明導(dǎo)電層752和下面的第二絕緣層740，從而形成第一接觸孔760和第二接觸孔762。
此時，通過第一透射區(qū)A1形成的第一光致抗蝕劑圖形772應(yīng)當(dāng)比由于阻擋區(qū)A3的存在而沒有曝光的第二光致抗蝕劑圖形774要薄。
而且，第一光致抗蝕劑圖形772保持均勻的厚度從而防止隨后的蝕刻工藝中的失敗是很重要的。
但是，用來使光致抗蝕劑膜曝光的光被柵極730反射。因此，柵極730上剩下的光致抗蝕劑膜的厚度h1與區(qū)域A1外圍的光致抗蝕劑膜的厚度h2不同。
因此，如圖7C所示，當(dāng)使用灰化工藝去除第一光致抗蝕劑圖形772時，覆蓋在柵極730上的光致抗蝕劑膜較薄的部分(部分C)和在光致抗蝕劑圖形下面形成的導(dǎo)電層752也被去除了。這是由于第一光致抗蝕劑圖形沒有足夠厚的均勻的厚度來阻止蝕刻對于下面金屬的損害。
在圖8A和8B的SEM顯微照片中示出了光致抗蝕劑變薄的情況。
SEM顯微照片用來測量衍射曝光之后的光致抗蝕劑膜。如圖8A所示，當(dāng)沒有在光致抗蝕劑膜下面形成金屬層時，光致抗蝕劑膜的厚度為0.86μm，但是當(dāng)在光致抗蝕劑膜下面形成金屬層時，光致抗蝕劑膜的厚度為0.23μm，顯示出了相當(dāng)明顯的差別。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，為了克服上述問題，在例如形成柵極的金屬層區(qū)域的衍射曝光中，減小狹縫的寬度，以減少通過狹縫透過的光量，從而補(bǔ)償光致抗蝕劑膜的反射變薄。
注意，第二實(shí)施例以LCD的第二絕緣層由薄無機(jī)絕緣材料制成為例子。
圖9A到9C是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的LCD陣列基板的工藝流程的剖面圖。在圖9A到9C所示的陣列基板的制造方法與圖4中所示的基本相同，差別僅在于第三掩模工藝中狹縫的寬度是可控的。由此，該制造方法的說明將針對解決圖7A到7C所述問題的工藝。
首先，參考圖9A，在包括有源層910、第一絕緣層920、柵極930的基板900上淀積第二絕緣層940和透明導(dǎo)電層952。然后，在透明導(dǎo)電層952上涂覆光致抗蝕劑膜970。在這種情況下，光通過衍射掩模980照射在光致抗蝕劑膜970上。
這里，因為第二絕緣層940由無機(jī)絕緣材料制成，并且與有機(jī)絕緣材料相比非常薄，所以由于下面的金屬層等而表現(xiàn)出高度差。
衍射掩模980包括用于部分地透過入射光的第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4、用于完全透過入射光的第二透射區(qū)A2和用于完全阻擋入射光的阻擋區(qū)A3。
如圖9A所示，形成柵極930的區(qū)域D具有高度差。
本實(shí)施例的特征在于在第三透射區(qū)A4的預(yù)定部分A4b中的狹縫寬度比在第三透射區(qū)A4的預(yù)定部分A4a和第一透射區(qū)A1中的狹縫寬度要窄，從而補(bǔ)償在覆蓋柵極930的部分引起光致抗蝕劑膜的厚度減小的柵極930反射。
換句話說，正常的第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)的兩端A4a中的狹縫寬度最好為大約1.2μm，而第三透射區(qū)的部分A4b中的狹縫寬度最好為大約1.0μm。
因此，通過減小第三透射區(qū)A4的部分A4b中的狹縫寬度，減少了用于光致抗蝕劑膜曝光的光量，從而柵極930上方的光致抗蝕劑膜由于反射而變薄的量減小了。
雖然在本實(shí)施例中以正型光致抗蝕劑膜作為例子進(jìn)行了介紹，但是也可以使用負(fù)型光致抗蝕劑膜。
接著，參考圖9B，使通過衍射掩模980曝光的光致抗蝕劑膜顯影，以形成第一光致抗蝕劑圖形972和第二光致抗蝕劑圖形974。即，通過使光致抗蝕劑膜顯影，在光通過衍射掩模980的第一透射區(qū)A1、第三透射區(qū)A4和阻擋區(qū)照射的區(qū)域留下光致抗蝕劑膜，但在光完全透射的第二透射區(qū)A2的光致抗蝕劑膜被去除。
用第一和第二光致抗蝕劑圖形972和974作為掩模，依次蝕刻暴露的透明導(dǎo)電層952和下面的第二絕緣層940，從而形成第一接觸孔960和第二接觸孔962。
如圖9B所示，通過第一透射區(qū)A1形成的第一光致抗蝕劑圖形972比由通過阻擋區(qū)A3形成的第二光致抗蝕劑圖形974要薄。而且，通過用狹縫圖形進(jìn)行衍射曝光，從而第三透射區(qū)A4具有不同的寬度，由此第一光致抗蝕劑圖形972可以保持均勻的厚度。
換句話說，由于第三透射區(qū)A4具有狹縫寬度較窄的部分A4b和狹縫寬度較寬的部分A4a，減小了在形成柵極的區(qū)域中的衍射掩模的狹縫寬度，以減小通過衍射掩模的相應(yīng)區(qū)域的透射光量。通過補(bǔ)償柵極930反射的光和柵極930的高度，留在柵極930上方的光致抗蝕劑膜的厚度h3與柵極930周圍區(qū)域內(nèi)的光致抗蝕劑膜的厚度h3基本相同。
因此，如圖9C所示，當(dāng)使用灰化工藝去除第一光致抗蝕劑圖形972時，第一光致抗蝕劑圖形972的更均勻的厚度可以克服參考圖8C所述的工藝失敗。而且，在灰化工藝之后，在對應(yīng)的阻擋區(qū)A3剩下了第二光致抗蝕劑圖形974的一部分975。
在上述第三掩模工藝中，通過一個掩模工藝形成接觸孔和像素電極。但是，在本實(shí)施例中，除了形成接觸孔和像素電極的區(qū)域之外，采用具有較小狹縫寬度的衍射狹縫的區(qū)域遍及像素區(qū)的整個區(qū)域。為此目的，本發(fā)明利用能夠進(jìn)行大面積衍射的衍射掩模，這將在下面詳細(xì)介紹。
圖10是用在LCD陣列基板的制造方法中的大尺寸屏柵的衍射掩模的局部平面圖。具體地說，所示掩模用在根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的第三掩模工藝中，并且在圖10中只顯示出了該掩模的對應(yīng)于單元像素區(qū)的部分。
具體地說，圖10的衍射掩模被設(shè)計用于正型光致抗蝕劑膜，但是本發(fā)明并不限于此。
參考圖9和10，衍射掩模包括用來形成接觸孔的第二透射區(qū)A2和用來形成像素電極的阻擋區(qū)A3。而且，衍射掩模還包括具有在大面積上連續(xù)排列的多個狹縫1000的第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4。
圖10的衍射掩模的特征在于狹縫1000并不都以固定的間距排列，而是在形成金屬層(例如，柵極930)的區(qū)域E(第三透射區(qū)A4)以較小的寬度排列。
而且，在圖10中，狹縫1000沿行方向排列。另選地，狹縫1000可以沿列方向或者以點(diǎn)的形式形成。
參考圖10，第二透射區(qū)A2完全透過入射光，從而形成部分地暴露源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸孔960和962。以衍射圖形的方式形成第一透射區(qū)A1，以部分地透過入射光，從而只在阻擋區(qū)A3形成像素電極950。
如圖10所示，具有第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4的衍射圖形包括多個用于部分地阻擋光的條1000a和多個用于透過光的間隔1000b。間隔1000b的寬度范圍最好為大約1.0μm到大約2.0μm，并且可以根據(jù)特定的曝光設(shè)備和工藝配方而變化。
如上所述，間隔1000b之間的間距，即，在第三透射區(qū)A4中的狹縫的寬度，可以與除第三透射區(qū)A4以外的其它區(qū)域中的間隔之間的間距不同。
換句話說，在形成金屬層的區(qū)域A4b，狹縫的寬度變窄，在沒有形成金屬層的區(qū)域A4a，狹縫的寬度較寬。
作為一個例子，形成金屬層的區(qū)域中的狹縫寬度最好設(shè)計為大約1.0μm，而第一透射區(qū)A1的第一部分A1中的狹縫寬度最好設(shè)計為大約1.2μm。
雖然圖9的示例性實(shí)施例顯示和介紹的金屬層為柵極，但是本發(fā)明不必限于該金屬層。即，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以用于光致抗蝕劑膜下方的層不是金屬但由于該層的高度差會引起光致抗蝕劑膜的厚度差的情況。
而且，本發(fā)明可以用在具有雙柵極結(jié)構(gòu)的LCD陣列基板上。在具有雙柵極結(jié)構(gòu)的LCD陣列基板的制造方法中，所設(shè)計的衍射掩模具有包含窄寬度狹縫的區(qū)域，以對應(yīng)于形成金屬層(例如，柵極)的區(qū)域。
圖11是采用雙柵極結(jié)構(gòu)的LCD陣列基板的像素的放大平面圖。參考圖11，選通線1115和數(shù)據(jù)線1103彼此垂直交叉排列，在選通線1115和數(shù)據(jù)線1103的交叉區(qū)域處形成具有雙柵極的薄膜晶體管(TFT)。
TFT包括有源層1111、柵極1115a和1115a′以及源極和漏極1119a和1119b。
有源層1111的一部分形成存儲電容器的下電極1111′，下電極1111′與在下電極1111′上形成的上電極1112一起形成存儲電容器Cst。
柵極包括從選通線1115分支的第一柵極1115a，以及對應(yīng)于與有源層1111重疊的部分選通線1115的第二柵極1115a′。
源極1119a從數(shù)據(jù)線1103分支，并且通過第一接觸孔1117a與源極區(qū)1111a電連接。漏極1119b的一端通過第二接觸孔1117b與漏極區(qū)1111b連接，另一端與像素電極連接，即，同時與在透射區(qū)T上形成的透射電極和在反射區(qū)R上形成的反射電極連接。
在上述陣列基板中，當(dāng)具有高電壓電平的選通信號施加在柵極上時，在有源層中形成作為電子遷移通道的溝道，由此源極的數(shù)據(jù)信號通過有源層傳送到漏極。
當(dāng)選通信號施加到柵極上時，存儲電容器充入數(shù)據(jù)電壓，然后當(dāng)驅(qū)動下一個選通線并將數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極上時放電，以防止像素電極的電壓變化。
相應(yīng)地，當(dāng)具有低電壓電平的選通信號施加在柵極上時，切斷在有源層中形成的溝道，停止向漏極傳送信號。在LCD中使用雙柵極可以減小選通信號切斷時產(chǎn)生的泄漏電流。
雙柵極可以應(yīng)用于只在像素區(qū)形成透射電極的透射型LCD或者只在像素區(qū)形成反射電極的反射型LCD中。
如圖4到圖10中描述的本實(shí)施例的特征是，在形成具有雙柵極的LCD陣列基板時，使用一個掩模同時形成接觸孔117a和117b以及像素電極。
而且，本實(shí)施例的特征在于，在進(jìn)行衍射曝光時，使形成金屬層(例如，柵極)的區(qū)域的衍射狹縫的寬度比沒有形成金屬層的區(qū)域的窄，從而均勻地控制光致抗蝕劑膜的厚度。
圖12是在制造圖11的LCD陣列基板時所用衍射掩模的局部平面圖，并且顯示出在第三掩模工藝中所用的大尺寸衍射掩模。具體地說，圖12示出了對應(yīng)于單元像素區(qū)的衍射掩模區(qū)域。雖然圖12顯示并介紹了被設(shè)計用于正型光致抗蝕劑膜的衍射掩模，但是其應(yīng)用并不僅限于正型光致抗蝕劑膜。
參考圖11和12，衍射掩模包括用來形成接觸孔的第二透射區(qū)A2和用來形成像素電極的阻擋區(qū)A3等等。而且，衍射掩模還包括具有連續(xù)排列的大面積的多個狹縫1200的第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4。
圖12的衍射掩模的特征在于，狹縫1200并不都以固定的間距排列，而是在對應(yīng)于形成金屬層(例如，柵極或選通線)的區(qū)域的第三透射區(qū)A4，狹縫1200以較小的間隔寬度排列。而且，在圖12中，狹縫1200沿行方向排列。另選地，狹縫1200可以沿列方向或者以點(diǎn)的形式形成。
第二透射區(qū)A2完全透過入射光，從而形成部分地暴露源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸孔。以衍射圖形的方式形成第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4，以部分地透過入射光，從而只在阻擋區(qū)A3形成像素電極。
具有第一透射區(qū)A1和第三透射區(qū)A4的衍射圖形包括部分地阻擋光的條1200a和透過光的間隔1200b。間隔1200b的寬度范圍最好為大約1.0μm到大約2.0μm，并且可以根據(jù)特定的曝光設(shè)備和配方而變化。
如上所述，在第三透射區(qū)A4中，間隔1200b之間的間距，即，狹縫的寬度，不是固定的，換句話說，在形成金屬層的區(qū)域，使狹縫的寬度較窄，而在沒有形成金屬層的區(qū)域，使狹縫的寬度較寬。
作為一個例子，形成金屬層的區(qū)域中的狹縫寬度最好為大約1.0μm，而第一透射區(qū)A1的第一部分A1中的狹縫寬度最好設(shè)計為大約1.2μm。
圖13A和13B是圖12的選定部分的剖面圖。圖13A示出了沿圖12的剖面線II-II′的剖面圖，圖13B示出了沿圖12的剖面線III-III′的剖面圖。
圖13A和13B示出了使用正型光致抗蝕劑膜的本發(fā)明的實(shí)施例。在圖13A和13B的介紹中，只要有可能，與圖9A到9C相同的標(biāo)號將用來表示相同或類似的部件，并省略其重復(fù)的詳細(xì)介紹。
參考圖13A，光完全透過第二透射區(qū)A2，使光致抗蝕劑膜曝光，從而通過顯影工藝完全去除曝光的光致抗蝕劑膜。因為當(dāng)光通過第一透射區(qū)A1時被衍射，所以對應(yīng)于第一透射區(qū)A1的光致抗蝕劑膜僅部分地被顯影工藝去除。而且，因為衍射掩模的阻擋區(qū)A3阻擋光，所以對應(yīng)于阻擋區(qū)A3的光致抗蝕劑膜沒有曝光，因此也不會被顯影工藝去除。
在本實(shí)施例中，在第一透射區(qū)A1形成的狹縫沒有全部以固定的間距形成，如圖13B所示。換句話說，在圖13B所示的衍射掩模的特征在于，在形成金屬層(例如，柵極或選通線)的區(qū)域F的狹縫以較小的寬度排列，從而均勻地控制光致抗蝕劑膜的厚度。
如果第一透射區(qū)的所有狹縫以相等的間距形成，用來曝光光致抗蝕劑膜的光被金屬層(例如，柵極)反射，在柵極上留下的光致抗蝕劑膜的厚度h1與周圍的光致抗蝕劑膜的厚度h2不同，如上面參考圖7A到7C的介紹。
為了解決上述問題，在形成金屬層的區(qū)域A4的狹縫的寬度變窄，如圖13B所示。如上所述，根據(jù)LCD的陣列基板及其制造方法，用一個掩模工藝形成暴露TFT的漏極區(qū)和像素電極的接觸孔，從而簡化制造工藝并提高生產(chǎn)率。而且，提供具有狹縫的大尺寸衍射掩模，其中根據(jù)衍射曝光部分下面是否存在金屬層來控制狹縫的寬度，從而在衍射曝光期間控制光致抗蝕劑膜的厚度。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然在本發(fā)明中可以進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明試圖覆蓋落入附帶的權(quán)利要求書及其等價物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
優(yōu)先權(quán)聲明本申請要求2004年4月12日申請的韓國專利申請No.24856/2004的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其公開內(nèi)容并入本文中。
權(quán)利要求
1.一種LCD的陣列基板，包括基板；基板上的有源層，覆蓋在有源層上的第一絕緣層，和覆蓋在第一絕緣層上的柵極；位于有源層的預(yù)定區(qū)域中的源極區(qū)和漏極區(qū)，二者都摻雜了雜質(zhì)離子；覆蓋在包括柵極的基板的整個表面上的第二絕緣層；第二絕緣層上的像素電極；第一和第二絕緣層中的第一和第二接觸孔，分別暴露出源極區(qū)和漏極區(qū)的一部分；源極，其一部分通過第一接觸孔接觸源極區(qū)；以及漏極，其第一部分接觸漏極區(qū)，其第二部分接觸像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的陣列基板，其中有源層包括多晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的陣列基板，還包括在有源層下的緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的陣列基板，其中像素電極以及第一和第二接觸孔是利用具有衍射圖形的掩模形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的陣列基板，其中衍射圖形僅使部分入射光透射到除像素電極以及第一和第二接觸孔所在區(qū)域之外的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的陣列基板，其中衍射圖形的狹縫寬度范圍為從大約1.0μm到大約2.0μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的陣列基板，其中在基板上的存在金屬層的區(qū)域中，相應(yīng)的衍射圖形的狹縫寬度有變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的陣列基板，其中第二絕緣層包括無機(jī)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的陣列基板，其中所述相應(yīng)的衍射圖形具有大約1.0μm的狹縫寬度，而沒有金屬層的區(qū)域上方的衍射圖形具有大約1.2μm的狹縫寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的陣列基板，還包括覆蓋在包括源極和漏極的基板的整個表面上的第三絕緣層；在第三絕緣層的預(yù)定區(qū)域中的第三接觸孔，其暴露出漏極的一部分；以及在第三絕緣層上的反射電極，其通過第三接觸孔電連接到漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的陣列基板，其中柵極包括從選通線分支的第一柵極，以及包括與有源層重疊的部分選通線的第二柵極。
12.一種LCD陣列基板的制造方法，該方法包括在基板上依次形成有源層、第一絕緣層和柵極；通過在有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)注入雜質(zhì)離子，在有源層的預(yù)定區(qū)域上形成源極區(qū)和漏極區(qū)；在包括柵極的基板的整個表面上形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成像素電極，并通過去除覆蓋在源極區(qū)和漏極區(qū)上的第一和第二絕緣層的一部分來形成第一和第二接觸孔；形成源極，源極的一部分通過第一接觸孔接觸源極區(qū)；以及形成漏極，漏極的第一部分接觸漏極區(qū)，其第二部分接觸像素電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中形成像素電極以及第一和第二接觸孔的步驟包括在第二絕緣層上形成透明導(dǎo)電膜；在透明導(dǎo)電膜上涂覆光致抗蝕劑膜；使用具有部分地透光的第一透射區(qū)、完全透光的第二透射區(qū)以及完全阻擋光的阻擋區(qū)的掩模，用光照射所涂覆的光致抗蝕劑膜；使曝光的光致抗蝕劑膜顯影，以形成對應(yīng)于第一透射區(qū)的第一光致抗蝕劑圖形和對應(yīng)于阻擋區(qū)的第二光致抗蝕劑圖形；用第一和第二光致抗蝕劑圖形作為掩模，部分地去除第一絕緣層、第二絕緣層和透明導(dǎo)電膜，以形成第一和第二接觸孔；去除第一光致抗蝕劑圖形；以及用第二光致抗蝕劑圖形作為掩模，構(gòu)圖透明導(dǎo)電膜，以形成像素電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一透射區(qū)具有衍射圖形，用于部分地透過入射到除形成第一和第二接觸孔的區(qū)域之外的區(qū)域的光。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一透射區(qū)具有半色調(diào)圖形，用于部分地透過入射到除形成第一和第二接觸孔的區(qū)域之外的區(qū)域的光。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中衍射圖形包括用于部分地屏蔽光的狹縫狀的條和用于透光的間隔。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中衍射圖形的狹縫寬度范圍為從大約1.0μm到大約2.0μm。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中衍射圖形的狹縫寬度存在差別，使得光致抗蝕劑圖形具有基本均勻的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中在基板上的存在金屬層的區(qū)域內(nèi)，相應(yīng)的衍射圖形的狹縫寬度是不同的。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第二絕緣層包括無機(jī)材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中金屬層上方的衍射圖形具有大約1.0μm的狹縫寬度，在沒有金屬層的區(qū)域上方的衍射圖形具有大約1.2μm的狹縫寬度。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中金屬層包括柵極。
23.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括形成覆蓋了包括源極和漏極的基板的整個表面的第三絕緣層；去除第三絕緣層的預(yù)定部分，以形成第三接觸孔，第三接觸孔暴露出第三絕緣層的預(yù)定區(qū)域，并且暴露出像素電極；以及在第三絕緣層上形成通過第三接觸孔電連接到漏極的反射電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中柵極包括從選通線分支的第一柵極，以及包括與有源層重疊的部分選通線的第二柵極。
25.一種LCD陣列基板的制造方法，該方法包括用第一掩模工藝在基板上形成有源層；在包括有源層的基板上淀積第一絕緣層和第一金屬層，并用第二掩模工藝構(gòu)圖第一金屬層，以形成柵極；通過在有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)注入雜質(zhì)離子，在有源層的預(yù)定區(qū)域上形成源極區(qū)和漏極區(qū)；在包括柵極的基板的整個表面上淀積第二絕緣層和透明導(dǎo)電膜，并用第三掩模工藝去除第一和第二絕緣層以及透明導(dǎo)電膜的一部分以形成第一和第二接觸孔，第一和第二接觸孔部分地暴露出源極和漏極以及像素電極；以及在基板上淀積第二金屬層，并用第四掩模工藝構(gòu)圖第二金屬層，以形成源極和漏極，使得源極通過第一接觸孔連接到源極區(qū)，漏極通過第二接觸孔連接到漏極區(qū)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中用包含衍射圖形的掩模形成像素電極以及第一和第二接觸孔。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中衍射圖形部分地透過入射到除形成有像素電極以及第一和第二接觸孔的區(qū)域之外的區(qū)域的光。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中在基板上的存在金屬層的區(qū)域內(nèi)，相應(yīng)的衍射圖形的狹縫寬度是不同的。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中第二絕緣層包括無機(jī)材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中柵極包括從選通線分支的第一柵極，以及包括與有源層重疊的部分選通線的第二柵極。
31.一種LCD陣列基板的制造方法，該方法包括提供具有覆蓋在被構(gòu)圖的金屬層上的絕緣層的基板；形成覆蓋在絕緣層上的抗蝕劑層；以及相對于基板布置掩模，其中掩模的衍射密度有變化，并且其中掩模的布置使得高衍射密度的區(qū)域?qū)?yīng)于被構(gòu)圖的金屬層。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中絕緣層包括無機(jī)材料。
33.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中布置掩模的步驟包括布置具有狹縫寬度范圍為從大約1.0μm到大約2.0μm的衍射圖形的掩模。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中與被構(gòu)圖的金屬層對應(yīng)的衍射圖形具有大約1.0μm的狹縫寬度，沒有構(gòu)圖金屬層的區(qū)域上方的衍射圖形具有至少大約1.2μm的狹縫寬度。
全文摘要
液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。提供一種LCD陣列基板，其包括基板以及在基板上依次形成的有源層、第一絕緣層和柵極。源極區(qū)和漏極區(qū)位于有源層的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，并且分別摻雜有雜質(zhì)離子。第二絕緣層覆蓋包括柵極的基板的整個表面。像素電極位于第二絕緣層上。第一和第二接觸孔位于第一和第二絕緣層中，并且分別暴露出源極區(qū)和漏極區(qū)的一部分。源極的一部分通過第一接觸孔接觸源極區(qū)，漏極的第一部分接觸漏極區(qū)，其第二部分接觸像素電極。
文檔編號G02F1/133GK1683979SQ20041009093
公開日2005年10月19日 申請日期2004年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月12日
發(fā)明者鄭塤, 長正又 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社