專利名稱：偏振光學(xué)元件及其制造方法和使用該元件的反射光學(xué)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及偏振光學(xué)元件及其制造方法和使用該元件的反射光學(xué)元件，尤其涉及通過(guò)高分子高次結(jié)構(gòu)的控制，將從幾納米到幾十納米范圍中、長(zhǎng)度為幾十納米到幾毫米的各方異性導(dǎo)電性物質(zhì)形成在其表面或內(nèi)部的可使用在可見(jiàn)光區(qū)到紅外區(qū)的格柵型偏振光學(xué)元件及其連續(xù)制造方法，以及使用該偏振光學(xué)元件的反射光學(xué)元件。
背景技術(shù)：
截至目前為止，人們知道3種薄膜狀的偏振光學(xué)元件的制作方法。第1種方法如下述專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣，即將碘元素這樣的二色性色素?fù)诫s到延伸的聚乙烯醇(PVA)薄膜中的方法。在該方法中，將吸附著碘元素絡(luò)合物等的二色性物質(zhì)的PVA的薄膜通過(guò)旋轉(zhuǎn)的滾筒之間，一邊加熱一邊沿著軸向延伸，使PVA分子定向的同時(shí)使得碘元素絡(luò)合物也定向。在該結(jié)構(gòu)的薄膜狀的偏振光學(xué)元件中，因?yàn)檎駝?dòng)面正交于薄膜延伸方向的光是可以透過(guò)的，但是振動(dòng)面平行于薄膜延伸方向的光被吸收而消失，所以，如果將兩個(gè)該薄膜狀的偏振光學(xué)元件重疊設(shè)置，那么因整個(gè)振動(dòng)面的光被吸收而變得黑暗。因?yàn)橛稍摰?種方法制造的偏振光學(xué)元件價(jià)格便宜、消光比好，而且可制造任意大小的薄膜狀的偏振光學(xué)元件，所以，在目前的液晶顯示裝置等中廣泛地使用，但是，使用范圍幾乎限于可見(jiàn)光范圍。
第2種薄膜狀的偏振光學(xué)元件的制作方法如下述專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的那樣，即將兩種的高分子或無(wú)機(jī)微粒子分散到高分子中，沿著軸向延伸處理，例如在延伸方向使得混合的物質(zhì)的折射率保持一致，而在垂直方向上產(chǎn)生盡量大的折射率差Δn。即使與上述方法相反，即在延伸方向使得折射率差Δn變大而在垂直方向上的折射率差Δn＝0這種設(shè)置也是可以的。在任意場(chǎng)合中，理想的狀況是將一個(gè)方向上的折射率差Δn盡量大而為0.5以上，將另一方向上的折射率差Δn設(shè)置為0，但是，探究該條件是極其困難的事情。因此，在由該第二種方法制成的偏振光學(xué)元件中，可制成小面積的偏振光學(xué)元件，但是，即使局部上延伸倍率較小而變得不同時(shí)，該部分的折射率差Δn與其他部分的折射率差Δn就變得不同，所以偏振功能變?nèi)酢Ａ硗?，為獲得預(yù)定的偏振性能，因具有某程度厚度是必要的，所以，很難獲得薄膜化的高性能的偏振光學(xué)元件。
另外，第3種薄膜狀的偏振光學(xué)元件的制作方法是這樣的，即通過(guò)將細(xì)金屬絲的間隔設(shè)為偏振的波長(zhǎng)以下而獲得偏振性。由該方法制作的偏振光學(xué)元件被稱為格柵型偏振光學(xué)元件。細(xì)金屬絲的間隔d設(shè)為比光的波長(zhǎng)λ要足夠小的間隔，具體地以d＜λ/2這一間隔等間距地設(shè)置的場(chǎng)合中，表示出作為光學(xué)偏振元件的作用。該形式的偏振光學(xué)元件具有如下功能，即振動(dòng)面與金屬線的長(zhǎng)度方向相同的光予以反射，振動(dòng)面與該金屬線的垂直方向相同的光予以透過(guò)。因此，該格柵型的偏振光學(xué)元件與上述第1種的薄膜狀的偏振光學(xué)元件的動(dòng)作原理完全不同，將兩個(gè)格柵型偏振光學(xué)元件以正交的方式重疊設(shè)置時(shí)，因?yàn)榭煞瓷湔麄€(gè)振動(dòng)面上的入射光，所以實(shí)質(zhì)上起到鏡子的作用。該格柵型的偏振光學(xué)元件雖然可提高光的透過(guò)率，但是需要將導(dǎo)電性的細(xì)金屬絲及其間隔設(shè)置在偏振的波長(zhǎng)以下。因此，目前使用在波長(zhǎng)較長(zhǎng)的紅外線等中，在可見(jiàn)光的偏振上不適合，所以，幾乎不使用。
作為這樣的格柵型偏振光學(xué)元件的一個(gè)例子，在下述的專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了上述格柵型偏振光學(xué)元件的制造方法，即在電介體中或電介體表面上將金屬以格子狀的方式分布而成結(jié)構(gòu)的格柵型偏振光學(xué)元件中，將金屬以格子狀方式填充在兩個(gè)電介體之間且一體化后，將上述金屬格子整體沿著直線方向上加熱延伸或壓延而制造得到上述格柵型的偏振光學(xué)元件。
然而，在下述專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的格柵型的偏振光學(xué)元件的制造方法中，因?yàn)樾枰訜岬浇饘偕煺顾枰臏囟?，所以以高分子物質(zhì)作為電介體的場(chǎng)合，在該溫度時(shí)高分子物質(zhì)已經(jīng)變?yōu)槿谝籂顟B(tài)或已經(jīng)分離，這樣，不能制作偏振光學(xué)元件，另外，大面積化實(shí)際上也是困難的。
另外，下述的專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了一種格柵型的偏振光學(xué)元件，其中通過(guò)透明而柔軟的基板上形成金屬膜，在金屬膜的融點(diǎn)以下時(shí)延伸基板和金屬膜，這樣，形成由具有各向異性的形狀的金屬部分和電介體部分構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
然而，如果利用下述專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)的格柵型偏振光學(xué)元件的制造方法，因?yàn)檠由焱该鞫彳浀幕逋ㄟ^(guò)延伸而均勻地延伸，在該基板上的金屬薄膜上也施加均勻的延伸力，所以，由金屬膜形成的金屬線不以波長(zhǎng)級(jí)的間隔規(guī)則地并列。即使用如金這樣的延展性良好的金屬時(shí)，因?yàn)樵摻饘倥c基板一起延伸而覆蓋不相變的基板，一方面，使用不具有如鋁這樣的延展性好的金屬時(shí)，因?yàn)楫a(chǎn)生不規(guī)則的裂紋，同時(shí)金屬?gòu)幕迳厦撀洌源嬖趲缀醪荒艿玫狡裥Ч@樣的問(wèn)題。
另外，近年來(lái)，如專利文獻(xiàn)5所公開(kāi)的那樣，提出在玻璃板上利用光致抗蝕膜而制作細(xì)溝，通過(guò)在該處蒸發(fā)金屬，制成可見(jiàn)光域的偏振光學(xué)元件的方法，但是，在該方法中，制造過(guò)程復(fù)雜，價(jià)格變高，實(shí)踐中不能實(shí)現(xiàn)5cm2以上的大面積化作業(yè)。
因此，在上述的格柵型的偏振光學(xué)元件的制造方法中，只能獲得最大幾平方厘米的偏振光學(xué)元件，不能獲得具有該面積以上的大面積的薄膜狀的格柵型的偏振光學(xué)元件。因此，人們強(qiáng)烈需要開(kāi)發(fā)出這樣一種大面積的薄膜狀的格柵型的偏振光學(xué)元件及其便宜的制造方法，其具有從可見(jiàn)光范圍到紅外線范圍使得偏振效果提高的、在使用波長(zhǎng)的1/10的幅寬即從10nm至幾微米的幅寬下具有使用波長(zhǎng)的10倍以上的長(zhǎng)度即從幾百納米至幾百微米長(zhǎng)度的導(dǎo)電體和電介體交互地配置的結(jié)構(gòu)。
特開(kāi)平05-019247號(hào)公報(bào)(段落0008)[專利文獻(xiàn)2]特開(kāi)2002-022966號(hào)公報(bào)(專利請(qǐng)求的范圍、段落0033～0043)[專利文獻(xiàn)3]特開(kāi)平9-090122號(hào)公報(bào)(專利請(qǐng)求的范圍、段落0011～0021、圖1)[專利文獻(xiàn)4]特開(kāi)2001-074935號(hào)公報(bào)(專利請(qǐng)求的范圍、段落0011～0014、圖1、圖2)[專利文獻(xiàn)5]特表2003-529680號(hào)公報(bào)(專利請(qǐng)求的范圍)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明者提出了克服上述現(xiàn)有格柵型偏振光學(xué)元件制造上的問(wèn)題的高性能大面積而廉價(jià)的制造生成格柵型偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，通過(guò)反復(fù)各種檢驗(yàn)的結(jié)果，利用輥技術(shù)，控制高分子膜的微觀結(jié)構(gòu)，將具有光或者電波的波長(zhǎng)以下的范圍的導(dǎo)電性細(xì)絲以與光或電波的波長(zhǎng)相比更充分小的間隔排列生成該元件，直至完成本發(fā)明。
即本發(fā)明的第1個(gè)目的是提供一種使用從可見(jiàn)光區(qū)到紅外光區(qū)波長(zhǎng)的光得到高性能大面積而廉價(jià)制造生成的格柵型偏振光學(xué)元件。
另外本發(fā)明的第2個(gè)目的為提供一種采用輥拉伸技術(shù)制作前述格柵型偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
進(jìn)一步，本發(fā)明的第3個(gè)目的是提供一種將上述格柵型偏振光學(xué)元件從可見(jiàn)光區(qū)及紅外光區(qū)到毫米波、微波的寬波長(zhǎng)帶域范圍復(fù)合化的格柵型型反射光學(xué)元件。
本發(fā)明的上述第1個(gè)目的由以下構(gòu)成而達(dá)到。即，本發(fā)明的偏振光學(xué)元件的發(fā)明其特征在于，將導(dǎo)電性薄膜形成在具有下列(1)或(2)的高次結(jié)構(gòu)的膜的一面或兩面的整個(gè)面中得到復(fù)合膜，進(jìn)一步將復(fù)合膜拉伸后熱固定，得到由各向異性的導(dǎo)電性部分及高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，形成該偏振光學(xué)元件，由該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比要短，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(1)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，將得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜。
(2)從下列(a～c)選擇的下列A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)拉伸得到膜。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
這種場(chǎng)合，將上述(1)的結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理得到的結(jié)晶部和非晶部交互連接形成高次結(jié)構(gòu)膜或上述(2)的A相和B相在拉伸方向交互連接形成高次結(jié)構(gòu)的膜中，為了使微細(xì)結(jié)晶部及非晶部或者A相和B相均勻分散，將導(dǎo)電性薄膜形成在兩膜的表面整個(gè)面上并將得到的復(fù)合膜進(jìn)一步做拉伸處理，在該場(chǎng)合，由于結(jié)晶部及非晶部或者A相和B相的延伸性具有差異，在各個(gè)表面上形成的導(dǎo)電性薄膜具有規(guī)則的裂紋，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)。由該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)在短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成很好的偏振光學(xué)元件。另外，上述拉伸處理后的熱固定是為了防止伸展的膜復(fù)位到原來(lái)的狀態(tài)，提高全體的尺寸穩(wěn)定性而做出的。
另外，本申請(qǐng)的上述第1個(gè)目的通過(guò)下列構(gòu)成得到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的發(fā)明是通過(guò)下列(1)或(2)的高次膜的單面或雙面上進(jìn)行化學(xué)析出法，下列結(jié)晶部及非晶部的任一方或下列A相及B相的任一方選擇的導(dǎo)電性物質(zhì)形成，各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)形成，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件。
(1)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，將得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜。
(2)從下列(a～c)選擇的下列A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)拉伸得到膜。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
這種場(chǎng)合，將上述(1)的結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理得到的結(jié)晶部和非晶部交互連接形成高次結(jié)構(gòu)膜或上述(2)的A相和B相在拉伸方向交互連接形成高次結(jié)構(gòu)的膜中，微細(xì)結(jié)晶部及非晶部乃至A相和B相均勻分散，而且，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比更短些，與在結(jié)晶部及非晶部形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比具有更長(zhǎng)些的高次結(jié)構(gòu)，以生成得到該膜，另外，A相和B相的拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比更短些，與在A相和B相形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比具有更長(zhǎng)些的高次結(jié)構(gòu)，也生成得到該膜。
另外，通常，1∶1的A·B型塊狀共聚體由與其分子量對(duì)應(yīng)條紋模樣的結(jié)構(gòu)形成是眾所周知的，形成的短方向的長(zhǎng)度一般為幾納米到幾十納米范圍。通常具有幾微米長(zhǎng)度的分子長(zhǎng)的塊狀共聚體是很難有的，但是作為聚合體A或B，使用液晶性高分子，可得到長(zhǎng)方向達(dá)到A4尺寸以上的長(zhǎng)度的結(jié)構(gòu)。
因此，如對(duì)具有上述高次結(jié)構(gòu)膜通過(guò)化學(xué)析出法形成導(dǎo)電性物質(zhì)，因?yàn)樾纬山Y(jié)晶部及非晶部或者A相和B相上選擇的導(dǎo)電性物質(zhì)，所以具有由良好的各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，由該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣便形成了該偏振光學(xué)元件。另外，形成上述導(dǎo)電性物質(zhì)后，為了防止伸展的膜復(fù)位到原來(lái)的狀態(tài)，最好進(jìn)行熱固定，以提高全體的尺寸穩(wěn)定性。
另外本申請(qǐng)的上述第1個(gè)目的由以下構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的發(fā)明為，通過(guò)以下的(1)～(4)的工序制造的各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)形成的結(jié)構(gòu)形成，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣形成了該偏振光學(xué)元件。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜的步驟。
(II)通過(guò)下列(a～c)任意的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)將導(dǎo)電性薄膜形成在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上的得到復(fù)合膜的步驟，(3)對(duì)上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步輥拉伸的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
這種場(chǎng)合，上述(1)～(3)的步驟中，和上述記載的偏振光學(xué)元件一樣，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣形成得到了該膜，但是，該膜上被形成的導(dǎo)電性部位在上述(4)的步驟中被轉(zhuǎn)寫(xiě)成透明膜，形成由新的透明膜上各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣形成了該偏振光學(xué)元件。
另外，本申請(qǐng)的上述第1目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的發(fā)明是，經(jīng)過(guò)以下的(1)～(3)的步驟制造的各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以此形成該偏振光學(xué)元件。
通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜的步驟。
(II)通過(guò)下列(a～c)任意的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
將在上述(1)的步驟中得到的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面通過(guò)化學(xué)析出法，將導(dǎo)電性物質(zhì)形成在上述結(jié)晶部或非晶部任一方或上述A相及B相的任一方而得到復(fù)合膜的步驟，將在對(duì)上述(2)的步驟中得到的相對(duì)膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
這種場(chǎng)合，上述(1)～(2)的步驟中，和上述記載的發(fā)明一樣，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣形成得到了該膜，但是，該膜上被形成的導(dǎo)電性部位在上述(3)的步驟中被轉(zhuǎn)寫(xiě)成透明膜，形成由新的透明膜上各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，這樣形成了該偏振光學(xué)元件。
上述記載的偏振光學(xué)元件中，優(yōu)選地，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度為將被偏振的入射光的波長(zhǎng)的1/20～1/2的范圍，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度為該入射光波長(zhǎng)的2倍以上。該場(chǎng)合，由上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子部分電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為小于1/20時(shí)，因上述各向異性的導(dǎo)電性部分光吸收或反射變多，光透過(guò)率變差，所以并不理想。另外，超過(guò)1/2時(shí)偏振特性變差。而且，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度不到2倍時(shí)，偏振特性變差，另外，理論上，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度在制作生成時(shí)的界限沒(méi)有限制，從而容易根據(jù)所使用的偏振光學(xué)元件的尺寸來(lái)確定。
被偏振的入射光為可見(jiàn)光的場(chǎng)合，波長(zhǎng)范圍為約400nm～700nm，所以，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度取值為20nm～350nm的范圍，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為800nm以上，那樣的話，形成的偏振光學(xué)元件的偏振特性將很好。
另外，被偏振的入射光為紅外光的場(chǎng)合，波長(zhǎng)范圍為700nm以上，所以，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度取值為35nm～1μm，長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度為10μm，如果這樣的話，可形成偏振效率高的偏振光學(xué)元件。
上述記載的偏振光學(xué)元件中的導(dǎo)電性薄膜是采用氣相沉積法、無(wú)電解電鍍法、化學(xué)氣相生成法、物理氣相生成法等生成。另外，上述記載的偏振光學(xué)元件中的導(dǎo)電性薄膜形成手段，作為化學(xué)析出法，優(yōu)選采用無(wú)電解電鍍法、氣相析出法及液相析出法等。
上述各向異性的導(dǎo)電性部分優(yōu)選采用銀、金、鎳、鉻、銅等金屬或合金、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子、四氧化三鐵等氧化物導(dǎo)電體等。
上述偏振光學(xué)元件可以通過(guò)該多層粘著材料及被熱復(fù)合化。另外，上述偏振光學(xué)元件中，進(jìn)一步在上述各向異性的導(dǎo)電性部分所形成的表面上，可以設(shè)有由包括還兼有防止導(dǎo)電性部分的剝離功能的電介質(zhì)多層膜形成的反射防止膜。
另外，本申請(qǐng)的上述第2目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制作方法的發(fā)明是，由以下的(1)～(3)的步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜的步驟。
(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到下述A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)將導(dǎo)電性薄膜形成在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上的得到復(fù)合膜的步驟，(3)對(duì)上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步輥拉伸后熱固定的步驟。
另外，本申請(qǐng)的上述第2個(gè)目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的發(fā)明由以下的(1)～(2)步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的光的波長(zhǎng)相比短些，在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上，通過(guò)化學(xué)析出法，得到在結(jié)晶部及非晶部任一方或上述A相及B相任一方選擇的形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的復(fù)合膜的步驟。
另外，本申請(qǐng)的上述第2個(gè)目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的發(fā)明由以下的(1)～(4)步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟。
(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性物質(zhì)而得到復(fù)合膜的步驟。
(3)將在上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步輥拉伸的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
另外，本申請(qǐng)的上述第2個(gè)目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的發(fā)明由以下的(1)～(3)步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用拉伸熱處理得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比更短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比更長(zhǎng)些。
(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，與在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上，通過(guò)化學(xué)析出法，得到在結(jié)晶部及非晶部任一方或A相及B相任一方選擇的形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的復(fù)合膜的步驟。
(3)將在對(duì)上述(2)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
另外，本申請(qǐng)的上述第2個(gè)目的由以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的發(fā)明由以下的(1)～(4)步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，以形成該偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法。
(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，與在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些。
(a)將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形成的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)輥拉伸處理的步驟。
(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟。
(2)將在具有上述(1)的步驟中得到的規(guī)定長(zhǎng)度的高次結(jié)構(gòu)的膜環(huán)帶循環(huán)步驟。
(3)在上述(2)的步驟中循環(huán)的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上，通過(guò)化學(xué)析出法，在上述A相及B相中選擇形成的導(dǎo)電性物質(zhì)而得到復(fù)合膜的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中得到的復(fù)合膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
在本發(fā)明中的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的場(chǎng)合，上述(1)的步驟中得到的規(guī)定長(zhǎng)度的具有高次結(jié)構(gòu)的膜在上述(2)的步驟中環(huán)帶循環(huán)，在該膜的表面上通過(guò)化學(xué)析出法形成的導(dǎo)電性物質(zhì)，則上述結(jié)晶部或非晶部或A相及B相的任一個(gè)中的導(dǎo)電性物質(zhì)被涂覆而得到復(fù)合膜，該復(fù)合膜表面的導(dǎo)電性物質(zhì)經(jīng)上述(4)的步驟于其上形成的透明膜的表面上實(shí)現(xiàn)其自由轉(zhuǎn)寫(xiě)。因此，上述復(fù)合膜的表面上形成的導(dǎo)電性物質(zhì)由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些、長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些而形成，得到的偏振光學(xué)元件的導(dǎo)電性物質(zhì)也具有由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度比使用光的波長(zhǎng)短、長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度比使用光的波長(zhǎng)長(zhǎng)的構(gòu)成。
上述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法中，上述各向異性的導(dǎo)電部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度取值為將被偏振的入射光的波長(zhǎng)的1/20～1/2的范圍，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度取值為該入射光波長(zhǎng)的2倍以上。該場(chǎng)合，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度未到1/20時(shí)，通過(guò)上述各向異性的導(dǎo)電性部分的光吸收或反射變多，光透過(guò)率變差，因此不好。另外，超過(guò)1/2時(shí)偏振效率惡化。而且，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度在不到2倍時(shí)，偏振效率變差，另外，理論上，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度制作生成的界限沒(méi)受限制，可容易確定所使用的偏振光學(xué)元件的尺寸。
被偏振的入射光為可見(jiàn)光的場(chǎng)合，波長(zhǎng)范圍為約400nm～約700nm，所以，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度取值為20nm～350nm的范圍，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度取值為800nm以上，此時(shí)可生成偏振效率良好的偏振光學(xué)元件。
另外，被偏振入射光為紅外光的場(chǎng)合，因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)范圍為約700nm以上，上述各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度取值為35nm～1μm，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度取值為10μm，如果這樣的話，可生成偏振效率良好的偏振光學(xué)元件。
上述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法中的導(dǎo)電性薄膜可采用氣相沉積法，無(wú)電解電鍍法、化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、物理氣相生長(zhǎng)法等。另外，作為本發(fā)明記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法中的導(dǎo)電性薄膜形成手段的化學(xué)析出法優(yōu)選為無(wú)電解電鍍法、氣相析出法、液相析出法等。
另外，上述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法中，上述各向異性的導(dǎo)電性部分優(yōu)選采用銀、金、鎳、鉻、銅等金屬或合金、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子、四氧化三鐵等氧化物導(dǎo)電體等。
上述偏振光學(xué)元件也可以通過(guò)該多層粘著材料或被熱復(fù)合化。另外，上述偏振光學(xué)元件中，進(jìn)一步，也可以在上述各向異性的導(dǎo)電性部分所形成的表面上，設(shè)有包括兼有防止導(dǎo)電性部分的剝離功能的電介質(zhì)多層膜形成的防反膜。
而且，本申請(qǐng)的上述第3個(gè)目的通過(guò)以下的構(gòu)成達(dá)到。即，本申請(qǐng)記載的反射光學(xué)元件的發(fā)明是，具有使上述記載的偏振光學(xué)元件形成的兩層膜的各個(gè)導(dǎo)電性物質(zhì)正交所配置的結(jié)構(gòu)的反射光學(xué)元件，它們具有共同的特征。
該場(chǎng)合，本發(fā)明記載的格柵型型偏振光學(xué)元件具有將其振動(dòng)面與導(dǎo)電性部分的長(zhǎng)度方向相同的光反射、與其垂直的方向的所具有的光透過(guò)的功能。因此，在將2層的格柵型型偏振光學(xué)元件重疊的場(chǎng)合，將規(guī)定波長(zhǎng)范圍的全部的振動(dòng)面的入射光反射實(shí)質(zhì)上使所得到的反射光學(xué)元件起到了反射鏡的作用。
該場(chǎng)合，通過(guò)選擇上述偏振光學(xué)元件的各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的尺寸，可使可見(jiàn)光、紅外光、毫米波、微波反射。
本發(fā)明的上述構(gòu)成中可以例如達(dá)到以下優(yōu)良效果。即，例如本申請(qǐng)所記載的偏振光學(xué)元件中，通過(guò)控制高分子膜的微觀結(jié)構(gòu)，如以下的實(shí)施例中詳述的那樣，提供了一種大面積的、膜狀的、偏振特性好的、光透過(guò)率高的而且使用在可見(jiàn)光區(qū)至紅外光區(qū)的得到的格柵型偏振光學(xué)元件。特別是，根據(jù)上述記載的偏振光學(xué)元件在上述偏振光學(xué)元件中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)該多層粘著材料及被熱復(fù)合化，所以提高了偏振特性。另外，本發(fā)明所記載的偏振光學(xué)元件中，進(jìn)一步，上述各向異性的導(dǎo)電性部分所形成的表面上，因?yàn)樵O(shè)有了包括兼有防止導(dǎo)電性部分剝離功能的電介質(zhì)多層膜形成的防反膜，使得所得到的偏振光學(xué)元件的惡化被抑制，包括的光的透過(guò)率提高。
而且，本申請(qǐng)所記載的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法的發(fā)明中，通過(guò)各種輥法可連續(xù)地、簡(jiǎn)單、廉價(jià)地制造出大面積的所述的偏振光學(xué)元件。
而且，本發(fā)明記載的反射光學(xué)元件的發(fā)明中，得到了大面積的、膜狀的、可反射規(guī)定波長(zhǎng)的光或電磁波的反射光學(xué)元件。因此，該反射光學(xué)元件例如使用在汽車擋風(fēng)玻璃、側(cè)面玻璃等的話，防止司機(jī)對(duì)對(duì)向的車的遠(yuǎn)光燈晃眼，另外，使用做大廈的玻璃窗等的話，可以使可見(jiàn)光透過(guò)而紅外線及與之相比波長(zhǎng)更長(zhǎng)的電磁波反射，所以，不僅可使室內(nèi)明亮，而且提高了隔熱性。


圖1為在實(shí)施例1中使用的偏振膜連續(xù)制造裝置的概略示意圖。
圖2為在實(shí)施例2中使用的偏振膜連續(xù)制造裝置的概略示意圖。
圖3為在實(shí)施例6中使用的偏振膜連續(xù)制造裝置的概略示意圖。
圖4為在實(shí)施例7中使用的偏振膜連續(xù)制造裝置的概略示意圖。
圖5為在實(shí)施例8中使用的偏振膜連續(xù)制造裝置的概略示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下，通過(guò)實(shí)施最佳形態(tài)的實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。另外，因?yàn)橐韵率境龅膶?shí)施例并沒(méi)有將本發(fā)明限定在該實(shí)施例所記載的內(nèi)容中的意圖，所以，本發(fā)明適用于包含由其所記載的技術(shù)的范圍得到的權(quán)利要求的范圍中。
實(shí)施例1
實(shí)施例1中，圖1表示采用偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造裝置10，通過(guò)氣相沉積將鋁金屬析出在聚丙烯膜的表面上而制造膜狀偏振光學(xué)元件。首先，將從聚丙烯膜供給輥11供給的聚丙烯膜通過(guò)輥12、第1恒溫槽13、輥12`沿軸向拉伸4倍。輥12及12`是利用線速度差拉伸的沿軸向拉伸手段。而且，第1恒溫槽13是為了滿足拉伸條件而設(shè)置安裝的，其保持100℃的溫度。該后真空氣相沉積槽14中，將鋁金屬氣相沉積為具有100nm的厚度，其次，經(jīng)過(guò)輥15、保持120℃的第2恒溫槽16、輥15`進(jìn)一步以2倍沿軸向拉伸，同時(shí)將該聚丙烯膜部分結(jié)晶化。
此時(shí)，全體聚丙烯膜的結(jié)晶部和非晶部近乎勻質(zhì)散布，然而，由于結(jié)晶部和非晶部的伸展性不同形成，在與鋁金屬基本勻質(zhì)伸展方向的垂直方向出現(xiàn)裂縫。此后，將該膜保持在130℃的第3恒溫槽17中，進(jìn)行5分鐘熱處理以賦予尺寸穩(wěn)定性，并被卷取輥18卷取。所得偏振膜的紅外線的波長(zhǎng)在1μm～10μm區(qū)中的偏振率為99.5％，光透過(guò)率為90％。另外，測(cè)定將2個(gè)該膜正交的紅外線的反射率的地方，為99.9％以上。
實(shí)施例2實(shí)施例2中，圖2表示采用偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造裝置20，通過(guò)氣相沉積將鋁金屬析出在聚偏二氟乙烯膜的表面上而制造膜狀偏振光學(xué)元件。首先，將從聚偏二氟乙烯膜供給輥21供給的聚偏二氟乙烯膜通過(guò)輥22、保持60℃的第1恒溫槽23、輥22`沿軸向拉伸5倍。此后，繼續(xù)保持張力，在保持120℃的第2恒溫槽24中，進(jìn)行5分鐘熱處理以使一部分聚偏二氟乙烯膜結(jié)晶化。
此后，真空氣相沉積槽25中，將鋁金屬以50nm的厚度氣相沉積，然后，經(jīng)過(guò)輥26、保持80℃的第3恒溫槽27、輥26`進(jìn)行進(jìn)一步沿軸向2倍拉伸之后，在保持130℃的第4恒溫槽28中，進(jìn)行5分鐘熱處理以賦予尺寸穩(wěn)定性，并被卷取輥29卷取。對(duì)所得偏振膜關(guān)于偏振性能測(cè)定的地方，其在波長(zhǎng)為420nm至700nm的可見(jiàn)光區(qū)范圍中得到消光比1∶300的偏振性能。
實(shí)施例3在實(shí)施例3中，在聚丙烯膜的表面上通過(guò)化學(xué)電鍍(無(wú)電解電鍍)法將銀金屬析出而作成偏振膜。首先。將聚丙烯膜在80℃以5倍拉伸之后，繼續(xù)保持張力，在110℃熱處理10分鐘，將聚丙烯膜的一部分結(jié)晶化。將該膜通過(guò)第1錫溶液氯化后，用水輕輕漂洗，在氨合硝酸銀溶液中通過(guò)的氯化第1錫被選擇吸附的非晶部分只進(jìn)行無(wú)電解電鍍并滿足膜表面不均勻析出銀金屬。所得的偏振膜的偏振性能顯示為，在420nm～700nm的可見(jiàn)光區(qū)中消光比1∶5000的值。另外光透過(guò)性為48％。
另外，本實(shí)施例3中示出了采用銀作為無(wú)電解電鍍層的例子，但是，其他的如金、鎳、鉻、銅等金屬也可以使用，另外，聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子、四氧化三鐵等氧化物導(dǎo)電體等也可以使用。例如，形成聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子場(chǎng)合，通過(guò)使用氯化第2鐵水溶液、雙氧水等氧化劑水溶液及各種單體溶液或單體蒸汽，僅在存在最初被被吸附的氧化劑的部位上形成聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子形成的細(xì)線。
實(shí)施例4在實(shí)施例4中，控制使將由環(huán)氧乙烷(A)和碳酸酯(B)的塊狀共聚體形成的A·B型塊狀共聚體拉伸的環(huán)氧乙烷層在與拉伸方向成90±5°的角度配向的高次結(jié)構(gòu)而對(duì)膜進(jìn)行調(diào)制。將該A·B型塊狀共聚體輥壓成形時(shí)張力增加，控制對(duì)A·B薄層縱長(zhǎng)方向上相對(duì)垂直±10°以內(nèi)配向的高次結(jié)構(gòu)。將該膜上導(dǎo)電性物質(zhì)，例如，鋁金屬真空氣相沉積后，將其2.5倍拉伸。該場(chǎng)合A相和B相全體近乎勻質(zhì)分布，而且，由于A相和B相伸展性形成不同，基本勻質(zhì)鋁金屬在與拉伸方向的垂直方向出現(xiàn)裂縫。該偏振膜的420nm～700nm的可見(jiàn)光區(qū)中偏振率為99.8％。
實(shí)施例5在實(shí)施例5中，控制使將與實(shí)施例4中采用相同的A·B型的環(huán)氧乙烷、碳酸酯塊狀共聚體拉伸的環(huán)氧乙烷層在與拉伸方向成90±5°的角度配向的高次結(jié)構(gòu)而對(duì)膜進(jìn)行調(diào)制。將該膜在氯化第1錫溶液中浸漬時(shí)的氯化第1錫在親水性部的環(huán)氧乙烷層上被選擇吸附。此后進(jìn)行無(wú)電解電鍍鎳。所得偏振膜的可見(jiàn)光區(qū)的偏振性能為99％。也可以采用同樣的方法用苯乙烯·氫化乙基甲基丙烯酸(HEMA)塊狀共聚體制作。
實(shí)施例6在實(shí)施例6中，圖3表示采用偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造裝置30，通過(guò)化學(xué)電鍍法(無(wú)電解電鍍法)將銀金屬析出在聚丙烯膜的表面上之后，制做在導(dǎo)電性物質(zhì)的表面上設(shè)有防反膜的膜狀偏振光學(xué)元件。首先，將從聚丙烯膜供給輥31供給的聚丙烯膜依次通過(guò)輥32、保持80℃的第1恒溫槽33、輥32`進(jìn)行5倍拉伸。此后繼續(xù)保持被拉伸的聚丙烯膜的張力，在比第1恒溫槽33溫度更高的溫度，在此保持在110℃的第2恒溫槽34中通過(guò)10分鐘進(jìn)行熱處理。通過(guò)該熱處理，聚丙烯膜的非晶部被舒展，消除了其回縮的力，保證了尺寸的穩(wěn)定性。
將該膜通過(guò)與輥32`相同的線速度的輥35、片槽36，首先，通過(guò)通入了氯化第1錫溶液37的第1槽38。在膜通過(guò)該第1槽38時(shí)，氯化第1錫被選擇吸附在非晶質(zhì)部分。此后，用水輕輕漂洗，然后通過(guò)加了氨合硝酸銀溶液39的第2槽40。在膜通過(guò)該第2槽40時(shí)，氯化第1錫被選擇吸附在非晶質(zhì)部分上僅進(jìn)行無(wú)電解電鍍，氨合硝酸銀溶液39中的銀離子，在膜的表面上不均勻析出銀金屬。
該第2槽40所得非晶質(zhì)部分中被涂覆僅由銀形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的聚丙烯膜41，首先，經(jīng)過(guò)輥42并在維持130℃的第3恒溫槽43中通過(guò)5分鐘，被賦予了尺寸上的穩(wěn)定性，同時(shí)，附著強(qiáng)度最大。而且，低折射率和高折射率的高分子膜每個(gè)都從交互被疊層多層的防反膜的供給輥44供給防反膜，經(jīng)恒溫槽43所供給的膜的導(dǎo)電性物質(zhì)被給付的面上通過(guò)輥45被層疊，通過(guò)輥46被粘著。該新的添加的防反膜不只是為了防止反射，輥46的強(qiáng)壓力還具有防止偏振光學(xué)元件的表面上粘著的導(dǎo)電性物質(zhì)脫離的功能。此后，采用熱處理裝置47以增加粘著穩(wěn)定性，通過(guò)輥48用卷取輥49卷取。該輥49中卷取的偏振膜可具有與實(shí)施例3的偏振光學(xué)元件相同的偏振效果。
實(shí)施例7在實(shí)施例7中，采用圖4所表示的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造裝置50，聚丙烯膜表面上通過(guò)化學(xué)電鍍法(無(wú)電解電鍍法)將銀金屬析出后，將在該膜的表面上所形成的銀金屬靠模到別的透明膜的表面上從而制造出該偏振光學(xué)元件。另外，圖4中，聚丙烯膜的表面上通過(guò)無(wú)電解電鍍法所析出的銀金屬得到膜41步驟結(jié)束時(shí)與圖3所示的實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)相同，所以，該相同的結(jié)構(gòu)部分中與圖3使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示，并省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
首先，與實(shí)施例6一樣，在所制造的第2槽40中所得到的非晶質(zhì)部分上涂覆僅由銀形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的聚丙烯膜41的導(dǎo)電性物質(zhì)所使用的面上，將由涂布相對(duì)由上述銀所形成的導(dǎo)電性物質(zhì)粘著力大的丙烯基粘著劑的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜的供給輥52所供給的透明PET膜導(dǎo)入輥53中被疊層，通過(guò)導(dǎo)入轉(zhuǎn)寫(xiě)輥54中以增強(qiáng)壓力，其次，將兩膜經(jīng)輥55剝離，將聚丙烯膜及透明的PET膜分別卷取在輥56及輥57上。由上述聚丙烯膜41的表面上所形成的銀形成的導(dǎo)電性物質(zhì)全部在被輥57卷取的透明的PET膜上被轉(zhuǎn)寫(xiě)。該輥57上所卷取的偏振膜可確定具有與實(shí)施例3的偏振光學(xué)元件相同的偏振效果。另外，本實(shí)施例7中作為用于轉(zhuǎn)寫(xiě)導(dǎo)電性物質(zhì)的丙烯基粘著劑采用了所涂布的PET膜，但是，也可以使用其他的聚酯、聚丙烯、聚甲基甲基丙烯酸、聚碳酸酯等透明高分子膜。
實(shí)施例8在實(shí)施例8中，使用了圖4所示的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造裝置60，在控制由環(huán)氧乙烷(A)及碳酸酯(B)的AB型塊狀共聚體形成的高次結(jié)構(gòu)的膜的表面上，通過(guò)無(wú)電解電鍍法連續(xù)的形成導(dǎo)電性物質(zhì)之后，將由該膜的表面的導(dǎo)電性物質(zhì)轉(zhuǎn)寫(xiě)在別的透明膜的表面上，尤其在轉(zhuǎn)寫(xiě)的導(dǎo)電性物質(zhì)的表面上設(shè)有防反膜。
首先，采用與實(shí)施例4中所記載的同樣的方法，調(diào)制控制使該拉伸AB型環(huán)氧乙烷及碳酸酯的塊狀共聚體的環(huán)氧乙烷層以與拉伸方向成90±5°的角度配向的高次結(jié)構(gòu)的膜61。而且，將該膜61經(jīng)過(guò)該放入了氯化第1錫溶液62的第1槽63、導(dǎo)輥64及由去濕膜65形成的第1水分除去器66、加入了氨合硝酸銀溶液67的第2槽68，導(dǎo)輥69及由去濕膜70形成的第2水分除去器71、轉(zhuǎn)寫(xiě)輥72、多個(gè)導(dǎo)輥73，配置成使之環(huán)帶連續(xù)循環(huán)。
上述膜61通過(guò)第1槽63時(shí)，由于具有親水性部的環(huán)氧乙烷層的表面上僅氯化第1錫吸附，在第1水分除去器66中用水輕輕漂洗之后即可除去水分，其次，在通過(guò)第2槽68的氯化第1錫吸附的部分上，選擇性的將銀離子在形成的膜的表面上不均勻析出為銀金屬。將析出該銀金屬的膜74在第2水分除去器71中輕輕用水漂洗后除去水分，接下來(lái)，使由膜供給輥75所供給的表面上涂布粘著劑的透明膜76的粘著劑涂布面與上述膜74的析出銀金屬面接合，將該兩膜74及76通過(guò)轉(zhuǎn)寫(xiě)輥72輥壓。
此后，將通過(guò)轉(zhuǎn)寫(xiě)輥72的兩膜74及76分離，得到該在膜74的表面上附著的銀金屬所轉(zhuǎn)寫(xiě)的膜77。所以，將另一路防反膜供給輥78所供給的防反膜79供給為使之覆蓋膜77的表面的銀金屬，因?yàn)榈玫接蓛赡?7和79經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)輥80的輥壓與防反膜一起一體化的偏振光學(xué)元件形成的膜81，該膜81只用在卷取輥82中卷取。所得的偏振膜波長(zhǎng)420nm～700nm的可見(jiàn)光區(qū)中的偏振特性為99％。
另外，在實(shí)施例8中使用了將作為具有環(huán)帶連續(xù)循環(huán)高次結(jié)構(gòu)膜61的AB型環(huán)氧乙烷和碳酸酯塊狀共聚體拉伸處理的共聚體，但是不限于此，例如，可以使用苯乙烯環(huán)氧乙烷塊狀共聚體、苯乙烯HEMA塊狀共聚體等的具有疏水性部及親水性部的塊狀共聚體。由于這些塊狀共聚體價(jià)格高，可抑制環(huán)帶循環(huán)高次結(jié)構(gòu)膜的使用量。
另外，作為透明膜76，可以使用聚丙烯、聚碳酸酯、聚甲基甲基丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚磺基、聚乙烯丁醛等。進(jìn)一步，作為設(shè)有透明膜76的粘著劑，適宜選擇使用丙烯基、四丙烯酸基、尿素基等。
權(quán)利要求
1.一種偏振光學(xué)元件，其由將導(dǎo)電性薄膜形成在具有下列(1)或(2)的高次結(jié)構(gòu)的膜的一面或兩面的整個(gè)面中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步拉伸后熱固定得到，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分及高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，由該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比要短，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，將得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜，(2)從下列(a～c)所選擇的下列A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜，(b)將形成不同的部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)拉伸得到膜，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
2.一種偏振光學(xué)元件，其通過(guò)在具有下述(1)或(2)高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上進(jìn)行化學(xué)析出法，在下列結(jié)晶部及非晶部的任一方或下述A相及B相的任一方選擇形成導(dǎo)電性物質(zhì)之后，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，將得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜，(2)從下列(a～c)所選擇的下列A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜，(b)將形成不同的部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)拉伸得到膜，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中拉伸而得到膜。
3.一種偏振光學(xué)元件，其通過(guò)以下的(1)～(4)的步驟制作，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)形成的結(jié)構(gòu)，該由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，(II)通過(guò)下列(a～c)任何的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將形成不同的部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)將導(dǎo)電性薄膜形成在上述(1)的步驟中所得到的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上以得到復(fù)合膜的步驟，(3)對(duì)上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步進(jìn)行輥拉伸的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中所得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
4.一種偏振光學(xué)元件，經(jīng)過(guò)以下的(1)～(3)的步驟制造，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(II)通過(guò)下列(a～c)任何的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形式的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)將在上述(1)的步驟中所得到的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面通過(guò)化學(xué)析出法，將導(dǎo)電性物質(zhì)形成在上述結(jié)晶部或非晶部任一方或上述A相及B相的任一方而得到復(fù)合膜的步驟，(3)將在對(duì)上述(2)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述偏振光學(xué)元件，其特征在于，由上述各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為將被偏振的入射光的波長(zhǎng)的1/20～1/2，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為該入射光的波長(zhǎng)的2倍以上。
6.如權(quán)利要求5中所述偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述被偏振的入射光為可見(jiàn)光，上述由各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為20nm～350nm范圍中，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為800nm以上。
7.如權(quán)利要求5所述偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述被偏振的入射光為紅外光，上述由各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為35nm～1μm范圍中，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為10μm以上。
8.如權(quán)利要求1或3所述的偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述導(dǎo)電性薄膜由氣相沉積法、無(wú)電解電鍍法、化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、物理氣相生長(zhǎng)法中選擇的至少一種方法所配設(shè)。
9.如權(quán)利要求2或4所述的偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述化學(xué)析出法為從無(wú)電解電鍍法、氣相析出法、液相析出法中選擇的任一方法。
10.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述各向異性導(dǎo)電性部分由銀、金、鎳、鉻、銅等金屬或合金、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子、四氧化三鐵等氧化物導(dǎo)電體中選擇的至少一種形成。
11.如權(quán)利要求1或3所述的偏振光學(xué)元件，其特征在于，上述偏振光學(xué)元件的多層通過(guò)粘著材料粘著或被熱復(fù)合化。
12.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的偏振光學(xué)元件，其特征進(jìn)一步在于，上述各向異性的導(dǎo)電性部分所形成的表面上配設(shè)有還兼有包括防止導(dǎo)電性部分剝離功能的電介質(zhì)多層膜所形成的防反膜。
13.一種偏振光學(xué)元件的連續(xù)制作方法，由以下的(1)～(3)的步驟形成，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到結(jié)晶部及非晶部交互連接以形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同形式的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)將導(dǎo)電性薄膜形成在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上而得到復(fù)合膜的步驟，(3)對(duì)上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步輥拉伸后熱固定的步驟。
14.一種偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，由以下的(1)～(2)步驟形成，形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(II)通過(guò)下列(a～c)任何的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上通過(guò)化學(xué)析出法，將導(dǎo)電性物質(zhì)選擇形成在上述結(jié)晶部及非晶部任一方或A相及B相任一方而得到復(fù)合膜的步驟。
15.一種偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，由以下的(1)～(4)步驟形成，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，(II)通過(guò)下列(a～c)任何的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中輥拉伸處理的步驟，(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性物質(zhì)而得到復(fù)合膜的步驟，(3)將在上述(2)的步驟中得到的復(fù)合膜進(jìn)一步進(jìn)行輥拉伸的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
16.一種偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，由以下的(1)～(3)步驟形成，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度用輥拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比更短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比更長(zhǎng)些，(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，與在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)在具有上述(1)的步驟中得到的高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上通過(guò)化學(xué)析出法，將導(dǎo)電性物質(zhì)選擇形成在結(jié)晶部及非晶部任一方或A相及B相任一方而得到復(fù)合膜的步驟，(3)將在對(duì)上述(2)的步驟中得到的膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
17.一種偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，由以下的(1)～(4)步驟形成，并形成由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)，該由各向異性的導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成結(jié)構(gòu)的短的方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(1)通過(guò)下列(I)或(II)的步驟得到具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，(I)將結(jié)晶性高分子在其熔點(diǎn)以下玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行拉伸熱處理，得到的結(jié)晶部及非晶部交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)膜的步驟，其中，結(jié)晶部及非晶部的拉伸方向的長(zhǎng)度與使用光的波長(zhǎng)相比短些，與在結(jié)晶部及非晶部中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(II)通過(guò)下列(a～c)任一的步驟，得到A相及B相在拉伸方向交互連接形成具有高次結(jié)構(gòu)的膜的步驟，其中，A相及B相拉伸方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比短些，與在A相及B相中所形成的結(jié)構(gòu)的拉伸方向垂直的膜面方向的長(zhǎng)度與將被偏振的入射光的波長(zhǎng)相比長(zhǎng)些，(a)將形成不同的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的兩種聚合體A及B的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(b)將部分相熔系的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)不同的兩種聚合體A及B的聚合物混合體在每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)的中間溫度場(chǎng)進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(c)由結(jié)晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構(gòu)成的A·B型或A·B·A型的塊狀共聚體在每個(gè)熔點(diǎn)和每個(gè)玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)之間的溫度場(chǎng)中進(jìn)行輥拉伸處理的步驟，(2)將在具有上述(1)的步驟中得到的規(guī)定長(zhǎng)度的高次結(jié)構(gòu)的膜環(huán)帶循環(huán)步驟，(3)在上述(2)的步驟中所循環(huán)的具有高次結(jié)構(gòu)的膜的單面或雙面上，通過(guò)化學(xué)析出法，將導(dǎo)電性物質(zhì)選擇形成在上述A相及B相中而得到復(fù)合膜的步驟，(4)將在對(duì)上述(3)的步驟中得到的復(fù)合膜的導(dǎo)電性部位粘著力大的透明高分子膜、或與涂布粘著劑或硬化性粘著劑的透明膜接觸的導(dǎo)電性部位轉(zhuǎn)寫(xiě)到該透明膜后的上述透明膜剝離的步驟。
18.如權(quán)利要求13～17中任一項(xiàng)所述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，由上述各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為將被偏振的入射光的波長(zhǎng)的1/20～1/2，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為該入射光的波長(zhǎng)的2倍以上。
19.如權(quán)利要求18所述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，上述被偏振的入射光為可見(jiàn)光，上述由各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為20nm～350nm范圍中，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為800nm以上。
20.如權(quán)利要求18所述偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，上述被偏振的入射光為紅外光，上述由各向異性導(dǎo)電性部分和高分子電介質(zhì)部分形成的結(jié)構(gòu)的短方向的長(zhǎng)度為35nm～1μm范圍中，長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為10μm以上。
21.如權(quán)利要求13或15所述的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，上述導(dǎo)電性薄膜由氣相沉積法、無(wú)電解電鍍法、化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、物理氣相生長(zhǎng)法中選擇的至少一種方法所配設(shè)。
22.如權(quán)利要求14、16、17中任一項(xiàng)所述的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，上述化學(xué)析出法為從無(wú)電解電鍍法、氣相析出法、液相析出法中選擇的任一方法。
23.如權(quán)利要求13～17中任一項(xiàng)所述的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，上述各向異性導(dǎo)電性部分由銀、金、鎳、鉻、銅等金屬或合金、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子、四氧化三鐵等氧化物導(dǎo)電體中選擇的至少一種形成。
24.如權(quán)利要求13或15所述的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征在于，在上述(3)的步驟中，將進(jìn)一步熱固定后的膜的多層用輥壓法采用粘著材料粘著或使之被熱復(fù)合化而變成。
25.如權(quán)利要求13～17中任一項(xiàng)所述的偏振光學(xué)元件的連續(xù)制造方法，其特征進(jìn)一步在于，包括通過(guò)輥壓接法形成由上述各向異性的導(dǎo)電性部分所形成的表面上配設(shè)有兼有包括防止導(dǎo)電性部分剝離功能的電介質(zhì)多層膜所形成的防反膜的步驟。
26.一種反射光學(xué)元件具有如上述權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述偏振光學(xué)元件形成的2個(gè)膜，該2個(gè)膜分別具有與導(dǎo)電性物質(zhì)正交的方式配置的結(jié)構(gòu)。
27.如權(quán)利要求26所述反射光學(xué)元件，其特征在于，其是可使可見(jiàn)光、紅外光、毫米波、微波反射的器件。
28.如權(quán)利要求26所述反射光學(xué)元件，其特征在于，其是可使可見(jiàn)光透過(guò)、使紅外光、毫米波、微波反射的器件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以使用在可見(jiàn)光區(qū)到紅外光區(qū)的格柵型偏振光學(xué)元件及其連續(xù)制造方法及偏振光學(xué)元件。將聚丙烯膜通過(guò)輥(12)、第1恒溫槽(13)、輥(12`)沿軸向進(jìn)行4倍拉伸，此后在真空氣相沉積槽(14)中將鋁金屬氣相沉積為10納米的厚度，進(jìn)而，在輥(15)、第2恒溫槽(16)、輥(15`)中沿軸向進(jìn)行2倍拉伸同時(shí)將聚丙烯膜部分結(jié)晶化。此時(shí)，鋁金屬在與拉伸方向成垂直的方向上形成勻質(zhì)裂縫。此后，將該膜在第3恒溫槽(17)中熱處理后，在卷取輥(18)中卷取。所得的膜狀偏振光學(xué)元件的紅外線波長(zhǎng)在1微米～10微米區(qū)域中的偏振率為99.5％，光透過(guò)率為90％。另外，測(cè)定與該膜正交的地方的紅外線的反射率為99.9％以上。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1616997SQ200410090988
公開(kāi)日2005年5月18日 申請(qǐng)日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者宮田清藏 申請(qǐng)人:宮田清藏, 光榮商事有限會(huì)社