專利名稱：接觸孔的形成方法和半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及接觸孔的形成方法和半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是涉及具備調(diào)整在抗蝕劑膜上形成的接觸孔的開口尺寸的工序的接觸孔的形成方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
在微細(xì)化不斷進(jìn)步的半導(dǎo)體器件的制造中，在光刻工序中，除要使在抗蝕劑圖形的形成時(shí)使用的曝光光短波長(zhǎng)化之外，最近，還常常要進(jìn)行借助于在抗蝕劑圖形形成后附加上某種處理的辦法調(diào)整該圖形的尺寸。例如，為了得到微細(xì)的接觸孔，就常常要縮小在抗蝕劑膜上形成的接觸孔圖形的孔直徑(孔尺寸)。
作為縮小孔直徑的處理的具體例子，最為一般的例子有熔化工藝。這種工藝，是采用在抗蝕劑膜上形成了接觸孔圖形后對(duì)半導(dǎo)體基板施行加熱處理的辦法，使抗蝕劑膜向孔的內(nèi)側(cè)多少進(jìn)行些流動(dòng)，借助于此來縮小孔直徑的工藝。
此外，還有被叫做RELACS(Resolution Enhancement of Lithographyby Assist of Chemical Shrink，借助于化學(xué)收縮增強(qiáng)光刻分辨率)的工藝。在該工藝的情況下，要在接觸孔圖形形成后向半導(dǎo)體基板上旋轉(zhuǎn)涂敷一旦加熱則與抗蝕劑中的酸成分進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)的水溶性樹脂。然后，借助于加熱處理，使得水溶性樹脂與抗蝕劑膜中的酸之間發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在抗蝕劑膜的表面上形成膜，借助于此縮小孔直徑。用沖洗液除去不要的水溶性樹脂膜。
此外，還有被叫做SAFIRE(加熱收縮)的工藝。該工藝是這樣的工藝先在形成了接觸孔圖形后向半導(dǎo)體基板上涂敷一旦加熱則進(jìn)行收縮的水溶性樹脂，然后，進(jìn)行加熱，并借助于水溶性樹脂進(jìn)行收縮的力使抗蝕劑膜向基板面平行的方向延展以縮小開口直徑。
采用使用以上那樣的工藝的辦法，就可以形成若僅僅用通常的處理不能形成的微細(xì)的接觸孔。
另外，作為與接觸孔的形成相關(guān)連的技術(shù)，例如，有特開2003-84459號(hào)公報(bào)，特開平10-73927號(hào)公報(bào)，Evaluation of Process Based ResolutionEnhancement Techniques to Extend 193nm Lithography(SPIE Vol.5039-29(2003)，Advanced RELACS(Resolution Enhancement ofLithography by Assist of Chemical Shrink)Material for 193nmLithography(SPIE Vol.5039-93(2003))。
然而，在一種類型的光掩模中，有這樣的光掩模與1個(gè)接觸孔相對(duì)應(yīng)地具有1個(gè)開口圖形，高密度地配置該開口圖形的圖形密的部分和低密度地配置該開口圖形的圖形疏的部分混合存在。在要用這樣的光掩模在抗蝕劑膜上形成接觸孔圖形的情況下，以往存在著在密度高的部分和密度低的部分難于得到同一尺寸(同一開口徑)的接觸孔圖形的問題。以下將詳細(xì)地對(duì)此進(jìn)行說明。
一般地說，在光掩模中，圖形密度越疏，焦點(diǎn)寬余量就越小。于是，在圖形密度疏的部分中，為了確保焦點(diǎn)寬余量，就要把圖形疏的部分的開口圖形的尺寸形成得比圖形密的部分的開口圖形尺寸大。在像這樣地加大了圖形疏的部分的開口圖形的尺寸的情況下，當(dāng)然，要被形成的接觸孔圖形的尺寸也將變大。為此，在要縮小已在抗蝕劑膜上形成的接觸孔圖形的孔直徑時(shí)，就必須采用加大在圖形疏的部分處孔直徑的變動(dòng)量，減小在圖形密的部分處孔直徑的變動(dòng)量的辦法，以最終地變成為同一孔直徑。即，在調(diào)整接觸孔圖形的孔直徑的工藝中，要求孔直徑的變動(dòng)量因圖形的疏密而不同。
在上述各個(gè)工藝中，在RELACS工藝和SAFIRE工藝中，由于孔直徑的變動(dòng)量不會(huì)因圖形的疏密而改變，故要應(yīng)用它們實(shí)際上是困難的。即，用這些RELACS工藝和SAFIRE工藝，不可能解決在光掩模的圖形密的部分和圖形疏的部分處焦點(diǎn)寬余量不同的問題。
相對(duì)于此，熔化工藝，具有圖形疏的部分的孔直徑的變動(dòng)量比圖形密的部分更大的特征。因此，采用預(yù)先加上歸因于圖形的疏密而產(chǎn)生的孔直徑的變動(dòng)量的不同來制作光掩模的辦法，就可以以同一尺寸形成密度高的接觸孔圖形和密度低的接觸孔圖形。即，倘采用該熔化工藝，則可以解決在光掩模的圖形密的部分與圖形疏的部分中焦點(diǎn)寬余量不同的問題。
但是，與圖形密的部分相比，在圖形疏的部分處，存在著孔直徑的變動(dòng)量會(huì)因加熱工藝的精度而受到大的影響的問題。這是因?yàn)樵趫D形疏的部分的孔尺寸比圖形密的部分更大的緣故。此外，當(dāng)抗蝕劑條件(例如，抗蝕劑的材料或抗蝕劑的膜厚)或加熱條件等的工藝條件變更時(shí)，由于孔直徑的變動(dòng)量就要變化，故就必須進(jìn)行與開口圖形的疏密對(duì)應(yīng)的光掩模的修正。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的接觸孔圖形的形成方法，用以規(guī)定的間隔2維狀地配置有掩模圖形的第1光掩模使在半導(dǎo)體基板上形成的抗蝕劑膜曝光，對(duì)上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，在上述抗蝕劑膜上形成與上述掩模圖形對(duì)應(yīng)的接觸孔圖形，縮小在上述抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形的開口尺寸，采用使用已形成了規(guī)定的圖形的第2光掩模使上述抗蝕劑膜曝光的辦法，使作為與上述規(guī)定的圖形對(duì)應(yīng)的上述抗蝕劑膜的部分的第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得比上述第1抗蝕劑膜以外的第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度相對(duì)地高，采用在上述第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度或其以上而且在不到上述第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度的溫度對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法，使上述第2抗蝕劑膜熔化，消滅在上述第2抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法，在半導(dǎo)體基板上邊形成抗蝕劑膜，用以規(guī)定的間隔2維狀地配置有掩模圖形的第1光掩模使上述抗蝕劑膜曝光，對(duì)上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，在上述抗蝕劑膜上形成與上述掩模圖形對(duì)應(yīng)的接觸孔圖形，縮小在上述抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形的開口尺寸，采用使用已形成了規(guī)定的圖形的第2光掩模使上述抗蝕劑膜曝光的辦法，使作為與上述規(guī)定的圖形對(duì)應(yīng)的上述抗蝕劑膜的部分的第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得比上述第1抗蝕劑膜以外的第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度相對(duì)地高，采用在上述第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度或其以上而且在不到上述第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度的溫度對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法，使上述第2抗蝕劑膜熔化，消滅在上述第2抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形，采用使用上述第1抗蝕劑膜刻蝕上述半導(dǎo)體基板的辦法，在上述半導(dǎo)體基板上形成接觸孔。


圖1A是以規(guī)定的步距在抗蝕劑膜上形成了接觸孔圖形的半導(dǎo)體基板的平面圖，圖1B是A-A’線處的剖面圖。
圖2A和圖2B，是說明調(diào)整圖1A所示的接觸孔圖形的尺寸的調(diào)整工序(熔化工序)的平面圖和剖面圖。
圖3A和圖3B，是說明用來選擇最終應(yīng)當(dāng)剩下的接觸孔圖形的圖形選擇工序(紫外線曝光工序)的平面圖和剖面圖。
圖4A和圖4B，是說明消去不要的接觸孔圖形的消去工序(加熱工序)的平面圖和剖面圖。
圖5是示出了在本實(shí)施形態(tài)中使用的2個(gè)光掩模的平面圖。
圖6是示出了在顯影工序后的接觸孔圖形的配置步距和縮孔量之間的關(guān)系的曲線圖。
圖7是說明RELACS工藝的工序剖面圖。
圖8是說明SAFIRE工藝的工序剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，邊參看附圖邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
圖5A和圖5B，是在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中使用的2個(gè)光掩模X、Y的平面圖。
如圖5A所示，光掩模X，是以步距(間隔)P1將具備具有直徑L1的圓形的平面形狀的掩模圖形2配置為網(wǎng)格狀的光掩模。直徑L1例如為200nm，步距P1例如為300nm。圖中用虛線1a到1c圍起來的部分，表示與最終要形成的接觸孔圖形對(duì)應(yīng)的圖形，除此之外的部分表示虛設(shè)掩模圖形。虛線1a表示以高密度配置的掩模圖形，虛線1b、1c表示以低密度配置的掩模圖形。
另一方面，如圖5B所示，光掩模Y，具有與光掩模X的虛線1a到1c的部分對(duì)應(yīng)的開口圖形3a到3c，和除此之外的遮光圖形4。
在本實(shí)施形態(tài)中，用這2個(gè)光掩模X、Y，在同一抗蝕劑層上，用同一開口直徑，形成以高密度配置的接觸孔圖形和以低密度配置的接觸孔圖形。
圖1A和圖1B、圖2A和圖2B、圖3A和圖3B以及圖4A和圖4B，是說明使用本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法的接觸孔圖形的形成工序的說明圖。
更詳細(xì)地說，圖1A是以規(guī)定的步距在抗蝕劑膜上形成了接觸孔圖形的半導(dǎo)體基板的平面圖，圖1B是沿著A-A’線剖開的剖面圖。
圖2A和圖2B，是說明對(duì)圖1A所示的接觸孔圖形的尺寸進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整工序(熔化工序)的平面圖和剖面圖。
圖3A和圖3B，是說明用來選擇最終應(yīng)當(dāng)剩下的接觸孔圖形的圖形選擇工序(紫外線曝光工序)的平面圖和剖面圖。
圖4A和圖4B，是說明消去不必要的接觸孔圖形的消去工序(加熱工序)的平面圖和剖面圖。
首先，如圖1B所示，在已形成了涂敷型反射防止膜的半導(dǎo)體基板11上，以例如0.4微米的厚度，形成KrF正型的抗蝕劑膜12，在半導(dǎo)體基板11上例如已預(yù)先形成了晶體管、電阻、電容等的元件。
其次，使得顯影后的孔直徑W1變成為150nm那樣地調(diào)整步進(jìn)投影曝光機(jī)的劑量，用光掩模X(參看圖5A)把圖形復(fù)制到抗蝕劑膜12上。
劑量(曝光量)，例如，定為20mJ/cm2。這時(shí)，為了確保高的焦點(diǎn)寬余量，在曝光時(shí)，理想的是例如使用變形照明，例如，環(huán)狀照明或4孔照明等。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于在光掩模上存在著掩模圖形的疏密，故難于使用僅僅提高周期性的掩模圖形的焦點(diǎn)寬余量的變形照明，但是，在本實(shí)施形態(tài)中使用的光掩模，由于是周期性地配置掩模圖形的光掩模(參看圖5A)，故通過使用上述的變形照明就可以充分地利用變形照明的優(yōu)點(diǎn)。
其次，采用將曝光后的半導(dǎo)體基板浸泡到濃度2.4％wt的TMAH(氫氧化四甲基銨)水溶液內(nèi)30秒種的辦法，使抗蝕劑膜12顯影。借助于此，如圖1A所示，就將得到以步距Q1周期性地配置的開口直徑W1的接觸孔圖形H。
其次，如圖2B所示，采用在已設(shè)定為160℃的葉片式烘烤裝置內(nèi)加熱半導(dǎo)體基板90秒種的辦法，使抗蝕劑膜12熔化。借助于此，將上述的孔直徑W1(150nm)縮小到例如孔直徑W2(100nm)。
在這里，在圖6中示出了表明顯影工序后的接觸孔圖形H的配置步距(抗蝕劑膜的殘留寬度)Q1與由熔化工序得到的縮孔量(顯影后的孔直徑W1-熔化后的W2)之間的關(guān)系的曲線。該曲線，是根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行的獨(dú)自的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果畫出來的。
由圖6可知，例如，在顯影工序后的接觸孔圖形H的配置步距(抗蝕劑膜的殘留寬度)Q1為200nm的情況下，縮孔量約為25nm。因此，得知在想將縮孔后的孔直徑W2例如做成為100nm的情況下，只要在同一工藝條件下，將顯影工序后的孔直徑W1做成為直徑125(＝25+100)nm即可。
在這里，雖然是使用熔化工藝使孔直徑縮小的，但是，除此之外也可以使用RELACS工藝或SAFIRE工藝縮小孔直徑。以下，用圖7和圖8對(duì)這些RELACS工藝和SAFIRE工藝進(jìn)行說明。
圖7A到圖7D，是用來說明RELACS工藝的工序剖面圖。
在RELACS工藝中，對(duì)圖7A所示的顯影工序后的半導(dǎo)體基板(與圖1B所示的半導(dǎo)體基板相同)，如圖7B所示，例如，用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷若加熱則與抗蝕劑膜12中的酸成分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的水溶性樹脂13。其次，如圖7C所示，采用對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理使水溶性樹脂13與抗蝕劑膜12中的酸成分進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)的辦法，形成膜13’。然后，如圖7D所示，除去不要的水溶性樹脂13。借助于此，就將得到從孔直徑W1縮小成W2的接觸孔圖形。
圖8A到圖8D，是用來說明SAFIRE工藝的工序剖面圖。
在SAFIRE工藝中，對(duì)圖8A所示的顯影工序后的半導(dǎo)體基板，如圖8B所示，例如用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷若加熱則收縮的水溶性樹脂14。其次，對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱處理，如圖8中的箭頭所示，利用水溶性樹脂14的收縮力向與基板面平行的方向拉伸抗蝕劑膜12，變成為圖8C所示的狀態(tài)。然后，如圖8D所示，除去不要的水溶性樹脂14。借助于此，就將得到使孔直徑從W1縮小成W2的接觸孔圖形。
其次，如圖3B所示，用圖5B的光掩模Y，對(duì)熔化工藝后的抗蝕劑膜12用120mJ/cm2的曝光量復(fù)制圖形(紫外線曝光或電子束曝光)變成為抗蝕劑膜12’。該抗蝕劑膜12’的熔化開始溫度比未復(fù)制圖形的抗蝕劑膜12更高。
就是說，已通過光掩模Y的開口部分3a到3c照射過充分的光的區(qū)域R1到R3(參看圖3A)的抗蝕劑膜12’，由于抗蝕劑膜中的樹脂因曝光而高分子化，故與未照射光的抗蝕劑膜12相比，熔化開始溫度增高。
其次，如圖4B所示，例如用已設(shè)定為165℃的葉片式烘烤裝置加熱半導(dǎo)體基板90秒種。
由于借助于光掩模的開口部分3a到3c照射了光的抗蝕劑膜12’的熔化開始溫度，與該加熱溫度相比充分地高，故抗蝕劑膜12’不流動(dòng)，因此，在抗蝕劑膜12’中形成的接觸孔圖形的直徑不會(huì)變動(dòng)。即，可以在抗蝕劑膜12’上的各個(gè)區(qū)域R1、R2、R3中得到同一直徑的接觸孔圖形H。
另一方面，由于借助于光掩模Y的遮光部分4而在曝光時(shí)未照射光的抗蝕劑膜12的熔化開始溫度，比上述的加熱溫度充分地低，故抗蝕劑膜12可以充分地流動(dòng)，其結(jié)果是抗蝕劑膜12中的接觸孔圖形(虛設(shè)接觸孔圖形)消滅。
然后，如圖4B所示，采用用抗蝕劑膜12’對(duì)半導(dǎo)體基板11進(jìn)行反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)等的辦法，在半導(dǎo)體基板11中形成接觸孔(未畫出來)。
在上述的本實(shí)施形態(tài)中，如圖5A所示，雖然做成為采用將虛設(shè)掩模圖形配置在被虛線1a到1c圍起來的區(qū)域間的辦法網(wǎng)格狀地配置掩模圖形，但是，也可以做成為僅僅在最小限度的區(qū)域內(nèi)配置虛設(shè)掩模圖形。例如，也可以僅僅在用虛線1b、1c圍起來的區(qū)域的周邊部分內(nèi)配置虛設(shè)圖形。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，如圖5A所示，雖然將掩模圖形配置成網(wǎng)格狀，但是，也可以用最密填充配置方式(配置為鋪滿了3個(gè)圖形構(gòu)成正三角形的配置)進(jìn)行配置。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，如圖5A所示，雖然將掩模圖形做成為從平面上看為圓形，但是本發(fā)明并不限于此。
如上所述，倘采用本實(shí)施形態(tài)，由于做成為要形成以規(guī)定的步距配置在抗蝕劑膜上的接觸孔圖形，將已形成了不要的接觸孔圖形的抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得相對(duì)地低，然后，使該抗蝕劑膜熔化，故可以容易地形成以種種的密度配置的同一尺寸的接觸孔圖形，并因此容易形成接觸孔。
此外，倘采用本實(shí)施形態(tài)，由于做成為使用以同一步距配置同一尺寸的掩模圖形的光掩模，故不需要像以前那樣考慮由掩模圖形的疏密產(chǎn)生的焦點(diǎn)寬余量的差異進(jìn)行光掩模的修正。即，焦點(diǎn)寬余量的確保就會(huì)變得容易起來。
此外，倘采用本實(shí)施形態(tài)，則不需要像以前那樣加大用來形成低密度的接觸孔的掩模圖形的尺寸。因此，就不會(huì)產(chǎn)生以往所存在著的在尺寸調(diào)整工序中縮孔量歸因于加熱處理的精度而變動(dòng)很大的問題。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔的形成方法，用以規(guī)定的間隔2維狀地配置有掩模圖形的第1光掩模使在半導(dǎo)體基板上形成的抗蝕劑膜曝光，對(duì)上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，在上述抗蝕劑膜上形成與上述掩模圖形對(duì)應(yīng)的接觸孔圖形，縮小在上述抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形的開口尺寸，采用使用已形成了規(guī)定的圖形的第2光掩模使上述抗蝕劑膜曝光的辦法，使作為與上述規(guī)定的圖形對(duì)應(yīng)的上述抗蝕劑膜的部分的第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得比上述第1抗蝕劑膜以外的第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度相對(duì)地高，采用在上述第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度或其以上而且在不到上述第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度的溫度對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法，使上述第2抗蝕劑膜熔化，消滅在上述第2抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于采用在消滅了上述接觸孔圖形后，用上述第1抗蝕劑膜刻蝕上述半導(dǎo)體基板的辦法，在上述半導(dǎo)體基板上形成接觸孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于用變形照明進(jìn)行使用上述第1光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于上述第2光掩模中的上述規(guī)定的圖形是開口部分，用紫外線進(jìn)行使用上述第2光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于上述第2光掩模中的上述規(guī)定的圖形是開口部分，用電子束進(jìn)行使用上述第2光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于在形成了上述接觸孔圖形后，采用借助于熱處理使上述抗蝕劑膜熔化的辦法，縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于采用下述辦法，縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸向上述半導(dǎo)體基板上涂敷若加熱則與抗蝕劑膜中的酸成分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的水溶性樹脂，采用對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法在上述抗蝕劑膜的表面上形成基于上述交聯(lián)反應(yīng)的膜，然后，除去未發(fā)生上述交聯(lián)反應(yīng)的不要的上述水溶性樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于采用以下的辦法縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸向上述半導(dǎo)體基板上邊涂敷一旦加熱則收縮的水溶性樹脂，采用對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱處理的辦法，借助于上述水溶性樹脂的收縮力，將上述抗蝕劑膜向與基板面平行的方向拉伸，然后，除去上述水溶性樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于作為上述第1光掩模，使用分別以上述規(guī)定的間隔在上述第1方向和與上述第1方向垂直的第2方向上配置有上述掩模圖形的光掩模。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于作為上述第1光掩模，使用上述掩模圖形具有圓形的平面形狀的光掩模。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在半導(dǎo)體基板上形成抗蝕劑膜，用以規(guī)定的間隔2維狀地配置有掩模圖形的第1光掩模使上述抗蝕劑膜曝光，對(duì)上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，在上述抗蝕劑膜上形成與上述掩模圖形對(duì)應(yīng)的接觸孔圖形，縮小在上述抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形的開口尺寸，采用使用已形成了規(guī)定的圖形的第2光掩模使上述抗蝕劑膜曝光的辦法，使作為與上述規(guī)定的圖形對(duì)應(yīng)的上述抗蝕劑膜的部分的第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得比上述第1抗蝕劑膜以外的第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度相對(duì)地高，采用在上述第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度或其以上而且在不到上述第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度的溫度對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法，使上述第2抗蝕劑膜熔化，消滅在上述第2抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形，采用使用上述第1抗蝕劑膜刻蝕上述半導(dǎo)體基板的辦法，在上述半導(dǎo)體基板上形成接觸孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于用變形照明進(jìn)行使用上述第1光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述第2光掩模中的上述規(guī)定的圖形是開口部分，用紫外線進(jìn)行使用上述第2光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述第2光掩模中的上述規(guī)定的圖形是開口部分，用電子束進(jìn)行使用上述第2光掩模的上述抗蝕劑膜的曝光。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在形成了上述接觸孔圖形后，采用借助于加熱處理使上述抗蝕劑膜熔化的辦法，縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于采用下述辦法，縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸向上述半導(dǎo)體基板上涂敷一旦加熱則與抗蝕劑膜中的酸成分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的水溶性樹脂，采用對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱的辦法在上述抗蝕劑膜的表面上形成基于上述交聯(lián)反應(yīng)的膜，然后，除去未發(fā)生上述交聯(lián)反應(yīng)的不要的上述水溶性樹脂。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于采用以下的辦法縮小上述接觸孔圖形的開口尺寸向上述半導(dǎo)體基板上涂敷一旦加熱則收縮的水溶性樹脂，采用對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱處理的辦法，借助于上述水溶性樹脂的收縮力，將上述抗蝕劑膜向與基板面平行的方向拉伸，然后，除去上述水溶性樹脂。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于作為上述第1光掩模，使用分別以上述規(guī)定的間隔在上述第1方向和與上述第1方向垂直的第2方向上配置有上述掩模圖形的光掩模。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于作為上述第1光掩模，使用上述掩模圖形具有圓形的平面形狀的光掩模。
全文摘要
用以規(guī)定的間隔2維狀地配置有掩模圖形的第1光掩模使在半導(dǎo)體基板上邊形成的抗蝕劑膜曝光，對(duì)上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，在上述抗蝕劑膜上形成與上述掩模圖形對(duì)應(yīng)的接觸孔圖形，縮小在上述抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形的開口尺寸，采用使用已形成了規(guī)定的圖形的第2光掩模使上述抗蝕劑膜曝光的辦法，使作為與上述規(guī)定的圖形對(duì)應(yīng)的上述抗蝕劑膜的部分的第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度設(shè)定得比上述第1抗蝕劑膜以外的第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度相對(duì)地高，采用在上述第2抗蝕劑膜的熔化開始溫度或其以上而且在不到上述第1抗蝕劑膜的熔化開始溫度的溫度對(duì)上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱處理的辦法，使上述第2抗蝕劑膜熔化，消滅在上述第2抗蝕劑膜上形成的上述接觸孔圖形。
文檔編號(hào)G03F1/00GK1607649SQ200410083750
公開日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2004年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月15日
發(fā)明者小林祐二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝