專利名稱：襯底曝光方法和光刻投影設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)至少部分被輻照敏感層覆蓋的襯底曝光的方法，所采用的光刻投影設(shè)備包括----提供投影輻照線束的照明系統(tǒng)；----支持圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成裝置用來(lái)使投影線束在其截面上具有圖案；----承載襯底的襯底工作臺(tái)；----具有虛圖像表面的投影系統(tǒng)，把具有圖案的射線投影到襯底的目標(biāo)部分。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種把需要的圖案加到襯底目標(biāo)部分的一種裝置。光刻設(shè)備可以應(yīng)用在諸如集成電路(IC)制造中。在此情況下，圖案形成裝置，如掩模，可以用于產(chǎn)生與IC單個(gè)分層相應(yīng)的電路圖案，這個(gè)圖案可以映像到涂有輻照敏感材料(抗蝕劑)的襯底(如硅晶片)的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或幾個(gè)管芯的部分)。
同時(shí)也是投影系統(tǒng)的照明系統(tǒng)一般包括定向、整形或控制投影輻照線束的部件。一般而言，投影系統(tǒng)包括設(shè)定投影系統(tǒng)數(shù)值孔徑(通常稱作“NA”)的裝置。例如，在投影系統(tǒng)的瞳孔部分有一個(gè)可調(diào)節(jié)的數(shù)值孔徑光欄。典型的照明系統(tǒng)包括用于設(shè)定掩模版上游的(在照明系統(tǒng)的瞳孔里)強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱作“內(nèi)-西格瑪”，“外-西格瑪”)的調(diào)整裝置。下文中也可能把特定的外-西格瑪和內(nèi)-西格瑪設(shè)定稱為環(huán)形照明模式。在把投影物體的圖像投射到襯底上時(shí)，控制照明系統(tǒng)瞳孔平面的空間亮度分布可以改善工藝參數(shù)。
微芯片制造涉及對(duì)器件和互連線之間、部件之間、和/或部件的元件之間，例如某個(gè)部件的兩個(gè)邊沿之間的空間或?qū)挾裙畹目刂?。更詳?xì)地說(shuō)，控制IC層和器件制造中容許的最小空間公差是很重要的。所述最小空間和/或最小寬度稱為關(guān)鍵尺寸(“CD”)。一般而言，單個(gè)襯底包括依次曝光的各相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)狀系統(tǒng)?，F(xiàn)有的光刻設(shè)備包括通過(guò)一次把整個(gè)圖案曝光到目標(biāo)部分來(lái)照射每個(gè)目標(biāo)部分的所謂步進(jìn)器和通過(guò)投影線束在給定方向(掃描方向)掃描圖案并同時(shí)以平行或反平行此方向的方式同步掃描襯底來(lái)照射每個(gè)目標(biāo)部分的所謂掃描器或步進(jìn)掃描裝置。
在傳統(tǒng)光刻投影技術(shù)里，有一個(gè)眾所周知的問(wèn)題，即孤立的部件和密集的部件在CD中出現(xiàn)的差異可能限制工藝活動(dòng)余地(即，對(duì)于給定的CD公差，與被照明的目標(biāo)部分的曝光量的允許的殘差量結(jié)合的可用的焦深)。這個(gè)問(wèn)題的出現(xiàn)是因?yàn)檠谀Ｉ系哪切┚哂邢嗤瑯?biāo)稱關(guān)鍵尺寸的特征(也稱為標(biāo)線板)會(huì)因?yàn)榕c間距相關(guān)的衍射效應(yīng)產(chǎn)生與掩模上它們的間距相關(guān)的不同的制版結(jié)果(相鄰部件之間是分離)。例如，由具有特定線寬的線構(gòu)成的特征在處于孤立狀態(tài)下時(shí)，也就是間距較大時(shí)的印制結(jié)果會(huì)與掩模上相同線寬的相同特征在與相同線寬的其他線條一起處在密集配置、即間距較小時(shí)的印制結(jié)果不同。因此，如果密集和孤立的關(guān)鍵尺寸的部件在同時(shí)制版的時(shí)候，制版時(shí)CD出現(xiàn)與間距相關(guān)的的差異。這種現(xiàn)象稱作“孤立-密集偏差“，是光刻技術(shù)中的一個(gè)特殊問(wèn)題。孤立-密集偏差以毫微米計(jì)量并且是光刻工藝的實(shí)際特性中一個(gè)重要的參數(shù)。
傳統(tǒng)的光刻設(shè)備沒有直接指出孤立-密集偏差問(wèn)題。傳統(tǒng)上，或者通過(guò)改變光學(xué)參數(shù)如投影鏡頭的數(shù)值孔徑或內(nèi)-西格瑪和外-西格瑪，或者通過(guò)以這樣的方式設(shè)計(jì)一種掩模，即，把孤立和密集特征的制版尺寸差異最小化，來(lái)補(bǔ)償孤立-密集偏差是傳統(tǒng)光刻設(shè)備使用者的責(zé)任。例如最后面的這種技術(shù)包括標(biāo)線板和/或光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(以后也稱為OPC)，為了簡(jiǎn)單起見，任何需要孤立-密集偏差補(bǔ)償?shù)膱D案都會(huì)提供標(biāo)線板，可能以后也稱為OPC-標(biāo)線板。
一般而言，為了保證理想的設(shè)備利用率，在大規(guī)模制造廠里，相同光刻制造工藝步驟可以采用不同的光刻設(shè)備，因此(例如由于設(shè)備間的差異)就會(huì)產(chǎn)生制造工藝中CD之間的差異或者誤差。一般來(lái)說(shuō)。此類誤差的實(shí)際間距依賴程度取決于圖案和特征的特定布局、使用的光刻設(shè)備投影系統(tǒng)畸變、襯底上輻照敏感層的特性、及諸如照明設(shè)定的輻照線束特性、輻照能量的曝光量。因此，由圖案形成裝置產(chǎn)生具體圖案，及通過(guò)具有特定輻照源的光刻投影設(shè)備制版，這個(gè)裝置可以識(shí)別與所使用光刻系統(tǒng)的工藝特征的孤立-密集偏差有關(guān)的數(shù)據(jù)。對(duì)于給定裝置、圖案和工藝，所述數(shù)據(jù)，具體地說(shuō)，作為間距的函數(shù)的CD的清單或曲線圖，后面為了簡(jiǎn)單起見稱為”孤立-密集偏差特性”。在相同光刻制造工藝步驟中采用不同的光刻投影設(shè)備(同類型或者不同類型)，相應(yīng)的不同孤立-密集偏差特性互相匹配是一個(gè)問(wèn)題，如減小發(fā)生在制造工藝中的CD偏差。
將一臺(tái)設(shè)備(對(duì)工藝可以采用環(huán)形照明模式)的孤立-密集偏差特性與另一臺(tái)設(shè)備的孤立-密集偏差特性匹配的現(xiàn)有技術(shù)將改變內(nèi)-西格瑪和外-西格瑪?shù)脑O(shè)定值，但同時(shí)保持兩臺(tái)設(shè)備之一的內(nèi)-西格瑪和外-西格瑪設(shè)定之間的差異(即，同時(shí)保持照明模式的環(huán)形圈的寬度)。選擇標(biāo)稱的西格瑪設(shè)定值將使工藝活動(dòng)余地最佳(更詳細(xì)地說(shuō)是焦深和曝光范圍)。因此對(duì)機(jī)器而言這個(gè)過(guò)程有個(gè)缺點(diǎn)即當(dāng)西格瑪設(shè)定值改變的時(shí)候，工藝活動(dòng)余地變小并可能小到不再有實(shí)用價(jià)值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種曝光襯底的方法從而使孤立-密集偏差可以修改。
根據(jù)本發(fā)明，以上目的及其他目的通過(guò)對(duì)至少是部分被輻照敏感層覆蓋的襯底進(jìn)行曝光而達(dá)到。所用的光刻設(shè)備包括
----提供輻照投影線束的照明系統(tǒng)；----支持圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成裝置用來(lái)使投影線束在其截面上具有圖案；----支撐襯底的襯底工作臺(tái)；----把具有圖案的圖像投影到襯底目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)，所述方法包括把所述輻照敏感層對(duì)于所述圖像曝光的步驟，其特征在于所述曝光步驟包括，在開始曝光后和曝光完成前，誘導(dǎo)上述圖像的對(duì)比度損失，以便在目標(biāo)部分改變孤立-密集偏差特性。
作為IC器件制造工藝一部分的特定光刻投影和曝光工藝步驟并在特定光刻投影設(shè)備上運(yùn)行的孤立-密集偏差特性由諸如以圖案印制的關(guān)鍵尺寸的特征的分布和形狀、曝光時(shí)候的照明設(shè)定等參數(shù)確定。發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，除了西格瑪設(shè)定之外，一個(gè)影響孤立-密集偏差的重要參數(shù)是圖案圖像的對(duì)比度。更詳細(xì)地說(shuō)，發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，由誘導(dǎo)的對(duì)比度變化產(chǎn)生的直通間距效應(yīng)和由西格瑪設(shè)定改變引起的直通間距效應(yīng)是不同的。這兩種參數(shù)變化可以獨(dú)立用于改變孤立-密集偏差特性。
特征(或者特征的邊緣或者一組特征)的圖像對(duì)比度經(jīng)常表述為歸一化圖像記錄斜率(NILS)。投影系統(tǒng)有一個(gè)虛圖像面，這個(gè)虛圖像面通常與例如相對(duì)于NILS而言的圖像對(duì)比度優(yōu)化的焦點(diǎn)平面的某個(gè)表面(理想的是真實(shí)的平面)相一致。光刻工藝的有關(guān)的圖像的NILS值與在襯底上形成在抗蝕劑層中的圖案或圖案的一部分的圖像有關(guān)。一般來(lái)講，在曝光時(shí)這樣定位襯底，使得抗蝕劑層基本上與虛圖像面重合。當(dāng)目標(biāo)部分抗蝕劑層區(qū)域從圖像面移開的時(shí)候，沿垂直于上述虛圖像面Z-方向上，抗蝕劑層的圖像NILS不再是最佳的，取而代之的是某種程度降低的NILS。發(fā)明者發(fā)現(xiàn)這種NILS降低也會(huì)影響孤立-密集偏差特性及孤立-密集偏差特性的平滑調(diào)節(jié)可以更好地由以下的方法得到—--在開始曝光時(shí)候和曝光結(jié)束前-移動(dòng)襯底的z-位置來(lái)基于曝光的完成提供至少某種程度的引起對(duì)比度平均化----或者NILS損失。
對(duì)于步進(jìn)和步進(jìn)-掃描光刻投影設(shè)備，通過(guò)在曝光目標(biāo)部分期間在垂直于虛圖像面的方向上移動(dòng)承載涂敷有抗蝕劑層襯底的襯底工作臺(tái)，可以提供處理孤立-密集偏差特性的額外的自由度。比如這個(gè)位移可以是震動(dòng)、間歇性移動(dòng)，在應(yīng)用脈沖激光作為輻照源的例子里，位移操作可以在脈沖間隙或者曝光一個(gè)或一個(gè)以上幅照脈沖時(shí)，或者兩種情況都有的情況下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于步進(jìn)-掃描光刻投影設(shè)備，最好可以通過(guò)相對(duì)于虛圖像面繞與虛圖像面平行且垂直于掃描方向的軸傾斜襯底工作臺(tái)的掃描方向來(lái)提供處理孤立-密集偏差特性的額外自由度。這種傾斜具有在掃描和曝光期間改變虛像表面上圖案某個(gè)部分的某個(gè)圖像和襯底上目標(biāo)部分相應(yīng)圖像之間的距離的效應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，由本發(fā)明提供的調(diào)節(jié)孤立-密集偏差特性的額外的自由度可以用于把某個(gè)孤立-密集偏差特性和目標(biāo)孤立-密集偏差特性的差異減到最小。在使用不同光刻投影設(shè)備進(jìn)行相同光刻制造工藝的(同類型或者不同類型)的情況下，需要使不同的孤立-密集偏差特性互相匹配。這樣可以使用一個(gè)或一個(gè)以上的標(biāo)線板，每個(gè)標(biāo)線板具有相同的圖案和相同的內(nèi)光學(xué)鄰近效應(yīng)實(shí)施例，這樣使任何這類的標(biāo)線板可以應(yīng)用在任何不同的匹配的光刻投影設(shè)備上。這種工作方式不僅是通過(guò)對(duì)昂貴的OPC-標(biāo)線板的有效利用，同時(shí)也是在不需要用高端機(jī)器運(yùn)行高端應(yīng)用的情況下通過(guò)對(duì)相同的制造工藝可以同時(shí)采用高端、中端、低端光刻設(shè)備實(shí)現(xiàn)的。這種情況下的目標(biāo)孤立-密集偏差特性，例如，可能是運(yùn)行在低端機(jī)器上的光刻工藝的典型孤立-密集偏差特性。發(fā)明者發(fā)現(xiàn)本方法提供了一種在大的間距范圍改善不同孤立-密集偏差特性匹配的方法；相對(duì)應(yīng)用西格瑪設(shè)定值來(lái)減小孤立-密集偏差特性的差異的方法而言，使用控制曝光時(shí)圖像對(duì)比度損失的方法把殘余的機(jī)器間孤立-密集偏差差異降低了大約2倍。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，提供一種光刻投影設(shè)備，它包括----提供投影輻照線束的照明系統(tǒng)；----支持圖案形成裝置的承載結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置用來(lái)使投影線束在其截面上具有圖案；----承載襯底的襯底工作臺(tái)；----具有虛圖像面的投影系統(tǒng)，用于把具有圖案的線束投影到襯底的目標(biāo)部分，其特征在于還包括用于存儲(chǔ)目標(biāo)孤立-密集偏差特性和運(yùn)行于光刻投影設(shè)備上的工藝的孤立-密集偏差特性的代表數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置；以及控制裝置，它構(gòu)造和設(shè)置成-根據(jù)代表孤立-密集偏差特性和目標(biāo)孤立-密集偏差特性的數(shù)據(jù)確定一個(gè)或一個(gè)以上的設(shè)備參數(shù)設(shè)定值值變化，包括襯底工作臺(tái)相對(duì)于上述虛圖像面的位置變化和襯底工作臺(tái)繞平行于虛圖像面的軸的旋轉(zhuǎn)方向的變化中的至少一種變化，以及-應(yīng)用所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)備參數(shù)設(shè)定值值的變化。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種如上所述光刻投影設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)裝置設(shè)置成用于存儲(chǔ)代表多條目標(biāo)孤立-密集偏差特性曲線的數(shù)據(jù)和表示運(yùn)行在光刻投影設(shè)備上的工藝的孤立-密集偏差特性，其特征在于還包括用戶界面模塊，所述用戶界面模塊設(shè)置成適合于從所述多條目標(biāo)孤立-密集偏差特性中選擇一條用于確定所述設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化并且應(yīng)用所述一種或一種以上設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化。對(duì)于采用不同的光刻投影設(shè)備(例如不同的類型或者不同的供應(yīng)商)的制造廠，有可能根據(jù)運(yùn)行在某些確定的首選不同設(shè)備上的不同特定光刻制造工藝步驟來(lái)(如上述，包含特定的圖案)區(qū)分出不同的目標(biāo)孤立-密集偏差特性。因此當(dāng)另一個(gè)光刻投影設(shè)備裝備了具有可選擇的目標(biāo)孤立-密集偏差特性(比如可以簡(jiǎn)單地用工藝和設(shè)備類型來(lái)區(qū)分)的特征的時(shí)候，有可能有利地快速設(shè)置裝置的參數(shù)，取得與某個(gè)所述首選機(jī)器的性能匹配的孤立-密集偏差特性。
如上所述，虛圖像面通常與最佳焦點(diǎn)平面重合。根據(jù)本發(fā)明，襯底相對(duì)于在沿所述z方向輕微移動(dòng)的平面的圖像曝光，以便獲得修正過(guò)的孤立-密集偏差特性。上述輕微移動(dòng)的平面的圖像相應(yīng)于最佳焦點(diǎn)平面被輕微散焦。然而，根據(jù)本發(fā)明的方法產(chǎn)生的z向位移等同于或小于光刻工藝窗口的典型焦深(DOF)。因此本發(fā)明不提出DOF增強(qiáng)問(wèn)題。光刻工藝的DOF正常范圍是最佳焦平面上下200-300nm。本發(fā)明提出并利用了發(fā)生在DOF范圍內(nèi)的成像效應(yīng)，它可能足以利用最佳焦平面上下50nm以上的散焦范圍。
盡管本文中具體涉及光刻設(shè)備在IC制造中的應(yīng)用，但是，顯然，本文中所述的光刻設(shè)備也可能有其他的應(yīng)用，比如集成光系統(tǒng)的生產(chǎn)、磁存儲(chǔ)器的導(dǎo)向和檢測(cè)圖案、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭、等等。本專業(yè)的技術(shù)人員將理解，任何使用“硅晶片”和“芯片”的術(shù)語(yǔ)在這兒都認(rèn)為是更通用的術(shù)語(yǔ)“襯底”或者“目標(biāo)部分“的同義詞。因此，這兒提到的襯底可能會(huì)在曝光前或者曝光后在軌道(一種通常是把抗蝕劑層涂敷到襯底上并把曝露的抗蝕劑層顯影的工具)或者計(jì)量或檢查工具中進(jìn)行處理。在可以應(yīng)用的時(shí)候，這里公開的內(nèi)容可以應(yīng)用到這類或者其他襯底處理工具中。此外，為了獲得多層IC，襯底可以被處理多次，因此，本文中所用的襯底這個(gè)術(shù)語(yǔ)也可以指已經(jīng)包含多個(gè)處理后的層的襯底。
此處使用的術(shù)語(yǔ)“輻照”和“線束”包含所有類型的電磁輻照，包括紫外線輻照(UV)(即波長(zhǎng)365，248，193、157或者126nm)或者遠(yuǎn)紫外線(EUV)輻照(即波長(zhǎng)在5-20nm范圍內(nèi))。
此處使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)當(dāng)是廣泛解釋為一種可以用于使投影線束在其截面具有圖案以便在襯底的目標(biāo)部分形成圖案的一種裝置。應(yīng)當(dāng)指出，用于投影線束的圖案可能不是嚴(yán)格地與襯底上目標(biāo)部分所要的圖案相對(duì)應(yīng)。一般而言，用于投影線束的圖案會(huì)與目標(biāo)部分上制作的器件內(nèi)的特定功能層，諸如集成電路相對(duì)應(yīng)。
圖案形成裝置可以是透射性也可以是反射性的，圖案形成裝置的例子包括掩模、可編程鏡面陣列及可編程LCD面板，掩模在光刻工藝中是眾所周知的，并且包括各種掩模類型，如二進(jìn)制、可變相移、減弱相移及各種混合掩模類型。例子中可編程鏡面陣列采用小鏡面組成的矩陣，每個(gè)鏡面可以單獨(dú)傾斜把不同的方向的入射輻照線束反射；在這種方式中，被反射的光束被圖案化。在每個(gè)圖案形成裝置的例子中，承載結(jié)構(gòu)可能是基于需要固定或者可以移動(dòng)以確保圖案形成裝置在需要的位置如相對(duì)于投影系統(tǒng)的位置。此處使用的術(shù)語(yǔ)“標(biāo)線板“或者“掩?！笨梢哉J(rèn)為是更一般的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置“的同義詞。
本文中使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”也應(yīng)當(dāng)廣泛解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)、反折射光學(xué)系統(tǒng)，也包括使用的曝光輻照或者其他因素諸如使用浸沒流體或者真空。任何對(duì)術(shù)語(yǔ)“鏡頭”的應(yīng)用在這里都視為更一般的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)“的同義詞。
照明系統(tǒng)也可以包括用于定向、整形或者控制輻照光束的不同類型的光學(xué)部件，包括折射、反射、折反射光學(xué)部件，此類部件也可能單獨(dú)或者一起稱做“鏡頭”。
光刻設(shè)備可能是具有兩個(gè)(雙工作臺(tái))或兩個(gè)以上襯底工作臺(tái)(和/或兩個(gè)或兩個(gè)以上掩模工作臺(tái))。在這類“多工作臺(tái)”機(jī)器中，額外的工作臺(tái)可能以并行方式應(yīng)用或者在一個(gè)或一個(gè)以上工作臺(tái)作準(zhǔn)備步驟的同時(shí)而其他一個(gè)或一個(gè)以上工作臺(tái)用于曝光。
光刻設(shè)備也可以是襯底浸沒入如水這樣具有較高折射系數(shù)液體中的形式，以便投影系統(tǒng)的末端部件和襯底之間的空隙被液體填滿。浸沒液體也可以應(yīng)用在光刻設(shè)備的其他空間上，如掩模和投影系統(tǒng)的第一個(gè)元件之間。浸沒技術(shù)在用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑上是廣為人知的。


下面開始描述本發(fā)明的實(shí)施例，只是作為例子，參照所附的示意圖，其中相應(yīng)的參照符號(hào)表示相應(yīng)的部分，附圖中圖1描繪根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2給出照明系統(tǒng)不同設(shè)定值下的孤立-密集偏差特性；圖3圖解說(shuō)明照明系統(tǒng)的不同設(shè)定值下的孤立-密集偏差的殘余失配；圖4示意地圖解說(shuō)明利用掃描器引入對(duì)比度損失的方案；圖5給出不同的對(duì)比度損失設(shè)定值下的孤立-密集偏差特性；圖6圖解說(shuō)明不同對(duì)比度損失設(shè)定值下的孤立-密集偏差特性的殘余失配；以及圖7示意地圖解說(shuō)明利用掃描器引入對(duì)比度損失的又一個(gè)方案具體實(shí)施方式
實(shí)施例1圖1示意地描繪一種光刻設(shè)備，其中可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明特定實(shí)施例的方法。所述設(shè)備包括-照明系統(tǒng)(照明器)IL，用于提供輻照(如UV輻照，或波長(zhǎng)小于270nm的DUV輻照，如波長(zhǎng)為248、193、157、和126nm或者由激光激發(fā)的等離子體產(chǎn)生的波長(zhǎng)為13.6nm輻照)的投影線束PB-第一承載結(jié)構(gòu)(如掩模工作臺(tái))MT，用于支撐圖案形成裝置(如掩模)MA并且連接到用于精確定位圖案形成裝置相對(duì)于部件PL的位置的第一定位裝置PM。
-襯底工作臺(tái)(如晶片工作臺(tái))WT，用于承載襯底(如涂敷了抗蝕劑層的硅晶片)W并且連接到用于精確定位圖案形成裝置相對(duì)于部件PL的位置的第二定位裝置PW；以及-投影系統(tǒng)(如折射投影鏡頭)PL，用于通過(guò)圖案形成裝置MA把給予投影線束PB的圖案成像到襯底W的目標(biāo)部分C(如包含一個(gè)或多個(gè)管芯)。
如本文中所述，此設(shè)備是透明類型(如采用透明掩模)，作為選擇，裝置可以是反射型的(如采用前述的可編程鏡子陣列)。
照明器IL接收輻照源SO的輻照線束。輻照源和光刻設(shè)備可能是分開的實(shí)體，例如輻照源是準(zhǔn)分子激光器。這種情況下不會(huì)考慮把輻照源作為光刻設(shè)備的一部分，輻照線束通過(guò)配有合適的導(dǎo)向鏡子和/或線束擴(kuò)展器的線束傳遞系統(tǒng)BD從源SO傳送到照明器IL。在其他情況下，輻照源可能是裝置的內(nèi)部部件，例如當(dāng)水銀燈作為輻照源的時(shí)候。輻照源SO和照明器IL以及線束傳輸系統(tǒng)(若需要的話)可以稱作輻照系統(tǒng)照明器IL可能包括可調(diào)節(jié)裝置AM，用于調(diào)節(jié)線束的角強(qiáng)度分布。一般而言至少照明器平面瞳孔密度分布的內(nèi)外徑向范圍(通常分別指內(nèi)西格瑪和外西格瑪)是可調(diào)節(jié)的。另外，照明器IL一般包括數(shù)種其他部件，如積分器IN和冷凝器CO。照明器提供調(diào)節(jié)的輻照線束，稱作為投影線束PB，其截面上具有期望的均勻的強(qiáng)度分布。
投影線束PB入射在固定于掩模工作臺(tái)MT上的掩模MA。投影線束PB通過(guò)鏡頭PL，PL把線束聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(如干涉測(cè)量裝置)的輔助下襯底工作臺(tái)WT可以精確移動(dòng)，例如，定位到投影線束PB路徑上不同的目標(biāo)部分C上。與此類似，從掩模庫(kù)里機(jī)械檢索后或者掃描過(guò)程中，第一定裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確描述)可以用于精確確定掩模MA相對(duì)于線束PB路徑的位置。目標(biāo)工作臺(tái)MT和WT的移動(dòng)可以借助于作為定位裝置PM和PW一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)實(shí)現(xiàn)。然而，在步進(jìn)器(與掃描器相反)情形下，掩模工作臺(tái)MT可能只連接到短行程激勵(lì)器上或者固定。掩模MA和襯底W可以使用掩模定位標(biāo)志M1，M2和襯底定位標(biāo)志P1，P2進(jìn)行定位。
上述設(shè)備可以用于以下的優(yōu)選模式1.在步進(jìn)模式下，掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT保持完全靜止，同時(shí)投影線束攜帶整個(gè)圖案被投影到目標(biāo)部分C上一次(即一次靜態(tài)曝光)。襯底工作臺(tái)WT在X或者Y方向上移動(dòng)以曝光不同的目標(biāo)部分C。在步進(jìn)模式下曝光區(qū)域的最大尺寸限制了單次靜態(tài)曝光成像的目標(biāo)部分尺寸。
2.在掃描模式下掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT被同步掃描，同時(shí)投影線束攜帶整個(gè)圖案被投射到目標(biāo)部分C上(即單次動(dòng)態(tài)曝光)。襯底工作臺(tái)WT相對(duì)于掩模工作臺(tái)MT的速度和方向由投影系統(tǒng)PL的圖像翻轉(zhuǎn)特性和放大(縮小)倍數(shù)來(lái)決定。掃描模式下曝光區(qū)域的最大尺寸限制了單次動(dòng)態(tài)曝光目標(biāo)部分的寬度(在非掃描方向)，同時(shí)掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度決定了目標(biāo)部分的高度(在掃描方向)。
3.其他模式下，掩模工作臺(tái)MT基本上被保持在靜態(tài)并承載可編程圖案形成裝置，襯底工作臺(tái)WT在給予投影線束的整個(gè)圖案被投射到目標(biāo)部分C上的同時(shí)被移動(dòng)或者掃描。在這種模式下，一般采用脈沖輻照源，并且，在掃描期間，在襯底工作臺(tái)WT每次移動(dòng)之后或者兩個(gè)連續(xù)輻照脈沖之間按照要求更新可編程圖案形成裝置。這種操作模式可以方便地應(yīng)用到使用可編程圖案形成裝置如前面所述可編程鏡面陣列的無(wú)掩模光刻。
也可以應(yīng)用上述模式的組合或變形或者完全不同的模式。
光刻設(shè)備包括控制器100，用于對(duì)設(shè)備參數(shù)設(shè)定值被調(diào)整或修改做出響應(yīng)而把信號(hào)提供給設(shè)備或它們的任何模塊。受控制的參數(shù)設(shè)定值例如是設(shè)置在投影系統(tǒng)PL的瞳孔中的可調(diào)NA光闌的NA、照明系統(tǒng)IL(例如內(nèi)外西格瑪設(shè)定值)的設(shè)定值、曝光量的設(shè)定、襯底工作臺(tái)WT沿z軸的位置(掩模工作臺(tái)MT與之類似)、襯底工作臺(tái)WT相對(duì)于z軸的傾斜(掩模工作臺(tái)MT與之類似)以及投影系統(tǒng)PL的可調(diào)節(jié)鏡頭元件的位置和方向。后面的設(shè)備參數(shù)設(shè)定值可以用來(lái)控制和調(diào)整投影系統(tǒng)PL的光學(xué)畸變；眾所周知，孤立-密集偏差特性取決于光學(xué)畸變及它們的相對(duì)幅度?？刂破靼ㄓ糜趶妮斎霐?shù)據(jù)120計(jì)算為獲得期望的孤立-密集偏差特性所需要的設(shè)備參數(shù)設(shè)定值的計(jì)算機(jī)。這種計(jì)算可能包含基于模擬相關(guān)的任何數(shù)據(jù)，諸如與設(shè)備有關(guān)的數(shù)據(jù)、關(guān)于將被投影和制版的圖案的數(shù)據(jù)、使用的抗蝕劑層的數(shù)據(jù)，預(yù)測(cè)作為間距函數(shù)的CD值的光刻工藝模擬。由圖1中方框120代表的所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置110中，存儲(chǔ)裝置可以是控制器100的部件并可以被計(jì)算機(jī)讀寫。為了使某個(gè)孤立-密集偏差特性匹配目標(biāo)孤立-密集偏差特性，數(shù)據(jù)120包含了表示所述目標(biāo)孤立-密集偏差特性的數(shù)據(jù)?？刂破饔?jì)算使用光刻設(shè)備執(zhí)行相應(yīng)的光刻工藝的孤立-密集偏差特性和目標(biāo)孤立-密集偏差特性之間的差異，然后通過(guò)調(diào)整一個(gè)或多個(gè)設(shè)備參數(shù)設(shè)定值應(yīng)用最小化方法使這個(gè)差異最小。更詳細(xì)地說(shuō)，控制襯底工作臺(tái)位置的參數(shù)設(shè)定值可以用于此類最小化，但從原理上說(shuō)任何參數(shù)的組合(如所述的與控制西格瑪參數(shù)設(shè)定值組合的參數(shù)設(shè)定值)都可以用于最小化過(guò)程。
在本方法的實(shí)施例中，對(duì)于印刷含有130nm CD的特征，采用兩個(gè)不同的裝置運(yùn)行間距范圍從300nm到600nm的圖案的選定光刻工藝。兩個(gè)機(jī)器的西格瑪?shù)某跏荚O(shè)定都是內(nèi)西格瑪＝0.55和外西格瑪＝0.85。一臺(tái)光刻投影設(shè)備是NA＝0.75系統(tǒng)、連接到193nm波長(zhǎng)、1.3pm帶寬的準(zhǔn)分子激光器。另外一個(gè)“高端”光刻投影設(shè)備是NA＝0.85系統(tǒng)、連接193nm波長(zhǎng)、0.8pm帶寬的準(zhǔn)分子激光器。圖1示意地表示這個(gè)高端系統(tǒng)，此系統(tǒng)是與NA＝0.75系統(tǒng)的給定光刻工藝系統(tǒng)匹配的孤立-密集偏差系統(tǒng)。如圖2所示，兩個(gè)裝置有不同的孤立-密集偏差特性。圖2中的圖形1表示運(yùn)行在NA＝0.75系統(tǒng)的光刻工藝的孤立-密集偏差特性，而描述這個(gè)圖形的作為間距函數(shù)的CD的數(shù)據(jù)表示目標(biāo)孤立-密集偏差特性。圖2中的圖形2代表運(yùn)行在高端NA＝0.85系統(tǒng)的光刻工藝的孤立-密集偏差特性。隨著間距的增大，孤立-密集偏差特性的匹配降低；在600nm的間距上CD的差異大約是10nm。利用作為目標(biāo)孤立-密集偏差特性的孤立-密集偏差圖形1，把分別利用內(nèi)西格瑪＝0.59、外西格瑪＝0.89和內(nèi)西格瑪＝0.63、外西格瑪＝0.93的內(nèi)和外西格瑪設(shè)定值變化加到高端系統(tǒng)，產(chǎn)生圖2中的孤立-密集偏差特性3和4。圖3中的圖形32給出了兩個(gè)系統(tǒng)之間的初始失配(在把西格瑪設(shè)定值變化加到高端系統(tǒng)之前)，而圖形33和圖形34分別給出孤立-密集偏差特性3和4與目標(biāo)孤立-密集偏差特性1的殘余失配。有一個(gè)問(wèn)題是對(duì)孤立的間距而言存在一個(gè)非零的最大可以達(dá)到3nm的直通間距失配。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)投影線束輻射能量的光譜分布是孤立-密集偏差特性的關(guān)鍵參數(shù)。高端系統(tǒng)和NA＝0.75系統(tǒng)激光束的波譜峰值的帶寬的差異是孤立-密集偏差特性1和2失配的主要貢獻(xiàn)者。本發(fā)明基于對(duì)圖像比度損失現(xiàn)象的深入理解，所述現(xiàn)象是由以下原因引起的可以通過(guò)在曝光開始后和曝光結(jié)束前引入在所述虛圖像面上圖案的至少一部分的圖像和襯底的目標(biāo)部分的相應(yīng)的圖像之間沿Z-方向(基本上垂直于投影鏡頭的虛圖像面)距離的變化來(lái)模擬有限激光帶寬。這就產(chǎn)生了受控的圖案圖像對(duì)比度損失和抗蝕劑層的曝光，以這種方式產(chǎn)生的圖案映象做到孤立-密集偏差特性的匹配是可能的。圖4示意地圖解說(shuō)明用于產(chǎn)生受控的圖案圖像的對(duì)比度損失的方案。掩模MA上圖案的FE部分被映象為虛圖像面IP上的圖案FE’。FE部分可能包含一組圖案的特征，并使用步進(jìn)-掃描光刻投影設(shè)備投影到襯底W上。掩模MA在襯底W頂上的輻照敏感層曝光期間沿方向41掃描。硅晶片沿方向43被掃描。起初，特征組FE位于相應(yīng)的投影鏡頭PL的位置421。掃描期間特征組FE分別橫穿位置422和423之間。這些位置中的任意一個(gè)由投影線束PB進(jìn)行照明。位于421、422、423位置的圖案被分別投影到位于421’、422’、423’位置的目標(biāo)部分。由襯底工作臺(tái)(未顯示)承載的硅晶片W和由掩模工作臺(tái)MT承載的掩模MA以上述方式被同步掃描，使421’、422’、423’位置的曝光合計(jì)成一個(gè)單次動(dòng)態(tài)曝光。襯底工作臺(tái)的掃描方向圍繞大約垂直于掃描方向43的軸輕微傾斜，傾斜的角度為相對(duì)于最佳焦平面IP的角度44。因此，在曝光時(shí)沿著完全垂直于圖像平面IP的z方向，在FE部分的圖像FE’(在圖像平面IP)和襯底目標(biāo)部分的相應(yīng)圖像之間的距離相對(duì)于位置423’的某個(gè)有限值從位置421’的有限值改變?yōu)?22’位置的大約為零。一旦圖案FE的曝光完成，就獲得FE的結(jié)果動(dòng)態(tài)單次曝光的受控的集成對(duì)比度損失。類似地，在投影和曝光期間，圖案任何其他部分經(jīng)歷同樣的受控對(duì)比度損失。因此可以調(diào)整運(yùn)行在光刻設(shè)備上且作為其一部分的FE的圖案的光刻工藝的孤立密集偏差特征?；诒緦?shí)施例的高端裝置的孤立-密集偏差特性的調(diào)整結(jié)果見圖5的圖形1(NA＝0.75系統(tǒng)的孤立-密集偏差特性)實(shí)際上隱藏在圖形52的后面，它是高端裝置的孤立-密集偏差特性并運(yùn)行在于NA＝0.75系統(tǒng)相同的西格瑪設(shè)定值，它的掃描方向43相對(duì)于圖像面IP傾斜了48微弧度。作為參考也給出了0傾斜的承載襯底的襯底工作臺(tái)的原始孤立-密集偏差特性2。相似地，圖形53給出了在掃描方向上傾斜78微弧度的孤立-偏差特征，這個(gè)傾斜對(duì)于此例可能校正過(guò)度，但卻清楚地表示了本方法的極端效應(yīng)。圖6示出了孤立-密集偏差特性的殘余失配。圖形62作為參考并代表了分別運(yùn)行在NA＝0.85和NA＝0.75的光刻工藝任何缺乏孤立-密集偏差匹配的失配。圖形63給出了與通過(guò)如上所述的襯底掃描方向作48微弧度傾斜而得到的孤立-密集偏差特性關(guān)聯(lián)的本實(shí)施例的殘余失配。
圖6清楚地說(shuō)明本發(fā)明的重要性。圖表6中圖形63的間距依賴性比圖表3中圖形33的間距依賴性較小且更平滑；因此，如前面所述，采用受控的對(duì)比度損失的孤立-密集偏差匹配相對(duì)于采用西格瑪設(shè)定值進(jìn)行匹配更優(yōu)越。相對(duì)于圖3所示的失配，利用根據(jù)本發(fā)明的方法，殘余失配大大減小了。在本實(shí)施例里也演示了因素3對(duì)匹配的改善。如圖6中的圖形63所示，本實(shí)施例中的任何殘余失配是1nm。圖形64給出了襯底掃描方向75微弧度傾斜產(chǎn)生的前面提到的“過(guò)度修正”匹配。基于本實(shí)施例的方法的一個(gè)更重要的優(yōu)點(diǎn)是傾斜角44小到足以對(duì)工藝窗口不產(chǎn)生任何顯著影響。更詳細(xì)地說(shuō)，不存在對(duì)曝光范圍的影響。由于本發(fā)明提出和采用了在曝光時(shí)產(chǎn)生在焦點(diǎn)工作深度的散焦區(qū)引入對(duì)比度-或者NILS-損失的圖像(例如最佳焦平面上下300nm)，后者的優(yōu)點(diǎn)不僅僅限于本實(shí)施例，但卻是本發(fā)明任何實(shí)施例的特征。
本方法實(shí)施例(同上，光刻投影設(shè)備是步進(jìn)掃描設(shè)備)的另一個(gè)方案包括為在目標(biāo)部分的掃描曝光期間通過(guò)傾斜圖案形成裝置和圖案形成裝置的掃描方向來(lái)改變沿z掃描方向的距離，引入掃描方向上所述虛圖像面的傾斜。圖7圖解說(shuō)明這個(gè)過(guò)程，其中角度441指明了所述的引入的傾斜。正如圖7中示意地表示的，虛圖像面IP是與傾斜的掩模MA上的圖案相聯(lián)系的最佳焦平面。傾斜掩模可在與承載圖案的掩模表面平行的傾斜方向411移動(dòng)。傾斜的掩模MA和相應(yīng)引入的虛圖像面IP的傾斜441之間的關(guān)系是沙依姆弗勒(Scheimpflug)條件的一級(jí)近似。
實(shí)施例2根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)在曝光目標(biāo)部分時(shí)在與虛圖像面垂直的方向移動(dòng)承載涂有抗蝕劑層的襯底或者承載圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)來(lái)得到更大孤立-密集偏差特性的操作自由度。這個(gè)位移可以是諸如循環(huán)運(yùn)動(dòng)(震動(dòng))的連續(xù)動(dòng)作。移動(dòng)的準(zhǔn)確循環(huán)形態(tài)(例如與時(shí)間的正弦或者時(shí)間的三角函數(shù))的選擇決定所述沿z-方向的距離的分布，就像每個(gè)與曝光整合在一起的曝光的目標(biāo)部分經(jīng)歷的那樣。分布的形狀影響對(duì)比度損失的均值結(jié)果，并可能作為設(shè)計(jì)參數(shù)或者控制參數(shù)來(lái)調(diào)整所述對(duì)比度損失(因此得以調(diào)整孤立-密集偏差特性結(jié)果)或者，上述沿z-方向的距離的改變可以設(shè)置成為常數(shù)變化率，實(shí)現(xiàn)鋸齒形狀的移動(dòng)。在使用脈沖激光作為輻照源的情形下，可以使用間歇?jiǎng)幼?，位移可以在兩個(gè)脈沖之間或者在曝光一個(gè)或一個(gè)以上輻照脈沖或者兩種情況下完成。在這種類型的移動(dòng)的情況下，大多個(gè)連續(xù)位置上襯底的定位可以根據(jù)預(yù)設(shè)的z-位置分布來(lái)進(jìn)行。對(duì)于采用一種設(shè)計(jì)參數(shù)或者控制參數(shù)的分布類型調(diào)整孤立-密集偏差特性，這個(gè)選擇可以有效實(shí)現(xiàn)高斯分布。
實(shí)施例3
在目標(biāo)部分曝光時(shí)候，承載涂有抗蝕劑層襯底的襯底工作臺(tái)或者承載圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)沿z方向(與虛圖像面垂直)移動(dòng)，此處位移是循環(huán)移動(dòng)(震動(dòng))，本實(shí)施例特別適合于步進(jìn)掃描裝置這個(gè)觀點(diǎn)是可靠的。一般而言，目標(biāo)部分的點(diǎn)上經(jīng)歷的襯底面上的曝光能量在曝光時(shí)候不是不變的。由于照明系統(tǒng)的陰影效應(yīng)及激光輻照的脈沖使掃描方向可能發(fā)生變化。因此，上述距離的循環(huán)變化在掃描目標(biāo)部分曝光時(shí)最好包含大量的循環(huán)，從平均角度而言可以在目標(biāo)部分上掃描方向上一條線上的不同點(diǎn)的相同的z-位置分布得到相同的集成曝光能量。結(jié)果在掃描方向上獲得改善的平均對(duì)比度損失，因而改善了對(duì)孤立-密集偏差特性的控制。
盡管這里描述了特定的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明可以用其他方法實(shí)現(xiàn)。這里的描述不是為了限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)至少部分涂敷輻照敏感層的襯底曝光的方法，使用的光刻投影設(shè)備包括-提供投影輻照線束的照明系統(tǒng)-支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置用來(lái)使所述投影線束在其截面具有圖案；-支撐襯底的襯底工作臺(tái)；和-用于把所述圖案的圖像投影到所述襯底的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)，所述方法包括相對(duì)于所述圖像曝光所述輻照敏感層的步驟，其特征在于所述曝光步驟包括在開始曝光之后和曝光完成之前，引入所述圖像的對(duì)比度損失來(lái)修正孤立-密集偏差特性。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述引入所述圖像的對(duì)比度損失包括改變所述圖案的圖像和虛圖像面的相應(yīng)圖像之間沿基本上垂直于所述投影系統(tǒng)的所述虛圖像表面的z方向的距離。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述光刻設(shè)備還包括用于沿z-方向移動(dòng)承載襯底的所述襯底工作臺(tái)的裝置；以及所述沿z方向改變距離包括改變所述襯底工作臺(tái)沿z方向的位置。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述光刻設(shè)備還包括用于沿z-方向移動(dòng)所述圖案形成裝置的裝置；以及所述沿z方向改變距離包括改變所述圖案形成裝置沿z方向的位置。
5.如權(quán)利要求2-4中任意一個(gè)所述的方法，其特征在于所述改變沿z方向的距離是所述距離的循環(huán)變化。
6.如權(quán)利要求2-4中任意一個(gè)所述的方法，其特征在于所述改變沿z方向的距離是以固定的變化速率進(jìn)行的。
7.如權(quán)利要求2-4中任意一個(gè)所述的方法，其特征在于所述改變沿z方向的距離是以間歇移動(dòng)的方式進(jìn)行的。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述改變距離包括根據(jù)z位置的高斯分布來(lái)確定所述襯底的位置。
9.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于光刻投影設(shè)備是步進(jìn)掃描設(shè)備，其中，所述襯底在掃描方向上是可移動(dòng)的，所述改變沿z-方向的距離包括相對(duì)于掃描方向上虛圖像面傾斜所述掃描方向和所述目標(biāo)部分。
10.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述光刻投影設(shè)備是步進(jìn)掃描設(shè)備，其中，所述襯底在掃描方向是可移動(dòng)的，所述改變沿z-方向距離是所述距離的循環(huán)變化，所述距離的循環(huán)變化包括在掃描曝光目標(biāo)部分期間的多次循環(huán)，以便提供掃描方向上對(duì)比度損失的改善的均勻性
11.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述光刻投影設(shè)備是步進(jìn)掃描設(shè)備，其中，所述圖案形成裝置在掃描方向是可移動(dòng)的，所述方法包括引入掃描方向上所述虛圖像面的傾斜，以便通過(guò)傾斜所述圖案形成裝置和所述圖案形成裝置的掃描方向來(lái)改變掃描曝光所述目標(biāo)部分期間沿z-方向的距離。
12.如權(quán)利要求1-11中任何一個(gè)所述的方法，其特征在于還包括將所述孤立-密集偏差特性和所述目標(biāo)孤立-密集偏差特性之間的差異減到最小的步驟。
13.如權(quán)利要求2-11中任何一個(gè)所述的方法，其特征在于所述改變距離包含20nm到50nm的距離變化。
14.一種光刻投影設(shè)備，它包括-提供投影輻照線束的照明系統(tǒng)-支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置使所述投影線束在其截面上具有圖案；-支撐襯底的襯底工作臺(tái)；和-具有虛圖像面的投影系統(tǒng)，用于把所述具有圖案的射線投影到所述襯底的目標(biāo)部分，其特征在于還包括存儲(chǔ)裝置，用于存儲(chǔ)代表目標(biāo)孤立-密集偏差特性和表示運(yùn)行在所述光刻投影設(shè)備的工藝的孤立-密集偏差特性的數(shù)據(jù)；以及控制器，所述控制器構(gòu)造和設(shè)置成--根據(jù)所述代表孤立-密集偏差特性和目標(biāo)孤立-密集偏差特性的數(shù)據(jù)確定一個(gè)或多個(gè)設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化，所述設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化包括以下變化中的至少一種所述襯底工作臺(tái)相對(duì)于所述虛圖像面沿基本上垂直于所述虛圖像面的z-方向的位置變化以及所述襯底工作臺(tái)繞基本上平行于所述虛圖像面并且基本上垂直于掃描方向的軸的旋轉(zhuǎn)方向變化，以及-應(yīng)用所述一種或一種以上設(shè)備參數(shù)變化。
15.如權(quán)利要求14所述的光刻投影設(shè)備，其特征在于所述存儲(chǔ)裝置設(shè)置成用于存儲(chǔ)代表多條目標(biāo)孤立-密集偏差特性曲線和表示運(yùn)行于所述光刻投影設(shè)備上的工藝的目標(biāo)孤立-密集偏差特性的數(shù)據(jù)；以及所述光刻投影設(shè)備還包括用戶界面模塊，它設(shè)置成適合于從所述多條目標(biāo)孤立-密集偏差特性曲線中選擇一條用于確定所述設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化并且應(yīng)用所述一種或一種以上設(shè)備參數(shù)設(shè)定值變化。
全文摘要
公開了一種把掩模(MA)圖案的圖像曝光到涂有抗蝕劑層的襯底(W)的方法，其中，在開始曝光后及曝光完成前，控制器(100)通過(guò)在曝光時(shí)改變襯底承載臺(tái)位置(WT)而在抗蝕劑層的圖像中引入受控?cái)?shù)量的對(duì)比度損失。對(duì)比度損失影響光刻投影設(shè)備分辨率的間距依賴性，因而把對(duì)它的控制用于匹配不同光刻投影設(shè)備之間分辨率的間距依賴性。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1595300SQ20041007913
公開日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2004年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月10日
發(fā)明者J·M·芬德什, J·M·D·斯托伊德賴杰, J·W·德克勒克 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司