專利名稱：顯影輥、顯影輥基材、顯影輥制造方法和成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯影輥、顯影輥基材、顯影輥制造方法和成像裝置。
背景技術(shù)：
在利用所謂的靜電記錄方法在記錄介質(zhì)上形成調(diào)色劑圖像的成像裝置中，通過利用來自光束掃描設(shè)備的激光束形成靜電潛像、在感光鼓被充電設(shè)備充電的同時從顯影輥供應(yīng)調(diào)色劑到靜電潛像上來進行顯影(可視化)。將可視化的圖像的調(diào)色劑轉(zhuǎn)印且定影到記錄介質(zhì)如紙張上，從而在記錄介質(zhì)上獲得所需的圖像。
在具有上述結(jié)構(gòu)的成像裝置中，為了獲得高質(zhì)量的圖像，在感光鼓和顯影輥之間需要一個小的間隙(下文中，該間隙被稱作DRS)。然而，在這種情況下，在感光鼓和顯影輥之間很容易發(fā)生偏壓泄漏(電壓泄漏)。尤其當處于氣壓低的高地等時，容易發(fā)生偏壓泄漏。偏壓泄漏對感光鼓和顯影輥造成損害，且造成記錄介質(zhì)上的圖像質(zhì)量降低。例如，可以設(shè)想為了防止電壓泄漏而采用降低顯影偏壓的方法。然而，由于這種方法降低了顯影效率，因而通過這種方法不能獲得質(zhì)量良好的圖像。
在日本公開專利申請(JP-A)5-11582中敘述了一種結(jié)構(gòu)，其中通過將DRS和顯影偏壓設(shè)置在預(yù)定的范圍內(nèi)，來消除偏壓泄漏。
然而，在JP-A No.5-11582所敘述的結(jié)構(gòu)中，當氣壓較低例如在高地時，難以防止偏壓泄漏，且DRS的下限也受到限制，所以存在通過進一步使DRS變窄以增大顯影效率來獲得高質(zhì)量圖像的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于前面的敘述，本發(fā)明提供一種顯影輥、構(gòu)成顯影輥的顯影輥基材、制造顯影輥的方法和成像裝置，其中該顯影輥能夠在防止偏壓泄漏的同時增大顯影效率，以獲得高質(zhì)量的圖像。
本發(fā)明的第一方面是設(shè)置在感光體附近的顯影輥，該感光體被充電部件充電且在其上形成了靜電潛像，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，這樣構(gòu)造顯影輥，即至少一部分沒有形成調(diào)色劑層的顯影輥表面的區(qū)域是直徑較小的小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于形成有調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑。
一般地，很難在形成有調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域內(nèi)發(fā)生感光體和顯影輥之間的偏壓泄漏，且在沒有形成調(diào)色劑層的區(qū)域容易發(fā)生偏壓泄漏。
在第一方面的顯影輥中，至少一部分沒有形成調(diào)色劑層的區(qū)域是小直徑部分，其直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，且感光體和顯影輥之間的DRS增大。因此，能夠在小直徑部分可靠地防止偏壓泄漏。而且，由于不是在小直徑部分形成調(diào)色劑層形成區(qū)域，DRS可以在調(diào)色劑層形成區(qū)域變窄，這就容許顯影效率增大，以獲得高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明的第二方面是設(shè)置在感光體附近的顯影輥，該感光體被充電部件充電且在其上形成靜電潛像，顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，這樣構(gòu)造顯影輥，即涂覆層形成在顯影輥基材的表面上，且與沒有形成涂覆層的區(qū)域相對應(yīng)的顯影輥基材的直徑小于其與形成涂覆層的區(qū)域相對應(yīng)的直徑，其中調(diào)色劑層形成在該涂覆層上。
也就是，在顯影輥中，易于發(fā)生偏壓泄漏的部分被成形為非涂覆區(qū)域，且通過減小在非涂覆區(qū)域中的顯影輥基材的外徑，可以防止偏壓泄漏的產(chǎn)生。
本發(fā)明的第三方面是置于感光體附近的顯影輥的顯影輥基材，該感光體被充電部件充電且在其上形成靜電潛像，顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，這樣構(gòu)造顯影輥基材，即基材小直徑部分的直徑小于顯影輥基材其他部分的直徑，且該基材小直徑部分被置于顯影輥基材的軸向方向上的至少一端部上。
通過將本發(fā)明的第四方面的顯影輥制造方法(浸涂技術(shù)(dipcoating technique))應(yīng)用到顯影輥基材，可以制造上述的顯影輥。也就是，通過將以基材小直徑部分置于下側(cè)的方式浸入涂覆液的顯影輥基材從該涂覆液中取出，在顯影輥基材上形成了涂覆層。在這一點上，即使涂敷液通過顯影輥基材表面的液滴而在顯影輥基材的下端升高，該升高部分的尖端也不會朝向涂覆層的徑向向外突出，該涂覆層被涂覆于除顯影輥基材的小直徑部分外的其他部分上。
當凸起部分局部存在于涂覆層中時，通常在凸起部分和感光體之間易于發(fā)生偏壓泄漏。然而，在利用上述方法獲得的顯影輥中，可以防止偏壓泄漏的發(fā)生。
本發(fā)明的第五方面是由浸涂技術(shù)制造的顯影輥，該顯影輥的特征在于小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，其中，通過使與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一端側(cè)的膜厚度比其他部分的膜厚度薄，在該調(diào)色劑層形成區(qū)域形成調(diào)色劑層。
在第五方面的顯影輥中，即使涂覆液通過顯影輥基材表面的液滴而在顯影輥基材的下端升高，通過在利用浸涂技術(shù)將涂覆層涂覆到顯影輥基材的表面上時，使顯影輥基材的下端側(cè)的膜厚度變薄，該升高部分的尖端也不會朝向調(diào)色劑層形成區(qū)域的徑向向外突出。當凸起部分局部存在于涂覆層中時，通常在凸起部分和感光體之間易于發(fā)生偏壓泄漏。然而，在利用上述方法獲得的顯影輥中，可以防止偏壓泄漏的發(fā)生。
本發(fā)明的第六方面的顯影輥具有第三方面的顯影輥基材和利用浸涂技術(shù)涂覆到顯影輥基材表面上的涂覆層，該涂覆層包括小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，其中，通過使與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一端側(cè)的膜厚度比其他部分的膜厚度薄，在該調(diào)色劑層形成區(qū)域形成調(diào)色劑層。
利用浸涂技術(shù)，在第三方面的顯影輥基材上形成具有小直徑部分的涂覆層。因此，在顯影輥基材的厚度有限制的情況下，升高部分的尖端可不朝向調(diào)色劑層形成區(qū)域的徑向向外突出，即使該涂覆液通過顯影輥基材的表面上的液滴而在顯影輥基材的下端升高。
本發(fā)明的第七方面的成像裝置包括在其上形成靜電潛像的感光體、給感光體充電的充電部件和如第一方面、第二方面、第五方面和第六方面中的任何一個中的顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到被充電部件充電的感光體上來進行顯影。
在成像裝置中，靜電潛像形成在被充電部件充電的感光體上，且靜電潛像通過從顯影輥上轉(zhuǎn)移調(diào)色劑而被顯影(可視化)。采用如第一方面、第二方面、第五方面和第六方面中任一方面的顯影輥，可以可靠地防止偏壓泄漏且可增加顯影效率，從而獲得高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明的第八方面的成像裝置包括靜電潛像形成在其上的感光體、給感光體充電的充電部件和顯影輥，該顯影輥由第四方面的顯影輥制造方法制造且通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到被充電部件充電的感光體上來進行顯影。
在上述的成像裝置中，靜電潛像形成在被充電部件充電的感光體上，且靜電潛像通過從顯影輥轉(zhuǎn)移調(diào)色劑而被顯影(可視化)。由于使用的顯影輥是由第四方面的顯影輥制造方法制造的，所以可以可靠地防止偏壓泄漏且可增加顯影效率，從而獲得高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明的第九方面的成像裝置包括靜電潛像形成在其上的感光體、給感光體充電的充電部件和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到被充電部件充電的感光體上來進行顯影，其中顯影輥和充電部件被這樣相對放置，即在顯影輥上沒有形成涂覆層的非涂覆層部分和充電部件在感光體的軸向方向上重疊。
在上述的成像裝置中，靜電潛像形成在被充電部件充電的感光體上，且靜電潛像通過從顯影輥轉(zhuǎn)移調(diào)色劑而被顯影(可視化)。即使易于發(fā)生偏壓泄漏的層被用作形成在顯影輥表面上的涂覆層，顯影輥和充電部件被這樣相對放置，即顯影輥的涂覆層區(qū)域被置于感光體的充電部件的內(nèi)部，所以可以可靠地防止偏壓泄漏且可增加顯影效率，從而獲得高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明的第十方面的成像裝置包括靜電潛像形成在其上的感光體、給感光體充電的充電部件、顯影輥和密封部件，其中該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到被充電部件充電的感光體上來進行顯影，該密封部件被置于顯影輥的軸向方向的端部附近且與該顯影輥接觸，該密封部件防止調(diào)色劑軸向向外移動，其中密封部件和充電部件被這樣相對放置，即充電部件在感光體的軸向方向上被置于密封部件的外部。
在上述的成像裝置中，靜電潛像形成在被充電部件充電的感光體上，且靜電潛像通過從顯影輥轉(zhuǎn)移調(diào)色劑而被顯影(可視化)。密封部件設(shè)置成與顯影輥接觸且其防止了調(diào)色劑沿軸向向外移動。密封部件和充電部件被這樣相對放置，即充電部件在感光體的軸向方向上被置于密封部件的外部，所以可以可靠地防止偏壓泄漏且可增加顯影效率，從而獲得高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明具有上述的結(jié)構(gòu)，所以可以可靠地防止偏壓泄漏且可增加顯影效率，從而獲得高質(zhì)量圖像。


以下將基于下述附圖來詳細敘述本發(fā)明的實施例，其中圖1是示出依照本發(fā)明的第一實施例的成像裝置的簡要結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2A是示出本發(fā)明的第一實施例的顯影輥和感光鼓的正視圖，圖2B是沿著圖2A的B-B線剖取的剖面圖；圖3是示出應(yīng)用到本發(fā)明的成像裝置的顯影設(shè)備的電壓波形的圖表；圖4A是示出對比示例的顯影輥和感光鼓的正視圖，圖4B是沿著圖4A的B-B線剖取的剖面圖；圖5A是示出在顯影側(cè)的泄漏界限和DRS之間關(guān)系的圖表，圖5B是示出在區(qū)域a內(nèi)的泄漏界限和DRS之間關(guān)系的圖表。
圖6A是在圖像質(zhì)量降低和偏壓泄漏的發(fā)生方面，示出對比示例的DRS和電場強度之間的關(guān)系的圖表，圖6B是在圖像質(zhì)量降低和偏壓泄漏的發(fā)生方面，示出實施例的DRS和電場強度之間的關(guān)系的圖表；圖7A是示出當錐形部分的傾角較大時，依照本發(fā)明的顯影輥的端部附近的放大圖，圖7B是示出當錐形部分的傾角較小時，依照本發(fā)明的顯影輥的端部附近的放大圖；
圖8A是示出對比示例的制造顯影輥的方法的端部的剖面圖，圖8B是示出由圖8A的制造方法獲得的顯影輥的端部的剖面圖；圖9A是依照本發(fā)明的第二實施例的制造顯影輥的方法的端部的剖面圖，圖9B是示出由圖9A的制造方法獲得的顯影輥的端部的剖面圖；圖10A是依照對本發(fā)明的第二實施例的變形，示出制造顯影輥的方法的端部的剖面圖，圖10B是示出由圖10A的制造方法獲得的顯影輥的端部的剖面圖；圖11A是示出依照本發(fā)明的第三實施例的顯影輥和感光鼓的正視圖，圖11B是沿圖11A的線B-B剖取的剖面圖；圖12A是示出依照本發(fā)明的第四實施例的顯影輥和感光鼓的正視圖，圖12B是沿圖12A的線B-B剖取的剖面圖；和圖13A是示出依照本發(fā)明的第五實施例的顯影輥和感光鼓的正視圖，圖13B是沿圖13A的線B-B剖取的剖面圖。
具體實施例方式
圖1示出本發(fā)明的第一實施例的成像裝置12。該實施例的成像裝置12通過采用所謂的靜電記錄方法，在片材(記錄介質(zhì))上形成調(diào)色劑圖像，從而獲得所需圖像，且單色成像裝置可作為這種情況的一個示例。
成像裝置12的主體14具有一個或多個供紙盒16(在圖1中有四個供紙盒)。存儲在各個供紙盒16內(nèi)的紙張被輥18一張接一張地抽出，并被輸送到供紙路徑20。延遲輥22和送紙輥24按這種順序被設(shè)置在供紙路徑20中，且紙張由這些輥輸送。
配準輥26設(shè)在延遲輥22和送紙輥24的下游。配準輥26將紙張停止一次，以校正紙張輸送的時間、位置等等。
處理盒(process cartridge)28被置于成像裝置主體14內(nèi)。感光鼓30、充電設(shè)備32、顯影設(shè)備34和清潔設(shè)備36存儲在處理盒28內(nèi)，且在該處理盒28內(nèi)成一體。充電設(shè)備32在預(yù)定的充電區(qū)f在軸向方向上給感光鼓30充電。在充電狀態(tài)下，利用來自光束掃描設(shè)備38的光束在感光鼓30的表面上形成潛像。顯影設(shè)備34致使調(diào)色劑粘附到潛像上，從而形成調(diào)色劑圖像。
感光鼓30和轉(zhuǎn)印輥56被置于配準輥26的下游。在感光鼓30和轉(zhuǎn)印輥56將紙張夾入其間的同時，通過用感光鼓30和轉(zhuǎn)印輥56輸送紙張而將感光鼓30上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紙張上。
定影設(shè)備40被置于感光鼓30和轉(zhuǎn)印輥56的下游。例如定影設(shè)備40包括加熱輥42和壓輥44。通過用這些輥輸送紙張，紙張上的調(diào)色劑圖像在被加熱和加壓的同時被定影。
調(diào)色劑圖像定影在其上的紙張被排紙輥夾住并輸送，且紙張從出口48被排出到排紙盤50上。
如圖2所示，顯影設(shè)備34具有顯影輥58。通過將帽蓋型的DRS限定部件(未示出)分別安裝到顯影輥58的兩端部，在顯影輥58和感光鼓30之間形成間隙(DRS)。各個DRS限定部件包括一個薄的圓柱形部分和一個厚的毗連部分。薄的圓柱形部分形成安裝到顯影輥58的端部的部分。厚的毗連部分形成在薄的圓柱形部分的開放側(cè)的周邊上，且與感光鼓30鄰接。各個DRS限定部件被可旋轉(zhuǎn)地支撐。為了防止調(diào)色劑從顯影輥58散落到周圍，將一個由特氟隆(Teflon)氈制成的基本半圓環(huán)形的密封部件60在顯影輥58的軸向上設(shè)置在顯影輥的端部附近，同時與顯影輥58接觸。
顯影輥58包括由鋁制成的基本圓柱形的顯影輥基材62和涂覆到顯影輥基材62的外周表面的涂覆層64。在該實施例中，盡管涂覆層由傳導性的細顆粒分散在其中的樹脂制成，但涂覆層的材料并不受限于樹脂。也能夠提供另一種涂覆層如陽極氧化物涂覆層、鍍鎳層和鉬酸處理層。顯影輥基材62包括位于軸向中心的基材大直徑部分62L、基材漸縮部分62T和基材小直徑部分62S，其中該基材漸縮部分62T的直徑從基材大直徑部分62L連續(xù)地減小，該基材小直徑部分62S自直徑漸縮部分62T延續(xù)且其直徑小于基材大直徑部分62L的直徑。與顯影輥基材62一致，顯影輥58包括大直徑部分58L、漸縮部分58T和小直徑部分58S。小直徑部分58S和感光鼓30之間的DRSc比大直徑部分58L和感光鼓30之間的DRSb寬。
在顯影輥基材62的表面上，假設(shè)表面涂覆區(qū)域CE是全部的基材大直徑部分62L和至少一部分基材漸縮部分62T(在延續(xù)到基材大直徑部分62L的一側(cè)上)。表面涂覆區(qū)域CE被涂覆層64覆蓋。在圖2示出的示例中，一部分基材小直徑部分62S也被涂覆層64覆蓋，從而僅僅顯影輥基材62在軸向方向上的兩端部沒有被涂覆層64覆蓋。
在涂覆層64中，假設(shè)調(diào)色劑層形成區(qū)域TE是全部的基材大直徑部分62L和至少對應(yīng)于基材漸縮部分62T的部分。調(diào)色劑層形成在顯影輥58上。
基材大直徑部分62L的軸向長度和基材漸縮部分62T的軸向長度之和(基本對應(yīng)于調(diào)色劑層形成區(qū)域TE的長度)小于被充電設(shè)備充電的充電區(qū)f的軸向長度，且基材小直徑部分62S還自充電區(qū)f和非充電區(qū)e之間的邊界在軸向方向上朝向中心延伸，其中該非充電區(qū)e是感光鼓30上沒有充電的區(qū)域。
圖3示出應(yīng)用到感光鼓30和顯影輥58(顯影輥基材62)上的電壓(AC和DC疊加的組成)的示例。在感光鼓30中，在形成圖像的位置處(下文簡稱作“顯影側(cè)”)，將電勢設(shè)為Vlow(-150V)，在沒有形成圖像的位置處(下文簡稱作“BKG側(cè)”)，將電勢設(shè)為Vhigh(-500V)。另一方面，電壓用作顯影電壓被應(yīng)用到顯影輥58上，在該電壓中，-400V的直流偏壓按照50％的負荷比被疊加到峰間電壓為1800V的矩形波交流偏壓上。因此，當將調(diào)色劑從顯影輥58轉(zhuǎn)移到感光鼓30上來進行顯影時，最大電勢差(顯影側(cè)的電勢差)ΔVA變?yōu)?150V。當由于沒有將調(diào)色劑從顯影輥58轉(zhuǎn)移到感光鼓30上而沒有進行顯影時，最大電勢差(BKG側(cè)的電勢差)ΔVB變?yōu)?000V。另一方面，由于在感光鼓30的非充電區(qū)e內(nèi)沒有帶電部件，所以該非充電區(qū)e變?yōu)?V，且有時通過用感光鼓30、密封部件等等的清潔刀片來摩擦起電，該非充電區(qū)被稍微充有正電，所以顯影輥58和非充電區(qū)e間的最大電勢差ΔVC變?yōu)橹辽?300V或更多。
在這一點上，因為當顯影偏壓被應(yīng)用到顯影輥58和感光鼓30之間時會發(fā)生偏壓泄漏的情況，由于在調(diào)色劑層形成區(qū)域TE內(nèi)調(diào)色劑層起到絕緣層的作用，所以偏壓泄漏難以發(fā)生。在另一方面，調(diào)色劑層沒有形成在顯影輥58對應(yīng)于圖2中點劃線示出的區(qū)域“a”的部分上，且感光鼓30和顯影輥58間的最大電勢差在區(qū)域“a”最大，所以易于發(fā)生偏壓泄漏。如果氣壓較低如在高地，尤其更容易發(fā)生偏壓泄漏，且即使通過一些方法防止了在區(qū)域“a”的偏壓泄漏，有時會在一個區(qū)域“a”和另一個區(qū)域“a”(下文稱作區(qū)域“b”)之間的區(qū)域上發(fā)生偏壓泄漏，該區(qū)域作為偏壓泄漏的開始點。在圖3示出的電壓波形的示例中，區(qū)域“a”的最大電勢差ΔVC最大，且在該區(qū)域“a”易于發(fā)生偏壓泄漏。然而，在顯影偏壓的負荷率被設(shè)為另一個值(在正極側(cè)的峰電壓值變得較大)的情況下、在感光體的充電電壓值增大的情況下或者在顯影偏壓的DC偏壓降低的情況下，有時在區(qū)域b的最大電勢差ΔVB大于在區(qū)域a的最大電勢差ΔVC，且與區(qū)域a相比較，區(qū)域b易于發(fā)生偏壓泄漏。例如為防止在區(qū)域b的偏壓泄漏，可以設(shè)想使顯影輥58和感光鼓30之間的DRS增加。
為進行比較，考慮具有圖4所示結(jié)構(gòu)的顯影輥68。顯影輥68是顯影輥的一個示例，其不與本實施例的相對應(yīng)。顯影輥68與本實施例的顯影輥58的不同之處在于，顯影輥68沿其軸向具有恒定的直徑。
通過使用顯影輥68，當區(qū)域a的DRSc(感光體和顯影輥間的間隙)增大以便防止偏壓泄漏時，在區(qū)域a外側(cè)部分，即在對應(yīng)于調(diào)色劑層區(qū)域TE的位置的DRSb也增大。因此，可能發(fā)生圖像質(zhì)量降低的情況，以致于減小了顯影效率，從而使細線再現(xiàn)性及實心圖像密度(solid image density)降低。
也可以設(shè)想不通過簡單地降低顯影偏壓的峰間電壓(在電壓波形中上峰值和下峰值之間的差值)來增大DRS，以防止偏壓泄漏。然而，在這種情況下，也可能發(fā)生圖像質(zhì)量的降低，以致于減小了顯影效率，從而使細線再現(xiàn)性降低。
另一方面，在本實施例中，小直徑部分58S形成在與區(qū)域a相對應(yīng)的顯影輥58上，與大直徑部分58L相對應(yīng)的DRSb被維持具有一個小值，而相應(yīng)于區(qū)域a的DRSc具有較大值。因此，有效地防止了偏壓泄漏，且維持了較高的顯影效率，所以圖像質(zhì)量如細線再現(xiàn)性和實心圖像密度可被維持在一個高的水平。
圖5A和5B示出在使用圖2中示出的實施例的顯影輥58的情況下和使用圖4中示出的對比示例的顯影輥68的情況下，在產(chǎn)生偏壓泄漏的過程中的DRS和泄漏界限即大氣壓力之間關(guān)系的示例。圖5A示出DRS和泄漏界限之間在顯影側(cè)的關(guān)系，圖5B示出DRS和泄漏界限之間在區(qū)域a的關(guān)系。
如從圖5A可以看出，在調(diào)色劑層形成區(qū)域TE中，即使實施例的DRSb比對比示例的DRSb窄，實施例的泄漏界限的大氣壓力低于對比示例的大氣壓力。如從圖5B可以看出的，本實施例中的區(qū)域a的DRSc的值比對比示例的相應(yīng)值大，且本實施例的泄漏界限的大氣壓力低于對比示例的泄漏界限的大氣壓力。因此，清楚的是，當本實施例與對比示例相比時，在本實施例中難以發(fā)生偏壓泄漏。
表1示出了在使用圖2中示出的實施例的顯影輥58的情況下和使用圖4中示出的對比示例的顯影輥68的情況下，顯影輥58或68和感光鼓30之間的電場強度、細線再現(xiàn)性和偏壓泄漏之間的關(guān)系。


在表1中，標記“○”是指沒有產(chǎn)生問題或影響，標記“△”是指盡管稍稍產(chǎn)生了問題或影響，但實際上可以忽略這種問題或影響，及標記“×”是指有不能被忽略的問題或影響。
圖6A和6B示出在垂直軸被設(shè)為電場強度、水平軸被設(shè)為DRS時，DRS和電場強度之間的關(guān)系。通過用DRS除電勢差來獲得電場強度。例如，在顯影側(cè)通過電勢差/DRS來獲得顯影側(cè)的電場強度，及在區(qū)域a用電勢差/DRS來獲得區(qū)域a上的電場強度。如圖6A和圖6B所示，通過改變用于顯影輥58或68和感光鼓30之間的具體電勢差的DRS來獲得表1中的各個電場強度。在表1示出的示例中及在實施例中的圖表中示出，在顯影側(cè)的DRSb比區(qū)域a的DRSc小100μm。
如從表1中可以看出，在實施例中，由于調(diào)色劑層形成區(qū)域TE的DRS不同于區(qū)域a的DRS，所以調(diào)色劑形成區(qū)域TE的電場強度也不同于區(qū)域a的電場強度。當電場強度是2.50V/μm時，實際上細線再現(xiàn)性沒有問題，該細線再現(xiàn)性主要取決于顯影側(cè)的電場強度，且優(yōu)選電場強度不低于2.67V/μm。對于取決于區(qū)域a的電場強度的偏壓泄漏來說，人們發(fā)現(xiàn)，在表1中示出的電場強度的任何值都不發(fā)生偏壓泄漏。
在使用如圖4所示的顯影輥68的對比示例的結(jié)構(gòu)中，對于細線再現(xiàn)性而言，可得到類似于實施例的估計。然而，人們發(fā)現(xiàn)，當區(qū)域a的電場強度為3.46V/μm時會發(fā)生偏壓泄漏。
在圖4示出的結(jié)構(gòu)中，使圖像質(zhì)量(細線再現(xiàn)性)與防止偏壓泄漏相匹配的電場強度在3.0-3.21V/μm的非常窄的范圍內(nèi)。在另一個方面，在該實施例中，由于在沒有改變調(diào)色劑層形成區(qū)域TE的DRS的情況下，可能發(fā)生偏壓泄漏的區(qū)域a的DRS增大，所以在各個調(diào)色劑層形成區(qū)域TE和區(qū)域a可以獲得獨立的電場強度，且在維持高質(zhì)量圖像的同時可以抑制偏壓泄漏的產(chǎn)生。
形成在實施例的顯影輥58上的漸縮部分58T將大直徑部分58L和小直徑部分58S相連而不形成臺階，以防止由于臺階的拐角部分造成的偏壓泄漏的產(chǎn)生。
如圖7A和7B所示，層形成刀片66通常設(shè)置成與顯影輥58相接觸，且在層形成刀片66和顯影輥58的表面之間發(fā)生摩擦起電的同時，在顯影輥58的表面上形成調(diào)色劑層。因此，如圖7A所示，當漸縮部分58T的傾角θ太大時，層形成刀片66不與漸縮部分58T接觸且產(chǎn)生了間隙，這就導致不能形成穩(wěn)定調(diào)色劑層的薄膜，且有時由于調(diào)色劑電荷(toner charge)的缺乏而導致圖像質(zhì)量下降。
為了穩(wěn)定地形成調(diào)色劑層，優(yōu)選減小漸縮部分58T的傾角θ。然而，當傾角θ非常小時，由于必須連續(xù)地將漸縮部分58T連接到直徑較小的小直徑部分58S，則漸縮部分58T的軸向長度Lt增大，且顯影輥58變大。
表2示出漸縮部分58T的傾角θ和軸向長度Lt之間的結(jié)合和形成調(diào)色劑層時產(chǎn)生層形成疵點之間的關(guān)系。
在表2中，標記“○”是指沒有產(chǎn)生調(diào)色劑層形成的疵點(fault)，且沒有影響到圖像質(zhì)量，標記“△”意指盡管稍稍產(chǎn)生調(diào)色劑層形成的疵點，但是沒有影響到圖像質(zhì)量，及標記“×”意指產(chǎn)生了調(diào)色劑形成的疵點，且影響到圖像質(zhì)量，如出現(xiàn)了圖像缺陷。
如從表2所看出的，為了防止出現(xiàn)調(diào)色劑層形成的疵點，優(yōu)選漸縮部分58T的傾角θ不大于4.00度，更優(yōu)選該傾角θ不大于3.00度。優(yōu)選的是漸縮部分58T的軸向長度Lt不小于4.00mm，更優(yōu)選該軸向長度Lt不小于4.5mm。
為了可靠地形成具有小直徑的小直徑部分58S且防止顯影輥58擴大，優(yōu)選漸縮部分58T的傾角θ不小于0.5度，且軸向長度不大于7.0mm。
漸縮部分58T在軸向方向上全部被置于調(diào)色劑層形成區(qū)域TE的外部并不總是必須的。一部分漸縮部分58T可以進入調(diào)色劑層形成區(qū)域TE內(nèi)。因此，可以減小顯影輥58的長度，且能夠使得成像裝置12微型化。
除了如上所述外，可以設(shè)想產(chǎn)生在涂覆層64表面上的稍稍不規(guī)則性(特別是凸起部分)造成了感光鼓30和顯影輥58之間的偏壓泄漏。當涂覆層64存在凸起部分時，在凸起部分的尖端和感光鼓30之間容易發(fā)生偏壓泄漏。當利用所謂的浸涂技術(shù)在顯影輥58的顯影輥基材62上形成涂覆層64時，有時會在涂覆層64中產(chǎn)生凸起部分。以下將敘述凸起部分的產(chǎn)生。
圖8A示出通過將圓柱形的顯影輥基材(在軸向方向上具有恒定的外徑)74浸入涂敷液DL中來形成涂覆層64的方法，本發(fā)明并未應(yīng)用于該顯影輥基材74，且圖8B示出通過圖8A的方法獲得的顯影輥73。圖9A示出通過將依照本發(fā)明的第二實施例的顯影輥基材72浸入涂敷液DL中來形成涂覆層64的方法，圖9B示出用圖9A的方法獲得的顯影輥71。類似于第一實施例的顯影輥基材62，在第二實施例的顯影輥基材72中，通過基材漸縮部分72T，在軸向方向的兩端部上形成直徑小于在軸向方向上的中心部分的直徑的基材小直徑部分72S(與基材大直徑部分72L的直徑差為D)。在各個圖8A和圖9A中，帽蓋76被安裝到在浸涂時變成下側(cè)的端部上，從而涂敷液DL沒有侵入顯影輥基材72或74的端部。
當從涂敷液DL中將沒有應(yīng)用有本發(fā)明的顯影輥基材74向上(沿箭頭P的方向)拔出時，涂敷液DL沿著顯影輥基材74的周向向下流，且被帽蓋76止住，從而產(chǎn)生了涂敷液的聚積(built-up)(凸出部分64T)，其朝向顯影輥基材74的徑向向外突出。當產(chǎn)生凸出部分64T時，由于顯影輥73和感光鼓30間的距離在凸出部分64T處局部減小，因此很容易發(fā)生偏壓泄漏。
另一方面，在本發(fā)明的顯影輥基材72中，即使凸出部分64T在從涂敷液DL中拔出顯影輥基材72時由涂敷液聚積而產(chǎn)生，在基材小直徑部分72S中也產(chǎn)生凸出部分64T。因此，凸出部分64T的尖端不從基材大直徑部分72L徑向向外突出，或者凸出部分64T的突出長度變短，這就容許防止在顯影輥71和感光鼓30之間發(fā)生偏壓泄漏。
盡管只要能夠防止由凸出部分64T造成的偏壓泄漏，就不特別限制基材大直徑部分72L和基材小直徑部分72S之間的差值D，但優(yōu)選的是差值D形成為至少是涂覆到基材大直徑部分72L的涂覆層64的膜厚度T的兩倍或更多倍。以示例方式，當涂覆層64的膜厚度大約為20μm時，可將差值D設(shè)為大約40μm。
盡管在圖9的示例中示出了顯影輥基材72，在該基材72中，由與基材漸縮部分72T連續(xù)形成的基材小直徑部分72S形成差值D，但有時基材大直徑部分72L和基材小直徑部分72S直徑的差值并不滿足差值D的條件。在這種情況下，可進一步在基材小直徑部分72S的端部形成直徑小于基材小直徑部分72S的部分，從而獲得滿足條件的差值D。
除了采用圖9中示出的制造方法來制造的顯影輥之外，依照本發(fā)明的第二實施例的成像裝置的總體結(jié)構(gòu)基本類似于依照第一實施例的總體結(jié)構(gòu)。因此，其詳細敘述將被省略。
圖10示出了本發(fā)明的第二實施例的變形。如圖10中示出的示例，通過使顯影輥71′下側(cè)的端部的涂覆薄膜變薄，就能夠使由涂敷液聚積導致的凸起部分64T的突出長度變短。參考使涂覆薄膜厚度變薄的方法，通過使在從涂敷液DL中拔出顯影輥基材過程中下側(cè)的端部的拔出速率變慢，使其低于通常的拔出速率，就可以形成薄的涂覆薄膜。在圖10中，盡管在具有恒定直徑的顯影輥基材74上形成了涂覆薄膜，但是同樣的方法也能夠應(yīng)用于具有基材小直徑部分72S和基材大直徑部分72L的顯影輥基材72。因而，即使顯影輥基材的厚度具有限制，但也可容易地制造具有小直徑部分的顯影輥。
圖11示出了依照本發(fā)明的第三實施例的成像裝置的顯影輥78和顯影輥78的附近。在第三實施例中，成像裝置的總體結(jié)構(gòu)也與第一實施例的總體結(jié)構(gòu)基本類似。
當與第一實施例相比，第三實施例的顯影輥78適于形成為在軸向方向上具有恒定直徑的圓柱形形狀。這樣確定充電設(shè)備32和密封部件60間的相對位置，即利用充電設(shè)備32將密封部件60沿顯影輥78的軸向置于非充電區(qū)e的內(nèi)側(cè)。
在顯影輥78中，通過其與密封部件60間的摩擦或者在旋轉(zhuǎn)過程中調(diào)色劑的侵入而造成的輕微損害，會局部改變通常的表面形狀。與第二實施例類似，有時這種輕微損害會造成偏壓泄漏。
然而，如上所述，通過充電設(shè)備32將密封部件60的鄰接位置沿顯影輥78的軸向置于非充電區(qū)e的內(nèi)側(cè)。在顯影輥78中，當與非充電區(qū)相比較時，由于在與充電區(qū)相對應(yīng)的部分的最大電勢差下降，所以難以發(fā)生偏壓泄漏。即使顯影輥78的表面形狀在與充電區(qū)相對應(yīng)的部分發(fā)生變化，發(fā)生偏壓泄漏的可能性也很低。
因此，在第三實施例中也能夠防止偏壓泄漏，且能夠使顯影輥78和感光鼓30間的DRS減小，以維持高成像質(zhì)量。
圖12示出依照本發(fā)明的第四實施例的成像裝置的顯影輥80和顯影輥80的附近。在第四實施例中，成像裝置的總體結(jié)構(gòu)也與第一實施例的總體結(jié)構(gòu)基本類似。
在第四實施例中，當與第一實施例相比較時，這樣確定顯影輥80的結(jié)構(gòu)和顯影輥80與充電設(shè)備32間的相對位置，即顯影輥80的端部的非涂覆區(qū)域UE(表面上沒有設(shè)置涂覆層64的非涂覆層部分)被置于軸向方向上的充電區(qū)f的端部的內(nèi)側(cè)。通過將顯影輥80的非涂覆區(qū)域沿軸向方向置于非充電區(qū)的內(nèi)側(cè)，可以更可靠地防止偏壓泄漏。例如，從改善圖像質(zhì)量的觀點，即使改變了形成在顯影輥表面上的涂覆層的類型(例如，形成了具有低阻抗的涂覆層)，就能更可靠地防止在圖2中的區(qū)域a發(fā)生偏壓泄漏。因此，可減小顯影輥80和感光鼓30間的DRS，以維持高成像質(zhì)量。
制造第四實施例的顯影輥80的方法沒有特殊限制。例如，當利用浸涂技術(shù)來進行涂覆時，其中如圖9所示，通過將顯影輥基材浸入涂敷液DL中來形成涂覆層，在浸涂過程中，顯影輥基材被浸漬直到其上端部附近，這就使得能夠容易地提供非涂覆區(qū)域。由于在安裝帽蓋的部分中沒有形成涂覆層，因此可通過調(diào)節(jié)帽蓋76的長度來提供非涂覆區(qū)域。
圖13示出了依照本發(fā)明的第五實施例的成像裝置的顯影輥82和顯影輥82的附近。在第五實施例中，成像裝置的總體結(jié)構(gòu)也與第一實施例的總體結(jié)構(gòu)基本類似。
在第五實施例中，在顯影輥82具有與第一實施例類似的大直徑部分58L、漸縮部分58T、小直徑部分58S時，表面涂覆區(qū)域CE等于調(diào)色劑層形成區(qū)域TE，且漸縮部分58T和小直徑部分58S都沿軸向方向形成在表面涂覆區(qū)域CE的外側(cè)。也就是，相對于大直徑部分58L，除了表面涂覆區(qū)域CE之外的區(qū)域形成在的小直徑部分內(nèi)。
即使第五實施例具有上述結(jié)構(gòu)，因為易于發(fā)生偏壓泄漏的區(qū)域a變成具有小直徑的非涂覆區(qū)域，因此能夠防止偏壓泄漏的產(chǎn)生。
與第一實施例類似，盡管在第三實施例中使用了在軸向方向上直徑恒定的顯影輥78，也可以使用具有漸縮部分58T和小直徑部分58S的顯影輥58。盡管在第四實施例中使用了具有漸縮部分58T和小直徑部分58S的顯影輥80，但是與第三實施例類似，也可以使用在軸向方向上直徑恒定的顯影輥，或者也可以使用第二實施例的顯影輥71。
在上面的敘述中，盡管單色成像裝置被引用作為本發(fā)明的成像裝置的一個示例，但是本發(fā)明的成像裝置也可以是采用多種顏色的調(diào)色劑(例如，全色)形成圖像的成像裝置。
在本發(fā)明中，優(yōu)選將小直徑部分與感光體區(qū)域的相對設(shè)置，該區(qū)域不被充電部件充電。
由于偏壓泄漏尤其易于在與感光體中沒有被充電部件充電的區(qū)域相對應(yīng)的部分發(fā)生，所以至少該部分的一部分形成在小直徑部分內(nèi)，且增大了感光體和顯影輥之間的DRS，其中該小直徑部分的直徑小于形成調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑。因此，可以可靠地防止在該部分發(fā)生偏壓泄漏。而且，由于至少一部分調(diào)色劑層形成區(qū)域沒有形成在小直徑部分內(nèi)，所以DRS在該部分可以減小且可增大顯影效率，以獲得高質(zhì)量圖像。
在本發(fā)明中，優(yōu)選具有密封部件，該密封部件被置于顯影輥的軸向方向的端部附近，同時與該顯影輥接觸，其防止了調(diào)色劑沿軸向向外移動。至少與密封部件接觸的區(qū)域的一部分形成在小直徑部分內(nèi)也是優(yōu)選的，該小直徑部分的直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，在該調(diào)色劑層形成區(qū)域形成有調(diào)色劑層。
在顯影輥中，通過其與密封部件的摩擦或者在旋轉(zhuǎn)過程中調(diào)色劑的侵入，從而產(chǎn)生輕微損害，可局部改變表面形狀。有時該輕微損害會造成偏壓泄漏。
在本發(fā)明中，與密封部件接觸的部分的至少一部分形成在小直徑部分中，且感光體和顯影輥之間的DRS增大，其中該小直徑部分的直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，在該調(diào)色劑層形成區(qū)域形成有調(diào)色劑層。因此，可以可靠地防止在該部分內(nèi)發(fā)生偏壓泄漏。而且，由于調(diào)色劑層形成區(qū)域沒有形成在小直徑部分內(nèi)，所以DRS在與調(diào)色劑層形成區(qū)域相對應(yīng)的部分中變窄且顯影效率增大，以獲得高質(zhì)量圖像。
在本發(fā)明中，優(yōu)選地是漸縮部分環(huán)繞小直徑部分形成在調(diào)色劑層形成區(qū)域的邊界附近，該漸縮部分的直徑沿軸向方向朝向端部連續(xù)地減小。
當以上述方式形成漸縮部分時，當與在調(diào)色劑層形成區(qū)域和小直徑部分之間有臺階的結(jié)構(gòu)相比時，其可以在顯影輥上均勻地形成調(diào)色劑層。
還可以是這種情況，漸縮部分的一部分進入調(diào)色劑層形成區(qū)域，從而容許顯影輥的長度變短。
在本發(fā)明中，優(yōu)選漸縮部分相對調(diào)色劑層形成區(qū)域的傾角的范圍是0.5-4.00度。
當漸縮部分的傾角小于4.00度時，可在顯影輥上更均勻地形成調(diào)色劑層。從形成均勻地調(diào)色劑層的觀點來看，傾角沒有下限。然而，當傾角極度減小時，漸縮部分在軸向長度增加。因此，通過將傾角設(shè)置為不小于0.5度，可以防止?jié)u縮部分的長度過度增大。通過將漸縮部分沿顯影輥的軸向的長度設(shè)置為不小于4.5mm的值，也可以在顯影輥上均勻地形成調(diào)色劑層。在這種情況下，從形成均勻的調(diào)色劑層的觀點看，漸縮部分的長度沒有上限。然而，通過將該長度設(shè)置得不大于7.0mm，可以防止?jié)u縮部分的長度過度增大。
權(quán)利要求
1.一種顯影輥，該顯影輥設(shè)置在感光體的附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，該顯影輥包括調(diào)色劑層形成區(qū)域，在該區(qū)域中，在顯影輥主體部分的表面上形成調(diào)色劑層；和小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于所述調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，且該小直徑部分位于一區(qū)域的至少一部分上，在該區(qū)域，在顯影輥主體部分的表面上沒有形成調(diào)色劑層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯影輥，其特征在于，所述小直徑部分設(shè)置成與感光體的沒有被充電部件充電的區(qū)域相對。
3.如權(quán)利要求1所述的顯影輥，其特征在于，還包括密封部件，在所述顯影輥主體部分的軸向方向上的端部附近，該密封部件設(shè)置成與顯影輥主體部分接觸，且該密封部件防止調(diào)色劑沿軸向向外移動，其中該密封部件與所述小直徑部分的至少一部分接觸。
4.如權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的顯影輥，其特征在于，所述調(diào)色劑層形成區(qū)域包括具有一定直徑的大直徑部分，和形成在所述大直徑部分和所述小直徑部分之間的漸縮部分，該漸縮部分的直徑在軸向方向上從所述大直徑部分朝端部連續(xù)地減小。
5.如權(quán)利要求4所述的顯影輥，其特征在于，所述漸縮部分相對于大直徑部分的傾角范圍是0.50-4.00度。
6.如權(quán)利要求4所述的顯影輥，其特征在于，沿顯影輥主體部分的軸向方向測量，所述漸縮部分的長度范圍是4.5-7.0mm。
7.一種顯影輥，該顯影輥設(shè)置在感光體的附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，所述顯影輥包括顯影輥基材；和涂覆層，該涂覆層形成在所述顯影輥基材的表面上，其中在涂覆層上形成調(diào)色劑層，和與沒有形成涂覆層的區(qū)域相對應(yīng)的一部分顯影輥基材包含在一小直徑部分內(nèi)，該小直徑部分的直徑小于在軸向方向上與形成有涂覆層的區(qū)域相對應(yīng)的、所述顯影輥基材大約中心部分的直徑。
8.一種顯影輥基材，其用于顯影輥，該顯影輥設(shè)置在感光體的附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，該顯影輥基材包括基材小直徑部分，該基材小直徑部分的直徑小于顯影輥基材的其他部分的直徑，且該基材小直徑部分沿顯影輥基材的軸向方向位于至少一個端部。
9.一種利用浸涂技術(shù)的顯影輥制造方法，該方法包括將顯影輥基材浸入涂敷液中，形成顯影輥的顯影輥基材，其中該顯影輥設(shè)置在感光體的附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，所述顯影輥基材包括基材小直徑部分，該基材小直徑部分的直徑小于所述顯影輥基材的其他部分的直徑，且該基材小直徑部分沿所述顯影輥基材的軸向方向位于至少一個端部；從涂敷液中取出所述顯影輥基材，以使所述基材小直徑部分位于下側(cè)；和在所述顯影輥基材的表面上形成涂覆層，從而制造顯影輥。
10.一種利用浸涂技術(shù)制造的顯影輥，該顯影輥包括小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，通過使涂覆層的膜厚度變薄在該調(diào)色劑層形成區(qū)域形成調(diào)色劑層，其中，形成在與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一個端部上的涂覆層比其他部分上的涂覆層薄。
11.一種顯影輥，包括顯影輥的顯影輥基材，其中該顯影輥置于感光體附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，所述顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，該顯影輥基材在顯影輥基材的軸向方向上的至少一端具有基材小直徑部分，該基材小直徑部分的直徑小于所述顯影輥基材的其他部分的直徑；和涂覆層，其利用浸涂技術(shù)涂覆并形成在顯影輥基材的表面上，該涂覆層包括小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于形成有調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，其中通過使與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一個端部的涂覆層的膜厚度比涂覆層其他部分的膜厚度薄，來形成該調(diào)色劑層。
12.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影，該顯影輥被置于感光體附近，該顯影輥包括調(diào)色劑層形成區(qū)域和小直徑部分，其中在該調(diào)色劑層形成區(qū)域內(nèi)，調(diào)色劑層形成在顯影輥主體部分的表面上，該小直徑部分的直徑在調(diào)色劑層沒有形成在顯影輥主體部分的表面上的區(qū)域的至少一部分內(nèi)小于調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑。
13.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影，該顯影輥被置于感光體附近，該顯影輥包括顯影輥基材和形成在顯影輥基材表面上的涂覆層，其中調(diào)色劑層形成在涂覆層上，且與沒有形成涂覆層的區(qū)域相對應(yīng)的顯影輥基材的一部分包含在小直徑部分內(nèi)，該小直徑部分的直徑小于在軸向方向上與形成涂覆層的區(qū)域相應(yīng)的、顯影輥基材大致中心部分的直徑。
14.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影，且利用浸涂技術(shù)來制造該顯影輥，該顯影輥包括小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于形成有調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，其中，通過使形成在與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一個端部上的涂覆層的膜厚度比涂覆層其他部分的膜厚度薄，來形成該調(diào)色劑層。
15.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥置于由充電部件充電的感光體附近，且通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，所述顯影輥包括顯影輥基材和涂覆層，其中所述顯影輥基材在顯影輥基材的軸向方向的至少一端上包含基材小直徑部分，該基材小直徑部分的直徑小于顯影輥基材的其他部分的直徑，所述涂覆層通過浸涂技術(shù)涂覆并形成在顯影輥基材的表面上，且該涂覆層包含小直徑部分，該小直徑部分的直徑小于形成有調(diào)色劑層的調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，其中，通過使與浸涂過程中的下側(cè)相對應(yīng)的一個端部的涂覆層的膜厚度比涂覆層其他部分的膜厚度薄，來形成該調(diào)色劑層。
16.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影，通過采用浸涂技術(shù)的顯影輥制造方法來制造該顯影輥，其中這樣制造顯影輥將顯影輥基材浸入到涂敷液中；以使基材小直徑部分變成下側(cè)的方式從涂敷液中取出顯影輥基材；和在顯影輥基材的表面上形成涂覆層，顯影輥的顯影輥基材置于感光體附近，該感光體由充電部件充電且其上形成有靜電潛像，且所述顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影，所速顯影輥基材在顯影輥基材的軸向方向上的至少一端包括基材小直徑部分，該基材小直徑部分的直徑小于顯影輥基材的其他部分的直徑。
17.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影，其中顯影輥和充電部件被這樣相對放置，即顯影輥上沒有形成涂覆層的非涂覆層部分和充電部件在感光體的軸向方向上重疊。
18.一種成像裝置，包括感光體，靜電潛像形成在該感光體上；充電部件，其給感光體充電；和顯影輥，該顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到由充電部件充電的感光體上來進行顯影；和密封部件，其被置于顯影輥的軸向方向上的一個端部附近且與該顯影輥接觸，該密封部件防止調(diào)色劑軸向向外移動，其中所述密封部件和所述充電部件被這樣相對放置，即，在感光體的軸向方向上，所述充電部件被置于所述密封部件的外側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯影輥，該顯影輥設(shè)置在感光體的附近，該感光體由充電部件充電且在其上形成了靜電潛像，顯影輥通過將調(diào)色劑轉(zhuǎn)移到感光體上來進行顯影。顯影輥包括調(diào)色劑層形成區(qū)域和小直徑部分，其中，在該調(diào)色劑層形成區(qū)域，調(diào)色劑層形成在顯影輥主體部分的表面上，該小直徑部分的直徑小于該調(diào)色劑層形成區(qū)域的直徑，且該小直徑部分被置于顯影輥主體部分的表面上沒有形成調(diào)色劑層的區(qū)域的至少一部分。
文檔編號G03G15/00GK1603972SQ20041007815
公開日2005年4月6日 申請日期2004年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月29日
發(fā)明者萱原康史, 赤池彰俊, 鈴木利昭, 齋木厚名, 安藤雅宏 申請人:富士施樂株式會社