專(zhuān)利名稱(chēng)：掩模、容器和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在可通過(guò)蒸鍍法成膜的材料(以下稱(chēng)為蒸鍍材料)的成膜過(guò)程中所用的成膜裝置以及配備了該成膜裝置的制造裝置。特別而言，本發(fā)明涉及通過(guò)在基底對(duì)面設(shè)置的蒸鍍?cè)炊拐翦儾牧险舭l(fā)成膜由此進(jìn)行蒸鍍時(shí)所用的掩模、貯存蒸鍍材料的容器以及制造裝置。
背景技術(shù)：
以具有輕薄性、高速響應(yīng)性、低直流電壓驅(qū)動(dòng)等特性的有機(jī)化合物作為發(fā)光體的發(fā)光元件，是新時(shí)代平面顯示器應(yīng)用所期待的。特別而言，使發(fā)光元件按矩陣方式設(shè)置的顯示裝置與以前的液晶顯示裝置相比，考慮到其視角寬、視覺(jué)效果優(yōu)異，從這些方面而言它具有優(yōu)越性。
發(fā)光元件的發(fā)光原理是，將含有有機(jī)化合物的層夾在一對(duì)電極之間，通過(guò)施加電壓，使從陰極注入的電子和從陽(yáng)極注入的空穴在有機(jī)化合物層內(nèi)的發(fā)光中心處發(fā)生再化合而形成分子激子，該分子激子在返回基態(tài)時(shí)會(huì)放出能量而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。就激發(fā)態(tài)而言，已知存在著單重態(tài)和三重態(tài)，無(wú)論通過(guò)哪個(gè)激發(fā)態(tài)都可以發(fā)光。
在將這種發(fā)光元件按矩陣方式設(shè)置而形成的發(fā)光裝置中，可以利用無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)(簡(jiǎn)單矩陣型)法和有源矩陣驅(qū)動(dòng)(有源矩陣型)法之類(lèi)的驅(qū)動(dòng)方法。但是，在增加象素密度的情況下，針對(duì)每個(gè)象素(或1個(gè)點(diǎn))逐個(gè)設(shè)置開(kāi)關(guān)的有源矩陣型方法，考慮到它可以低電壓驅(qū)動(dòng)，因此是有其優(yōu)越性的。
還有，含有有機(jī)化合物的層具有以[空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層]為代表的疊層結(jié)構(gòu)。還有，形成EL層的EL材料大致分為低分子系(單體系)材料與高分子系(聚合物系)材料，低分子系材料能利用蒸鍍裝置成膜。
以前的蒸鍍裝置，在基板托座上設(shè)置了基板，并裝備了填充有EL材料即蒸鍍材料的坩堝(或蒸鍍皿)、防止升華性EL材料上升的開(kāi)合門(mén)、加熱坩堝內(nèi)的EL材料用的加熱器。然后，使通過(guò)加熱器加熱的EL材料升華，由此在旋轉(zhuǎn)的基板上成膜。此時(shí)，為了均勻地進(jìn)行成膜，基板和坩堝之間的距離要隔開(kāi)至少1m。
在以前的蒸鍍裝置和蒸鍍方法中，在通過(guò)蒸鍍法形成EL層時(shí)，升華的EL材料大部分會(huì)附著在蒸鍍裝置成膜室內(nèi)的內(nèi)壁、開(kāi)合門(mén)或防粘屏蔽板(為了防止蒸鍍材料附著在成膜室內(nèi)壁上而設(shè)置的保護(hù)板)上。因此，在EL層成膜過(guò)程中，昂貴的EL材料的利用率非常低，最高約為1％，所以發(fā)光裝置的制造成本非常高。
還有，在以前的蒸鍍裝置中，為了獲得均一的膜，基板和蒸鍍?cè)粗g要至少間隔1m。還有，在大面積基板的情況下，很容易會(huì)產(chǎn)生基板中央部位和邊緣部位的膜厚不均一的問(wèn)題。進(jìn)一步而言，該蒸鍍裝置是使基板旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，所以該蒸鍍裝置在大面積基板適用性方面有其局限性。
而且，如果使大面積基板和蒸鍍用掩模在緊密接觸的情況下同時(shí)旋轉(zhuǎn)的話，掩模和基板之間有可能會(huì)產(chǎn)生位置偏差。還有，基板和掩模等在蒸鍍時(shí)受到加熱，會(huì)因?yàn)闊崤蛎浂蛊涑叽绨l(fā)生變化，因?yàn)檠谀：突宓臒崤蛎浡什煌猿叽缇群臀恢镁鹊葧?huì)產(chǎn)生降低。
鑒于這些問(wèn)題，本發(fā)明人提供了蒸鍍裝置(專(zhuān)利文獻(xiàn)1、專(zhuān)利文獻(xiàn)2)，由此作為解決前述問(wèn)題的一種措施。
特開(kāi)2001-247959號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]特開(kāi)2002-60926號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了配備有蒸鍍裝置的制造裝置，其是一種通過(guò)提高EL材料的利用率而降低制造成本，同時(shí)在EL層成膜均一性和生產(chǎn)率等方面表現(xiàn)優(yōu)異的制造裝置。
還有，本發(fā)明提供了針對(duì)基板尺寸比如為320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mm的大面積基板而且EL材料蒸鍍效率高的制造裝置。還有，本發(fā)明提供了即使是針對(duì)大面積基板，也能夠在整個(gè)基板表面上獲得均一膜厚的蒸鍍裝置。
而且，為了針對(duì)大面積基板進(jìn)行選擇性的蒸鍍，本發(fā)明提供了掩模精度高的大型掩模。
為了解決前述問(wèn)題，本發(fā)明將掩模固定在框架的熱膨脹中心上。僅在熱膨脹中心處用耐溫度變化能力強(qiáng)的粘合劑進(jìn)行局部固定。該熱膨脹中心是由框架的材料、形狀以及外周和內(nèi)周所決定的。
還有，采用與基板具有基本上相同的熱膨脹系數(shù)的材料來(lái)形成掩模本體。因?yàn)檠谀１倔w能夠跟從基板的膨脹狀態(tài)而發(fā)生膨脹，所以能夠確保蒸鍍位置的精度。在某一溫度范圍內(nèi)加熱時(shí)，框架發(fā)生膨脹，即使其外周和內(nèi)周發(fā)生變化，由于固定掩模的位置處于熱膨脹中心，所以其對(duì)合位置不會(huì)發(fā)生變化。
還有，本發(fā)明在蒸鍍時(shí)將基板和掩模固定下來(lái)而不讓其旋轉(zhuǎn)。蒸鍍時(shí)，通過(guò)使蒸鍍?cè)赐凶豖方向、Y方向或Z方向移動(dòng)而在基板上成膜。
本發(fā)明所公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)成是掩模，它是具有圖案開(kāi)口的薄板狀掩模，其特征在于，該掩模是在拉伸狀態(tài)下固定在框架上的，而且，前述掩模是粘結(jié)在與通過(guò)框架構(gòu)件的熱膨脹中心的線重合的位置上的。
還有，其它發(fā)明構(gòu)成是掩模，它是具有圖案開(kāi)口的薄板狀掩模，其特征在于，該掩模是在拉伸狀態(tài)下固定在框架上的，而且，前述掩模是粘結(jié)在與通過(guò)框架構(gòu)件的熱膨脹中心的線相比靠外側(cè)的位置上的，在蒸鍍時(shí)框架因加熱而產(chǎn)生膨脹，從而使該掩模保持拉伸狀態(tài)。
在與框架熱膨脹中心相比更靠外側(cè)上固定的話，在加熱使框架發(fā)生膨脹的同時(shí)，掩模本體也會(huì)發(fā)生拉伸，因此能夠防止產(chǎn)生彎曲現(xiàn)象。即，利用框架的熱膨脹作就能夠保持掩模的張力。優(yōu)選的是邊對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行適當(dāng)?shù)募訜徇呥M(jìn)行蒸鍍，可以決定適當(dāng)?shù)墓潭ㄎ恢?，以便在該加熱溫度下?duì)掩模施加適當(dāng)?shù)膹埩Α?br> 還有，就前述各個(gè)構(gòu)成而言，前述框架的四角具有曲率也是可以的。還有，就前述各個(gè)構(gòu)成而言，其特征在于以具有耐熱性的粘合劑將前述掩模粘結(jié)在框架上。還有，前述掩模也可以通過(guò)焊接固定在框架上。
還有，其它發(fā)明構(gòu)成是容器，其特征在于它是貯存著安裝在蒸鍍裝置蒸鍍?cè)瓷系恼翦儾牧系娜萜?，前述容器的平面截面是長(zhǎng)方形或正方形的，而且蒸鍍材料所通過(guò)的開(kāi)口部分是細(xì)長(zhǎng)形狀的。
在進(jìn)行其蒸鍍時(shí)，為了使蒸發(fā)中心對(duì)準(zhǔn)要進(jìn)行蒸鍍的基板上的一點(diǎn)，設(shè)計(jì)成使蒸鍍?cè)吹陌惭b角度自由變化的結(jié)構(gòu)也是可以的。但是，由于蒸鍍?cè)春徒嵌纫黄鸢l(fā)生傾斜，所以具有兩個(gè)蒸鍍?cè)吹拈g隔是必要的。因此，優(yōu)選將容器制成圖10所示的棱柱狀，優(yōu)選通過(guò)容器的開(kāi)口方向來(lái)調(diào)節(jié)蒸發(fā)中心。容器由上部分(上部パ-ッ)和下部分(下部パ-ッ)構(gòu)成，提供蒸鍍材料從開(kāi)口飛出角度不同的多個(gè)上部分，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。根據(jù)蒸鍍材料的不同，在蒸鍍擴(kuò)散面等方面也是不同的，所以在共蒸鍍時(shí)，最好提供安裝有不同的上部分的2個(gè)蒸鍍?cè)础?br> 還有，其它發(fā)明構(gòu)成是制造裝置，其特征在于制造裝置具有裝載室、與該裝載室相連的運(yùn)送室、與該運(yùn)送室相連的多個(gè)成膜室以及與該成膜室相連的設(shè)置室，前述多個(gè)成膜室與使前述成膜室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連，該成膜室具有固定基板用裝置、掩模、固定該掩模用框架、對(duì)合掩模和基板位置用的對(duì)準(zhǔn)裝置、1個(gè)或2個(gè)蒸鍍?cè)?、使該蒸鍍?cè)丛谇笆龀赡な覂?nèi)移動(dòng)的裝置、加熱基板用裝置，掩模的端部是粘結(jié)在與通過(guò)前述框架邊框的熱膨脹中心的線重合的位置上的。
還有，其它發(fā)明構(gòu)成是制造裝置，其特征在于該制造裝置具有裝載室、與該裝置室相連的運(yùn)送室、與該運(yùn)送室相連的多個(gè)成膜室以及與該成膜室相連的設(shè)置室，前述多個(gè)成膜室與使前述成膜室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連，該成膜室具有固定基板用裝置、掩模、固定該掩模用框架、對(duì)合掩模和基板位置用的對(duì)準(zhǔn)裝置、1個(gè)或2個(gè)蒸鍍?cè)础⑹乖撜翦冊(cè)丛谇笆龀赡な覂?nèi)移動(dòng)的裝置以及加熱基板用裝置，貯存著安裝在前述蒸鍍?cè)瓷系恼翦儾牧系娜萜鳎淦矫娼孛媸情L(zhǎng)方形或正方形，而且開(kāi)口部分是細(xì)長(zhǎng)形狀的。
就前述構(gòu)成而言，其特征在于，前述容器是由上部分和下部分構(gòu)成的，由前述蒸鍍?cè)炊鴣?lái)的材料的蒸發(fā)是通過(guò)容器上部分中開(kāi)口部分的形狀來(lái)調(diào)節(jié)的。還有，前述容器除了具有上部分和下部分以外，內(nèi)部設(shè)置多個(gè)開(kāi)孔的中蓋也是可以的。
還有，就前述各個(gè)構(gòu)成而言，其特征在于，前速成膜室和前述設(shè)置室是與使室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連的，而且具有材料氣或清洗氣體引入裝置。
還有，就前述各個(gè)結(jié)構(gòu)而言，其特征在于，前述蒸鍍?cè)丛诔赡な覂?nèi)可沿X方向、Y方向或Z方向移動(dòng)。
還有，就前述各個(gè)結(jié)構(gòu)而言，其特征在于，在前述成膜室中具有將成膜室內(nèi)部分割開(kāi)來(lái)并阻止向前述基板進(jìn)行蒸鍍的開(kāi)合門(mén)。


圖1是表示本發(fā)明掩模的斜視圖和截面視圖(實(shí)施方案1)。
圖2是表示實(shí)施方案2的圖。
圖3是表示實(shí)施方案3的圖。
圖4是表示本發(fā)明掩模的斜視圖(實(shí)施方案1)。
圖5是表示包含多室型制造裝置的圖(實(shí)施例1)。
圖6是蒸鍍裝置的頂視圖(實(shí)施例2)。
圖7是表示設(shè)置室和運(yùn)送情況的圖(實(shí)施例2)。
圖8是成膜室內(nèi)部的頂視圖(實(shí)施例3)。
圖9是成膜室內(nèi)部的頂視圖(實(shí)施例3)。
圖10是表示本發(fā)明容器的圖(實(shí)施方案4)。
圖11是表示本發(fā)明蒸鍍裝置的圖(實(shí)施方案4)。
圖12是表示有源矩陣型EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖13是表示一些電器實(shí)例的圖。
圖14是實(shí)施例6所示的電器的方框圖。
圖15是控制方框圖。
圖16是表示實(shí)施例6所示的電器充電時(shí)的情況的圖。
具體實(shí)施方案針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案，以下進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施方案1圖1(A)是本發(fā)明掩模的斜視圖。將掩模本體122固定在固定位置A124a處，該位置是設(shè)置在通過(guò)掩模框架120的熱膨脹中心121的線上的。還有，優(yōu)選使在蒸鍍室內(nèi)承載掩?？蚣艿谋?圖中未表示)也承載在該固定位置A124a處。
還有，圖1(B)是蒸鍍時(shí)承載基板124時(shí)的截面視圖。蒸鍍時(shí)，基板124與掩模本體122和掩模框架120按照一定的位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)基板背面上設(shè)置的磁鐵(圖中未表示)利用磁力使掩模本體與基板的蒸鍍面完全貼緊。這里雖然以通過(guò)磁鐵固定的情況為例，但也可以通過(guò)機(jī)械方式固定。而且，在掩模本體上預(yù)先設(shè)置開(kāi)口部分123，蒸鍍材料穿過(guò)開(kāi)口部分123而成膜，就能夠在基板124上形成圖案。
還有，就本發(fā)明而言，將基板124和掩模本體122固定，通過(guò)使蒸鍍?cè)囱豖方向或Y方向移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍。這種使蒸鍍?cè)囱豖方向或Y方向移動(dòng)的方法適合于大型基板的蒸鍍。
就本發(fā)明而言，優(yōu)選采用使用了具有與基板相同的熱膨脹系數(shù)的材料的掩模本體。比如，在使用玻璃基板時(shí)，就掩模本體而言，可以使用與玻璃熱膨脹率相近的42合金(Fe-Ni合金Ni42％)或36殷鋼(Fe-Ni合金Ni36％)。在蒸鍍時(shí)，雖然進(jìn)行加熱，但掩模本體和基板的膨脹量相同，因此也不容易產(chǎn)生位置偏差。還有，掩模框架120雖然也被加熱，但因?yàn)闊崤蛎浿行牡奈恢貌粫?huì)發(fā)生變化，所以即使掩?？蚣?20與掩模本體122的材料不同而使其熱膨脹系數(shù)不同的話，也不容易產(chǎn)生位置偏差。本發(fā)明特別適于因?yàn)榧訜岫菀桩a(chǎn)生大的位置偏差的大型基板的蒸鍍。
還有，掩?？梢酝ㄟ^(guò)蝕刻法或電鑄法形成。還有，也可以將干蝕刻法或濕蝕刻法等蝕刻法與在與蒸鍍掩模相同的金屬的電鑄液槽中進(jìn)行的電鑄法組合在一起而形成掩模。
還有，為了在加熱狀態(tài)下保持掩模本體122的張力，如果不采用固定位置A124a，而是在與熱膨脹中心相比更靠外周側(cè)的固定位置B124b上固定的話，就能夠利用掩?？蚣艿呐蛎浟縼?lái)保持掩模本體122的張力。從熱膨脹中心至固定位置B124b的距離是由蒸鍍時(shí)的加熱溫度、框架熱膨脹系數(shù)、框架外周和內(nèi)周共同適當(dāng)確定的。
還有，圖1(C)是使掩?？蚣艿乃慕菆A滑的實(shí)例。通過(guò)使掩模的四角圓滑，就會(huì)防止掩?？蚣艿慕且蛉魏闻鲎捕獾綋p壞。而且，在圖1(C)中，130是掩模框架，131是熱膨脹中心，132是掩模本體，133是開(kāi)口部分。
還有，圖4是設(shè)置了間隙部分223b的實(shí)例，它在開(kāi)口部分223a的四角上保留了余量。通過(guò)設(shè)置間隙部分223b，即使對(duì)掩模本體232施加張力，即使發(fā)生熱膨脹，也能夠防止裂紋從相鄰開(kāi)口部分的角處進(jìn)入掩模本體232中。而且，在圖4中，230是掩?？蚣埽?31是熱膨脹中心，232是掩模本體，224是固定位置。
實(shí)施方案2在這里，就基板支持裝置的結(jié)構(gòu)利用圖2進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。使用大面積基板來(lái)制取多個(gè)面(1個(gè)基板上形成多個(gè)圖案)時(shí)，按照劃線部分接觸的那樣設(shè)置了支持基板用的基板支持裝置。即，基板支持裝置上承載著基板，從在基板支持裝置下方設(shè)置的蒸鍍?cè)赐凶拐翦儾牧仙A，利用基板支持裝置對(duì)未接觸的區(qū)域進(jìn)行蒸鍍。如此而為，就能夠?qū)⒋竺娣e基板的彎曲變形抑制在1mm或更小。
就圖2(A)而言，表示的是承載了基板303和掩模302的基板支持裝置301的斜視圖，圖2(B)僅表示了基板支持裝置301。
還有，圖2(C)表示的是掩模302上承載著基板303的基板支持裝置的截面視圖，它是由高h(yuǎn)為10mm～50mm、寬w是1mm～5mm的金屬板(典型的是Ti和形狀記憶合金等)構(gòu)成的。還有，基板支持裝置也可以是由形狀記憶合金構(gòu)成的金屬絲?；逯С盅b置是通過(guò)焊接或粘結(jié)法與掩模302固定的。還有，掩模302是通過(guò)粘合劑固定在掩?？蚣?04的熱膨脹中心位置上的。
通過(guò)該基板支持裝置301，就能夠抑制基板彎曲或因基板重量而產(chǎn)生的掩模彎曲現(xiàn)象。還有，通過(guò)該基板支持裝置301，在抑制掩模彎曲現(xiàn)象的同時(shí)，還能夠保持掩模的張力。
還有，基板支持裝置301的形狀并不限于圖2(A)～圖2(C)，只要是與掩模上設(shè)置的掩模開(kāi)口部分不重合的形狀即可。
本實(shí)施方案可以與實(shí)施方案1自由組合。
實(shí)施方案3在這里，表示的是通過(guò)蒸鍍法進(jìn)行RGB分色涂布的實(shí)例。
就圖3(A)而言，它表示的是由掩?？蚣?20和掩模本體422構(gòu)成的掩模的分解斜視圖。
掩模框架420的熱膨脹中心421與它和掩模本體422的粘結(jié)部位426重合。還有，在掩模本體上設(shè)置了開(kāi)口部分423。該開(kāi)口部分423是按照RGB中的1種圖案設(shè)置的。這里為了簡(jiǎn)化，表示的是具有9行×15列開(kāi)口部分的掩模，但并不是說(shuō)特別限定于此，所需的象素?cái)?shù)目可以根據(jù)情況適當(dāng)確定，比如VGA級(jí)別的象素?cái)?shù)目為640×480個(gè)，而XGA級(jí)別是1024×768個(gè)。
為了進(jìn)行RGB分色涂布，提供了3個(gè)掩模。提供3個(gè)掩模時(shí)，掩模本體可以遵從同一掩模設(shè)計(jì)，但是在將其固定在掩?？蚣苌蠒r(shí)，要按照規(guī)定的象素位置分別進(jìn)行粘結(jié)?；蛘撸诓捎?個(gè)掩模的情況下，在對(duì)準(zhǔn)時(shí)針對(duì)每一個(gè)RGB使掩模相對(duì)于基板錯(cuò)開(kāi)一些而進(jìn)行蒸鍍也是可以的。還有，在1個(gè)室內(nèi)采用1個(gè)掩模時(shí)，在對(duì)準(zhǔn)時(shí)針對(duì)每一個(gè)RGB使掩模相對(duì)于基板錯(cuò)開(kāi)一些而進(jìn)行蒸鍍也是可以的。
圖3(B)表示的是進(jìn)行完RGB 3種蒸鍍之后基板的斜視圖。在基板430上有規(guī)律地蒸鍍了紅色用蒸鍍膜431、綠色用蒸鍍膜432、藍(lán)色用蒸鍍膜433?？傆?jì)形成405(27行×15列)個(gè)圖案。
本實(shí)施方案也可以與實(shí)施方案1和實(shí)施方案2自由組合。
實(shí)施方案4在這里，以圖10表示貯存蒸鍍材料用的容器。圖10(A)是容器的斜視圖，圖10(B)是沿點(diǎn)劃線A-B剖開(kāi)的截面視圖，圖10(C)是沿點(diǎn)線C-D線剖開(kāi)的截面視圖。
在改變蒸鍍?cè)吹陌惭b角度時(shí)，使圓筒形坩堝和包圍它的加熱器也發(fā)生傾斜，所以在使用2個(gè)坩堝進(jìn)行共蒸鍍時(shí)，它們之間的間隔就會(huì)變大。間隔大的話，將2種不同的蒸鍍材料均勻地混合在一起就很難了。還有，蒸鍍?cè)春突逯g的間隔變窄而欲進(jìn)行蒸鍍時(shí)，很難獲得均一的膜。
在這里，本發(fā)明并不改變蒸鍍?cè)吹陌惭b角度，而是通過(guò)容器上部分800a的開(kāi)口810來(lái)調(diào)節(jié)蒸鍍中心。該容器是由容器上部分800a和容器下部分800b以及中蓋800c構(gòu)成的。而且，中蓋800c上設(shè)有多個(gè)小孔，蒸鍍時(shí)蒸鍍材料從這些孔中通過(guò)。還有，該容器是由BN燒結(jié)體、BN和A1N的復(fù)合燒結(jié)體、石英或石墨等材料形成的，因此能夠耐高溫、高壓、減壓。根據(jù)蒸鍍材料的不同，蒸鍍方向和擴(kuò)散面等方面也是不同的，因此適當(dāng)提供了針對(duì)各種蒸鍍材料能夠調(diào)節(jié)開(kāi)口810的面積、開(kāi)口導(dǎo)引部分和開(kāi)口位置的容器。
采用本發(fā)明的容器時(shí)，無(wú)須傾斜蒸鍍?cè)醇訜崞骶湍軌蛘{(diào)節(jié)蒸鍍中心。還有，如圖10(D)所示，在共蒸鍍過(guò)程中，使開(kāi)810a和開(kāi)口810b二者面對(duì)面設(shè)置，縮小了貯存著多種不同的蒸鍍材料(材料A805、材料B806)的多個(gè)容器彼此之間的間隔，能夠在實(shí)現(xiàn)均一混合的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。在圖10(D)中，加熱裝置801-804連接在各自的電源上，因此可以相互獨(dú)立地調(diào)節(jié)溫度。還有，蒸鍍?cè)春突宓拈g隔縮小為比如最多20cm，在需要進(jìn)行蒸鍍時(shí)，也能夠獲得均一的膜。
還有，圖10(E)表示的是與圖10(D)不同的實(shí)例。在圖10(E)中，該實(shí)例使用了使開(kāi)口810c按垂直方向蒸鍍的上部分，而且使用了具有沿該方向傾斜的開(kāi)口810d的上部分來(lái)進(jìn)行蒸鍍。在圖10(E)中，加熱裝置801、803、807、808也與其各自的電源連接，因此可以相互獨(dú)立地調(diào)節(jié)溫度。
還有，圖10所示的本發(fā)明容器，其開(kāi)口是細(xì)長(zhǎng)的，所以就能擴(kuò)大均勻蒸鍍的區(qū)域，即使在固定著大面積基板的情況下也適于均勻的蒸鍍。
圖11表示的是成膜裝置的頂視圖，該成膜裝置使用了本文圖10所示的容器，并且在固定著大面積基板的情況下進(jìn)行蒸鍍。
基板815從運(yùn)送室813通過(guò)開(kāi)合門(mén)814而運(yùn)送進(jìn)入成膜室812。根據(jù)需要，在運(yùn)送室813或成膜室812中對(duì)基板和掩模(圖中未表示)的位置進(jìn)行對(duì)合。
將由具有開(kāi)口810的容器上部分800a和容器下部分800b構(gòu)成的容器800設(shè)置在蒸鍍?cè)赐凶?11上。蒸鍍?cè)赐凶?11利用在成膜室812內(nèi)沿X方向、Y方向、或Z方向移動(dòng)的移動(dòng)裝置(圖中未表示)而在基板815下方移動(dòng)。圖11中的點(diǎn)劃線是蒸鍍?cè)赐凶囊环N移動(dòng)線路。
而且，在圖11所示的蒸鍍裝置中，蒸鍍時(shí)，因?yàn)榭s小了基板813和蒸鍍?cè)赐凶?11之間的間隔距離d，典型的是30cm或更小，優(yōu)選20cm或更小，更優(yōu)選5cm～15cm，因此可以顯著提高蒸鍍材料的使用效率。
還有，因?yàn)榭s小了基板813和蒸鍍?cè)赐凶?11之間的間隔距離d，典型的是30cm或更小，優(yōu)選5cm～15cm，所以也存在著使蒸鍍掩模(圖中未表示)受熱的可能。因此，希望蒸鍍掩模14使用受熱而不易變形的熱膨脹率低的金屬材料(比如鎢、鉭、鉻、鎳或鉬高熔點(diǎn)金屬或含有這些元素的合金、不銹鋼、因科鎳合金、耐鹽酸鎳基合金材料)。比如，可以提及含鎳42％、鐵58％的低熱膨脹合金等。還有，為了冷卻受熱的蒸鍍掩模，也可以具備為蒸鍍掩模提供冷卻介質(zhì)(冷卻水、冷卻氣)循環(huán)的裝置。
而且，本實(shí)施方案可以與實(shí)施方案1-3中任何的一個(gè)自由組合。
針對(duì)以上結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，利用以下所示的實(shí)施例對(duì)其進(jìn)行更為詳細(xì)的說(shuō)明。
實(shí)施例實(shí)施例1圖5表示的是多室型制造裝置的頂視圖。圖5所示的制造裝置中設(shè)置了可提高功效的室。
在圖5所示的制造裝置中，至少在運(yùn)送室504a、504b、508、514中經(jīng)常保持真空，而且成膜室506W1、506W2、506W3中也要經(jīng)常真空保持。因此，就能夠省略成膜室內(nèi)的真空排氣操作以及成膜室內(nèi)的氮?dú)獬涮畈僮鳎瑥亩诙虝r(shí)間內(nèi)就能夠進(jìn)行連續(xù)的成膜處理。
在1個(gè)成膜室中，在由不同的材料層層合而成的EL層(含有空穴傳輸層、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等)中，僅對(duì)1個(gè)層進(jìn)行成膜。在各個(gè)成膜室中設(shè)置了可在成膜室內(nèi)移動(dòng)的蒸鍍?cè)赐凶?。按照以下方式設(shè)置成膜室提供多個(gè)該蒸鍍?cè)赐凶?，適當(dāng)?shù)靥峁┒鄠€(gè)封入有EL材料的容器(坩堝)。以面朝下的方式設(shè)置基板，利用CCD等對(duì)蒸鍍掩模的位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍，由此就可以選擇性地進(jìn)行成膜。
封入有EL材料的容器(坩堝)的安裝以及蒸鍍托座部件的交換等是在設(shè)置室526p、526q、526r、526s中進(jìn)行的。在原材料制造商處將EL材料貯存在容器(典型地是坩堝)中。而且，在安裝時(shí)優(yōu)選不接觸大氣，從材料制造商處運(yùn)送來(lái)的時(shí)候，坩堝是在第二容器中密封的情況下引入設(shè)置室內(nèi)的。使設(shè)置室形成真空，在設(shè)置室內(nèi)將坩堝從第二容器中取出來(lái)，將坩堝安裝在蒸鍍托座上。這樣就能夠防止坩堝和該坩堝貯存的EL材料受到污染。
在本發(fā)明中，為了獲得封入有由含有有機(jī)化合物的層而形成的3層結(jié)構(gòu)的白色發(fā)光元件，在最低限度下采用3個(gè)室結(jié)構(gòu)就可以形成含有機(jī)化合物的層。因?yàn)椴捎昧?個(gè)室，所以能夠縮短工藝時(shí)間，還能夠降低制造裝置的成本。還有，各層的厚度也可以很薄，為20nm～40nm，這對(duì)材料成本而言是有利的。
比如，在形成白色發(fā)光元件時(shí)，適宜的是在成膜室506W1中使作為第一發(fā)光層的空穴傳輸層(HTL)成膜，在成膜室506W2中使第二發(fā)光層成膜，在成膜室506W3內(nèi)使電子傳輸層(ETL)成膜，然后在成膜室510內(nèi)形成陰極。就第一發(fā)光層的發(fā)光體而言，可以使用TPD、α-NPD等具有空穴傳輸性能的藍(lán)色熒光材料。還有，就第二發(fā)光層的發(fā)光體而言，以鉑為中心金屬的金屬有機(jī)絡(luò)合物是有效的。具體而言，向主體材料中以高濃度(10重量％～40重量％，優(yōu)選12.5重量％～20重量％)混入下述結(jié)構(gòu)式(1)～(4)所示的物質(zhì)的話，就能夠產(chǎn)生磷光發(fā)光和激基復(fù)合物發(fā)光兩種現(xiàn)象。但本發(fā)明并不限定于此，可以采用任何一種同時(shí)產(chǎn)生磷光發(fā)光和激基復(fù)合物發(fā)光兩種現(xiàn)象的磷光材料。
化1
化2

化3
化4
還有，就能夠用于電子傳輸層(ETL)的電子傳輸材料而言，可以提及三(8-喹啉醇合)鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉醇合)鈹(簡(jiǎn)稱(chēng)BeBq2)、雙(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羥基-聯(lián)苯基)-鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)BAlq)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑合]鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑合]鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)Zn(BTZ)2)等金屬絡(luò)合物。而且，除了金屬絡(luò)合物以外，可以采用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PBD)、1，3-雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)OXD-7)等噁二唑衍生物、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng)TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng)p-EtTAZ)等三唑衍生物、2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](簡(jiǎn)稱(chēng)TPBI)等咪唑衍生物、紅菲繞啉(簡(jiǎn)稱(chēng)BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱(chēng)BCP)等菲繞啉衍生物。
特別地，通過(guò)共蒸鍍能夠向第二發(fā)光層中以高的濃度(10重量％～40重量％，優(yōu)選12.5重量％～20重量％)混入一種金屬絡(luò)合物，所以濃度調(diào)節(jié)變得很容易，適合于大量生產(chǎn)。
即，該蒸鍍掩?？梢允褂煤?jiǎn)單型掩模，該掩模是在引出電極(取り出し電極)露出部位(隨后與FPC貼合的部位)以外的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的。
還有，為了形成兩面發(fā)光式面板，將陰極制成薄金屬膜與透明導(dǎo)電膜的疊層?？梢酝ㄟ^(guò)電阻加熱法將薄金屬膜(Ag或MgAg)制成1nm～10nm的膜厚，透明導(dǎo)電膜是通過(guò)濺鍍法形成的，因此短時(shí)間內(nèi)就可以形成陰極。
這里表示的是白色發(fā)光面板的制造實(shí)例，但是制造其它單色發(fā)光(綠色、紅色、藍(lán)色等)面板也是可以的。
以下對(duì)向圖5所示的制造裝置中運(yùn)送預(yù)先設(shè)置了陽(yáng)極(第一電極)和覆蓋該陽(yáng)極端部的絕緣物(隔片)的基板，以制造發(fā)光裝置的步驟進(jìn)行說(shuō)明。而且，在制造有源矩陣型發(fā)光裝置時(shí)，預(yù)先在基板上設(shè)置了與陽(yáng)極相連的多個(gè)薄膜晶體管(電流調(diào)節(jié)用TFT)和多個(gè)其它薄膜晶體管(開(kāi)關(guān)用TFT等)，還設(shè)置了具有薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。還有，在制造簡(jiǎn)單矩陣型發(fā)光裝置時(shí)，也可以采用圖5所示的制造裝置進(jìn)行制造。
首先，將前述基板(600mm×720mm)固定在基板載入室520中。即使是基板尺寸為320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm以及1150mm×1300mm的大面積基板，也能夠應(yīng)對(duì)。
將設(shè)置在基板載入室520中的基板(設(shè)置了陽(yáng)極和覆蓋該陽(yáng)極端部的絕緣物的基板)運(yùn)送至保持大氣壓的運(yùn)送室518中。而且，在運(yùn)送室518中設(shè)置了用于運(yùn)送或反轉(zhuǎn)基板的運(yùn)送裝置(運(yùn)送機(jī)械手等)。
還有，在運(yùn)送室508、514、502中分別設(shè)置了運(yùn)送裝置和真空排氣裝置。在運(yùn)送室518中設(shè)置的機(jī)械手能夠?qū)⒒宓恼疵娣崔D(zhuǎn)，還能將其反轉(zhuǎn)著運(yùn)送到運(yùn)送接收室505中。運(yùn)送接收室505與真空排氣處理室相連，它能夠通過(guò)真空排氣而產(chǎn)生真空，還能夠在真空排氣之后，通過(guò)引入非活性氣體而達(dá)到大氣壓。
還有，就前述的真空排氣處理室而言，具備磁懸浮型渦輪分子泵、低溫泵或干泵。通過(guò)這些裝置，能夠使與各室相連的運(yùn)送室的真空度達(dá)到10-5～10-6Pa，而且可以控制從泵一側(cè)和排氣系統(tǒng)而來(lái)的雜質(zhì)的反向擴(kuò)散。為了防止向裝置內(nèi)部引入雜質(zhì)，就引入氣體而言，采用的是氮?dú)夂拖∮袣怏w等非活性氣體。向裝置內(nèi)部引入的這些氣體，使用的是在向裝置中引入之前經(jīng)過(guò)氣體精制機(jī)高度提純過(guò)的氣體。因此，為了使氣體在經(jīng)過(guò)高度提純之后才引入蒸鍍裝置之中，必須提供氣體精制機(jī)。如此一來(lái)，就能夠除去氣體中所含的氧、水和其它雜質(zhì)等，也能夠防止向裝置內(nèi)部引入這些雜質(zhì)。
還有，在向基板裝載室520中設(shè)置之前，為了減少點(diǎn)缺陷，采用含有表面活性劑(弱堿性)的多孔性海綿材料(典型的是PVA(聚乙烯醇)制、尼龍制海綿等)對(duì)第一電極(陽(yáng)極)的表面進(jìn)行清潔，優(yōu)選除去表面碎屑。就清潔設(shè)備而言，可以使用具有圍繞著與基板面平行的軸線旋轉(zhuǎn)并與基板面接觸的滾刷(PVA制)的洗凈裝置，也可以使用具有圍繞與基板面垂直的軸線旋轉(zhuǎn)同時(shí)與基板面接觸的圓盤(pán)刷(PVA制)的洗凈裝置。
然后，將基板由運(yùn)送室518向運(yùn)送接收室505中運(yùn)送，而且，在不接觸大氣的情況下，將基板從運(yùn)送接收室505運(yùn)送至運(yùn)送室502中。
還有，為了消除收縮現(xiàn)象，在即將進(jìn)行含有有機(jī)化合物的膜的蒸鍍之前優(yōu)選真空加熱，將基板從運(yùn)送室502向多級(jí)真空加熱室521中運(yùn)送，為了徹底地除去前述基板中所含的水分和其它氣體等，在真空(5×103Torr(0.665Pa)或以下，優(yōu)選10-4～10-6Pa)下緩慢冷卻以實(shí)現(xiàn)脫氣。多級(jí)真空加熱室512中使用了平板加熱器(典型地是夾套加熱器)，將多個(gè)基板均勻地加熱。通過(guò)提供多個(gè)這種平板加熱器，用平板加熱器將基板夾在中間，由此能夠從兩面進(jìn)行加熱，不用說(shuō)，從單面加熱也是可以的。特別地，采用有機(jī)樹(shù)脂膜作為層間絕緣膜和隔片材料時(shí)，就有機(jī)樹(shù)脂材料而言，它容易吸附水分，有可能會(huì)進(jìn)一步產(chǎn)生脫氣現(xiàn)象，所以在形成含有機(jī)化合物的層之前，在100℃～250℃，優(yōu)選150℃～200℃下比如至少加熱30分鐘，然后自然冷卻30分鐘，由此進(jìn)行真空加熱以除去吸附的水分是很有效的。
還有，除了前述真空加熱以外，也可以在非活性氣體氣氛下在200～250℃下進(jìn)行加熱同時(shí)進(jìn)行UV照射。還有，也可以不進(jìn)行真空加熱，而只是在非活性氣體氣氛下在200～250℃下進(jìn)行加熱同時(shí)進(jìn)行UV照射處理。
還有，根據(jù)需要，也可以在成膜室512中在大氣壓或減壓下采用噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂布法和噴霧法等形成由高分子材料而來(lái)的空穴注入層。還有，通過(guò)噴墨法涂布之后，再采用旋轉(zhuǎn)涂布法使膜厚度均一也是可以的。同樣地，通過(guò)噴霧法涂布之后，再采用旋轉(zhuǎn)涂布法使膜厚度均也是可以的。還有，將基板豎直放置，在真空中通過(guò)噴墨法成膜也是可以的。
比如，也可以在成膜室512中在第一電極(陽(yáng)極)整個(gè)表面上涂布起到空穴注入層(陽(yáng)極緩沖層)作用的聚(亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)的水溶液(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et-PTPDEK、或PPBA等，燒結(jié)也是可以的。燒結(jié)時(shí)，優(yōu)選在多級(jí)加熱室523a、523b中進(jìn)行。
使用旋轉(zhuǎn)涂布法等涂布法形成由高分子材料而來(lái)的空穴注入層(HIL)時(shí)，能夠獲得平坦度提高、其上面所形成的膜的覆蓋量和膜厚均一性均良好的膜。特別是由于發(fā)光層的膜厚均一，所以能夠獲得均勻的發(fā)光效果。此時(shí)，在通過(guò)涂布法形成空穴注入層之后，在即將通過(guò)蒸鍍法成膜之前，在大氣壓下或真空下加熱(100～200℃)是優(yōu)選的。
比如，也可以在以海綿清潔完第一電極(陽(yáng)極)表面之后，將其運(yùn)送入基板載入室520中，然后運(yùn)送至成膜室512a中，采用旋轉(zhuǎn)涂布法在其整個(gè)表面上涂布聚(亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)，使膜厚達(dá)到60nm，然后運(yùn)送至多級(jí)加熱室523a、523b中，80℃煅燒10分鐘，然后200℃燒結(jié)1小時(shí)，進(jìn)一步運(yùn)送至多級(jí)真空加熱室521中，在即將進(jìn)行蒸鍍之前真空加熱(170℃，加熱30分鐘，冷卻30分鐘)，然后運(yùn)送至成膜室506W1、506W2、506W3中，在不使其接觸大氣的情況下通過(guò)蒸鍍法形成EL層。特別是，采用ITO膜作為陽(yáng)極材料，當(dāng)表面上存在著凹凸和微粒時(shí)，通過(guò)使PEDOT/PSS的膜厚至少為30nm，就能夠降低這些影響。還有，為了改善PEDOT/PSS的潤(rùn)濕性，在UV處理室531中進(jìn)行紫外線照射是優(yōu)選的。
還有，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法形成PEDOT/PSS的膜時(shí)，由于在整個(gè)表面上成膜，所以選擇性地除去基板的端面和邊緣部位、接線部位、陰極與下部配線的接線區(qū)域等是優(yōu)選的，在預(yù)處理室503中使用掩模通過(guò)O2打磨等而選擇性地除去之是優(yōu)選的。預(yù)處理室503具有等離子體發(fā)生裝置，通過(guò)激發(fā)選自Ar、H、F和O中的一種或多種氣體而產(chǎn)生等離子體，由此進(jìn)行干蝕刻。通過(guò)使用掩模，能夠選擇性地只將不需要的部分除去。
而且，將蒸鍍掩模貯存在掩模貯存室524a、524b中，適當(dāng)?shù)氖牵谶M(jìn)行蒸鍍時(shí)將其運(yùn)送到成膜室中。使用大型基板時(shí)，由于掩模的面積增大，所以就得擴(kuò)大固定掩模用的框架，很難貯存數(shù)目很多的掩模，因此這里提供了2個(gè)掩模貯存室524a、524b。在掩模貯存室524a、524b中進(jìn)行蒸鍍掩模的清潔操作也是可以的。還有，由于蒸鍍時(shí)掩模貯存室是空的，所以它也可以貯存經(jīng)過(guò)成膜或經(jīng)過(guò)處理的基板。
然后，將基板從運(yùn)送室502運(yùn)送至運(yùn)送接收室507中，進(jìn)一步地，在不使其與大氣接觸的情況下將基板從運(yùn)送接收室507運(yùn)送至運(yùn)送室508中。
然后，適宜地將基板運(yùn)送至與運(yùn)送室508相連的成膜室506W1、506W2、506W3中，適宜地形成成為空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層的、由低分子而來(lái)的有機(jī)化合物層。通過(guò)適當(dāng)選擇EL材料，就發(fā)光元件整體而言，能夠形成顯示出單色(具體而言是白色)發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)光元件。而且，基板在各個(gè)運(yùn)送室之間運(yùn)送時(shí)不與大氣接觸，而是經(jīng)由運(yùn)送接收室540、541、511運(yùn)送的。
然后，通過(guò)運(yùn)送室514內(nèi)設(shè)置的運(yùn)送設(shè)備將基板運(yùn)送至成膜室510內(nèi)，然后形成陰極。該陰極優(yōu)選透明或半透明的，以利用了電阻加熱的蒸鍍法來(lái)形成金屬膜(MgAg、MgIn、CaF2、LiF、CaN等合金，或元素周期表1族或2族元素與鋁通過(guò)共蒸鍍法形成膜，或這些材料的層合膜)的薄膜(1nm～10nm)，或者以前述金屬膜的薄膜(1nm～10nm)與透明導(dǎo)電膜的層合膜作為陰極是優(yōu)選的。還有，將基板從運(yùn)送室508經(jīng)由運(yùn)送接收室511運(yùn)送至運(yùn)送室514之后，將其運(yùn)送至成膜室509中，然后采用濺鍍法形成透明導(dǎo)電膜。
通過(guò)以上工序，可形成疊層結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，在該結(jié)構(gòu)中具有包含有機(jī)化合物的層。
還有，將其運(yùn)送至與運(yùn)送室514相連的成膜室513中，然后形成由氮化硅膜、或氮氧化硅膜而來(lái)的保護(hù)膜而進(jìn)行密封也是可以的。在這里，在成膜室513內(nèi)提供了由硅構(gòu)成的靶子、或者由氧化硅構(gòu)成的靶子，或氮化硅構(gòu)成的靶子。
還有，對(duì)著固定著的基板而移動(dòng)棒狀靶子，由此形成保護(hù)膜也是可以的。還有，對(duì)著固定著的棒狀靶子，通過(guò)移動(dòng)基板的方式而形成保護(hù)膜也是可以的。
比如，使用由硅構(gòu)成的圓盤(pán)狀靶子，通過(guò)成膜室內(nèi)的氣氛成為氮?dú)鈿夥栈蚝械蜌宓臍夥?，就能夠在陰極上形成氮化硅膜。還有，形成以碳為主要成分的薄膜(DLC膜、CN膜、非晶碳膜)，以此作為保護(hù)膜也是可以的，另外，提供可采用CVD法的成膜室也是可以的。采用等離子體CVD法(典型的是RF等離子體CVD法、微波CVD法、電子回旋共振(ECR)CVD法、熱絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺鍍法、離子束蒸鍍法、激光蒸鍍法等能夠形成類(lèi)金剛石碳膜(稱(chēng)為DLC膜)。成膜時(shí)用的反應(yīng)氣體采用了氫氣和烴系氣體(比如CH4、C2H2、C6H6等)，通過(guò)輝光放電使其電離，離子朝著施加了負(fù)自偏壓的陰極加速碰撞而成膜。還有，采用C2H4氣體和N2作為反應(yīng)氣體來(lái)形成CN膜是可以的。而且，DLC膜和CN膜等是對(duì)可見(jiàn)光透明或半透明的絕緣膜。對(duì)可見(jiàn)光透明指的是可見(jiàn)光透過(guò)率為80-100％，對(duì)可見(jiàn)光半透明指的是可見(jiàn)光的透過(guò)率為50-80％。
還有，代替前述保護(hù)層而在陰極上形成由第一無(wú)機(jī)絕緣膜、應(yīng)力松弛膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜的疊層而來(lái)的保護(hù)層也是可以的。比如，在形成陰極之后，運(yùn)送至成膜室513中，在此形成5nm～50nm的第一無(wú)機(jī)絕緣膜，再運(yùn)送至成膜室506W1和506W2和506W3等中，通過(guò)蒸鍍法形成10nm～100nm且具有吸濕性和透明性的應(yīng)力松弛膜(無(wú)機(jī)層，或含有有機(jī)化合物的層等)，進(jìn)一步地，運(yùn)送至成膜室513中，形成5nm～50nm的第二無(wú)機(jī)絕緣膜。
然后，將發(fā)光元件已形成的基板運(yùn)送至密封室519中。
密封基板是從外部向裝載室517中設(shè)置并提供的。將密封基板從裝載室517運(yùn)送至運(yùn)送室527中，根據(jù)需要，將其運(yùn)送至旨在貼合干燥劑和濾光片(顏色濾光片、偏振片等)等的光學(xué)膜(光學(xué)フィルム)貼合室529中。還有，在裝載室517中設(shè)置預(yù)先貼有光學(xué)膜(顏色濾光片、偏振片)的密封基板也是可以的。
而且，為了除去密封基板中的水分等雜質(zhì)，預(yù)先在多級(jí)加熱室516中進(jìn)行緩慢降溫是優(yōu)選的。然后，在密封基板上形成旨在與已設(shè)置了發(fā)光元件的基板貼合的密封材料時(shí)，在分配室515中形成密封材料，將已形成了密封材料的密封基板經(jīng)由運(yùn)送接收室542運(yùn)送至運(yùn)送室514中，進(jìn)一步將其運(yùn)送至密封基板貯存室530中。而且，這里表示的是在密封基板上形成密封材料的實(shí)例，但本發(fā)明并不具體限于此，在形成了發(fā)光元件的基板上形成密封材料也是可以的。還有，將蒸鍍時(shí)使用的蒸鍍掩模貯存在密封基板貯存室530中也是可以的。
而且，由于本實(shí)施例針對(duì)的是兩面發(fā)射型結(jié)構(gòu)，所以可以將密封基板運(yùn)送至光學(xué)膜貼合室529中，由此在密封基板的內(nèi)側(cè)貼合光學(xué)膜?；蛘?，在將設(shè)置了發(fā)光元件的基板與密封基板貼合之后，將其運(yùn)送至濾光片貼合室529中，就可以在該密封基板的外側(cè)貼合光學(xué)膜(顏色濾光片、或偏振片)。
然后，在密封室519中使基板和密封基板貼合，接著利用密封室519中設(shè)置的紫外線照射設(shè)備對(duì)貼合好的一對(duì)基板進(jìn)行UV光照射，以使密封材料固化。從未設(shè)置TFT的密封基板一側(cè)進(jìn)行UV光照射是優(yōu)選的，因?yàn)樵揟FT會(huì)遮擋光。而且，雖然這里以紫外線固化+熱固化樹(shù)脂作為密封材料，但就該粘合劑而言沒(méi)有特別的限制，使用只通過(guò)紫外線固化的樹(shù)脂等也是可以的。
還有，密封的空間中不填充非活性氣體，填充樹(shù)脂也是可以的。就下面發(fā)射型的情況而言，當(dāng)紫外線是從密封基板一側(cè)照射時(shí)，由于陰極不透光，所以對(duì)填充樹(shù)脂材料沒(méi)有特別的限制，紫外線固化型樹(shù)脂和不透明性樹(shù)脂等均是可以采用的，但是兩面發(fā)射型的情況下，當(dāng)紫外線從密封基板一側(cè)照射時(shí)，紫外線會(huì)通過(guò)陰極而使EL層遭受損壞，因此不使用紫外線固化性樹(shù)脂是優(yōu)選的。因此，在兩面發(fā)射型的情況下，以熱固化的透明性樹(shù)脂作為填充樹(shù)脂是優(yōu)選的。
然后，將貼合好的一對(duì)基板從密封室519運(yùn)送至運(yùn)送室514，然后經(jīng)由運(yùn)送接收室542從運(yùn)送室527運(yùn)送至取出室525中，最后取出。
還有，從取出室525中取出之后，進(jìn)行加熱以使密封材料固化。就上面發(fā)射型而言，當(dāng)填充的是熱固化性樹(shù)脂時(shí)，在對(duì)密封材料進(jìn)行加熱處理以使其固化的同時(shí)也能夠使該樹(shù)脂發(fā)生固化。
如前所述，由于采用了圖5所示的制造裝置，將發(fā)光元件完全密封在密閉空間中而不使其不暴露在大氣之下，就可以制造出可靠性高的發(fā)光裝置。
而且，雖然這里在圖中沒(méi)有表示，但是通過(guò)控制基板在各個(gè)處理室中的運(yùn)送路線，可以設(shè)計(jì)出能實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化操作的控制裝置。
實(shí)施例2圖6表示的是蒸鍍裝置頂視圖的一個(gè)實(shí)例。
就圖6而言，成膜室101具有基板支持裝置(圖中未表示)、設(shè)置了蒸鍍開(kāi)合門(mén)(圖中未表示)的第一蒸鍍?cè)赐凶?04a和第二蒸鍍?cè)赐凶?04b、為了移動(dòng)這些蒸鍍?cè)赐凶O(shè)置的裝置(圖中未表示)、制造減壓氣氛的裝置(真空排氣裝置)。利用該減壓氣氛制造裝置，可將成膜室101真空排氣至5×10-3Torr(0.665Pa)或以下，優(yōu)選10-4～10-6Pa的真空度。
還有，在成膜室中，將在蒸鍍時(shí)用于引入數(shù)sccm之多的材料氣的氣體引入系統(tǒng)(圖中未表示)與為使成膜室內(nèi)部達(dá)到常壓而設(shè)的非活性氣體(Ar、N2等)引入系統(tǒng)(圖中未表示)相連。進(jìn)一步設(shè)置清洗氣體(選自H2、F2、NF3或O2中的一種或多種氣體)引入系統(tǒng)也是可以的。而且，所希望的是，不要使材料氣從氣體引入口以最短的距離流向氣體排出口。
還有，通過(guò)在成膜時(shí)有意地引入材料氣，使材料氣的成分包含在有機(jī)化合物膜中，可以形成高密度的膜，也能防止氧和水分等使性能變差的雜質(zhì)侵入膜中并在其中擴(kuò)散。具體而言，就材料氣而言，可以采用選自硅烷系氣體(甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等)、SiF4、GeH4、GeF4、SnH4、或烴系氣體(CH4、C2H2、C2H4、C6H6等)中的一種或多種。而且，也可包含這些氣體經(jīng)氫和氬等稀釋之后的混合氣體。向裝置中引入的這些氣體，采用的是在向裝置內(nèi)部引入之前經(jīng)過(guò)氣體精制機(jī)高度提純過(guò)的氣體。因此，為了使氣體在經(jīng)過(guò)高度提純之后在引入蒸鍍裝置中，必須提供氣體精制機(jī)。如此一來(lái)，能夠預(yù)先除去氣體中所含的殘留氣體(氧、水分、其它雜質(zhì)等)，因此就能夠防止這些雜質(zhì)被引入裝置內(nèi)部。
比如，通過(guò)在蒸鍍時(shí)引入甲硅烷氣體，使膜中含有Si，在發(fā)光元件完成之后，當(dāng)存在著針孔和短路等不良區(qū)域時(shí)，該不良區(qū)域會(huì)通過(guò)產(chǎn)生熱量而使Si發(fā)生反應(yīng)，由此形成SiOx、SiCx等絕緣性的絕緣物，進(jìn)而降低針孔和短路區(qū)域中的漏泄電阻，從而使這些缺陷(黑點(diǎn))不能繼續(xù)發(fā)展，即也會(huì)獲得所謂的自愈效果。
而且，在引入前述材料氣時(shí)，除了低溫泵以外，組合設(shè)置渦輪分子泵和干泵是優(yōu)選的。
還有，在成膜室101中，蒸鍍?cè)赐凶?04能夠沿圖6中點(diǎn)劃線所示的移動(dòng)路線往復(fù)多次移動(dòng)。而且，圖6中所示的移動(dòng)路線只是一個(gè)實(shí)例，本發(fā)明并不限于此。為了使膜厚度均一，沿圖6所示的移動(dòng)路線緩慢挪移而使蒸鍍?cè)赐凶苿?dòng)，由此進(jìn)行蒸鍍是優(yōu)選的。還有，沿同一移動(dòng)路線往復(fù)移動(dòng)也是可以的。還有，通過(guò)在每個(gè)移動(dòng)路線區(qū)間內(nèi)適當(dāng)?shù)馗淖冋翦兺凶囊苿?dòng)速度，預(yù)期能夠獲得膜厚均一化效果，而且也可以縮短成膜所消耗的時(shí)間。比如，可以使蒸鍍?cè)赐凶?0cm/分鐘～300cm/分鐘的速度沿X方向或Y方向移動(dòng)。
還有，在制造白色發(fā)光元件時(shí)，也可以進(jìn)行如圖9所示的局部蒸鍍法。在構(gòu)成面板的區(qū)域中，進(jìn)行局部蒸鍍時(shí)至少要包含構(gòu)成顯示區(qū)域的那些區(qū)域。通過(guò)進(jìn)行局部蒸鍍，可以防止在無(wú)需蒸鍍的區(qū)域內(nèi)發(fā)生蒸鍍。為了進(jìn)行局部蒸鍍，采用了開(kāi)合門(mén)(圖中未表示)。通過(guò)適當(dāng)?shù)拈_(kāi)合，蒸鍍時(shí)不使用掩模。圖9是制造多面板時(shí)的一個(gè)實(shí)例，900是大型基板、901是成膜室、904是可移動(dòng)的蒸鍍托座，906是坩堝。
還有，在蒸鍍?cè)赐凶?04a、104b上設(shè)置封入了蒸鍍材料的容器(坩堝106)。這里表示的是在1個(gè)蒸鍍?cè)赐凶?04a、104b上設(shè)置2個(gè)坩堝的實(shí)例。還有，為設(shè)置室103設(shè)置了膜厚計(jì)(圖中未表示)，這是它的一個(gè)特征。在這里，膜厚計(jì)在蒸鍍?cè)匆苿?dòng)的期間是不進(jìn)行監(jiān)測(cè)的，由此降低膜厚計(jì)的更換頻率。
而且，在1個(gè)蒸鍍?cè)赐凶咸峁┒鄠€(gè)容器(貯存有機(jī)化合物的坩堝、蒸鍍皿)時(shí)，為了使有機(jī)化合物彼此相互混合，就要使其蒸發(fā)方向(蒸發(fā)中心)在被蒸鍍物位置處交叉，由此希望坩堝的安裝角度是傾斜的。
還有，蒸鍍?cè)赐凶谯釄逵迷O(shè)置室中隨時(shí)待機(jī)，直至蒸鍍速度穩(wěn)定后才進(jìn)行加熱和保溫操作。而且，在坩堝用設(shè)置室內(nèi)設(shè)置了膜厚監(jiān)測(cè)裝置(圖中未表示)。待蒸鍍速度穩(wěn)定后，將基板運(yùn)送至成膜室102中，相對(duì)掩模(圖中未表示)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，然后打開(kāi)開(kāi)合門(mén)，使蒸鍍托座移動(dòng)。而且，使用CCD照相機(jī)(圖中未表示)來(lái)確證蒸鍍掩模和基板的對(duì)準(zhǔn)情況?；搴驼翦冄谀Ｉ戏謩e預(yù)先設(shè)置了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，由此來(lái)進(jìn)行位置控制是可以的。蒸鍍結(jié)束后，蒸鍍托座在坩堝用設(shè)置室中移動(dòng)，關(guān)閉開(kāi)合門(mén)。關(guān)閉開(kāi)合門(mén)后，將基板運(yùn)送至運(yùn)送室102中。
還有，在圖6中，通過(guò)使多個(gè)蒸鍍托座104a、104b在設(shè)置室103中待機(jī)，在1個(gè)蒸鍍托座中的材料耗光后，再以1個(gè)蒸鍍托座替換之，因此就能夠進(jìn)行順序移動(dòng)而實(shí)現(xiàn)連續(xù)成膜了。還有，當(dāng)一個(gè)蒸鍍托座在成膜室內(nèi)移動(dòng)時(shí)，也可以向空蒸鍍托座上補(bǔ)充EL材料。通過(guò)使用多個(gè)蒸鍍托座104，可以進(jìn)行高效的成膜。
還有，蒸鍍托座104a、104b只可以設(shè)置2個(gè)坩堝，不過(guò)可以設(shè)置4個(gè)坩堝而只設(shè)置2個(gè)或1個(gè)坩堝進(jìn)行蒸鍍。
根據(jù)本發(fā)明能夠縮短成膜所需要的時(shí)間。在以前，補(bǔ)充EL材料時(shí)要使成膜室對(duì)大氣開(kāi)放，坩堝補(bǔ)充結(jié)束之后，還必須抽真空，因此補(bǔ)充所需的時(shí)間就會(huì)很長(zhǎng)，這就是生產(chǎn)率之所以低的原因。
還有，由于還能夠減少成膜室內(nèi)壁的粘附物，因此能夠減少對(duì)成膜室內(nèi)壁的清潔等維護(hù)操作的頻率。
還有，將坩堝106設(shè)置在蒸鍍托座104a、104b上的操作，在設(shè)置室103b中也進(jìn)行。圖7(A)和圖7(B)中表示了運(yùn)送時(shí)的情況。而且，與圖6相應(yīng)的部分使用了相同的符號(hào)。將坩堝106在由上部分721a和下部分721b構(gòu)成的容器中在真空密封狀態(tài)下由設(shè)置室103的門(mén)112運(yùn)送進(jìn)來(lái)。首先，將運(yùn)送進(jìn)來(lái)的容器承載在容器安裝用旋轉(zhuǎn)臺(tái)109上，摘下固定件702。(圖7(A))內(nèi)部是真空狀態(tài)，所以在大氣壓下即使摘下固定件702也無(wú)法取下來(lái)。然后，在設(shè)置室103a內(nèi)進(jìn)行真空排氣，由此使容器蓋子(上部分721a)處于可以取下來(lái)的狀態(tài)。
針對(duì)容器在運(yùn)送時(shí)的狀況采用圖7(A)進(jìn)行具體的說(shuō)明。第二容器被分為運(yùn)送時(shí)使用的上部分(721a)和下部分(721b)，該容器具有設(shè)置在第二容器上部分的為了使第一容器(坩堝)固定而用的固定裝置706、為該固定裝置施加壓力所用的彈簧705、設(shè)置在第二容器下部分上且構(gòu)成了使第二容器減壓保持的氣體路線的氣體引入口708、固定上部分容器721a和下部分容器721b用的O型圈以及固定件702。在該第二容器內(nèi)，設(shè)置了封入有經(jīng)過(guò)精制的蒸鍍材料的第一容器106。而且，第二容器是由含有不銹鋼的材料構(gòu)成的，第一容器106可以由含有鈦的材料形成。
在材料制造商處將精制過(guò)的蒸鍍材料封入第一容器106中。然后，通過(guò)O型圈將第二容器的上部分721a和下部分721b合在一起，通過(guò)固定件702將上部分容器721a和下部分721b固定，由此將第一容器106封閉在第二容器之中。然后，通過(guò)氣體引入口708對(duì)第二容器減壓，進(jìn)一步地置換成氮?dú)鈿夥眨ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)彈簧705利用固定裝置706固定第一容器106。而且，在第二容器內(nèi)設(shè)置干燥劑也是可以的。如此一來(lái)，使第二容器內(nèi)保持真空、減壓和氮?dú)鈿夥?，這樣就連稍許的氧和水等吸附在蒸鍍材料上都能夠防止。
然后，通過(guò)運(yùn)送蓋子用的機(jī)械手108將容器蓋子向上拿起，將其移動(dòng)至安裝蓋子用臺(tái)107。而且，本發(fā)明的運(yùn)送裝置并不限于圖7(B)所示從第一容器106上方夾持(抓住)該第一容器來(lái)進(jìn)行運(yùn)送的結(jié)構(gòu)，夾持第一容器側(cè)面進(jìn)行運(yùn)送的結(jié)構(gòu)也是可以的。
然后旋轉(zhuǎn)容器安裝用旋轉(zhuǎn)臺(tái)109，然后將容器下部分留在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，利用坩堝運(yùn)送用機(jī)械手110只拿起坩堝。(圖7(B))最后，將坩堝設(shè)置在在設(shè)置室103中待機(jī)的蒸鍍托座104a、104b上。
還有，在設(shè)置室103中設(shè)置了清洗氣體(選自H2、F2、NF3、或O2中的一種或多種氣體)引入系統(tǒng)，使用清洗氣體來(lái)清潔蒸鍍托座和開(kāi)合門(mén)等部件也是可以的。還有，在設(shè)置室中設(shè)置等離子體發(fā)生裝置，使其產(chǎn)生等離子體，或者向該設(shè)置室內(nèi)引入通過(guò)等離子體電離的氣體，對(duì)設(shè)置室內(nèi)壁、蒸鍍托座和開(kāi)合門(mén)等部件進(jìn)行清潔，通過(guò)真空排氣裝置進(jìn)行排氣也是可以的。清潔用的等離子體可以通過(guò)激發(fā)選自Ar、N2、H2、F2、NF3、或O2中的一種或多種氣體而產(chǎn)生。
照此方式使蒸鍍托座104a、104b移動(dòng)至設(shè)置室103中，在設(shè)置室中通過(guò)清潔操作就能夠保持成膜室的清潔度。
還有，本實(shí)施例能夠和實(shí)施例1自由組合。在圖5中所示的任意一個(gè)成膜室506W1、506W2、506W3中都可以設(shè)置圖6所示的蒸鍍裝置，在圖5中所示的設(shè)置室526a～526n中也可以設(shè)置圖7所示的設(shè)置室。
實(shí)施例3
在這里，表示的是不對(duì)大氣開(kāi)放就可以進(jìn)行成膜室內(nèi)清潔和蒸鍍掩模的清潔操作的成膜室的實(shí)例。圖8是本實(shí)施例成膜裝置的截面視圖一個(gè)實(shí)例。
如圖8所示，它表示的是在通過(guò)高頻電源1300a和電容1300b連接的蒸鍍掩模1302a和電極1302b之間產(chǎn)生等離子體1301的實(shí)例。
在圖8中，將基板連接在設(shè)置部位(圖中點(diǎn)線部位所示的部位)上，提供固定在托座上的蒸鍍掩模1302a，進(jìn)一步地在其下方設(shè)置了可加熱至各自不同溫度的蒸鍍?cè)赐凶?322。而且，蒸鍍?cè)赐凶?322可通過(guò)移動(dòng)裝置1328沿X方向、Y方向、Z方向或構(gòu)成旋轉(zhuǎn)方向的θ方向移動(dòng)。
通過(guò)針對(duì)蒸鍍托座設(shè)置的加熱裝置(典型地是電阻加熱法)將內(nèi)部的有機(jī)化合物加熱至升華溫度，使其汽化而蒸鍍?cè)诨灞砻嫔稀６?，在蒸鍍時(shí)，將基板開(kāi)合門(mén)1320移動(dòng)至不妨礙蒸鍍的位置處。還有，也設(shè)置了與蒸鍍托座同時(shí)移動(dòng)的開(kāi)合門(mén)1321，需要蒸鍍時(shí)將其移動(dòng)至不妨礙蒸鍍的位置上。
還有，蒸鍍時(shí)可設(shè)置氣體引入系統(tǒng)，通過(guò)該系統(tǒng)可以通入微量的比有機(jī)化合物材料顆粒更小的顆粒，即由原子半徑小的材料構(gòu)成的氣體，由此就能夠使有機(jī)化合物膜中含有原子半徑小的材料。具體而言，就前述的原子半徑小的材料氣而言，可以采用選自硅烷系氣體(甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等)、SiF4、GeH4、GeF4、SnH4或烴系氣體(CH4、C2H2、C2H4、C6H6等)中的一種或多種。而且，還包含這些氣體經(jīng)氫、氬等稀釋之后而獲得的混合氣體。向裝置內(nèi)部引入的這些氣體，采用的是在引入裝置內(nèi)部之前經(jīng)過(guò)氣體精制機(jī)高度提純過(guò)的氣體。因此，為了將氣體經(jīng)過(guò)高度提純之后再引入蒸鍍裝置中，必須提供氣體精制機(jī)。由此，就能夠預(yù)先除去氣體中所含的殘留氣體(氧、水分、其它雜質(zhì)等)，所以就可以防止向裝置內(nèi)部引入這些雜質(zhì)。
比如，通過(guò)在蒸鍍時(shí)引入甲硅烷氣體，使膜中含有Si，在發(fā)光元件完成之后，當(dāng)存在著針孔和短路等不良區(qū)域時(shí)，該不良區(qū)域會(huì)通過(guò)產(chǎn)生熱量而使Si發(fā)生反應(yīng)，由此形成SiOx、SiCx等絕緣性的絕緣物，進(jìn)而降低針孔和短路區(qū)域中的漏泄電阻，從而使這些缺陷(黑點(diǎn))不能繼續(xù)發(fā)展，即也會(huì)獲得所謂的自愈效果。
還有，通過(guò)加熱基板用加熱器1304等加熱裝置來(lái)加熱基板，由此使所引入的材料氣成分高效地沉積在基板上也是可以的。
還有，通過(guò)等離子體發(fā)生裝置來(lái)產(chǎn)生自由基也是可以的。比如以甲硅烷為例，通過(guò)等離子體發(fā)生裝置，能夠生成SiHx、SiHxOy、SiOy等氧化硅前體，這些前體與來(lái)自蒸鍍?cè)吹挠袡C(jī)化合物材料一起沉積在基板上。甲硅烷很容易與氧和水分發(fā)生反應(yīng)，因此也可以降低成膜室內(nèi)的氧濃度和水分含量等。
還有，為了能夠引入各種氣體，就真空排氣處理室而言，提供了磁懸浮型渦輪分子泵1326和低溫泵1327。通過(guò)這些泵，可使成膜室最終達(dá)到10-5～10-6Pa的真空度。而且，在通過(guò)低溫泵1327真空排氣之后，關(guān)閉低溫泵1327，通過(guò)渦輪分子泵1326進(jìn)行真空排氣，同時(shí)一邊通入數(shù)sccm之多的材料氣一邊進(jìn)行蒸鍍。還有，采用離子電鍍法，使成膜室內(nèi)的材料氣電離，一邊讓其附著在蒸發(fā)的有機(jī)材料上一邊進(jìn)行蒸鍍也是可以的。
蒸鍍結(jié)束之后，取出基板，然后進(jìn)行清潔操作，以便在不對(duì)大氣開(kāi)放的情況下除去成膜裝置內(nèi)部設(shè)置的夾具和成膜裝置內(nèi)壁上附著的蒸鍍材料。
還有，在清潔時(shí)，將蒸鍍托座1322移動(dòng)至設(shè)置室(這里圖中未表示)中，進(jìn)行該操作是優(yōu)選的。
在進(jìn)行清潔時(shí)，使線電極1302b向與蒸鍍掩模1302a相對(duì)的位置上移動(dòng)。進(jìn)一步地，向成膜室1303中引入氣體。就成膜室1303中引入的氣體而言，可以采用選自Ar、H2、F2、NF3或O2中的一種或多種氣體。然后，從高頻電源1300a對(duì)蒸鍍掩模1302a施加高頻電場(chǎng)，激發(fā)氣體(Ar、H、F、NF3、或O)而產(chǎn)生等離子體1301。由此在成膜室1303內(nèi)產(chǎn)生等離子體1301，從而使在成膜室內(nèi)壁、防粘屏蔽板1305或蒸鍍掩模1302a上附著的蒸鍍物發(fā)生汽化而排到成膜室之外。通過(guò)圖4中所示的成膜裝置，維護(hù)時(shí)不使成膜室內(nèi)部或蒸鍍掩模與大氣接觸就可以進(jìn)行清潔操作。
而且，這里表示的是在蒸鍍掩模1302a和該掩模與前述蒸鍍?cè)赐凶?306之間設(shè)置的電極1302b之間產(chǎn)生等離子體的實(shí)例，但并不特別限于此，配備等離子體發(fā)生裝置也是可以的。還有，電極1302b也可以與高頻電源連接，線電極1302b也可以是板狀和網(wǎng)狀電極等，能以噴頭方式引入氣體的電極也是可以的。而且，就等離子體發(fā)生方法而言，可以適宜地采用ECR、ICP、螺旋波、磁控管、雙頻、三極管或LEP法等。
還有，前述利用等離子體進(jìn)行的清潔操作，每完成一次成膜操作就進(jìn)行一次是可以的，完成幾次成膜操作之后再進(jìn)行也是可以的。
還有，本實(shí)施例能夠與實(shí)施方案1-4、實(shí)施例1、實(shí)施例2中的任意一個(gè)自由組合。
實(shí)施例4在本實(shí)施例中，以圖12表示制造在具有絕緣表面的基板上具有以有機(jī)化合物層作為發(fā)光層的發(fā)光元件的發(fā)光裝置(兩面發(fā)射結(jié)構(gòu))的實(shí)例。
而且，圖12(A)是表示發(fā)光裝置的頂視圖，圖12(B)是圖12(A)沿A-A′剖切得到的截面視圖。點(diǎn)線所示的1101是源信號(hào)(ソ-ス信號(hào))線驅(qū)動(dòng)電路、1102是象素部分、1103是門(mén)信號(hào)(グ-ト信號(hào))線驅(qū)動(dòng)電路。還有，1104是透明的密封基板，1105是第一密封材料，在被第一密封材料1105包圍的內(nèi)側(cè)以透明的第二密封材料1107填充。而且，在第一密封材料1105中含有保持基板間隔用的間隙材料。
而且，1108是用來(lái)傳輸向源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101和門(mén)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1103輸入的信號(hào)的配線，并且接收從構(gòu)成外部輸入端子的FPC(軟印刷電路)1109而來(lái)的視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)等。而且，這里僅圖示出FPC，但是在該FPC上安置印刷配線基底(PWB)也是可以的。
然后，針對(duì)截面結(jié)構(gòu)對(duì)圖12(B)進(jìn)行說(shuō)明。在透明基板1110上形成驅(qū)動(dòng)電路和象素部分，這里表示了作為驅(qū)動(dòng)電路的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101和象素部分1102。
而且，該源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101形成了由n通道型TFT 1123和p通道型TFT 1124組合而來(lái)的CMOS電路。還有，也可以采用已知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路來(lái)形成構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的TFT。還有，本實(shí)施例中雖然表示的是在基板上形成的驅(qū)動(dòng)集成化結(jié)構(gòu)，但不一定非有這個(gè)必要，可以不在基板上而是在外部形成。還有，對(duì)以聚硅膜或無(wú)定形硅膜為活性層的TFT的結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別的限制，頂門(mén)型(トツプグ-ト型)TFT是可以的，底門(mén)型(ボトムグ-ト型)TFT也是可以的。
還有，象素部分1102是由多個(gè)象素形成的，該象素含有開(kāi)關(guān)用TFT1111、電流控制用TFT 1112和與其漏極電連接的第一電極(陽(yáng)極)1113。就電流控制用TFT 1112而言，可以是n通道型TFT，也可以是p通道型TFT，但是在與陽(yáng)極接線時(shí)，優(yōu)選p通道型TFT。還有，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置保持電容(圖中未表示)是優(yōu)選的。而且，雖然這里僅表示了在所設(shè)置的無(wú)數(shù)個(gè)象素中一個(gè)象素的截面結(jié)構(gòu)，而且表示的是對(duì)這一個(gè)象素采用2個(gè)TFT的實(shí)例，但是適當(dāng)?shù)夭捎?個(gè)或更多個(gè)TFT也是可以的。
這里表示的是第一電極1113與TFT的漏極直接連接的結(jié)構(gòu)，因此所希望的是，第一電極1113的下層是由硅形成的漏極和電阻接觸器可以取下的材料層，與含有機(jī)化合物的層相連的最上層是功函大的材料層。比如可以采用透明導(dǎo)電膜(ITO(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)。
還有，在第一電極(陽(yáng)極)1113的兩端形成絕緣物(稱(chēng)為bank、隔片、阻擋層、屏障等)1114。絕緣體1114可以由有機(jī)樹(shù)脂膜或含硅的絕緣膜形成。這里，采用正型感光性丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂膜作為絕緣物1114，形成圖12所示形狀的絕緣物。
為了獲得良好的覆蓋量，所以在絕緣物1114的上端部分或下端部分形成具有曲率的曲面。比如，在采用正型感光性丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂作為絕緣物1114材料時(shí)，優(yōu)選僅在絕緣物1114的上端部分形成具有曲率半徑(0.2μm～3μm)的曲面。還有，作為絕緣物1114，可以使用因感光性光的作用而不溶于浸蝕劑的負(fù)型材料，或因光的作用而溶于浸蝕劑的正型材料，其中的任何一種均可以使用。
還有，在絕緣體1114上覆蓋以氮化鋁膜、氮化氧化鋁膜、碳為主要成分的膜，或由氮化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜也是可以的。
還有，在第一電極(陽(yáng)極)1113上通過(guò)蒸鍍法選擇性地形成含有有機(jī)化合物的層1115。在本實(shí)施例中，采用實(shí)施方案2所示的制造裝置對(duì)含有有機(jī)化合物的層1115進(jìn)行成膜，由此獲得均一的膜厚。進(jìn)一步地，在含有有機(jī)化合物的層1115上形成第二電極(陰極)1116。就陰極而言，可以采用功函小的材料(Al、Ag、Li、Ca或這些金屬的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN)。在這里，為了使發(fā)射光能夠透過(guò)，作為第二電極(陰極)1116，采用了膜厚較薄的金屬薄膜(MgAg膜厚10nm)、膜厚110nm的透明導(dǎo)電膜(ITO(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)和氧化鋅(ZnO)等)的疊層。然后，形成具有第一電極(陽(yáng)極)1113、含有有機(jī)化合物的層1115、以及第二電極(陰極)1116的發(fā)光元件1118。在本實(shí)施例中，依次層疊CuPc(膜厚20nm)、α-NPD(膜厚30nm)、含有以鉑為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物(Pt(ppy)acac)的CBP(膜厚30nm)、BCP(膜厚20nm)和BCPLi(膜厚40nm)，以此作為含有有機(jī)化合物的層1115，從而得到白色發(fā)光。在本實(shí)施例中，發(fā)光元件1118是以白色發(fā)光為例進(jìn)行說(shuō)明的，因此設(shè)置了具有著色層1131和遮光層(BM)1132的顏色濾光片(為了簡(jiǎn)化，這里罩涂層在圖中沒(méi)有表示)。
還有，在這種兩面發(fā)光顯示裝置中，設(shè)置了用于防止背景透底現(xiàn)象和防止外光反射的光學(xué)膜1140、1141。就光學(xué)膜1140、1141而言，可以適宜地組合偏振膜(高透過(guò)型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、相位差膜(寬頻帶1/4λ片、溫度補(bǔ)償型相位差膜、扭轉(zhuǎn)相位差膜、寬視角相位差膜、雙軸取向型相位差膜等)和亮度增強(qiáng)膜等來(lái)使用。比如，采用偏振膜作為光學(xué)膜1140、1141，使光的偏振方向彼此垂直設(shè)置，由此能夠獲得防止背景透底的效果和防反射效果。此時(shí)，除了通過(guò)發(fā)光進(jìn)行顯示的部分以外，其余部分都變成黑色，無(wú)論從哪一側(cè)來(lái)看該顯示，都看不到背景透底現(xiàn)象。還有，從發(fā)光屏而來(lái)的發(fā)射光只通過(guò)1個(gè)偏振片，因此能夠原樣顯示。
而且，如果2個(gè)偏振片不正交而是彼此的光偏振方向呈±45度以內(nèi)，優(yōu)選±20度以內(nèi)的話，也能夠獲得前述效果。
有了光學(xué)膜1140、1141，觀察者在從一側(cè)觀察時(shí)，就能夠防止因看到背景透底現(xiàn)象而很難看清顯示的問(wèn)題。
進(jìn)一步地，再增加1片光學(xué)膜也是可以的。比如，雖然一個(gè)偏振膜吸收S波(或P波)，但在偏振膜與發(fā)光屏之間設(shè)置將S波(或P波)反射至發(fā)光元件一側(cè)使其再生的亮度增強(qiáng)膜也是可以的。結(jié)果一來(lái)，通過(guò)偏振片的P波(或S波)就會(huì)增多，就能夠獲得累積光量增大的效果。在兩面發(fā)光面板中，從發(fā)光元件所經(jīng)過(guò)的層結(jié)構(gòu)是不同的，因此發(fā)光狀態(tài)(亮度、色度等)是不同的，光學(xué)膜對(duì)于調(diào)節(jié)兩個(gè)發(fā)光面板的發(fā)光平衡而言是有用的。還有，在兩面發(fā)光面板中，外界光的反射度也是不同的，因此從反射更多光波的角度而言，優(yōu)選在偏振片和發(fā)光面板之間設(shè)置亮度增強(qiáng)膜。
還有，為了密封發(fā)光元件1118，形成了透明的保護(hù)疊層1117。該透明的保護(hù)疊層1117是由第一無(wú)機(jī)絕緣膜、應(yīng)力松弛膜、第二無(wú)機(jī)絕緣膜的疊層構(gòu)成的。就第一無(wú)機(jī)絕緣膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜而言，可以采用通過(guò)濺鍍法或CVD法獲得的氮化硅膜、氧化硅膜、氧化氮化硅膜(SiNO膜(組成比N＞O)或SiON膜(組成比N＜O))、以碳為主要成分的薄膜(比如DLC膜、CN膜)。這些無(wú)機(jī)絕緣膜對(duì)水分具有高的阻擋效果，但如果膜厚過(guò)厚的話，膜應(yīng)力會(huì)增大，容易產(chǎn)生剝離和膜剝落現(xiàn)象。但是，通過(guò)在第一無(wú)機(jī)絕緣膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜之間夾入應(yīng)力松弛膜，就能夠在松弛應(yīng)力的同時(shí)吸收水分。還有，即使成膜時(shí)不管什么原因而在第一無(wú)機(jī)絕緣膜上形成了微小的孔隙(針孔等)，通過(guò)應(yīng)力松弛膜可以填塞之，而且通過(guò)在其上設(shè)置第二無(wú)機(jī)絕緣膜，可產(chǎn)生對(duì)水分和氧極高的阻擋效果。還有，就應(yīng)力松弛膜而言，優(yōu)選與無(wú)機(jī)絕緣膜相比應(yīng)力更小而且具有吸濕性的材料。而且，所希望的是具有透光性的材料。還有，就應(yīng)力松弛膜而言，可以采用含有α-NPD(4，4′-雙[N-(萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯)、BCP(浴銅靈)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺)、Alq3(三-8-喹啉醇合銨絡(luò)合物)等有機(jī)化合物的材料膜，這些材料膜具有吸濕性，如果膜厚很薄的話，基本上是透明的。還有，MgO、SrO2、SrO具有吸濕性和透光性，而且能夠通過(guò)蒸鍍法獲得薄膜，因此能夠用作應(yīng)力松弛膜。在本實(shí)施例中，將采用了硅靶而在含有的氮和氬氣氛下成膜的膜，即，使用對(duì)水分和堿金屬等雜質(zhì)具有高阻擋效果的氮化硅膜作為第一無(wú)機(jī)絕緣膜或第二無(wú)機(jī)絕緣膜，采用通過(guò)蒸鍍法獲得Alq3薄膜作為應(yīng)力松弛膜。還有，為了使發(fā)射光通過(guò)透明保護(hù)疊層，透明保護(hù)疊層的總膜厚盡可能薄是優(yōu)選的。
還有，為了密封發(fā)光元件1118，在非活性氣體氣氛下借助第一密封材料1105、第二密封材料1107貼合密封基板1104。而且，就第一密封材料1105而言，優(yōu)選采用環(huán)氧系樹(shù)脂。還有，就第二密封材料1107而言，只要是具有透光性的材料即可沒(méi)有特別的限制，典型地優(yōu)選采用紫外線固化或熱固化的環(huán)氧樹(shù)脂。在這里，采用了折射率為1.50、粘度500cps、肖氏D硬度90、拉伸強(qiáng)度3000psi、Tg為150℃、體積電阻為1×1015Ω·cm、耐壓450V/mil的高耐熱性UV環(huán)氧樹(shù)脂(Electrolight公司制造2500Clear)。還有，通過(guò)在一對(duì)基板之間填充第二密封材料1107，與一對(duì)基板之間形成空間(非活性氣體)的情況相比，能夠提高整體透過(guò)率。還有，所希望的是，第一密封材料1105、第二密封材料1107希望盡可能是不透過(guò)水分和氧的材料。
還有，在本實(shí)施例中，作為構(gòu)成密封基板1104的材料，除了玻璃基板和石英基板等以外，可以采用FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯薄膜、聚酯或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂等構(gòu)成的塑料基板。還有，在采用第一密封材料1105和第二密封材料1107粘結(jié)完密封基板1104之后，為了進(jìn)一步覆蓋側(cè)面(暴露面)，也可以采用第三密封材料進(jìn)行密封。
如前所述，通過(guò)用第一密封材料1105、第二密封材料1107將發(fā)光元件密封，能夠使發(fā)光元件與外部完全隔離，由此防止從外部而來(lái)的水分和氧等促使有機(jī)化合物層性能變差的物質(zhì)侵入。因此，能夠獲得可靠性高的發(fā)光裝置。
還有，在制造上面發(fā)射型發(fā)光裝置時(shí)，陽(yáng)極優(yōu)選是具有反射性的金屬膜(鉻、氮化鈦等)。還有，在制造下面發(fā)射型發(fā)光裝置時(shí)，陰極優(yōu)選采用Al、Ag、Li、Ca或這些金屬的合金MgAg、MgIn、AlLi構(gòu)成的金屬膜(膜厚50nm-200nm)。
還有，本實(shí)施例可以與實(shí)施方案1-4、實(shí)施例1-3中的任意一個(gè)自由組合。
實(shí)施例5在本實(shí)施例中，就裝備了至少2個(gè)顯示裝置的電器的實(shí)例利用圖12進(jìn)行說(shuō)明。利用本發(fā)明能夠制造具備EL組件的電器。就這些電器而言，比如可以提及攝象機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、ゴ-グル型顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、放音裝置(汽車(chē)音響、組合音響)、個(gè)人筆記本電腦、游戲機(jī)、便攜式信息終端(掌上電腦、手提電話、掌上游戲機(jī)或電子圖書(shū)等)、裝備了記錄介質(zhì)的圖象再現(xiàn)裝置(具體而言，裝備了數(shù)字通用光盤(pán)(DVD)等再現(xiàn)記錄介質(zhì)并顯示圖象的顯示器的裝置)等。
圖12(A)是個(gè)人筆記本電腦的斜視圖，圖12(B)是表示其折疊狀態(tài)的斜視圖。個(gè)人筆記本電腦包含本體2201、框體2202、顯示部分2203a、2203b、鍵盤(pán)2204、外部接線插槽2205、點(diǎn)觸式鼠標(biāo)2206等。
圖12(A)和圖12(B)所示的個(gè)人筆記本電腦裝備了主要用以全彩色顯示圖象的高畫(huà)質(zhì)顯示部分2203a和主要用以單色顯示文字和符號(hào)等的顯示部分2203b。
還有，圖12(C)是掌上電腦的斜視圖。圖12(D)是表示其背側(cè)的斜視圖。掌上電腦包含本體2301、顯示部分2302a、2302b、開(kāi)關(guān)2303、操作鍵2304、紅外線接口2305。它配備了主要用以全彩色顯示圖象的高畫(huà)質(zhì)顯示部分2302a和主要用以單色顯示文字和符號(hào)等的顯示部分2302b。
還有，圖12(E)是數(shù)字照相機(jī)，它包含本體2601、顯示部分2602、框體2603、外部接線插槽2604、遙控器信號(hào)接收部分2605、圖象接收部分2606、電池2607、聲音輸入部分2608、操作鍵2609等。顯示部分2602是兩面發(fā)光面板，在其一面上是主要用以全彩色顯示圖象的高畫(huà)質(zhì)顯示部分，而另一面上主要能夠單色顯示文字和信號(hào)等。而且，顯示部分2602能在安裝位置處旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明能夠適用于顯示部分2602。
還有，圖12(F)是手提電話的斜視圖，圖12(G)是表示其折疊狀態(tài)的斜視圖。手提電話包含本體2701、框體2702、顯示部分2703a、2703b、聲音輸入部分2704、聲音輸出部分2705、操作鍵2706、外部接線插槽2707、天線2708。
圖12(F)和圖12(G)所示的手提電話，配備了主要用以全彩色顯示圖象的高畫(huà)質(zhì)顯示部分2703a和主要用以按區(qū)域彩色顯示文字和符號(hào)等的顯示部分2703b。此時(shí)，顯示部分2703a中采用了顏色濾光片，顯示部分2703b中使用了可產(chǎn)生區(qū)域彩色效果的光學(xué)膜。
還有，本實(shí)施例可以與實(shí)施方案1-4、實(shí)施例1-4中的任意一個(gè)自由組合。
實(shí)施例6圖16表示采用了本發(fā)明顯示裝置的手提電話在充電時(shí)的情況的圖。雖然在圖16中，手提電話在打開(kāi)狀態(tài)時(shí)兩側(cè)發(fā)光，但是在關(guān)閉狀態(tài)下也是可以的。一般地，在采用了發(fā)光元件的顯示裝置中，發(fā)光元件的性能會(huì)隨著時(shí)間而變差，亮度會(huì)逐步下降。特別地，在發(fā)光元件是按逐個(gè)象素方式設(shè)置的顯示裝置中，根據(jù)部位的不同，象素的點(diǎn)亮頻率是不同的，因此隨著部位的不同，性能變差的程度是不同的。因此，點(diǎn)亮頻率越高的象素其性能下降就越嚴(yán)重，表現(xiàn)為出現(xiàn)圖象保留( きつき)現(xiàn)象，使畫(huà)質(zhì)下降。因此，通過(guò)在通常使用狀態(tài)下不進(jìn)行但在充電等時(shí)才予以顯示，由此使使用頻率低的象素點(diǎn)亮，就可以使圖象保留現(xiàn)象變得不明顯。就充電時(shí)的顯示內(nèi)容而言，可以是全點(diǎn)亮、標(biāo)準(zhǔn)圖象(待機(jī)畫(huà)面等)明暗反轉(zhuǎn)的圖象、為檢測(cè)使用頻率低的象素而顯示的圖象等。
圖14是與該圖對(duì)應(yīng)的方框圖，CPU2001獲得了從充電器2017而來(lái)的充電狀態(tài)檢測(cè)信號(hào)，為了顯示與前述相應(yīng)的信號(hào)，向顯示器控制器2004發(fā)出指令，使兩面發(fā)光顯示器發(fā)光。
圖l5是制作使前述標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)明暗反轉(zhuǎn)的圖象的方法的實(shí)例。將圖象信號(hào)選擇開(kāi)關(guān)2106的輸出向開(kāi)關(guān)2107輸入，開(kāi)關(guān)2106的信號(hào)可以原樣輸入顯示器2101，也可以反轉(zhuǎn)輸入，根據(jù)情況進(jìn)行選擇。在需要明暗反轉(zhuǎn)效果時(shí)，可以進(jìn)行反轉(zhuǎn)輸入。該選擇是通過(guò)顯示器控制器進(jìn)行的。還有，在進(jìn)行全點(diǎn)亮?xí)r，可以向顯示器2101輸入固定的電壓。(圖中未表示)這樣，通過(guò)在充電過(guò)程中進(jìn)行旨在降低圖象保留現(xiàn)象的發(fā)光操作，就能夠抑制顯示畫(huà)質(zhì)變差的問(wèn)題。
還有，本實(shí)施例可以與實(shí)施方案1-4、實(shí)施例1-5中的任意一個(gè)自由組合。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)對(duì)大面積基板進(jìn)行選擇性的蒸鍍，能夠獲得掩模精度高的大型掩模。還有，根據(jù)本發(fā)明，提供了蒸鍍裝置，利用該裝置，即使是對(duì)于大面積基板，也能夠在整個(gè)基板表面上獲得均一的膜厚。
權(quán)利要求
1.掩模，它是具有圖暗開(kāi)口的薄板狀掩模，其特征在于，該掩模是在拉伸狀態(tài)下固定在框架上的，而且，所述掩模是粘結(jié)在與通過(guò)框架構(gòu)件熱膨脹中心的線重合的位置上的。
2.權(quán)利要求1的掩模，其特征在于所述框架的四角具有曲率。
3.權(quán)利要求1的掩模，其特征在于所述掩模是通過(guò)具有耐熱性的粘合劑與框架粘結(jié)的。
4.掩模，它是具有圖案開(kāi)口的薄板狀掩模，其特征在于，該掩模是在拉伸狀態(tài)下固定在框架上的，而且，所述掩模是粘結(jié)在與通過(guò)框架構(gòu)件熱膨脹中心的線相比靠外側(cè)的位置上的，在蒸鍍時(shí)框架因加熱而產(chǎn)生膨脹，從而使該掩模保持拉伸狀態(tài)。
5.權(quán)利要求4的掩模，其特征在于所述框架的四角具有曲率。
6.權(quán)利要求4的掩模，其特征在于所述掩模是通過(guò)具有耐熱性的粘合劑與框架粘結(jié)的。
7.容器，它是貯存著安裝在蒸鍍裝置蒸鍍?cè)瓷系恼翦儾牧系娜萜?，其特征在于所述容器的平面的截面是長(zhǎng)方形或正方形的，而且蒸鍍材料所通過(guò)的開(kāi)口部分是細(xì)長(zhǎng)形狀的。
8.制造裝置，其是具有裝載室、與該裝載室相連的運(yùn)送室、與該運(yùn)送室相連的多個(gè)成膜室以及與該成膜室相連的設(shè)置室的制造裝置，其特征在于，所述多個(gè)成膜室與使所述成膜室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連，該成膜室具有固定基板用裝置、掩模、固定該掩模用框架、對(duì)合掩模和基板位置用的對(duì)準(zhǔn)裝置、1個(gè)或2個(gè)蒸鍍?cè)?、使該蒸鍍?cè)丛谒龀赡な覂?nèi)移動(dòng)的裝置、加熱基板用裝置，掩模的端部是粘結(jié)在與通過(guò)所述框架構(gòu)件的熱膨脹中心的線重合的位置上的。
9.權(quán)利要求8的制造裝置，其特征在于，所述成膜室和所述設(shè)置室是與使室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連的，而且具有材料氣或清洗氣體引入裝置。
10.權(quán)利要求8的制造裝置，其特征在于，所述蒸鍍?cè)丛诔赡な覂?nèi)可沿X方向、Y方向或Z方向移動(dòng)。
11.權(quán)利要求8的制造裝置，其特征在于，在所述成膜室中具有將成膜室內(nèi)部分割開(kāi)來(lái)并阻止向所述基板進(jìn)行蒸鍍的開(kāi)合門(mén)。
12.制造裝置，其是具有裝載室、與該裝置室相連的運(yùn)送室、與該運(yùn)送室相連的多個(gè)成膜室以及與該成膜室相連的設(shè)置室的制造裝置，其特征在于，所述多個(gè)成膜室與使所述成膜室內(nèi)產(chǎn)生真空所用的真空排氣處理室相連，該成膜室具有固定基板用裝置、掩模、固定該掩模用框架、對(duì)合掩模和基板位置用的對(duì)準(zhǔn)裝置、1個(gè)或2個(gè)蒸鍍?cè)?、使該蒸鍍?cè)丛谒龀赡な覂?nèi)移動(dòng)的裝置以及加熱基板用裝置，貯存著安裝在所述蒸鍍?cè)瓷系恼翦儾牧系娜萜?，其平面的截面是長(zhǎng)方形或正方形，而且開(kāi)口部分是細(xì)長(zhǎng)形狀的。
13.權(quán)利要求12的制造裝置，其特征在于，所述容器是由上部分和下部分構(gòu)成的，由所述蒸鍍?cè)炊鴣?lái)的材料的蒸發(fā)是通過(guò)容器上部分中開(kāi)口部分的形狀來(lái)調(diào)節(jié)的。
14.權(quán)利要求12的制造裝置，其特征在于，所述成膜室和所述設(shè)置室是與使室內(nèi)形成真空所用的真空排氣處理室相連的，而且具有材料氣或清洗氣體引入裝置。
15.權(quán)利要求12的制造裝置，其特征在于，所述蒸鍍?cè)丛诔赡な覂?nèi)可沿X方向、Y方向或Z方向移動(dòng)。
16.權(quán)利要求12的制造裝置，其特征在于在所述成膜室中具有將成膜室內(nèi)部分割開(kāi)來(lái)并阻止向所述基板進(jìn)行蒸鍍的開(kāi)合門(mén)。
全文摘要
通過(guò)對(duì)大面積基板進(jìn)行選擇性的蒸鍍，本發(fā)明提供了掩模精度高的大型掩模。本發(fā)明將掩模本體固定在固定位置處，該固定位置是設(shè)置在通過(guò)掩?？蚣艿臒崤蛎浿行牡木€上的。還有，在本發(fā)明中，使掩模本體和基板固定，通過(guò)使蒸鍍?cè)囱豖方向或Y方向移動(dòng)來(lái)進(jìn)行蒸鍍。這種使蒸鍍?cè)囱豖方向或Y方向移動(dòng)的方法適合于大型基板的蒸鍍。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1621555SQ20041003432
公開(kāi)日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月10日
發(fā)明者山崎舜平, 坂田淳一郎, 桑原秀明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所