專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列(Thin Film Transistor Array)基板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別涉及一種可以防止像素儲(chǔ)存電容器發(fā)生漏電的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層所構(gòu)成，其中薄膜晶體管陣列基板是由多個(gè)以陣列排列的薄膜晶體管以及與每一薄膜晶體管對(duì)應(yīng)配置的一像素電極(Pixel Electrode)而構(gòu)成多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。而上述薄膜晶體管包括柵極、通道層、漏極與源極，其用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其為現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板其中一像素結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。此像素結(jié)構(gòu)配置在一基板(未示出)上，其包括一掃描線102、一數(shù)據(jù)線104、一薄膜晶體管130、一像素儲(chǔ)存電容器116以及一像素電極112。
其中，薄膜晶體管130包括柵極106、通道層108與源極/漏極110a/110b，且柵極106與掃描線102電性連接，源極110a與數(shù)據(jù)線104電性連接，而漏極110b通過接觸窗114而與像素電極112電性連接。
另外，像素儲(chǔ)存電容器116包括下部電極118、上部電極120以及位于下部電極118與上部電極120之間的電容介電層，且上部電極120通過接觸窗122而與像素電極112電性連接。其中，下部電極118為一共用線，其與掃描線102以及柵極106同樣是屬于第一金屬層(M1)。而上部電極120與數(shù)據(jù)線104以及源極/漏極110a/110b同樣是屬于第二金屬層(M2)。而在第一金屬層與第二金屬層之間配置有一柵極絕緣層(未示出)，在第二金屬層與像素電極112之間則是配置有一保護(hù)層(未示出)。
特別值得一提的是，一般在基板的二邊緣處會(huì)設(shè)計(jì)有端子部(未示出)，用以與驅(qū)動(dòng)電路電性連接，其中端子部是屬于第一金屬層(M1)的一部分，且數(shù)據(jù)線104與掃描線102延伸至基板邊緣都會(huì)與端子部電性連接。
為了使端子部裸露出來，以使其能與驅(qū)動(dòng)電路電性連接，因此必須將端子部上方的柵極絕緣層與保護(hù)層都蝕開。然而，對(duì)接觸窗114、122而言，卻僅需將保護(hù)層蝕開，特別是對(duì)像素儲(chǔ)存電容器116上的接觸窗122而言，僅能蝕開該處的保護(hù)層，而必須保留該處的柵極絕緣層，以避免像素儲(chǔ)存電容器116的上、下部電極118、120之間產(chǎn)生漏電。因此，保護(hù)層與柵極絕緣層的蝕刻步驟對(duì)薄膜晶體管制造而言是相當(dāng)關(guān)鍵且具有難度的技術(shù)。
現(xiàn)有技術(shù)中，為了克服上述問題，一種方法是在接觸窗底下多形成一層非晶硅層，其在限定薄膜晶體管的通道層時(shí)被同時(shí)限定出。換言之，利用非晶硅層作為阻擋層，以防止接觸窗底下的柵極絕緣層被蝕穿。然而，此種方法必須調(diào)整非晶硅與柵極絕緣層之間的蝕刻選擇比，因此并非容易完成。
另一種現(xiàn)有方法是于接觸窗底下的下部電極中先形成一開口，意即先將對(duì)應(yīng)于接觸窗底下的下部電極處挖空，如此一來，即使接觸窗底下的柵極絕緣層被蝕開，也不會(huì)使上部電極與下部電極之間產(chǎn)生漏電。但是，此種方法仍具有其缺點(diǎn)，也就是先于下部電極中挖出開口之后，后續(xù)要將接觸窗開口與下部電極中的開口對(duì)準(zhǔn)，仍有對(duì)準(zhǔn)不易的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中于薄膜晶體管制造中的柵極絕緣層與保護(hù)層的蝕刻步驟，容易發(fā)生像素結(jié)構(gòu)的像素儲(chǔ)存電容器的上、下部電極產(chǎn)生的漏電問題。
本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一掃描線、一共用線、一柵極絕緣層、一數(shù)據(jù)線、一開關(guān)元件(例如是一薄膜晶體管)、一導(dǎo)電層、一保護(hù)層、一平坦層、一接觸窗以及一像素電極。其中，掃描線配置在一基板上，共用線亦配置在基板上，且共用線與掃描線平行配置，共用線作為像素儲(chǔ)存電容器的下部電極之用。柵極絕緣層配置在基板上，覆蓋掃描線與共用線。數(shù)據(jù)線配置在柵極絕緣層上。另外，開關(guān)元件配置在基板上，且此開關(guān)元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。此外，導(dǎo)電層配置在柵極絕緣層上，此導(dǎo)電層具有一耦合部與一連接部，其中耦合部位于共用線的上方，其作為像素儲(chǔ)存電容器的上部電極之用，而連接部將耦合部與開關(guān)元件連接起來。在一優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電層的連接部為一多通道結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，其包括用來與開關(guān)元件連接的第一部分，用來與耦合部連接的第二部分，以及位于第一部分與第二部分之間的第三部分，第三部分為多通道結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。保護(hù)層覆蓋住數(shù)據(jù)線、開關(guān)元件以及導(dǎo)電層，而平坦層配置在保護(hù)層上。另外，接觸窗配置在連接部上的平坦層與保護(hù)層中，在一優(yōu)選實(shí)施例中，接觸窗配置在連接部的多通道結(jié)構(gòu)中的一通道上的平坦層與保護(hù)層中。而像素電極配置在平坦層的表面上，其中像素電極通過接觸窗而與導(dǎo)電層的連接部電性連接。由于開關(guān)元件與導(dǎo)電層連接在一起，像素電極又與導(dǎo)電層的連接部電性連接，因此像素電極、整個(gè)導(dǎo)電層(包括耦合部)以及開關(guān)元件之間便彼此電性導(dǎo)通。
本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，此方法首先在一基板上形成一柵極、與柵極電性連接的一掃描線以及與掃描線平行的一共用線，共用線后續(xù)作為一像素儲(chǔ)存電容器的下部電極。接著，在基板上形成一柵極絕緣層，覆蓋柵極、掃描線以及共用線。之后，在柵極上方的柵極絕緣層上形成一通道層。隨后，在柵極絕緣層上形成一數(shù)據(jù)線與一導(dǎo)電層，且同時(shí)通道層上形成一源極/漏極，其中柵極、通道層、源極/漏極構(gòu)成一薄膜晶體管，且數(shù)據(jù)線與源極電性連接。另外，所形成的導(dǎo)電層具有一耦合部與一連接部，其中耦合部形成在共用線的上方，其作為像素儲(chǔ)存電容器的上部電極之用，而導(dǎo)電層的連接部將其耦合部與薄膜晶體管的漏極連接起來。在一優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電層的連接部為一多通道結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，其包括用來與漏極連接的第一部分，用來與耦合部連接的第二部分，以及位于第一部分與第二部分之間的第三部分，第三部分為多通道結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，而后續(xù)所形成的接觸窗開口則會(huì)暴露出第三部分的其中一通道。之后，在基板的上方形成一保護(hù)層，覆蓋數(shù)據(jù)線、導(dǎo)電層以及薄膜晶體管，并且在保護(hù)層上形成一平坦層。接著，在平坦層與保護(hù)層中形成一接觸窗開口，暴露出導(dǎo)電層的連接部，在一優(yōu)選實(shí)施例中，所形成的接觸窗開口暴露出連接部的其中一通道。隨后，在平坦層的表面上形成一像素電極，其中像素電極通過接觸窗開口而與導(dǎo)電層的連接部電性連接。由于漏極與導(dǎo)電層連接在一起，像素電極又與導(dǎo)電層電性連接，因此像素電極、導(dǎo)電層以及漏極之間便彼此電性導(dǎo)通。
由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)其像素電極與漏極以及像素儲(chǔ)存電容器的上部電極之間，是透過相同的一接觸窗來電性連接，因此本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)為一種有別于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。
由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)其接觸窗并非設(shè)置在像素儲(chǔ)存電容器的上方，因此，即使保護(hù)層與柵極絕緣層的蝕刻步驟會(huì)將柵極絕緣層蝕穿，也不會(huì)導(dǎo)致像素儲(chǔ)存電容器的上、下部電極之間產(chǎn)生漏電。


圖1是現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板中的一像素結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖；圖2是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板中的一像素結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖；圖3是圖2由I-I’的示意性剖視圖；以及圖4是圖2中導(dǎo)電層的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖3，圖2為依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板中的一像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3為圖2中由I-I’的示意性剖視圖。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法首先提供一基板200，其中基板200例如是一玻璃基板或是一塑料基板。之后，在基板200上形成一柵極206、與柵極206電性連接的一掃描線202以及與掃描線202平行的一共用線218，共用線218后續(xù)用來作為像素儲(chǔ)存電容器216的下部電極。而柵極206、掃描線202與共用線218屬于第一金屬層(M1)。
在此，第一金屬層還包括多個(gè)端子部(未示出)，其形成在基板200的二邊緣處，而上述所形成的掃描線202與后續(xù)所形成的數(shù)據(jù)線，其延伸至基板200的邊緣處都會(huì)與端子部電性連接。
接著，在基板200上形成一柵極絕緣層205，覆蓋住第一金屬層(包括柵極206、掃描線202與共用線218)。在一優(yōu)選實(shí)施例中，柵極絕緣層205的材質(zhì)例如是氮化硅或氧化硅。
之后，在柵極206上方的柵極絕緣層205上形成一通道層208。在一優(yōu)選實(shí)施例中，通道層208的材質(zhì)例如是非晶硅，且通道層208的表面上，還形成有一歐姆接觸層(未示出)，用以改善通道層208與后續(xù)所形成的源極/漏極之間的電性接觸。
隨后，在柵極絕緣層205上形成一數(shù)據(jù)線204與一導(dǎo)電層250(如圖4所示)，并且同時(shí)在通道層208上形成源極/漏極210a/210b，數(shù)據(jù)線204、導(dǎo)電層250與源極/漏極210a/210b屬于第二金屬層(M2)。其中，源極210a與數(shù)據(jù)線204電性連接，且柵極206、通道層208與源極/漏極210a/210b構(gòu)成一薄膜晶體管。
上述所形成的導(dǎo)電層250具有一耦合部220以及一連接部240，其中耦合部220形成在共用線218的上方，其作為像素儲(chǔ)存電容器216的上部電極，而連接部240將耦合部220與漏極210b連接起來。
特別是，在一優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電層250的連接部240更可以限定成多通道的結(jié)構(gòu)，如圖4所示，連接部240包括與漏極210b連接的第一部分226a，與耦合部220連接的第二部分226b，以及位于第一部分226a與第二部分226b之間的第三部分224，第三部分224為多通道結(jié)構(gòu)，圖中示出三個(gè)通道224a、224b、224c為例來作說明，但并非用以限定本發(fā)明。作此種多通道結(jié)構(gòu)的目的是后續(xù)在限定接觸窗開口時(shí)，會(huì)被限定在其中一通道的上方，例如是被限定在中間通道224b的上方。而其他的通道224a、224c則是擔(dān)任傳導(dǎo)載體的任務(wù)，倘若當(dāng)其中有一通道(例如是通道224a)因制造因素或其他因素而無法導(dǎo)通時(shí)，其剩余的通道(例如是224c)則可以繼續(xù)擔(dān)負(fù)起傳導(dǎo)載體的任務(wù)，而不會(huì)因上述原因就使整個(gè)像素結(jié)構(gòu)無法運(yùn)作。
特別值得一提的是，在連接部240的第三部分224的底下更可以形成一遮光層222，此遮光層222屬于第一金屬層的一部分，換言之，遮光層222在先前在限定柵極206、掃描線202與共用線218時(shí)被同時(shí)限定出。在此處形成遮光層222的目的是用來遮檔后續(xù)于其上方因形成有接觸窗而會(huì)造成的光散射現(xiàn)象。
在形成第二金屬層(包括數(shù)據(jù)線204、導(dǎo)電層250與源極/漏極210a/210b)之后，在基板200的上方形成一保護(hù)層211，覆蓋住第二金屬層，其中保護(hù)層211的材質(zhì)例如是氮化硅或氧化硅。隨后，在保護(hù)層211上形成一平坦層213，其中平坦層213的材質(zhì)例如是有機(jī)感光材料。
之后，圖案化平坦層213與保護(hù)層211，以在平坦層213與保護(hù)層211中形成一接觸窗開口228，暴露出導(dǎo)電層250的連接部240的一部分。在一優(yōu)選實(shí)施例中，接觸窗開口228暴露出連接部240的其中一通道224b。在此，倘若第二金屬層是使用鈦/鋁雙層金屬層作為其材質(zhì)，則在限定接觸窗開口228的蝕刻過程中，可能會(huì)同時(shí)宜除掉通道224b上層的鋁層，而留下下層的鈦層，因此圖3中通道224b的厚度明顯較通道224a、224c厚度小。
特別值得一提的是，由于本發(fā)明的接觸窗開口228并不是被限定在像素儲(chǔ)存電容器216的正上方，因此即使于限定接觸窗開口228的蝕刻步驟會(huì)將柵極絕緣層205蝕穿，也不會(huì)造成像素儲(chǔ)存電容器216的上、下部電極218、220之間產(chǎn)生漏電。而且，倘若此蝕刻步驟會(huì)將柵極絕緣層205蝕穿，但由于接觸窗開口228底下所配置的是遮光層222，其為未與其他導(dǎo)電材質(zhì)層有電性連接的膜層，因此仍不會(huì)對(duì)整個(gè)元件有不良的影響。
之后，在平坦層213的表面上形成一像素電極212，其中像素電極212通過接觸窗開口228而與導(dǎo)電層250的連接部240(即通道224b)電性連接。
而由于導(dǎo)電層250的耦合部220與薄膜晶體管230的漏極210b之間通過連接部240連接在一起，而且像素電極212又與連接部240電性連接，因此像素電極212、導(dǎo)電層250(包括耦合部220與連接部240)以及薄膜晶體管230的漏極210b之間便彼此電性導(dǎo)通。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包括一掃描線202、一共用線218、一柵極絕緣層205、一數(shù)據(jù)線204、一開關(guān)元件230(例如是薄膜晶體管)、一導(dǎo)電層250、一保護(hù)層211、一平坦層213、一接觸窗228以及一像素電極212。
其中，掃描線202配置在一基板200上，共用線218亦配置在基板200上，其作為像素儲(chǔ)存電容器216的下部電極，且共用線218與掃描線202平行配置。
柵極絕緣層205配置在基板200上，覆蓋掃描線202與共用線218。數(shù)據(jù)線204配置在柵極絕緣層205上。
另外，開關(guān)元件230例如是一薄膜晶體管，其配置在基板200上，此薄膜晶體管230具有一柵極206、一通道層208以及一源極/漏極210a/210b，其中柵極206與掃描線202電性連接，通道層208配置在柵極206上方的柵極絕緣層205上，源極/漏極210a/210b配置在通道層208上，而源極210a與數(shù)據(jù)線204電性連接。
此外，導(dǎo)電層250配置在柵極絕緣層205上，此導(dǎo)電層250具有一耦合部220與一連接部240，其中耦合部220位于共用線218的上方，其作為像素儲(chǔ)存電容器216的上部電極，而連接部240將耦合部220與薄膜晶體管230的漏極210b連接起來。在圖4所示優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電層250的連接部240例如是多通道結(jié)構(gòu)，連接部240包括與漏極210b連接的第一部分226a，與耦合部220連接的第二部分226b，以及位在第一部分226a與第二部分226b之間的第三部分224，第三部分224為多通道結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。而且，在連接部240的第三部分224之處的底下更配置有一遮光層222，此遮光層222與柵極206、掃描線202以及共用線218同樣是屬于第一金屬層，而遮光層222用來遮檔后續(xù)于其上方因形成有接觸窗而會(huì)造成的光散射現(xiàn)象。
再者，保護(hù)層211覆蓋住數(shù)據(jù)線204、薄膜晶體管230以及導(dǎo)電層250。另外，平坦層213配置在保護(hù)層211上。
而接觸窗228配置在連接部240上方的平坦層213與保護(hù)層211中，且接觸窗228與導(dǎo)電層250的連接部240電性連接。在一優(yōu)選實(shí)施例中，接觸窗228配置在連接部240的通道224b上方的平坦層213與保護(hù)層211中，且其與連接部240的通道224b電性連接。
像素電極212配置在平坦層213的表面上，其中像素電極212通過接觸窗228而與導(dǎo)電層250的連接部240電性連接，較詳細(xì)的是，像素電極212通過接觸窗228而與連接部240的通道224b電性連接。通過通道224b與像素電極212的電性接觸，像素電極212與整個(gè)導(dǎo)電層250之間便彼此電性導(dǎo)通。此外，由于漏極210b又與導(dǎo)電層250連接在一起，因此像素電極212、導(dǎo)電層250以及漏極210b之間都彼此電性導(dǎo)通。
因此，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)其像素電極與漏極以及像素儲(chǔ)存電容器的上部電極之間，是透過相同的一接觸窗來電性連接，因此本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)為一種有別于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。
另外，由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的接觸窗并非設(shè)置在像素儲(chǔ)存電容器的上方，因此，即使保護(hù)層與柵極絕緣層的蝕刻步驟會(huì)將柵極絕緣層蝕穿，也不會(huì)導(dǎo)致像素儲(chǔ)存電容器的上、下部電極之間產(chǎn)生漏電。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線，配置在一基板上；一共用線，配置在該基板上，其作為一像素儲(chǔ)存電容器的下部電極；一柵極絕緣層，配置在該基板上，覆蓋該掃描線與該共用線；一數(shù)據(jù)線，配置在該柵極絕緣層上；一開關(guān)元件，配置在該基板上，其中該開關(guān)元件與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一導(dǎo)電層，配置在該柵極絕緣層上，其中該導(dǎo)電層具有一耦合部與一連接部，該耦合部位于該共用線的上方，其作為該像素儲(chǔ)存電容器的上部電極，而該連接部將該耦合部與該開關(guān)元件連接起來；一保護(hù)層，覆蓋住該數(shù)據(jù)線、該開關(guān)元件以及該導(dǎo)電層；一接觸窗，配置在該連接部上方的該保護(hù)層中；以及一像素電極，配置在該保護(hù)層上，其中該像素電極通過該接觸窗而與該開關(guān)元件以及該導(dǎo)電層的該耦合部電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層的該連接部為一多通道結(jié)構(gòu)，其包括一第一部分，其與該耦合部連接；一第二部分，其與該開關(guān)元件連接；以及一第三部分，位于該第一部分與該第二部分之間，且該第三部分具有復(fù)多個(gè)通道。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接觸窗配置在該第三部分中的一該些通道上方的該保護(hù)層中，且與該通道電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，對(duì)應(yīng)于配置有該接觸窗處的該連接部底下，還配置有一遮光層。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，在該保護(hù)層與該像素電極之間，還配置有一平坦層。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該開關(guān)元件為一薄膜晶體管，其包括一柵極，該柵極與該掃描線電性連接；一通道層，該通道層配置在該柵極上方的該柵極絕緣層上；以及一源極/漏極，該源極/漏極配置在該通道層上，且該源極與該數(shù)據(jù)線電性連接，該漏極與該導(dǎo)電層的該連接部連接。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線與該共用線平行配置。
8.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在一基板上形成一柵極、與該柵極電性連接的一掃描線以及一共用線；在該基板上形成一柵極絕緣層，覆蓋該柵極、該掃描線以及該共用線；在該柵極上方的該柵極絕緣層上形成一通道層；在該柵極絕緣層上形成一數(shù)據(jù)線與一導(dǎo)電層，且同時(shí)在該通道層上形成一源極/漏極，其中該數(shù)據(jù)線與該源極電性連接，且該導(dǎo)電層具有一耦合部與一連接部，該耦合部形成在該共用線的上方，該連接部將該耦合部與該漏極連接起來；在該基板的上方形成一保護(hù)層，覆蓋該數(shù)據(jù)線、該導(dǎo)電層以及該薄膜晶體管；在該保護(hù)層中形成一接觸窗開口，暴露出該導(dǎo)電層的該連接部；以及在該保護(hù)層上形成一像素電極，其中該像素電極通過該接觸窗開口而與該導(dǎo)電層電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電層的該連接部限定成一多通道結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該接觸窗開口暴露出該連接部中的一通道。
11.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在該接觸窗底下的該連接部底下，還形成有一遮光層。
12.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該遮光層是在形成該柵極、該掃描線以及該共用線時(shí)所同時(shí)形成的一部分。
13.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該像素電極之前，還在該保護(hù)層上形成一平坦層。
14.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所形成的該共用線與該掃描線平行。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，此方法在形成數(shù)據(jù)線與源極/漏極時(shí)，同時(shí)形成一導(dǎo)電層，所形成的導(dǎo)電層具有一耦合部以及一連接部，耦合部作為像素儲(chǔ)存電容器的上部電極，而連接部將耦合部與漏極連接在一起。之后，一接觸窗開口被限定在連接部的上方，以使后續(xù)所形成的像素電極能通過此接觸窗開口而與導(dǎo)電層的連接部電性接觸。如此一來，像素電極、導(dǎo)電層(包括耦合部)以及漏極之間都彼此電性導(dǎo)通。由于本發(fā)明的接觸窗并非形成在像素儲(chǔ)存電容器的正上方，因此即使接觸窗的蝕刻處理可能會(huì)蝕穿柵極絕緣層，也不會(huì)造成像素儲(chǔ)存電容器漏電。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1677202SQ200410031439
公開日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2004年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者姜志宏, 西野大輔 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司