專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，特別涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
被稱為橫向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置構(gòu)成為在中間隔著液晶相對(duì)配置的各基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面的像素區(qū)域，具有像素電極和對(duì)置電極，該對(duì)置電極與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)，由該電場(chǎng)中與基板大致平行的成分使液晶動(dòng)作。
有源矩陣型顯示裝置中應(yīng)用了這樣的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置，首先，在上述一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線包圍的各區(qū)域?yàn)樯鲜鱿袼貐^(qū)域。
其次，各像素區(qū)域具有由來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)使其動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的上述像素電極、以及被提供相對(duì)于該圖像信號(hào)成為基準(zhǔn)的信號(hào)的上述對(duì)置電極。
在此，像素電極和對(duì)置電極形成為各自在一個(gè)方向延伸的帶狀的圖案，各電極通常以2個(gè)或者2個(gè)以上的數(shù)目形成，并交替配置。作為一個(gè)例子，已知有美國(guó)專利6462799號(hào)。
另外，作為其變形例，已知有這樣的結(jié)構(gòu)像素電極和對(duì)置電極中的一個(gè)為平面狀，另一個(gè)為線狀，該另一個(gè)中間隔著絕緣膜重疊在該一個(gè)上。作為一個(gè)例子，已知有美國(guó)專利6233034號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，雖然具有優(yōu)異的大視場(chǎng)角特性，即具有能夠從相對(duì)于其顯示面的垂直方向具有大角度的方向清楚地觀察到顯示的特性，但是還希望改善高速響應(yīng)性。
本發(fā)明就是基于這樣的情況而做出的，目的在于提供一種大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性優(yōu)異的液晶顯示裝置。
另外，本發(fā)明的其它目的在于提供一種具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的大視場(chǎng)角的高像質(zhì)顯示裝置。
下面，簡(jiǎn)單地說明本申請(qǐng)所公開的發(fā)明中有代表性的發(fā)明的概要。
(1)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件；經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極；以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極，上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，由透光性材料構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置。
(2)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件、經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極、以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極；
上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有像素電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，由透光性材料組成；和對(duì)置電極，由在該絕緣膜的上層與該像素電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有像素電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和對(duì)置電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述像素電極交替配置；上述各區(qū)域的各對(duì)置電極是覆蓋漏極信號(hào)線地形成的。
(3)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以圖(2)的結(jié)構(gòu)為前提，在上述各區(qū)域形成的上述絕緣膜，分別用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體構(gòu)成，并且各對(duì)置電極由透光性材料構(gòu)成。
(4)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域，具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件、經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極、以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極，上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置。
(5)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶例的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件、經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極、以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極，上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置；上述絕緣膜的層厚，在上述另一個(gè)區(qū)域形成得比上述一個(gè)區(qū)域厚，由此上述一個(gè)區(qū)域的液晶層的層厚約為上述另一個(gè)區(qū)域的液晶層的層厚的3倍。
(6)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(5)的結(jié)構(gòu)為前提，上述一個(gè)區(qū)域的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜形成的，上述另一個(gè)區(qū)域的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體形成的，并且上述對(duì)置電極包括至少覆蓋漏極信號(hào)線的部分。
(7)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件、經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極、以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極，
上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置；上述絕緣膜的層厚在上述一個(gè)區(qū)域形成得比上述另一個(gè)區(qū)域厚。
(8)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(7)的結(jié)構(gòu)為前提，上述另一個(gè)區(qū)域的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜形成的；上述一個(gè)區(qū)域的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體形成的。
(9)本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于，例如在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板中的一個(gè)基板上具有像素電極和對(duì)置電極的顯示裝置中，具有透射區(qū)域和反射區(qū)域；從基板到最上層的電極之間的距離，在透射區(qū)域比反射區(qū)域大；上述最上層的電極間的平面距離，在透射區(qū)域比反射區(qū)域大。
(10)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(9)的結(jié)構(gòu)為前提，具有在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域形成的由透明導(dǎo)電體構(gòu)成的對(duì)置電極，具有在上述反射區(qū)域形成的金屬的對(duì)置電極，具有用絕緣膜與在最上層形成的上述對(duì)置電極隔開的、由透明電極構(gòu)成的像素電極。
(11)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(9)的結(jié)構(gòu)為前提，具有在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域形成的由透明導(dǎo)電體構(gòu)成的像素電極，具有在上述反射區(qū)域形成的金屬的像素電極，具有用絕緣膜與在最上層形成的上述對(duì)置電極隔開的由透明電極構(gòu)成的對(duì)置電極。
(12)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(9)的結(jié)構(gòu)為前提，在顯示區(qū)域內(nèi)存在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界。
(13)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(12)的結(jié)構(gòu)為前提，初始取向方向與上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的延伸方向大致平行。
(14)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(12)的結(jié)構(gòu)為前提，上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界被上述最上層的電極所覆蓋，是常黑模式。
(15)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(14)的結(jié)構(gòu)為前提，覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其透射區(qū)域側(cè)的寬度比反射區(qū)域側(cè)的寬度大。
(16)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(15)的結(jié)構(gòu)為前提，覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其寬度大于透射區(qū)域中的最上層的電極間的距離與反射區(qū)域中的最上層的電極間的距離的和。
(17)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(15)的結(jié)構(gòu)為前提，覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其透射區(qū)域側(cè)的寬度比透射區(qū)域中的電極間的距離大，其反射區(qū)域側(cè)的寬度比反射區(qū)域中的電極間的距離大。
(18)本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，例如在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板中的一個(gè)基板上具有像素電極和對(duì)置電極的顯示裝置中，各像素設(shè)置有像素電極和對(duì)置電極都以線狀平行地延伸的第1區(qū)域，以及像素電極和對(duì)置電極的一者為線狀、另一者與該一者中間隔著絕緣膜重疊的平面狀的第2區(qū)域。
(19)本發(fā)明的顯示裝置，例如以(18)的結(jié)構(gòu)為前提，在上述第1區(qū)域和第2區(qū)域，上述線狀的電極間的距離不同。
(20)本發(fā)明的顯示裝置，例如以(19)的結(jié)構(gòu)為前提，電極間的距離，在上述第1區(qū)域比上述第2區(qū)域大。
根據(jù)本發(fā)明能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性優(yōu)異的顯示裝置。
此外，本發(fā)明并不限于以上結(jié)構(gòu)，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變更。


圖1A～圖1C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖3A～圖3C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖4A～圖4C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖5A～圖5C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖6A～圖6C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖7A～圖7C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖8是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。
圖9A～圖9C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖10A～圖10C表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖11是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。
圖12是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。
圖13A～圖13C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖14A～圖14C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖15A～圖15C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖16A～圖16C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖17A～圖17C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖18A～圖18C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖19A～圖19C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖20A～圖20C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖21A～圖21D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖22是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖23A～圖23B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖24A、圖24B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖25A、圖25B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖26A、圖26B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖用以下實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施方式。
實(shí)施例1
《整體結(jié)構(gòu)》圖2是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。該圖雖以等效電路表示，但是，是對(duì)應(yīng)實(shí)際的幾何學(xué)配置描繪的。
具有中間隔著液晶彼此相對(duì)配置的一對(duì)透明基板SUB1、SUB2，該液晶由密封材料SL密封，該密封材料SL同時(shí)用于對(duì)一個(gè)透明基板SUB1固定另一個(gè)透明基板SUB2。
在被密封材料SL包圍的上述一個(gè)透明基板SUB1的液晶側(cè)的面上，形成有在其x方向延伸、在y方向并列設(shè)置的柵極信號(hào)線GL，和在y方向延伸、在x方向并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL。
由各柵極信號(hào)線GL和各漏極信號(hào)線DL圍成的區(qū)域構(gòu)成了像素區(qū)域，并且這些像素區(qū)域的矩陣狀的集合體構(gòu)成了液晶顯示部AR。
另外，在x方向并列設(shè)置的各像素區(qū)域，分別形成有在這些像素區(qū)域內(nèi)布置的公共的相對(duì)電壓信號(hào)線CL。該相對(duì)電壓信號(hào)線CL為用于對(duì)各像素區(qū)域的后述的對(duì)置電極CT提供相對(duì)于圖像信號(hào)成為基準(zhǔn)的電壓的信號(hào)線。
在各像素區(qū)域形成有由來(lái)自一側(cè)的柵極信號(hào)線GL的掃描信號(hào)使其動(dòng)作的薄膜晶體管TFT，和經(jīng)由該薄膜晶體管TFT被提供來(lái)自一側(cè)的漏極信號(hào)線DL的圖像信號(hào)的像素電極PX。
在該像素電極PX與和上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL連接的對(duì)置電極CT之間產(chǎn)生電場(chǎng)，通過該電場(chǎng)控制液晶的光透射率。
各上述柵極信號(hào)線GL的一端延伸得超過上述密封材料SL，其延伸端構(gòu)成連接垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V的輸出端子的端子。另外，上述垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V的輸入端子輸入來(lái)自配置在液晶顯示板的外部的印刷電路板的信號(hào)。
垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V由多個(gè)半導(dǎo)體器件組成，彼此相鄰的多條柵極信號(hào)線形成組，每一組分配一個(gè)半導(dǎo)體器件。
同樣地，各上述漏極信號(hào)線DL的一端延伸得超過上述密封材料SL，其延伸端構(gòu)成連接圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He的輸出端子的端子。另外，上述圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He的輸入端子輸入來(lái)自配置在液晶顯示板的外部的印刷電路板的信號(hào)。
該圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He也由多個(gè)半導(dǎo)體器件組成，彼此相鄰的多條漏極信號(hào)線形成組，每一組分配一個(gè)半導(dǎo)體器件。
另外，在x方向并列設(shè)置的各像素區(qū)域公用的上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL在圖中右側(cè)的端部被公共連接，其連接線延伸得超過密封材料SL，在其延伸端構(gòu)成了端子CLT。從該端子CLT提供相對(duì)于圖像信號(hào)成為基準(zhǔn)的電壓。
上述各柵極信號(hào)線GL根據(jù)來(lái)自垂直掃描電路V的掃描信號(hào)，依次被選擇其中的一條。
另外，上述各漏極信號(hào)線DL，分別由圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He，依照上述柵極信號(hào)線GL的選擇定時(shí)，提供圖像信號(hào)。
此外，在上述實(shí)施例中，雖然垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V和圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He示出的是在透明基板SUB1上安裝的半導(dǎo)體器件，但也可以是例如橫跨在透明基板SUB1和印刷電路板之間進(jìn)行連接的、所謂的帶載(tape carrier)方式的半導(dǎo)體器件，另外，在上述薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層是由多晶硅(p-Si)構(gòu)成的半導(dǎo)體元件時(shí)，也可以是在透明基板SUB1的面上與布線層一起形成的由上述多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體元件。
《像素結(jié)構(gòu)》圖1A是表示上述像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。另外，圖1B表示圖1A的b-b線處的剖視圖，圖1C表示c-c線處的剖視圖。
在各圖中，在透明基板SUB 1的液晶側(cè)的面上，首先形成了在x方向延伸、在y方向并列設(shè)置的一對(duì)柵極信號(hào)線GL。
這些柵極信號(hào)線GL與后述的一對(duì)漏極信號(hào)線DL一起圍成矩形的區(qū)域，該區(qū)域構(gòu)成為像素區(qū)域。
該像素區(qū)域在其大致中央由沿圖中x方向延伸的假想線分成2個(gè)區(qū)域(圖中上方的區(qū)域?yàn)閰^(qū)域A，下方的區(qū)域?yàn)閰^(qū)域B)。
另外，與柵極信號(hào)線GL平行地形成有相對(duì)電壓信號(hào)線CL，該相對(duì)電壓信號(hào)線CL例如在像素區(qū)域的區(qū)域A側(cè)，位于其上部。
并且，該相對(duì)電壓信號(hào)線CL，形成為在像素區(qū)域內(nèi)與后述的漏極信號(hào)線DL相鄰并沿該漏極信號(hào)線DL延伸，并且，它們?cè)谙袼貐^(qū)域的區(qū)域B的上部形成為彼此連接起來(lái)的圖案。
即，在像素區(qū)域的區(qū)域A，在其四邊一體地形成相對(duì)電壓信號(hào)線CL，在區(qū)域B，在除了下側(cè)部分之外的三邊一體地形成相對(duì)電壓信號(hào)線CL。
在像素區(qū)域的區(qū)域B，在其大致中央，沿圖中y方向延伸的例如1個(gè)對(duì)置電極CT與相對(duì)電壓信號(hào)線CL形成一體。
在該區(qū)域B，與漏極信號(hào)線DL相鄰配置的相對(duì)電壓信號(hào)線CL也起到對(duì)置電極的作用，加上上述對(duì)置電極CT，共計(jì)形成有3個(gè)對(duì)置電極。
另外，在像素區(qū)域的區(qū)域A形成有由例如ITO(Indium TinOxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等構(gòu)成的透光性的導(dǎo)電膜，其四邊分別與相對(duì)電壓信號(hào)線CL重疊地形成，由此與該相對(duì)電壓信號(hào)線CL電連接。
該透光性導(dǎo)電膜在該區(qū)域A起到對(duì)置電極CT的作用。
在這樣形成了柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL(對(duì)置電極CT)的透明基板SUB1的表面，覆蓋該柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL(對(duì)置電極)地形成有由例如SiN組成的絕緣膜GI。
該絕緣膜GI，在后述的漏極信號(hào)線DL的形成區(qū)域，具有作為上述柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL的層間絕緣膜的作用，在后述的薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域具有作為其柵極絕緣膜的作用，在后述的電容元件Cstg的形成區(qū)域具有作為其電介質(zhì)膜的作用。
另外，在該絕緣膜GI的表面與上述柵極信號(hào)線GL的一部分重疊地形成有由例如非晶硅Si構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。
該半導(dǎo)體層AS是薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層，通過在其上面形成漏極電極SD1和源極電極SD2，可以構(gòu)成以柵極信號(hào)線GL的一部分為柵極電極的逆交錯(cuò)(stagger)結(jié)構(gòu)的MIS型晶體管。
在此，上述漏極電極SD1和源極電極SD2在形成漏極信號(hào)線DL的同時(shí)形成。
即，形成有在y方向延伸、在x方向并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL，其一部分一直延伸到上述半導(dǎo)體層AS的上面，形成漏極電極SD1，另外，與該漏極電極SD1間隔薄膜晶體管TFT的溝道長(zhǎng)度的距離地形成有源極電極SD2。
該源極電極SD2從半導(dǎo)體層AS面延伸到像素區(qū)域側(cè)的絕緣膜GI的上面，一體地形成了像素電極PX。
首先，在區(qū)域B，在該區(qū)域中的各對(duì)置電極CT的各間隙中，在y方向延伸地形成有2個(gè)像素電極PX，它們?cè)谛纬捎谂c區(qū)域A的邊界的相對(duì)電壓信號(hào)線CL上，彼此連接成一體。
由此，在像素區(qū)域的區(qū)域B，對(duì)置電極CT與像素電極PX交替地形成，即從一條漏極信號(hào)線DL側(cè)開始，形成有對(duì)置電極CT、像素電極PX、對(duì)置電極CT、像素電極PX、對(duì)置電極CT。
另外，該像素電極PX，在區(qū)域A，由與該區(qū)域中的對(duì)置電極CT重疊地在y方向延伸、在x方向并列配置的多條像素電極組構(gòu)成，在形成于與區(qū)域B的邊界的上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL上，各電極彼此連接成一體。
該區(qū)域A中的像素電極PX的條數(shù)，比區(qū)域B中的像素電極PX的條數(shù)形成得多。這是因?yàn)樵趨^(qū)域A，該像素電極PX的周邊部(邊緣部)要與對(duì)置電極CT之間集中產(chǎn)生電場(chǎng)。
在該相對(duì)電壓信號(hào)線CL上，各像素電極PX的連接部具有比較大的面積，在該部分，與相對(duì)電壓信號(hào)線CL之間形成了以上述絕緣膜GI為電介質(zhì)膜的電容元件Cstg。
該電容元件Cstg具有使提供給例如像素電極PX的圖像信號(hào)存儲(chǔ)得比較長(zhǎng)等的功能。
在這樣形成了薄膜晶體管TFT、漏極信號(hào)線DL、漏極電極SD1、源極電極SD2、以及像素電極PX的透明基板SUB1的表面，形成有由例如SiN構(gòu)成的保護(hù)膜PSV。該保護(hù)膜PSV是避免上述薄膜晶體管TFT與液晶直接接觸的膜，防止該薄膜晶體管TFT的特性劣化。
上述保護(hù)膜PSV可以用例如由樹脂構(gòu)成的有機(jī)材料層、或者無(wú)機(jī)材料層與有機(jī)材料層的層疊體構(gòu)成。這種情況下，能夠使其表面平坦化，使在其上形成的取向膜具有良好的摩擦(rubbing)性。
另外，在該保護(hù)膜PSV的上面形成有取向膜(未圖示)。
該取向膜是與液晶直接接觸的膜，利用在其表面進(jìn)行的摩擦來(lái)決定該液晶分子的初始取向方向。
這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，在各像素區(qū)域具有區(qū)域A和區(qū)域B，在區(qū)域A，在像素電極PX的正下方，包含其周邊，隔著絕緣膜GI與對(duì)置電極CT之間產(chǎn)生電場(chǎng)。此時(shí)，像素電極PX與對(duì)置電極CT之間的距離為上述絕緣膜GI的大致厚度，由于能夠形成強(qiáng)度較大的電場(chǎng)，因此能提高高速響應(yīng)性。
此外，驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)是在上述像素電極PX與對(duì)置電極CT間產(chǎn)生的電場(chǎng)中與透明基板SUB1大致平行的成分。由此，使該區(qū)域A中的各像素電極PX與相鄰的像素電極PX間的距離形成得比較窄，在像素電極PX與對(duì)置電極CT之間，和透明基板SUB1大致平行的成分的電場(chǎng)增多。因此，區(qū)域A中像素電極PX是以比區(qū)域B中的像素電極PX的條數(shù)多的條數(shù)形成的。
另一方面，在區(qū)域B中，像素電極PX與對(duì)置電極CT中間隔著上述絕緣膜GI交替配置，它們的間隔距離比較大，因此像素電極PX與對(duì)置電極CT之間產(chǎn)生的電場(chǎng)，其大致平行于透明基板SUB1的成分增多。由于液晶基于上述成分動(dòng)作的性質(zhì)，這樣將得到優(yōu)異的大視場(chǎng)角特性。
這樣，通過在區(qū)域A和B控制電極的條數(shù)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)角、高速響應(yīng)、高開口率。
因此，像這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，作為同時(shí)具備大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性的裝置進(jìn)行圖像顯示。
實(shí)施例2圖3A～圖3C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖1A～圖1C。
與圖1A～圖1C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在像素區(qū)域的區(qū)域A，像素電極PX形成在保護(hù)膜PSV的上面。
此時(shí)，該像素電極PX在像素區(qū)域的中央，在沿x方向布置的相對(duì)電壓信號(hào)線CL上彼此公共地連接，其連接部的一部分通過貫穿保護(hù)膜PSV、絕緣膜GI地形成的通孔TH，與該相對(duì)電壓信號(hào)線CL電連接。
另外，不言而喻，上述像素電極PX可以由金屬等非透光性材料形成，也可以由ITO等透光性材料形成。
在這樣構(gòu)成的情況下，也能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
實(shí)施例3圖4A～圖4C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖1A～圖1C。
與圖1A～圖1C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在像素區(qū)域的區(qū)域A和區(qū)域B，各像素電極PX形成在保護(hù)膜PSV的上面。
由此，在區(qū)域間，條數(shù)相差很多，可以將易產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)南袼仉姌OPX作為最上層，因此能夠降低與漏極信號(hào)線DL和對(duì)置電極CT等其它導(dǎo)電層的短路不良。
這時(shí)，接近薄膜晶體管TFT配置的像素電極PX的一端通過貫穿保護(hù)膜PSV、絕緣膜GI地形成的通孔TH，與該薄膜晶體管TFT的源極電極電連接。
另外，不言而喻，上述像素電極PX可以由金屬等非透光性材料形成，也可以由ITO等透光性材料形成。
在這樣構(gòu)成的情況下，也能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
實(shí)施例4圖5A～圖5C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖1A～圖1C。
與圖1A～圖1C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，像素電極PX形成在絕緣膜GI的上面，對(duì)置電極CT形成在保護(hù)膜PSV的上面。
即，像素電極PX，在區(qū)域B與薄膜晶體管TFT的源極電極SD2形成一體，在與區(qū)域A的邊界部彼此電連接起來(lái)。區(qū)域A中的像素電極PX，在除了狹小的周邊之外的中央部形成矩形，其材料由例如ITO等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。
保護(hù)膜PSV例如用由SiN等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜PSV1和由樹脂等有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜PSV2的依次層疊體構(gòu)成。
對(duì)置電極CT，在區(qū)域B形成為其間配置各像素電極PX，在區(qū)域A，由與上述像素電極PX重疊地在y方向延伸、在x方向并列設(shè)置的多條電極組構(gòu)成。
另外，各對(duì)置電極CT，在覆蓋柵極信號(hào)線GL的部分、覆蓋漏極信號(hào)線DL的部分、以及劃分區(qū)域A和區(qū)域B的部分形成的同一材料層上一體地形成。
此處，覆蓋漏極信號(hào)線DL的上述材料層與上述對(duì)置電極CT同樣地具有對(duì)置電極CT的功能，并且，它使來(lái)自漏極信號(hào)線DL的電場(chǎng)的電力線終止于此，避免了該電力線終止于相鄰的像素電極PX。如果該電力線終止于該像素電極PX，則會(huì)引起噪聲而影響顯示。
因此，覆蓋漏極信號(hào)線的上述材料層，其中心軸與該漏極信號(hào)線的中心軸大致一致，其寬度形成得比該漏極信號(hào)線的寬度大。
另外，不言而喻，上述對(duì)置電極CT可以由金屬等非透光性材料形成，也可以由ITO等透光性材料形成。
在這樣構(gòu)成的情況下，也能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
本實(shí)施例中，通過將對(duì)置電極作為最上層，在區(qū)域A、B，能夠一體或矩陣狀地形成該對(duì)置電極CT，因此可以降低供電電阻。并且，可以優(yōu)化漏極信號(hào)線DL上的對(duì)置電極CT，而不影響各區(qū)域的開口率，從而提高了開口率。
實(shí)施例5圖6A～圖6C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖1A～圖1C。
與圖1A～圖1C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于，像素區(qū)域的區(qū)域A中的對(duì)置電極CT由光反射率良好的金屬層代替，將該區(qū)域A形成為像素區(qū)域的光反射部。即，上述對(duì)置電極CT兼作反射電極。
另外，區(qū)域B用與圖1C的情況相同的結(jié)構(gòu)作為光透射部。
此外，區(qū)域A的對(duì)置電極CT與相對(duì)電壓信號(hào)線CL可以一體形成，在本實(shí)施例中為這樣的結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施例中，像素區(qū)域的區(qū)域A和區(qū)域B中的各像素電極PX由以下電極構(gòu)成從與在該像素區(qū)域的上部形成的相對(duì)電壓信號(hào)線CL重疊地形成的電容元件Cstg的另一個(gè)電極，延伸到區(qū)域A而形成的電極和延伸到區(qū)域B而形成的電極。
另外，不言而喻，上述像素電極PX可以由金屬等非透光性材料形成，也可以由ITO等透光性材料形成。
在這樣構(gòu)成的情況下，也能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
本實(shí)施例中，通過將區(qū)域A設(shè)為反射區(qū)域，與將區(qū)域B設(shè)為反射區(qū)域的情況相比可以提高透射率和反射率，從而能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)看似對(duì)立的高反射率、高開口率。
實(shí)施例6圖7A～圖7C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖6A～圖6C。
與圖6A～圖6C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于，像素區(qū)域的區(qū)域A中的像素電極PX和區(qū)域B中的像素電極PX由如下電極構(gòu)成分別從與在各區(qū)域的邊界部形成的相對(duì)電壓信號(hào)線CL重疊地形成的電容元件Cstg的另一個(gè)電極，延伸到區(qū)域A而形成的電極和延伸到區(qū)域B而形成的電極。
這樣構(gòu)成的情況下，電容元件Cstg的另一個(gè)電極形成為在像素區(qū)域的大致中央沿x方向延伸，具有遮光膜的功能。因此，在區(qū)域A和區(qū)域B的各自的顯示中，可以消除光的混合。
另外，不言而喻，上述像素電極PX可以由金屬等非透光性材料形成，也可以由ITO等透光性材料形成。
在這樣構(gòu)成的情況下，也能夠得到大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
實(shí)施例7
圖8是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的俯視圖，對(duì)應(yīng)于圖7A。
與圖7A的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于，構(gòu)成光反射部的區(qū)域A和構(gòu)成光透射部的區(qū)域B相反地構(gòu)成。
這樣的結(jié)構(gòu)，當(dāng)然也同樣地適用于實(shí)施例5。
在像素電極PX多的區(qū)域A，像素電極PX間的蝕刻殘?jiān)陌l(fā)生率與區(qū)域B相比相對(duì)較高。并且，由于薄膜晶體管TFT附近的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因此更容易發(fā)生。但是，在本實(shí)施例中，由于反射區(qū)域位于薄膜晶體管TFT側(cè)，殘?jiān)l(fā)生部為反射部，因此不會(huì)導(dǎo)致反射率的降低，從而能夠穩(wěn)定地確保反射率。
實(shí)施例8圖9A～圖9C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖6A～圖6C。
與圖6A～圖6C的情況相比，像素區(qū)域的區(qū)域A為同樣的結(jié)構(gòu)，但是在區(qū)域B，在保護(hù)膜PSV1的上面形成了保護(hù)膜PSV2，在該保護(hù)膜PSV2的上面形成了對(duì)置電極CT。
在作為光反射部的區(qū)域A，光2次通過液晶層，而在作為光透射部的區(qū)域B，光通過1次，為了避免因此造成的光透射率的不同而產(chǎn)生的問題，在該區(qū)域B構(gòu)成為1次復(fù)折射模式，在區(qū)域A構(gòu)成為2次復(fù)折射模式。
即，以復(fù)折射模式顯示時(shí)，一般地，將單軸復(fù)折射性介質(zhì)插入到正交配置的2片偏振片之間時(shí)的光透射率T/T0由下式(1)表示。
T/T0＝sin2(2xeff)·sin2(πdeff·Δn/λ) (1)此處，xeff表示液晶組成物的有效的光軸方向(光軸與變更透射軸構(gòu)成的角)，deff是具有復(fù)折射性的有效的液晶組成物層的厚度，Δn為折射率各向異性，λ表示光的波長(zhǎng)。
此處，以液晶組成物的光軸方向?yàn)橛行е档睦碛墒窃趯?shí)際的液晶盒(cell)內(nèi)，在界面上液晶分子是固定的，在施加電場(chǎng)時(shí)液晶盒內(nèi)的所有液晶分子并不是相互平行且一樣地取向，特別是在界面附近出現(xiàn)了較大的變形，因此將假定在一樣狀態(tài)時(shí)得到的值作為它們的平均值使用。
例如，為了得到在施加低電壓時(shí)為暗狀態(tài)、施加高電壓時(shí)為亮狀態(tài)的常閉特性，作為偏振片的配置，可以使一個(gè)偏振片的透射軸(或者吸收軸)與液晶分子取向方向(摩擦方向)大致平行，使另一個(gè)偏振片的透射軸與液晶分子取向方向大致垂直。
不施加電場(chǎng)時(shí)上式(1)的xeff為0，因此T/T0為0。
另一方面，施加電場(chǎng)時(shí)xeff的值隨其強(qiáng)度增大，在45℃時(shí)為最大。
此時(shí)，當(dāng)設(shè)光的波長(zhǎng)為例如0.555um時(shí)，為了不著色且使透射率為最大，可以使deff·Δn為1/2波長(zhǎng)，即0.28um。
這樣，使用2次復(fù)折射模式的區(qū)域A的液晶層的厚度約為使用1次復(fù)折射模式的區(qū)域B的液晶層的3倍、即2.5倍到3.5倍左右，由此能夠使各區(qū)域的顯示成為最佳顯示。
在圖9A～圖9C中，對(duì)置電極CT包含覆蓋漏極信號(hào)線DL地形成的部分，如上所述，也具有使來(lái)自該漏極信號(hào)線的電場(chǎng)的電力線終止的功能。該對(duì)置電極CT通過貫穿保護(hù)膜PSV2、保護(hù)膜PSV1、以及絕緣膜GI的通孔，與在區(qū)域A形成的、并延伸到區(qū)域B側(cè)一些的對(duì)置電極CT進(jìn)行電連接。
實(shí)施例9圖10A～圖10C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖9A～圖9C。
與圖9A～圖9C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于首先，在區(qū)域A也形成在像素區(qū)域的區(qū)域B形成的保護(hù)膜PSV2，其次，在該區(qū)域A的該保護(hù)膜PSV2上，在除了狹小的周邊之外的中央部設(shè)置了開口。
在該保護(hù)膜PSV2的表面形成的對(duì)置電極，覆蓋區(qū)域A側(cè)的漏極信號(hào)線DL和柵極信號(hào)線CT地形成。
由此，漏極信號(hào)線DL整體上被具有屏蔽功能的對(duì)置電極CT覆蓋，會(huì)獲得提高開口率、降低縱向拖尾(smear)的效果。
實(shí)施例10
圖11是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。對(duì)應(yīng)于圖10A。
與圖10A的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在保護(hù)膜PSV2的上面形成的對(duì)置電極CT由金屬那樣的非透光性的材料層構(gòu)成。
由此，該對(duì)置電極CT可以選擇低電阻的材料，能直接提供相對(duì)電壓信號(hào)，因此可以采用沒有通孔的結(jié)構(gòu)。
另外，對(duì)置電極CT本身也兼有黑矩陣的功能。
實(shí)施例11圖12是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
與圖11的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在保護(hù)膜PSV2的上面形成的對(duì)置電極CT與在區(qū)域A在絕緣膜GI的下層形成的對(duì)置電極CT，通過貫穿保護(hù)膜PSV2、保護(hù)膜PSV1、以及絕緣膜GI的通孔TH進(jìn)行連接。
如圖11所示，通過直接向在保護(hù)膜PSV2的上面形成的對(duì)置電極CT提供相對(duì)電壓信號(hào)，會(huì)獲得如圖11所示的可以不形成相對(duì)電壓信號(hào)線CL的效果。
實(shí)施例12圖13A～圖13C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖7A～圖7C。
與圖7～圖7C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在作為光反射部的區(qū)域A，在該保護(hù)膜PSV1的上面形成有保護(hù)膜PSV2。
這是為了將光反射部的液晶層的厚度構(gòu)成得比光透射部的液晶層的厚度小。
在光反射部，使光2次通過液晶層，因此將液晶層的厚度減小了相應(yīng)的量。
由此，能夠用一次的復(fù)折射模式在區(qū)域A、B進(jìn)行顯示。最好是保護(hù)膜PSV2的厚度為液晶層厚度的1/2～3/2。這是為了使區(qū)域A、B的各自的透射率、反射率最大化。
實(shí)施例13
圖14A～圖14C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖13A～圖13C。
與圖13A～圖13C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在作為光反射部的區(qū)域A上形成的保護(hù)膜PSV2的上面形成了像素電極PX。該像素電極PX也可以由透光性材料層構(gòu)成。
此時(shí)，各像素電極PX在與作為光透射部的區(qū)域B的邊界部彼此進(jìn)行電連接，并且通過形成于保護(hù)膜PSV1的通孔與區(qū)域B的像素電極PX進(jìn)行電連接。
實(shí)施例14圖15A～圖15C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖14A～圖14C。
與圖14A～圖14C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在像素區(qū)域的區(qū)域A，像素電極PX與漏極信號(hào)線DL形成在同一層，對(duì)置電極CT形成在保護(hù)膜PSV2的表面。
這種情況下的對(duì)置電極CT覆蓋該區(qū)域中的漏極信號(hào)線DL地形成，例如由非透光性金屬構(gòu)成，兼做反射電極。
其結(jié)果，區(qū)域A的對(duì)置電極CT與區(qū)域B的對(duì)置電極CT位于不同的層，由此能根據(jù)與各自對(duì)應(yīng)的像素電極PX的關(guān)系進(jìn)行最優(yōu)設(shè)定。
另外，在本實(shí)施例中，在區(qū)域A形成的保護(hù)膜PSV2上的對(duì)置電極CT延伸至區(qū)域B中的保護(hù)膜PSV2的開口部的側(cè)壁面，并覆蓋該側(cè)壁面。
由于對(duì)置電極CT由例如金屬等非透光性的材料形成，因此具有遮光膜的功能，能夠抑制在該保護(hù)膜PSV2的側(cè)壁面產(chǎn)生反向傾斜域(reverse tilt domain)。
實(shí)施例15圖16A～圖16C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖6A～圖6C。
與圖6A～圖6C的情況相比，像素區(qū)域的區(qū)域A與圖6A～圖6C的情況相同，但在區(qū)域B，該部分的對(duì)置電極CT是由例如ITO等透光性的材料在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央部形成的，像素電極PX是使區(qū)域A的各像素電極分別直接延伸而形成的。
實(shí)施例16圖17A～圖17C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖16A～圖16C。
與圖16A～圖16C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在保護(hù)膜PSV1的上面形成了由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜PSV2，并且，在像素區(qū)域的區(qū)域B，在除了其狹小的周邊之外的中央部形成有開口。
實(shí)施例17圖18A～圖18C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖17A～圖17C。
與圖17A～圖17C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于像素區(qū)域的區(qū)域B中的像素電極PX在條數(shù)上被去除了一部分。
實(shí)施例18圖19A～圖19C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖18A～圖18C。
與圖18A～圖18C的情況相比，雖然像素區(qū)域的區(qū)域B中的像素電極PX的數(shù)量也比區(qū)域A中的少，但是該像素電極PX的各個(gè)間隔設(shè)定得相等。
實(shí)施例19圖20A～圖20C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，對(duì)應(yīng)于圖19A～圖19C。
與圖19A～圖19C的情況相比，不同的結(jié)構(gòu)在于在像素區(qū)域的區(qū)域A，使像素電極PX與漏極信號(hào)線DL形成在同一層，并且由金屬等非透光性材料構(gòu)成。
而且，在保護(hù)膜PSV1的上面進(jìn)一步形成由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜PSV2，在其上面形成有對(duì)置電極CT。這種情況下的對(duì)置電極CT覆蓋該區(qū)域的漏極信號(hào)線DL地形成，由金屬等非透光性材料構(gòu)成。
實(shí)施例20
圖21A～圖21D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。圖21A是像素的俯視圖，圖21B、圖21C、圖21D分別是圖21A中的b-b、c-c、d-d部的示意性剖視圖。
如圖21B所示，來(lái)自TFT的信號(hào)經(jīng)由SD，通過通孔TH與在絕緣膜PAS之上形成的像素電極PX連接。該像素電極PX由透明電極形成。作為一個(gè)例子，有ITO、IZO、ITZO等，在本實(shí)施例中使用了ITO。
在PX的下方，中間隔著絕緣膜形成有透明對(duì)置電極CTT。該CTT也由透明電極形成，在本實(shí)施例中由ITO形成。
在圖21C中，可以見到有臺(tái)階。在基板SUB1上形成有透明對(duì)置電極CTT，其一部分上形成了金屬對(duì)置電極CTM。在CTT和CTM上中間隔著絕緣膜形成有像素電極PX。由此，在像素內(nèi)構(gòu)成2個(gè)區(qū)域，使得在CTM的形成部具有反射型的功能，在CTM的未形成部，具有利用CTT的透射型的功能。圖中，R-3表示反射型區(qū)域，R-1表示透射型區(qū)域，R-2表示中間的區(qū)域。
在反射型區(qū)域中，從顯示面?zhèn)冗M(jìn)入液晶顯示裝置的光，被CTM反射，光再次從顯示側(cè)射出。因此，光通過液晶層的次數(shù)為2次，而在透射型區(qū)域?yàn)?次。所以，為了使光的利用效率最大化，最好使反射型區(qū)域的液晶層的層厚比透射型區(qū)域薄。在本實(shí)施例中，通過在反射型區(qū)域?qū)盈B金屬對(duì)置電極CTM和透明對(duì)置電極CTT，在反射型區(qū)域拉大從基板SUB到像素電極PX的距離，即，使液晶層的厚度變薄。圖中在CTT之上重疊了CTM，當(dāng)然也可以是相反的結(jié)構(gòu)。
圖21D是圖像信號(hào)線DL附近的剖視圖。在CTT的端部重疊有CTM。由此，通過作為金屬電極的CTM從多方面進(jìn)行供電，降低了對(duì)作為透明電極的CTT供電的電阻。在它們之上重疊有柵極絕緣膜GI，并形成有圖像信號(hào)線DL。另外，形成有絕緣膜PAS、像素電極PX。像素電極PX也可以形成在GI之上。
圖21A中，CTM的一部分延伸至圖像信號(hào)線DL的下面，與像素間的CTM連接。即、構(gòu)成了兼作公共信號(hào)線CL的結(jié)構(gòu)。
PX采用在圖中多個(gè)彎曲形狀的構(gòu)件在其端部彼此連接的結(jié)構(gòu)。由此，在俯視圖中，在PX間露出的CTT或CTM與PX間產(chǎn)生電場(chǎng)，進(jìn)行顯示。本實(shí)施例中，PX之所以是彎曲的，是為了獲得所謂的多域(multi-domain)的效果。通過使電場(chǎng)朝向多個(gè)方向，能夠擴(kuò)大視場(chǎng)角。
在本實(shí)施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的大視場(chǎng)角的液晶顯示裝置。
實(shí)施例21圖22對(duì)應(yīng)于圖21A，是表示像素和初始取向方向的關(guān)系的圖。RUB是初始取向方向，與彎曲的電極的2個(gè)方向分別形成絕對(duì)值大致相同的角度θ，并且彎曲的電極相對(duì)于RUB的方向是不同的。由此能夠使多域的效果最大化。
另外，CTM的端部與RUB大致平行地形成。這種情況下，能圓滑地進(jìn)行臺(tái)階部的取向處理，從而提高對(duì)比度。
實(shí)施例22圖23A、圖23B是與圖21A、圖21C對(duì)應(yīng)的另一個(gè)實(shí)施例，圖23B是圖23A中的b-b線部的示意剖視圖。
像素電極PX間的距離，在透射區(qū)域R-1為L(zhǎng)1，在反射區(qū)域R-3為L(zhǎng)2。在透射區(qū)域，從基板SUB到像素電極PX的距離比反射區(qū)域小。換而言之，液晶層的厚度在透射區(qū)域比反射區(qū)域厚。由此，液晶的驅(qū)動(dòng)電壓在透射區(qū)域比反射區(qū)域低。這是因?yàn)榱炼壬仙龑?duì)液晶層電壓的特性依賴于液晶層的厚度。因此，如果使L1和L2相同，則在透射部和反射部，亮度對(duì)電壓的特性，即所謂的B-V曲線相差較大。
因此，在本實(shí)施例中，反射區(qū)域的像素電極PX間的距離L2小于透射區(qū)域的像素電極PX間的距離L1，即，L1＞L2。
因此，通過調(diào)整電場(chǎng)強(qiáng)度，能夠使透射部和反射部的B-V曲線更接近，從而成為適于透射和反射的液晶顯示裝置。
實(shí)施例23圖24A、圖24B是與圖21A、圖21C對(duì)應(yīng)的另一個(gè)實(shí)施例，圖24B是圖24A中的b-b線部的示意剖視圖。
中間的區(qū)域R-2部不與反射區(qū)域和透射區(qū)域的任意一個(gè)接觸，因此成為形成域的原因。因此，用像素電極PX覆蓋了臺(tái)階部。這時(shí)，通過采用不施加電壓時(shí)為黑顯示的常黑模式，即使用透明電極構(gòu)成像素電極PX，臺(tái)階部上也會(huì)因像素電極PX而成為相同電位，因此能夠防止域(domain)的產(chǎn)生，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比度的顯示。
另外，在本實(shí)施例中，也防止了在施加電壓時(shí)產(chǎn)生域。
在本實(shí)施例中，設(shè)臺(tái)階部上的像素電極PX的透射區(qū)域R-1側(cè)的寬度為L(zhǎng)3、反射區(qū)域R-3側(cè)的寬度為L(zhǎng)4時(shí)，L3＞L4成立。由于在透射區(qū)域是以比反射區(qū)域低的電壓驅(qū)動(dòng)液晶，所以通過將臺(tái)階部上的像素電極PX的中心配置得錯(cuò)開臺(tái)階，使得滿足L3＞L4，能夠更有效地將臺(tái)階部維持在恒定電位，從而能夠抑制域的產(chǎn)生。
另外，關(guān)于臺(tái)階上的像素電極的寬度L5，在使L5＞L1、L5＞L2的基礎(chǔ)上，進(jìn)而希望使L5＞(L1+L2)。這是由于這樣能夠更穩(wěn)定地將臺(tái)階部上的PX保持在恒定電位的緣故。
同樣地，最好L3＞L1，L4＞L2。
在本實(shí)施例中，由圖可知金屬對(duì)置電極CTM的端部為與像素電極PX相同的彎曲形狀。由此，臺(tái)階部平行于PX的彎曲形狀，從而能夠在更廣的范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持上述關(guān)系，進(jìn)而能夠抑制域。
本實(shí)施例，采用在對(duì)置電極CTT或CTM的上層構(gòu)成像素電極PX的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用CTT和PX為相反的層關(guān)系的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在臺(tái)階部上形成的透明對(duì)置電極CTT，只要滿足與本實(shí)施例中所說明的在臺(tái)階部上構(gòu)成的像素電極相同的關(guān)系即可。
實(shí)施例24圖25A、圖25B是與圖21A、圖21C對(duì)應(yīng)的另一個(gè)實(shí)施例，圖25B是圖25A中的b-b線部的示意剖視圖。
在本實(shí)施例中，特征是用絕緣層進(jìn)行臺(tái)階的生成。由此，能夠自由地將臺(tái)階調(diào)整為大于或等于金屬對(duì)置電極CTM的膜厚，能夠更容易地實(shí)現(xiàn)透射區(qū)域和反射區(qū)域的最優(yōu)化。
本實(shí)施例中使用絕緣膜GI來(lái)形成臺(tái)階。優(yōu)點(diǎn)是由絕緣膜形成的臺(tái)階能夠獨(dú)立形成，而不用管金屬電極的形狀。如圖25A所示，使GI的端部為與圖24A的金屬對(duì)置電極CTM相同的形狀。由此，能夠應(yīng)用實(shí)施例23的思想，獲得實(shí)施例23的效果。進(jìn)而，不必利用金屬對(duì)置電極CTM的端部進(jìn)行臺(tái)階形成，從而能夠?yàn)榱似渌哪康倪M(jìn)行最優(yōu)化。
例如，圖25A是與GL平行、提高了成品率的例子。
另外，圖26A對(duì)應(yīng)于圖25A，是利用金屬對(duì)置電極CTM作為透射區(qū)域的遮光層，通過將該區(qū)域從臺(tái)階部延伸至透射區(qū)域側(cè)，對(duì)臺(tái)階部進(jìn)行遮光，進(jìn)一步消除了域的例子。
無(wú)需贅言，上述實(shí)施例可以單獨(dú)使用各自的思想，也可以組合使用。用各實(shí)施例分開說明是為了更容易地說明和便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解。
另外，通過使用這些顯示裝置，構(gòu)成監(jiān)視器、TV、或者手機(jī)等，能夠提高該顯示器、TV或者手機(jī)的顯示性能。
根據(jù)以上說明可知根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置可實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)角且高速響應(yīng)的顯示裝置。另外，可實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)角、具有透射區(qū)域和反射區(qū)域、高像質(zhì)的顯示裝置。
(工業(yè)可利用性)本發(fā)明適用于上述的顯示裝置，可實(shí)際應(yīng)用于顯示裝置制造業(yè)、特別是液晶顯示裝置制造業(yè)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件，經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極，以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極；上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，由透光性材料構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置。
2.一種顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件，經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極，以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極；上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有像素電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，由透光性材料組成；和對(duì)置電極，由在該絕緣膜的上層與該像素電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有像素電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和對(duì)置電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述像素電極交替配置；上述各區(qū)域的各對(duì)置電極是覆蓋漏極信號(hào)線地形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于在上述各區(qū)域形成的上述絕緣膜，分別用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體構(gòu)成，并且各對(duì)置電極由透光性材料構(gòu)成。
4.一種顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件，經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極，以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極，上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置。
5.一種顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件，經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極，以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極；上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置；上述絕緣膜，其層厚在上述另一個(gè)區(qū)域形成得比上述一個(gè)區(qū)域厚，由此上述一個(gè)區(qū)域的液晶層的層厚約為上述另一個(gè)區(qū)域的液晶層的層厚的3倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于上述一個(gè)區(qū)域中的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜形成的，上述另一個(gè)區(qū)域中的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體形成的，并且上述對(duì)置電極包括至少覆蓋漏極信號(hào)線的部分。
7.一種顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的基板中的一個(gè)基板的液晶側(cè)的面上，以由并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域；在該像素區(qū)域具有根據(jù)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的開關(guān)元件，經(jīng)由該開關(guān)元件被提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的像素電極，以及與該像素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的對(duì)置電極；上述像素區(qū)域由劃分開的各區(qū)域構(gòu)成，在其中的一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，形成在絕緣膜的下層且在該區(qū)域的除了狹小的周邊之外的中央，兼作反射電極；和像素電極，由在該絕緣膜的上層與該對(duì)置電極重疊地在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；在另一個(gè)區(qū)域形成有對(duì)置電極，由在絕緣膜的下層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極，由在該絕緣膜的上層在一個(gè)方向延伸并在與該方向交叉的方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成，與上述對(duì)置電極交替配置；上述絕緣膜，其層厚在上述一個(gè)區(qū)域形成得比上述另一個(gè)區(qū)域厚。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于上述另一個(gè)區(qū)域中的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜形成的；上述一個(gè)區(qū)域中的絕緣膜是用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜和由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜的依次層疊體形成的。
9.一種顯示裝置，在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板中的一個(gè)基板上具有像素電極和對(duì)置電極，其特征在于具有透射區(qū)域和反射區(qū)域；從基板到最上層的電極之間的距離，在透射區(qū)域比反射區(qū)域大；上述最上層的電極間的平面距離，在透射區(qū)域比反射區(qū)域大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于具有在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域形成的、由透明導(dǎo)電體構(gòu)成的對(duì)置電極，具有在上述反射區(qū)域形成的金屬的對(duì)置電極，具有用絕緣膜與在最上層形成的上述對(duì)置電極隔開的、由透明電極構(gòu)成的像素電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于具有在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域形成的、由透明導(dǎo)電體構(gòu)成的像素電極，具有在上述反射區(qū)域形成的金屬的像素電極，具有用絕緣膜與在最上層形成的上述對(duì)置電極隔開的、由透明電極構(gòu)成的對(duì)置電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于在顯示區(qū)域內(nèi)存在上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于初始取向方向與上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的延伸方向大致平行。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界被上述最上層的電極所覆蓋，是常黑模式。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其透射區(qū)域側(cè)的寬度比反射區(qū)域側(cè)的寬度大。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其寬度大于透射區(qū)域中的最上層的電極間的距離與反射區(qū)域中的最上層的電極間的距離的和。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于覆蓋上述透射區(qū)域和反射區(qū)域的邊界的最上層的電極，其透射區(qū)域側(cè)的寬度比透射區(qū)域中的電極間的距離大，其反射區(qū)域側(cè)的寬度比反射區(qū)域中的電極間的距離大。
18.一種顯示裝置，在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板中的一個(gè)基板上具有像素電極和對(duì)置電極，其特征在于各像素設(shè)置有像素電極和對(duì)置電極都以線狀平行地延伸的第1區(qū)域，以及像素電極和對(duì)置電極中的一者為線狀、另一者與該一者中間隔著絕緣膜重疊的平面狀的第2區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于在上述第1區(qū)域和第2區(qū)域，上述線狀的電極間的距離不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于電極間的距離，在上述第1區(qū)域比上述第2區(qū)域大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，在其一個(gè)基板上所形成的像素區(qū)域具有開關(guān)元件(TFT)、經(jīng)由該開關(guān)元件(TFT)被提供圖像信號(hào)的像素電極(PX)、以及與該像素電極之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的對(duì)置電極(CT)，上述像素區(qū)域具有一個(gè)區(qū)域和另一個(gè)區(qū)域，上述一個(gè)區(qū)域包括對(duì)置電極(CT)，形成在絕緣膜(GI)的下層且在除了周邊的微小部分之外的部分的一面，由透光性材料組成；和像素電極(PX)，由在該絕緣膜(GI)的上層與對(duì)置電極(CT)重疊地在一個(gè)方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；上述另一個(gè)區(qū)域包括對(duì)置電極(CT)，由在上述絕緣膜(GI)的下層在一個(gè)方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成；和像素電極(PX)，由在該絕緣膜(GI)的上層與該對(duì)置電極(CT)重疊地在一個(gè)方向并列設(shè)置的電極組構(gòu)成。該液晶顯示裝置具有優(yōu)異的大視場(chǎng)角特性和高速響應(yīng)性。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1802599SQ0382679
公開日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2003年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月14日
發(fā)明者仲吉良彰, 柳川和彥, 落合孝洋, 今山寬隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器