專利名稱：使用光束成型獲取橢圓及圓化形狀之方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體制造工具，特別關(guān)于一方法以產(chǎn)生用于半導(dǎo)體裝置制造中之光罩幕或光柵上之圖案。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置已使用于各種電子用具上，如個(gè)人計(jì)算機(jī)及手機(jī)。半導(dǎo)體制造方法典型利用微影處理以經(jīng)半導(dǎo)體晶圓之表面構(gòu)成圖案。微影術(shù)典型包括利用施加阻抗層材料于半導(dǎo)體裝置之表面。之后，以曝露阻抗層于光下，特別是紫外光以便在負(fù)抗蝕劑方法中交互鏈接，以將阻抗層成圖案。交互鏈接可防止與顯影劑反應(yīng)，其將未受UV光曝露之交互鏈接之阻抗層之區(qū)域顯影掉。其它型式之阻抗層在紫外光之被正阻抗層方法中曝光下鏈中斷。
半導(dǎo)體裝置上之阻抗層利用光罩幕或光柵，此處稱為”罩幕”加以圖案化。罩幕之功能為一屏蔽以防止在微影期間光通過預(yù)定區(qū)域。一罩幕典型包括一不透明或高度吸光層之材料，如金屬之鉻或鉻合金，根據(jù)圖案設(shè)計(jì)投影在半導(dǎo)體晶圓上加以圖案。不透明或半透明區(qū)在透明基板，通常為石英上構(gòu)成。使用之罩幕可包括電子束罩幕，散射罩幕及/或臘紙罩幕，例如在投影電子束微影(SCALPLE)中之環(huán)狀限制散射。
半導(dǎo)體工業(yè)被迫使降低半導(dǎo)體裝置之尺寸。迷你化已為容納今日半導(dǎo)體產(chǎn)品增加之電路密度所必需。半導(dǎo)體組件降低組件尺寸之趨勢下，微影罩幕之制造及檢查已日增困難。精密之半導(dǎo)體處理對罩幕提供之影像品質(zhì)甚為敏感。罩幕之缺陷構(gòu)造能力已被限制在某些最小尺寸，其與用以提供罩幕上圖案化之方法及制造工具有關(guān)。
罩幕之圖案可利用雷射圖案產(chǎn)生器，或電子束圖案產(chǎn)生器等來源構(gòu)成圖案或?qū)懭雸D案。因?yàn)檎帜话ǔ叽缭谖⒚芤韵轮匦?，其制造典型利用自動裝置實(shí)施。
參考第1圖，顯示之習(xí)知技藝之微影罩幕制造系統(tǒng)100，其包括一臺114供配置待制造之罩幕或光柵116。能源110提供一能量光束如激光束或電子光束以預(yù)定之光或電子密度在罩幕上寫入圖案。罩幕較佳以定位器或臺114導(dǎo)引以根據(jù)計(jì)算機(jī)產(chǎn)生之圖案寫入罩幕116上。
備有一無圖案于其上之坯件罩幕116。罩幕116包括吸光不透明材料，如鉻，鉬或其合金，或金屬氧化物配置在透明玻璃或石英基板上。罩幕116安裝在定位器114或臺，或其它定位裝置上。該臺116能準(zhǔn)確定位罩幕114包括旋轉(zhuǎn)。一透鏡系統(tǒng)112配置在罩幕116與能源110之間以聚焦由能源110產(chǎn)生之能量光束。能源110較佳能產(chǎn)生能量光束，如紫外線波長之光或電子波束具有約50KeV或較少之能量。能源110包括一激勵器雷射。透鏡系統(tǒng)112控制用以寫入掩模116上圖案之光束之尺寸及形狀。
制造期間，能源110產(chǎn)生能量光束由透鏡系統(tǒng)112聚焦及構(gòu)形。其用以導(dǎo)引光束至罩幕116。
罩幕116根據(jù)儲存在計(jì)算機(jī)120之內(nèi)存125中之圖案操縱罩幕116轉(zhuǎn)移及旋轉(zhuǎn)。計(jì)算機(jī)120之處理器123發(fā)出信號以控制該臺114之移動以寫入內(nèi)存125儲存之圖案于光阻層上。能源110可由處理器123控制。處理器123發(fā)出一信號至能源110根據(jù)圖案以將光束開啟或關(guān)閉。
或者，利用一快門(未示出)以停止光束之傳播。
雷射及電子能量圖案產(chǎn)生器有能力產(chǎn)生復(fù)雜罩幕圖案，包括具有窄幾何圖形，密光學(xué)近似改正(OPC)及相移罩幕(PSM)。OPC可協(xié)助補(bǔ)償遺失之光，以保證精確之圖案形成于半導(dǎo)體晶圓上。例如，無OPC時(shí)，半導(dǎo)體晶圓上之矩形圖案，因光在邊緣上為圓形而成橢圓。OPC用以增加微小之細(xì)線至角落以改正此一現(xiàn)象，以保證角落為非圓形，或移動一特性邊緣俾晶圓之尺寸更為準(zhǔn)確。相移罩幕改變通過罩幕之光之相位，可使改進(jìn)之聚焦深度及晶圓上之分辨率。相移可協(xié)助降低晶圓表面之不規(guī)則之線分辨率之失真。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之實(shí)施例作為一制造微影罩幕可達(dá)到技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，其利用一橢圓雷射或電子激光光束以平滑罩幕之粗糙邊緣及建立一具有平滑與曲線邊緣之橢圓及圓形化特征。
在一實(shí)施例中，揭示一制造供圖案化半導(dǎo)體晶圓之罩幕之方法，包含提供一罩幕坯件，其包括一基板及一不透明材料形成其上，及利用橢圓形能量光束圖案化該不透明材料為一卵形或圓形特性。
在另一實(shí)施例中，揭示一制造供圖案化一半導(dǎo)體晶圓之罩幕之方法，包含提供一基板，有一不透明材料于其上形成，及在不透明材料上構(gòu)成圖案，部分圖案具有階梯形邊緣。不透明材料上之階梯形邊緣利用橢圓形能量光束加以降低。
尚揭示一制造供圖案化半導(dǎo)體晶圓之罩幕之方法，包括提供一基板，其包括一透明材料，沉積一不透明材料于基板上，及利用實(shí)際上圓形能量光束在不透明材料上構(gòu)成卵形或圓形之圖案，部分卵形或圓形特性包含不理想之階梯形邊緣。該卵形或圓形特性階梯形邊緣至少部分利用橢圓形能量光束除去。
尚揭示一制造半導(dǎo)體裝置之方法，包含提供半導(dǎo)體晶圓及以罩幕將半導(dǎo)體晶圓圖案化，該罩幕包括利用橢圓形能量光束構(gòu)成之卵形或圓形特性。
尚揭示一制造半導(dǎo)體晶圓之方法，包含提供一有面之半導(dǎo)體晶圓，沉積一阻抗層于半導(dǎo)體晶圓表面上。該方法包括以能量光束將光阻抗蝕圖案化，其中該能量光束包括一具有橢圓形剖面之光束。該阻抗層用來將晶圓表面圖案化。
本發(fā)明之實(shí)施例之優(yōu)點(diǎn)包括提供一方法，以在半導(dǎo)體晶圓罩幕上建立一卵形或圓形特性，其無由利用具有圓形剖面之光束導(dǎo)致之雷射/電子光束圖案化引起之階梯邊緣。內(nèi)存半導(dǎo)體裝置如磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)裝置及動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)裝置，特別可自建立橢圓形及圖案之能力獲益，并將內(nèi)存單元性能最大化。
此外，以橢圓形雷射/電子光束將卵形及圓形特性之邊緣平滑化較快，需要一較低功率密度，及較利用圓形剖面能量光束圖案一較大表面面積，如習(xí)知技藝之方法然。習(xí)知技藝之雷射及電子光束源亦可使用，但需根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例調(diào)整能量源以建立一橢圓形剖面光束。


本發(fā)明實(shí)施例之上述特性將可藉以下之說明及伴隨之圖式獲得更清晰之了解，圖中第1圖為一方塊圖，顯示一傳統(tǒng)雷射/電子圖案產(chǎn)生器供半導(dǎo)體制造方法中罩幕之圖案化；第2圖說明一雷射/電子光束之剖面圖，該光束具有圓形剖面在習(xí)知技藝方法中用以圖案化一罩幕；第3圖顯示習(xí)知技藝罩幕，其具有由復(fù)數(shù)個(gè)疊加矩形圖案構(gòu)成之卵形特性，系利用習(xí)知技藝?yán)咨?電子光束罩幕圖案化構(gòu)成；第4圖顯示一橢圓形雷射/電子光束，用以根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例將罩幕之卵形特性之曲線平滑化；第5圖為具有橢圓形剖面光束之剖面圖，其系用來根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例平滑化一罩幕圖案之橢圓及圓形特性；第6圖顯示本發(fā)明實(shí)施例用以將罩幕之圓形特性之曲線平滑化之橢圓形雷射/電子光束；及第7圖說明用以圖案化半導(dǎo)晶圓之本發(fā)明實(shí)施例制造之罩幕。
不同圖式中之對應(yīng)號碼及符號系指對應(yīng)零件，除非特別指出者例外。
圖式用以清晰說明較佳實(shí)施之相關(guān)特性，但并非合乎比例。
具體實(shí)施例方式
習(xí)知技藝罩幕圖案化將予以討論，隨后說明本發(fā)明較佳實(shí)施例及討論其優(yōu)點(diǎn)。
雖然雷射/電子束圖案產(chǎn)生器系統(tǒng)如第1圖所示提供較高之記號輸出，較其它可用方法為佳之低成本及較佳配置準(zhǔn)確性，但某些技術(shù)問題仍然存在。例如，角落圓形化即為一問題。如揭示于2001，4，10頒授之美國專利號碼6,214,496，該專利以參考方式并入此間。第2圖顯示習(xí)知技藝罩幕116表現(xiàn)之角落圓形化。罩幕116包括一透明基板126及一不透明材料128含金屬材料如鉻。一阻抗層沉積在材料128上，一雷射/電子光束130具有一圓形剖面，用以圖案化該阻抗層。該光束交互鏈接或中斷聚合物鏈于理想?yún)^(qū)域，隨后施加適當(dāng)之溶劑去除。因光束130之剖面為圓形，罩幕116之角落138為圓形化，而非在一點(diǎn)處為直角。美國專利號碼6,214,496揭示使用橢圓雷射/電子光束之短軸以降低角落圓形化。
利用雷射/電子光束在罩幕上寫入圖案之另一問題為，以具有圓形剖面之雷射/電子光束建立之卵形，圓形或曲線證明為具挑戰(zhàn)性。第3圖顯示習(xí)知技藝之罩幕，其具有基板226及不透明材料228沉積其上。卵形特性240及其它圓形特性(未示出)系以重疊復(fù)數(shù)個(gè)不同尺寸之具有直角角落之矩形及方形圖案在不透明材料228上。每一矩形圖案242之構(gòu)成系以具有圓剖面之能量光束跨過罩幕216達(dá)成。重疊一數(shù)組或復(fù)數(shù)個(gè)矩形圖案242導(dǎo)致一具有階梯形及不理想之材料214之邊緣243于罩幕216上。
在此技藝中，生產(chǎn)之罩幕216如無過多材料244及階梯形邊緣243則最為理想。生產(chǎn)橢圓及圓形特性具有平滑邊緣之罩幕非常必要。某些半導(dǎo)體裝置如MRAMs及DRAMs可自橢圓或卵形于罩幕上獲益，如罩幕之卵形構(gòu)成溝道或內(nèi)存單元之其它特征，則內(nèi)存單元之性能可獲改進(jìn)。
此外，曝光工具之柵級對齊與限制可影響運(yùn)算時(shí)間(TAT)及全面罩幕品質(zhì)及圖案保真度。
此技藝中需要一方法以制造供圖案一半導(dǎo)體晶圓之掩模，晶圓具有橢圓或圓形特征而無不理想階梯形圖案于其邊緣。
第4圖顯示一橢圓形雷射/電子光束350用以平滑本發(fā)明實(shí)施例之罩幕316之卵形特征340之曲線。備有一罩幕坯件316具有一透明基板及326及不透明材料沉積其上。阻抗層328沉積或形成在罩幕坯件316上。利用圓形剖面之能量光束在罩幕316上圖案化復(fù)數(shù)個(gè)矩形342。外邊緣343之一數(shù)組矩形342構(gòu)成階梯形圖案而勾劃出理想之卵形。
過多材料344在矩形342數(shù)組構(gòu)成后位于罩幕阻抗層中。
根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，利用橢圓激光束350移除過多材料344以達(dá)到掩模316上之理想卵形邊緣。較佳為，雷射定位及剖面形狀程序于控制圖案化之計(jì)算機(jī)記憶體中。
參考第2圖，顯示矩形342之近視圖。矩形342階梯形邊緣343有一第一側(cè)133及第二側(cè)132，第一側(cè)及第二側(cè)133，132彼此成直角位置以形成一直角角落。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例降低階梯形邊緣包含階梯形邊緣343之直角角落平滑化及移除過多材料344。
第5圖顯示具有橢圓形剖面光束350之剖面圖，其用來將本發(fā)明一實(shí)施例罩幕316圖案之橢圓及圓形特征平滑化。能量光束350包含長軸B及短軸A。長軸B為短軸A長度之二倍，或者，長軸B較短軸A長1/2至三倍之間。較佳為，根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，沿光束350之長軸B之邊緣用來移除過多材料344，以構(gòu)成罩幕316上理想之卵形或橢圓形340，如第4圖所示?；蛘撸衫枚梯S，于另一實(shí)施例中，橢圓光束350可以一角度配置，利用長軸B光束邊緣之一部分及短軸A光束邊緣之一部分，將罩幕316之形狀平滑為圓形化特征。
第6圖顯示橢圓雷射/電子光束450用以將本發(fā)明實(shí)施例之罩幕之圓形特征440之曲線平滑化。較佳為利用光束450之長軸B之一邊緣以平滑圓形440之邊緣，自重疊之矩形圖案數(shù)組442之階梯形邊緣443之環(huán)狀外部區(qū)域移除過多材料444。
在另一實(shí)施例中，所述之橢圓雷射/電子光束350/450可用來在罩幕316/416上構(gòu)成圖案形狀，而不用具有圓形之能量光束形成之重疊矩形342/442之?dāng)?shù)組。因?yàn)闄E圓光束350/450較習(xí)知技藝所用之圓形光束為大，圖案化一罩幕316/416需要較少時(shí)間，及可達(dá)成罩幕316/416之較高輸出。
根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，橢圓剖面能量光束350/450較佳用來圖案化具有圓形邊緣之罩幕316/416上之特征，如卵形，橢圓，圓形，S形及其它圓形化形狀。
第7圖說明本發(fā)明實(shí)施例制造之罩幕316/416。根據(jù)本發(fā)明制造之罩幕316/416配置在一光源或能源110及待圖案化之半導(dǎo)體晶圓360之間。半導(dǎo)體晶圓360包含一基板，具有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電及絕緣層配置在其上以備圖案化。一阻抗層在每一層圖案化之前施加；不同之罩幕316/416用來圖案化每一層。
光或其它能量自光源110放射，使罩幕316/416之透明區(qū)域326/426中之晶圓360曝光。或者，利用上述制造之罩幕316/416，卵形及圓形特征可精確在晶圓360上圖案化。較小特征尺寸可在晶圓360上達(dá)成及達(dá)成改進(jìn)之聚焦。
在半導(dǎo)體晶圓上產(chǎn)生圖案之另一方法稱為”直接寫入”，其中之圖案利用雷射或電子光束直接在晶圓上構(gòu)成。此一技術(shù)不需要一光罩幕，常被用來快速照相排版或小型應(yīng)用。
本發(fā)明實(shí)施例中，包括利用橢圓形能量光束以直接寫入法直接圖案化一半導(dǎo)體晶圓。一第5圖所示有一橢圓形剖面之光束350可用來在本發(fā)明實(shí)施例之半導(dǎo)體晶圓上直接形成橢圓形及圓形特征。
本發(fā)明之一實(shí)施例包含圖案化半導(dǎo)體晶圓之方法，包括提供具有一表面之半導(dǎo)體晶圓，沉積阻抗層在半導(dǎo)體晶圓表面上，及以能量光束圖案化該阻抗層，其中之能量光束包含具有橢圓形剖面之一光束。該能量光束350可包含雷射，離子光束或電子能量光束。卵形或圓形化特征利用該光束在阻抗層上圖案化。該光阻抗蝕于是用來圖案化晶圓表面。
在另一實(shí)施例中，一實(shí)際上圓形能量光束用來在阻抗層上構(gòu)成包括卵形或圓形化特征，具有包括不理想階梯形邊緣之卵形或圓形化特征之部分。卵形或圓形化特征階梯形邊緣至少以橢圓形能量光束350部分移除。
另一實(shí)施例包括利用上述之直接圖案化方法將半導(dǎo)體裝置圖案化。
本發(fā)明之實(shí)施例提供較習(xí)知技藝制造半導(dǎo)體裝置罩幕之方法為優(yōu)之?dāng)?shù)項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。備有一方法以在半導(dǎo)體裝置之罩幕上建立卵形及圓形特征，俾在卵形及圓形特征上無利用圓形剖面之雷射/電子光束圖案化引起之階梯形邊緣。MRAM及DRAM裝置特別自建立內(nèi)存單元之橢圓及圖案獲益，及可使內(nèi)存單元性能最大。此外，以橢圓形雷射/電子光束平滑特征邊緣較快，所需功率密度較低，及較利用圓形剖面能量光束圖案一較大面積?？衫昧?xí)知雷射/電子光束能源，需根據(jù)本發(fā)明調(diào)整習(xí)知能源以建立橢圓形剖面光束。
本發(fā)明已以說明性實(shí)施例說明如上，此一說明不能解釋為有限制性。說明性實(shí)施例與本發(fā)明之其它實(shí)施例組合之修改，對精于此技藝人士言，參考說明后當(dāng)屬明顯。此外，精于此技藝者可安排方法步驟之順序，仍屬本發(fā)明范圍之內(nèi)。因此，所附之權(quán)利要求涵蓋任何修改及實(shí)施例。此外，本發(fā)明之范圍不限于本說明書所述之方法，機(jī)器，事項(xiàng)之組成，方式，步驟之實(shí)施例。準(zhǔn)此，附錄之權(quán)利要求意欲包括如程序，機(jī)器，制造，事項(xiàng)之組成，方式或步驟等于其中。
權(quán)利要求
1.一種制造供圖案化一半導(dǎo)體晶圓之罩幕之方法，包含提供一罩幕坯件，包括一基板及不透明材料形成其上；利用橢圓形能量光束圖案化一不透明材料而具有卵形或圓形特征。
2.如權(quán)利要求第1項(xiàng)之方法，其中該橢圓形能量光束包括一長軸及一短軸，其中沿能量光束之長軸之邊緣用來在晶圓上圖案一卵形特征。
3.如權(quán)利要求第1項(xiàng)之方法，尚包含利用罩幕以制造一半導(dǎo)體裝置。
4.一種制造供圖案化一半導(dǎo)體裝置之罩幕之方法，包含制備一包括一不透明材料于其上之基板；在不透明材料上形成一圖案，部分圖案包含具有階梯形邊緣；以橢圓形能量光束降低不透明材料上之階梯形邊緣。
5.如權(quán)利要求第4項(xiàng)之方法，其中之形成圖案包含形成一至少具有一邊緣之圖案，該邊緣具有二側(cè)邊互成直角以構(gòu)成實(shí)質(zhì)上直角角落，其中降低該階梯形邊緣包含平滑化該直角角落。
6.如權(quán)利要求第5項(xiàng)之方法，其中該形成一圖案包含利用圓形能量光束以形成該圖案。
7.如權(quán)利要求第4項(xiàng)之方法，其中該橢圓形能量光束包括一長軸及一短軸，其中沿能量光束長軸之邊緣用以移除階梯形邊緣。
8.如權(quán)利要求第4項(xiàng)之方法，其中之構(gòu)成圖案包含構(gòu)成卵形或圓形特征。
9.如權(quán)利要求第4項(xiàng)之方法，其中該降低階梯形邊緣包含利用雷射或電子光束能量束。
10.如權(quán)利要求第4項(xiàng)之方法，尚包含利用罩幕以圖案化一半導(dǎo)體晶圓。
11.如權(quán)利要求第10項(xiàng)之方法，其中該已圖案之半導(dǎo)體晶圓包含一磁隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)或動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)裝置。
12.一種制造一罩幕以圖案化一半導(dǎo)體裝置之方法，包含提供一包括透明材料之基板；在基板上沉積一不透明材料；利用實(shí)際上圓形能量光束以在不透明材料上形成包括卵形或圓形特征之圖案，卵形或圓形特征之部分包括不理想之階梯形邊緣；及以橢圓形能量光束至少部分移除卵形或圓形特征之階梯形邊緣。
13.如權(quán)利要求第12項(xiàng)之方法，其中該卵形或圓形特征階梯形邊緣包括至少一具有二側(cè)邊之邊緣，彼此實(shí)質(zhì)上互成直角以形成一實(shí)際上直角角落，其中移除該階梯形邊緣包括移除直角角落。
14.如權(quán)利要求第13項(xiàng)之方法，其中該橢圓形能量光束包括一長軸及一短軸，其中一沿能量光束長軸之邊緣用以移除階梯形邊緣。
15.如權(quán)利要求第14項(xiàng)之方法，其中移除卵形或圓形階梯形邊緣包含利用雷射或電子能量光束。
16.如權(quán)利要求第12項(xiàng)之方法，尚包含利用罩幕以制造一半導(dǎo)體裝置。
17.如權(quán)利要求第16項(xiàng)之方法，其中該制造之半導(dǎo)體裝置包含一磁隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)或動態(tài)存取內(nèi)存(DRAM)裝置。
18.一種制造一半導(dǎo)體裝置之方法，包含提供一半導(dǎo)體晶圓；以罩幕圖案化一半導(dǎo)體晶圓，該罩幕包括利用橢圓形能量光束形成之卵形或圓形特征。
19.如權(quán)利要求第18項(xiàng)之方法，其中該罩幕系由一方法制造，包括提供一包括透明材料之基板；于其上沉積一不透明材料；利用一實(shí)際上圓形能量光束以在不透明材料上構(gòu)成包括卵形或圓形特征之圖案，部分卵形或圓形特征包括不理想之階梯形邊緣；及以橢圓形能量光束移除至少部分卵形或圓形特征之階梯形邊緣。
20.如權(quán)利要求第19項(xiàng)之方法，其中該橢圓形能量光束包括一長軸及一短軸，其中該沿能量光束長軸之一邊緣用以移除罩幕之階梯形邊緣。
21.如權(quán)利要求第19項(xiàng)之方法，其中該移除罩幕之階梯形邊緣包含利用一雷射或電子能量光束。
22.如權(quán)利要求第18項(xiàng)之方法，尚包括沉積一阻抗層于半導(dǎo)體晶圓上，其中該罩幕系用以圖案化該阻抗層。
23.如權(quán)利要求第18項(xiàng)之方法，其中該制造之半導(dǎo)體裝置包括一磁隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)及動態(tài)存取內(nèi)存(DRAM)裝置。
24.一種圖案化一半導(dǎo)體晶圓之方法，包含提供一具有表面之半導(dǎo)體晶圓；在半導(dǎo)體晶圓表面上沉積阻抗層；以能量光束圖案化該阻抗層，其中該能量光束包括橢圓形剖面之光束；利用阻抗層將半導(dǎo)體晶圓圖案化。
25.如權(quán)利要求第24項(xiàng)之方法，其中該能量光束包含一雷射，離子光束，或電子能量光束。
26.如權(quán)利要求第24項(xiàng)之方法，其中該圖案化該阻抗層包括形成一卵形或圓形化特征。
27.如權(quán)利要求第26項(xiàng)之方法，包含利用實(shí)際上圓形之能量光束以構(gòu)成包括卵形或圓形化特征之圖案于阻抗層上，部分卵形或圓形化特征包括不理想之階梯形邊緣；及以橢圓形能量光束移除至少部分卵形或圓形化特征之階梯形邊緣。
28.利用權(quán)利要求第24項(xiàng)之方法圖案化之半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
一種制造一罩幕(316)以供圖案化一半導(dǎo)體晶圓之方法。該罩幕(316)包括橢圓(340)或圓形化特征利用一橢圓形能量光束(350)形成。利用實(shí)質(zhì)上圓形能量光束形成之卵形(340)或圓形化特征之不理想階梯形邊緣(344)，以橢圓形能量光束(350)予以平滑化。一種以罩幕(316)制造一半導(dǎo)體裝置之方法亦包括在內(nèi)。橢圓形能量光束(350)亦可用來直接圖案化一半導(dǎo)體晶圓。
文檔編號G03F7/20GK1575437SQ02821213
公開日2005年2月2日 申請日期2002年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月26日
發(fā)明者E·卡皮 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司