專利名稱：識(shí)別在掩模層上的虛擬特征的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在掩模層上從主要特征區(qū)別虛擬特征的自動(dòng)化系統(tǒng)和方法，由此有效地利用資源和循環(huán)時(shí)間。
背景技術(shù)：
典型的集成電路(IC)芯片包括形成在基片上多重分層。這些分層，各層具有在其層上的預(yù)定圖案，可導(dǎo)致在芯片表面上不平整的地貌。在一層上不平整的地貌可對(duì)于其連接的一層或多層產(chǎn)生不利效果。
例如，

圖1A說明在芯片蝕刻層100的剖面圖，其中蝕刻層100包括特征101和102。特征101延伸在水平面103之上，即突出部分，而特征102延伸在水平面103之下，即侵入部分。如果在蝕刻層100上形成另一分層104，如圖1B所示，分層104由于分層100的不平整地貌而具有不平整的表面。分層104的不平整地貌將不受歡迎地使該分層制版過程復(fù)雜化，因?yàn)樵诜謱?00中的“臺(tái)階”產(chǎn)生光反射或覆蓋不足。
用來對(duì)付不平整地貌引起效果的普通技術(shù)是平面化。平面化的目的是保證隨后制版的效果與以前分層下面的芯片地貌無關(guān)，或更現(xiàn)實(shí)地，較少相關(guān)。平面化對(duì)于需要關(guān)鍵性尺寸控制的分層特別重要。具體地說，不平整的地貌可使聚焦問題有相當(dāng)深度，由此使芯片上關(guān)鍵性尺寸控制不可能。
不過，平面化本身可在芯片上造成問題。例如，在圖1C所示已知的平面化過程中，在蝕刻層100上形成較厚的自旋玻璃(SOG)層105。在形成后，SOG層104被烘干，由此剩下基本上平面化的二氧化硅。由此形成的平面，雖然比較層104顯著地平整，但仍保留可能會(huì)影響隨后制版過程的不平整。為此，一種化學(xué)-機(jī)械性清漆(CMP)可以用來潤(rùn)飾SOG層105。
在CMP過程中，采用一種裝置機(jī)械地潤(rùn)飾芯片的表面。不幸地，由于在層100中在下的特征，諸如特征101和102，層105的潤(rùn)飾可導(dǎo)致施加于芯片某些區(qū)域表面上不均勻的力。這些不均勻力轉(zhuǎn)而造成芯片上機(jī)械應(yīng)力或者不均勻弓曲，由此導(dǎo)致表面不均勻的潤(rùn)飾。圖1D闡明層105在CMP過程可能造成的凹陷區(qū)域106。
為防止這樣的凹陷，可以在芯片幾何結(jié)構(gòu)密度較低區(qū)域放置虛擬支柱，由此在CMP中提供機(jī)械支承并因此防止不均勻潤(rùn)飾。例如，圖2闡明包括兩主要特征201及202和虛擬支柱203及204的層200的頂面視圖。引入虛擬支柱(此后稱作虛擬特征)的過程通常稱為“虛擬化”。
在掩模設(shè)計(jì)過程中，虛擬特征203-204是在主要特征201-202布置設(shè)計(jì)后加上的。重要的是，掩模設(shè)計(jì)的GDS-II文件可包括多-水平信息，由此使主要特征201-202可與虛擬特征203-204區(qū)別。不過，該設(shè)計(jì)信息然后可映射到掩模準(zhǔn)備(MDP)語言中，這是同一級(jí)文件。在一個(gè)實(shí)施方案中，這一映射可以用CATSTM工具執(zhí)行，該工具由本發(fā)明受讓人持有專利。如此，在布置設(shè)計(jì)之后，虛擬特征203-204和主要特征201-202有效地作為一種類型的數(shù)據(jù)處理。結(jié)果，布置后的處理過程全局地應(yīng)用于包括虛擬特征的所有特征，而不是僅僅有選擇地應(yīng)用于主要特征。布置設(shè)計(jì)后過程的例子可包括光學(xué)近端改正(OPC)，相移位構(gòu)造設(shè)置，掩模寫入，掩模制造，掩模檢查和掩模缺陷改正。
全局地應(yīng)用這樣布置后過程可導(dǎo)致資源和循環(huán)時(shí)間浪費(fèi)。在某些情況，不必要的虛擬處理或其它較不重要的特征可占用制造循環(huán)中相當(dāng)一部分或甚至大部分時(shí)間。因此，需要一種系統(tǒng)和方法，以便在布置后處理過程中識(shí)別掩模層上的特征。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的一個(gè)特征，虛擬特征可利用各種自動(dòng)技術(shù)從主要特征中區(qū)別。當(dāng)虛擬特征沒有在數(shù)據(jù)表示中從主要特征中分離出來時(shí)，這些技術(shù)可有利地應(yīng)用于任何規(guī)劃布置后的掩模處理過程。一般地說，從主要特征區(qū)別虛擬特征的方法包括選擇掩模層，提供在掩模層上識(shí)別虛擬特征的技術(shù)，和把技術(shù)應(yīng)用于所選擇的掩模層。這一技術(shù)可根據(jù)從多個(gè)掩模層的信息或者所選擇掩模層的幾何結(jié)構(gòu)信息。
在多種掩模層技術(shù)中，信息可以包括所選擇的層和其它掩模層之間的連通性。在一個(gè)實(shí)施方案中，該連通性信息可由接觸點(diǎn)或通過層提供。該信息也可包括所選擇掩模層和其它掩模層之間的功能性聯(lián)合。例如，可以由多晶硅層和擴(kuò)散層提供功能性聯(lián)合信息。
在幾何結(jié)構(gòu)技術(shù)中，信息可以包括決定特征的尺寸或形狀，其中虛擬/主要特征可具有比較預(yù)定尺寸更大的尺寸或可具有預(yù)定的形狀。在另一情況中，虛擬/主要特征可具有預(yù)定圖案，即某一形狀或特征之間的距離。在又一情況中，虛擬/主要特征可具有對(duì)同一層上另外特征的設(shè)定接近性。
在一個(gè)實(shí)施方案中，從多中掩模層技術(shù)和集合技術(shù)獲得的信息可同時(shí)用來識(shí)別虛擬/主要特征。
按照本發(fā)明另一特征，提供一種對(duì)于集成電路處理掩模層的自動(dòng)化方法。該方法包括識(shí)別多個(gè)主要特征和至少在掩模層中一個(gè)虛擬特征，然后只對(duì)主要特征提供處理。處理可包括改正光學(xué)接近性，提供相位移構(gòu)造，掩模制造，掩模檢查和改正掩模缺陷。
在一個(gè)實(shí)施方案中，至少主要特征之一包括輔助條，即一種光學(xué)接近性改正構(gòu)造。在另一實(shí)施方案中，虛擬特征可對(duì)對(duì)應(yīng)于掩模層的集成電路(IC)層提供機(jī)械支承。例如，虛擬特征可以在化學(xué)機(jī)械修飾(CMP)操作中提供對(duì)IC層的保護(hù)。在又一實(shí)施方案中，當(dāng)特征在寫入操作中轉(zhuǎn)移到IC層上時(shí)，虛擬特征可改善掩模層上一個(gè)或多個(gè)特征的清晰度。例如，在多晶硅掩模層上的假門可用來改善IC層上的門的清晰度。這樣，假門可用作可印刷的光學(xué)接近性改正構(gòu)造。在又一實(shí)施方案中，虛擬特征可對(duì)IC層提供試驗(yàn)圖案或識(shí)別標(biāo)記。
按照本發(fā)明的又一特征，提供一種對(duì)集成電路處理掩模層的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可包括接受關(guān)于掩模層特征信息的手段，根據(jù)信息決定特征是主要特征還是虛擬特征的手段，和如果特征為主要特征識(shí)別特征適合進(jìn)一步處理、而如果特征為虛擬特征不適合進(jìn)一步處理的手段。在一個(gè)實(shí)施方案中，系統(tǒng)還包括接受用戶輸入的關(guān)于信息的手段。
按照本發(fā)明另一個(gè)特征，提供一集成電路。該集成電路可包括多個(gè)主要特征和至少一個(gè)虛擬特征，其中只有主要特征反映制造后的處理。在一個(gè)實(shí)施方案中，制造后的處理可包括缺陷改正。這樣，不似過去的工藝，IC層上的虛擬特征可包括缺陷。
按照本發(fā)明另一個(gè)特征，提供一種機(jī)器可讀的編程存儲(chǔ)設(shè)備。該編程存儲(chǔ)設(shè)備切實(shí)地包含機(jī)器可執(zhí)行的指令程序以實(shí)施方法步驟而分析集成電路上掩模層。該方法包括提供在掩模層上從虛擬特征區(qū)別主要特征的技術(shù)并應(yīng)用該技術(shù)到掩模層上。在一個(gè)實(shí)施方案中，掩模編程存儲(chǔ)設(shè)備可進(jìn)一步包括接受用戶關(guān)于技術(shù)的輸入的手段。該技術(shù)可包括決定特征尺寸、特征形狀、從多重特征的圖案和特征對(duì)另一特征的接近性。該技術(shù)也可包括對(duì)于集成電路從至少一個(gè)其它掩模層的使用信息。該信息可包括掩模層和其它掩模層之間的連通性或者掩模層和其它掩模層之間的功能性聯(lián)合。
按照本發(fā)明另一個(gè)特征，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。該計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括具有包含在內(nèi)的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，以便使計(jì)算機(jī)分析對(duì)于集成電路的掩模層。計(jì)算機(jī)可讀程序編碼可包括接受關(guān)于掩模層特征的信息，根據(jù)信息決定特征是主要特征和虛擬特征之一，和識(shí)別特征適合進(jìn)一步處理(如果特征為主要特征)，而不適合進(jìn)一步處理(如果特征為虛擬特征)的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。在一個(gè)實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)可讀程序編碼可接受用戶關(guān)于技術(shù)的輸入。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可進(jìn)一步包括決定至少特征尺寸、特征形狀、從多重特征來的圖案和特征對(duì)另一特征的接近性等之一的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。計(jì)算機(jī)可讀程序編碼也可使用從至少一個(gè)對(duì)集成電路其它掩模層的信息。該信息可包括掩模層和其它掩模層之間的連通性信息。此外，該信息可包括掩模層和其它掩模層之間的聯(lián)合。
附圖簡(jiǎn)要說明圖1A闡明芯片上刻蝕層的剖面圖，其中刻蝕層包括兩種特征。
圖1B闡明形成在圖1A的刻蝕層上的第二層，其中第二層具有由于下面刻蝕層不平整地貌而引起的不平整表面。
圖1C闡明在刻蝕層上形成的厚的自旋玻璃(SOG)層，其中SOG層保留一些表面不平整。
圖1D闡明可能由于圖1C中SOG層的化學(xué)-機(jī)械修飾造成的凹陷區(qū)域。
圖2闡明一種IC層，它包括放置于芯片集合密度較低區(qū)域的兩種主要特征和兩種虛擬支柱。
圖3A闡明具有第一金屬對(duì)p-擴(kuò)散、第一金屬對(duì)n-擴(kuò)散、VDD基片和VSS基片接觸點(diǎn)的變換器剖面圖。
圖3B闡明實(shí)現(xiàn)圖3A中變換器的第一金屬層。
圖3C闡明實(shí)現(xiàn)圖3A中變換器的接觸點(diǎn)層。
圖3D闡明圖3B中第一金屬層和圖3C中接觸點(diǎn)層的綜合視圖，由此識(shí)別某第一金屬特征作為主要特征。
圖3E闡明實(shí)現(xiàn)圖3A中變換器的擴(kuò)散層。
圖3F闡明圖3B中第一金屬層和圖3E中擴(kuò)散層的綜合視圖，由此識(shí)別某第一金屬特征作為主要特征。
圖3G闡明一種包括采用通路連接于多個(gè)第一金屬特征的第二金屬特征的幾何結(jié)構(gòu)，其中第一金屬特征轉(zhuǎn)而采用接觸點(diǎn)連接于多晶硅和擴(kuò)散特征。
圖3H闡明實(shí)現(xiàn)圖3G中幾何結(jié)構(gòu)的第二金屬層。
圖3I闡明實(shí)現(xiàn)圖3G中幾何結(jié)構(gòu)的通路層。
圖3J闡明圖3H中第二金屬層和圖3I中通路層的綜合視圖，由此識(shí)別某第二金屬特征作為主要特征。
圖3K闡明第一金屬層、接觸點(diǎn)層和通路層的綜合視圖，由此識(shí)別某第一金屬特征作為主要特征。
圖4A闡明帶有各種特征的掩模層，其中主要特征具有預(yù)定寬度和最小長(zhǎng)度。
圖4B闡明帶有各種特征的掩模層，其中虛擬特征具有預(yù)定形狀。
圖4C闡明帶有各種特征的掩模層，其中虛擬特征可定義為具有對(duì)任何鄰近特征最小接近性的特征。
圖5闡明一種掩模層，它具有包括光學(xué)接近性改正構(gòu)造和一群主要特征的孤立主要特征，其中在一群特征中之一包括缺陷。
圖6闡明使用按照本發(fā)明識(shí)別技術(shù)的一般流程圖。
圖7闡明按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的掩模制造系統(tǒng)。
具體的實(shí)施方式按照本發(fā)明的一個(gè)特征，各種自動(dòng)化技術(shù)可用來從主要特征區(qū)別虛擬特征。虛擬特征和主要特征之間的區(qū)別可以由一個(gè)或多個(gè)定義確定。在一個(gè)實(shí)施方案中，虛擬特征可以定義為具有預(yù)定特性的主要特征的補(bǔ)充。在另一實(shí)施方案中，主要特征可以定義為具有預(yù)定特性的虛擬特征的補(bǔ)充。在又一實(shí)施方案中，虛擬特征和主要特征均可具有預(yù)定特征。在掩模層上一種技術(shù)至少可應(yīng)用一個(gè)識(shí)別虛擬/主要特征的定義。使用的技術(shù)可從一掩模層變化到另一掩模層。如在以下更進(jìn)一步詳細(xì)所描述，該技術(shù)可有利地在任何制造掩模的布置后的處理過程中使用。
詳細(xì)的描述將主要聚集在參考GDS-II格式化數(shù)據(jù)文件而識(shí)別虛擬特征上。不過，本發(fā)明的諸實(shí)施方案對(duì)于其它數(shù)據(jù)格式同樣可以良好地運(yùn)行。對(duì)于運(yùn)行在分裂的數(shù)據(jù)文件(例如準(zhǔn)備作為制作掩模的制造設(shè)備的文件)上的本發(fā)明實(shí)施方案這可能特別必要。例如，CATSTM工具，由本發(fā)明受讓人持有專利，可在GDS-II格式IC布置中讀取數(shù)據(jù)并將其分裂供掩模制造。在分裂過程中，CATSTM工具可改變布置(除了別的以外)以改善掩模可制造性。如此，在掩模檢查和掩模缺陷改正中，原始GDS-II數(shù)據(jù)文件可能不能供使用或雖可供使用然而不再為精確的參考點(diǎn)。如此，本發(fā)明的實(shí)施方案可以在一些不同數(shù)據(jù)格式(包括分裂的數(shù)據(jù)格式、掩模電子束暴露系統(tǒng)格式(MEBES)、賣方-特定掩模寫入格式、賣方-特定掩模檢查格式、與/或其它適當(dāng)數(shù)據(jù)格式)中識(shí)別虛擬特征。
因此對(duì)于GDS-II格式的討論和參考僅為舉例而已。對(duì)GDS-II特定特征，例如多層，應(yīng)該理解為例子。具體地說，單獨(dú)的GDS-II文件可能包含最終用來生產(chǎn)多重掩模的信息。因此在本發(fā)明工作在MEBES數(shù)據(jù)上的實(shí)施方案中，關(guān)于在哪一層將使用掩模的信息可以與MEBES數(shù)據(jù)相關(guān)，即使它并不儲(chǔ)存在GDS-II格式中并且不直接地是MEBES格式的一部分。
使用多層的識(shí)別技術(shù)在一種技術(shù)中，從多重掩模層的綜合信息能夠迅速地和精確地識(shí)別虛擬/主要特征。該信息包括連通性信息或功能聯(lián)合信息。例如在設(shè)計(jì)布置中的金屬幾何結(jié)構(gòu)被典型地連接兩點(diǎn)。具體地說，在金屬層中各主要特征連接到或者是接觸點(diǎn)或者是通路以便電氣連接到另一層的另一特征。如此，如果在金屬層中的特征不能重疊至少一個(gè)接觸點(diǎn)或通路，則該特征不攜帶任何電氣信號(hào)并且，按照定義，不是主要特征和不能識(shí)別為虛擬特征。
對(duì)第一金屬層掩模的情況，從兩掩模層來的信息可加以比較第一金屬層和接觸點(diǎn)層。如本行業(yè)熟練人士所知，接觸點(diǎn)可提供關(guān)于第一金屬特征與晶體管活性區(qū)域的直接連接。如此，接觸點(diǎn)可包括第一金屬對(duì)p-擴(kuò)散和第一金屬對(duì)n-擴(kuò)散的連接。此外，接觸點(diǎn)可包括第一金屬對(duì)多晶硅連接，以及VDD和VSS基片連接。
圖3A闡明具有第一金屬對(duì)p-擴(kuò)散、第一金屬對(duì)n-擴(kuò)散、VDD基片和VSS基片接觸點(diǎn)的變換器300剖面圖。在變換器300中，p-型晶體管的源/漏(p+)區(qū)域313’在n-井314’中形成，而n-型晶體管的源/漏(n+)的區(qū)域315’在p-基片311’中形成。第一金屬特征303’對(duì)n+擴(kuò)散區(qū)域312’通過接觸點(diǎn)305’提供VDD基片連接，而第一金屬對(duì)p-擴(kuò)散(即p-型晶體管的源)的連接通過接觸點(diǎn)306’。第一金屬特征304’對(duì)p+擴(kuò)散區(qū)域316’通過接觸點(diǎn)310’提供VSS基片連接，而第一金屬對(duì)n-擴(kuò)散(即n-型晶體管的源)連接通過接觸點(diǎn)309’。最后。第一金屬特征302’通過接觸點(diǎn)307’提供第一金屬對(duì)p-擴(kuò)散(即p-型晶體管的漏)連接，而第一金屬對(duì)n-擴(kuò)散(即n-型晶體管的漏)連接通過接觸點(diǎn)308’。注意在變換器300中n-晶體管和p-晶體管的門是連接的。因此，這些門在圖3A中用一個(gè)多晶硅特征301’代表。
在設(shè)計(jì)第一金屬層實(shí)現(xiàn)變換器以后，虛擬特征可以放置在第一金屬層上。在一個(gè)實(shí)施方案中，這些虛擬特征在CMP過程中可以在芯片上消除機(jī)械應(yīng)力。例如，圖3B闡明一種實(shí)現(xiàn)變換器300的第一金屬層。第一金屬層包括多個(gè)第一金屬302、303、304、321和322(其中在掩模層上的第一金屬特征302、303、304對(duì)應(yīng)于物理變換器300的第一金屬特征302’、303’、304’)。
在一個(gè)實(shí)施方案中，從第一金屬層和接觸點(diǎn)層來的信息可以聯(lián)合促進(jìn)虛擬/主要特征的識(shí)別。圖3C闡明用于實(shí)現(xiàn)包括接觸點(diǎn)305-310的變換器的接觸點(diǎn)層。從這些顯示在圖3D中掩模層信息的組合可識(shí)別第一金屬構(gòu)造與接觸點(diǎn)的重疊。具體地說，任何重疊指出主要特征，而缺乏重疊指明虛擬特征。如圖3D中所示，第一金屬特征302重疊接觸點(diǎn)307和308，第一金屬特征303重疊接觸點(diǎn)305和306，而第一金屬特征304重疊接觸點(diǎn)309和310。因此，第一金屬特征302、303和304識(shí)別為主要特征。相反，主要特征321和322沒有與任何接觸點(diǎn)的重疊。因此在這一技術(shù)中，金屬特征321和322可以認(rèn)為虛擬特征。這樣，從第一金屬層和接觸點(diǎn)層來的信息可以聯(lián)合識(shí)別在第一金屬層上的主要/虛擬特征而不需要這些特征正確功能的詳細(xì)知識(shí)。
從其它層來的信息也可以用來識(shí)別在第一金屬層上的主要/虛擬特征。例如，圖3E闡明包括n+擴(kuò)散區(qū)域312和315以及p+擴(kuò)散區(qū)域313和316的變換器300的擴(kuò)散層。在基片中擴(kuò)散區(qū)域指明在芯片上的活動(dòng)區(qū)域。因此，第一金屬特征與擴(kuò)散區(qū)域的重疊也可識(shí)別主要特征。
圖3F闡明從第一金屬層(圖3B)和擴(kuò)散層(圖3E)來的信息的組合。如圖3F中所示，第一金屬特征302重疊擴(kuò)散區(qū)域313和315，第一金屬特征303重疊擴(kuò)散區(qū)域312和313，而第一金屬特征304重疊擴(kuò)散區(qū)域315和316，從而指明第一金屬特征302、303和304為第一金屬層上主要特征。相反，第一金屬特征321和322沒有與任何擴(kuò)散區(qū)域的重疊。因此，第一金屬特征321和322可以認(rèn)為是在第一金屬層上的虛擬特征。這樣，從第一金屬層和擴(kuò)散層來的信息的聯(lián)合也可以識(shí)別在第一金屬層上的主要/虛擬特征。
在當(dāng)前CMOS芯片設(shè)計(jì)中，也可以采用第一、第二、第三或第四金屬層?？梢岳猛钒训诙饘偬卣鬟B接到第一金屬特征。相似地，把第三和第四金屬特征各自連接到第二金屬特征和第三金屬特征也可以利用通路完成。例如，圖3G闡明一種幾何結(jié)構(gòu)340，包括分別通過通路333’和334’連接于第一金屬特征331’和332’及第二金屬特征330’。第一金屬特征331’和332’依此可以分別利用接觸點(diǎn)336’和338’連接到擴(kuò)散區(qū)域335’和多晶硅特征337’。
通路層，類似接觸點(diǎn)層，也可以在金屬層上識(shí)別主要/虛擬特征。例如，圖3H闡明用于實(shí)現(xiàn)幾何結(jié)構(gòu)340的第二金屬層，其中第二金屬層包括多個(gè)第二金屬特征330、341和342。在一個(gè)實(shí)施方案中，從該第二金屬層和和從通路層來的信息可以聯(lián)合在一起。圖3I闡明用于實(shí)現(xiàn)包括通路333和334的幾何結(jié)構(gòu)340的通路層。顯示在圖3J中，從這些層來的信息的聯(lián)合指明第二金屬層與通路的重疊，其中重疊說明主要特征，而缺乏重疊說明虛擬特征。在這樣的方式中，第二金屬特征330可以識(shí)別為主要特征，而第二金屬特征341和342可以識(shí)別為虛擬特征。
在另一實(shí)施方案中，可以綜合從三或更多層來的信息。例如，圖3K闡明具有特征331和332的第一金屬層，具有接觸點(diǎn)336和338的接觸點(diǎn)層和具有通路333和334的通路層的綜合視圖。在該例子中，第一金屬特征與至少接觸點(diǎn)和通路之一的重疊將識(shí)別第一金屬特征作為主要特征。在圖3K中，第一金屬特征331具有與接觸點(diǎn)336和通路333的重疊，而第一金屬特征332具有與接觸點(diǎn)338和通路334的重疊。因此，第一金屬特征331和332均識(shí)別作為主要特征。
注意掩模層的選擇依賴于在掩模層上的主要/虛擬特征對(duì)其它掩模層上特征的已知連通性或功能性聯(lián)合。這樣，例如，如果在多晶硅層上的主要特征需要識(shí)別，則多晶硅層上信息可與從擴(kuò)散層(即定義多晶硅門對(duì)源/漏擴(kuò)散區(qū)域的功能性聯(lián)合)和從通路層(即例如定義對(duì)第二金屬特征的連通性)的信息聯(lián)合。在這樣的方式下，主要特征，例如晶體管的多晶硅門，可以從僅用于改進(jìn)在相應(yīng)IC層上印刷多晶硅門(也稱作“偽門”)分辨率的多晶硅區(qū)別出來。換言之，偽門的功能為可印刷的輔助特征。在另一例子中，一種試驗(yàn)特征可具有與在另一掩模層上的特征連通性與/或功能性聯(lián)合。不過，需要附加的信息決定連通性與/或功能性聯(lián)合是否是“真”。因此，在該技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方案中，可用附加的掩模層確認(rèn)虛擬/主要特征的初步識(shí)別。
利用幾何結(jié)構(gòu)的識(shí)別技術(shù)在掩模層上的一個(gè)或多個(gè)特征的幾何結(jié)構(gòu)可用來按其它技術(shù)識(shí)別主要/虛擬特征。幾何結(jié)構(gòu)定義可以根據(jù)，例如，特征尺寸、特征形狀、特征接近性、特征圖案或以上任何幾個(gè)方面的綜合。
在一個(gè)實(shí)施方案中，特征的尺寸可以從虛擬特征區(qū)別主要特征，例如，主要特征可以定義為寬度0.25微米和長(zhǎng)度至少為2.0微米。這樣，任何滿足該定義的特征均識(shí)別為主要特征，并且在邏輯上任何不能滿足該定義的特征識(shí)別為虛擬特征。
圖4A闡明包括特征401、402、403和404的掩模層。假定特征401以具有0.25微米寬度和大約7.0微米長(zhǎng)度滿足主要特征的給定定義。還假定特征402具有0.5微米寬度和大約3.0微米長(zhǎng)度。換言之，雖然，特征402滿足長(zhǎng)度要求，特征402超過寬度要求。因此，特征402將識(shí)別為虛擬特征。假定特征403和404滿足0.25微米的寬度要求，但只有1.0微米長(zhǎng)并因此不能滿足長(zhǎng)度要求。因此特征403和404也將識(shí)別為虛擬特征。
在另一實(shí)施方案中，特征的形狀可從虛擬特征中區(qū)別主要特征。例如，虛擬特征可定義為具有六角形的形狀，即具有六角和六邊的多角形。在一個(gè)實(shí)施方案中，如果特征具有不同于六角形的形狀，則該特征為主要特征。圖4B闡明包括特征401和406-411的掩模層。在圖4B中，各特征406-411具有六角形狀并因此均識(shí)別為虛擬特征。反之，特征401并不具有六角形并因此識(shí)別為主要特征。
注意虛擬特征的形狀并不限于六角形。例如，虛擬特征形狀可以定義為具有0.25微米寬度和1.0微米長(zhǎng)度的矩形。因此，由于特征403和404(圖4A)滿足形狀定義，這些特征將識(shí)別為虛擬特征。在另一例子中，虛擬特征的形狀可定義為具有至少預(yù)定尺寸的任何正方形。實(shí)際上，對(duì)于虛擬特征的形狀定義可包括任何類型的形狀，其中形狀可以用角/邊數(shù)目以及與這些邊有關(guān)的長(zhǎng)度定義。如此，虛擬特征可定義為任何類型的多角形或甚至用更復(fù)雜的形狀定義。
在還有另一實(shí)施方案中，虛擬特征可以形成圖案。例如，一種定義的虛擬圖案可以是特征406/407/408或特征409/410/411。其它實(shí)施方案可提供包括各種特征形狀和尺寸的多種虛擬圖案。這樣，在另一例子中，另一虛擬圖案可以是特征403/404(圖4A)。此外，在還有另一實(shí)施方案中，虛擬圖案可以是特征403和406的綜合。這樣，為定義一種虛擬圖案，具有第一預(yù)定形狀和/或尺寸特征的邊可以定義為從另一具有第二預(yù)定形狀和/或尺寸特征的固定距離。在有些情況中，虛擬圖案可以用對(duì)于特征某些已知的關(guān)系放置在完全不同的掩模層中。
在又一實(shí)施方案中，一個(gè)特征對(duì)鄰近特征的接近性可使主要特征從虛擬特征中區(qū)別。虛擬特征可定義為位于從任何鄰近特征至少一個(gè)預(yù)定距離的特征。在一種情況中，任何位于更近于對(duì)鄰近特征預(yù)定距離的特征識(shí)別為主要特征。圖4C闡明包括特征401和413-414的掩模層412。在該情況中，特征401和414可識(shí)別為主要特征，而特征413可識(shí)別為虛擬特征。
在有些實(shí)施方案中，虛擬特征識(shí)別為那些處于其它特征的光學(xué)接近性效果范圍之外的特征。例如在圖4C中，特征413處于其它特征的光學(xué)接近性效果范圍之外，例如特征401和特征414。在該實(shí)施方案的變化中，在各特征的周圍計(jì)算出其尺寸為光學(xué)接近性改正范圍的暈圈，其中任何特征，其暈圈不與任何其它特征相交并且它本身不被任何其它特征的暈圈相交就認(rèn)為是虛擬特征。
注意多重定義的使用，這些定義可包括不同的技術(shù)，能夠比較使用單獨(dú)的定義產(chǎn)生更精確識(shí)別效果。例如，圖5闡明包括特征501的掩模層500。注意特征501包括錘頭502和503，它們?yōu)槭熘墓鈱W(xué)接近性改正(OPC)構(gòu)造。假定特征的尺寸為用于從虛擬特征區(qū)別主要特征(例如，主要特征定義為具有0.25微米寬度和至少2.0微米長(zhǎng)度)的定義而錘頭的502/503寬度大于0.25微米，則特征501可識(shí)別為虛擬特征。不過，假定特征對(duì)鄰近特征的接近性(例如虛擬特征定義為位于從鄰近特征至少離開預(yù)定距離的特征)是采用的另外定義，則由于其對(duì)特征504和505的接近性，特征501也可識(shí)別為主要特征。
因此，在較佳的實(shí)施方案中，如果一個(gè)定義識(shí)別特征為虛擬特征，而另一定義識(shí)別特征為主要特征，則該特征識(shí)別為主要特征。注意使用這種保守的方法也導(dǎo)致特征504和505(他們稱作輔助條的熟知的OPC構(gòu)造)識(shí)別為主要特征。這是所希望的結(jié)果，因?yàn)檩o助條具有極端嚴(yán)密的公差，并且因此在任何掩模層中應(yīng)該考慮為主要特征。在另一可替代的實(shí)施方案中，OPC構(gòu)造，諸如錘頭、襯線和輔助條具有單獨(dú)的識(shí)別定義，從而也改進(jìn)主要/虛擬特征識(shí)別的精確度。
按照一個(gè)實(shí)施方案，使用多重定義也改正由于缺陷而引起的錯(cuò)誤識(shí)別。例如，掩模層還包括特征504-507。不過，特征505包括缺陷508。再一次，假定特征的尺寸是用于從虛擬特征區(qū)別主要特征的定義(例如主要特征定義為具有0.25微米寬度和至少2.0微米長(zhǎng)度)并且如果具有缺陷508的特征505的寬度大于0.25微米，則特征505可能被誤為虛擬特征。不過，假定也采用特征圖案(例如在特征504-507形成圖案處)的定義，則特征505可正確地識(shí)別為主要特征，因而保證特征505的缺陷可以在掩模缺陷改正過程中得到修理。
圖6闡明按照本發(fā)明利用識(shí)別技術(shù)的一般流程圖。在步驟601，可以選擇掩模層。在步驟602，可以設(shè)置用來在掩模層上識(shí)別主要/虛擬特征的技術(shù)或技術(shù)組合。最后，在步驟603，該技術(shù)可以應(yīng)用到所選擇的掩模層。
有利地，利用本發(fā)明的識(shí)別技術(shù)可顯著地減少規(guī)劃后與任何掩模操作有關(guān)的處理時(shí)間。此外，通過利用所描述的多重層技術(shù)、幾何結(jié)構(gòu)技術(shù)、或其組合，任何形式的特征可以從另外形式的特征中區(qū)別出來。例如，在擴(kuò)散層中對(duì)主要特征的定義可以設(shè)定為區(qū)別源/漏區(qū)域和用于VDD/VSS接觸的擴(kuò)散區(qū)域。這樣，按照本發(fā)明的一個(gè)特征，為虛擬/主要特征設(shè)定的定義可使一個(gè)單級(jí)數(shù)據(jù)文件具有多級(jí)數(shù)據(jù)的功能，從而容許在該掩模層上作特征的選擇性處理。
圖7闡明按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的掩模系統(tǒng)。該系統(tǒng)可包括虛擬特征探測(cè)工具701，它可與OPC工具702、PSM工具703、掩模制造工具704、掩模檢查工具705和掩模缺陷改正工具706中任何一個(gè)聯(lián)接。虛擬特征探測(cè)工具701，它可接受GDS-II文件700作為輸入，典型地包括可以在多種計(jì)算機(jī)平臺(tái)上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)程序，該平臺(tái)包括應(yīng)用Windows 95TM或NTTM4.0操作系統(tǒng)并具有128MB隨機(jī)儲(chǔ)存器和200MHz Pentium ProTM微處理器，或者單獨(dú)運(yùn)行或者連接在網(wǎng)絡(luò)上，和其中有一臺(tái)SUNTM工作站計(jì)算機(jī)。
在復(fù)雜的和密集的線路中，其中特征的尺寸接近制版過程的光學(xué)極限，掩模也可包括光學(xué)接近性改正構(gòu)造(諸如錘頭、襯線和輔助條)。這些OPC構(gòu)造設(shè)計(jì)用于補(bǔ)償掩模上接近性效果。OPC工具702典型地利用各種處理模型、OPC規(guī)則、和把OPC構(gòu)造綜合進(jìn)入掩模規(guī)劃的技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施方案中，OPC工具702可從虛擬特征探測(cè)工具701接受虛擬特征識(shí)別信息，從而限制OPC在掩模層上的主要特征。光學(xué)接近性改正(OPC)工具702可包括，例如，iN-TandemTM工具、PhotolynxTM工具、SiVLTM工具或TROPiCTM工具(由本發(fā)明受讓人持有專利)。只對(duì)掩模的主要特征應(yīng)用OPC有利地補(bǔ)償掩模上接近性效應(yīng)而同時(shí)減少與該功能有關(guān)的處理時(shí)間。
相-移位典型地在掩模上放置0-度和180-度相移位構(gòu)造以顯著地減少門長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施方案中，PSM(相移位掩模)工具703可從虛擬特征探測(cè)工具701接受虛擬特征識(shí)別信息，并利用該信息自動(dòng)地只應(yīng)用相移位在掩模層上的主要特征。PSM工具703可包括由本發(fā)明受讓人持有專利的iN-TandemTM工具組合。為保證從相移位設(shè)計(jì)獲得最大收益，在一個(gè)實(shí)施方案中，PSM工具703也可施加OPC構(gòu)造到任何相移位門區(qū)域。利用相移位數(shù)據(jù)基礎(chǔ)(可包括虛擬特征識(shí)別信息)和預(yù)先設(shè)定的OPC處理規(guī)則，PSM工具703可自動(dòng)地只對(duì)決定處于硅公差以外的主要特征施加改正性O(shè)PC構(gòu)造。只對(duì)掩模上主要特征施加PSM構(gòu)造可保證合適地減少特征尺寸而同時(shí)減少與該復(fù)雜功能有關(guān)的處理時(shí)間。
掩模制作工具705把掩模層上最終圖案轉(zhuǎn)移到物理掩模。復(fù)雜規(guī)劃典型地用電子束掃描儀寫入掩模。該掃描儀可用光柵掃描或矢量掃描。在光柵掃描中，掃描儀的輸出在水平傳送中越過部分掩模并在每次傳送后以增量移位向下。電子束的點(diǎn)尺寸可以設(shè)定為小或大。在矢量掃描中，電子束以各種原始形狀(諸如矩形或三角形)投射以形成要求的特征。
在一個(gè)實(shí)施方案中，如果在規(guī)劃布置上的特征識(shí)別為主要特征，則具有小點(diǎn)尺寸的光柵掃描可用來在掩模上寫入特征。另一方面，如果在規(guī)劃布置上的特征識(shí)別為虛擬特征，則具有大點(diǎn)尺寸的光柵掃描可用來在掩模上寫入特征。在這樣的方式下，主要/虛擬特征的識(shí)別顯著地減少制造時(shí)間而仍保持過程控制，諸如臨界尺寸(CD)控制。
掩模檢查工具705包括圖像采集器，諸如掃描電子顯微鏡(SEM)、聚焦離子束顯微鏡、原子力顯微鏡或近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡。圖像采集器也可包括可與使用中特定形式接口的CCD照相機(jī)并且把從顯微鏡取得的圖像數(shù)字化。圖象數(shù)據(jù)可以諸如Windows BMP格式儲(chǔ)存在任何適當(dāng)類型的介質(zhì)中，包括計(jì)算機(jī)硬盤、CDROM、或服務(wù)器。
掩模檢查工具705還可包括缺陷探測(cè)處理器，它控制圖像采集器掃描層的方式。缺陷探測(cè)處理器把掃描所得的圖像與一組潛在缺陷判別標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較并決定層中何處包含潛在缺陷。在一個(gè)實(shí)施方案中，缺陷處理器包括運(yùn)行一個(gè)指令程序并圖像采集器接口的計(jì)算機(jī)，使層的掃描按預(yù)定方式執(zhí)行。虛擬特征探測(cè)工具701可對(duì)這樣的缺陷探測(cè)處理器提供附加的指令，從而保證有價(jià)值的資源不被浪費(fèi)在為缺陷檢查虛擬特征上。不過。圖像數(shù)據(jù)仍可包括虛擬特征和主要特征，從而促進(jìn)對(duì)模擬分級(jí)器圖像(在以下描述)的完全分析。缺陷探測(cè)處理器可對(duì)缺陷區(qū)域圖像發(fā)生器(它產(chǎn)生包含潛在缺陷區(qū)域的圖像)提供其輸出。
分級(jí)器圖像發(fā)生器707可利用這些圖像建立芯片的模擬圖像，并然后核對(duì)掩模質(zhì)量和分析掩模缺陷的可印刷性。在一個(gè)實(shí)施方案中，分級(jí)器圖像發(fā)生器707可包括用于讀入存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的輸入設(shè)備，用于識(shí)別缺陷區(qū)域圖像(對(duì)于相移位區(qū)域)亮度過渡的圖像處理器，和用于產(chǎn)生模擬分級(jí)器圖像的圖像模擬器。分級(jí)器圖像發(fā)生器707可包括，例如，由本發(fā)明受讓人持有專利的虛擬分級(jí)器R系統(tǒng)。
掩模缺陷改正工具706可提供任何標(biāo)準(zhǔn)改正程序，諸如用于除去鉻點(diǎn)或圖案突出部的激光程序或者用于有選擇地填入缺失鉻圖案的堆積程序。掩模缺陷改正工具706可從虛擬特征探測(cè)工具701接受虛擬特征識(shí)別信息，從而把缺陷改正限制在主要特征上并由此減少執(zhí)行該過程的時(shí)間。
在標(biāo)準(zhǔn)處理流程中，GDS-II文件700，它繪制成掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備(MDP)語言或格式，可以提供給OPC工具702、PSM工具703或掩模制作工具704。如果該文件提供給OPC工具702或PSM工具703中一個(gè)，則從該工具的輸出將典型地提供給掩模制作工具704。掩模制作工具704的輸出將然后提供給掩模檢查工具705。最后，掩模檢查工具705的輸出將提供給掩模缺陷改正工具706。如以前所指出，輸入700也可是不同于GDS-II的格式。
有利地，因?yàn)楸景l(fā)明的虛擬/主要特征識(shí)別可使用在任何掩模規(guī)劃布置之后的處理，各執(zhí)行掩模處理的公司可從資源和循環(huán)節(jié)約中獲益。例如，按照一個(gè)實(shí)施方案，第一家公司可執(zhí)行與OPC工具702和PSM工具703有關(guān)的操作，第二家公司可執(zhí)行與掩模制作工具704有關(guān)的操作，第三家公司可執(zhí)行與掩模檢查工具705有關(guān)的操作，而第二家公司可執(zhí)行與掩模缺陷改正工具有關(guān)的操作。各家公司可利用從虛擬特征探測(cè)工具701得到的信息獲得更好的處理時(shí)間。不過，下游的公司將不受沒有利用信息的上游公司的限制，反之亦然。在這樣方式下，以上描述的識(shí)別技術(shù)可提供最大處理流程靈活性而同時(shí)對(duì)各個(gè)處理過程保證最佳時(shí)間。邏輯上，包括本發(fā)明的虛擬/主要特征識(shí)別的掩模處理越多，總資源和循環(huán)節(jié)約越大。
按照一個(gè)實(shí)施方案，可以提供用戶輸入708到任何系統(tǒng)工具。用戶輸入708可包括由用戶手工識(shí)別或指派的虛擬特征的掩模坐標(biāo)。這樣，用戶輸入708可補(bǔ)充或改變由虛擬特征探測(cè)工具701所發(fā)生的虛擬識(shí)別信息。用戶輸入708也可包括關(guān)于用來識(shí)別虛擬特征的技術(shù)的選擇信息。在這種情況下，用戶輸入708可以提供到虛擬特征探測(cè)工具。在這樣的方式下，用戶所知特定設(shè)計(jì)信息可以作為因素進(jìn)入本發(fā)明的自動(dòng)化過程。
從以上描述可以意識(shí)到，本發(fā)明可以應(yīng)用到在掩模層的設(shè)計(jì)、制作、檢查和修理中的任何規(guī)劃布置以后的處理。本發(fā)明已經(jīng)參照各種實(shí)施方案予以描述。這些方案是說明性而非限制性的。本行業(yè)熟練人士將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可有多種變型和變化。例如，識(shí)別虛擬/主要特征的能力可容許使用較小的虛擬特征。較小的虛擬特征可改善，例如，在集成電路層上的CMP或主要特征的分辨率，并可容許在集成電路上特征更密集封裝。注意，本發(fā)明同樣可應(yīng)用于下一代印刷術(shù)(NGL)設(shè)備，它包括，例如，DUV、EUV、x-射線和電子束設(shè)備。還應(yīng)注意，本發(fā)明可使用任何已知在特征之間的物理關(guān)系以識(shí)別虛擬/主要特征。例如，兩節(jié)點(diǎn)之間的電阻、由鄰近特征的間隔和面積決定的電容、和由測(cè)量電阻及電容決定的臨界途徑等也可以用于識(shí)別特征。此外，雖然本發(fā)明已經(jīng)參照虛擬和主要特征之間區(qū)別予以描述，本發(fā)明同樣可應(yīng)用于定義多重物理判別準(zhǔn)則或功能組合，其中感興趣的幾何結(jié)構(gòu)可以分隔成為兩個(gè)或更多類別。例如，可以如此定義判別準(zhǔn)則，使幾何結(jié)構(gòu)識(shí)別分離為主要特征1、主要特征2...、主要特征N以及虛擬特征1、虛擬特征2...、虛擬特征N。此外，本發(fā)明自動(dòng)地區(qū)分許多形式的特征，包括主要特征、次要特征等等，或更一般地說，特征形式1、特征形式2等等。因此，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求書所限定。
權(quán)利要求
1.一種從主要特征區(qū)別虛擬特征的方法，該方法包括選擇掩模層；提供識(shí)別在掩模層上的虛擬特征的技術(shù)；和應(yīng)用該技術(shù)到所選擇的掩模層上。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該技術(shù)包括決定特征尺寸、特征形狀、從多個(gè)特征中一個(gè)的圖案和一個(gè)特征對(duì)另一特征的接近性的至少一個(gè)。
3.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在技術(shù)中使用來自至少一個(gè)其它掩模層的信息。
4.按權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，該信息包括在所選擇的掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的連通性、和在所選擇的掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的功能性聯(lián)合的至少一個(gè)。
5.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法是在光學(xué)接近性改正、相移位構(gòu)造的放置、掩模制作、掩模檢查和掩模修理在至少一個(gè)過程中執(zhí)行。
6.一種處理用于制造集成電路的掩模層的自動(dòng)化方法，該方法包括識(shí)別在掩模層中的多個(gè)主要特征和至少一個(gè)虛擬特征；和只對(duì)多個(gè)主要特征提供該處理。
7.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，處理包括至少下列三項(xiàng)之一改正光學(xué)接近性、提供相移位構(gòu)造和使用關(guān)于主要特征和虛擬特征的至少一個(gè)的用戶輸入。
8.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，處理是在掩模制造、掩模檢查和掩模修理的至少一個(gè)過程中執(zhí)行。
9.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括應(yīng)用多層技術(shù)和集合技術(shù)的至少一個(gè)。
10.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括決定在掩模層上的特征尺寸、在掩模層上的特征形狀、在掩模層上的多個(gè)特征的圖案和在掩模層上的一個(gè)特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性。
11.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括使用用于集成電路的至少一個(gè)其它掩模層的信息。
12.按權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，信息包括在掩模層至少一個(gè)其它掩模層之間的連通性、以及掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的功能性聯(lián)合的至少一個(gè)。
l3.一種用于把圖案轉(zhuǎn)移到集成電路層上的掩模，該掩模包括多個(gè)主要特征；和至少一個(gè)虛擬特征，其中只有主要特征反映規(guī)劃布置后的處理。
14.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，規(guī)劃布置后的處理包括光學(xué)接近性改正、相移位構(gòu)造放置和缺陷改正的至少一個(gè)。
15.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，多個(gè)主要特征的至少一個(gè)包括一輔助條。
16.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，至少一個(gè)虛擬特征提供對(duì)集成電路層的機(jī)械支持、對(duì)集成電路層的主要特征的分辨率改進(jìn)、對(duì)集成電路層的試驗(yàn)構(gòu)造和對(duì)集成電路層的標(biāo)記的至少一個(gè)。
17.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通過綜合來自至少兩個(gè)掩模層的信息而從虛擬特征中區(qū)別出來。
18.按權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，信息包括連通性信息和功能性聯(lián)合信息的至少一個(gè)。
19.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通過掩模層上的信息從虛擬特征中區(qū)別出來。
20.按權(quán)利要求19所述的掩模，其特征在于，信息包括特征尺寸、特征形狀、多個(gè)特征的圖案和一個(gè)特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性的至少一個(gè)。
21.按權(quán)利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通過掩模層上的和至少另一掩模層上的信息從虛擬特征中區(qū)別出來。
22.按權(quán)利要求21所述的掩模，其特征在于，信息包括特征連通性、特征聯(lián)合、特征尺寸、特征形狀、特征圖案和特征接近性中的至少二個(gè)。
23.一種處理用于集成電路的掩模層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括一種接受關(guān)于在掩模層上的特征的信息的裝置；一種根據(jù)信息決定特征是主要特征和虛擬特征之一的裝置；和一種如果特征是主要特征識(shí)別特征適合進(jìn)一步處理、和如果特征是虛擬特征識(shí)別特征不適合進(jìn)一步處理的裝置。
24.按權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其特征在于，用于決定的裝置包括用于接受關(guān)于該技術(shù)的用戶輸入的裝置、決定特征尺寸的裝置、決定特征形狀的裝置、決定來自多個(gè)特征的圖案的裝置和決定該特征對(duì)另一個(gè)特征接近性的裝置的至少一個(gè)。
25.按權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其特征在于，決定的裝置包括使用用于集成電路的至少一個(gè)其它掩模層的信息的裝置。
26.按權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其特征在于，決定的裝置包括使用掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的連通性信息的裝置，和利用在掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的聯(lián)合的裝置的至少一個(gè)。
27.按權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括處理掩模層的裝置。
28.按權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，處理包括光學(xué)接近性改正、相移位構(gòu)造放置、光柵掃描、矢量掃描、特征檢查和特征修理的至少一個(gè)。
29.一種集成電路，包括多個(gè)層，其中至少一層包括多個(gè)主要特征；和至少一個(gè)虛擬特征，其中只有主要特征反映制造后的處理。
30.按權(quán)利要求29所述的集成電路，其特征在于，制造后的處理包括缺陷改正。
31.按權(quán)利要求29所述的集成電路，其特征在于，該至少一個(gè)虛擬特征包括對(duì)于層的機(jī)械支持、對(duì)層的試驗(yàn)構(gòu)造和對(duì)層做標(biāo)記的至少一個(gè)。
32.按權(quán)利要求29所述的集成電路，其特征在于，主要特征通過綜合從至少兩掩模層來的信息從虛擬特征中區(qū)別出來。
33.按權(quán)利要求32所述的集成電路，其特征在于，信息包括連通性信息和功能性聯(lián)合信息的至少一個(gè)。
34.按權(quán)利要求29所述的集成電路，其特征在于，主要特征通過在掩模層上的信息從虛擬特征中區(qū)別出來。
35.按權(quán)利要求34所述的集成電路，其特征在于，信息包括特征尺寸、特征形狀、多個(gè)特征的圖案和一個(gè)特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性的至少一個(gè)。
36.按權(quán)利要求29所述的集成電路，其特征在于，主要特征通過在掩模層上和在至少另一掩模層上的信息從虛擬特征中區(qū)別出來。
37.按權(quán)利要求36所述的集成電路，其特征在于，信息包括特征連通性、特征功能性、特征尺寸、特征形狀、特征圖案和特征接近性中的至少兩個(gè)。
38.一種可被機(jī)器讀取的程序存儲(chǔ)設(shè)備，切實(shí)地包含可被所說機(jī)器執(zhí)行的指令程序，以便履行方法步驟而分析用于集成電路的掩模層，該方法包括提供一種可從掩模層中的虛擬特征區(qū)別主要特征的技術(shù)；和應(yīng)用該技術(shù)于掩模層。
39.按權(quán)利要求38所述的程序存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，還包括接受關(guān)于該技術(shù)的用戶輸入的裝置。
40.按權(quán)利要求38所述的程序存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，該技術(shù)包括決定特征尺寸、特征形狀、多個(gè)特征的圖案和一個(gè)特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性的至少一個(gè)。
41.按權(quán)利要求38所述的程序存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，該技術(shù)還包括利用來自用于集成電路的至少一個(gè)其它掩模層的信息。
42.按權(quán)利要求41所述的程序存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，該信息包括在掩模層和至少一個(gè)其它掩模層之間的連通性，和在掩模層和至少一個(gè)其它掩模曾之間的功能性聯(lián)合的至少一個(gè)。
43.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)可用的介質(zhì)，具有包含在其中的計(jì)算機(jī)可讀的程序編碼以便促使計(jì)算機(jī)分析用于集成電路的掩模層，計(jì)算機(jī)可讀程序編碼包括接受關(guān)于掩模層上的特征的信息的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼；根據(jù)信息決定特征是主要特征和虛擬特征之一的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼；和識(shí)別如果特征是主要特征時(shí)則特征適合于進(jìn)一步處理而如果特征是虛擬特征時(shí)則特征不適合進(jìn)一步處理的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
44.按權(quán)利要求43所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，還包括接收關(guān)于該技術(shù)的用戶輸入的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
45.按權(quán)利要求43所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，還包括決定特征尺寸、特征形狀、多個(gè)特征的圖案和該特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性的至少一個(gè)的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
46.按權(quán)利要求43所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，還包括利用來自集成電路的至少另一個(gè)掩模層的信息的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
47.按權(quán)利要求46所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，還包括利用在掩模層和至少另一個(gè)掩模層之間的連通性信息、和在掩模層和至少另一個(gè)掩模層之間的功能性聯(lián)合的至少一個(gè)的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
48.一種檢查掩模缺陷的方法，該掩模包括多個(gè)特征，該方法包括讀取掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備格式文件；利用該掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備格式文件識(shí)別虛擬對(duì)非虛擬特征；和只檢查非虛擬特征。
49.按權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括決定特征尺寸、特征形狀、多個(gè)特征的圖案和一個(gè)特征對(duì)另一個(gè)特征的接近性的至少一個(gè)。
50.按權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括利用來自至少一個(gè)其它掩模的信息。
51.按權(quán)利要求50所述的方法，其特征在于，信息包括在掩模層之間的連通性和功能性聯(lián)合的至少一個(gè)。
52.按權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，還包括僅對(duì)將修理的非虛擬特征做標(biāo)記。
53.一種在制版過程的中使用的掩模，該掩模包括多個(gè)具有未改正缺陷的虛擬特征。
54.按權(quán)利要求53所述的掩模，其特征在于，多個(gè)虛擬特征提供機(jī)械支持、分辨率改進(jìn)、試驗(yàn)構(gòu)造和標(biāo)記的至少一個(gè)。
55.一種在集成電路(IC)的布置的光學(xué)接近性改正(OPC)過程中保存資源在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的方法，該方法包括從該布置識(shí)別虛擬對(duì)非虛擬特征；和只在非虛擬特征上為OPC耗費(fèi)資源。
56.按權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于，識(shí)別包括決定特征連通性、特征的功能性聯(lián)合和特征的幾何結(jié)構(gòu)描述的至少一個(gè)。
57.一種準(zhǔn)備制造集成電路(IC)的方法，該方法包括把IC的規(guī)劃布置分隔成為多個(gè)虛擬特征和多個(gè)主要特征；處理多個(gè)主要特征的子集，排除虛擬特征，用光學(xué)接近性改正定義；處理多個(gè)主要特征的子集，排除虛擬特征，以提供OPC；和產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件，該文件包括供掩模制造中使用的OPC信息，該掩模為該規(guī)劃布置定義的材料的至少一層。
58.按權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，數(shù)據(jù)文件包括第一組使用第一精度用于把虛擬特征轉(zhuǎn)移到掩模的指令，和第二組使用第二精度把主要特征轉(zhuǎn)移到掩模的指令。
59.按權(quán)利要求58所述的方法，其特征在于，第一精度包括第一光束尺寸而第二精度包括第二光束尺寸，并且其中第一光束尺寸大于第二光束尺寸。
60.按權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，還包括處理多個(gè)主要特征的子集，排除虛擬特征，以便定義相移位區(qū)域；處理多個(gè)主要特征的子集，排除虛擬特征，以提供相移位區(qū)域，其中數(shù)據(jù)文件包括相移位區(qū)域信息。
61.按權(quán)利要求60所述的方法，其特征在于，還包括使用掩模制造IC；從數(shù)據(jù)文件識(shí)別在掩模上的虛擬對(duì)主要特征；對(duì)應(yīng)與主要特征的位置檢查掩模上位置，排除虛擬特征；和對(duì)應(yīng)與主要特征的位置改正在掩模上位置的缺陷，排除虛擬特征。
62.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括可供計(jì)算機(jī)使用的介質(zhì)，該介質(zhì)具有包含在其中的計(jì)算可讀程序編碼，以促使計(jì)算機(jī)產(chǎn)生模擬的分級(jí)器圖像，計(jì)算機(jī)可讀程序編碼包括從輸入數(shù)據(jù)文件探測(cè)虛擬特征的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼；和對(duì)虛擬特征作標(biāo)記的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼。
63.按權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，對(duì)虛擬特征做標(biāo)記的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼提供在模擬的分級(jí)器圖像上的虛擬特征的預(yù)定顏色和預(yù)定明暗的至少一個(gè)。
64.按權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，對(duì)虛擬特征做標(biāo)記的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼取消在模擬的分級(jí)器上圖像的虛擬特征。
65.按權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，對(duì)虛擬特征做標(biāo)記的計(jì)算機(jī)可讀程序編碼在模擬虛擬特征時(shí)較非虛擬特征耗費(fèi)較少處理資源。
全文摘要
提供一種用于在掩模層上識(shí)別虛擬/主要特征的自動(dòng)化技術(shù)。在多掩模層技術(shù)中，虛擬/主要特征的定義可以根據(jù)連通性信息或功能性聯(lián)合信息。在幾何結(jié)構(gòu)技術(shù)中，虛擬/主要特征的定義可以根據(jù)特征尺寸、特征形狀、特征圖案或者一個(gè)特征對(duì)鄰近特征的接近性。在一個(gè)實(shí)施方案中，可以采用多個(gè)定義或多種技術(shù)。
文檔編號(hào)G03F1/14GK1547762SQ02816728
公開日2004年11月17日 申請(qǐng)日期2002年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月28日
發(fā)明者F·－C·張, C·皮拉特, F -C 張 申請(qǐng)人:數(shù)字技術(shù)股份有限公司