專利名稱：光學(xué)元件、光學(xué)元件的制造方法、涂布裝置及涂布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于樹(shù)脂制的光學(xué)元件的制造方法。
背景技術(shù)：
作為以簡(jiǎn)單的制造方法能夠制造光學(xué)特性優(yōu)良的光波導(dǎo)等的光學(xué)元件的材料，聚酰亞胺系樹(shù)脂正受到注意。聚酰亞胺系樹(shù)脂，由于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高、耐熱性優(yōu)良，因此制成的光學(xué)元件能夠期待具有長(zhǎng)期的可靠性。而且雖然是樹(shù)脂制的，但也能夠耐軟釬焊。特別是含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂，與不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂相比，具有光的透過(guò)性高、折射率低等特征，因此作為光學(xué)元件的材料是優(yōu)良的。
但是，含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂，對(duì)作為光學(xué)元件的基片使用的玻璃、石英、硅、氧化硅、氮化硅、鋁、氧化鋁、氮化鋁、氧化鉭、砷化鎵等的粘接性低。因此，在日本特開(kāi)平7-174930號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了在基片上形成有機(jī)鋯化合物層，再在其上形成含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜的光學(xué)器件的制造方法。另外，在日本特開(kāi)2000-241640號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了，依次疊層有機(jī)鋯化合物的覆膜和不含氟的樹(shù)脂覆膜，再在其上形成含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜的結(jié)構(gòu)。
如上所述，為了在基片上形成光學(xué)特性優(yōu)良的、含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂層，迄今為止使用有機(jī)鋯化合物的覆膜和不含氟的樹(shù)脂覆膜作為粘接層。這些粘接層如果過(guò)薄，就不能發(fā)揮提高粘接性的作用，相反，如果過(guò)厚，會(huì)存在粘接層本身變脆這一問(wèn)題。
另一方面，像在光通信中使用的光學(xué)元件等，用于連接光纖的光學(xué)元件，為了容易地實(shí)現(xiàn)光纖和光學(xué)元件之間的對(duì)接，可以在光學(xué)元件中構(gòu)成具備搭載光纖的V形槽等凹部的結(jié)構(gòu)。為了在具備這樣的凹部的基片上形成粘接層，在使用旋轉(zhuǎn)涂布的場(chǎng)合，留在凹部?jī)?nèi)的粘接層的材料溶液，因離心力被擠出到外側(cè)，因而由于粘接層的材料溶液的性質(zhì)不同，產(chǎn)生膜厚的分布易變大這樣的問(wèn)題。如果膜厚的分布變大，在膜厚過(guò)薄的部分就得不到粘接性提高的作用，而在膜厚過(guò)厚的部分，也容易產(chǎn)生粘接層變脆這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供具有樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層的光學(xué)元件，該光學(xué)元件是基片和光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層的密合性優(yōu)良的光學(xué)元件。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明提供了以下的光學(xué)元件。
本發(fā)明的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)為，在基片上具備樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層，在上述基片和上述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層之間配置連接層。連接層的膜厚分布范圍在包含在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層中的光波導(dǎo)的下部區(qū)域，是在最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的范圍內(nèi)。
在該光學(xué)元件中，可以使用有機(jī)金屬化合物層作為連接層，例如可以使用有機(jī)鋁化合物層。另外，還可以使用有機(jī)鋯化合物層作為連接層，在此情況下，在光波導(dǎo)的下部區(qū)域中的有機(jī)鋯化合物層的膜厚分布范圍希望是在最小膜厚大于等于50埃、最大膜厚小于等于150埃的范圍內(nèi)。
在該光學(xué)元件中，光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層由含氟的樹(shù)脂材料構(gòu)成，在連接層和光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層之間可以配置不含氟的樹(shù)脂層。
另外，上述有機(jī)鋯化合物層可一通過(guò)下述方法形成，例如在將基片配置在溶劑氣氛中的狀態(tài)下，通過(guò)在上述基片上涂布含有有機(jī)鋯化合物和溶劑的溶液的涂布工序來(lái)形成，構(gòu)成溶劑氣氛的溶劑可以與溶液中包含的溶劑相同。


圖1是表示本發(fā)明的第1和第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖2是圖1的光學(xué)元件的A-A’剖面圖。
圖3是圖1的光學(xué)元件的B-B’剖面圖。
圖4是圖1的光學(xué)元件的俯視圖。
圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的第1和第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法的晶片狀基片的俯視圖。
圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的第1和第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法的晶片狀基片的俯視圖。
圖7(a)～(d)是表示在本發(fā)明的第1和第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，切開(kāi)晶片狀基片的工序的說(shuō)明圖。
圖8(a)～(c)是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，去除V形槽21內(nèi)的第1連接層22和第2連接層23的工序的說(shuō)明圖。
圖9(d)～(e)是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，去除V形槽21內(nèi)的第1連接層22和第2連接層23的工序的說(shuō)明圖。
圖10是在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，表示在第1連接層22的形成中使用的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的旋轉(zhuǎn)中的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖11是表示圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置停止?fàn)顟B(tài)的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖12是在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，表示在第1連接層22的形成中使用的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的旋轉(zhuǎn)中的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖13是表示比較例的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的旋轉(zhuǎn)中的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖14是表示比較例的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的旋轉(zhuǎn)中的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖15(a)～(c)是表示在本發(fā)明的第1實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法中，去除V形21內(nèi)的第1連接層22和第2連接層23的工序的說(shuō)明圖。
圖16是使圖1的光學(xué)元件的切口25的深度變深的結(jié)構(gòu)的A-A’剖面圖。
具體實(shí)施例方式
第1實(shí)施方式首先，使用圖1～圖4說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的光學(xué)元件100的結(jié)構(gòu)。光學(xué)元件100在硅單晶的基片1上具有搭載光波導(dǎo)疊層體10的區(qū)域、配置了V形槽21的區(qū)域20，以及配置了用于搭載發(fā)光元件或者光接收元件的電極7的區(qū)域30。光波導(dǎo)疊層體10包含光波導(dǎo)4，V形槽21是用于搭載光纖的槽。在搭載預(yù)定直徑的光纖時(shí)，V形槽21的深度和寬度需設(shè)計(jì)成與光波導(dǎo)4處于對(duì)接的狀態(tài)。這樣，例如通過(guò)在電極7上搭載發(fā)光元件、在V形槽21中搭載光纖，使從發(fā)光元件發(fā)出的光射入光波導(dǎo)4，對(duì)其進(jìn)行傳輸、從而使得以高效率射入光纖成為可能。另外，在電極7上搭載光接收元件的場(chǎng)合，將光纖傳播來(lái)的光以高效率射入光波導(dǎo)4，由光波導(dǎo)4傳輸，從而能夠以良好的精度向光接收元件射出。
在基片1的上表面具備用于保護(hù)基片1及調(diào)整折射率的二氧化硅層2，光波導(dǎo)疊層體10搭載在二氧化硅層2上。如圖3所示，光波導(dǎo)疊層體10在二氧化硅層2上包含依次疊層的第1連接層22、第2連接層23、下部包層3、光波導(dǎo)4、包埋光波導(dǎo)4的上部包層5和保護(hù)層9。第1連接層22是含有有機(jī)金屬化合物的連接層，第2連接層23是不含有機(jī)金屬化合物的連接層。下部包層3、光波導(dǎo)4和上部包層5都是由光學(xué)特性優(yōu)良的含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂形成。第1連接層22和第2連接層23是為了提高基片1和下部包層3的粘接性而配置的。
作為構(gòu)成第1連接層22的有機(jī)金屬化合物，可以使用在后面將敘述的各種化合物，但在第1實(shí)施方式中，使用有機(jī)鋁化合物覆膜作為第1連接層22。作為有機(jī)鋁化合物覆膜，在此使用的是乙酰丙酮鋁。第1連接層22至少在光波導(dǎo)4的下部區(qū)域形成最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的膜厚分布。
第2連接層23在第1實(shí)施方式中為不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜。在此，使用的是由日立化成工業(yè)株式會(huì)社制PIQ(商品名)所形成的聚酰亞胺層。其膜厚約為0.23μm。
下部包層3和上部包層5在此是由使用日立化成工業(yè)株式會(huì)社制OPI-N3105(商品名)形成的含氟聚酰亞胺膜構(gòu)成。下部包層3的膜厚約為6μm，上部包層5的膜厚在光波導(dǎo)4的正上方約為10μm，在其他部分約為15μm。光波導(dǎo)4由使用日立化成工業(yè)株式會(huì)社制OPI-N3305(商品名)形成的含氟聚酰亞胺膜構(gòu)成，其膜厚約為6.5μm。保護(hù)層9是使用日立化成杜邦微系統(tǒng)(デュボンマイクロシステム)株式會(huì)社制PIX-6400(商品名)形成的聚酰亞胺膜，其厚度在離開(kāi)光波導(dǎo)4的端部的部分處約為5μm。
另外，在光波導(dǎo)疊層體10上橫切光波導(dǎo)4而形成切口27。在該切口27中，可以插入用于使光波導(dǎo)4傳輸?shù)墓馔ㄟ^(guò)的波長(zhǎng)選擇濾光片或偏振光濾光片等濾光片。切口27的切入角度，在圖1中相對(duì)于基片1的主平面是垂直的，但也可以以相對(duì)于基片1的主平面為傾斜的角度切入。
另外，V形槽21是通過(guò)對(duì)硅單晶基片1進(jìn)行各向異性腐蝕而形成的深度約100μm的槽，其斷面是V字形。在V形槽21配置的區(qū)域20和光波導(dǎo)疊層體10的邊界處，如圖1、圖2、圖4所示，存在切斷光波導(dǎo)疊層體100的端面時(shí)形成的切口25。同樣地，在電極7的區(qū)域30和光波導(dǎo)疊層體100的邊界也存在切口26。再者，如圖16所示，切口25的切口深度最好是在V形槽21上搭載光纖時(shí)，光纖前端不接觸區(qū)域10側(cè)的V形槽21的傾斜部的程度。另外，在切口25的底部配置了位置配合標(biāo)記33、在區(qū)域30的電極7的兩肋配置了位置配合標(biāo)記31、32。這些位置配合標(biāo)記31、32、33是在形成V形槽21時(shí)通過(guò)各向異性腐蝕形成的凹部。
接著，使用圖5說(shuō)明本實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法。
在此，準(zhǔn)備硅片作為基片1，在該硅片上縱橫地進(jìn)行多個(gè)排列形成圖1所示的結(jié)構(gòu)，在以后的過(guò)程中通過(guò)切割進(jìn)行切離，分離出各個(gè)光學(xué)元件100。由此，能夠批量生產(chǎn)數(shù)個(gè)圖1的光學(xué)元件100。因此，成膜和圖案形成能夠在晶片狀基片1的整個(gè)面上一次進(jìn)行。
首先，在晶片狀基片1的整個(gè)上表面，利用熱氧化法或氣相沉積法等形成二氧化硅層后，通過(guò)光刻法和利用硅單晶的各向異性的濕式腐蝕，如圖5那樣排列地形成V形槽21。此時(shí)，圖4所示的位置配合標(biāo)記31、32、33的凹部也和V形槽21同時(shí)形成。
通過(guò)在該晶片狀的基片1上使金屬膜成膜并形成圖案而形成圖1的電極7。由此，如圖5所示，在晶片狀的基片1上數(shù)個(gè)排列地形成了V形槽21和電極7。另外，以抗蝕劑膜圖案層作為掩模，利用真空蒸鍍法等進(jìn)行金屬膜的圖案形成。在使該抗蝕劑膜圖案層曝光時(shí)，使用與形成V形槽21時(shí)同時(shí)形成的位置配合標(biāo)記31、32，通過(guò)使光掩模進(jìn)行位置配合，就能夠得到和V形槽21進(jìn)行正確的位置配合的電極7。
接著，在圖5的晶片狀基片1的整個(gè)面上，使用旋轉(zhuǎn)涂布法形成第1連接層22。首先，準(zhǔn)備在N-甲基-2-吡咯烷酮溶劑中溶解乙酰丙酮鋁的溶液作為第1連接層22的材料溶液，使用一般的旋轉(zhuǎn)涂布裝置，使得滴有材料溶液的基片1旋轉(zhuǎn)，形成材料溶液的涂膜。此后，將形成的涂膜在160℃加熱5分鐘左右進(jìn)行干燥，形成第1連接層22。由此就能夠在圖5的晶片狀基片上的整個(gè)面形成第1連接層22。第1連接層22干燥后的膜厚分布，在至少光波導(dǎo)4的下部區(qū)域，形成為最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的膜厚分布。當(dāng)然，并不僅限于在光波導(dǎo)4的下部區(qū)域，第1連接層22的全體的膜厚分布，希望形成最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的膜厚分布。
接著，在第1連接層22上形成第2連接層23。如已經(jīng)所述，第2連接層23是以日立化成工業(yè)株式會(huì)社制PIQ(商品名)作為材料溶液的不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜。首先，使用通常的旋轉(zhuǎn)涂布裝置，利用旋轉(zhuǎn)涂布法在基片1上涂布材料溶液(PIQ(商品名))。由此，在基片1上形成第2連接層23的材料溶液的涂膜。此后，加熱使溶劑蒸發(fā)，再加熱進(jìn)行固化，就形成第2連接層23。在此，控制旋轉(zhuǎn)涂布的條件，以使固化后的第2連接層23的厚度為0.23μm。
接著，在晶片狀的基片1的上表面之中，在完成后的光學(xué)元件上將成為未配置光波導(dǎo)疊層體10的區(qū)域20、30的部分，去除第2連接層23和第1連接層22。為了在晶片狀的基片1上縱橫排列地制造光學(xué)元件，在晶片狀的基片1的上表面之中，對(duì)應(yīng)于區(qū)域20和區(qū)域30的部分，是如圖6所示的光波導(dǎo)疊層體10的兩肋的帶狀的部分。從該帶狀的部分開(kāi)始去除第2連接層23和第1連接層22，這樣在該帶狀的部分，下部包層3變得容易從基片1剝離。由此，在后述的過(guò)程中，從對(duì)應(yīng)于基片1的區(qū)域20、30的部分帶狀地剝離而去除光波導(dǎo)疊層體10就成為可能。
關(guān)于從基片1上的區(qū)域20、30去除第2連接層23和第1連接層22的方法，進(jìn)行具體地說(shuō)明。
為了僅從基片1上的區(qū)域20、30帶狀地去除第2連接層23和第1連接層22，可考慮，配置抗蝕劑膜，使其僅覆蓋配置了光波導(dǎo)疊層體10的區(qū)域，對(duì)區(qū)域20、30上的第2連接層23和第1連接層22進(jìn)行蝕刻。但是，在區(qū)域20中由于存在深度100μm的深的V形槽21，因此使抗蝕劑曝光的光在V形槽21內(nèi)壁容易發(fā)生漫反射，光難以到達(dá)V形槽21的底部或端部。因此，在使用利用光照射的部分在顯像時(shí)發(fā)生溶解的正型抗蝕劑時(shí)，在V形槽21的底部或端部容易殘存抗蝕劑。如果在V形槽21的底部或端部殘存抗蝕劑，在蝕刻時(shí)就不能去除第2連接層22和第1連接層23。因此，在本實(shí)施方式中，通過(guò)使用負(fù)型的抗蝕劑，從深的V形槽21存在的區(qū)域20去除第2連接層22和第1連接層23。
首先，如圖15(a)所示，通過(guò)涂布在晶片狀基片1的整個(gè)面上形成負(fù)型的抗蝕劑膜150。在此，作為負(fù)型抗蝕劑液使用ZPN-1100(日本ゼオン株式會(huì)社制)，將其旋轉(zhuǎn)涂布，在100℃進(jìn)行干燥，形成負(fù)型抗蝕劑膜150。此后，使用光掩模，照射來(lái)自汞燈的光，使負(fù)型抗蝕劑膜150曝光。光掩模僅使應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分照射光而形成圖案。由此，僅有應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分的抗蝕劑膜150被曝光而發(fā)生光反應(yīng)，在顯像液中變?yōu)榉侨芙庑缘臉?shù)脂。即，V形槽21的部分的抗蝕劑膜150沒(méi)有發(fā)生曝光，不會(huì)發(fā)生曝光用光在V形槽21的內(nèi)壁發(fā)生漫反射等問(wèn)題。
此后，使用2.38重量％的氫氧化四甲銨(TMAH)溶液，使負(fù)型抗蝕劑膜150顯像。由此，非曝光部的抗蝕劑膜150溶解在顯像液中，僅殘留曝光部的抗蝕劑膜150。并且，與此同時(shí)，由于第2連接層23也溶解在顯像液中，除了曝光部的抗蝕劑膜150的部分以外，均發(fā)生了濕式腐蝕，如圖15(b)所示，區(qū)域20和區(qū)域30的第2連接層23被去除。此時(shí)，V形槽21的內(nèi)部的抗蝕劑膜150和第2連接層23都能夠干凈地去除。像這樣，在本實(shí)施方式中，由于使用負(fù)型抗蝕劑膜150，就能夠容易地去除V形槽21的內(nèi)部的抗蝕劑膜150和第2連接層23。
此后，以殘留在應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分的抗蝕劑膜150作為腐蝕掩模，通過(guò)使用氟酸的濕式腐蝕或者反應(yīng)性離子腐蝕，去除第1連接層22(圖15(c))。最后，去除抗蝕劑膜150。由此，就能夠從圖6的晶片狀基片1的區(qū)域20和30的部分及V形槽21的內(nèi)部去除第1連接層22和第2連接層23。
接著，在晶片狀基片1的整個(gè)面上旋轉(zhuǎn)涂布上述的OPI-N3105，形成下部包層3的材料溶液涂膜。此后，在干燥器中在100℃加熱30分鐘，接著在200℃加熱30分鐘，使溶劑蒸發(fā)，接著在370℃加熱60分鐘使其固化，而形成厚6μm的下部包層3。
在該下部包層3上旋轉(zhuǎn)涂布上述的OPI-N3305，形成光波導(dǎo)4的材料溶液涂膜。此后，在干燥器中在100℃加熱30分鐘，接著在200℃加熱30分鐘，使溶劑蒸發(fā)，接著在350℃加熱60分鐘進(jìn)行固化，形成成為光波導(dǎo)4的厚6.5μm的聚酰亞胺膜。
隨后，利用光刻使該抗蝕劑膜形成光波導(dǎo)4的形狀的圖案。以抗蝕劑圖案層作為蝕刻掩模，通過(guò)使用氧離子的反應(yīng)性離子蝕刻(O2-R1E)進(jìn)行圖案形成。由此，如圖6所示，能夠在基片1上多數(shù)排列地一次形成。然后，剝離抗蝕劑圖案層。再者，在使上述抗蝕劑圖案層曝光時(shí)，使用在與V形槽21形成時(shí)同時(shí)形成的位置配合標(biāo)記33，來(lái)使光掩模進(jìn)行位置配合，由此就能夠形成和V形槽21進(jìn)行正確的位置配合的光波導(dǎo)4。
接著，旋轉(zhuǎn)涂布OPI-N3105，形成上部包層5的材料溶液膜，以便覆蓋光波導(dǎo)4和下部包層3。此后，在干燥器中在100℃加熱30分鐘，接著在200℃加熱30分鐘，使材料溶液膜中的溶劑蒸發(fā)，再在350℃加熱60分鐘，就形成聚酰亞胺膜的上部包層5。
再在上部包層5的上表面，旋轉(zhuǎn)涂布PIX-6400，在干燥器中在100℃加熱30分鐘，在200℃加熱30分鐘，使溶劑蒸發(fā)，接著在350℃加熱60分鐘，得到上表面大致平坦、在離開(kāi)光波導(dǎo)4的端部的部分的厚度約為5μm的聚酰亞胺膜的保護(hù)層9。
接著，因?yàn)樵诓恍枰虏堪鼘?至保護(hù)層9的各層的部分的區(qū)域20和30上也配置這些層，所以將其剝離去除。即，如圖6所示，在區(qū)域20和光波導(dǎo)疊層體10的邊界以及光波導(dǎo)疊層體10和區(qū)域30的邊界，分別通過(guò)切割引入切口25、26，將下部包層3至保護(hù)層9的各層切斷。此時(shí)，由切割產(chǎn)生的切口的深度為不切開(kāi)基片1的深度。在先前的過(guò)程中，由于從區(qū)域20和區(qū)域30的基片1的上表面去除第1連接層22和第2連接層23，所以在區(qū)域20和區(qū)域30中，下部包層3和基片1的粘接性變小。因此，搭載在區(qū)域20和區(qū)域30上的下部包層3至保護(hù)層9的各層，通過(guò)引入切口25、26，能夠容易從晶片狀的基片1上被帶狀地剝離。由此，在圖6的晶片狀的基片1中，在區(qū)域20和區(qū)域30處露出基片的上表面。
接著，通過(guò)在該晶片狀基片1和光波導(dǎo)疊層體10上進(jìn)行切害而形成切口27。另外，根據(jù)需要，可在露出區(qū)域30的電極7上形成要求形狀的軟釬焊層。
隨后，如圖7(a)～(b)所示，通過(guò)切割晶片狀的基片1而將其切斷，切出長(zhǎng)方形，再如圖7(c)～(d)所示，通過(guò)切割長(zhǎng)方形的基片1，切出各個(gè)光學(xué)元件100，完成光學(xué)元件100的制做。再者，切割過(guò)程的順序，不限于該順序，在圖7(a)的過(guò)程中，縱橫地切割成網(wǎng)眼狀，在形成如圖7(d)所示的光學(xué)元件100也是可能的。
如上所述，在本實(shí)施方式中，作為第1連接層22的材料溶液，使用了在溶劑(N-甲基-2-吡咯烷酮)中溶解了有機(jī)鋁化合物(乙酰丙酮鋁)的溶液，使用旋轉(zhuǎn)涂布裝置在形成了深的V形槽21的基片1上，形成薄而均勻的第1連接層22的涂膜，由此形成干燥后的膜厚分布為最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的第1連接層22。像這樣，通過(guò)使第1連接層22達(dá)到合適的膜厚分布范圍，能夠發(fā)揮由第1連接層22提高基片1和下部包層3的粘接性的作用，與此同時(shí)，能夠防止由于第1連接層22的膜厚過(guò)厚導(dǎo)致第1連接層22本身變脆的現(xiàn)象。由此，能夠制造具備不易發(fā)生膜剝離、光學(xué)特性和耐久性優(yōu)良的光波導(dǎo)疊層體10的光學(xué)元件。
另外，本實(shí)施方式中，在去除第1連接層22和第2連接層23時(shí)，由于使用了正型抗蝕劑膜150，就能夠容易地將它們從V形槽21的內(nèi)部去除。因此，在晶片狀基片1的整個(gè)面上形成光波導(dǎo)疊層體10后，從區(qū)域20和區(qū)域30帶狀地剝離去除光波導(dǎo)疊層體10就成為可能，因而能夠大量生產(chǎn)具備V形槽21的光學(xué)元件100。
再者，上述的實(shí)施方式，為了提高由含氟的聚酰亞樹(shù)脂構(gòu)成的下部包層3和基片1的粘接性，雖然就配置第1連接層22和由不含氟的聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的第2連接層23的結(jié)構(gòu)作了說(shuō)明，但不具備第2連接層23的結(jié)構(gòu)也是可能的。在不具備第2連接層23時(shí)，下部包層3和基片1的粘接性比具備第2連接層23時(shí)有某些降低，但在本實(shí)施方式中，由于使第1連接層22形成了合適的膜厚分布，因此由第1連接層22的作用，也能夠維持能實(shí)用水平的粘接性。
如上所述的光學(xué)元件100，具備搭載光纖的V形槽21，在形成V形槽21時(shí)，和V形槽21同時(shí)形成位置配合的標(biāo)記31、32、33。在形成光波導(dǎo)4時(shí)，使用位置配合標(biāo)記33，使V形槽21和光波導(dǎo)4進(jìn)行正確的位置配合。另外，在形成電極7時(shí)，也使用位置配合標(biāo)記31、32，使電極7和V形槽21進(jìn)行正確的位置配合。另外，在電極7上搭載發(fā)光元件或者光接收元件時(shí)，使用位置配合標(biāo)記31、32，使發(fā)光元件或者光接收元件的光軸和V形槽21進(jìn)行正確的位置配合。因此，V形槽21和光波導(dǎo)4，在完成光學(xué)元件100的時(shí)刻，在主平面方向進(jìn)行正確的對(duì)接，除了在V形槽21中搭載照設(shè)計(jì)的光纖以外，和光波導(dǎo)4能夠容易進(jìn)行對(duì)接。另外，在電極7上搭載發(fā)光元件或者光接收元件時(shí)，使用位置配合標(biāo)記31、32進(jìn)行位置配合，就能夠容易使發(fā)光元件或者光接收元件和光波導(dǎo)4進(jìn)行對(duì)接。由此，能夠容易使發(fā)光元件或者光接收元件與光波導(dǎo)4、V形槽21上的光纖進(jìn)行正確的對(duì)接，能夠提供結(jié)合效率高的光學(xué)元件。
實(shí)施方式2下面，說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的制造方法。
第2實(shí)施方式的光學(xué)元件100的結(jié)構(gòu)是和第1實(shí)施方式的相同的圖1～圖4形狀和層結(jié)構(gòu)，但作為第1連接層22，在使用有機(jī)鋯化合物覆膜這點(diǎn)，和第1實(shí)施方式不同。另外，形成第1連接層22時(shí)的旋轉(zhuǎn)涂布法也和第1實(shí)施方式不同。進(jìn)而，在第2實(shí)施方式中，在從區(qū)域20、30去除第1連接層22和第2連接層23的過(guò)程中，使用正型抗蝕劑膜，對(duì)曝光顯像方法想辦法，做到從V形槽21內(nèi)完全去除抗蝕劑層和第2連接層23。
在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成第1連接層22的有機(jī)鋯化合物，可以使用后述的各種有機(jī)鋯化合物，但在此以三丁氧基乙酰丙酮鋯覆膜作為第1連接層22。第1連接層22，至少在光波導(dǎo)4的下部的區(qū)域，希望其膜厚分布是最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的范圍，特別希望是最小膜厚大于等于50埃、最大膜厚小于等于150埃的范圍。這是因?yàn)椋绻ず癖?0埃薄，就不能充分地發(fā)揮粘接性提高的效果，下部包層3容易從基片1剝離。另外，如果膜厚超過(guò)200埃，膜本身就變脆。另外，大于等于50埃、小于等于200埃這樣的范圍，若以有機(jī)鋯化合物的分子層(分子的重疊)來(lái)說(shuō)，大致相當(dāng)于大于等于5分子層、小于等于15分子層。當(dāng)然，不僅限于光波導(dǎo)4的下部的區(qū)域，第1連接層22的全體膜厚分布更希望是最小膜厚大于等于30埃、小于等于200埃的范圍。關(guān)于膜的形成方法和膜厚的測(cè)定方法在后面詳細(xì)地說(shuō)明。
第2連接層23是和第1實(shí)施方式相同地使用日立化成工業(yè)株式會(huì)社制PIQ(商品名)形成的不含氟的聚酰亞胺樹(shù)脂覆膜。其膜厚約為0.23μm。下部包層3、上部包層5、光波導(dǎo)4和保護(hù)層9的材料及膜厚都和第1實(shí)施方式相同。
下面，說(shuō)明第2實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法。
和第1實(shí)施方式相同地準(zhǔn)備硅片作為基片，利用熱氧化法或氣相沉積法等在基片1的整個(gè)上表面形成二氧化硅層后，像圖5那樣排列地形成V形槽21。此時(shí)，也同時(shí)形成圖4所示的位置配合標(biāo)記31、32、33。此后，在基片1上形成圖1的電極7。由此，如圖5所示，在晶片狀的基片1上數(shù)個(gè)排列地形成V形槽21和電極7。
隨后，在圖5的晶片狀基片1的全體上形成第1連接層22。首先，作為第1連接層22的材料溶液，準(zhǔn)備在丁醇中溶解三丁氧基乙酰丙酮鋯而調(diào)和成的1重量％溶液，利用旋轉(zhuǎn)涂布法將其涂布在基片1上。該材料溶液與在第1實(shí)施方式中使用的第1連接層22的材料溶液相比，在旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)容易產(chǎn)生膜厚不均勻的情況，因此作為旋轉(zhuǎn)涂布法，使用以下的第1～第3的旋轉(zhuǎn)涂布法的任一種。無(wú)論在使用第1～第3的哪一種旋轉(zhuǎn)涂布法時(shí)，都能夠以大于等于30埃、小于等于200埃的范圍形成第1連接層22。
第1的旋轉(zhuǎn)涂布方法是使用圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的方法。圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置具有固定杯202和配置在固定杯202內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)杯210。旋轉(zhuǎn)杯210具有杯狀的本體207、配置在本體207內(nèi)的基片搭載部206和覆蓋本體207的蓋205。杯本體207與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部201連接，以軸211為中心旋轉(zhuǎn)。另外，在杯本體207上設(shè)置連通至基片搭載部206的基片吸附用貫通孔212，該貫通孔212與未圖示的真空排氣裝置連接。另外，在杯本體207上設(shè)置用于排出涂布液的排液用貫通孔213。排液用貫通孔213從涂布液的進(jìn)入口213a朝向軸211而形成。因此，排出口213b配置得比進(jìn)入口213a更靠近軸211。
在使用圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)，在基片搭載部206搭載并吸著晶片狀的基片1，在基片1上滴下有機(jī)鋯化合物溶液后，將蓋205蓋在杯本體207上。由此，在旋轉(zhuǎn)杯210的內(nèi)部空間充滿溶液中的溶劑，成為溶劑氣氛。在此狀態(tài)，如果使旋轉(zhuǎn)杯旋轉(zhuǎn)，通過(guò)離心力，溶液就涂布在基片1上。在此，在500r/min～2000r/min的條件下使旋轉(zhuǎn)杯旋轉(zhuǎn)90秒。此時(shí)，排液用貫通孔213，因?yàn)榕懦隹?13b配置得比進(jìn)入口213a靠近軸211，所以旋轉(zhuǎn)中由于離心力，從排出口213b側(cè)向進(jìn)入口213a施加預(yù)壓，旋轉(zhuǎn)杯210就成為密閉狀態(tài)。因而，旋轉(zhuǎn)杯210內(nèi)的溶液和氣氛不會(huì)向外部排出。因此，旋轉(zhuǎn)杯210內(nèi)不發(fā)生減壓，不形成向外部的氣氛的流動(dòng)。而且，與基片1相對(duì)的蓋205和基片1一起以相同的速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，因此基片1和蓋205的相對(duì)速度為0，基片1和蓋205之間的氣氛及和基片1的相對(duì)速度都大致是0。這樣，在基片1進(jìn)行旋轉(zhuǎn)期間，基片1的周圍充滿溶劑氣氛，而且溶劑氣氛與基片1一起旋轉(zhuǎn)，不存在氣氛的流動(dòng)，因此基片1上的溶液涂膜在旋轉(zhuǎn)中幾乎不發(fā)生干燥。
這樣，通過(guò)使用能夠防止旋轉(zhuǎn)中干燥的、圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，如圖5所示，即使是排列成數(shù)個(gè)深的V形槽21的基片1，也能夠薄而均勻地形成第1連接層22的材料溶液的涂膜。根據(jù)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，由該第1旋轉(zhuǎn)涂布方法形成的第1連接層22膜厚分布，在對(duì)上述涂膜施加后述的加熱干燥過(guò)程后的狀態(tài)下，在一片晶片狀的基片1上，是處于最小膜厚大約60埃，最大膜厚大約113埃的范圍。像這樣，可以使膜厚的不均勻性極大地減小，據(jù)認(rèn)為這是在圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的情況下，幾乎不存在氣氛的流動(dòng)，基片1在旋轉(zhuǎn)中不易干燥，因此滯留在V形槽21中的溶液由于離心力而飛向外側(cè)，即使涂膜變厚，也照樣在旋轉(zhuǎn)期間向周圍擴(kuò)展而更均勻化的結(jié)果。旋轉(zhuǎn)結(jié)束后，離心力消失，因此溶液從排液用貫通孔213的進(jìn)入口213a向排出口213b如圖11那樣流動(dòng)。由此，溶劑氣氛從旋轉(zhuǎn)杯210內(nèi)排出產(chǎn)生流動(dòng)。另外，一打開(kāi)蓋205，溶劑氣氛就立即和空氣發(fā)生交換。由此，均勻涂布的基片1上的涂膜，將原封不動(dòng)地被干燥，形成薄而均勻的第1連接層22的材料溶液的涂膜。
第2旋轉(zhuǎn)涂布方法是使用圖12的旋轉(zhuǎn)涂布裝置的方法。圖12的旋轉(zhuǎn)涂布裝置是在固定杯202內(nèi)直接配置基片搭載部220，使基片搭載部202旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)。蓋222蓋在固定杯202上進(jìn)行密閉，使固定杯202內(nèi)充滿溶液中包含的溶劑，在溶劑氣氛中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。在圖12的結(jié)構(gòu)中，由于蓋222靜止，在和旋轉(zhuǎn)的基片1之間存在僅和旋轉(zhuǎn)速度相同的相對(duì)速度，由此，在基片1和蓋222之間發(fā)生溶劑氣氛的氣流。比起第1旋轉(zhuǎn)涂布方法，該氣流基片1上的溶液是干燥了，但在第2旋轉(zhuǎn)涂布方法中，采用了在旋轉(zhuǎn)結(jié)束后從設(shè)置在固定杯202上的排氣口221，用未圖示的流量計(jì)一邊測(cè)定流量，一邊以2～3L/min左右的慢排氣速度、花10分鐘左右時(shí)間排出溶劑氣氛后，打開(kāi)蓋222的方法，由此抑制旋轉(zhuǎn)停止后的干燥速度。由該第2旋轉(zhuǎn)涂布方法形成的第1連接層22的膜厚分布，在旋轉(zhuǎn)涂布膜上實(shí)施后述的加熱干燥過(guò)程后的狀態(tài)下，在一枚晶片狀的基片1上，是在最小膜厚約54埃、最大膜厚約140埃的范圍。該膜厚分布，由于落入了為提高粘接性而希望的大于等于50埃、小于等于200埃的膜厚均勻性的范圍，因而能夠得到充分的粘接性提高的作用。
另外，第3旋轉(zhuǎn)涂布方法使用和第2旋轉(zhuǎn)涂布方法相同的圖12的裝置，和第2旋轉(zhuǎn)涂布方法相同地將旋轉(zhuǎn)后的排氣流量控制在2～3L/min，進(jìn)行10分鐘排氣，但和第2旋轉(zhuǎn)涂布方法不同點(diǎn)是，從旋轉(zhuǎn)結(jié)束后至排氣開(kāi)始的期間，設(shè)置2分鐘的靜止時(shí)間。在該2分鐘靜止時(shí)間內(nèi)不進(jìn)行排氣。這樣，由于設(shè)置靜止時(shí)間，在旋轉(zhuǎn)中產(chǎn)生的膜厚不均勻就發(fā)生某種程度的均勻化。由該第3旋轉(zhuǎn)涂布方法形成的第1連接層22的膜厚分布，在旋轉(zhuǎn)涂布膜上實(shí)施后述的加熱干燥過(guò)程后的狀態(tài)下，在一枚晶片狀的基片1上，是在最小膜厚約59埃、最大膜厚約138埃的范圍。該膜厚分布比用第2旋轉(zhuǎn)涂布方法得到的膜厚分布小。
再者，作為比較例，使用圖13的旋轉(zhuǎn)涂布裝置，形成第1連接層22的材料溶液的涂膜。圖13的旋轉(zhuǎn)涂布裝置，類似于上述圖10的旋轉(zhuǎn)涂布裝置，但排液用貫通口230配置在旋轉(zhuǎn)杯231的本體207的圓周側(cè)這一點(diǎn)，和圖10的裝置不同。圖13的裝置，一旦使旋轉(zhuǎn)杯231一旋轉(zhuǎn)，由于離心力就從排液用貫通口230向外側(cè)連續(xù)地排出溶液和內(nèi)部氣氛。因此，旋轉(zhuǎn)杯內(nèi)成為減壓狀態(tài)，不能維持溶劑氣氛，而發(fā)生減壓干燥，因而溶液一邊發(fā)生干燥一邊進(jìn)行涂布。因此，在使用圖13的旋轉(zhuǎn)涂布裝置時(shí)，貯留在V形槽21內(nèi)的溶液向外周側(cè)流動(dòng)部分的涂膜變厚。因此實(shí)施加熱過(guò)程后的膜厚不在大于等于50埃、小于等于200埃的范圍之內(nèi)。
另外，作為另一個(gè)比較例，是和圖12的旋轉(zhuǎn)涂布裝置相同的結(jié)構(gòu)，但使用不具備蓋222的圖14的旋轉(zhuǎn)涂布裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。圖14的裝置，由于固定旋轉(zhuǎn)杯202開(kāi)放，因而不形成溶劑氣氛，另外，由于基片1周圍的氣氛靜止，因而在基片1的周圍產(chǎn)生氣流。因此，在旋轉(zhuǎn)中發(fā)生干燥，所以V形槽21內(nèi)貯留的溶液向外周側(cè)流動(dòng)部分的涂膜變厚，并就在此基礎(chǔ)上發(fā)生干燥。因此，實(shí)施加熱干燥過(guò)程后的膜厚，在一枚晶片狀的基片1上，形成的最小膜厚約5埃、最大膜厚約194埃，而產(chǎn)生大的膜厚不均勻。因此，第1連接層22在比30埃薄的部分發(fā)生下部包層3的膜剝落。
像這樣，在本實(shí)施方式中，使用上述的第1、第2、第3的旋轉(zhuǎn)涂布方法的任一種方法，涂布第1連接層22的材料溶液。此后，形成的涂膜在160℃加熱5分鐘左右，進(jìn)行干燥。由此，在圖5的晶片狀基片的整個(gè)面上就能夠以膜厚大于等于30埃、小于等于200埃形成第1連接層22。再者，適宜的第1連接層22的加熱干燥過(guò)程的溫度和時(shí)間，希望設(shè)定在160～220℃，5～10分鐘左右。
接著，使用旋轉(zhuǎn)涂布在第1連接層22上涂布日立化成工業(yè)株式會(huì)社制PIQ(商品名)，和第1實(shí)施方式相同地形成第2連接層23的材料溶液的涂膜。此后，進(jìn)行加熱使溶劑蒸發(fā)，再進(jìn)行加熱而發(fā)生固化，由此形成第2連接層23?？刂菩D(zhuǎn)涂布的條件，以使第2連接層23的厚度成為0.23μm。
隨后，在晶片狀基片1上的上表面中，就在完成后的光學(xué)元件上成為未配置光波導(dǎo)疊層體10的區(qū)域20、30的部分，去除第2連接層23、第1連接層22。
關(guān)于從基片1上的區(qū)域20、30去除第2連接層23和第1連接層22的方法，作具體地說(shuō)明。
在第2實(shí)施方式中，使用正型抗蝕劑，形成僅覆蓋配置光波導(dǎo)疊層體10的區(qū)域抗蝕劑膜，對(duì)區(qū)域20、30上的第2連接層23和第1連接層22進(jìn)行蝕刻。
首先，如圖8(a)所示，通過(guò)涂布在晶片狀基片1的整個(gè)面上形成正型的抗蝕劑膜50。在此，作為抗蝕劑液，使用OFPR800(東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社制)，將其旋轉(zhuǎn)涂布，在100℃進(jìn)行干燥，而形成抗蝕劑膜50。此后，使用汞燈使光掩模的像進(jìn)行曝光。正型抗蝕劑具有被曝光的部分變成溶解于顯像液的化合物的性質(zhì)，因此光掩模在區(qū)域20、30上被光照射，而應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分上不照射光而形成圖案。因而，僅區(qū)域20、30的抗蝕劑膜50被曝光而發(fā)生光反應(yīng)，變?yōu)槿芙庥陲@像液的化合物。
曝光后，作為顯像液使用2.38重量％的氫氧化四甲銨(TMAH)溶液，使抗蝕劑膜顯像。由此，如圖8(b)所示，區(qū)域20、30的抗蝕劑膜50發(fā)生溶解，僅在應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分殘留抗蝕劑膜50。另外，第2連接層23在顯像時(shí)也發(fā)生溶解，因此發(fā)生濕式腐蝕，從而從區(qū)域20、30被去除。再者，在區(qū)域20的V形槽21內(nèi)，在曝光時(shí)，光在V形槽21的內(nèi)壁上發(fā)生漫反射，光不易到達(dá)V形槽21的底部或端部。因而，抗蝕劑膜50和第2連接層23部分殘留在V形槽21的底部或端部的拐角。因此，在本實(shí)施方式中，為了去除殘留的抗蝕劑膜50和第2連接層23，在該狀態(tài)下再次使用像先前的光掩模進(jìn)行曝光，利用TMAH進(jìn)行顯像。由此，如圖8(c)所示，能夠完全去除殘留在V形槽21內(nèi)的抗蝕劑膜50和第2連接層23。利用該方法，即使在使用正型的抗蝕劑膜50時(shí)，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行曝光和顯像這樣的簡(jiǎn)單過(guò)程，就能夠從V形槽21完全去除第2連接層23。
此后，以殘留在應(yīng)形成光波導(dǎo)疊層體10的部分的抗蝕劑膜150作為腐蝕掩模，通過(guò)使用氟酸的濕式腐蝕或者反應(yīng)性離子腐蝕，去除第1連接層22(圖9(d)。第1連接層22，由于膜厚非常薄，因此利用濕式腐蝕或者反應(yīng)性離子腐蝕也能夠容易去除V形槽21內(nèi)部的層。最后，去除抗蝕劑膜50(圖9(e))。由此，能夠從圖6的晶片狀的基片1的區(qū)域20和30的部分及V形槽21的內(nèi)部去除第1連接層22和第2連接層23。
此后，和第1實(shí)施方式相同地在晶片狀的基片1的形成下部包層3、光波導(dǎo)4、上部包層5、保護(hù)層9，從區(qū)域20、30的部分剝下這些層，通過(guò)切割，切分成光學(xué)元件100，而完成光學(xué)元件100的制做。
如上所述，在第2實(shí)施方式中，作為第1連接層22的材料溶液，使用在溶劑(丁醇)中溶解有機(jī)鋯化合物(乙酰丙酮鋯)的溶液，利用第1、第2、第3旋轉(zhuǎn)涂布方法，雖然在形成了深的V形槽21的基片1上也能夠薄而均勻地形成第1連接層22。具體地說(shuō)，能夠達(dá)到大于等于50埃、小于等于200埃的膜厚分布范圍，特別是能夠達(dá)到大于等于50埃、小于等于150埃的膜厚分布范圍。這是因?yàn)?，?、第2、第3旋轉(zhuǎn)涂布方法是在溶劑氣氛中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布的方法，能夠抑制旋轉(zhuǎn)涂布中的干燥。像這樣，由于薄而均勻地形成了第1連接層22，能夠提高基片1和下部包層3的粘接性，不易發(fā)生膜剝落，從而能夠制造具備光學(xué)特性和耐久性優(yōu)良的光波導(dǎo)疊層體10的光學(xué)元件。
在此，就第1連接層22的膜厚的測(cè)定方法加以說(shuō)明。
首先，就在基片1上形成第1連接層22階段的形態(tài)下測(cè)定膜厚的方法進(jìn)行說(shuō)明。
例如，可以使用フイルメトリクス公司提供的、利用反射率分光法的非接觸光學(xué)式薄膜測(cè)定裝置F40(以下稱為F40)測(cè)定膜厚。以下示出具體的測(cè)定方法。
首先，進(jìn)行傳感器靈敏度的初期設(shè)定。將鏡面研磨的Si片(推薦フイルメトリクス公司制的附屬品)以研磨面朝上地固定在上述F40的金屬顯微鏡載物臺(tái)上，固定傳感器靈敏度初期設(shè)定按鈕，接著在將光源遮蔽的狀態(tài)下固定黑暗按鈕，進(jìn)行傳感器靈敏度的初期設(shè)定。
接著，在基片1上測(cè)定作為底層形成的二氧化硅層2的膜厚。測(cè)定方法是在顯微鏡載物臺(tái)上立放形成有二氧化硅層2的基片1，在折射率設(shè)定畫面設(shè)定氧化硅膜的折射率，在測(cè)定參數(shù)設(shè)定畫面，在第一層設(shè)定氧化硅膜，一按下測(cè)定按鈕，就求出二氧化硅層2的膜厚。在本測(cè)定中進(jìn)行的測(cè)定二氧化硅層2的膜厚，是為了提高第1連接層的膜厚測(cè)定的精度。
再者，作為二氧化硅層2的折射率，設(shè)定以下的值。對(duì)于波長(zhǎng)330nm設(shè)其折射率為1.480，對(duì)于波長(zhǎng)577nm，設(shè)其折射率1.458，對(duì)于波長(zhǎng)1128nm，設(shè)其折射率1.448，對(duì)于波長(zhǎng)1362，設(shè)其折射率1.446。
接著，測(cè)定作為第1連接層22的有機(jī)鋯化合物層的膜厚。順序和上述的二氧化硅層2的測(cè)定方法相同，但在測(cè)定參數(shù)畫面，需要輸入已計(jì)測(cè)的第一層的二氧化硅層2的膜厚，在第二層需要設(shè)定有機(jī)鋯化合物層。
在此，有機(jī)鋯化合物的折射率設(shè)定為以下的值。對(duì)于波長(zhǎng)633nm，折射率是1.613，對(duì)于波長(zhǎng)830nm，折射率是1.613，對(duì)于波長(zhǎng)1300，折射率是1.613。
接著，在顯微鏡上固定已形成第1連接層22(有機(jī)鋯化合物層)的基片，按下測(cè)定按鈕，就能夠測(cè)定第1連接層22的膜厚。
在這種測(cè)定時(shí)，應(yīng)注意的是，使裝置內(nèi)的顯微鏡的焦點(diǎn)在第1連接層22(有機(jī)鋯化合物層)的膜厚測(cè)定時(shí)重合該層22的表面，在二氧化硅層2的測(cè)定時(shí)重合該層2的表面。另外，希望顯微鏡物鏡達(dá)到10倍左右。在該條件，最小測(cè)定界限是10埃左右。
接著，從圖1的光學(xué)元件100的形態(tài)出發(fā)，說(shuō)明測(cè)定第1連接層22的膜厚的方法。
測(cè)定方法的順序，首先，去除用聚酰亞胺膜制的第2連接層23、下部包層3、光波導(dǎo)4、上部包層5、保護(hù)層9的大部分，使第1連接層22的上表面露出。使用干式腐蝕去除大部分后，使用濕式腐蝕去除殘留的聚酰亞胺膜，進(jìn)行該聚酰亞胺膜的去除。接著，使用干式腐蝕僅去除第1連接層22的部分面積，使底層的二氧化硅層2的上表面露出。此后，和上述同樣地使用F40進(jìn)行二氧化硅層2的膜厚測(cè)定和第1連接層22的膜厚測(cè)定。
通過(guò)使用氧離子的反應(yīng)性離子腐蝕(O2-RIE)進(jìn)行去除聚酰亞胺膜的干式腐蝕，在第1連接層22上聚酰亞胺膜殘留1～2μm左右。對(duì)殘留的聚酰亞胺膜使用溶劑N-甲基-2-吡咯烷酮或者N，N-二甲基乙酰胺溶液，在室溫進(jìn)行約1小時(shí)左右的浸漬處理，通過(guò)濕式腐蝕去除殘留的聚酰亞胺膜。在此使用的溶劑，最好選擇第1連接層22(有機(jī)鋯化合物層)保持耐受性的溶劑。
接著，將基片1分割成2枚以上，關(guān)于分割，通過(guò)使用氧離子的反應(yīng)性離子腐蝕(O2-RIE)僅對(duì)某些分割片去除第1連接層22。此時(shí)，由于底層的二氧化硅層2耐干式腐蝕性高，因此二氧化硅層2的膜厚減少是小于等于0.01μm，對(duì)形成5000?！?0000埃的二氧化硅層2的膜厚測(cè)定精度幾乎沒(méi)有影響。
此后，在露出二氧化硅層2的分割片上，使用F40測(cè)定二氧化硅層2的膜厚，使用該測(cè)定的數(shù)據(jù)，在殘留第1連接層22的分割片上測(cè)定第1連接層的膜厚。測(cè)定方法和上述場(chǎng)合相同。
另外，在第2實(shí)施方式中，在去除第1連接層22和第2連接層23時(shí)，使用正型抗蝕劑膜50，通過(guò)進(jìn)行數(shù)次曝光和顯像，就能夠比較容易地從V形槽21的內(nèi)部將它們?nèi)コ?。因此，在晶片狀基?的整個(gè)面上形成光波導(dǎo)疊層體10后，從區(qū)域20和30帶狀地剝下光波導(dǎo)疊層體10而去除成為可能，因此能夠大量生產(chǎn)具備V形槽21的光學(xué)元件100。
再者，在第2實(shí)施方式中，在去除第1連接層22和第2連接層23時(shí)，使用正型抗蝕劑膜50，但如第1實(shí)施方式中所說(shuō)明，當(dāng)然也能夠使用負(fù)型抗蝕劑膜150。
再有，在上述的實(shí)施方式中，為了提高由含氟的聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的下部包層3和基片1的密合性，雖然就配置由第1連接層22和不含氟的聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的第2連接層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以形成不具備第2連接層23的結(jié)構(gòu)。在不具備第2連接層23時(shí)，下部包層3和基片1的粘接性比具備第2連接層23時(shí)有某些降低，但利用第1連接層22的作用，能夠維持能實(shí)用水平的粘接性。因而，也可以形成不具備第2連接層23的結(jié)構(gòu)。
另外，在第1和第2實(shí)施方式中，為了去除第2連接層23，使用了濕式腐蝕，例如使用反應(yīng)性離子腐蝕(O2-RIE)時(shí)，等離子的各向異性強(qiáng)，基片1的平面部上的第2連接層23的形狀控制是容易的，但處在側(cè)面傾斜的V形槽21內(nèi)部的第2連接層23的去除效率差。另一方面，在為了去除第2連接層23而使用拋光時(shí)，由于等離子的各向同性強(qiáng)，因此如果想要去除V形槽21內(nèi)的第2連接層23，基片1的平坦部上的第2連接層23的形狀控制就困難。另外，組合反應(yīng)性離子腐蝕和拋光，在使用RIE去除基片1的平面部、使用拋光去除V形槽21部的第2連接層23的場(chǎng)合，在拋光時(shí)，在應(yīng)該形成光波導(dǎo)疊層體10的部分的第2連接層23上容易發(fā)生側(cè)面腐蝕。與此相反，如本實(shí)施方式所述，使用濕式腐蝕就能夠容易地去除第2連接層23。另外，在本實(shí)施方式中，作為顯像液，由于使用濕式腐蝕液(TMAH)，就能夠同時(shí)去除抗蝕劑膜50和第2連接層23，因此也得到過(guò)程數(shù)少這樣的益處。
上述的第1和第2實(shí)施方式的光學(xué)元件，光波導(dǎo)4是直線形狀，但光波導(dǎo)疊層體10的光波導(dǎo)4的形狀，配合作為光學(xué)元件所必要的機(jī)能，也不限于直線形狀，可以是y形分叉或x形等希望的形狀。根據(jù)這些形狀，可以形成具備數(shù)個(gè)V形槽21、能夠搭載數(shù)條光纖的結(jié)構(gòu)。另外，關(guān)于電極7也可以配置數(shù)個(gè)電極，以便能夠搭載數(shù)個(gè)發(fā)光元件和光接收元件。
再者，在本發(fā)明中，所謂光學(xué)元件是指，以玻璃、石英等無(wú)機(jī)材料，硅、砷化鎵、鋁、鈦等半導(dǎo)體或金屬材料，聚酰亞胺、聚酰胺等高分子材料，或者將這些材料復(fù)合化的材料作為基片，在這些基片上形成光波導(dǎo)、光合波器、光分波器、光衰減器、光折射器、光放大器、光干涉器、光學(xué)濾波器、光開(kāi)關(guān)、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器、發(fā)光元件、光接收元件或者它們的復(fù)合等。在上述基片上往往形成發(fā)光二極管、光電二極管等半導(dǎo)體器件或金屬膜，進(jìn)而為了基片的保護(hù)或折射率調(diào)整等，在基片上往往形成二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鉭等覆膜。
在第1實(shí)施方式中，第1連接層22是由有機(jī)鋁化合物構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，在第2實(shí)施方式中，第2連接層是由有機(jī)鋯化合物層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，但第1連接層22可以是含有有機(jī)鋁化合物和有機(jī)鋯化合物中的至少一種的結(jié)構(gòu)。
作為構(gòu)成第2實(shí)施方式的第1連接層22的有機(jī)鋯化合物，最好是鋯酯和鋯螯合化合物。
作為鋯酯，可舉出鋯酸四丙酯、鋯酸四丁酯等。作為鋯螯合物，可舉出四(乙酰丙酮)鋯、一丁氧基三(乙酰丙酮)鋯、二丁氧基雙(乙酰丙酮)鋯、三丁氧基乙酰丙酮鋯、四(乙基乙酰丙酮)鋯、一丁氧基三(乙基乙酰丙酮)鋯、二丁氧基雙(乙基乙酰丙酮)鋯、三丁氧基乙基乙酰丙酮鋯、四(乙基丙酮)鋯、雙(二乙酰丙酮)雙(乙基乙酰丙酮)鋯、一乙酰丙酮三(乙基乙酰丙酮)鋯、一丁氧基一乙酰丙酮雙(乙基乙酰丙酮)鋯等。無(wú)論是鋯酯和鋯螯合物的哪一種，在形成覆膜時(shí)，如果是含有氧化鋯的，可以不限于這些例示的化合物。上述的化合物，可以單獨(dú)使用或者可以混合使用。
有機(jī)鋯化合物溶解在甲醇、乙醇、丁醇、苯、甲苯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、γ-丁內(nèi)酯等有機(jī)溶劑、水等中形成溶液，使用旋轉(zhuǎn)涂布法等將其涂布在基片表面上，在70～400℃進(jìn)行干燥，進(jìn)行覆膜形成。有機(jī)鋯化合物的膜厚如果過(guò)厚，膜就變脆，因此最好是在小于等于50～200埃的范圍內(nèi)。
另外，作為構(gòu)成本實(shí)施方式的第2連接層23的樹(shù)脂，可以使用不含氟的樹(shù)脂，例如可以使用聚酰亞胺系樹(shù)脂、硅系樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂、聚碳酸酯系樹(shù)脂、環(huán)氧系樹(shù)脂、聚酰胺系樹(shù)脂、聚酯系樹(shù)脂、酚醛系樹(shù)脂等各種樹(shù)脂。在因元件的制作過(guò)程或使用環(huán)境等而要求耐熱性的用途中，優(yōu)先選擇聚酰亞胺系樹(shù)脂、聚喹啉系樹(shù)脂。優(yōu)先選擇含氮的樹(shù)脂作為不含氟的樹(shù)脂。
作為在第1和第2實(shí)施方式中使用的第2連接層23，在使用不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂時(shí)，例如可舉出聚酰亞胺樹(shù)脂、聚(酰亞胺·異吲哚喹唑啉二酮酰亞胺)樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、聚酯酰亞胺樹(shù)脂等。在本實(shí)施方式中作為第2連接層23使用的不含氟的樹(shù)脂，可以選擇氟含量比含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂的氟含量充分低的樹(shù)脂來(lái)代替完全不含氟原子的樹(shù)脂。在此場(chǎng)合，氟含量以為含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂形成的光波導(dǎo)的氟含量的一半以下為佳。具體地說(shuō)，氟含量較好是小于等于10重量％。并且，最好是小于等于2重量％。
在第1和第2實(shí)施方式中，作為為了形成下部包層3、光波導(dǎo)層4、上部包層5等而使用的含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂，可舉出含有氟的聚酰亞胺樹(shù)脂、含有氟的聚(酰亞胺·異吲哚喹唑啉二酮酰亞胺)樹(shù)脂、含有氟的聚醚酰亞胺樹(shù)脂、含有氟的聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂等。在得到聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂的場(chǎng)合，使用氯化偏苯三酸酐等。在N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、γ-丁內(nèi)酯、二甲亞砜等極性溶劑中，通過(guò)四羧酸二酐和二胺的反應(yīng)而得到聚酰亞胺系樹(shù)脂的前驅(qū)體溶液。通過(guò)含有氟的四羧酸二酐和二胺的反應(yīng)，能夠制造含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂的前驅(qū)體溶液。通過(guò)四羧酸二酐和含有氟的二胺的反應(yīng)，能夠制造含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂的前驅(qū)體溶液。在四羧酸二酐和二胺都不含氟時(shí)，能夠制造不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂的前驅(qū)體溶液。
作為含有氟的四羧酸二酐的例子，可舉出(三氟甲基)均苯四酸二酐、二(三氟甲基)均苯四酸二酐、二(七氟丙基)均苯四酸二酐、五氟乙基均苯四酸二酐、雙{3，5-二(三氟甲基)苯氧基}均苯四酸二酐、2，2-雙(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、5，5’-雙(三氟甲基)-3，3’，4，4’-四羧基聯(lián)苯二酐、2，2’，5，5’-四(三氟甲基)-3，3’，4，4’-四羧基聯(lián)苯二酐、5，5’-雙(三氟甲基)-3，3’，4，4’-四羧基二苯醚二酐、5，5’-雙(三氟甲基)-3，3’，4，4’-四羧基二苯甲酮二酐、雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}苯二酐、雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}(三氟甲基)苯二雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}苯二酐、雙(二羧基苯氧基)(三氟甲基)苯二雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}苯二酐、雙(二羧基苯氧基)雙(三氟甲基)苯二雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}苯二酐、雙(二羧基苯氧基)四(三氟甲基)苯二雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}苯二酐、2，2-雙{(4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基)六氟丙烷二酐、雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}聯(lián)苯二酐、雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}雙(三氟甲基)聯(lián)苯二酐、雙{(三氟甲基)二羧基苯氧基}二苯醚二酐、雙(二羧基苯氧基)雙(三氟甲基)聯(lián)苯二酐、1，4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、1，3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)等，也可以混合2種或2種以上使用。
作為不含氟的四羧酸二酐的例子，可舉出均苯四酸二酐、苯-1，2，3，4-四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基四羧酸二酐、2，2’，3，3’-二苯基四羧酸二酐、2，3，3’，4’-二苯基四羧酸二酐、對(duì)三聯(lián)苯-3，4，3″，4″-四羧酸二酐、間三聯(lián)苯-3，4，3″，4″-四羧酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，4，5-萘四羧酸二酐、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、2，6-二氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，7-二氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，3，6，7-四氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，3，5，6-吡啶四羧酸二酐、3，4，9，10-苝四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3，3’，4，4’-聯(lián)苯醚四羧酸二酐、4，4’-磺酰二鄰苯二甲酸二酐、3，3’，4，4’-四苯基硅烷四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯醚四羧酸二酐、1，3-雙(3，4-二羧苯基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷二酐、1-(2，3-二羧苯基)-3-(3，4-二羧苯基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷二酐、2，2-雙(3，4-二羧苯基)丙烷二酐、2，2-雙(2，3-二羧苯基)丙烷二酐、1，1-雙(2，3-二羧苯基)乙烷二酐、1，1-雙(3，4-二羧苯基)乙烷二酐、雙(2，3-二羧苯基)甲烷二酐、雙(3，4-二羧苯基)甲烷二酐、雙(3，4-二羧苯基)砜二酐、菲-1，8，9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2，3，5，6-四羧酸二酐、噻吩-2，3，4，5-四羧酸二酐、雙(3，4-二羧苯基)二甲基硅烷二酐、雙(3，4-二羧苯基)甲基苯基硅烷二酐、雙(3，4-二羧苯基)二苯基硅烷二酐、1，4-雙(3，4-二羧苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1，3-雙(3，4-二羧苯基)-1，1，3，3-四甲基二環(huán)己烷二酐、對(duì)苯基雙(偏苯三酸單酯酸酐)乙二醇雙(偏苯三酸酐)、丙乙二醇雙(偏苯三酸酐)、丁二醇雙(偏苯三酸酐)、戊二醇雙(偏苯三酸酐)、己二醇雙(偏苯三酸酐)、辛二醇雙(偏苯三酸酐)、癸二醇雙(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1，2，3，4-丁烷四羧酸二酐、十氫化萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、4，8-二甲基-1，2，3，5，6，7-六氫化萘-1，2，5，6-四羧酸二酐、環(huán)戊烷-1，2，3，4-四羧酸二酐、吡咯烷基-2，3，4，5-四羧酸二酐、1，2，3，4-環(huán)丁烷四羧酸二酐、雙(外二環(huán)[2，2，1]庚烷-2，3-二羧酸酐)砜二環(huán)(2，2，2)-8(7)烯-2，3，5，6-四羧酸二酐、4，4’-雙(3，4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、5-(2，5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環(huán)己烯-1，2-二羧酸酐、四氫呋喃-2，3，4，5-四羧酸二酐等，也可以混合2種或2種以上使用。
作為含有氟的二胺的例子，可舉出4-(1H，1H，11H-二十氟十一烷氧基)-1，3-二氨基苯、4-(1H，1H-全氟-1-丁氧基)-1，3-二氨基苯、4-(1H，1H-全氟-1-庚氧基)-1，3-二氨基苯、4-(1H，1H-全氟-1-辛氧基)-1，3-二氨基苯、4-五氟苯氧基-1，3-二氨基苯、4-(2，3，5，6-四氟苯氧基)-1，3-二氨基苯、4-(4-氟苯氧基)-1，3-二氨基苯、4-(1H，1H，2H，2H-全氟-1-己氧基)-1，3-二氨基苯、4-(1H，1H，2H，2H-全氟-1-十二烷氧基)-1，3-二氨基苯、(2，5-)二氨基苯并三氟化物、雙(三氟甲基)苯二胺、二氨基四(三氟甲基)苯、二氨基(五氟乙基)苯、2，5-二氨基(全氟己基)苯、2，5-二氨基(全氟丁基)苯、1，4-雙(4-氨基苯基)苯、對(duì)雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯、雙(氨基苯氧基)雙(三氟甲基)苯、雙(氨基苯氧基)四(三氟甲基)苯、雙{2-[(氨基苯氧基)苯基]六氟異丙基}苯、2，2’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、八氟聯(lián)苯胺、雙{(三氟甲基)氨基苯氧基}聯(lián)苯、4，4’-雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)聯(lián)苯、4，4’-雙(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)聯(lián)苯、1，4-雙(苯胺基)八氟丁烷、1，5-雙(苯胺基)十氟戊烷、1，7-雙(苯胺基)十四氟庚烷、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯醚、2，2’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯砜、4，4’-雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)二苯砜、4，4’-雙(3-氨基-5-三氟甲基苯氧基)二苯砜、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基對(duì)聯(lián)三苯、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-二氟-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四氟-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’，5，5’-四(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、3，3’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基二苯基六氟丙烷、2，2-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷、1，3-雙(苯胺基)六氟丙烷、2，2-雙{4-(4-氨基苯氧基)苯基}六氟丙烷、2，2-雙{4-(3-氨基苯氧基)苯基}六氟丙烷、2，2-雙{4-(2-氨基苯氧基)苯基}六氟丙烷、2，2-雙{4-(4-氨基苯氧基)-3，5-二甲基苯基}六氟丙烷、2，2-雙{4-(4-氨基苯氧基)-3，5-二三氟甲基苯基}六氟丙烷、2，2-雙{4-(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)苯基}六氟丙烷、雙[{(三氟甲基)氨基苯氧基}苯基]六氟丙烷、1，3-二氨基-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-4-甲基-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-4-甲氧基-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-2，4，6-三氟-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-4-氯-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-4-溴-5-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-4-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-4-甲基-5-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-4-甲氧基-5-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-3，4，6-三氟-5-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-4-氯-5-(全氟壬氧基)苯、1，2-二氨基-4-溴-5-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-3-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-2-甲基-5-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-2-甲氧基-5-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-2，3，6-三氟-5-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-2-氯-5-(全氟壬氧基)苯、1，4-二氨基-2-溴-5-(全氟壬氧基)苯、1，3-二氨基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，3-二氨基-4-甲基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，3-二氨基-4-甲氧基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，3-二氨基-2，4，6-三氟-5-(全氟己烯氧基)苯、1，3-二氨基-4-氯-5-(全氟己烯氧基)苯、1，3-二氨基-4-溴-5-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-4-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-4-甲基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-4-甲氧基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-3，4，6-三氟-5-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-4-氯-5-(全氟己烯氧基)苯、1，2-二氨基-4-溴-5-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-3-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-2-甲基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-2-甲氧基-5-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-2，3，6-三氟-5-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-2-氯-5-(全氟己烯氧基)苯、1，4-二氨基-2-溴-5-(全氟己烯氧基)苯等，也可以混合2種或2種以上使用。
作為不含氟的二胺的例子，可舉出對(duì)苯二胺、間苯二胺、2，6-二氨基吡啶、1，5-二氨基萘、2，6-二氨基萘、聯(lián)苯胺、3，3’-二甲基聯(lián)苯胺、3，3’-二甲氧基聯(lián)苯胺、3，3’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯醚、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二異丙基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四乙基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二異丙基-5，5’-二甲基-4，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二異丙基-5，5’-二甲基-4，4’-二氨基二苯醚、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二乙基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四異丙基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’，5，5’-四異丙基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二異丙基-5，5’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二異丙基-5，5’-二乙基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二異丙基-5，5’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二異丙基-5，5’-二乙基-4，4’-二氨基二苯基丙烷、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氯-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二溴-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’5，5’-四溴-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二異丙基-5，5’-二甲基-4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二異丙基-5，5’-二乙基-4，4’-二氨基二苯砜、4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二氨基苯硫醚、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二乙氧基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二氯-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’-二溴-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四甲氧基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四乙氧基-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四氯-4，4’-二氨基苯硫醚、3，3’，5，5’-四溴-4，4’-二氨基苯硫醚、1，4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、2，2-雙(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、雙(4-氨基苯氧基苯基)砜、雙(4-氨基苯氧基苯基)硫醚、雙(4-氨基苯氧基苯基)聯(lián)苯、4，4’-二氨基二苯醚-3-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯醚-4-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯醚-3’-磺酰胺、3，3’-二氨基二苯醚-4-磺酰胺、4，4’-二氨基二苯基甲烷-3-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯基甲烷-4-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯基甲烷-3’-磺酰胺、3，3’-二氨基二苯基甲烷-4-4磺酰胺、4，4’-二氨基二苯砜-3-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯砜-4-磺酰胺、3，4’-二氨基二苯砜-3’-磺酰胺、3，3’-二氨基二苯砜-4-磺酰胺、4，4’-二氨基苯硫醚-3-磺酰胺、3，4’-二氨基苯硫醚-4-磺酰胺、3，3’-二氨基苯硫醚-4-磺酰胺、3，4’-二氨基苯硫醚-3’-磺酰胺、1，4-二氨基苯-2-磺酰胺、4，4’-二氨基二苯醚-3-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯醚-4-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯醚-3’-碳酰胺、3，3’-二氨基二苯二苯醚-4-碳酰胺、4，4’-二氨基二苯基甲烷-3-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯基甲烷-4-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯基甲烷-3’-碳酰胺、3，3’-二氨基二苯基甲烷-4-碳酰胺、4，4’-二氨基二苯砜-3-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯砜-4-碳酰胺、3，4’-二氨基二苯砜-3’-碳酰胺、3，3’-二氨基二苯砜-4-碳酰胺、4，4’-二氨基苯硫醚-3-碳酰胺、3，4’-二氨基苯硫醚-4-碳酰胺、3，3’-二氨基苯硫醚-4-碳酰胺、3，4’-二氨基苯硫醚-3’-碳酰胺、1，4-二氨基苯-2-碳酰胺、4-氨基苯基-3-氨基苯甲酸、2，2-雙(4-氨基苯基)丙烷、雙(4-氨基苯基)二乙基硅烷、雙(4-氨基苯基)二苯基硅烷、雙(4-氨基苯基)乙基氧膦、雙(4-氨基苯基)-N-丁胺、雙(4-氨基苯基)-N-甲胺、N-(3-氨基苯基)-4-氨基苯并酰胺、2，4-雙(β-氨基叔丁基)甲苯、雙(對(duì)-β-氨基叔丁基苯基)醚、雙(對(duì)-β-甲基-γ-氨基戊基)苯、雙對(duì)(1，1-二甲基-5-氨基戊基)苯、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、癸二胺、丁二胺、丙二胺、3-甲基庚二胺、4，4’-二甲基庚二胺、2，11-二氨基十二烷、1，2-雙(3-氨基丙氧基)乙烷、2，2-二甲基丙二胺、3-甲氧基己二胺、2，5-二甲基己二胺、2，5-甲基庚二胺、5-甲基壬二胺、2，17-二氨基二十癸烷、1，4-二氨基環(huán)己烷、1，10-二氨基-1，10-二甲基癸烷、1，12-二氨基癸烷等，也可以混合2種或2種以上使用。
可以使用硅二胺作為二胺的一部分。作為硅二胺，有1，3-雙(3-氨丙基)-1，1，1-四苯基二硅氧烷、1，3-雙(3-氨丙基)-1，1，1-四甲基二硅氧烷、1，3-雙(4-氨丁基)-1，1，1-四甲基二硅氧烷等。使用硅二胺時(shí)，相對(duì)二胺的總量，其用量最好為0.1～10mol％。上述的四羧酸二酐和二胺可以同時(shí)使用2種以上。作為聚酰亞胺系樹(shù)脂的前驅(qū)體溶液，也可以使用具有感光性的物質(zhì)。
另外，在第1和第2實(shí)施方式中，第2連接層23的厚度，最好是小于等于10μm。如果超過(guò)10μm，第2連接層23和含有氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜(由下部包層3到保護(hù)層9的各層)的樹(shù)脂覆膜整體的厚度變大，基于和基片的膨脹系數(shù)之差，容易發(fā)生由應(yīng)力引起的翹曲。并且難以達(dá)到樹(shù)脂膜全體的厚度的均勻性。特別地，第2連接層23的厚度最好是小于等于1.0μm。第2連接層23的厚度，必須根據(jù)在其上形成的使用含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜(由下部包層3構(gòu)成到護(hù)層9的各層)制成的光波導(dǎo)4的結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行最合適地選擇。即，在第2連接層23上形成成為直接芯線(光波導(dǎo)4)的光波導(dǎo)時(shí)或形成由第2連接層23和光波導(dǎo)4接近而構(gòu)成的光波導(dǎo)疊層體時(shí)(位于第2連接層23和光波導(dǎo)4之間的包層3的厚度薄時(shí))等，第2連接層23導(dǎo)致光損失增大，因此最好使第2連接層23的厚度變薄。具體的厚度，是應(yīng)該考慮基片1、以不含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂形成的第2連接層23、以含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜形成的包層3、5、光波導(dǎo)4的折射率及各自的高度、寬度等來(lái)決定，但-般考慮和作為傳播路的光纖的匹配性，由含氟的聚酰亞胺系樹(shù)脂覆膜構(gòu)成的光波導(dǎo)4的尺寸往往是10μm左右，使為了相對(duì)該光波導(dǎo)傳播的光的損失充分降低，第2連接層23的厚度希望是小于等于光波導(dǎo)4的1/10，在先前的例子的場(chǎng)合，更希望是小于等于1.0μm。最好是小于等于0.5μm。
另外，在第1和第2實(shí)施方式中，作為用于形成第2連接層23的聚酰亞胺前驅(qū)體溶液，也可以使用像以下那樣制備成的前驅(qū)體溶液。即，是在528.3g的N-甲基-2-吡咯烷酮中溶解35.3g的4，4’-二氨基二苯醚和4.77g的4，4’-二氨基二苯醚-3-碳酰胺后，添加31.69g的3，3’-4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐和21.44g均苯四酸二酐，在室溫?cái)嚢?小時(shí)而得到的溶液。
另外，，作為用于形成第1和第2實(shí)施方式中的下部包層3到保護(hù)層9的各層的含有氟的聚酰亞胺層的前驅(qū)體溶液，可以使用以下制備成的前驅(qū)體溶液。即，是在450g的N，N-二甲基乙酰胺中溶解21.47g的2，2-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷后，添加28.53g的2，2’-雙(3，4-二羧基苯基六氟丙酸二酐)，在室溫?cái)嚢?0小時(shí)而得到的溶液。
此外，在第1和第2實(shí)施方式中，作為第2連接層23，也可以使用在分子結(jié)構(gòu)中具有Si原子、保持和硅或SiO2的強(qiáng)自粘結(jié)性的聚酰亞胺硅樹(shù)脂。另外，作為第2連接層23，也可以使用不含氟的丙烯酸系樹(shù)脂或不含氟的聚碳酸酯系樹(shù)脂。
作為聚酰亞胺硅樹(shù)脂，可以使用以結(jié)構(gòu)式1
〔結(jié)構(gòu)式1〕 表示的二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)和亞甲基二苯胺及雙-γ-氨基丙基四甲基二硅氧烷(GAPD)的聚合生成物。
作為構(gòu)成包層3、5的樹(shù)脂，可以使用以下的氟化聚酰亞胺A。氟化聚酰亞胺A是以結(jié)構(gòu)式2〔結(jié)構(gòu)式2〕 表示的2，2’-雙(三氟甲基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯(TFDB)和2，2’-雙(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)的聚合生成物。另外，作為構(gòu)成光波導(dǎo)4的樹(shù)脂，可以使用以下的氟化聚酰亞胺樹(shù)脂B。氟化聚酰亞胺B是以結(jié)構(gòu)式3
〔結(jié)構(gòu)式3〕 表示的TFDB和6FDA及均苯四酸二酐(PMDA)的聚合生成物，為了使光波導(dǎo)4的折射率比包層3、5的折射率大約大0.3％，可以使6FDA和PMDA的比例(即m和n的比例)達(dá)到4∶1。
如上所述，按照本發(fā)明提供了在使用具備凹部的基片的光學(xué)元件的制造過(guò)程中，能夠容易去除凹部?jī)?nèi)的覆膜的光學(xué)元件的制造方法。
權(quán)利要求
1.光學(xué)元件，其具有基片、配置在該基片上的樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層，其特征在于，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層含有光波導(dǎo)和包層，在所述基片和所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層之間配置含有有機(jī)金屬化合物的連接層，在所述光波導(dǎo)的下部的區(qū)域中的所述連接層的膜厚分布范圍是在最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述連接層是有機(jī)鋁化合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述連接層是有機(jī)鋯化合物層，在所述光波導(dǎo)的下部的區(qū)域中的所述有機(jī)鋯化合物層的膜厚分布范圍是在最小膜厚大于等于50埃、最大膜厚小于等于150埃的范圍。
4.光學(xué)元件，其具有基片、配置在該基片上的樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層，其特征在于，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層含有光波導(dǎo)和包層，在所述基片和所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層之間，配置有機(jī)鋯化合物層作為連接層，在所述光波導(dǎo)的下部的區(qū)域中的所述有機(jī)鋯化合物層的膜厚分布范圍，是該有機(jī)鋯化合物分子在膜厚方向以大于等于5個(gè)分子、小于等于15個(gè)分子的范圍疊層的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層配置在所述基片上的部分區(qū)域，在所述基片上的未配置所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層的區(qū)域形成凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一權(quán)利要求所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層由含有氟的樹(shù)脂材料涂布構(gòu)成，在所述連接層和所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層之間配置不含氟的樹(shù)脂層。
7.光學(xué)元件的制造方法，該制造方法具有在上表面形成有凹部的基片上，形成有機(jī)鋯化合物的覆膜的第1工序；以及在所述有機(jī)鋯化合物覆膜上形成樹(shù)脂層的第2工序，其特征在于，所述第1工序包括在將所述基片配置在溶劑氣氛中的狀態(tài)下，將含有所述有機(jī)鋯化合物和溶劑的溶液涂布在所述基片上的涂布工序，構(gòu)成所述溶劑氣氛的溶劑和上述溶液中含有的溶劑相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述涂布工序是將所述基片配置在充滿所述溶劑的容器內(nèi)，通過(guò)使所述基片旋轉(zhuǎn)，在所述基片上涂布上述溶液的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，使所述容器的至少與所述基片相對(duì)的部分在與所述基片相同的方向上旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，使所述基片連著所述容器一起旋轉(zhuǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中的任一權(quán)利要求所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述容器在旋轉(zhuǎn)中被密閉。
12.根據(jù)權(quán)利要求8～11中的任一權(quán)利要求所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，在使所述基片的旋轉(zhuǎn)停止后，使該基片靜止預(yù)定的時(shí)間，此后，打開(kāi)所述容器，取出所述基片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，在使所述基片靜止后，在打開(kāi)所述容器之前，以預(yù)定的流量使所述容器內(nèi)的溶劑氣氛排氣。
14.涂布裝置，其具有具有用于取出和放入基片的開(kāi)口的容器、覆蓋該容器的開(kāi)口的蓋、支持配置在所述容器內(nèi)的所述基片的基片搭載部、使所述基片搭載部連著所述容器一起旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，以及用于將所述容器內(nèi)的溶液和氣氛的至少一方排出到外部的、從所述容器內(nèi)部向所述容器的外部形成的排出通道，其特征在于，所述排出通道包括所述容器內(nèi)部側(cè)的內(nèi)部側(cè)開(kāi)口和所述容器外部側(cè)的外部側(cè)開(kāi)口，該外部側(cè)開(kāi)口配置成比該內(nèi)部側(cè)開(kāi)口靠近所述容器的旋轉(zhuǎn)中心軸。
15.涂布裝置，其具有具有用于取出和放入基片的開(kāi)口的容器、覆蓋該容器的開(kāi)口的蓋、支持配置在所述容器內(nèi)的所述基片的基片搭載部、使所述基片搭載部連著所述容器一起旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，以及用于將該容器內(nèi)的氣氛排出到外部的排出口，其特征在于，在所述排出口安裝有用于調(diào)節(jié)所述氣氛的排出速度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。
16.涂布方法，該涂布方法是在具有凹部的基片上涂布溶液的方法，其特征在于，在充滿包含在涂布的溶液中的溶劑氣氛的密閉容器中配置所述基片，通過(guò)使所述密閉容器連著所述基片一起旋轉(zhuǎn)，在基片上涂布所述溶液。
17.涂布方法，該涂布方法是在具有凹部的基片上涂布溶液的方法，其特征在于，在充滿包含在涂布的溶液中的溶劑氣氛的空間內(nèi)配置所述基片，通過(guò)使該基片旋轉(zhuǎn)，在基片上涂布所述溶液，在使所述基片的旋轉(zhuǎn)停止后，使該基片靜止預(yù)定的時(shí)間，以預(yù)定的速度使配置了所述基片的空間內(nèi)的所述溶劑氣氛排氣。
18.涂布方法，該涂布方法是在具有凹部的基片上涂布溶液的方法，其特征在于，在充滿包含在涂布的溶液中的溶劑氣氛的空間內(nèi)配置所述基片，通過(guò)使該基片旋轉(zhuǎn)，在基片上涂布所述溶液，以預(yù)定的速度使配置了所述基片的空間的所述溶劑氣氛排氣。
19.光學(xué)元件，其具有基片、搭載在該基片的一部分上的樹(shù)脂制的光波導(dǎo)部、設(shè)置在所述基片上表面的未搭載所述光波導(dǎo)部的區(qū)域內(nèi)的槽、以及設(shè)置在所述基片上表面的未搭載所述光波導(dǎo)部的區(qū)域內(nèi)的電極，其特征在于，在所述電極的周圍配置有在所述槽的形成工序中與所述槽一起形成的位置配合用的凹部。
20.光學(xué)元件，其具有基片、配置在該基片上的樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層，其特征在于，所述基片具有位置配合標(biāo)記。
全文摘要
本發(fā)明提供樹(shù)脂制的光學(xué)元件的制造方法，該方法在使用具備凹部的基片的光學(xué)元件的制造過(guò)程中，能夠容易地去除凹部?jī)?nèi)的覆膜。該光學(xué)元件具有基片(1)、配置在基片(1)上的部分區(qū)域的樹(shù)脂制的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層(10)、在未配置光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層(10)的區(qū)域形成的凹部(21)。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層(10)含有光波導(dǎo)(4)和包層。在基片(1)和光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)層(10)之間配置連接層，在光波導(dǎo)(4)的下部區(qū)域中的連接層的膜厚分布范圍是在最小膜厚大于等于30埃、最大膜厚小于等于200埃的范圍。
文檔編號(hào)G02B6/132GK1513122SQ0281096
公開(kāi)日2004年7月14日 申請(qǐng)日期2002年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月30日
發(fā)明者黑田敏裕, 近藤圓華, 吉野淳, 宮寺信生, 華, 生 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社