專(zhuān)利名稱(chēng)：成像設(shè)備及其使用的充電器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如復(fù)印機(jī)或打印機(jī)的成像設(shè)備，尤其涉及這類(lèi)成像設(shè)備及該成像設(shè)備所用充電器的改進(jìn)，成像設(shè)備的充電器具有與光接受器的頂部接觸或靠近的充電元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了適應(yīng)市場(chǎng)的需要已經(jīng)提出了對(duì)彩色成像設(shè)備小型化的要求和相應(yīng)的設(shè)計(jì)。
例如，串聯(lián)的成像設(shè)備包括多個(gè)諸如光導(dǎo)鼓的光接受器；諸如充電器的裝置；和配置在每個(gè)光接受器上的顯影裝置。當(dāng)成像設(shè)備本身進(jìn)行小型化時(shí)，顯影裝置與充電器不可避免地相互靠近，于是產(chǎn)生了裝置之間相互干擾的新的技術(shù)問(wèn)題。
為了使設(shè)備本身小型化，提出對(duì)于每個(gè)光接受器不設(shè)置具有清潔部件和剩余調(diào)色劑收集裝置的清潔裝置的所謂無(wú)清潔系統(tǒng)。
但是，在這種無(wú)清潔系統(tǒng)中，在轉(zhuǎn)印后，調(diào)色劑只有少量的剩余、但剩余調(diào)色劑存在于光接受器表面上，在下一次成像時(shí)、剩余調(diào)色劑會(huì)產(chǎn)生“記憶”，從而給圖像質(zhì)量帶來(lái)不利的影響。
于是，例如在相關(guān)領(lǐng)域中已經(jīng)提出一種技術(shù)，其中，記憶去除件(例如，刷輥)被設(shè)置在作為充電器的充電件(例如，充電刷)的上游，用以擾動(dòng)剩余調(diào)色劑(例如，JP-A-平4-371975中所述)。
在這種相關(guān)領(lǐng)域中，公開(kāi)了給記憶去除件施加偏壓以方便地除去剩余調(diào)色劑的技術(shù)。
當(dāng)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期使用而使調(diào)色劑累積在記憶去除件上時(shí)，則難以實(shí)現(xiàn)原始目的，于是，提出例如暫時(shí)保持剩余調(diào)色劑、并在預(yù)定時(shí)刻釋放和收集剩余調(diào)色劑的技術(shù)(例如，JP-A-平11-249452中所述)。
在相關(guān)領(lǐng)域中的成像設(shè)備使用例如充電輥的充電器。
對(duì)于這種充電器，例如已經(jīng)提出了具有位于金屬軸上的海綿狀導(dǎo)電彈性體、且該彈性體涂覆在具有氟樹(shù)脂膜的(PVdF)的表面上的充電器。
這種例如使用輥型充電器的成像設(shè)備(充電器)的技術(shù)問(wèn)題，可在紙上的任意點(diǎn)處或連續(xù)點(diǎn)處看到產(chǎn)生的隨機(jī)斑點(diǎn)、或在充電輥或光導(dǎo)鼓(P/R)每轉(zhuǎn)動(dòng)一次時(shí)看到產(chǎn)生的斑點(diǎn)，如圖19所示。
如果使用輥型充電器或在成像設(shè)備中使用雙組份顯影的顯影裝置、且使用的充電器的刷輥位于充電件(例如，充電輥)的上游時(shí)，也會(huì)看到類(lèi)似的現(xiàn)象。
斑點(diǎn)大體上分為發(fā)生在背景中的背景斑點(diǎn)(BKG斑點(diǎn))，和發(fā)生在圖像部分的(例如，半色調(diào)圖像)的圖像部分斑點(diǎn)，如圖19所示。
下面說(shuō)明這種斑點(diǎn)的產(chǎn)生原理。
如圖20所示，當(dāng)外部物質(zhì)502附著在光導(dǎo)鼓510并進(jìn)入充電輥511與光導(dǎo)鼓510之間的輥隙區(qū)時(shí)，外部物質(zhì)502屏蔽電場(chǎng)，并在充電輥511的表面層薄膜部分形成遮蓋部分，其中，外部物質(zhì)502的介入導(dǎo)致與光導(dǎo)鼓510對(duì)應(yīng)部分中的充電失效。
此時(shí)，如果由外部物質(zhì)502引起充電失效的部分移動(dòng)到光導(dǎo)鼓510的下游、且充電失效部分中形成的靜電潛像形成在充電失效部分并被顯影，則產(chǎn)生具有較大直徑的斑點(diǎn)。
另一方面，如果外部物質(zhì)502附著在充電輥511或光導(dǎo)鼓510上，則在充電輥511或光導(dǎo)鼓510的每次轉(zhuǎn)動(dòng)周期中產(chǎn)生連續(xù)的點(diǎn)。
由于充電輥511的表面層薄膜使用具有楊氏模量2Gpa的剛性氟樹(shù)脂薄膜(PVdF)，所以充電輥511與光導(dǎo)鼓510之間的接觸特性不好、預(yù)夾緊側(cè)的放電間隙不穩(wěn)定且具有大的曲率，因不正常放電形成的前面潛像的記憶保持導(dǎo)致所謂的充電重影。
對(duì)于產(chǎn)生這種斑點(diǎn)的進(jìn)一步原因，我們認(rèn)為產(chǎn)生斑點(diǎn)的主要原因是由于顯影裝置與充電器相互靠近，來(lái)自顯影裝置的磁力，使充電輥的軸(通常使用磁性材料)和載體等的磁性材料，因顯影裝置與軸之間的磁場(chǎng)干擾而易于附著在充電輥表面。
在刷輥設(shè)置在充電件(例如，充電輥)上游時(shí)，調(diào)色劑和顯影劑(載體)聚集在刷輥上，并在刷輥轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)下落為光接受器表面上的聚集體。
具體地，載體在具有粒徑為40-50μm時(shí)是較大的，如果電荷等由施加到刷輥的偏壓注入載體，則極性改變、且載體易于聚集并作為粗團(tuán)塊下落到光接受器。如果載體團(tuán)塊進(jìn)入充電件，則充電件與光接受器表面之間的接觸變得不均勻，導(dǎo)致局部充電失效，于是明顯影響圖像質(zhì)量。特別是，該技術(shù)問(wèn)題將使類(lèi)似上述斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷增加。
顯影劑的載體在顯影部件中經(jīng)常一點(diǎn)點(diǎn)地泄漏到光接受器表面，并在低溫低濕或超時(shí)的狀態(tài)下易于外流。
為處理載體團(tuán)塊，公開(kāi)了一種技術(shù)，其中刷輥設(shè)有抖動(dòng)器(用于刷除顯影劑的部件)，用以將附著在刷輥上的顯影劑刷除(例如，JP-A-平9-54480中所述)。
但是，在這種技術(shù)中，顯影劑散布到設(shè)備主體上的可能性很大，并且需要提供收集被刷除顯影劑的機(jī)構(gòu)；從安裝成本和增加空間的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，該技術(shù)不是最好的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決上述的技術(shù)問(wèn)題，其目的是提供一個(gè)成像設(shè)備，該成像設(shè)備能有效避免因該成像設(shè)備所用的顯影裝置與充電器之間的磁場(chǎng)干擾所引起的有害影響。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一個(gè)成像設(shè)備，該成像設(shè)備能有效避免因該成像設(shè)備所用的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)和充電器所導(dǎo)致的如斑點(diǎn)那樣的圖像質(zhì)量缺陷。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一個(gè)成像設(shè)備，該成像設(shè)備能有效地避免在充電件的表面層薄膜材料被最佳化且該成像設(shè)備使用充電器時(shí)所產(chǎn)生的類(lèi)似斑點(diǎn)的缺陷和充電重影。
根據(jù)本發(fā)明所提供的成像設(shè)備包括光接受器；充電器，它具有給光接受器充電的充電件；潛像寫(xiě)入單元，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器充電的光接受器；顯影裝置，具有包括磁場(chǎng)產(chǎn)生件的顯影劑支承件，該顯影裝置用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元寫(xiě)入的靜電潛像顯影為可見(jiàn)的；
其中，充電器的充電件在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置；充電件由非磁性材料制成。


圖1(a)是表示本發(fā)明成像設(shè)備基本結(jié)構(gòu)及所用充電器的示意圖，圖1(b)是表示成像設(shè)備主要部分的簡(jiǎn)圖；圖2是表示應(yīng)用本發(fā)明第一實(shí)施例的成像設(shè)備一般結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的成像設(shè)備主要部分的示意圖；圖4是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影裝置的示意圖；圖5是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影裝置的上殼體被除去狀態(tài)的示意圖；圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影裝置的分解透視圖；圖7是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影裝置的磁力圖案的示意圖；圖8(a)是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影裝置的顯影輥端部附近結(jié)構(gòu)的示意圖，圖8(b)是沿圖8(a)中B方向的視圖；圖9(a)-9(c)是表示本發(fā)明第一實(shí)施例中所用的薄層區(qū)調(diào)整件的改型的示意圖；圖10(a)是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯影劑的薄層形成狀態(tài)的示意圖，圖10(b)是表示本發(fā)明對(duì)比實(shí)施例的顯影劑的薄層形成狀態(tài)的示意圖；圖11(a)是表示對(duì)比實(shí)施例1中磁輥端部附近的磁力分布的示意圖，圖11(b)是表示對(duì)比實(shí)施例1中磁輥端部附近的顯影劑層形成狀態(tài)的示意圖；圖12(a)和圖12(b)是表示本發(fā)明第一實(shí)施例所用顯影輥端部附近的改型的示意圖；圖13是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的充電器安裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖14(a)是詳細(xì)表示本發(fā)明第一實(shí)施例的充電器的示意圖，圖14(b)是表示充電器成像模式中操作狀態(tài)的示意圖，圖14(c)是表示充電器清潔模式中操作狀態(tài)的示意圖；圖15(a)是實(shí)例1中當(dāng)改變薄層區(qū)調(diào)整位置與噴氣端部之間的距離和紙頁(yè)端部與噴氣端部之間的距離時(shí)、BCO/載體導(dǎo)致的端部斑點(diǎn)的評(píng)價(jià)，圖15(b)是當(dāng)與圖15(a)類(lèi)似的參數(shù)變化時(shí)、在光導(dǎo)鼓上端部的模糊評(píng)價(jià)的示意圖，圖15(c)是當(dāng)與圖15(a)類(lèi)似的參數(shù)變化時(shí)、顯影輥端部圓周的驅(qū)動(dòng)齒輪的污染程度評(píng)價(jià)的示意圖；圖16是表示對(duì)比實(shí)例1中背景斑點(diǎn)和圖像斑點(diǎn)的發(fā)生狀態(tài)的示意圖；圖17是表示實(shí)例2中背景斑點(diǎn)和圖像斑點(diǎn)發(fā)生狀態(tài)的示意圖；圖18是表示實(shí)例3中背景斑點(diǎn)和圖像斑點(diǎn)發(fā)生狀態(tài)的示意圖；圖19是表示相關(guān)技術(shù)中成像設(shè)備技術(shù)問(wèn)題的示意圖；圖20是表示因外部物質(zhì)所產(chǎn)生斑點(diǎn)的原理示意圖；圖21(a)是表示本發(fā)明成像設(shè)備基本結(jié)構(gòu)及所用充電器的示意圖，圖21(b)是表示成像設(shè)備主要部分的示意圖；圖22(a)是表示本發(fā)明成像設(shè)備基本結(jié)構(gòu)及所用充電器的示意圖，圖22(b)是表示成像設(shè)備主要部分的示意圖；圖23是表示應(yīng)用本發(fā)明第二實(shí)施例的成像設(shè)備一般結(jié)構(gòu)的示意圖；圖24是表示用于本發(fā)明第二實(shí)施例的充電器一般結(jié)構(gòu)的示意圖；圖25是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的充電器組裝過(guò)程的示意圖；圖26(a)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例充電器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的示意圖，圖26(b)是表示充電器成像模式中的操作狀態(tài)的示意圖，圖26(c)是表示充電器清潔模式中的操作狀態(tài)的示意圖；圖27(a)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例充電器的屏蔽板實(shí)例的示意圖，圖27(b)和圖27(c)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的屏蔽板的改型的示意圖；圖28(a)-圖28(c)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例屏蔽板改型的示意圖；圖29(a)是表示對(duì)比模式的操作實(shí)例示意圖，圖29(b)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例模式的充電器操作實(shí)例的示意圖，圖29(c)是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的改型模式的充電器操作實(shí)例的示意圖；圖30(a)是表示實(shí)例4的實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｊ降氖疽鈭D，圖30(b)是表示屏蔽板與光導(dǎo)鼓之間的輥隙以及斑點(diǎn)的發(fā)生或不發(fā)生之間關(guān)系的示意圖；圖31是表示實(shí)例5中斑點(diǎn)發(fā)生狀態(tài)、充電輥污染等的評(píng)價(jià)的示意圖；圖32是表示實(shí)例6中斑點(diǎn)發(fā)生狀態(tài)、充電輥污染等的評(píng)價(jià)的示意圖；圖33是表示由刷輥噴射的載體團(tuán)塊的示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的第一方面提供的成像設(shè)備包括光接受器1；充電器2，它具有與光接受器1接觸或靠近的充電件2a，充電器2用于給光接受器1充電；潛像寫(xiě)入單元3，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器2充電的光接受器1；以及顯影裝置4，它至少具有顯影劑支承件4a，顯影劑支承件4a中含有磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b，該顯影裝置用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元3寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其特征在于，充電器2的充電件2a在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置、并由非磁性材料制成。
在這種技術(shù)裝置中，充電件2a需要與光接受器1接觸或靠近。
也包括充電件2a不與光接受器1接觸的模式，并認(rèn)為既使在充電件2a靠近光接受器1的模式中、也可通過(guò)小的空間放電進(jìn)行充電。
但是，優(yōu)選充電件2a與光接受器1接觸，這是由于相對(duì)光接受器1的定位較方便、并且充電件2a的尺寸精度要求不高。
“在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置”的表述，是假設(shè)當(dāng)整個(gè)成像設(shè)備小型化時(shí)、充電件2a在顯影裝置4的磁場(chǎng)作用下。
另外，充電件2a的一部分可在磁場(chǎng)作用下，而不需要所有部分在磁場(chǎng)作用下。
充電件2a使用非磁性材料的主要目的是使充電件2a難以被磁化，以便有效地避免磁性材料的載體的附著。
作為非磁性材料，只要作為磁性材料的載體不附著在其上、任何適宜的材料均可選擇。例如，充電件2a優(yōu)選由具有1.05或更小導(dǎo)磁率的非磁性材料構(gòu)成(例如，SUS303)。更優(yōu)選的是，充電件2a由具有1-1.05之間，最好在1-1.02之間導(dǎo)磁率的非磁性材料構(gòu)成。
具體地，充電件2a優(yōu)選由將銅加入SUS303(下文按需要稱(chēng)作SUS303Cu)的非磁性材料構(gòu)成。
SUS303Cu是優(yōu)選的，其中SUS303Cu的導(dǎo)磁率是1.02或更小，且熱處理、延伸或切削加工對(duì)SUS303Cu的改變小于SUS303，并且SUS303Cu具有好的切削加工性(低成本)。
另外，充電件2a只要是對(duì)光接受器1進(jìn)行充電的功能件，任何適宜的充電件2a均可選擇。典型地，充電件2a可包括位于非磁性軸11上的海綿狀導(dǎo)電彈性體12，如圖1(b)所示。
在這種情況下，“海綿狀體”的硬度應(yīng)較低，穩(wěn)定的輥隙寬度可穩(wěn)定地進(jìn)行充電。
具體地，為了保持對(duì)光接受器的均勻充電特性，充電件2a優(yōu)選地包括位于非磁性軸11上的海綿狀導(dǎo)電彈性體12，導(dǎo)電彈性體12的外圓周上涂覆圓筒形表面層薄膜13。
此時(shí)，優(yōu)選“表面層薄膜13”，使得充電件2a的表面保持平滑、充電特性保持均勻。即，優(yōu)選表面層薄膜13，表面層薄膜13易于被靜電地吸引到光接受器1，易于由靜電引力提供輥隙均勻性。
作為充電件2a的典型模式，例如，海綿狀導(dǎo)電彈性體12可以是導(dǎo)電尿脘泡沫，圓筒形表面層薄膜13可由導(dǎo)電氟樹(shù)脂構(gòu)成。
對(duì)于充電件2a的電阻條件，優(yōu)選充電件2a具有106Ω/□-108.5Ω/□范圍內(nèi)的表面電阻值。
表面電阻值選擇在“106Ω/□-108.5Ω/□”范圍內(nèi)的原因是，如果電阻值太大、則充電件2a不起作用，如果電阻值太小、則產(chǎn)生電流泄漏易伴隨充電失效。
此外，充電件2a的優(yōu)選硬度條件是90度或更小(Asker F硬度)。最好是60度或更小(Asker F硬度)。
充電件2a具有“90度或更小”的Asker F硬度的原因是，如果充電件2a具有大于90度的Asker F硬度、則輥隙均勻性不好、且易于產(chǎn)生充電失效。
另外，充電件2a的優(yōu)選強(qiáng)度條件是，充電件2a包括具有600N/mm2或更高的拉伸強(qiáng)度的非磁性軸11。
如果滿(mǎn)足這一強(qiáng)度條件，則可避免充電件2a中心部分的彎曲變形、且充電特性可在整個(gè)區(qū)域上提供。
對(duì)于充電件2a的偏壓施加條件，優(yōu)選DC電壓的充電偏壓施加到充電件2a。
例如，如果將AC電壓疊加，則因施加到諸如光導(dǎo)體或類(lèi)似物的光接受器1上的施加電壓所導(dǎo)致的磨損(放電應(yīng)力)易于產(chǎn)生，所以從避免磨損(放電應(yīng)力)的觀(guān)點(diǎn)看，應(yīng)優(yōu)選施加DC電壓的充電偏壓。
另外，不同極性的充電偏壓可施加到充電件2a。
這是在進(jìn)行清潔模式期間用于除去附著在充電件2a上的相反極性的調(diào)色劑所要求的。
本發(fā)明能在磁性材料的載體易于附著在光接受器1、充電件2a上的條件下發(fā)揮技術(shù)效果。
對(duì)于載體易于附著的條件已給出了一些實(shí)例模式，其中，例如顯影裝置4的顯影劑支承件4a轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)數(shù)到達(dá)這樣的程度，即、使得顯影劑部分克服磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b所產(chǎn)生的磁力而分散；其中，例如作為顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的磁力圖案，磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b包括具有100mT或更大的顯影磁極和在鄰近該顯影磁極的部分具有50mT或更大的鄰近磁極；其中，具有疊加在DC成份上的AC成份的顯影偏壓被施加到顯影裝置4的顯影劑支承件4a。
另外，充電器2基本上可包括充電件2a，但本發(fā)明并不總限于此。例如，下面的模式也可采用如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明所提供的成像設(shè)備包括光接受器1；充電器2，它具有與光接受器1接觸或靠近的充電件2a，充電器2用于給光接受器1充電；潛像寫(xiě)入單元3，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器2充電的光接受器1；以及顯影裝置4，它至少具有顯影劑支承件4a，顯影劑支承件4a中含有磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b，該顯影裝置用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元3寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其特征在于，充電器2具有充電件2a和位于充電件2a下游且與光接受器1接觸的去除件2b、用于去除光接受器1上的沉積物，充電器2的充電件2a設(shè)置在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下、并由非磁性材料制成，另一方面，去除件2b設(shè)置在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下、并由磁性材料制成，如圖1所示。
就是說(shuō)，這個(gè)模式的充電器包括“充電件2a+去除件2b”。
在該模式中，只要去除件2b是接觸型的去除光接受器1上的沉積物(例如載體C，相反極性的調(diào)色劑等)的去除件、則可任意選擇，去除件2b用作除去光接受器1上的沉積物意外地導(dǎo)向充電件2a的功能件，所以可保持良好的充電性能。
應(yīng)注意，去除件2b可與充電件2a構(gòu)成在一個(gè)單元中，或與充電件2a分離。
去除件2b一般被認(rèn)定為用于暫時(shí)保持沉積物的再生件、但也可包括具有相應(yīng)功能的普通清潔裝置的接觸型清潔件。
再生件的表面沉積物收集到例如清潔模式中的另一個(gè)清潔裝置內(nèi)(見(jiàn)“對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明”)。
另外，從提供可去除性的觀(guān)點(diǎn)看，去除件2b應(yīng)是接觸型的，但例如刷狀和片狀的其它模式的去除件2b也可使用。
至少去除件2b的一部分也需要在磁場(chǎng)的作用下設(shè)置。
此外，去除件2b由“磁性材料”構(gòu)成的原因是，當(dāng)去除件2b被磁化時(shí)、載體易于被聚集到接受器1上。
下面將討論去除件2b的優(yōu)選模式。
優(yōu)選地，從去除件2b的可去除性與光接受器1的損壞防護(hù)之間的兼容性來(lái)看，去除件2b設(shè)有位于磁性軸15上的刷形件16。
在這個(gè)模式中，去除件2b例如可包括由SUM制成的磁性軸15。
優(yōu)選“SUM”是因?yàn)橐准庸ず偷统杀尽?br> 去除件2b可包括由SUM制成的具有鍍鎳表面的磁性軸15。
優(yōu)選“SUM+鍍鎳”是為了避免滑動(dòng)噪聲和生銹。
另外，對(duì)于刷形件16的優(yōu)選制作方法，去除件2b設(shè)有通過(guò)將纖維狀件粘接到磁性軸15上而制成的刷形件16。
對(duì)于刷形件16的優(yōu)選材料，刷形件16可由聚丙烯樹(shù)脂制成。另外，PP、嫘縈、尼龍、聚酯、PTFE、PTFT、PET等也可用作刷形件16的材料。
此外，對(duì)于去除件2b的電阻條件，電阻值優(yōu)選為104-105Ωcm。
該電阻條件的設(shè)置給清潔性能與環(huán)境依賴(lài)性之間提供了兼容性。
該“電阻值”是指例如刷形件(纖維)的體積電阻值。
優(yōu)選地，從除去相反極性的調(diào)色劑的角度看，將預(yù)定的去除偏壓施加到去除件2b。
具體地，可施加一個(gè)極性與去除件2b不同的去除偏壓。
這要求在執(zhí)行清潔模式期間、除去沉積在去除件2b上的相反極性的調(diào)色劑。
另外，本發(fā)明的第一方面可應(yīng)用于直立的串聯(lián)成像設(shè)備。
作為應(yīng)用實(shí)例，在成像設(shè)備中，多個(gè)光接受器1、多個(gè)充電器2、和多個(gè)顯影裝置4沿垂直方向設(shè)置，任何充電器均設(shè)置在上下連續(xù)定位的顯影裝置4之間的中間位置，充電器2的充電件2a大體定位在上顯影裝置4的顯影部分的下面。
在這個(gè)模式中，在直立串聯(lián)成像設(shè)備中，由于除了顯影裝置與充電器2之間磁場(chǎng)干擾外的結(jié)構(gòu)設(shè)置，載體沉積易于發(fā)生。
對(duì)于本發(fā)明第一方面的另一個(gè)應(yīng)用實(shí)例，在成像設(shè)備中，多個(gè)光接受器1、多個(gè)充電器2、和多個(gè)顯影裝置4均沿垂直方向設(shè)置，任何充電器2均設(shè)置在上下連續(xù)定位的顯影裝置4之間的中間位置，充電器2的充電件2a在上下連續(xù)定位的每個(gè)顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置。
這個(gè)模式是個(gè)實(shí)例，其中，顯影裝置4與充電器2之間的磁場(chǎng)干擾在直立串聯(lián)方向上是顯著的。
另外，在使用“充電件2a+去除件2b”型充電器2的直立串聯(lián)成像設(shè)備中，作為去除件2b的優(yōu)選配置實(shí)例，多個(gè)光接受器1、多個(gè)充電器2、和多個(gè)顯影裝置4沿垂直方向設(shè)置，任何充電器2均設(shè)置在上下連續(xù)定位的顯影裝置4之間的中間位置，充電器2的去除件2b大體定位在上顯影裝置4的顯影部分的下面。
此外，作為另一個(gè)配置實(shí)例，多個(gè)光接受器1、多個(gè)充電器2、和多個(gè)顯影裝置4均沿垂直方向設(shè)置，任何充電器均設(shè)置在上下連續(xù)定位的顯影裝置4之間的中間位置，充電器2的去除件2b在上下連續(xù)定位的每個(gè)顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置。
對(duì)于顯影劑的調(diào)色劑，從易于提供高圖像質(zhì)量和無(wú)清潔的系統(tǒng)的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，球形調(diào)色劑具有130或更小的形狀系數(shù)。
本發(fā)明的第一方面不限于該成像設(shè)備，還可應(yīng)用于該成像設(shè)備所用的充電器本身。
在這種情況下，如圖1所示，本發(fā)明的第一方面提供位于成像設(shè)備內(nèi)的充電器，該成像設(shè)備包括顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其特征在于，該充電器2包括與光接受器1接觸或靠近的充電件2a、且充電件2a在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置、并由非磁性材料制成。
根據(jù)應(yīng)用于“充電件2a+去除件2b”型充電器2的本發(fā)明的第一方面，提供位于成像設(shè)備內(nèi)的充電器，該成像設(shè)備包括顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其特征在于，該充電器2包括與光接受器1接觸或靠近的充電件2a、和與光接受器1接觸并位于充電件2a上游的、用于去除光接受器1上的沉積物的去除件2b，充電件2a在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置、并由非磁性材料制成，去除件2b在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置、并由磁性材料制成，如圖1所示。
下面，討論本發(fā)明的第二方面。
與本發(fā)明第一方面相同的部件、在本發(fā)明的第二方面中用相同的標(biāo)號(hào)表示并不再說(shuō)明。
根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的成像設(shè)備包括光接受器1；充電器2，它具有與光接受器1接觸或靠近的充電件2a，充電器2用于給光接受器1充電；潛像寫(xiě)入單元3，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器2充電的光接受器1；以及顯影裝置4，它至少具有顯影劑支承件4a，顯影劑支承件4a中含有磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b，該顯影裝置用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元3寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其特征在于，充電器2包括充電件2a；去除件2b，它在充電件2a的上游與光接受器1接觸，去除件2b用于除去光接受器1上的沉積物；和隔離件2c，用于隔離充電件2a與去除件2b、并使從去除件2b剝離的去除物質(zhì)與隔離件2c碰撞。
充電器2包括“充電件2a+去除件2b”。
對(duì)于隔離件2c的材料、形狀等可適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，只要隔離件2c在被除去的物質(zhì)與隔離件2c碰撞時(shí)能隔離充電件2a和去除件2b、并消除從去除件2b剝離的被去除物質(zhì)(主要是載體團(tuán)塊)。
下面，將進(jìn)一步討論隔離件2c。
優(yōu)選地，隔離件2c不與光接受器1接觸。
從避免損壞光接受器1和避免積累被去除物質(zhì)的角度來(lái)看，應(yīng)優(yōu)選隔離件2c不與光接受器1接觸。
另一方面，在隔離件2c與光接受器1接觸的模式中，例如，彈性件可設(shè)置在隔離件端部、并與光接受器1彈性接觸。
隔離件2c的凸出尺寸的設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)可適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選地，隔離件2c在連接充電件2a與去除件2b的轉(zhuǎn)動(dòng)中心的直線(xiàn)下面伸展。
這個(gè)模式表示一個(gè)設(shè)置實(shí)例，其中，從去除件2b剝離的被去除物質(zhì)易于與隔離件2c碰撞。
另外，優(yōu)選地，隔離件2c不與去除件2b接觸。
這是為了防止去除件2b所去除的物質(zhì)再與隔離件2c接觸(輕微碰撞)、進(jìn)而易于再次散布。
另外，不可將偏壓施加到隔離件2c；優(yōu)選地，將與充電偏壓相同的吸引偏壓施加到隔離件2c。
根據(jù)這種模式，優(yōu)選將去除件2b上的載體的表面載體吸引到隔離件2c側(cè)、并保持該表面載體。
可適當(dāng)?shù)剡x擇隔離件2c的材料；在隔離件2c在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置的模式中、以及在充電器2與顯影裝置4相互靠近的模式中，隔離件2c優(yōu)選由磁性材料制成。
根據(jù)這個(gè)模式，當(dāng)隔離件2c是磁性的時(shí)，從去除件2b剝離的載體的捕獲等易于實(shí)現(xiàn)。
另外，充電件2a、去除件2b和隔離件2c的安裝結(jié)構(gòu)可適當(dāng)?shù)剡x擇；作為優(yōu)選的安裝結(jié)構(gòu)，充電件2a、去除件2b和隔離件2c定位支承在公共支承框架上、并經(jīng)該支承框架以一件的方式安裝到設(shè)備主體中。
本發(fā)明的第二方面不只限于成像設(shè)備，它也可應(yīng)用到成像設(shè)備所用的充電器本身。
在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的充電器被安裝在成像設(shè)備中，該成像設(shè)備包括顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其特征在于，該充電器2包括充電件2a，與光接受器1接觸或靠近；去除件2b，它與光接受器1接觸并位于充電件2a上游，用于去除光接受器1上的沉積物；隔離件2c，用于隔離充電件2a與去除件2b，并使從去除件2b剝離的去除物質(zhì)與隔離件2c碰撞。
下面討論本發(fā)明的第三方面。與本發(fā)明第一和第二方面相同的部件在第三方面中用相同的標(biāo)號(hào)表示、并不再作說(shuō)明。
如圖22(a)和22(b)所示，根據(jù)本發(fā)明第三方面提供的成像設(shè)備包括光接受器1；充電器2，它具有與光接受器1接觸或靠近的充電件2a，充電器2用于給光接受器1充電；潛像寫(xiě)入單元3，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器2充電的光接受器1；以及顯影裝置4，它至少具有顯影劑支承件4a，顯影劑支承件4a中含有磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b，該顯影裝置用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元3寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其特征在于，至少充電器2的充電件2a的最外圓周表面被聚合材料構(gòu)成的表面層薄膜13涂覆，表面層薄膜13的材料具有0.6Gpa或更小的楊氏模量。
假定充電件2a至少包含表面層薄膜13。
表面層薄膜13是保持表面平滑和使充電特性均勻的功能件、并優(yōu)選得使表面層薄膜13易于被靜電吸引到光接受器1、且靜電吸引力易提供輥隙均勻性。
具體地，“表面層薄膜13的材料具有0.6Gpa或更小的楊氏模量”，于是充電件2a與光接受器1之間的接觸特性被保持、并且表面層薄膜13被迫變形而包圍載體，因此，斑點(diǎn)的形成不顯著、且放電輥隙非常穩(wěn)定，進(jìn)而避免了產(chǎn)生充電重影。
就是說(shuō)，表面層薄膜13充分地變軟(楊氏模量較低)、以使得與光接受器1的接觸良好，如果表面層薄膜13與光接受器1之間存在載體、則表面層薄膜13會(huì)發(fā)生變形而包圍該載體。所以，如果斑點(diǎn)產(chǎn)生，則斑點(diǎn)尺寸可限制在不會(huì)在實(shí)際使用中產(chǎn)生任何問(wèn)題的水平。
另一方面，如果表面層薄膜13變軟，則表面層薄膜13易于被吸引到光接受器1側(cè)，于是預(yù)壓緊側(cè)(給光接受器1放電的區(qū)域)的曲率(充電件2a相對(duì)光接受器1的曲率)變小。因此可推知，放電區(qū)域較寬，潛像記錄易于消除，因而充電重影難以產(chǎn)生。
表面層薄膜13的優(yōu)選材料是熱塑性聚酯彈性材料。
這個(gè)熱塑性聚酯彈性材料具有0.2Gpa的楊氏模量；另外，熱塑性聚酯彈性材料(0.6Gpa)或熱塑性氟樹(shù)脂彈性材料(0.3Gpa)均可使用。
表面層薄膜13具有300μm或更小的厚度。
設(shè)定300μm上限值的目的是為了保持表面層薄膜13的柔軟，并提供輥隙均勻性。
再有，作為給光接受器1充電的功能件的充電件2a可進(jìn)行任何適當(dāng)?shù)倪x擇；典型地，如圖22(b)所示，優(yōu)選的充電件2a可包括位于支承軸11上的海綿狀導(dǎo)電彈性體12，導(dǎo)電彈性體12的外圓周上可涂覆圓筒形表面層薄膜13。
在這種情況下，優(yōu)選的“海綿狀體”的硬度可較低且輥隙寬度穩(wěn)定、以進(jìn)行穩(wěn)定的充電。
在這種模式中，采用導(dǎo)電尿脘泡沫體用作海綿狀導(dǎo)電彈性體12的代表性實(shí)例。
此時(shí)，為了提供導(dǎo)電性，可在尿脘泡沫體輥摻入諸如碳黑的導(dǎo)電材料。
另外，充電器2主要包括充電件2a，但本發(fā)明不限于此。例如，可采用下述模式如圖22所示，根據(jù)本發(fā)明提供的成像設(shè)備包括當(dāng)接受器1；充電器2，它具有與光接受器1接觸或靠近的充電件2a，用于給光接受器1充電，潛像寫(xiě)入單元3，用于將靜電潛像寫(xiě)入被充電器充電的光接受器1，顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其中，該充電器2包括充電件2a，與光接受器1接觸或靠近；去除件2b，與光接受器1接觸并位于充電件2a上游的用于去除光接受器1上的沉積物；其中，至少充電件2a最外圓周表面用聚合材料的圓筒形表面層薄膜13涂覆，表面層薄膜13的材料具有0.6Gpa或更小的的楊氏模量。
即，充電器2包括“充電件2a+去除件2b”。
在這個(gè)模式中，顯影裝置4和充電器2相互靠近，去除件2b在顯影裝置4的磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下而設(shè)置，去除件2b優(yōu)選由磁性材料制成。
本發(fā)明的第三方面不限于該成像設(shè)備，也可應(yīng)用于該成像設(shè)備所用的充電器。
如圖22所示，在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的第三方面提供安裝在成像設(shè)備內(nèi)的充電器，該成像設(shè)備包括顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其特征在于，該充電器2包括充電件2a，它與光接受器1接觸或靠近；其中，至少充電件2a最外圓周表面用聚合材料的圓筒形表面層薄膜13涂覆，表面層薄膜13的材料具有0.6Gpa或更小的的楊氏模量。
如圖22所示，當(dāng)本發(fā)明的第三方面應(yīng)用于“充電件2a+去除件2b”型的充電器2時(shí)，提供安裝在成像設(shè)備內(nèi)的充電器，該成像設(shè)備包括顯影裝置4，顯影裝置4至少具有包含磁場(chǎng)產(chǎn)生件4b的顯影劑支承件4a，顯影裝置4用顯影劑使光接受器1上的靜電潛像變成可見(jiàn)的；充電器2，用于對(duì)光接受器1充電；其特征在于，該充電器2包括充電件2a，它與光接受器1接觸或靠近；去除件2b，它在充電件2a的上游與光接受器1接觸、并用于除去光接受器1上的沉積物；其中，至少充電件2a最外圓周表面用聚合材料的圓筒形表面層薄膜13涂覆，表面層薄膜13的材料具有0.6Gpa或更小的的楊氏模量。
應(yīng)注意，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的前提下，本發(fā)明一個(gè)方面中的每一個(gè)模式均可應(yīng)用于本發(fā)明的任何其它方面。
現(xiàn)在參照

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖2表示采用本發(fā)明的成像設(shè)備的第一實(shí)施例(該實(shí)施例是一個(gè)全色打印機(jī))。圖2中的每個(gè)箭頭表示各轉(zhuǎn)動(dòng)件的轉(zhuǎn)動(dòng)方向。
如圖2所示，該全色打印機(jī)具有一個(gè)由成像單元20(20Y，20M，20C，20K)構(gòu)成的主體，該主體包括用于黃(Y)、品紅(M)、青(C)和黑(K)的光導(dǎo)鼓21(21Y，21M，21C，21K)；充電器22，它與光導(dǎo)鼓21接觸而進(jìn)行初級(jí)充電(21Y，21M，21C，21K)；曝光單元，例如激光器單元(未示出)，用于施加黃(Y)、品紅(M)、青(C)和黑(K)激光束23(23Y，23M，23C，23K)；顯影裝置24(24Y，24M，24C，24K)，用于儲(chǔ)存含有彩色調(diào)色劑組份的顯影劑；第一初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31，它與四個(gè)光導(dǎo)鼓21中的兩個(gè)光導(dǎo)鼓21C和21M接觸；第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓32，它與另兩個(gè)光導(dǎo)鼓21Y和21K接觸；輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33，它與第一和第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32接觸；最終轉(zhuǎn)印輥34，它與輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33接觸。
光導(dǎo)鼓21以固定間隔相互隔開(kāi)、從而具有公共接觸平面U。第一和第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32的設(shè)置，使得它們的軸線(xiàn)平行于光導(dǎo)鼓21的軸線(xiàn)、并相對(duì)作為邊界的預(yù)定對(duì)稱(chēng)平面與光導(dǎo)鼓21的軸線(xiàn)對(duì)稱(chēng)。此外，輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33的設(shè)置使得其旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)平行于光導(dǎo)鼓21的軸線(xiàn)。
響應(yīng)每種彩色成像的信號(hào)由圖像處理單元(未示出)光柵化、并被輸入到激光器單元(未示出)。在激光器單元中，激光束23Y、23M、23C、23K被調(diào)制、并施加到相應(yīng)彩色的光導(dǎo)鼓21Y、21M、21C、21K。
根據(jù)已知的電攝影技術(shù)在每個(gè)光導(dǎo)鼓21周?chē)鷮?duì)每種彩色進(jìn)行成像處理。
首先，將用OPC光導(dǎo)體的、且具有預(yù)定直徑(例如，20mm)的光導(dǎo)鼓用作光導(dǎo)鼓21，驅(qū)動(dòng)光導(dǎo)鼓21并以預(yù)定速度(例如，95mm/秒)轉(zhuǎn)動(dòng)。
如圖2所示，將預(yù)定充電水平的DC電壓(例如，約-800V)施加到每個(gè)充電器22，于是，相應(yīng)光導(dǎo)鼓21的表面被均勻充電到預(yù)定水平。在該實(shí)施例中，只有DC電壓施加到充電器22，但也可將AC組份疊加到DC組份上。
激光器單元作為曝光單元將激光束23Y、23M、23C、23K施加到具有均勻表面電位的光導(dǎo)鼓的各表面、以形成與輸入的每種彩色圖像信息對(duì)應(yīng)的靜電潛像。激光器單元寫(xiě)入靜電潛像，于是，各個(gè)光導(dǎo)鼓21上的圖像曝光部分的表面電位被消除到預(yù)定水平(例如，約-60V或更小)。
與各光導(dǎo)鼓21表面上形成的各彩色對(duì)應(yīng)的靜電潛像，由相應(yīng)彩色的顯影裝置24顯影、并轉(zhuǎn)變成與相應(yīng)光導(dǎo)鼓21上彩色對(duì)應(yīng)的可見(jiàn)的調(diào)色劑圖像。
接著，形成在光導(dǎo)鼓21上的彩色調(diào)色劑圖像，先靜電轉(zhuǎn)印到第一和第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32。形成在光導(dǎo)鼓21Y和21M上的黃(Y)和品紅(M)調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到第一初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31，形成在光導(dǎo)鼓21C和21K上的青(C)和黑(K)調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓32。
之后，形成在第一和第二初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31、32上的單色或雙色調(diào)色劑圖像，再次靜電轉(zhuǎn)印到輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33。
于是，從單色圖像到黃(Y)、品紅(M)青(C)和黑(K)的四色圖像的最終調(diào)色劑圖像形成在輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33。
最后，形成在輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33上的從單色圖像到黃(Y)、品紅(M)青(C)和黑(K)的四色圖像的最終調(diào)色劑圖像，最終通過(guò)轉(zhuǎn)印輥34第三次轉(zhuǎn)印到穿過(guò)紙傳送通道40的紙頁(yè)。紙頁(yè)通過(guò)供紙裝置(未示出)穿過(guò)紙傳送輥41、并進(jìn)入輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33與最終轉(zhuǎn)印輥34之間的輥隙部分。在最終轉(zhuǎn)印步驟之后，形成在紙頁(yè)上的最終轉(zhuǎn)印圖像由熔凝器42定影到紙頁(yè)上，至此成像處理程序被完成。
在這個(gè)將在下文中具體說(shuō)明的實(shí)施例中，如圖2所示，每個(gè)充電器22包括充電輥100，用于對(duì)相應(yīng)的光導(dǎo)鼓21充電；刷輥110，用作再生件、且位于充電輥100的上游；于是，相應(yīng)光導(dǎo)鼓21上的外部物質(zhì)被刷輥110去除、以防止光導(dǎo)鼓21上的外部物質(zhì)移動(dòng)到充電輥100側(cè)。
作為再生件的初級(jí)中間刷輥51和52和輔助中間刷輥53，與初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32和輔助中間轉(zhuǎn)印鼓35接觸，用于暫時(shí)保持相應(yīng)鼓31、32和33表面上的外部物質(zhì)(剩余調(diào)色劑、載體等)。
另外，最終轉(zhuǎn)印輥34設(shè)有采用例如片清潔方式的清潔裝置54(54a片)。
下面，說(shuō)明用于該實(shí)施例的顯影裝置24和充電器22。
首先，討論顯影裝置24。
在該實(shí)施例中，如圖3所示，多個(gè)顯影裝置24沿垂直方向設(shè)置，顯影裝置24C例如與成像單元20(例如20M)的充電器22靠近、且在下側(cè)具有間隙m(例如，約2-5mm)。
下面說(shuō)明各顯影裝置24的基本結(jié)構(gòu)顯影裝置24主要具有主體，該主體包括框架61用作殼體；顯影輥62，用作顯影劑支承件；層厚調(diào)整輥63，用作層厚調(diào)整件；兩個(gè)螺旋推送器64和65，用作顯影劑的攪拌和傳送件；以及漿輪66，用作顯影劑的供給件，如圖3-6所示。
在附圖中，標(biāo)號(hào)21表示用作光接受器的光導(dǎo)鼓、其上形成有與圖像信息對(duì)應(yīng)的靜電潛像，G表示包含非磁性調(diào)色劑和磁性載體的顯影劑，各個(gè)箭頭表示各轉(zhuǎn)動(dòng)件的旋轉(zhuǎn)方向。顯影劑G可以是雙組份顯影劑。
在該實(shí)施例中，框架61的形狀整體上像一個(gè)扁平的拉長(zhǎng)的盒子，其上設(shè)有開(kāi)口部分71，將面對(duì)光導(dǎo)鼓21的顯影輥62的部分露出；顯影劑儲(chǔ)存部分72，它形成在開(kāi)口部分71的相對(duì)端、用于儲(chǔ)存顯影劑G。
顯影劑儲(chǔ)存部分72形成有兩個(gè)平行的顯影劑循環(huán)傳送通道，兩個(gè)通道在兩端相互連通、而在中間被隔板73分開(kāi)。
構(gòu)成框架61結(jié)構(gòu)的上框架61L和下框架61U可被分開(kāi)、并在上下方向上連接和裝配。框架61的厚度(在上下方向上的全高度)是30mm。
在附圖中，標(biāo)號(hào)75表示多個(gè)形成在下框架61L的后連接面部分上的嚙合凸起，標(biāo)號(hào)76表示限定在上框架61U的后連接面部分上的嚙合孔，當(dāng)下框架61L與上框架61U連接和裝配時(shí)、將多個(gè)嚙合凸起75插入嚙合孔76。標(biāo)號(hào)77表示具有凸起的肋，標(biāo)號(hào)78表示用于框架連接部分的彈性密封件。
在圖5或6中，標(biāo)號(hào)80表示調(diào)整塊(薄層區(qū)調(diào)整件)，它位于顯影輥62端部之上、用于從側(cè)面調(diào)整顯影輥62上的薄層區(qū)調(diào)整位置(這將在下文詳細(xì)說(shuō)明)；在該實(shí)施例中，調(diào)整塊80附著到上框架61U(見(jiàn)圖5和6)。
標(biāo)號(hào)81和82表示側(cè)支座，用于夾持框架61的兩端、并將顯影裝置24安裝到成像設(shè)備的主體上。
顯影輥62包括形狀像空心圓筒的非磁性套筒201，套筒201可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在框架61開(kāi)口部分71的附近，磁輥202包括多個(gè)以預(yù)定角度設(shè)置在套筒201空心中的磁極，套筒201和磁輥202的相對(duì)位置是固定的。
在這個(gè)實(shí)施例中，顯影輥62具有12mmφ的小外徑(套筒201的外徑)。如圖7所示，磁輥202包括七個(gè)適當(dāng)設(shè)置的磁極S1、S2、S3、S4、N1、N2和N3，以便使S極或N極的每個(gè)磁通分布(圖7中虛線(xiàn)所示)相對(duì)輥軸。
磁極S1是顯影磁極，磁極S3和S4是用于剝離顯影劑的排斥磁極，磁極N2是用于調(diào)整層厚度的磁極，其它磁極與相鄰的磁極一起用作傳送磁極。
層厚調(diào)整輥63是非磁性輥，它與顯影輥62(套筒201)的表面面對(duì)并具有間隙，用于將支承在顯影輥62(套筒201)表面上的顯影劑G的層厚度調(diào)整到預(yù)定厚度。層厚調(diào)整輥63使用堅(jiān)硬的例如直徑5mm的不銹鋼輥，且例如與顯影輥62間隔250μm。層厚調(diào)整輥63的兩端落入形成在下框架61L側(cè)壁上的顯影輥62附近的安裝槽中，當(dāng)安裝框架61時(shí)，層厚調(diào)整輥63被上框架61U從上方推動(dòng)，于是，層厚調(diào)整輥63最終壓入該安裝槽、并有效地固定。
螺旋推送器64和65均是轉(zhuǎn)動(dòng)件，它們包括以預(yù)定螺距在轉(zhuǎn)動(dòng)軸上纏繞的漿葉部件，用以對(duì)顯影劑G進(jìn)行攪拌和充電、并設(shè)置成在框架61的顯影劑儲(chǔ)存部分72中的兩個(gè)顯影劑循環(huán)傳送通道中轉(zhuǎn)動(dòng)。螺旋推送器64和65的外徑均為13mm。
漿輪66是類(lèi)似葉輪的轉(zhuǎn)動(dòng)件，它具有轉(zhuǎn)動(dòng)軸，轉(zhuǎn)動(dòng)軸上形成有四個(gè)沿軸轉(zhuǎn)動(dòng)方向平行(偏移)地向下游移動(dòng)的漿葉部件、并設(shè)置成能在顯影輥62與螺旋推送器之間的位置轉(zhuǎn)動(dòng)。
特別地，該實(shí)施例的特征在于顯影輥62的端部圓周結(jié)構(gòu)，薄層區(qū)調(diào)整位置的具體設(shè)置方式由調(diào)整塊80調(diào)整。
即，如圖8(a)所示，粗表面工作部件91設(shè)置在顯影輥62的套筒201的表面上。
對(duì)于粗表面工作部件91可適當(dāng)選擇噴砂工藝、噴丸工藝、研磨工藝等；但是，從提供粗表面工作的均勻性來(lái)看，優(yōu)選采用具有球形磨粒的噴砂工藝。
粗表面工作部件91形成區(qū)可在整個(gè)顯影劑的薄層區(qū)范圍伸展，該范圍需形成將傳送力給予顯影劑的粗表面。
所以，在該實(shí)施例中，粗表面工作部件91形成在除顯影輥62端部以外的圓周表面，而非粗表面工作部件92保持在兩個(gè)端部。
非粗表面工作部件92可以是沒(méi)有粗表面的工作部件；但優(yōu)選地是盡可能減小表面粗糙度。
此時(shí)，非粗表面工作部件92優(yōu)選用樹(shù)脂涂覆或處理，以便減小摩擦系數(shù)(例如，研磨工藝)。
從保持調(diào)色劑的良好摩擦帶電性能的觀(guān)點(diǎn)看，為了用樹(shù)脂涂覆非粗表面工作部件92，樹(shù)脂優(yōu)選地從這樣的樹(shù)脂中選擇、即該樹(shù)脂通過(guò)與調(diào)色劑摩擦帶電而使調(diào)色劑的電荷量呈磨擦帶電系列，可通過(guò)與選擇的調(diào)色劑接觸而避免調(diào)色劑的電荷量下降，另外，樹(shù)脂涂覆層具有1013Ω/□或更大的表面電阻、以使調(diào)色劑電荷不產(chǎn)生不必要的泄漏。
在該實(shí)施例中，由調(diào)整塊80調(diào)整的薄層區(qū)調(diào)整位置J，設(shè)置在粗表面工作部件91的外側(cè)，非粗表面工作部件92始終處在薄層區(qū)調(diào)整位置J與粗表面工作部件91之間。
在該實(shí)施例中，由調(diào)整塊80調(diào)整的薄層區(qū)調(diào)整位置J，設(shè)置在垂直于最大使用尺寸的紙的傳送方向的寬度方向的端部?jī)?nèi)側(cè)。
由于圖像區(qū)外側(cè)的邊緣區(qū)始終位于紙的邊緣周?chē)?，所以部件之間的定位關(guān)系體現(xiàn)在邊緣區(qū)中。
在圖8(a)中，Smax表示在寬度方向上最大使用尺寸的紙的尺度。
在該實(shí)施例中，顯影輥62中磁輥202的顯影磁極(S1見(jiàn)圖7)，在寬度方向上的端部設(shè)置得與最大使用尺寸的紙的寬度方向上的端部相同或在該端部?jī)?nèi)側(cè)，由調(diào)整塊80調(diào)整的薄層區(qū)調(diào)整位置J設(shè)置在顯影磁極寬度方向上的端部?jī)?nèi)側(cè)。
因此，顯影劑G在顯影磁極端部的橫向位移被阻止。
調(diào)整塊80與顯影輥62的端部、例如顯影輥62的端部上表面接觸，以調(diào)整顯影劑G的薄層區(qū)。
優(yōu)選地，從穩(wěn)定顯影輥62的轉(zhuǎn)動(dòng)操作來(lái)說(shuō)，調(diào)整塊80與顯影輥62端部之間的滑動(dòng)阻力應(yīng)盡可能減小。
在該實(shí)施例中，調(diào)整塊80設(shè)有位于面對(duì)顯影輥62端部的部分上的刷毛85，以使刷毛85抵靠顯影輥62的端部，如圖8(a)和8(b)所示，于是顯影輥62的轉(zhuǎn)矩明顯減小。
作為調(diào)整塊80的改型，調(diào)整塊80可在面對(duì)顯影輥62端部的整個(gè)部分或局部設(shè)置低阻力的毛氈86、并使毛氈86抵靠顯影輥62的端部、如圖9(a)所示，或可設(shè)置具有小摩擦阻力的低摩擦部件87、諸如聚四氟乙烯的氟樹(shù)脂部件、并使低摩擦部件87與顯影輥62的端部接觸、如圖9(b)所示，或可形成具有小摩擦阻力的聚烯烴族樹(shù)脂88、并使樹(shù)脂表面本身與顯影輥62的端部接觸、如圖9(c)所示。
下面，示出顯影輥62邊緣周?chē)械娘@影劑G的層形成狀態(tài)。
根據(jù)該實(shí)施例的模式，顯影劑G在顯影輥62的粗表面工作部件91上傳送、并且如果顯影劑層厚度試圖在粗表面工作部件91的端部增加，則不能被調(diào)整塊80立即調(diào)整，于是顯影劑層厚度的增加部分在粗表面工作部件91與調(diào)整塊80之間的空間內(nèi)整平。
特別的，如果非粗表面工作部件92的表面粗糙度被制作得足夠小，則非粗表面工作部件92成為低摩擦部件，與在粗表面工作部件91相比、在非粗表面工作部件92上使得顯影劑G的傳送力變得很小，顯影劑G的保持力被最小化。于是，位于粗表面工作部件91與調(diào)整塊80之間的非粗表面工作部件92上的顯影劑層厚度，變得比粗表面工作部件91上的顯影劑層厚度小，在顯影輥62端部增加顯影劑層厚度的有害作用和調(diào)色劑的不適當(dāng)?shù)膰娚浜茈y發(fā)生。
在如圖10(b)所示的對(duì)比模式中，例如，調(diào)整塊80′設(shè)置到顯影輥62的粗表面工作部件91的附近；在該模式中，與該實(shí)施例的模式不同，非粗表面工作部件92的空間不設(shè)置在粗表面工作部件91與調(diào)整塊80之間，于是如果顯影劑層厚度試圖在粗表面工作部件91端部增加，則不存在吸收該厚度的空間，該層厚度立即被調(diào)整塊80′堵塞，在顯影輥62端部增加顯影劑層厚度的有害作用和調(diào)色劑的不適當(dāng)?shù)膰娚湟子诎l(fā)生。
在該實(shí)施例中，調(diào)整塊80的薄層區(qū)調(diào)整位置J設(shè)置在磁輥202的顯影磁極寬度方向上的端部的內(nèi)側(cè)，如圖10(a)所示，于是，在磁輥202端部的顯影劑G的橫向位移現(xiàn)象不產(chǎn)生，如圖11(a)和(b)所示。
即，如圖11(a)所示，從測(cè)試磁輥202的磁力分布可知，磁力從磁輥202端部位置向外側(cè)逐漸減小。
于是，假設(shè)薄層區(qū)調(diào)整區(qū)伸展到磁輥202端部附近，如圖11(b)所示，當(dāng)顯影劑層的厚度在磁輥202端部增加、并且顯影劑G的耳狀物在磁輥202端部沿橫向下落時(shí)，顯影劑G的翻轉(zhuǎn)、分散和隨顯影輥62轉(zhuǎn)動(dòng)的橫向位移等現(xiàn)象會(huì)出現(xiàn)。
但是，在該實(shí)施例中，由調(diào)整塊80調(diào)整的薄層區(qū)調(diào)整位置J設(shè)置在磁輥202寬度方向端的內(nèi)側(cè)(至少在顯影磁極)，所以在磁輥202端部(至少在顯影磁極)的顯影劑G的增厚和橫向位移現(xiàn)象如上所述地不會(huì)在被調(diào)整塊80調(diào)整的薄層區(qū)調(diào)整位置J附近發(fā)生。
于是，由于在磁輥202端部的磁力所導(dǎo)致的顯影劑G的增厚和橫向位移可有效地避免，所以顯影劑G只在調(diào)整塊80附近局部地增厚。
在該實(shí)施例中，非粗表面工作部件92設(shè)置在顯影輥62的端部，但本發(fā)明不是必需限定于此。例如，顯影輥62可設(shè)置高度差部分93，與薄層區(qū)調(diào)整區(qū)的大致的中心相比、高度差部分93在調(diào)整塊80附近具有小外徑，高度差部分93的高度差位置，可設(shè)置在薄層區(qū)調(diào)整位置J的內(nèi)側(cè)和最大使用尺寸的紙沿寬度方向上端部的內(nèi)側(cè)，如圖12(a)所示，或者顯影輥62可設(shè)置錐形部分94，與薄層區(qū)調(diào)整區(qū)的大致的中心相比、錐形部分94在調(diào)整塊80附近具有逐漸減小的外徑，錐形部分94的開(kāi)始位置可設(shè)置在薄層區(qū)調(diào)整位置J的內(nèi)側(cè)和最大使用尺寸的紙沿寬度方向上端部的內(nèi)側(cè)，如圖12(b)所示。
根據(jù)該模式(圖12(a)或12(b))，如果顯影層厚度試圖在粗表面工作部件91處增加，則增加部分可被吸收到高度差部分93和錐形部分94的削去的空間中，可有效地抑制在顯影劑G在顯影輥62端部的增加現(xiàn)象。
下面，具體地說(shuō)明充電器的實(shí)施例。
如圖13所示，在該實(shí)施例中，充電器22包括充電輥100，用于給光導(dǎo)鼓21充電；刷輥110，它作為再生件位于充電輥100的上游；一對(duì)軸承件130可轉(zhuǎn)動(dòng)地支承充電輥100和刷輥110。
具體地，在該實(shí)施例中，充電輥100包括非磁性軸101；海綿狀導(dǎo)電彈性體102，它位于非磁性軸101的外圓周上；和圓筒形表面層薄膜103，用于覆蓋導(dǎo)電彈性體102，如圖14(a)所示。
對(duì)于非磁性軸101，采用具有1.05或更小導(dǎo)磁率(達(dá)到磁材料不粘附的程度)的非磁性材料、例如SUS303(導(dǎo)磁率1.05)或更優(yōu)選的SUS303Cu(導(dǎo)磁率1.02)。
對(duì)于海綿狀導(dǎo)電彈性體102，從低硬度和提供穩(wěn)定輥隙區(qū)的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用例如導(dǎo)電尿烷泡沫體。
對(duì)于圓筒形表面層薄膜103，從借助靜電吸引力提供均勻的輥隙的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用例如導(dǎo)電氟樹(shù)脂。
在該實(shí)施例中，從作為充電件的功能和有效避免電荷流泄漏引起的充電失效的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，充電輥的電阻值應(yīng)設(shè)定為106Ω/□-108.5Ω/□。
從提供輥隙均勻性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，硬度條件優(yōu)選為90度或更小的Asker F硬度。
對(duì)于非磁性軸101的強(qiáng)度條件，從避免中心部分的彎曲變形和提供整個(gè)區(qū)域的充電特性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，優(yōu)選的拉伸強(qiáng)度是600N/mm2或更大。
另外，充電偏壓電源104連接到非磁性輥101，以給非磁性輥101提供極性不同的充電偏壓VC(+)或VC(-)。
在該實(shí)施例中，當(dāng)偏壓施加系統(tǒng)連接到充電輥100時(shí)，如圖14(b)所示、在成像模式中施加充電偏壓VC(-)，如圖14(c)所示、在清潔模式中施加充電偏壓VC(+)。
在該實(shí)施例中，刷輥110包括磁軸111；和作為刷形件的位于磁軸111圓周上的刷毛112。
刷輥110不設(shè)置任何驅(qū)動(dòng)裝置、并借助作用在刷毛112與光導(dǎo)鼓21之間的摩擦力隨同光導(dǎo)鼓21的轉(zhuǎn)動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)。
對(duì)于磁軸111，從易于工作和低成本角度來(lái)說(shuō)、應(yīng)使用例如SUM，而從避免滑動(dòng)噪音和防銹的角度來(lái)說(shuō)、磁軸111應(yīng)涂覆具有Ni的SUM表面。
另一方面，通過(guò)將聚丙烯樹(shù)脂的纖維件粘結(jié)到磁軸111上而制成刷毛112。PP、嫘縈、尼龍、聚酯、PTFE、PET等可用作刷毛112的材料。
優(yōu)選地，刷毛112具有104-105Ωcm的電阻值，以提供清潔性能與環(huán)境依賴(lài)性之間的兼容性。
將去除偏壓電源113連接到刷輥110，以將極性不同的去除偏壓VR(+)或VR(-)施加到磁軸111。
在該實(shí)施例中，當(dāng)偏壓施加系統(tǒng)連接到刷輥110時(shí)，如圖14(b)所示，在成像模式中，施加去除偏壓VR(-)，以從光導(dǎo)鼓21表面暫時(shí)收集極性反轉(zhuǎn)的調(diào)色劑、并保持該調(diào)色劑直到下述的清潔模式開(kāi)始。在清潔模式中，施加去除偏壓VR(+)。
下面，評(píng)價(jià)基于該實(shí)施例的充電器的性能。
在該實(shí)施例的模式中，充電器22比較靠近顯影裝置24，所以被置于磁輥202磁力的磁場(chǎng)作用之下。
在這個(gè)狀態(tài)中，例如，由于充電輥100包括非磁性軸101，所以既使充電輥100位于來(lái)自顯影裝置24的磁場(chǎng)作用之下、充電輥100也不會(huì)被磁化。
因此，既使顯影劑的載體G等通過(guò)光導(dǎo)鼓21或直接到達(dá)充電輥100，顯影劑的載體G等也難以沉積在充電輥100上，所以類(lèi)似由沉積的載體等引起的圖像質(zhì)量缺陷可有效地避免。
具體地，在該實(shí)施例中，由于作為再生件的刷輥110包括磁軸111，所以如果刷輥110定位在來(lái)自顯影裝置24的磁場(chǎng)作用下、則磁軸111被磁化。
因此，在該實(shí)施例中，在顯影劑的載體G等通過(guò)光導(dǎo)鼓21或直接到達(dá)充電輥100的狀態(tài)中，載體等易于沉積在刷輥110上，諸如載體的磁性外部物質(zhì)被刷輥110可靠地去除，載體等被沉積到充電輥100上的擔(dān)憂(yōu)能更可靠地避免。
在該實(shí)施例中被告知的這些性能將在下文中說(shuō)明。
作為顯影裝置24的顯影條件，顯影偏壓的DC組份設(shè)定為180-270V，AC組份的Vp-p設(shè)定為1.0-2.0kV，它們的頻率設(shè)定為1.5-10kHz。雖然認(rèn)為與DC組份類(lèi)型相比載體噴射很大，但類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷幾乎看不到。
在下面的模式中、類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷也幾乎看不到，在該模式中，顯影裝置24的顯影輥62的轉(zhuǎn)數(shù)順序地增加、或磁輥202的一個(gè)顯影磁極設(shè)定到100mT，而其相鄰磁極設(shè)定到50mT，以提高載體噴射條件。
在圖2和3所示的實(shí)施例中，位于由上而下順序定位的顯影裝置24之間中間位置的充電器22，大體定位在上顯影裝置24的顯影部分的下面、或受到來(lái)自由上而下順序定位的顯影裝置24的磁場(chǎng)作用的影響；與任何其它彩色的成像單元相比、這個(gè)成像單元在充電器22中類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷不產(chǎn)生，對(duì)于任何彩色組份、類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷幾乎看不到。
另一方面，在該成像模式中，相反極性的調(diào)色劑暫時(shí)保持在充電輥100上、而相反極性的調(diào)色劑和載體暫時(shí)保持在刷輥110上；清潔模式周期性的進(jìn)行，以將保持在充電輥100和刷輥110上的相反極性的調(diào)色劑和載體收集到清潔裝置54中。
即，在該實(shí)施例中，為了收集由刷輥110攜帶的相反極性的調(diào)色劑和載體，以下清潔模式在一個(gè)諸如打印操作之前、打印操作之后、以及在連續(xù)打印時(shí)間的每一預(yù)定的頁(yè)數(shù)的預(yù)定時(shí)刻執(zhí)行在清潔模式中，首先，帶電位梯度的電壓依次施加給充電器22、用于每個(gè)充電器22的刷輥110、每個(gè)光導(dǎo)鼓21、初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32、輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33和最終轉(zhuǎn)印輥34，以使最終轉(zhuǎn)印輥34變?yōu)樽罡叩呢?fù)電位，于是在打印操作期間，收集到充電輥100的相反極性的調(diào)色劑T、和收集并保持在刷輥110的相反極性的調(diào)色劑T的載體C，依次轉(zhuǎn)移到最終轉(zhuǎn)印輥34，并由與最終轉(zhuǎn)印輥34接觸的清潔裝置54收集。
因此，當(dāng)這個(gè)清潔操作開(kāi)始時(shí)，暫時(shí)保持在刷輥110上的相反極性的調(diào)色劑T和載體C噴射到光導(dǎo)鼓21上，刷輥110恢復(fù)到清潔狀態(tài)。
當(dāng)清潔相反極性的調(diào)色劑T終止時(shí)，將與調(diào)色劑成像時(shí)相同的電位給予充電輥100、光導(dǎo)鼓21、初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32、輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33和最終轉(zhuǎn)印輥34；另一方面，將與成像時(shí)相反極性的電位給予到初級(jí)中間刷輥51和52、輔助中間刷輥53，以清潔沉積在初級(jí)中間刷輥51和52、輔助中間刷輥53上的充負(fù)電的調(diào)色劑。
即，將與成像時(shí)相反極性的電位給予到初級(jí)中間刷輥51和52、輔助中間刷輥53，于是，保持在刷輥51、52、53上的調(diào)色劑，噴射到初級(jí)中間轉(zhuǎn)印鼓31和32、輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33上，并經(jīng)作為標(biāo)準(zhǔn)調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印器的輔助中間轉(zhuǎn)印鼓33，到達(dá)最終轉(zhuǎn)印鼓34、并被清潔裝置54收集。
這種清潔操作周期性地執(zhí)行，于是，在每個(gè)刷輥上攜帶的任何極性的調(diào)色劑，由清潔裝置54收集以清潔該刷輥。
(第二實(shí)施例)本發(fā)明的第二實(shí)施例是為第一實(shí)施例附加隔離板120而提供的實(shí)施例。在第二實(shí)施例中與第一實(shí)施例相同的部件使用相同的標(biāo)號(hào)、且不再加以說(shuō)明。
如圖23所示，根據(jù)第二實(shí)施例的充電器22包括充電輥100，用于對(duì)光導(dǎo)鼓21充電；刷輥110，作為再生件位于充電輥100的上游；以及隔離板120，用于分隔充電輥100與刷輥110；于是光導(dǎo)鼓21上的外部物質(zhì)(剩余調(diào)色劑、載體等)被刷輥110去除、從而避免光導(dǎo)鼓21上的外部物質(zhì)轉(zhuǎn)移到充電輥100側(cè)，另外，在設(shè)有隔離板120的情況下，可避免載體團(tuán)塊的集合體從刷輥110偶然泄漏到充電輥100側(cè)。
下面詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例的充電器。
如圖24所示，在該實(shí)施例中，充電器22是一個(gè)單元件，它包括充電輥100，用于對(duì)光導(dǎo)鼓21充電；刷輥110，作為再生件位于充電輥100的上游；以及隔離板120(分隔板)，用于分隔充電輥100與刷輥110。
如圖13和25(a)所示，作為充電器22的安裝結(jié)構(gòu)，充電輥100和刷輥110支承在一對(duì)可轉(zhuǎn)動(dòng)的軸承件(對(duì)應(yīng)于支承框架)130上，在隔離板120兩端集成有一對(duì)定位臂121的隔離框架122，隔離框架122的定位臂121定位和保持在軸承件130中、以使隔離框架122的隔離板120處于充電輥100與刷輥110之間。
在該實(shí)施例中，隔離板120與隔離框架122構(gòu)為一體，當(dāng)然也可安裝到分立的隔離框架123上，如圖25(b)所示。
在該實(shí)施例中，對(duì)于隔離板120的材料，可使用例如諸如不銹鋼、鋁、磷青銅、黃銅、鋅鋼板的金屬板或諸如聚碳酸酯、聚縮醛、聚丙烯、聚苯乙烯的樹(shù)脂。
如圖27(a)所示，對(duì)于隔離板120的輪廓和形狀，將平直的隔離板120安放在大體上垂直于充電輥100與刷輥110的轉(zhuǎn)動(dòng)中心的連線(xiàn)的模式是可行的。
隔離板120的輪廓等可作適當(dāng)?shù)剡x擇；例如，隔離板120能以預(yù)定角θ傾斜，使隔離板120的上端側(cè)靠近充電輥100、而其下端側(cè)靠近刷輥110，如圖27(b)所示，或者隔離板120形成為局部有彎曲部分125的形狀、其下端側(cè)面向刷輥110，如圖27(c)所示。
對(duì)于隔離板120，可設(shè)置覆蓋部件126以覆蓋刷輥110，如圖28(a)所示；彈性密封膜127可設(shè)置在隔離板120的下端部、并能與光導(dǎo)鼓21彈性接觸，如圖28(b)所示；或除了覆蓋刷輥110的覆蓋件126外，隔離板120可設(shè)置與充電輥100彈性接觸的彈性密封膜128，如圖28(c)所示。
隔離板120的厚度設(shè)定為0.1-3.0mm。
如果隔離板120太薄，則由于隔離板120與刷輥110接觸而不能被優(yōu)選。如果隔離板120太厚，則由于隔離板120與上顯影裝置相干擾，或在裝配充電輥100和刷輥110時(shí)需要過(guò)于用力而不能被優(yōu)選。
另外，隔離板120與光導(dǎo)鼓21之間的間隙d可適當(dāng)?shù)剡x擇(見(jiàn)圖30)；這樣設(shè)置間隙d，至少可使隔離板120的下端部處在充電輥100與刷輥110的轉(zhuǎn)動(dòng)中心連線(xiàn)的下面，使得來(lái)自刷輥110的載體團(tuán)塊等聚集物可由隔離板120擋住。
在由磁性材料構(gòu)成隔離板120的情況中，可以使用例如SPCC、SGCC、SUS430、鍍鋅鋼板等。
另外，在該實(shí)施例中，將吸引偏壓Vs(+)、Vs(-)施加到隔離板120。
吸引偏壓的施加方法可適當(dāng)?shù)剡x擇；例如，通過(guò)穩(wěn)壓二極管的電壓分配器129施加來(lái)自電源104的充電偏壓。
對(duì)于吸引偏壓，施加與刷輥110具有相同極性的(例如，在成像模式中的負(fù)號(hào)(負(fù)極))的0到-1000V的電壓。
可設(shè)置成刷輥110(-400到-500V)與充電輥100(-900到-1000V)之間的中間偏壓(-500到-900V)，電場(chǎng)可形成在刷輥110與隔離板120之間。
在這種情況下，雖然載體具有正號(hào)(正)極性、且首先沉積到刷輥110上，但表面載體可被刷輥110與隔離板120之間的電場(chǎng)吸引到隔離板120側(cè)。
下面評(píng)價(jià)該實(shí)施例充電器的性能。
如圖29(a)所示，在不提供隔離板120的情況下，令人擔(dān)心的是從刷輥110泄漏的載體團(tuán)塊的聚集物D可直接碰撞充電輥100并沉積在其上。
在這種狀態(tài)下，如果聚集物D進(jìn)入充電輥100與光導(dǎo)鼓21之間的輥隙，則在與聚集物D對(duì)應(yīng)的位置會(huì)發(fā)生充電失效、從而產(chǎn)生類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像缺陷。
多個(gè)40-50μm的載體顆粒C聚集的結(jié)果是聚集物D會(huì)增大到約數(shù)百μm，如圖32所示。
相反地，在該實(shí)施例的模式中，如圖29(b)所示，從刷輥110泄漏的載體團(tuán)塊的聚集物D與隔離板120碰撞，然后粉碎成小顆粒，小顆粒通過(guò)光導(dǎo)鼓21的表面移動(dòng)到充電輥100。
此時(shí)，被粉碎成小顆粒的聚集物D(未示出)進(jìn)入充電輥100與光導(dǎo)鼓21之間的輥隙區(qū)，但該顆粒極小、所以在與小顆粒對(duì)應(yīng)的部分不會(huì)出現(xiàn)充電失效。
于是，類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷幾乎不產(chǎn)生。
如圖29(c)所示，在該實(shí)施例的改型模式中，從刷輥110泄漏的聚集物D與隔離板120碰撞，并附著在隔離板120的彎曲部分125，沉積在刷輥110表面上的聚集物D被覆蓋部分126阻擋并易于下落，于是聚集物D可更有效地粉碎成小顆粒。
在清潔模式中，如圖26(c)所示，沉積在隔離板120上的載體C，依次轉(zhuǎn)移到最終轉(zhuǎn)印輥34側(cè)，并收集到清潔裝置54中。
(第三實(shí)施例)如同第一實(shí)施例的圓筒形表面薄膜103，在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，圓筒形表面薄膜使用具有0.6Gpa或更小的楊氏模量的、諸如熱塑性聚酯彈性體(0.2GPa)材料，其厚度為300μm或更小。除以上所述外，第三實(shí)施例具有與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。
下面，評(píng)價(jià)該實(shí)施例的充電器的性能。
在該實(shí)施例的模式中，表面層薄膜103使用具有0.6Gpa或更小的楊氏模量的熱塑性聚酯彈性體，所以，如果載體被攜帶在表面層薄膜103與光導(dǎo)鼓21之間，則具有低剛性的表面層薄膜103會(huì)變形而包圍該載體，于是只會(huì)產(chǎn)生小的斑點(diǎn)。
所以，如果載體進(jìn)入表面層薄膜103與光導(dǎo)鼓21之間的輥隙區(qū)，則幾乎不用擔(dān)心在大的區(qū)域出現(xiàn)充電失效，且?guī)缀蹩床坏筋?lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷。
另一方面，表面層薄膜103具有低的楊氏模量，所以易于被吸引到光導(dǎo)鼓21側(cè)并沿光導(dǎo)鼓21的曲面移動(dòng)。于是，表面層薄膜103與光導(dǎo)鼓21之間的放電區(qū)變寬，導(dǎo)致充分地消除了充電重影出現(xiàn)的光導(dǎo)鼓21上的潛像記錄。
(第四實(shí)施例)如同第一實(shí)施例的圓筒形表面層薄膜103，在本發(fā)明的第四實(shí)施例中圓筒形表面薄膜使用具有3.0Gpa或更大的楊氏模量的、諸如聚酰亞胺樹(shù)脂的材料，其厚度為20-60μm。除以上所述外，第四實(shí)施例具有與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。
在這個(gè)實(shí)施例中，從充電件的功能和有效避免由于充電流泄漏導(dǎo)致的充電失效的觀(guān)點(diǎn)看，充電輥100的圓筒形表面層薄膜103具有106Ω/□-108.5Ω/□的電阻值(表面電阻值)。
下面，評(píng)價(jià)該實(shí)施例充電器的性能。
在該實(shí)施例的模式中，表面層薄膜103使用具有3.0Gpa或更大的楊氏模量的聚酰亞胺樹(shù)脂，如果載體被攜帶到表面層薄膜103與光導(dǎo)鼓21之間，則本身具有高剛度的表面層薄膜103很緊固、幾乎不接受內(nèi)部海綿狀導(dǎo)電彈性體102的作用，所以被攜帶的載體易于去除。
因此，幾乎不用擔(dān)心載體會(huì)進(jìn)入表面層薄膜103與光導(dǎo)鼓21之間的輥隙及導(dǎo)致充電失效，類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷幾乎不會(huì)產(chǎn)生。
另一方面，表面層薄膜103具有高的楊氏模量，所以難以被載體損壞，不必?fù)?dān)心調(diào)色劑等會(huì)積累在缺陷的部分。
(實(shí)例1)在包括該實(shí)施例模式的實(shí)例1中，薄層區(qū)調(diào)整位置與噴射(與受?chē)娚浼庸び绊懙拇直砻婀ぷ鞑糠?1對(duì)應(yīng))端部分之間的距離、和紙端部與噴射(與受?chē)娚浼庸び绊懙拇直砻婀ぷ鞑糠?1對(duì)應(yīng))端部分之間的距離改變，由BCO(球粒攜帶過(guò)量)/載體散布導(dǎo)致的端部斑點(diǎn)被評(píng)價(jià)為○、△、×(○良好、△基本良好、×不好)。其結(jié)果如圖15(a)所示。
根據(jù)該圖可知，如果薄層區(qū)調(diào)整位置處在噴射端部位置的外側(cè)，則看不到端部斑點(diǎn)。
改變類(lèi)似的參數(shù)，并且在打印和進(jìn)行帶轉(zhuǎn)印時(shí)通過(guò)停止操作來(lái)評(píng)價(jià)光導(dǎo)鼓上端部的模糊程度。其結(jié)果如圖15(b)所示。
根據(jù)該圖可知，如果薄層區(qū)調(diào)整位置處在噴射端部位置的外側(cè)，則光導(dǎo)鼓上端部的模糊幾乎不產(chǎn)生。
改變類(lèi)似的參數(shù)，并且評(píng)價(jià)顯影輥端部周?chē)尿?qū)動(dòng)齒輪的污染程度。其結(jié)果如圖15(c)所示。
根據(jù)該圖可知，如果薄層區(qū)調(diào)整位置處在噴射端部位置的外側(cè)，顯影輥端部周?chē)尿?qū)動(dòng)齒輪的污染幾乎不產(chǎn)生。
(對(duì)比實(shí)例1)在該實(shí)施例模式的充電器中，充電軸(充電輥軸)由SUM制成，再生件軸(作為再生件的刷輥軸)由SUM制成，斑點(diǎn)發(fā)生率(獨(dú)立斑點(diǎn)和連續(xù)斑點(diǎn))根據(jù)斑點(diǎn)尺寸等級(jí)測(cè)定。其結(jié)果如圖16所示。
根據(jù)該圖可知，可觀(guān)察到到達(dá)一定程度的大的背景斑點(diǎn)(BKG斑點(diǎn))和大的圖像部分斑點(diǎn)(IMG斑點(diǎn))。
(實(shí)例2)在該實(shí)施例模式的充電器中，充電軸(充電輥軸)由SUS303Cu制成，再生件軸(作為再生件的刷輥軸)由SUM制成，斑點(diǎn)發(fā)生率(獨(dú)立斑點(diǎn)和連續(xù)斑點(diǎn))根據(jù)斑點(diǎn)尺寸等級(jí)測(cè)定。其結(jié)果如圖17所示。
根據(jù)該圖可知，與對(duì)比實(shí)例1相比，BKG斑點(diǎn)和IMG斑點(diǎn)的發(fā)生率明顯減小。
(實(shí)例3)在該實(shí)施例模式的充電器中，充電軸(充電輥軸)由SUS303Cu制成，再生件軸(作為再生件的刷輥軸)由SUS303Cu制成，斑點(diǎn)發(fā)生率(獨(dú)立斑點(diǎn)和連續(xù)斑點(diǎn))根據(jù)斑點(diǎn)尺寸等級(jí)測(cè)定。其結(jié)果如圖18所示。
根據(jù)該圖可知，與對(duì)比實(shí)例1相比，BKG斑點(diǎn)和IMG斑點(diǎn)的發(fā)生率明顯減小，但是與實(shí)例2相比、發(fā)生率略高。
(實(shí)例4)在圖30(a)所示的實(shí)例4中，改變隔離板120與光導(dǎo)鼓21之間的間隙d，此時(shí)測(cè)定類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷的存在或不存在。其結(jié)果如圖30(b)所示。
根據(jù)圖30(b)，當(dāng)間隙d是0是時(shí)，在開(kāi)始階段看不到斑點(diǎn)出現(xiàn)，但顯影劑隨時(shí)間而積累并沉積到光導(dǎo)鼓21或光導(dǎo)鼓21的表面、使光導(dǎo)鼓21易于損壞，所以不優(yōu)選間隙d是0。
當(dāng)間隙d變成4.0mm時(shí)，則擔(dān)心從刷輥110下落的顯影劑不與隔離板120碰撞，并可看到斑點(diǎn)出現(xiàn)。
因此，從該實(shí)例可知，如果間隙d是0＜d＜4mm，則看不到斑點(diǎn)出現(xiàn)。
(實(shí)例5)斑點(diǎn)產(chǎn)生狀況、光導(dǎo)鼓污染、充電輥污染、輔助轉(zhuǎn)印重影(轉(zhuǎn)印圖像記錄主要受與中間轉(zhuǎn)印鼓相互作用的轉(zhuǎn)印、而在中間轉(zhuǎn)印鼓上產(chǎn)生的薄膜影響，導(dǎo)致中間轉(zhuǎn)印鼓上的有效表面電位與設(shè)定的電位不同)、刪除(在高濕下刪除)、充電幅度((1)充電不均勻性當(dāng)充電電位差在軸向、處理方向上較小時(shí)較好，(2)充電能力根據(jù)第一和第二周期(周期1-周期2)之間的充電電位差進(jìn)行評(píng)價(jià)，如果不存在充電電位差將會(huì)更好。如果預(yù)定電位在第一周期達(dá)到則更好)，在第三實(shí)施例(實(shí)例5)的模式與具有由PVdF制成的表面層薄膜103(對(duì)比實(shí)例1)的控制模式之間進(jìn)行評(píng)價(jià)。于是可知，在斑點(diǎn)產(chǎn)生狀況、輔助轉(zhuǎn)印重影、和充電幅度方面、實(shí)例5優(yōu)于對(duì)比實(shí)例2，如圖31所示。
(實(shí)例6)斑點(diǎn)產(chǎn)生狀況、光導(dǎo)鼓污染、充電輥污染、輔助轉(zhuǎn)印重影(轉(zhuǎn)印圖像記錄主要受與中間轉(zhuǎn)印鼓相互作用的轉(zhuǎn)印、而在中間轉(zhuǎn)印鼓上產(chǎn)生的薄膜影響，導(dǎo)致中間轉(zhuǎn)印鼓上的有效表面電位與設(shè)定的電位不同)、刪除(在高濕下刪除)、充電幅度((1)充電不均勻性當(dāng)充電電位差在軸向、處理方向上較小時(shí)較好，(2)充電能力根據(jù)第一和第二周期(周期1-周期2)之間的充電電位差進(jìn)行評(píng)價(jià)，如果不存在充電電位差將會(huì)更好。如果預(yù)定電位在第一周期達(dá)到則更好)，在第四實(shí)施例(實(shí)例6)的模式與具有由PVdF制成的表面層薄膜103(對(duì)比實(shí)例3)的控制模式之間進(jìn)行評(píng)價(jià)。于是可知，在斑點(diǎn)產(chǎn)生狀況、充電輥污染、輔助轉(zhuǎn)印重影、和充電幅度方面、實(shí)例6優(yōu)于對(duì)比實(shí)例3，如圖32所示。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，為了設(shè)置顯影裝置和充電器，充電器的充電件可在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下設(shè)置、并可由非磁性材料制成，于是，當(dāng)顯影裝置與充電器相互靠近時(shí)、可有效地避免在來(lái)自顯影裝置的磁場(chǎng)的作用下的充電件的磁化。
因此，當(dāng)對(duì)成像設(shè)備進(jìn)行小型化時(shí)，可有效地避免在充電件上的磁性件的載體等的沉積，伴隨在充電件上沉積載體等所引起的類(lèi)似斑點(diǎn)的缺陷也可有效地避免。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)模式，為了設(shè)置在充電件上游具有去除件的充電器、以便去除光接受器和顯影裝置上的沉積物，充電器的充電件可在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下設(shè)置、并可由非磁性材料制成，另一方面，充電器的去除件可在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下設(shè)置、并可由磁性材料制成，于是，當(dāng)顯影裝置與充電器相互靠近時(shí)、可有效地避免在來(lái)自顯影裝置的磁場(chǎng)的作用下的充電件的磁化，相反地，去除件可被有效地磁化。
因此，當(dāng)對(duì)成像設(shè)備進(jìn)行小型化時(shí)，在去除件上的磁性件的載體等的沉積可增強(qiáng)、可有效地避免在充電件上的磁性件的載體等的沉積、可有效地避免伴隨在充電件上沉積載體等所引起的類(lèi)似斑點(diǎn)的缺陷。
另外，根據(jù)本發(fā)明，制成了具有靠近顯影裝置的充電器、并可有效避免伴隨載體在充電件上沉積所導(dǎo)致的類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷的成像設(shè)備，于是可方便的制成小尺寸的能有效抑制類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷的成像設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，去除件位于充電件的上游，充電件和去除件由隔離件隔開(kāi)，從去除件剝離的載體團(tuán)塊聚集物等去除物與隔離件碰撞，于是當(dāng)與隔離件碰撞時(shí)、從去除件剝離的載體團(tuán)塊聚集物等去除物被粉碎成小顆粒，有效地避免從去除件剝離的載體團(tuán)塊聚集物直接與充電件碰撞，并沉積到充電件上的可能。
所以，有效地避免從去除件剝離的載體團(tuán)塊聚集物進(jìn)入充電件與光接受器之間輥隙區(qū)的可能，因此，在存在去除物的情況下，可消除充電失效的產(chǎn)生、可有效避免類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的充電器，簡(jiǎn)單的隔離件設(shè)置在充電件與去除件之間，于是可良好地抑制類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷的小尺寸的成像設(shè)備，可用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)方便的制成。
根據(jù)本發(fā)明，充電器的充電件至少在最外圓周表面涂覆聚合材料構(gòu)成的圓筒形表面層薄膜，該表面層薄膜的材料具有0.6Gpa或更小的楊氏模量，使得充電件的表面層薄膜材料最佳化、并有效地避免產(chǎn)生類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷和充電重影。
因此，如果該充電器安裝到成像設(shè)備內(nèi)，則可方便地制成不受充電重影影響、能有效抑制類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷的成像設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，充電器的充電件至少在最外圓周表面涂覆聚合材料構(gòu)成的圓筒形表面層薄膜，該表面層薄膜的材料具有3.0Gpa或更大的楊氏模量，使得充電件的表面層薄膜材料最佳化、并有效地避免產(chǎn)生類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷和充電重影。
因此，如果該充電器安裝到成像設(shè)備內(nèi)，則可方便地制成能有效抑制類(lèi)似斑點(diǎn)的圖像質(zhì)量缺陷、并延長(zhǎng)充電器壽命的成像設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的顯影裝置，在雙組份顯影裝置中的顯影支承件的端部結(jié)構(gòu)(薄層區(qū)調(diào)整位置與粗表面工作部件之間的關(guān)系、和薄層區(qū)調(diào)整位置與磁場(chǎng)產(chǎn)生件之間的關(guān)系)得以改進(jìn)，所以，雖然設(shè)備本身小型化，但有效地抑制顯影支承件端部上顯影劑層厚度的增加被，因此，有效地避免伴隨顯影劑支承件端部上顯影劑層厚度增加的圖像質(zhì)量缺陷。
使用這種顯影裝置的成像設(shè)備在滿(mǎn)足小型化的條件下，可方便地形成能抑制圖像質(zhì)量缺陷的圖像。
權(quán)利要求
1.一種成像設(shè)備，包括一光接受器；一充電器，它具有給光接受器充電的充電件；一潛像寫(xiě)入單元，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器充電的光接受器上；和一顯影裝置，它具有包括磁場(chǎng)產(chǎn)生件的顯影劑支承件，該顯影裝置利用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其中，將充電器的充電件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下；充電件由非磁性材料制成。
2.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中充電件由具有1.05或更小導(dǎo)磁率的非磁性材料制成。
3.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中充電件由包括添加銅的SUS303的非磁性材料制成。
4.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中充電件包括位于其非磁性軸上的海綿狀導(dǎo)電彈性體。
5.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中導(dǎo)電彈性體的外圓周上涂覆圓筒形薄膜。
6.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中充電件包括具有600N/mm2或更大拉伸強(qiáng)度的非磁性軸。
7.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中顯影裝置的顯影劑支承件以這樣的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)動(dòng)，該轉(zhuǎn)數(shù)使顯影劑部分的分散能抵抗由磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁力。
8.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件具有設(shè)定到100mT或更大的顯影磁極；以及設(shè)定為50mT或更大的相鄰磁極設(shè)置在該顯影磁極附近。
9.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中充電器還包括與充電件上游的光接受器接觸的去除件，該去除件用于除去光接受器上的沉積物；該去除件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下；該去除件由磁性材料制成。
10.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中去除件在其磁軸上設(shè)有刷形件。
11.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中去除件包括由SUM制成的磁軸。
12.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中去除件包括由具有鍍鎳表面的SUM制成的磁軸。
13.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中去除件設(shè)有將纖維件粘接到磁軸上而制成的刷形件。
14.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中將預(yù)定的去除偏壓施加到去除件。
15.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中用以保持相反極性調(diào)色劑的偏壓，和用以將保持的相反極性調(diào)色劑傳輸?shù)焦饨邮掌鞯娜コ珘?，施加到去除件?br> 16.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中多個(gè)光接受器、多個(gè)充電器、和多個(gè)顯影裝置沿垂直方向設(shè)置；任何一個(gè)充電器定位在上下連續(xù)設(shè)置的顯影裝置之間的中間位置；和充電器的充電件大約定位在上顯影裝置的顯影部分的下面。
17.如權(quán)利要求1的成像設(shè)備，其中多個(gè)光接受器、多個(gè)充電器、和多個(gè)顯影裝置沿垂直方向設(shè)置；任何一個(gè)充電器定位在上下連續(xù)設(shè)置的顯影裝置之間的中間位置；和充電器的充電件設(shè)置在上下連續(xù)設(shè)置的每個(gè)顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下。
18.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中多個(gè)光接受器、多個(gè)充電器、和多個(gè)顯影裝置沿垂直方向設(shè)置；任何一個(gè)充電器定位在上下連續(xù)設(shè)置的顯影裝置之間的中間位置；和充電器的去除件大約定位在上顯影裝置的顯影部分的下面。
19.如權(quán)利要求9的成像設(shè)備，其中多個(gè)光接受器、多個(gè)充電器、和多個(gè)顯影裝置沿垂直方向設(shè)置；任何一個(gè)充電器定位在上下連續(xù)設(shè)置的顯影裝置之間的中間位置；和充電器的去除件設(shè)置在上下連續(xù)設(shè)置的每個(gè)顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下。
20.一種成像設(shè)備，包括一光接受器；一充電器，它具有給光接受器充電的充電件，與充電件上游的光接受器接觸的去除件、該去除件用于除去光接受器上的沉積物，和用于將充電件與去除件隔離、并使從去除件剝離的物質(zhì)與其碰撞的隔離件；一潛像寫(xiě)入單元，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器充電的光接受器上；和一顯影裝置，它具有包括磁場(chǎng)產(chǎn)生件的顯影劑支承件，該顯影裝置利用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的。
21.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中隔離件不與光接受器接觸。
22.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中隔離件伸展到充電件與去除件的轉(zhuǎn)動(dòng)中心連線(xiàn)的下面。
23.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中隔離件不與去除件接觸。
24.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中將具有與施加到充電件的充電偏壓相同的吸引偏壓施加到隔離件。
25.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中隔離件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下；和隔離件由磁性材料制成。
26.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中充電件、去除件、和隔離件定位并支承在公共支承框架上，并通過(guò)該支承框架以一個(gè)整體安裝到成像設(shè)備的主體上。
27.如權(quán)利要求20的成像設(shè)備，其中多個(gè)光接受器、多個(gè)充電器、和多個(gè)顯影裝置沿垂直方向設(shè)置；任何一個(gè)充電器定位在上下連續(xù)設(shè)置的顯影裝置之間的中間位置；和充電器的充電件大約定位在上顯影裝置的顯影部分的下面。
28.一種成像設(shè)備，包括一光接受器；一充電器，它具有給光接受器充電的充電件；一潛像寫(xiě)入單元，用于將靜電潛像寫(xiě)入到被充電器充電的光接受器上；和一顯影裝置，它具有包括磁場(chǎng)產(chǎn)生件的顯影劑支承件，該顯影裝置利用顯影劑將潛像寫(xiě)入單元寫(xiě)入的靜電潛像轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)的；其中，充電器的充電件至少在最外圓周表面涂覆由聚合材料構(gòu)成的圓筒表面層薄膜；和該表面層薄膜材料具有0.6或更小的楊氏模量。
29.如權(quán)利要求28的成像設(shè)備，其中該表面層薄膜材料是熱塑性聚酯彈性體。
30.如權(quán)利要求28的成像設(shè)備，其中充電件包括位于其支承軸上的海綿狀導(dǎo)電彈性體；和導(dǎo)電彈性體的外圓周上涂覆圓筒形表面層薄膜。
31.如權(quán)利要求30的成像設(shè)備，其中充電件的海綿狀導(dǎo)電彈性體是導(dǎo)電尿烷泡沫。
32.如權(quán)利要求28的成像設(shè)備，其中充電件的表面層薄膜具有106Ω/□-108.5Ω/□的電阻值。
33.如權(quán)利要求28的成像設(shè)備，其中充電件具有90度或更小的Asker F硬度。
全文摘要
充電器的充電件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下、并由非磁性材料制成。充電器包括充電件和在其上游與光接受器接觸的、用于除去光接受器上的沉積物的去除件，該充電件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下、并由非磁性材料制成。另外，去除件設(shè)置在顯影裝置的磁場(chǎng)產(chǎn)生件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下、并由磁性材料制成。
文檔編號(hào)G03G15/02GK1397845SQ0210335
公開(kāi)日2003年2月19日 申請(qǐng)日期2002年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月12日
發(fā)明者山井和也, 大野茂雄, 西村重樹(shù), 堤保幸, 山本隆一, 北河裕介, 井出典孝, 歸山忠士, 佐藤昌宏, 增渕富志雄, 小泉弘光 申請(qǐng)人:富士施樂(lè)株式會(huì)社