一種led顯示器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED顯示器件及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述制作方法包括：利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片，所述光刻版的圖形與多個所述LED芯片的位置一致，所述LED芯片的顏色為紅色、綠色或者藍(lán)色；將形成的多個所述LED芯片粘附在同一藍(lán)膜上；對所述藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，使各個所述LED芯片分別與所述電路基板的對應(yīng)位置相對；利用粘合劑將各個所述LED芯片分別固定在所述電路基板的對應(yīng)位置上；剝離所述藍(lán)膜；在所述LED芯片的電極和所述電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋。本發(fā)明實現(xiàn)了LED顯示器件的制作。
【專利說明】
一種LED顯示器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LED顯示器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active Matrix/Organic LightEmitting D1de，簡稱AMOLED)等是目前普遍的小尺寸顯示器。目前普遍的小尺寸顯示器都存在亮度有限、無法使人在強(qiáng)光下看到其顯示的圖像的問題。
[0003]隨著發(fā)光二極管(Lighting Emitting D1de，簡稱LED)在顯示及照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，可以采用微米級LED(Micrc) LED)芯片組成的顯示器件代替目前普遍的小尺寸顯示器。由于LED芯片組成的顯示器件具有亮度高的特點，因此可以使人在強(qiáng)光下清晰地看到其顯示的圖像。但目前并沒有制作LED顯示器件的具體技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種LED顯示器件及其制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0005]—方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管LED顯示器件的制作方法，所述制作方法包括:
[0006]利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片，所述光刻版的圖形與多個所述LED芯片的位置一致，所述LED芯片的顏色為紅色、綠色或者藍(lán)色；
[0007]將形成的多個所述LED芯片粘附在同一藍(lán)膜上；
[0008]對所述藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，使各個所述LED芯片分別與所述電路基板的對應(yīng)位置相對；
[0009]利用粘合劑將各個所述LED芯片分別固定在所述電路基板的對應(yīng)位置上；
[0010]剝離所述藍(lán)膜；
[0011]在所述LED芯片的電極和所述電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋。
[0012]可選地，所述利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片，包括:
[0013]在襯底上依次形成N型層、發(fā)光層、P型層；
[0014]在所述P型層上開設(shè)多個延伸至所述N型層的凹槽；
[0015]在所述N型層的中心設(shè)置N型電極，在所述P型層的邊緣設(shè)置P型電極；
[0016]在所述N型層上開設(shè)延伸至所述襯底的隔離槽；
[0017]沿所述隔離槽進(jìn)行切割，得到多個所述LED芯片。
[0018]可選地，所述制作方法還包括:
[0019]在所述P型層延伸至所述N型層的側(cè)壁、以及所述P型層延伸至所述襯底的側(cè)壁形成絕緣層。
[0020]優(yōu)選地，所述在所述LED芯片的電極和所述電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋，包括:[0021 ]在所述LED芯片上覆蓋一層光刻膠；
[0022]在光刻版的遮擋下，對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除從所述N型電極延伸到所述襯底的光刻膠、以及從所述P型電極延伸到所述襯底的光刻膠；
[0023]采用物理氣相沉積PVD技術(shù)、濺射金屬技術(shù)、化學(xué)鍍金屬技術(shù)或者電鍍金屬技術(shù)在所述LED芯片上形成一層金屬層；
[0024]剝離所述光刻膠，形成從所述N型電極延伸到所述電路基板的連接橋、以及從所述P型電極延伸到所述電路基板的連接橋。
[0025]可選地，所述對所述藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，包括:
[0026]分別沿第一方向和第二方向?qū)λ鏊{(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，所述第一方向和所述第二方向垂直，沿所述第一方向擴(kuò)膜的比例和沿所述第二方向擴(kuò)膜的比例相同或不同。
[0027]可選地，所述制作方法還包括:
[0028]在所述LED芯片上涂覆無影膠UV;
[0029]采用透明基板壓在所述無影膠上；
[0030]透過所述透明基板對所述無影膠進(jìn)行曝光，固化所述無影膠；
[0031]移除所述透明基板，從所述電路基板上清除涂覆有所述無影膠的所述LED芯片。
[0032]另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管LED顯示器件，所述LED顯示器件包括電路基板、以及設(shè)置在所述電路基板上的多個LED芯片，所述多個LED芯片的顏色包括紅色、綠色和藍(lán)色中的至少一種，所述LED芯片和所述電路基板上鋪設(shè)的線路之間通過連接橋連通，所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層，所述P型層上開設(shè)有延伸至所述N型層的凹槽，所述N型層的中心設(shè)置有N型電極，所述P型層的邊緣設(shè)置有P型電極。
[0033]可選地，所述P型層延伸至所述N型層的側(cè)壁、以及所述P型層延伸至所述襯底的側(cè)壁上設(shè)置有絕緣層。
[0034]可選地，所述絕緣層為反光層或透光層。
[0035]可選地，所述LED芯片的尺寸為20?80μπι。
[0036]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0037]通過利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片并粘附在同一藍(lán)膜上，對藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜使各個LED芯片分別與電路基板的對應(yīng)位置相對并利用粘合劑固定，剝離藍(lán)膜并在LED芯片的電極和電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋，實現(xiàn)將LED芯片接入電路基板中，利用電路基板控制LED芯片的發(fā)光，實現(xiàn)LED顯示器件的制作。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種LED顯示器件的制作方法的流程圖；
[0040]圖2a和圖2b是本發(fā)明實施例一提供的紅色、綠色和藍(lán)色三色顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ]圖3a和3b是本發(fā)明實施例一提供的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4a_圖4c是本發(fā)明實施例一提供的藍(lán)色LED芯片、綠色LED芯片、紅色LED芯片固定在電路基板上的不意圖；
[0043]圖5是本發(fā)明實施例一提供的形成連接橋之后的顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖6是本發(fā)明實施例一提供的清除LED芯片的示意圖；
[0045]圖7是本發(fā)明實施例一提供的清除的LED芯片的示意圖；
[0046]圖8是本發(fā)明實施例二提供的LED顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0047]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0048]實施例一
[0049]本發(fā)明實施例提供了一種LED顯示器件的制作方法，參見圖1，該制作方法包括:
[0050]步驟101:利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片。
[0051]在本實施例中，光刻版的圖形與多個LED芯片的位置一致，LED芯片的顏色為紅色、綠色或者藍(lán)色。電路基板為鋪設(shè)有電路的平板，通過將LED芯片連接到電路基板上，S卩可利用電路基板控制LED芯片的發(fā)光，進(jìn)而實現(xiàn)顯示器的功能。
[0052]可選地，LED芯片的尺寸可以為20?80μπι，通過小尺寸的LED芯片，可以實現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色三色顯示器件，如圖2a和圖2b所示。其中，10為紅色LED芯片，20為綠色LED芯片，30為藍(lán)色LED芯片，40為電路基板。
[0053]具體地，該步驟101可以包括:
[0054]在襯底上依次形成N型層、發(fā)光層、P型層；
[0055]在P型層上開設(shè)多個延伸至N型層的凹槽；
[0056]在N型層的中心設(shè)置N型電極，在P型層的邊緣設(shè)置P型電極；
[0057]在N型層上開設(shè)延伸至襯底的隔離槽；
[0058]沿隔離槽進(jìn)行切割，得到多個LED芯片。
[0059]圖3a和圖3b為LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，I為P型電極，2為N型電極，3為N型層、發(fā)光層、P型層組成的外延層，31為發(fā)光區(qū)，4為襯底，5為絕緣層(詳見下文步驟106部分)。在具體實現(xiàn)中，發(fā)光區(qū)可以呈圖3b所示的圓形圖案，也可以呈方形圖案，本發(fā)明對此不作限制。
[0060]具體地，在P型層上開設(shè)多個延伸至N型層的凹槽，可以包括:
[0061 ]在P型層上覆蓋一層光刻膠；
[0062]在光刻版的遮擋下，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除部分光刻膠；
[0063]在光刻膠的保護(hù)下，采用電感親合等離子體(Inductive Coupled PlasmaEmiss1n Spectrometer，簡稱ICP)刻蝕技術(shù)在P型層上開設(shè)多個延伸至N型層的凹槽；
[0064]剝離光刻膠。
[0065]可選地，在P型層的邊緣設(shè)置P型電極之前，該步驟101還可以包括:
[0066]在P型層上形成透明導(dǎo)電膜，以利于電流在P型層的擴(kuò)散。
[0067]具體地，在P型層上形成透明導(dǎo)電膜，可以包括:
[0068]在P型層和N型層上形成一層氧化銦錫(Indium tin oxide，簡稱ITO);
[0069]在ITO上覆蓋一層光刻膠；
[0070]在光刻版的遮擋下，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除部分光刻膠；
[0071 ]在光刻膠的保護(hù)下，采用化學(xué)刻蝕的方法刻蝕ΙΤ0;
[0072]剝離光刻膠，形成透明導(dǎo)電膜。
[0073]具體地，在N型層的中心設(shè)置N型電極，在P型層的邊緣設(shè)置P型電極，可以包括:
[0074]在N型層和P型層上覆蓋一層光刻膠；
[0075]在光刻版的遮擋下，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除部分光刻膠；
[0076]采用蒸鍍技術(shù)形成一層金屬層；
[0077]剝離光刻膠，得到P型電極和N型電極。
[0078]具體地，在N型層上開設(shè)延伸至襯底的隔離槽，可以包括:
[0079]在LED芯片上覆蓋一層光刻膠；
[0080]在光刻版的遮擋下，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除部分光刻膠；
[0081]在光刻膠的保護(hù)下，采用ICP刻蝕技術(shù)在N型層上開設(shè)延伸至襯底的隔離槽；
[0082]剝離光刻膠。
[0083]可選地，絕緣層可以采用反光材料或透光材料制成。例如，分布式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Ref lect1n，簡稱DBR)、氧化娃、氮化娃。
[0084]在本實施例的一種實現(xiàn)方式中，該制作方法還包括:
[0085]在沿隔離槽進(jìn)行切割之前，在襯底上形成金屬層。
[0086]其中，金屬層和N型層分別形成在襯底的兩側(cè)。
[0087]需要說明的是，當(dāng)襯底上形成有金屬層時，LED芯片可以采用錫膏粘合在電路基板上。
[0088]步驟102:將形成的多個LED芯片粘附在同一藍(lán)膜上。
[0089]在具體實現(xiàn)中，LED芯片中的P型電極粘附在藍(lán)膜上。
[0090]步驟103:對藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，使各個LED芯片分別與電路基板的對應(yīng)位置相對。
[0091]可選地，該步驟103可以包括:
[0092]分別沿第一方向和第二方向?qū)λ{(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，第一方向和第二方向垂直。
[0093]優(yōu)選地，沿第一方向擴(kuò)膜的比例和沿第二方向擴(kuò)膜的比例可以相同或不同。
[0094]通過兩個方向的擴(kuò)膜，確保各個LED芯片分別與電路基板的對應(yīng)位置相對，擴(kuò)膜的比例可以由相對情況決定。
[0095]步驟104:利用粘合劑將各個LED芯片分別固定在電路基板的對應(yīng)位置上。
[0096]可選地，該步驟104可以包括:
[0097]在電路基板上設(shè)計各個LED芯片的對應(yīng)位置，并在對應(yīng)位置上設(shè)置粘合劑；
[0098]將各個LED芯片放置在電路基板的對應(yīng)位置上；
[0099]對粘合劑進(jìn)行壓合固化，將LED芯片固定在電路基板上。
[0100]可選地，粘合劑可以為固晶膠或錫膏。
[0101]步驟105:剝離藍(lán)膜。
[0102]需要說明的是，當(dāng)電路基板上設(shè)計有多種顏色的LED芯片時，如紅色LED芯片、綠色LED芯片、以及藍(lán)色LED芯片，先多次循環(huán)執(zhí)行步驟101-步驟105，待電路基板上所有放置LED芯片的位置都相應(yīng)固定有LED芯片之后，再執(zhí)行步驟106。如圖4a-圖4c分別是藍(lán)色LED芯片、綠色LED芯片、紅色LED芯片固定在電路基板上的過程。其中，10為紅色LED芯片，20為綠色LED芯片，30為藍(lán)色LED芯片，40為電路基板，50為藍(lán)膜。
[0103]步驟106:在LED芯片的電極和電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋。
[0104]圖5為形成連接橋之后的顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，6為連接橋，10為紅色LED芯片，20為綠色LED芯片，30為藍(lán)色LED芯片，40為電路基板。
[0105]可以理解地，待LED芯片和電路基板之間形成電氣連接，即可通過電路基板控制各個LED芯片的發(fā)光，實現(xiàn)顯示器的功能。
[0106]在本實施例中，在該步驟106之前，該制作方法還可以包括:
[0107]在P型層延伸至N型層的側(cè)壁、以及P型層延伸至襯底的側(cè)壁形成絕緣層。
[0108]通過設(shè)置絕緣層，避免從P型電極延伸到電路基板的連接橋與N型層或發(fā)光層之間導(dǎo)電。
[0109]在具體實現(xiàn)中，上述步驟可以在步驟101中進(jìn)行，也可以在步驟105之后執(zhí)行。
[0110]具體地，該步驟106可以包括:
[0111]在LED芯片上覆蓋一層光刻膠；
[0112]在光刻版的遮擋下，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除從N型電極延伸到襯底的光刻膠、以及從P型電極延伸到襯底的光刻膠；
[0113]采用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n，簡稱PVD)技術(shù)、派射金屬技術(shù)、化學(xué)鍍金屬技術(shù)或者電鍍金屬技術(shù)在LED芯片上形成一層金屬層；
[0114]剝離光刻膠，形成從N型電極延伸到電路基板的連接橋、以及從P型電極延伸到電路基板的連接橋。
[0115]在本實施例的一種實現(xiàn)方式中，參見圖6，該制作方法還可以包括:
[0116]在LED芯片60上涂覆無影膠(UV)70;
[ΟΙ17]采用透明基板80壓在無影膠70上；
[0118]透過透明基板80對無影膠70進(jìn)行曝光，固化無影膠70;
[0119]移除透明基板80，從電路基板40上清除涂覆有無影膠的LED芯片60。
[0120]在實際應(yīng)用中，清除的LED芯片為電路基板上位置錯誤的LED芯片(在步驟105之后執(zhí)行)或者光電性能不良的LED芯片(在步驟106之前執(zhí)行)，如圖7所示。其中，40為電路基板，60為清除的LED芯片，90為保留的LED芯片。
[0121]本發(fā)明實施例通過利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片并粘附在同一藍(lán)膜上，對藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜使各個LED芯片分別與電路基板的對應(yīng)位置相對并利用粘合劑固定，剝離藍(lán)膜并在LED芯片的電極和電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋，實現(xiàn)將LED芯片接入電路基板中，利用電路基板控制LED芯片的發(fā)光，實現(xiàn)LED顯示器件的制作。
[0122]實施例二
[0123]本發(fā)明實施例提供了一種LED顯示器件，參見圖8，該LED顯示器件包括電路基板40、以及設(shè)置在電路基板40上的多個LED芯片60，多個LED芯片60的顏色包括紅色、綠色和藍(lán)色中的至少一種，LED芯片60和電路基板40上鋪設(shè)的線路之間通過連接橋6連通，LED芯片60包括襯底4、以及依次層疊在襯底4上的N型層、發(fā)光層、P型層3，P型層上開設(shè)有延伸至N型層的凹槽，N型層的中心設(shè)置有N型電極2，P型層的邊緣設(shè)置有P型電極I。
[0124]可選地，P型層延伸至N型層的側(cè)壁、以及P型層延伸至襯底4的側(cè)壁上可以設(shè)置有絕緣層5。
[0125]可選地，絕緣層5可以為反光層或透光層。
[0126]可選地，LED芯片60的尺寸可以為20?80μπι，如50μπι。
[0127]本發(fā)明實施例通過電路基板和設(shè)置在電路基板上的多個LED芯片，多個LED芯片的顏色包括紅色、綠色和藍(lán)色中的至少一種，LED芯片和電路基板上鋪設(shè)的線路之間通過連接橋連通，LED芯片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層，P型層上開設(shè)有延伸至N型層的凹槽，N型層的中心設(shè)置有N型電極，P型層的邊緣設(shè)置有P型電極，實現(xiàn)LED顯示器件。
[0128]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光二極管LED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片，所述光刻版的圖形與多個所述LED芯片的位置一致，所述LED芯片的顏色為紅色、綠色或者藍(lán)色； 將形成的多個所述LED芯片粘附在同一藍(lán)膜上； 對所述藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，使各個所述LED芯片分別與所述電路基板的對應(yīng)位置相對； 利用粘合劑將各個所述LED芯片分別固定在所述電路基板的對應(yīng)位置上； 剝離所述藍(lán)膜； 在所述LED芯片的電極和所述電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述利用光刻版形成多個設(shè)置在同一電路基板上且顏色相同的LED芯片，包括: 在襯底上依次形成N型層、發(fā)光層、P型層； 在所述P型層上開設(shè)多個延伸至所述N型層的凹槽； 在所述N型層的中心設(shè)置N型電極，在所述P型層的邊緣設(shè)置P型電極； 在所述N型層上開設(shè)延伸至所述襯底的隔離槽； 沿所述隔離槽進(jìn)行切割，得到多個所述LED芯片。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在所述P型層延伸至所述N型層的側(cè)壁、以及所述P型層延伸至所述襯底的側(cè)壁形成絕緣層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述LED芯片的電極和所述電路基板的對應(yīng)位置鋪設(shè)的線路之間形成連接橋，包括: 在所述LED芯片上覆蓋一層光刻膠； 在光刻版的遮擋下，對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除從所述N型電極延伸到所述襯底的光刻膠、以及從所述P型電極延伸到所述襯底的光刻膠； 采用物理氣相沉積PVD技術(shù)、濺射金屬技術(shù)、化學(xué)鍍金屬技術(shù)或者電鍍金屬技術(shù)在所述LED芯片上形成一層金屬層； 剝離所述光刻膠，形成從所述N型電極延伸到所述電路基板的連接橋、以及從所述P型電極延伸到所述電路基板的連接橋。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述對所述藍(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，包括: 分別沿第一方向和第二方向?qū)λ鏊{(lán)膜進(jìn)行擴(kuò)膜，所述第一方向和所述第二方向垂直，沿所述第一方向擴(kuò)膜的比例和沿所述第二方向擴(kuò)膜的比例相同或不同。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在所述LED芯片上涂覆無影膠UV; 采用透明基板壓在所述無影膠上； 透過所述透明基板對所述無影膠進(jìn)行曝光，固化所述無影膠； 移除所述透明基板，從所述電路基板上清除涂覆有所述無影膠的所述LED芯片。7.—種發(fā)光二極管LED顯示器件，其特征在于，所述LED顯示器件包括電路基板、以及設(shè)置在所述電路基板上的多個LED芯片，所述多個LED芯片的顏色包括紅色、綠色和藍(lán)色中的至少一種，所述LED芯片和所述電路基板上鋪設(shè)的線路之間通過連接橋連通，所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層，所述P型層上開設(shè)有延伸至所述N型層的凹槽，所述N型層的中心設(shè)置有N型電極，所述P型層的邊緣設(shè)置有P型電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED顯示器件，其特征在于，所述P型層延伸至所述N型層的側(cè)壁、以及所述P型層延伸至所述襯底的側(cè)壁上設(shè)置有絕緣層。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的LED顯示器件，其特征在于，所述絕緣層為反光層或透光層。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的LED顯示器件，其特征在于，所述LED芯片的尺寸為20?80Um0
【文檔編號】H01L33/00GK106097904SQ201610564261
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月15日
【發(fā)明人】葉青賢, 李俊生, 閻曉紅
【申請人】華燦光電（浙江）有限公司