[0036]本實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)元素可以為3X3大小，也可以為5X5大小，豐富了圖像處理過程中結(jié)構(gòu)元素的表現(xiàn)形式，用戶可根據(jù)情況酌情使用。
【附圖說明】
[0037]圖1a是膨脹原理的示意圖；
[0038I圖1b是腐蝕原理的示意圖；
[0039]圖1c是原始圖像經(jīng)過兩次膨脹兩次腐蝕合并之后的示意圖；
[0040]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的基于膨脹腐蝕的圖像處理方法的流程圖；
[0041]圖3是應(yīng)用本發(fā)明第一實(shí)施方式中基于膨脹腐蝕的圖像處理方法的系統(tǒng)框圖；
[0042]圖4是雙端口 sram結(jié)構(gòu)圖；
[0043]圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的數(shù)據(jù)緩存原理圖；
[0044]圖6是本發(fā)明第一實(shí)施方式中腐蝕不考慮邊界時(shí)的效果圖；
[0045]圖7是應(yīng)用本發(fā)明第二實(shí)施方式的基于膨脹腐蝕的圖像處理方法的系統(tǒng)框圖；
[0046]圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的基于膨脹腐蝕的圖像處理系統(tǒng)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0048]本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種基于膨脹腐蝕的圖像處理方法，流程圖如圖2所不O
[0049]結(jié)合流程圖2所示的內(nèi)容具體介紹本發(fā)明的實(shí)施方式:
[0050]步驟101中，獲取背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀。在實(shí)際應(yīng)用中可以先對(duì)單幀圖像中的背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算，進(jìn)而獲取獲取背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀。
[0051]需要說明的是，背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀數(shù)據(jù)保存在片外存儲(chǔ)器內(nèi)，即圖3所示dram，片外存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn)。
[0052]步驟102中，對(duì)背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀進(jìn)行反復(fù)膨脹。
[0053]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施方式中由運(yùn)算處理模塊(結(jié)合圖3所示)對(duì)背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀進(jìn)行反復(fù)膨脹處理，所以在執(zhí)行對(duì)背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀進(jìn)行反復(fù)膨脹之前，需要將背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀數(shù)據(jù)由片外存儲(chǔ)器傳輸至運(yùn)算處理模塊。
[0054]本發(fā)明實(shí)施方式中為了提高圖像處理過程中的運(yùn)算效率，可以采用將片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，緩存至片內(nèi)存儲(chǔ)裝置中，將所述片內(nèi)存儲(chǔ)裝置緩存的數(shù)據(jù)輸出至運(yùn)算處理模塊的方式。需要說明的是，用戶在具體實(shí)施時(shí)可以結(jié)合自身設(shè)計(jì)采用其他方式將片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)傳輸至運(yùn)算處理模塊，本實(shí)施方式對(duì)此不做限定。
[0055]其中，為了進(jìn)一步提高圖像處理過程中的運(yùn)算效率，可以將片內(nèi)存儲(chǔ)裝置分為第一片內(nèi)存儲(chǔ)器(圖3中sramO)和第二片內(nèi)存儲(chǔ)器(圖3中sraml)。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，就可以將背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀數(shù)據(jù)交替緩存至第一片內(nèi)存儲(chǔ)裝置和第二片內(nèi)存儲(chǔ)裝置。
[0056]需要補(bǔ)充的是，對(duì)于第一片內(nèi)存儲(chǔ)器sramO、第二片內(nèi)存儲(chǔ)器sraml的選取，本實(shí)施方式中可以采用雙端口、數(shù)據(jù)位寬為64位、地址位寬為16位的片內(nèi)sram存儲(chǔ)器。值得說明的是，單端口 sram在讀操作的時(shí)候，寫操作是不允許的；在寫操作的時(shí)候，讀操作是不允許的，這樣限制了本實(shí)施方式中高速讀寫的要求。但是當(dāng)采用雙端口 sram進(jìn)行讀寫的時(shí)候，讀操作與寫操作是分離的，讀寫操作可以同時(shí)進(jìn)行，這樣大大提升了讀寫速度。選擇數(shù)據(jù)位寬64位是為了滿足讀寫數(shù)據(jù)量大的需求。如果選擇數(shù)據(jù)位寬略小，單位時(shí)間內(nèi)讀寫的數(shù)據(jù)量就會(huì)降低，64位數(shù)據(jù)位寬的選取可以間接地提升了讀寫速度。
[0057]為了更加詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，先簡要介紹下雙端口sram的結(jié)構(gòu)，結(jié)合圖4所示。該雙端口 sram的數(shù)據(jù)位寬64位，地址位寬16位。分為a 口與b 口，a_clk/b_clk為時(shí)鐘信號(hào);a_cs_n/b_cs_n為使能信號(hào)，低電平有效;a_wr_n/b_wr_nS讀寫信號(hào)，低電平寫有效，高電平讀有效;a_addr/b_addr為地址信號(hào);a_din/b_din代表輸入數(shù)據(jù);a_dout/b_dout代表輸出數(shù)據(jù)。
[0058]sram的控制時(shí)序?yàn)?ia_cs_n/b_cs_r^低電平，且a_wr_n/b_wr_n為低電平時(shí)，當(dāng)前時(shí)刻的￡1_8(1(11'/13_3(1(11'與3_(1;[11/13_(1;[11 有效，數(shù)據(jù)送入sram中；ia_cs_n/b_cs_n為低電平，且a_wr_n/b_wr_n為高電平時(shí)，當(dāng)前時(shí)刻的a_addr/b_addr有效，送入sram中，下一個(gè)時(shí)刻的8_(10111:/13_(10111:有效，作為輸出信號(hào)輸出。對(duì)于雙端口 sram，端口 a的讀寫操作不會(huì)影響端口 b的讀寫操作。
[0059]對(duì)片內(nèi)sram的操作可以通過片選信號(hào)cs_n、讀寫使能信號(hào)wr_n(wr_n為低執(zhí)行寫操作，wr_n為高執(zhí)行讀操作)完成。當(dāng)wr_n為低且cs_n為低時(shí)，當(dāng)前時(shí)刻的地址信號(hào)addr與數(shù)據(jù)信號(hào)din送入sram，完成寫操作；當(dāng)wr_n為高且cs_n為低時(shí)，當(dāng)前時(shí)刻的地址信號(hào)addr送入sram，下一個(gè)時(shí)刻的數(shù)據(jù)信號(hào)dout有效，完成讀操作。
[0060]也就是說，當(dāng)片內(nèi)sramO寫使能有效時(shí)，片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀數(shù)據(jù)寫入sramO中，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存的功能；下一個(gè)時(shí)刻，如果sraml的寫使能有效，片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀的第二行數(shù)據(jù)送入sraml，此時(shí)，兩塊sram均完成了緩存數(shù)據(jù)的功能。也就完成了將背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀數(shù)據(jù)交替緩存到第一片內(nèi)存儲(chǔ)裝置和第二片內(nèi)存儲(chǔ)裝置中。
[0061 ]需要注意的是，通過總線bus的讀寫，在數(shù)據(jù)緩存控制模塊line_buf_ctrl中產(chǎn)生sram的讀寫使能信號(hào)，sram的讀寫使能信號(hào)與圖4的時(shí)序需要嚴(yán)格一致。
[0062]—般說來，可以利用3行sram直接緩存dram中的數(shù)據(jù)，然后將3行sram的數(shù)據(jù)直接送到下一個(gè)運(yùn)算處理模塊。但是為了提高讀寫效率，本實(shí)施方式將使用3行sram改成使用2行sram，第3行的數(shù)據(jù)可以由片外存儲(chǔ)器中獲取，這樣做的好處是讀寫空間效率可以提高I/
3。結(jié)合圖5所示，3行數(shù)據(jù)中前2行代表片內(nèi)sram中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，第3行代表片外dram中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)處理過程從左到右。這樣做的好處是不僅能夠提高讀寫效率，而且可以滿足后續(xù)運(yùn)算處理模塊對(duì)數(shù)據(jù)處理需要滿足3行3列的格式要求。
[0063]當(dāng)實(shí)現(xiàn)了將片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)交替緩存到第一片內(nèi)存儲(chǔ)裝置和第二片內(nèi)存儲(chǔ)裝置后，在下一個(gè)時(shí)鐘到來的時(shí)候，如果數(shù)據(jù)緩存控制模塊發(fā)出對(duì)sramO/sraml的讀使能有效，兩片sram的數(shù)據(jù)又可以被寫回了數(shù)據(jù)緩存控制模塊，因此兩片sram與片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)拼接后正好構(gòu)成了 3X3結(jié)構(gòu)，即構(gòu)成:第n-Ι行數(shù)據(jù)、第η行數(shù)據(jù)、第n+1行數(shù)據(jù)。將所述第一片內(nèi)存儲(chǔ)器和所述第二片內(nèi)存儲(chǔ)器內(nèi)緩存的數(shù)據(jù)，與所述片外存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)拼接后組成192bit數(shù)據(jù)送到后續(xù)運(yùn)算處理單元。這樣對(duì)兩塊片內(nèi)sram的控制就完成了讀數(shù)據(jù)與寫數(shù)據(jù)互不影響，提升了整個(gè)模塊的讀寫效率。
[0064]基于以上介紹，就實(shí)現(xiàn)了將片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)傳輸至運(yùn)算處理模塊，由運(yùn)算處理模塊對(duì)背景標(biāo)識(shí)離散點(diǎn)的圖像幀進(jìn)行反復(fù)膨脹操作。
[0065]需要指出的是，在所述運(yùn)算處理模塊執(zhí)行所述膨脹的處理之前，還可以包含:在所述圖像幀的首行前、尾行后分別填充一行全為I的數(shù)據(jù)，在所述圖像幀的首列前、尾列后分別填充一列全為I的數(shù)據(jù);這種情況主要是針對(duì)首行、尾行、首列、尾列的處理。
[0066]具體來說