差為Cst充電。
[0089]充電結(jié)束后進(jìn)入寫入階段，包括寫入數(shù)據(jù)信號(hào)和T5的閾值電壓。在此階段，第一、二控制信號(hào)為高電平，第三、四控制信號(hào)為低電平，T1、T2和Τ5導(dǎo)通，Τ3和Τ4截止，其等效電路圖如圖10所示。
[0090]此時(shí)，Ν1節(jié)點(diǎn)的電壓維持不變，而吧節(jié)點(diǎn)的電壓會(huì)通過吧、吧、了5、發(fā)光器件這條通路放電至驅(qū)動(dòng)晶體管Τ5的閾值電壓Vth (Τ5)和發(fā)光器件的閾值電壓Vth (發(fā)光器件)之和，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)電壓和驅(qū)動(dòng)晶體管T5的閾值電壓Vth(T5)的寫入。
[0091]寫入階段結(jié)束后，進(jìn)入緩沖階段，所有的控制信號(hào)全處于低電平，所有的薄膜晶體管全部截止，其等效電路圖如圖11所示，結(jié)束后電容結(jié)構(gòu)進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。
[0092]緩沖結(jié)束后進(jìn)入發(fā)光階段，此階段，第一、二控制信號(hào)為低電平，第三、四控制信號(hào)為高電平，T3、T4和T5導(dǎo)通，T1和T2截止，其等效電路圖如圖12所示。
[0093]其中，N1點(diǎn)的電壓會(huì)從V—跳變?yōu)閂工#，由于Cst的耦合效應(yīng)，電荷總量不變的時(shí)候，N2點(diǎn)的電壓會(huì)從Vth (發(fā)光器件)+Vth (T5)跳變?yōu)?
[0094]V工作-Vdata+Vth (發(fā)光器件)+Vth (T5)
[0095]因此驅(qū)動(dòng)晶體管在發(fā)光階段的Vgs為N2點(diǎn)的電壓和N4點(diǎn)的電壓之差，即:
[0096]V工作-Vdata+Vth (發(fā)光器件)+Vth (T5) -V工作=Vth (發(fā)光器件)+Vth (T5) _Vdata
[0097]則流過發(fā)光器件的電流為:
[0098]0.5* μ n*Cox*W/L* (Vgs-Vth (T5))2
[0099]即流過發(fā)光器件的電流為:
[0100]0.5* μ n*Cox*ff/L* (Vth (發(fā)光器件)-vdata)2
[0101]可以發(fā)現(xiàn)，流過發(fā)光器件的電流不但與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，也和發(fā)光器件自身的工作電壓無關(guān)，在實(shí)現(xiàn)閾值補(bǔ)償?shù)耐瑫r(shí)，消除了發(fā)光器件本身的電容特性對(duì)顯示的影響。
[0102]為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光器件，還包括用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件的上述任意的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0103]為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示器件，包括上述的像素結(jié)構(gòu)。
[0104]本發(fā)明實(shí)施例中的所采用的晶體管可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性的相同二極管，由于采用的晶體管的源極和漏極是對(duì)稱的，所以其源極、漏極是沒有區(qū)別的。
[0105]以上實(shí)施例中是以N型晶體管進(jìn)行說明的，柵極輸入高電平時(shí)，源漏極導(dǎo)通，P型晶體管相反?？梢韵氲降氖遣捎肞型晶體管實(shí)現(xiàn)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0106]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)中的發(fā)光器件，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0107]電壓跟隨控制步驟，在發(fā)光階段通過像素驅(qū)動(dòng)電路中的電容結(jié)構(gòu)控制像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓跟隨所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極的電壓的變化。
[0108]上述的像素驅(qū)動(dòng)方法，所述電壓跟隨控制步驟具體為:在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和所述電容結(jié)構(gòu)的第二端。
[0109]上述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，還包括:在寫入階段和發(fā)光階段之間，斷開所述電容結(jié)構(gòu)與外部的電路連接，使得電容結(jié)構(gòu)在放電之后有一段時(shí)間可以回復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)，避免了電容結(jié)構(gòu)自身的變化在發(fā)光階段對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓產(chǎn)生影響，進(jìn)一步保證了發(fā)光器件在發(fā)光階段的亮度一致性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)中的發(fā)光器件，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括: 驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)，源極與發(fā)光器件連接； 電容結(jié)構(gòu)(Cst)，第一端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的柵極連接； 第一寫入控制單元，用于在寫入階段將所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的閾值電壓寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第一端； 第二寫入控制單元，用于在寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端；電源輸出控制單元，用于在發(fā)光階段輸出電源信號(hào)到所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的漏極；電壓跟隨控制單元，用于通過所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的柵極的電壓跟隨所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的源極的電壓的變化。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電壓跟隨控制單元為:第三薄膜晶體管(T3)，用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的源極和所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一寫入控制單元為:第二薄膜晶體管(T2)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的漏極和柵極，以將所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的閾值電壓寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第一端。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二寫入控制單元為:第一薄膜晶體管(T1)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端子和所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端，以將在寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述電源輸出控制單元為:第二薄膜晶體管(T4); 所述第一寫入控制單元為:第二薄膜晶體管(T2)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的漏極和柵極，以將所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的閾值電壓寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的Λ-Λ-上山弟—漸； 所述第二寫入控制單元為:第一薄膜晶體管(T1)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端子和所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端，以將在寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端； 所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)和第四薄膜晶體管(T4)還在復(fù)位階段導(dǎo)通，以利用所述電源信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)進(jìn)行充電。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述電源輸出控制單元為:第二薄膜晶體管(T4); 所述第一寫入控制單元為:第二薄膜晶體管(T2)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的漏極和柵極，以將所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的閾值電壓寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的Λ-Λ-上山弟—漸； 所述第二寫入控制單元為:第一薄膜晶體管(T1)，用于在寫入階段導(dǎo)通所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端子和所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端，以將在寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電容結(jié)構(gòu)(Cst)的第二端； 所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)和第四薄膜晶體管(T4)還在位于寫入階段和發(fā)光階段之間的緩沖階段截止。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為電致變色顯示器件。8.一種像素結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光器件，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件的所述像素驅(qū)動(dòng)電路。9.一種顯示器件，包括如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)。10.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)中的發(fā)光器件，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括: 電壓跟隨控制步驟，在發(fā)光階段通過像素驅(qū)動(dòng)電路中的電容結(jié)構(gòu)控制像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓跟隨所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極的電壓的變化。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述電壓跟隨控制步驟具體為:在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和所述電容結(jié)構(gòu)的第二端。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，還包括: 在寫入階段和發(fā)光階段之間，斷開所述電容結(jié)構(gòu)與外部的電路連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路、方法、像素結(jié)構(gòu)及顯示器件，該像素驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)中的發(fā)光器件，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管，源極與發(fā)光器件連接；電容結(jié)構(gòu)，第一端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；第一寫入控制單元，用于在寫入階段將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓寫入所述電容結(jié)構(gòu)的第一端；第二寫入控制單元，用于在寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電容結(jié)構(gòu)的第二端；電源輸出控制單元，用于在發(fā)光階段輸出電源信號(hào)到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極；電壓跟隨控制單元，用于通過所述電容結(jié)構(gòu)控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓跟隨所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極的電壓的變化。本發(fā)明消除了發(fā)光器件本身的電容特性對(duì)顯示的影響。
【IPC分類】G09G3/32
【公開號(hào)】CN105427795
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610015162
【發(fā)明人】廖峰, 商廣良, 張玉婷
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2016年1月11日