1級GOA單元的級傳信號(Q(N-1))進行反相，得到反相級傳信號(XQ(N))，并將反相級傳信號(XQ(N))輸入鎖存模塊(3)； 所述鎖存模塊⑶包括一或非門(Y)，所述或非門⑴的第一輸入端㈧輸入反相級傳信號(XQ(N))、第二輸入端⑶輸入全局信號(Gas)，所述或非門⑴的輸出端⑶輸出級傳信號(Q(N))，所述鎖存模塊(3)用于對級傳信號(Q(N))進行鎖存； 所述信號處理模塊(4)接入級傳信號(Q(N))、第二時鐘信號(CK2)、恒壓高電位信號(VGH)、恒壓低電位信號(VGL)、及全局信號(Gas)，用于對第二時鐘信號(CK2)與級傳信號(Q(N))做與非邏輯處理，以產(chǎn)生該第N級GOA單元的掃描驅動信號(G(N));對第二時鐘信號(CK2)與級傳信號(Q(N))做與邏輯處理的結果和全局信號(Gas)進行或非邏輯處理，實現(xiàn)全局信號(Gas)控制各級掃描驅動信號(G(N))全部同時上升為高電位； 所述輸出緩沖模塊(5)包括依次串聯(lián)的奇數(shù)個第一反相器(Fl)，用于輸出掃描驅動信號(G(N))并增加掃描驅動信號(G(N))的驅動能力; 所述存儲電容(7)的一端電性連接級傳信號(Q(N))，另一端接地，用于存儲級傳信號(Q(N))的電位； 所述全局信號(Gas)包含單個脈沖，其為高電位時，控制各級掃描驅動信號(G(N))全部同時上升為高電位，同時控制所述或非門(Y)拉低各級級傳信號(Q(N))的電位，對各級級傳信號(Q(N))進行清零復位。2.如權利要求1所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述輸入控制模塊⑴至少包括依次串聯(lián)的第一 P型TFT (Tl)、第二 P型TFT (T2)、第三N型TFT (T3)、與第四N型TFT (T4)；所述第一 P型TFT(Tl)的柵極接入第一反相時鐘信號(XCKl)、源極接入恒壓高電位信號(VGH);所述第二 P型TFT (T2)與第三N型TFT (T3)的柵極均接入上一級第N-1級GOA單元的級傳信號(Q(N-1));所述第二 P型TFT(T2)與第三N型TFT(T3)的漏極相互連接，輸出反相級傳信號(XQ(N));所述第四N型TFT(T4)的柵極接入第一時鐘信號(CKl)、源極接入恒壓低電位信號(VGL)； 所述鎖存模塊(3)還包括依次串聯(lián)的第五P型TFT (T5)、第六P型TFT (T6)、第七N型TFT (T7)、與第八N型TFT (T8);所述第五P型TFT (T5)的柵極接入第一時鐘信號(CKl)、源極接入恒壓高電位信號(VGH);所述第六P型TFT(T6)與第七N型TFT(T7)的柵極均接入級傳信號(Q(N));所述第六P型TFT(T6)與第七N型TFT(T7)的漏極相互連接，并電性連接所述第二 P型TFT (T2)與第三N型TFT (T3)的漏極；所述第八N型TFT (T8)的柵極接入第一反相時鐘信號(XCKl)、源極接入恒壓低電位信號(VGL); 所述信號處理模塊(4)包括:第九P型TFT (T9)，所述第九P型TFT (T9)的柵極接入全局信號(Gas)，源極接入恒壓高電位信號(VGH);第十P型TFT (TlO)，所述第十P型TFT (TlO)的柵極接入級傳信號(Q (N))，源極電性連接于第九P型TFT (T9)的漏極，漏極電性連接于節(jié)點(A(N));第^^一 P型TFT(Tll)，所述第^^一 P型TFT(Tll)的柵極接入第二時鐘信號(CK2)，源極電性連接于第九P型TFT (T9)的漏極，漏極電性連接于節(jié)點(A(N));第十二 N型TFT (T12)，所述第十二 N型TFT (T12)的柵極接入級傳信號(Q (N))，漏極電性連接于節(jié)點(A(N));第十三N型TFT(T13)，所述第十三N型TFT(T13)的柵極接入第二時鐘信號(CK2)，漏極電性連接于所述第十二 N型TFT(T12)的源極，源極接入恒壓低電位信號(VGL);第十四N型TFT(T14)，所述第十四N型TFT(TH)的柵極接入全局信號(Gas)，源極接入恒壓低電位信號(VGL)，漏極電性連接于節(jié)點(A(N))。3.如權利要求2所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述輸入控制模塊(I)還包括一第二反相器(F2)，所述第一反相時鐘信號(XCKl)由第一時鐘信號(CKl)經(jīng)該第二反相器(F2)反相得到。4.如權利要求2所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述輸出緩沖模塊(5)包括依次串聯(lián)的三個第一反相器(Fl)，最靠近信號處理模塊(4)的第一反相器(Fl)的輸入端(K)電性連接所述節(jié)點(A (N))，最遠離信號處理模塊(4)的第一反相器(Fl)的輸出端(L)輸出掃描驅動信號(G(N))。5.如權利要求4所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述第一反相器(Fl)由一第十五P型TFT(T15)串聯(lián)一第十六N型TFT (T16)構成，所述第十五P型TFT (T15)與第十六N型TFT(Tie)的柵極相互電性連接構成該第一反相器(Fl)的輸入端(K)，所述第十五P型TFT (Tl5)的源極接入恒壓高電位信號(VGH)，所述第十六N型TFT (T16)的源極接入恒壓低電位信號(VGL)，所述第十五P型TFT (Tl5)與第十六N型TFT (T16)的漏極相互電性連接構成該第一反相器(Fl)的輸出端(L);前一個第一反相器(Fl)的輸出端(L)電性連接后一個第一反相器(Fl)的輸入端(K)。6.如權利要求3所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述第二反相器(F2)由一第十七P型TFT(T17)串聯(lián)一第十八N型TFT (T18)構成，所述第十七P型TFT (T17)與第十八N型TFT(TlS)的柵極相互電性連接構成該第二反相器(F2)的輸入端(K’)，所述第十七P型TFT (Tl7)的源極接入恒壓高電位信號(VGH)，所述第十八N型TFT (T18)的源極接入恒壓低電位信號(VGL)，所述第十七P型TFT (Tl7)與第十八N型TFT (T18)的漏極相互電性連接構成該第二反相器(F2)的輸出端(L’ );所述第二反相器(F2)的輸入端(K’ )接入第一時鐘信號(CKl)，輸出端(L’ )輸出第一反相時鐘信號(XCKl)。7.如權利要求2所述的CMOSGOA電路，其特征在于，所述或非門(Y)包括第十九P型TFT (T19)、第二十 P 型 TFT (T20)、第二^^一 N 型 TFT (T21)、及第二十二 N 型 TFT (T22)；所述第二十P型TFT(T20)與第二^^一 N型TFT(T21)的柵極相互電性連接構成該或非門(Y)的第一輸入端㈧；所述第十九P型TFT (T19)與第二十二 N型TFT (T22)的柵極相互電性連接構成該或非門(Y)的第二輸入端(B);所述第十九P型TFT(T19)的源極接入恒壓高電位信號(VGH)，漏極電性連接第二十P型TFT (T20)的源極；所述第二^^一 N型TFT (T21)與第二十二 N型TFT(T22)的源極均接入恒壓低電位信號(VGL);所述第二十P型TFT(T20)、第二^^一 N型TFT(T21)、及第二十二 N型TFT(T22)的漏極相互電性連接構成該或非門(Y)的輸出端⑶。8.如權利要求2所述的CMOSGOA電路，其特征在于，在第一級GOA單元中，所述第二 P型TFT (T2)與第三N型TFT (T3)的柵極均接入電路啟動信號(STV)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種CMOS？GOA電路，在鎖存模塊(3)中設置或非門(Y)，將或非門(Y)的兩輸入端分別輸入反相級傳信號(XQ(N))與全局信號(Gas)，當全局信號(Gas)為高電位時，控制各級掃描驅動信號(G(N))全部同時上升為高電位，同時控制所述或非門(Y)拉低各級級傳信號(Q(N))的電位，對各級級傳信號(Q(N))進行清零復位，與現(xiàn)有技術相比，不需要單獨設置復位模塊，省去了附加的元件、走線、與復位信號，減小了GOA電路的面積，簡化了信號的復雜度，利于窄邊框面板的設計；此外，通過設置存儲電容(7)在各級掃描驅動信號(G(N))全部同時上升為高電位時對級傳信號(Q(N))的低電位進行存儲，提高了GOA電路的穩(wěn)定性。
【IPC分類】G09G3/36
【公開號】CN105096891
【申請?zhí)枴緾N201510556373
【發(fā)明人】趙莽
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司, 武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年9月2日