Cmos goa電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種CMOS GOA電路。
【背景技術(shù)】
[0002]GOA(Gate Driver on Array)技術(shù)即陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù)，是利用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示器陣列制程將柵極掃描驅(qū)動(dòng)電路制作在薄膜晶體管陣列基板上，以實(shí)現(xiàn)逐行掃描的驅(qū)動(dòng)方式，具有降低生產(chǎn)成本和實(shí)現(xiàn)面板窄邊框設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，為多種顯示器所使用。GOA電路具有兩項(xiàng)基本功能:第一是輸出掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)面板內(nèi)的柵極線，打開(kāi)顯示區(qū)內(nèi)的TFT，以對(duì)像素進(jìn)行充電；第二是移位寄存功能，當(dāng)?shù)贜個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出完成后，通過(guò)時(shí)鐘控制進(jìn)行第N+1個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出，并依次傳遞下去。
[0003]隨著低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)半導(dǎo)體薄膜晶體管的發(fā)展，LTPS TFT液晶顯示器也越來(lái)越受關(guān)注。由于LTPS的硅結(jié)晶排列較非晶硅有次序，LTPS半導(dǎo)體具有超高的載流子迀移率，采用LTPS TFT的液晶顯示器具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開(kāi)口率等優(yōu)點(diǎn)，相應(yīng)的，LTPS TFT液晶顯示器的面板周邊集成電路也成為顯示技術(shù)關(guān)注的焦點(diǎn)。
[0004]圖1所示為一種現(xiàn)有的CMOS GOA電路，包括級(jí)聯(lián)的多個(gè)GOA單元，該現(xiàn)有的CMOSGOA電路除了具備基本的掃描驅(qū)動(dòng)功能與移位寄存功能以外，還帶有使各級(jí)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)全部同時(shí)上升為高電位(All Gate On)的功能。
[0005]設(shè)N為正整數(shù)，第N級(jí)GOA單元包括:輸入控制模塊100、鎖存模塊300、信號(hào)處理模塊400、與輸出緩沖模塊500。
[0006]其中，輸入控制模塊100接入上一級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)Q(N-1)、第一時(shí)鐘信號(hào)CKl、第一反相時(shí)鐘信號(hào)XCKl、恒壓高電位信號(hào)VGH、及恒壓低電位信號(hào)VGL，將與上一級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)Q(N-1)電位相反的信號(hào)P(N)輸入鎖存模塊300;
[0007]鎖存模塊300包括一反相器F，將信號(hào)P (N)反相后得到該第N級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)Q(N)，鎖存模塊300對(duì)級(jí)傳信號(hào)Q(N)進(jìn)行鎖存；
[0008]信號(hào)處理模塊400接入級(jí)傳信號(hào)Q (N)、第二時(shí)鐘信號(hào)CK2、恒壓高電位信號(hào)VGH、恒壓低電位信號(hào)VGL、及全局信號(hào)Gas ;所述信號(hào)處理模塊400用于對(duì)第二時(shí)鐘信號(hào)CK2與級(jí)傳信號(hào)Q(N)做與非邏輯處理，以產(chǎn)生該第N級(jí)GOA單元的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(N);對(duì)第二時(shí)鐘信號(hào)CK2與級(jí)傳信號(hào)Q(N)做與邏輯處理的結(jié)果和全局信號(hào)Gas進(jìn)行或非邏輯處理，實(shí)現(xiàn)全局信號(hào)Gas控制各級(jí)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)全部同時(shí)上升為高電位；
[0009]所述輸出緩沖模塊500電性連接信號(hào)處理模塊400，用于增加掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(N)的驅(qū)動(dòng)能力，減小信號(hào)傳輸過(guò)程中的阻容負(fù)載(RC Loading)。
[0010]上述現(xiàn)有的CMOS GOA電路，在實(shí)現(xiàn)All Gate On功能時(shí)，由于掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)持續(xù)(Holding)的問(wèn)題，必須在GOA電路正常工作之前，對(duì)級(jí)傳信號(hào)和掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行電位的復(fù)位清零處理，因此該現(xiàn)有的CMOS GOA電路的每一級(jí)GOA單元還包括一復(fù)位模塊200。如圖1所示，以第N級(jí)GOA單元為例，所述復(fù)位模塊200包括一 P型TFT，該P(yáng)型TFT的柵極接入復(fù)位信號(hào)Reset，源極接入恒壓高電位信號(hào)VGH，漏極連接鎖存模塊300內(nèi)反相器F的輸入端，當(dāng)復(fù)位信號(hào)Reset輸入一低電位時(shí)，所述P型TFT導(dǎo)通，所述反相器F對(duì)恒壓高電位信號(hào)VGH進(jìn)行反相，從而拉低級(jí)傳信號(hào)Q(N)的電位，對(duì)級(jí)傳信號(hào)Q(N)進(jìn)行清零。單獨(dú)設(shè)置復(fù)位模塊200雖然會(huì)提高電路的性能，但由此附加的元件、走線、與信號(hào)卻增大了 GOA電路的面積，提高了信號(hào)復(fù)雜度，不利于窄邊框面板的設(shè)計(jì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011 ] 本發(fā)明的目的在于提供一種CMOS GOA電路，其不僅具有使各級(jí)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)全部同時(shí)上升為高電位的功能，還能夠在不采用復(fù)位模塊的情況下避免掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)持續(xù)的問(wèn)題，減小GOA電路的面積，簡(jiǎn)化信號(hào)的復(fù)雜度，利于窄邊框面板的設(shè)計(jì)。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種CMOS GOA電路，包括級(jí)聯(lián)的多個(gè)GOA單元；
[0013]設(shè)N為正整數(shù)，第N級(jí)GOA單元包括:輸入控制模塊、電性連接輸入控制模塊的鎖存模塊、電性連接鎖存模塊的信號(hào)處理模塊、電性連接信號(hào)處理模塊的輸出緩沖模塊、及電性連接鎖存模塊與信號(hào)處理模塊的存儲(chǔ)電容；
[0014]所述輸入控制模塊接入上一級(jí)第N-1級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)、第一時(shí)鐘信號(hào)、第一反相時(shí)鐘信號(hào)、恒壓高電位信號(hào)、及恒壓低電位信號(hào)，用于將第N-1級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)進(jìn)行反相，得到反相級(jí)傳信號(hào)，并將反相級(jí)傳信號(hào)輸入鎖存模塊；
[0015]所述鎖存模塊包括一或非門，所述或非門的第一輸入端輸入反相級(jí)傳信號(hào)、第二輸入端輸入全局信號(hào)，所述或非門的輸出端輸出級(jí)傳信號(hào)，所述鎖存模塊用于對(duì)級(jí)傳信號(hào)進(jìn)行鎖存；
[0016]所述信號(hào)處理模塊接入級(jí)傳信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)、恒壓高電位信號(hào)、恒壓低電位信號(hào)、及全局信號(hào)，用于對(duì)第二時(shí)鐘信號(hào)與級(jí)傳信號(hào)做與非邏輯處理，以產(chǎn)生該第N級(jí)GOA單元的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)；對(duì)第二時(shí)鐘信號(hào)與級(jí)傳信號(hào)做與邏輯處理的結(jié)果和全局信號(hào)進(jìn)行或非邏輯處理，實(shí)現(xiàn)全局信號(hào)控制各級(jí)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)全部同時(shí)上升為高電位；
[0017]所述輸出緩沖模塊包括依次串聯(lián)的奇數(shù)個(gè)第一反相器，用于輸出掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)并增加掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力；
[0018]所述存儲(chǔ)電容的一端電性連接級(jí)傳信號(hào)，另一端接地，用于存儲(chǔ)級(jí)傳信號(hào)的電位；
[0019]所述全局信號(hào)包含單個(gè)脈沖，其為高電位時(shí)，控制各級(jí)掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)全部同時(shí)上升為高電位，同時(shí)控制所述或非門拉低各級(jí)級(jí)傳信號(hào)的電位，對(duì)各級(jí)級(jí)傳信號(hào)進(jìn)行清零復(fù)位。
[0020]所述輸入控制模塊至少包括依次串聯(lián)的第一 P型TFT、第二 P型TFT、第三N型TFT、與第四N型TFT ;所述第一 P型TFT的柵極接入第一反相時(shí)鐘信號(hào)、源極接入恒壓高電位信號(hào)；所述第二 P型TFT與第三N型TFT的柵極均接入上一級(jí)第N-1級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)；所述第二 P型TFT與第三N型TFT的漏極相互連接，輸出反相級(jí)傳信號(hào)；所述第四N型TFT的柵極接入第一時(shí)鐘信號(hào)、源極接入恒壓低電位信號(hào)；
[0021]所述鎖存模塊還包括依次串聯(lián)的第五P型TFT、第六P型TFT、第七N型TFT、與第八N型TFT ;所述第五P型TFT的柵極接入第一時(shí)鐘信號(hào)、源極接入恒壓高電位信號(hào)；所述第六P型TFT與第七N型TFT的柵極均接入級(jí)傳信號(hào)；所述第六P型TFT與第七N型TFT的漏極相互連接，并電性連接所述第二 P型TFT與第三N型TFT的漏極；所述第八N型TFT的柵極接入第一反相時(shí)鐘信號(hào)、源極接入恒壓低電位信號(hào)；
[0022]所述信號(hào)處理模塊包括:第九P型TFT，所述第九P型TFT的柵極接入全局信號(hào)，源極接入恒壓高電位信號(hào)；第十P型TFT，所述第十P型TFT的柵極接入級(jí)傳信號(hào)，源極電性連接于第九P型TFT的漏極，漏極電性連接于節(jié)點(diǎn)；第^^一 P型TFT，所述第^^一 P型TFT的柵極接入第二時(shí)鐘信號(hào)，源極電性連接于第九P型TFT的漏極，漏極電性連接于節(jié)點(diǎn)；第十二 N型TFT，所述第十二 N型TFT的柵極接入級(jí)傳信號(hào)，漏極電性連接于節(jié)點(diǎn)；第十三N型TFT,所述第十三N型TFT的柵極接入第二時(shí)鐘信號(hào)，漏極電性連接于所述第十二 N型TFT的源極，源極接入恒壓低電位信號(hào)；第十四N型TFT，所述第十四N型TFT的柵極接入全局信號(hào)，源極接入恒壓低電位信號(hào)，漏極電性連接于節(jié)點(diǎn)。
[0023]所述輸入控制模塊還包括一第二反相器，所述第一反相時(shí)鐘信號(hào)由第一時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)該第二反相器反相得到。
[0024]所述輸出緩沖模塊包括依次串聯(lián)的三個(gè)第一反相器，最靠近信號(hào)處理模塊的第一反相器的輸入端電性連接所述節(jié)點(diǎn)，最遠(yuǎn)離信號(hào)處理模塊的第一反相器的輸出端輸出掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0025]所述第一反相器由一第十五P型TFT串聯(lián)一第十六N型TFT構(gòu)成，所述第十五P型TFT與第十六N型TFT的柵極相互電性連接構(gòu)成該第一反相器的輸入端，所述第十五P型TFT的源極接入恒壓高電位信號(hào)，所述第十六N型TFT的源極接入恒壓低電位信號(hào)，所述第十五P型T