成后，像素陣列同時(shí)進(jìn)入發(fā)光階段。采用集中式發(fā)光的方式，像素陣列的發(fā)光時(shí)間 短，需要的電流大，可能會(huì)加速發(fā)光元件OLED的退化。
[0071] 為此，本實(shí)施例公開了一種非集中式發(fā)光方式的像素電路，請(qǐng)參考圖6和圖7,為 本實(shí)施例像素電路的結(jié)構(gòu)，與上述實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例在第二節(jié)點(diǎn)B和數(shù)據(jù)信號(hào)線 之間以及在第一電容Cl和第一晶體管Tl之間還分別耦合有：第七晶體管Τ7和第八晶體管 T8。其中，第七晶體管T7的第一極用于耦合至數(shù)據(jù)信號(hào)線，第二極耦合至第一電容Cl的第 一端，控制極用于輸入第一掃描控制信號(hào)V sttN ;第八晶體管T8的第一極耦合至第七晶體管 T7的第二極，第八晶體管T8的第二極耦合至第一晶體管Tl的第二極，第八晶體管T8的控 制極用于輸入第二掃描控制信號(hào)VEM。
[0072] 以發(fā)光元件OLED串聯(lián)在第二公共電極VSS和第一晶體管Tl之間為例進(jìn)行說(shuō)明， 請(qǐng)參考圖8,為本實(shí)施例的信號(hào)時(shí)序。
[0073] 在初始化階段，第一掃描控制信號(hào)Vsmn和第二掃描控制信號(hào)Vem為高電平，于是， 第七晶體管T7和第八晶體管T8分別響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)V seAN和第二掃描控制信號(hào)Vem 導(dǎo)通，在初始化階段對(duì)第一電容Cl和第二電容C2進(jìn)行初始化。此外，在編程階段，第一掃 描控制信號(hào)Vscan依舊為高電平，于是，導(dǎo)通的第七晶體管T7依舊能夠向第一電容Cl提供數(shù) 據(jù)電壓Vdata。
[0074] 在發(fā)光階段，第二掃描控制信號(hào)Vem為高電平，于是，第八晶體管T8響應(yīng)第二掃描 控制信號(hào)V em導(dǎo)通，將發(fā)光兀件OLED發(fā)光時(shí)的第一端電位通過第一電容Cl自舉到第一晶體 管Tl的控制極，從而補(bǔ)償發(fā)光元件OLED閾值電壓V aED退化造成的不均勻。
[0075] 需要說(shuō)明的是，在另一種具體實(shí)施例中，當(dāng)發(fā)光元件OLED串聯(lián)在第一公共電極 VDD和第四晶體管T4之間時(shí)，請(qǐng)參考圖7,雖然不需要補(bǔ)償發(fā)光元件OLED因?yàn)橥嘶a(chǎn)生 的閾值電壓偏移，由于要進(jìn)行逐行發(fā)光，依舊需要第八晶體管T8導(dǎo)通在發(fā)光階段提供一個(gè) 固定的電壓。
[0076] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例圖6和圖7所示的電路結(jié)構(gòu)的工作過程也分為三個(gè)階段 即初始化階段、編程階段和發(fā)光階段，具體可參見實(shí)施例一，在此不再贅述。
[0077] 與實(shí)施例一相比，本實(shí)施例雖然增加了電路結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度，但是，本實(shí)施例公開的 像素電路為逐行發(fā)光，請(qǐng)參考圖8,當(dāng)當(dāng)前行的像素電路完成編程階段后，即可進(jìn)入發(fā)光階 段，從而使得發(fā)光時(shí)間長(zhǎng)，發(fā)光元件OLED所需要的驅(qū)動(dòng)電流相對(duì)小，從而能夠降低發(fā)光元 件OLED的退化速度。此外，在整個(gè)編程過程中，發(fā)光元件OLED的退化可以在發(fā)光過程中及 時(shí)地反應(yīng)到第一晶體管Tl的控制極，補(bǔ)償效果更好。圖6所示的電路工作過程如下：
[0078] 在初始化階段，當(dāng)前像素行被選通時(shí)，第一掃描控制信號(hào)VseAN和第二掃描控制信 號(hào)V em均為高電平，第三控制信號(hào)VCT%為低電平。此時(shí)，第二晶體管T2、第四晶體管T4、第 七晶體管Τ7和第八晶體管Τ8分別響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)V seAN和第二掃描控制信號(hào)Vem的 高電平被導(dǎo)通。于是，第二電容C2被充電至高電平，即第三節(jié)點(diǎn)C為高電平，也即第三晶體 管T3的控制極為高電平，此時(shí)，第三控制信號(hào)為低電平，于是，存儲(chǔ)于第一電容Cl的電 荷從通過導(dǎo)通的第三晶體管T3放電，于是，第一節(jié)點(diǎn)A的電位被放電至低電平，該低電平可 能是零電平，也可能是負(fù)電平。此時(shí)，第一晶體管Tl處于關(guān)斷狀態(tài)，數(shù)據(jù)信號(hào)線的數(shù)據(jù)信號(hào) Vdata輸入第二節(jié)點(diǎn)B，由于第八晶體管T8導(dǎo)通，此時(shí)發(fā)光元件OLED的第一端也為數(shù)據(jù)電壓 Vdata，為了使OLED不發(fā)光，應(yīng)滿足VDATA〈V OLEDO °
[0079] 在編程階段，第二掃描控制信號(hào)Vem從高電平轉(zhuǎn)換成低電平，于是第四晶體管T4和 第八晶體管T8斷開；在編程階段前期第一掃描控制信號(hào)V seAN為高電平，于是第二晶體管T2 響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)Vsmn導(dǎo)通；第三控制信號(hào)為高電平，此時(shí)第三節(jié)點(diǎn)C點(diǎn)為高電 平，第一節(jié)點(diǎn)A為低電平，所以有很大的電流流過第三晶體管Τ3,對(duì)第一電容Cl迅速充電。 當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)A點(diǎn)的電位等于第一晶體管Tl的閾值電壓和發(fā)光兀件OLED的閾值電壓之和 時(shí)，第一晶體管T1開始導(dǎo)通，第二電容C2開始放電，當(dāng)?shù)谌?jié)點(diǎn)C和第一節(jié)點(diǎn)A之間的電壓 差等于第三晶體管T3的閾值電壓時(shí)，第三控制信號(hào)V em停止對(duì)第一節(jié)點(diǎn)A充電，于是完成 了對(duì)第一晶體管Tl和發(fā)光元件OLED的閾值電壓的提取。由于此時(shí)第一晶體管Tl依舊導(dǎo) 通，第三節(jié)點(diǎn)C會(huì)被迅速放電至發(fā)光元件OLED的閾值電壓，則第三晶體管T3會(huì)徹底關(guān)斷， 編程時(shí)間不會(huì)再影響第一節(jié)點(diǎn)A點(diǎn)的電壓。此時(shí)第二節(jié)點(diǎn)B的電位也即為第一電容Cl的 第二電極為數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，第一電容Cl的兩端形成了可以維持整個(gè)一幀時(shí)間的基準(zhǔn)電壓。 此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)A和第二節(jié)點(diǎn)B之間的電壓差為：
[0080] Va-Vb - VTHT1+V〇LEDO_VDATA (6)
[0081] 其中，Va為第一節(jié)點(diǎn)A的電位，Vb為第二節(jié)點(diǎn)B的電位，V th ti表示第一晶體管Tl 的閾值電壓，VaED。表TK發(fā)光兀件OLED的閾值電壓，Vdata表TK該像素點(diǎn)此時(shí)所需要的灰度信 息對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。
[0082] 在發(fā)光階段，第一掃描控制信號(hào)Vsmn為低電平；第二掃描控制信號(hào)Vem為高電平。 于是，第二晶體管T2和第七晶體管T7響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)V seAN斷開；第四晶體管T4和 地八晶體管T8響應(yīng)第二掃描控制信號(hào)Vem導(dǎo)通，為第一晶體管Tl提供電源電壓，同時(shí)T8管 將OLED發(fā)光時(shí)的電壓稱合在第一電容Cl的第二電極，編程過程中第一電容Cl兩端形成的 基準(zhǔn)電壓耦合至第一晶體管Tl的控制極，從而驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件OLED的發(fā)光。所以，此時(shí)第一 節(jié)點(diǎn)A的電壓為：
[0083] Va - VTHT1+V〇LEDO_VDATA+V B (7)
[0084] 由于在發(fā)光階段數(shù)據(jù)線提供穩(wěn)定參考電壓Vref，因此，第二節(jié)點(diǎn)B的電位V b = V_，于是，式⑵可以變換為：
[0085] Va - VTHT1+V〇LED〇-VDATA+V〇LED1 (8)
[0086] 導(dǎo)通的第四晶體管T4向第一晶體管Tl提供電源電壓，使得第一晶體管Tl工作在 飽和區(qū)，所以第一晶體管Tl產(chǎn)生的電流，也即為流過發(fā)光元件OLED的發(fā)光電流可以表示 成：
[0087]
(9)
[0088] 其中，Iimd為流過發(fā)光元件OLED的發(fā)光電流；μ ^Cl3x和W/L分別為第一晶體管Tl 的場(chǎng)效應(yīng)遷移率、單位面積柵絕緣層電容和管子的寬長(zhǎng)比。當(dāng)OLED退化時(shí)，其電壓值會(huì)增 加。因此由公式（9)可以看出流過OLED的電流會(huì)增加，這樣可以補(bǔ)償OLED因?yàn)榘l(fā)光效率 下降而造成的退化，同時(shí)也表明流過發(fā)光元件OLED的電流I imd與第一晶體管Tl的閾值電 壓VTH_n無(wú)關(guān)。
[0089] 該像素電路采用了非二極管連接的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓型閾值電壓提取，可以同 時(shí)實(shí)現(xiàn)高速度和高精度，提取到閾值電壓以后，編程時(shí)間不再影響提取到的閾值電壓大小。
[0090] 實(shí)施例三：
[0091] 請(qǐng)參考圖9和圖10,為本實(shí)施例公開的像素電路結(jié)構(gòu)圖，和上述實(shí)施例不同的是， 本實(shí)施例公開的像素電路還包括第五晶體管T5,第五晶體管T5的第一極和第二極并聯(lián)在 發(fā)光兀件OLED的兩端，控制極用于輸入第一掃描控制信號(hào)V SCAN。
[0092] 在發(fā)光兀件OLED處于非發(fā)光狀態(tài)時(shí)，第五晶體管T5導(dǎo)通，在發(fā)光兀件OLED處于 發(fā)光狀態(tài)，第五晶體管T5斷開。具體為：在初始化階段和編程階段，第五晶體管T5響應(yīng)第一 掃描控制信號(hào)VseAN的高電平導(dǎo)通；在發(fā)光階段，第五晶體管T5響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)Vscan 的低電平斷開。由于在非發(fā)光階段，即初始化階段和編程階段，第五晶體管Τ5均導(dǎo)通，將發(fā) 光元件OLED第一端的電位通過導(dǎo)通的第五晶體管Τ5旁路至發(fā)光元件OLED第二端，因此， 沒有額外的電流流過發(fā)光元件0LED，從而保證了發(fā)光元件OLED在非發(fā)光階段不發(fā)光，進(jìn)而 增加了顯示器的對(duì)比度且流過OLED的電流只與數(shù)據(jù)電壓V data有關(guān)。
[0093] 在一種具體實(shí)施例中，當(dāng)發(fā)光元件OLED串聯(lián)在第二公共電極VSS和第一晶體管Tl 之間時(shí)，作為優(yōu)選的實(shí)施例，請(qǐng)參考圖11，第五晶體管T5還可以引入旁路電位Vf，具體為： 第五晶體管T5的第一極稱合至發(fā)光兀件OLED的第一端，第二極用于輸入旁路電位V F，控制 極用于輸入第一掃描控制信號(hào)VseAN，優(yōu)選地，旁路電位Vf小于或等于0。當(dāng)旁路電位V f為負(fù) 值時(shí)，|VF|越大，越能夠抑制發(fā)光元件OLED隨時(shí)間的退化產(chǎn)生的亮度不均勻問題。
[0094] 本實(shí)施例還公開了一種顯示電路驅(qū)動(dòng)方法，顯示電路采用上述實(shí)施例的像素電 路，像素電路的每一驅(qū)動(dòng)周期包括初始化階段、編程階段和發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)方法具體包括： [0095] 在初始化階段，第二晶體管T2、第三晶體管T3和第四晶體管T4導(dǎo)通，分別初始化 第一電容Cl和第二電容C2兩端的電位。
[0096] 在編程階段，第二晶體管T2和第三晶體管T3導(dǎo)通，第二晶體管T2將第一晶體管 Tl的閾值電壓或者第一晶體管Tl和發(fā)光元件OLED的閾值電壓通過第三晶體管T3輸入至