的其他的I個邊部的密封材14與檢查電路25之間，設置連接2個掃描線驅動電路24的多條布線29。
[0050]在對置基板20中的配置為環(huán)狀的密封材14與顯示區(qū)域E之間，設置遮光膜18 (分隔部)。遮光膜18例如包含遮光性的金屬或者金屬氧化物等而構成，遮光膜18的內(nèi)側成為具有多個像素P的顯示區(qū)域E。還有，雖然在圖2中將圖示進行了省略，但是在顯示區(qū)域E中也設置對多個像素P分別平面性地進行劃分的遮光膜。
[0051 ] 連接于這些數(shù)據(jù)線驅動電路22、掃描線驅動電路24的布線連接于沿著該I個邊部排列的多個外部連接用端子65。以下，以沿著該I個邊部的方向為X方向，并以沿著與該I個邊部正交并相互對置的其他的2個邊部的方向為Y方向而進行說明。
[0052]如示于圖3地，在第I基材1a的液晶層15側的表面，形成設置于每像素的透光性的像素電極27及作為開關元件的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor ;以下，稱為“TFT30”)、信號布線和覆蓋這些的取向膜28。
[0053]并且，采用防止光入射于TFT30中的半導體層而開關工作變得不穩(wěn)定的遮光結構。本發(fā)明中的元件基板10至少包括像素電極27、TFT30、取向膜20。
[0054]在對置基板20的液晶層15側的表面，設置遮光膜18、以覆蓋它的方式成膜的平坦化層33、以覆蓋平坦化層33的方式設置的對置電極31和覆蓋對置電極31的取向膜32。本發(fā)明中的對置基板20至少包括對置電極31、取向膜32。
[0055]遮光膜18如示于圖2地，設置于包圍顯示區(qū)域E且俯視與掃描線驅動電路24、檢查電路25重疊的位置。由此遮蔽從對置基板20側入射于包括這些驅動電路的周邊電路的光，起到防止周邊電路由于光進行誤工作的作用。并且，使得無用的雜散光不會入射于顯示區(qū)域E地進行遮蔽，確保顯示區(qū)域E的顯示中的高的對比度。
[0056]平坦化層33包含例如氧化硅等的無機材料而構成，具有光透射性而設置為覆蓋遮光膜18。作為如此的平坦化層33的形成方法，可舉出采用例如等離子CVD(ChemicalVapor Deposit1n，化學氣相沉積)法等進行成膜的方法。
[0057]對置電極31包含例如ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)等的透明導電膜而構成，覆蓋平坦化層33，并如示于圖2地通過作為設置于對置基板20的四角的導通部的上下導通部26電連接于元件基板10側的布線。
[0058]覆蓋像素電極27的取向膜28及覆蓋對置電極31的取向膜32基于液晶裝置100的光學設計而選定。例如，可舉出利用氣相生長法使S1x (氧化娃)等的無機材料進行成膜，相對于具有負的介電各向異性的液晶分子基本垂直取向的無機取向膜。
[0059]如此的液晶裝置100為透射型，可采用不施加電壓時的像素P的透射率比電壓施加時的透射率大而成為亮顯示的常白模式和/或不施加電壓時的像素P的透射率比電壓施加時的透射率小而成為暗顯示的常黑模式的光學設計。可在光的入射側與出射側相應于光學設計分別配置使用偏振元件。
[0060]如示于圖4地，液晶裝置100至少具有在顯示區(qū)域E中互相絕緣且正交的多條掃描線3a及多條數(shù)據(jù)線6a和電容線3b。掃描線3a所延伸的方向為X方向，數(shù)據(jù)線6a所延伸的方向為Y方向。
[0061]設置掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a以及電容線3b、像素電極27、TFT30和作為電容的電容元件16，它們構成像素P的像素電路。
[0062]掃描線3a電連接于TFT30的柵，數(shù)據(jù)線6a電連接于TFT30的數(shù)據(jù)線側源漏區(qū)域(源區(qū)域)。像素電極27電連接于TFT30的像素電極側源漏區(qū)域(漏區(qū)域)。
[0063]數(shù)據(jù)線6a連接于數(shù)據(jù)線驅動電路22 (參照圖2)，將從數(shù)據(jù)線驅動電路22供給的圖像信號D1、D2、…、Dn供給于像素P。掃描線3a連接于掃描線驅動電路24(參照圖2)，將從掃描線驅動電路24供給的掃描信號SC1、SC2、…、SCm供給于各像素P。
[0064]從數(shù)據(jù)線驅動電路22供給于數(shù)據(jù)線6a的圖像信號D1、D2、…、Dn既可以按該順序以線依次進行供給，也可以對于彼此相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a按組進行供給。掃描線驅動電路24對于掃描線3a，以預定的定時供給掃描信號SCl?SCm。
[0065]液晶裝置100構成為:通過作為開關元件的TFT30通過掃描信號SCl?SCm的輸入以一定期間成為導通狀態(tài)，從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號Dl?Dn以預定的定時寫入于像素電極27。于是，介由像素電極27寫入于液晶層15的預定電平的圖像信號Dl?Dn在像素電極27與介由液晶層15對置配置的對置電極31之間保持一定期間。
[0066]用于防止保持的圖像信號Dl?Dn泄漏，與形成于像素電極27與對置電極31之間的液晶電容并聯(lián)地連接電容元件16。電容元件16設置于TFT30的像素電極側源漏區(qū)域與電容線3b之間。電容元件16在2個電容電極之間具有電介質(zhì)層。
[0067]圖5是將示于圖1的晶片的A部進行放大而示的放大俯視圖。圖6是表示示于圖5的液晶裝置的B部的結構的示意剖視圖。以下，參照圖5及圖6說明液晶裝置的構成。還有，圖6表示各構成要素的剖面性的位置關系，以可以明示的尺度表示。
[0068]示于圖5的液晶裝置100是表示液晶裝置100的顯示區(qū)域E與虛設像素區(qū)域El的邊界周邊的示意俯視圖。配置于顯示區(qū)域E的像素P配置為，與TFT30的漏區(qū)域連接的第I布線16al和連接于COM電位的第2布線16cl包圍像素P。
[0069]顯示區(qū)域E中與漏區(qū)域電連接的第I布線16al的面積和與COM電位電連接的第2布線16cl的面積如果以像素為單位看則基本相同?？墒牵?布線16cl在顯示區(qū)域縱向或橫向或者矩陣狀地連接且在虛設像素區(qū)域E及其周邊的Dr區(qū)域也以寬闊的面積配置的情況為多，與COM電位電連接的第2布線16cl的面積和與漏區(qū)域電連接的第I布線16al的面積相比較，極端地變寬。
[0070]如此地可知:在液晶裝置100中，相對于與漏區(qū)域電連接的第I布線16al的面積，連接于COM電位的第2布線16cl的面積變得非常地寬。由此，在制造液晶裝置100時累積的靜電大量地累積于COM電位側的第2布線16cl (具有大的寄生電容)。以下，關于液晶裝置100的剖面結構進行說明。
[0071]如示于圖6地，在第I基材a上，形成包含鈦(Ti)和/或鉻(Cr)等而構成的下側遮光膜3c。下側遮光膜3c平面性地圖形化為柵格狀，對各像素的開口區(qū)域進行限定。還有，下側遮光膜3c也可以使得作為掃描線3a的一部分而起作用。在第I基材1a及下側遮光膜3c上，形成包含氧化硅膜等而構成的襯底絕緣層11a。
[0072]在襯底絕緣層Ila上，形成TFT30及掃描線3a等。TFT30例如具有LDD (LightlyDoped Drain，輕摻雜漏)結構，具有包括多晶娃等而構成的半導體層30a、形成于半導體層30a上的柵絕緣膜Ilg和形成于柵絕緣膜Ilg上的包括多晶硅膜等而構成的柵電極30g。如所述地，掃描線3a也作為柵電極30g而起作用。
[0073]半導體層30a例如通過注入磷(P)離子等的N型的雜質(zhì)離子，作為N型的TFT30而形成。具體地，半導體層30a具備溝道區(qū)域30c、數(shù)據(jù)線側LDD區(qū)域30sl、數(shù)據(jù)線側源漏區(qū)域30s、像素電極側LDD區(qū)域30dl和像素電極側源漏區(qū)域30d。
[0074]在溝道區(qū)域30c，摻雜硼⑶離子等的P型的雜質(zhì)離子。在其他的區(qū)域(30s、30s、30dl、30d)，摻雜磷(P)離子等的N型的雜質(zhì)離子。如此地，TFT30作為N型的TFT而形成。
[0075]在柵電極30g、襯底絕緣層IIa及掃描線3a上，形成包含氧化硅膜等而構成的第I層間絕緣層lib。在第I層間絕緣層11b，俯視與半導體層30a的端部重疊的位置，設置2個接觸孔CNT41、CNT42。
[0076]具體地，通過填埋接觸孔CNT41及接觸孔CNT42并覆蓋第I層間絕緣層I Ib地采用AL(鋁)等的遮光性的導電部材料使導電膜進行成膜，并將其圖形化，形成介由接觸孔CNT42連接于像素電極側區(qū)域30d的中繼布線51。
[0077]中繼布線51與后述的數(shù)據(jù)線6a —起對TFT30進行遮光。而且，中繼布線51電連接TFT30及像素電極27間的一部分。
[0078]在中繼布線51上，覆蓋中繼布線51及第I層間絕緣層Ilb地，設置第2層間絕緣層11c。在第2層間絕緣層11c，平面性地與接觸孔CNT41的一部分重疊地設置接觸孔CNT43，進而，與中繼布線51的一部分重疊地設置接觸孔CNT44。
[0079]具體地，通過填埋接觸孔CNT43、CNT44并覆蓋第2層間絕緣層Ilc地，采用AL(鋁)等的遮光性的導電部材料使導電膜進行成膜，并將其圖形化，形成數(shù)據(jù)線6a、中繼布線52。
[0080]數(shù)據(jù)線6a介由開孔于第2層間絕緣層Ilc及第I層間絕緣層Ilb的接觸孔CNT43、CNT41，電連接于半導體層30a的數(shù)據(jù)線側源漏區(qū)域30s (源區(qū)域)。還有，也可以不在顯示區(qū)域內(nèi)的像素結構形成CNT43，而以CNT41側的中繼布線51為數(shù)據(jù)線，并以數(shù)據(jù)線6a為固定電位的屏蔽層。該情況下，也可以使CNT44也不形成于像素，而利用CNT45使中繼布線51與后述的第I電容電極16a相連接。
[0081]在數(shù)據(jù)線6a及中繼布線52上，覆蓋數(shù)據(jù)線6a、中繼布線52及第2層間絕緣層Ilc地，設置第3層間絕緣層lid。第3層間絕緣層Ild也可以包含例如硅的氧化物和/或氮化物而構成，實施使通過覆蓋TFT30等而產(chǎn)生的表面的凹凸平坦化的平坦化處理。作為平坦化處理的方法，例如可舉出化學機械拋光處理(Chemical Mechanical Polishing:CMP處理)和/或旋涂處理等。
[0082]在第3層間絕緣層Ild上，圖形化而設置構成電容元件16的第I電容電極16a。在第I電容電極16a上，圖形化而疊層構成電容元件16的電介質(zhì)膜16b。
[0083]作為電介質(zhì)膜16b，除了能夠采用氧化硅膜和/或氮化硅膜等的硅的化合物之外，還能夠采用氧化鋁膜、氧化鈦膜、氧化鉭膜、氧化鈮膜、氧化鉿膜、氧化鑭膜、氧化鋯膜等的高介電常數(shù)的電介質(zhì)層。
[0084]在電介質(zhì)膜16b的上層，圖形化而疊層構成電容元件16的第2電容電極16c。第2電容電極16c介由電介質(zhì)膜16b重疊于第I電容電極16a而配置，與第I電容電極16a及電介質(zhì)膜16b —起構成電容元件