Da大于該距離Dc。
[0073]請參照圖2A,顯示圖1所述的顯示裝置沿切線A-A’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。由圖2A可得知，在該第二線路區(qū)108b內(nèi)，該些信號線組110至少其中之一的該第一導(dǎo)線112可與該第二導(dǎo)線114重疊，以降低該第一導(dǎo)線112與該第二導(dǎo)線114投影于一水平面上的面積，增加走線區(qū)108的集成度。
[0074]仍請參照圖2A，該第一導(dǎo)線112可配置于該基板102之上。一介電層116配置于該基板102之上，并覆蓋該第一導(dǎo)線112。該第二導(dǎo)線114配置于該介電層116之上，且該信號線組110的該第一導(dǎo)線112與該第二導(dǎo)線114重疊。一保護(hù)層(passivat1n layer) 118配置于該介電層116之上，并覆蓋該第二導(dǎo)線114。其中，該基板102可為石英、玻璃、硅、金屬、塑膠、或陶瓷材料；該第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114的材質(zhì)可為單層或多層的金屬導(dǎo)電材料(例如:鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、金屬化合物導(dǎo)電材料(例如:包含鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、鎂(Mg)、或上述組合的化合物)、或其組合，且該第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114的材質(zhì)可為相同或不同；該介電層116的材質(zhì)可為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合；以及，該保護(hù)層118的材質(zhì)可為有機(jī)的絕緣材料(光感性樹脂)或無機(jī)的絕緣材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)，可用來隔絕第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114與空氣或水氣的接觸。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114具有傾斜的側(cè)壁，請參照圖2A，其中該側(cè)壁與一水平面的夾角介于約15度至90度之間，且該第一導(dǎo)線其側(cè)壁的傾斜幅度及該第二導(dǎo)線其側(cè)壁的傾斜幅度相同或不同。
[0075]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一導(dǎo)線112的線寬Wl可介于約2 μ m至10 μ m之間、該第二導(dǎo)線114的線寬W2可介于約2μπι至ΙΟμπι之間、且該第一導(dǎo)線112的線寬Wl與該第二導(dǎo)線114的線寬W2可為相同(如圖2Α所示)或是不同(如圖2Β所示)。換言之，該第一導(dǎo)線112的線寬Wl與該第二導(dǎo)線114的線寬W2的比值可介于I至5之間。舉例來說，請參照圖2Β，該第一導(dǎo)線112的線寬Wl可大于該第二導(dǎo)線114的線寬W2。此外，請參照圖2Α至圖2Β，第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114可完全重疊(即該第一導(dǎo)線112對于水平面的投影與該第二導(dǎo)線112對于水平面的投影完全重疊)。
[0076]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在該第二線路區(qū)108b內(nèi)任兩相鄰的該第一導(dǎo)線112相隔一距離(即在該第二線路區(qū)108b內(nèi)兩相鄰第一導(dǎo)線間最短的水平距離)D1，且在該第二線路區(qū)108b內(nèi)任兩相鄰的該第二導(dǎo)線114相隔一距離(即在該第二線路區(qū)108b內(nèi)兩相鄰第二導(dǎo)線間最短的水平距離)D2，其中該距離Dl可介于約2 μ m至30 μ m之間，而該距離D2可介于
2 μ m M 30 μ m 111]。
[0077]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在該第二線路區(qū)108b內(nèi)，該第一導(dǎo)線112的線寬Wl與該距離Dl的總和(W1+D1)等于該第二導(dǎo)線114的線寬W2與距離D2的總和(W2+D2)。此外，該距離Dl與該距離Dl及該第一導(dǎo)線112的線寬Wl的總和(W1+D1)的比值(Dl/(ffl+Dl))可介于0.1至0.66之間。當(dāng)該比值(D1/(W1+D1)大于或等于0.1時，有利于后續(xù)形成于該第二線路區(qū)108b之上的一框膠(未繪不)于一固合制作工藝(由基板102施一能量)中完全固合；而當(dāng)該比值(D1/(W1+D1)小于或等于0.66時，有利于該第二線路區(qū)108b內(nèi)導(dǎo)線集成度的提聞。
[0078]另一方面，該第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114重疊部分的寬度W3(該第一導(dǎo)線112對于水平面的投影與該第二導(dǎo)線112對于水平面的投影的最小重疊寬度)與該第一導(dǎo)線112的線寬Wl的比值可介于0.3至I之間。換言之，在該第二線路區(qū)108b內(nèi)，信號線組110的該第一導(dǎo)線112與該第二導(dǎo)線114可部分重疊(即該第一導(dǎo)線112對于水平面的投影與該第二導(dǎo)線112對于水平面的投影僅部分重疊)，如圖2C所示，此時該第一導(dǎo)線112的線寬W1、該第二導(dǎo)線114的線寬W2、及該第一導(dǎo)線112及該第二導(dǎo)線114重疊部分的寬度W3符合以下公式:
[0079](ffl+W2-W3)/ffl ^ I
[0080]請參照圖3，為本發(fā)明另一實(shí)施例所述的顯示裝置100的上視圖。該顯示裝置100，除了包含該顯示區(qū)104、該驅(qū)動單元106、及該走線區(qū)108外，可還包含一第一導(dǎo)電圈(conductive loop) 116,配置于基板102上且位于該顯示區(qū)104外側(cè)。如圖3所示,該第一導(dǎo)電圈116可配置于該基板102上，并環(huán)繞該顯示區(qū)104，并與該驅(qū)動單元106連接。該驅(qū)動單兀106可提供一電壓至該第一導(dǎo)電圈116,以使該第一導(dǎo)電圈116具有一參考電位。值得注意的是，該第一導(dǎo)電圈116于該走線區(qū)108會與該些信號線組110重疊，重疊部分可以由該第一導(dǎo)電圈116或該些信號線組110以其他導(dǎo)電層轉(zhuǎn)層來避免短路，在此不多加詳述。
[0081]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，至少部分該第一導(dǎo)電圈116由多個第一導(dǎo)電區(qū)塊202及多個第二導(dǎo)電區(qū)塊204所構(gòu)成，且該些第一導(dǎo)電區(qū)塊202與該些第二導(dǎo)電區(qū)塊204電連接，請參照圖4A，顯示圖3所述的顯示裝置100的沿第一導(dǎo)電圈116切線B-B’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，由多個第一導(dǎo)電區(qū)塊202及多個第二導(dǎo)電區(qū)塊204所構(gòu)成的該第一導(dǎo)電圈116，配置于該顯示區(qū)104與一第一軸X垂直的兩側(cè)(即與一第二軸Y平行的兩側(cè))，值得注意的是，本實(shí)施例由于平行第一軸X的兩側(cè)配置多條數(shù)據(jù)線(未繪示)，若將該第一導(dǎo)電圈116由多個第一導(dǎo)電區(qū)塊202及多個第二導(dǎo)電區(qū)塊204構(gòu)成較為不易,但并不以此為限。
[0082]由圖4A可得知，該多個第一導(dǎo)電區(qū)塊202可配置于該基板102上。一介電層206可配置于該基板102上，并覆蓋該些第一導(dǎo)電區(qū)塊202。該些第二導(dǎo)電區(qū)塊204可配置于該介電層206上。一保護(hù)層(passivat1n layer) 208可配置于該介電層206上，并覆蓋該些第二導(dǎo)電區(qū)塊204。此外，多個第一貫孔205貫穿該介電層206及該保護(hù)層208，露出該第一導(dǎo)電區(qū)塊202。多個第二貫孔207貫穿該保護(hù)層208，露出該第二導(dǎo)電區(qū)塊204。一導(dǎo)電層210，配置于該保護(hù)層208之上，并填入該第一貫孔205及該第二貫孔207，以使該些數(shù)個第一導(dǎo)電區(qū)塊202及該些第二導(dǎo)電區(qū)塊204通過該導(dǎo)電層210達(dá)成電性連結(jié)。
[0083]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一導(dǎo)電區(qū)塊202及第二導(dǎo)電區(qū)塊204的材質(zhì)可為單層或多層的金屬導(dǎo)電材料(例如:鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、金屬化合物導(dǎo)電材料(例如:包含鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、鎂(Mg)、或上述組合的化合物)、或其組合，且該第一導(dǎo)電區(qū)塊202及第二導(dǎo)電區(qū)塊204的材質(zhì)可為相同或不同。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該第一導(dǎo)電區(qū)塊202與該第一導(dǎo)線112可在相同制作工藝步驟中以相同材料形成 '及/或，該第二導(dǎo)電區(qū)塊204與該第二導(dǎo)線114可在相同制作工藝步驟中以相同材料形成。該介電層206的材質(zhì)可為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合，且該介電層206與該介電層116可在相同制作工藝步驟中以相同材料形成。該保護(hù)層208的材質(zhì)可為有機(jī)的絕緣材料(光感性樹脂)或無機(jī)的絕緣材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)，且該保護(hù)層208與該保護(hù)層118可在相同制作工藝步驟中以相同材料形成。此外，該導(dǎo)電層210可為一單層或多層的透明導(dǎo)電層，其材質(zhì)可例如為氧化銦錫(IT0、indium tin oxide)、氧化銦錯(ΙΖ0、indium zinc oxide)、氧化招錯(AZO、aluminum zinc oxide)、氧化錯(Zn0> zinc oxide)、二氧化錫(Sn02)、三氧化二銦(In2O3)、或上述的組合。
[0084]仍請參照圖4A，為避免在顯示裝置制作過程中，由于靜電累積而使顯示裝置100受損，該第一導(dǎo)電區(qū)塊202的長度LI可介于約10 μ m至10000 μ m之間，以及該第二導(dǎo)電區(qū)塊204的長度L2可介于約10 μ m至10000 μ m之間。此外，任兩相鄰第一導(dǎo)電區(qū)塊202以一距離D3彼此分隔、任兩相鄰第二導(dǎo)電區(qū)塊204以一距離D4彼此分隔、且任兩相鄰的第一導(dǎo)電區(qū)塊202及第二導(dǎo)電區(qū)塊204以一距離D5相隔。其中，該距離D3介于16 μ m至100 μ m之間、該距離D4介于16 μ m至100 μ m之間、以及該距離D5介于3 μ m至40 μ m之間。
[0085]根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，任兩相鄰的第一導(dǎo)電區(qū)塊202可直接通過該第二導(dǎo)電區(qū)塊204達(dá)成電連接。請參照圖4B，該多個第一導(dǎo)電區(qū)塊202配置于該基板102上。該介電層206配置于該基板102上，并覆蓋該些第一導(dǎo)電區(qū)塊202。多個第三貫孔209貫穿該介電層206，露出該第一導(dǎo)電區(qū)塊202。該些第二