02上方，從而覆蓋圖案化導(dǎo)電層的側(cè)壁。絕緣體層146可至少部分 地覆蓋隔堤層126和形成底部電極142、接地聯(lián)結(jié)線144、和/或接地環(huán)116的反射層。
[0048] 在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣體層146是使用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)諸如層合、旋涂、CVD、和PVD通 過均層沉積來形成的，然后使用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)諸如光刻來圖案化，W形成使底部電極142暴 露的開口、使接地聯(lián)結(jié)線144暴露的開口 149、和使接地環(huán)116暴露的開口 130。在一個(gè)實(shí) 施例中，可使用噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷來形成絕緣體層146和開口 149,而不需要光刻。絕緣 體層146可由多種材料諸如但不限于51〇2、51心?胃、8〔8、聚酷亞胺、丙締酸鹽、環(huán)氧樹脂、 和聚醋形成。例如，絕緣體層146可為0. 5ym厚。絕緣體層146在形成在隔堤開口 128內(nèi) 的底部電極142的側(cè)壁上的反射層上方的地方可W是透明的或半透明的，W便不會(huì)使完成 的系統(tǒng)的光發(fā)射提取顯著退化。絕緣體層146的厚度也可被控制W提高光提取效率，并且 在將發(fā)光器件陣列轉(zhuǎn)移到反射隔堤結(jié)構(gòu)期間還不會(huì)妨礙轉(zhuǎn)移頭陣列。如在下面的描述中將 變得更加顯而易見的那樣，圖案化絕緣體層146是任選的，并且代表用于對導(dǎo)電層進(jìn)行電 氣分隔的一種方式。
[0049] 在圖3B中所示的實(shí)施例中，底部電極142、接地聯(lián)結(jié)線144、和接地環(huán)116可由相 同導(dǎo)電層形成。在另一實(shí)施例中，接地聯(lián)結(jié)線144和/或接地環(huán)116可由與底部電極142 不同的導(dǎo)電材料形成。例如，接地聯(lián)結(jié)線14和接地環(huán)116可由具有比底部電極142更高的 傳導(dǎo)性的材料形成。在另一實(shí)施例中，接地聯(lián)結(jié)線14和/或接地環(huán)116也可形成在與底部 電極不同的層內(nèi)。圖3C-3D示出了其中接地聯(lián)結(jié)線144和接地環(huán)116可形成在圖案化隔堤 層126內(nèi)或下方的實(shí)施例。例如，在圖3C中所示的實(shí)施例中，開口 149, 130可在形成接地 聯(lián)結(jié)線144和接地環(huán)116時(shí)被形成通過圖案化隔堤層126。在圖3D中所示的實(shí)施例中，開 口 149, 130可被形成通過圖案化隔堤層126和平面化層122,W接觸可在形成TFT襯底102 的工作電路期間已形成的接地聯(lián)結(jié)線144和接地環(huán)116。在此類實(shí)施例中，用于形成底部 電極142的導(dǎo)電層還可任選地包括通孔開口層145和117,W進(jìn)一步使得頂部電極層還能 夠分別通過開口 149和130與接地聯(lián)結(jié)線144和接地環(huán)116形成電接觸。因此，應(yīng)當(dāng)理解， 圖3A-3D中所示的實(shí)施例不是限制性的，并且存在多種可能性來形成接地聯(lián)結(jié)線144和接 地環(huán)116、W及分別用于使接地聯(lián)結(jié)線144和/或接地環(huán)116暴露的開口 149, 130。
[0050] 仍然參考圖3B-3D中所示的實(shí)施例，鍵合層140可形成在底部電極層142上，W有 助于微型L邸器件的鍵合。在一個(gè)實(shí)施例中，鍵合層140被選擇是因?yàn)槠淠軌蛲ㄟ^鍵合機(jī) 制諸如如美國專利申請No. 13/749,647中所述的低共烙合金鍵合、瞬態(tài)液相鍵合、或固態(tài) 擴(kuò)散鍵合與微型L邸器件上的鍵合層（還要被放置）相互擴(kuò)散。在一個(gè)實(shí)施例中，鍵合層 140具有250°C或更低的烙融溫度。例如，鍵合層140可包括焊接材料諸如錫（232°C)或銅 (156. 7°C)或它們的合金。鍵合層140也可W是具有比寬度大的高度的柱形狀。根據(jù)本發(fā) 明的一些實(shí)施例，更高的鍵合層140可為系統(tǒng)部件找平諸如在微型L邸器件轉(zhuǎn)移操作期間 微型L邸器件陣列與TFT襯底的平面性W及為微型L邸器件的高度差異（該是由于在鍵合 期間、諸如在低共烙合金鍵合和瞬態(tài)液相鍵合期間，液化的鍵合層在擴(kuò)展在表面上方時(shí)的 高度變化）提供額外的自由度。鍵合層140的寬度可小于微型LED的底部表面的寬度，W 防止將鍵合層140巧吸在微型LED的側(cè)壁周圍W及短接量子阱結(jié)構(gòu)。
[0051] 在所示實(shí)施例中，接地聯(lián)結(jié)線144的布置在顯示面板100的像素區(qū)域104中的隔 堤開口 128之間延伸。此外，多個(gè)開口 149使該多個(gè)接地聯(lián)結(jié)線144暴露。開口 149的數(shù) 量與隔堤開口 128的列（頂部到底部）的數(shù)量可具有也可不具有1:1的關(guān)系。例如，在圖 3A中所示的實(shí)施例中，為每列隔堤開口 128形成一個(gè)接地聯(lián)結(jié)開口 149,然而該并不是必需 的，并且接地聯(lián)接開口 149的數(shù)量可比隔堤開口 128的列的數(shù)量更多或更少。同樣，接地聯(lián) 結(jié)線144的數(shù)量與隔堤開口的行（左到右）的數(shù)量可具有也可不具有1:1的關(guān)系。例如， 在所示實(shí)施例中，每兩行隔堤開口 128形成一個(gè)接地聯(lián)結(jié)線144,然而，該并不是必需的，并 且接地聯(lián)結(jié)線144的數(shù)量與隔堤開口 128的行的數(shù)量（n)可具有1:1的關(guān)系或者任何l:n 的關(guān)系。
[0化2] 雖然W上實(shí)施例已被描述和闡述為接地聯(lián)結(jié)線144在整個(gè)顯示面板100上水平地 左右延伸，但是實(shí)施例并不因此受到限制。在其他實(shí)施例中，接地聯(lián)結(jié)線可豎直地延伸、或 者既水平又豎直地延伸W形成柵格。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可想設(shè)想到多個(gè)可能的變型。已 經(jīng)觀察到，AMOL邸配置諸如先前參考圖1-2闡述和描述的那些配置的操作可能導(dǎo)致與來自 更接近接地環(huán)116的像素區(qū)域的邊緣處的子像素的發(fā)射相比，來自像素區(qū)域中屯、中的子像 素的更少的發(fā)射，在像素區(qū)域中屯、處，子像素更遠(yuǎn)離接地環(huán)116。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，接地 聯(lián)結(jié)線形成在像素區(qū)域中的隔堤開口 128之間，并電連接到非顯示區(qū)域中的接地環(huán)116或 接地線。該樣，接地信號(hào)可更均勻地施加到子像素矩陣，從而導(dǎo)致整個(gè)顯示面板100上的更 均勻的亮度。此外，通過由具有比（還要被形成的）頂部電極層更好電導(dǎo)率的材料來形成 接地聯(lián)結(jié)線144,該可減少電接地路徑中的接觸電阻。
[0053]圖4A-4H是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的將微型LED器件陣列轉(zhuǎn)移到TFT襯底102 的方法的橫截面?zhèn)纫晥D。參考圖4A，被轉(zhuǎn)移頭襯底300支撐的轉(zhuǎn)移頭302的陣列被定位在 支撐于承載襯底200上的微型L邸器件400的陣列上方。加熱器306和熱分配板304可 任選地被附接到轉(zhuǎn)移頭襯底300。加熱器204和熱分配板202可任選地被附接到承載襯底 200。該微型L邸器件400的陣列與該轉(zhuǎn)移頭302的陣列接觸，如圖4B中所示，并且被從承 載基底200拾取，如圖4C中所示。在一個(gè)實(shí)施例中，該微型L邸器件400的陣列是利用根 據(jù)靜電原理工作的轉(zhuǎn)移頭302的陣列（即，它們是靜電轉(zhuǎn)移頭）來拾取的。
[0化4] 圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的將微型L邸器件400保持在TFT襯底102上 方的轉(zhuǎn)移頭302的橫截面?zhèn)纫晥D。在所示實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移頭302由轉(zhuǎn)移頭襯底300支撐。 如上所述，加熱器306和熱分配板304可任選地被附接到轉(zhuǎn)移頭襯底，W將熱施加到轉(zhuǎn)移頭 302。加熱器152和熱分配板150還可，或者作為另外一種選擇，任選地被用于將熱轉(zhuǎn)移到 TFT襯底102上的鍵合層140和/或微型LED器件400上的任選鍵合層410,如下所述。 [0化5] 仍然參考圖4D，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例示出了示例性的微型L邸器件400的近距離視圖。 應(yīng)當(dāng)理解的是，所示的具體微型L邸器件400是示例性的，并且本發(fā)明的實(shí)施例并不受到限 審IJ。在所示的具體實(shí)施例中，微型L邸器件400包括微型p-n二極管450和底部導(dǎo)電觸點(diǎn) 420。鍵合層410可任選地形成在底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420的下方，其中底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420位于微 型p-n二極管450和鍵合層410之間。在一個(gè)實(shí)施例中，微型L邸器件400還包括頂部導(dǎo) 電觸點(diǎn)452。在一個(gè)實(shí)施例中，微型p-n二極管450包括頂部n滲雜層414、一個(gè)或多個(gè)量 子阱層416、和下部P滲雜層418。在其他實(shí)施例中，n滲雜層和P滲雜層的布置可W是對 調(diào)的。微型P-n二極管可構(gòu)造為具有直側(cè)壁或漸縮側(cè)壁。在某些實(shí)施例中，微型p-n二極 管450具有（從頂部到底部）向外漸縮側(cè)壁453。在某些實(shí)施例中，微型p-n二極管450具 有（從頂部到底部）向內(nèi)漸縮側(cè)壁。頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)452和底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420。例如，底部導(dǎo) 電觸點(diǎn)420可包括電極層和電極層和任選鍵合層410之間的阻隔層。頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)452和 底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420對于可見波長范圍（例如380nm- 750nm)可為透明的或者可W是不透明 的。頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)452和底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420可任選地包括反射層，諸如銀層。微型p-n二 極管和導(dǎo)電觸點(diǎn)可各自具有頂部表面、底部表面和側(cè)壁。在一個(gè)實(shí)施例中，微型p-n二極管 450的底部表面451比微型p-n二極管的頂部表面寬，并且側(cè)壁453從頂部到底部向外漸 縮。微型P-n二極管450的頂部表面可比p-n二極管的底部表面寬或基本上是相同寬度。 在一個(gè)實(shí)施例中，微型p-n二極管450的底部表面451比底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420的頂部表面寬。 微型p-n二極管的底部表面也可與底部導(dǎo)電觸點(diǎn)420的頂部表面具有基本上相同的寬度。 在一個(gè)實(shí)施例中，微型P-n二極管450為幾微米厚諸如3ym或5ym，導(dǎo)電觸點(diǎn)420, 452為 0.lym-2ym厚，并且任選鍵合層410為0.lym-lym厚。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)微型LED 器件400的最大寬度為1ym-100ym例如30ym、10ym、或5ym。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)微 型L邸器件400的最大寬度必須符合用于顯示面板的特定分辨率和PPI的隔堤開口128中 的可用空間。
[0化6]圖4E是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的將微型LED器件400的陣列保持在TFT襯底 102上方的轉(zhuǎn)移頭陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。圖4E與圖4D中所示的結(jié)構(gòu)基本類似，其中主要區(qū) 別是示出微型L邸器件陣列的轉(zhuǎn)移，而不是該微型L邸器件陣列內(nèi)的單個(gè)微型L邸器件的 轉(zhuǎn)移。
[0化7]現(xiàn)在參考圖4F，將TFT襯底102與該微型LED器件400的陣列接觸。在所示實(shí)施 例中，將TFT襯底102與該微型L邸器件400的陣列接觸包括將鍵合層140與每個(gè)相應(yīng)微型 LED器件的微型LED器件鍵合層410接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)微型LED器件鍵合層410 比對應(yīng)的鍵合層140寬。在一個(gè)實(shí)施例中，能量從靜電轉(zhuǎn)移頭組件并通過該微型L邸器件 400的陣列轉(zhuǎn)移，W將該微型LED器件400的陣列鍵合到TFT襯底102。例如，可轉(zhuǎn)移熱能 W有助于幾種類型的鍵合機(jī)制，諸如低共烙合金鍵合、瞬態(tài)液相鍵合、和固態(tài)擴(kuò)散鍵合。熱 能的轉(zhuǎn)移也可通過從靜電轉(zhuǎn)