具有接地聯(lián)結(jié)線的有源矩陣顯示面板的制作方法
【專利說(shuō)明】
[0001] 相關(guān)專利申請(qǐng)
[0002] 本專利申請(qǐng)是于2012年12月10日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No.13/710,443的部分 繼續(xù)申請(qǐng)，該專利申請(qǐng)W引用方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)及顯示系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)及有源矩陣顯示面 板的接地結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0004] 平板顯示器在大量電子設(shè)備中越來(lái)越流行。平板顯示器的常見(jiàn)類型包括有源矩陣 顯示器和無(wú)源矩陣顯示器。有源矩陣顯示面板中的每個(gè)像素由活動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)，而 無(wú)源矩陣顯示面板中的每個(gè)像素不使用此類驅(qū)動(dòng)電路。高分辨率彩色顯示面板諸如現(xiàn)代計(jì) 算機(jī)顯示器、智能電話和電視機(jī)通常使用有源矩陣顯示面板結(jié)構(gòu)W獲得更好的圖像質(zhì)量。
[0005] 正在尋求商業(yè)應(yīng)用的一種類型的顯示面板是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AM0LED) 顯示面板。圖1是示出頂部發(fā)光AM0LED顯示面板的頂視圖。圖2是示出圖1的沿像素區(qū)域 104中的線X-X和橫穿非像素區(qū)域中的接地環(huán)116的線Y-Y截取的橫截面?zhèn)纫晥D。圖1-2 中的所示AM0LED顯示面板100通常包括支撐像素區(qū)域104和像素區(qū)域102外的非像素區(qū) 域的薄膜晶體管（TFT)襯底102。TFT襯底102也被稱為背板。已被進(jìn)一步處理W附加包 括像素區(qū)域和非像素區(qū)域的TFT襯底也常被稱為背板。在AM0L邸中使用的兩種主要的TFT 襯底技術(shù)包括多晶娃（poly-Si)和非晶娃（a-Si)。該些技術(shù)提供了在低溫（低于200°C) 的情況下將有源矩陣背板直接制造到柔性塑性襯底上W用于制備柔性AM0L邸顯示器的可 能性。像素區(qū)域104通常包括布置成矩陣形式的像素106和子像素108、W及連接到每個(gè)子 像素W用于驅(qū)動(dòng)和切換子像素的一組TFT和電容器。非像素區(qū)域通常包括連接到每個(gè)子像 素的數(shù)據(jù)線W使得數(shù)據(jù)信號(hào)（Vdata)能夠被傳輸?shù)阶酉袼氐臄?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路110、連接到 子像素的掃描線W使得掃描信號(hào)（Vscan)能夠被傳輸?shù)阶酉袼氐膾呙栩?qū)動(dòng)器電路112、將 功率信號(hào)（Vdd)傳輸?shù)絋FT的電源線路114、和將接地信號(hào)（Vss)傳輸?shù)阶酉袼仃嚵械慕拥?環(huán)116。如圖所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路、掃描驅(qū)動(dòng)器電路、電源線路、和接地環(huán)都連接到柔性電 路板（FCB) 113，該柔性電路板包括用于向電源線路114供應(yīng)電力的電源W及電連接到接地 環(huán)116的電源接地線。
[0006] 在示例性AM0L邸背板配置中，有機(jī)薄膜120和頂部電極118被沉積在像素區(qū)域 104中的每個(gè)子像素108上方。有機(jī)薄膜120可包括多個(gè)層，諸如空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、和電子注入層。有機(jī)薄膜120的該多個(gè)層通常形成在整個(gè)像素區(qū)域 104上方，然而，發(fā)光層常借助于陰影掩模而只沉積在子像素開(kāi)口127內(nèi)W及與用于子像素 108的陣列的發(fā)射區(qū)域?qū)?yīng)的底部電極層124上。頂部電極層118然后在像素區(qū)域104內(nèi) 并且也在非像素區(qū)域內(nèi)被沉積在有機(jī)薄膜上方，使得頂部電極118層與接地環(huán)116重疊W 便將接地信號(hào)轉(zhuǎn)移到子像素陣列。該樣，在統(tǒng)一的接地信號(hào)被供應(yīng)到像素區(qū)域104的頂部 的情況下，子像素108中的每個(gè)子像素可利用對(duì)應(yīng)的下面的TFT電路來(lái)單獨(dú)尋址。
[0007] 在所示的特定具體實(shí)施中，TFT襯底102包括連接到來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路110的 數(shù)據(jù)線111的開(kāi)關(guān)晶體管T1W及連接到與電源線路114相連的電力線115的驅(qū)動(dòng)晶體管T2。開(kāi)關(guān)晶體管T1的柵極也可連接到來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)器電路112的掃描線（未示出）。平面 化層122形成在TFT襯底上方，并且開(kāi)口被形成W使TFT工作電路暴露。如圖所示，底部電 極層124形成在與TFT電路電連接的平面化層上。在形成電極層之后形成像素限定層125， 該像素限定層包括與用于子像素108的陣列的發(fā)射區(qū)域?qū)?yīng)的子像素開(kāi)口 127的陣列，然 后將有機(jī)層120和頂部電極層118沉積在圖案化的像素限定層上方并且沉積在圖案化的像 素限定層125的子像素開(kāi)口 127內(nèi)。此外，頂部電極層118被形成在非像素區(qū)域中并且與 接地環(huán)116電連接。
[000引平面化層122可用于防止（或保護(hù)）有機(jī)層120和底部電極層124(免受）由于 臺(tái)階差而導(dǎo)致的短接。示例性平面化層122材料包括苯并環(huán)了締炬CB)和丙締酸。像素限 定層125可由材料諸如聚酷亞胺形成。底部電極124常常形成在氧化銅錫（口0)、ITO/Ag、 ITO/AgATO、ITO/Ag/氧化銅鋒（IZO)、或口0/Ag合金^TO上。頂部電極層118由透明材 料諸如IT0形成W實(shí)現(xiàn)頂部發(fā)光。
[0009] 雖然AM0LED顯示面板通常消耗比液晶顯示器（LCD)面板更少的電力，但AM0LED 顯示面板仍然可能是電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備中主要的電力消耗者。為了延長(zhǎng)電池壽命，有必要減 少顯示面板的功率消耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明描述了一種顯示面板和一種形成該顯示面板的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，顯 示面板包括TFT襯底，該TFT襯底包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域。例如，非像素區(qū)域可圍繞像 素區(qū)域。該顯示區(qū)域包括隔堤開(kāi)口陣列和該隔堤開(kāi)口陣列內(nèi)的底部電極陣列。該底部電極 陣列可形成在對(duì)應(yīng)的隔堤開(kāi)口陣列的側(cè)壁上，并且可對(duì)于可見(jiàn)波長(zhǎng)是反射性的。在一個(gè)實(shí) 施例中，在每個(gè)隔堤開(kāi)口內(nèi)的底部電極上形成焊接材料柱，W便有助于將微型L邸器件鍵 合到底部電極。接地線形成在非像素區(qū)域中，并且接地聯(lián)結(jié)線陣列在像素區(qū)域中的隔堤開(kāi) 口之間延伸并且電連接到非像素區(qū)域中的接地線。在一個(gè)實(shí)施例中，接地線是接地環(huán)，并且 該接地聯(lián)結(jié)線陣列在像素區(qū)域的相對(duì)側(cè)電連接到接地環(huán)。
[0011] 在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化的絕緣體層覆蓋該底部電極陣列，并且開(kāi)口陣列形成在 圖案化的絕緣體中，從而使底部電極陣列暴露。該樣，圖案化的絕緣體層可覆蓋該底部電極 陣列的邊緣。另一開(kāi)口陣列也可形成在圖案化絕緣體層中，從而使接地聯(lián)結(jié)線陣列暴露。
[0012] 在一個(gè)實(shí)施例中，微型L邸器件陣列在對(duì)應(yīng)的隔堤開(kāi)口陣列內(nèi)的底部電極陣列 上。例如，微型L邸器件可W是豎直的微型L邸器件，并且可具有1ym- 100ym的最大寬 度。透明純化層可被形成，從而跨越微型L邸器件陣列的側(cè)壁，而不完全覆蓋每個(gè)微型LED 器件的頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，頂部電極層陣列形成在微型L邸器件陣列和接地 聯(lián)結(jié)線陣列上方并與該微型L邸器件陣列和接地聯(lián)結(jié)線陣列電接觸。例如，每個(gè)頂部電極 層可將多個(gè)微型L邸器件電連接到單個(gè)接地聯(lián)結(jié)線。頂部電極層也可由透明或半透明材料 諸如P邸0T或IT0形成。在另一實(shí)施例中，頂部電極層形成在微型L邸器件陣列和接地聯(lián) 結(jié)線陣列上方并通過(guò)使該接地聯(lián)結(jié)線陣列暴露的開(kāi)口陣列而與該微型L邸器件陣列和接 地聯(lián)結(jié)線陣列電接觸。
[0013] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種形成顯示面板的方法包括將微型L邸器件陣列從承載襯底 轉(zhuǎn)移到背板，該背板包括TFT襯底，該TFT襯底具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域，其中該像素區(qū) 域包括隔堤開(kāi)口陣列和該隔堤開(kāi)口陣列內(nèi)的底部電極陣列。TFT襯底還包括非像素區(qū)域中 的接地線、W及在像素區(qū)域中的隔堤開(kāi)口之間延伸并且電連接到非像素區(qū)域中的接地線的 接地聯(lián)結(jié)線陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，頂部電極層被沉積在該微型L邸器件陣列中的所有微 型L邸器件上方。在一個(gè)實(shí)施例中，頂部電極層跨越多個(gè)微型L邸器件。頂部電極層可附 加地通過(guò)噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷來(lái)形成。例如，多個(gè)獨(dú)立的電極層可被噴墨印刷，其中每個(gè)獨(dú) 立的頂部電極層跨越微型L邸器件中的至少一個(gè)微型L邸器件和接地聯(lián)結(jié)線中的至少一個(gè) 接地聯(lián)結(jié)線。噴墨印刷還可包括在一個(gè)或多個(gè)接地聯(lián)結(jié)線上方的開(kāi)口內(nèi)形成頂部電極層。
[0014] 在一個(gè)實(shí)施例中，微型L邸器件陣列的轉(zhuǎn)移是W靜電原理使用靜電轉(zhuǎn)移頭陣列來(lái) 執(zhí)行的。此外，微型L邸器件陣列的鍵合可包括形成金屬間化合物，并且可包括使形成在底 部電極陣列上的鍵合層陣列液化。鍵合和液化可部分地通過(guò)將熱能從靜電轉(zhuǎn)移頭陣列轉(zhuǎn)移 到形成在底部電極陣列上的鍵合層陣列來(lái)實(shí)現(xiàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1是示出頂部發(fā)光AMOL邸顯示面板的頂視圖。
[0016] 圖2是示出圖1的頂部發(fā)光AMOLED顯示面板的沿線X-X和Y-Y截取的側(cè)視圖。
[0017] 圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有源矩陣顯示面板的頂視圖。
[001引圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖3A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y截取的側(cè)視圖。
[0019] 圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖3A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y 截取的側(cè)視圖，其中接地聯(lián)結(jié)線和接地環(huán)形成在圖案化隔堤層內(nèi)。
[0020] 圖3D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖3A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y 截取的側(cè)視圖，其中接地聯(lián)結(jié)線和接地環(huán)形成在圖案化隔堤層下方。
[0021] 圖4A-4H是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的將微型LED器件陣列轉(zhuǎn)移到TFT襯底的方 法的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0022] 圖5A-5C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的轉(zhuǎn)移發(fā)出不同顏色的微型L邸器件陣列的 序列的頂視圖。
[0023] 圖6A是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的在形成頂部電極層之后的有源矩陣顯示面板的頂 視圖。
[0024] 圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖6A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y 截取的側(cè)視圖。
[0025] 圖6C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖6A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y 截取的側(cè)視圖，其示出了形成在圖案化隔堤層上的純化層。
[0026] 圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在形成頂部電極層之后的有源矩陣顯示面板的 頂視圖。
[0027] 圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖7A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y 截取的側(cè)視圖。
[002引圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在形成獨(dú)立的頂部電極層之后的有源矩陣顯示 面板的頂視圖。
[0029] 圖8B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖8A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X和Y-Y