截取的側(cè)視圖。
[0030] 圖8C是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的劃刻的頂部電極層的頂部示意圖。
[0031] 圖9A是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括接地聯(lián)結(jié)線的頂部發(fā)光AMOL邸顯示面板 的頂視圖。
[0032] 圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖9A的頂部發(fā)光AMOL邸顯示面板的沿線X-X 和Y-Y截取的側(cè)視圖。
[0033] 圖9C是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括接地聯(lián)結(jié)線的頂部發(fā)光AMOLED顯示面板 的頂視圖。
[0034] 圖9D是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖9C的頂部發(fā)光AMOL邸顯示面板的沿線X-X 和Y-Y截取的側(cè)視圖。
[0035] 圖10是根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種顯示系統(tǒng)的示意圖。
【具體實施方式】
[0036] 本發(fā)明的實施例設(shè)及顯示系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明的實施例設(shè)及有源矩陣顯示面 板的接地結(jié)構(gòu)。
[0037] 在一個實施例中，有源矩陣顯示面板包括在顯示面板的像素區(qū)域中的隔堤開口之 間延伸的接地聯(lián)結(jié)線的布置。頂部電極層可被沉積在隔堤開口內(nèi)的所有L邸上方并且與接 地聯(lián)結(jié)線電接觸，或者獨(dú)立的多個頂部電極層可被沉積在隔堤開口內(nèi)的一個或多個L邸上 方并與一個或多個接地聯(lián)結(jié)線電接觸。在一個方面，接地聯(lián)結(jié)線的布置可更均勻地將接地 信號分配到顯示面板上的L邸陣列，從而在整個面板上提供更均勻的光發(fā)射。在另一方面， 接地聯(lián)結(jié)線的布置使得能夠通過減小從L邸到接地線的電氣路徑中的接觸電阻來降低顯 示面板的功率消耗，其中通過將頂部電極層連接到電導(dǎo)率比頂部電極層高的接地聯(lián)結(jié)線來 減小通過頂部電極層的電氣路徑的距離。
[003引在另一方面，本發(fā)明的實施例描述了一種包括基于晶圓的發(fā)射型微型L邸器件的 有源矩陣顯示面板。微型L邸器件將基于晶圓的L邸器件的性能、效率、和可靠性與用于形 成AMOL邸背板的薄膜電子器件的高產(chǎn)出、低成本、混合材料相結(jié)合。如本文所使用的術(shù)語 "微型"器件或"微型"L邸結(jié)構(gòu)可指根據(jù)本發(fā)明的實施例的某些器件或結(jié)構(gòu)的描述性尺寸。 如本文所用，術(shù)語"微型"器件或結(jié)構(gòu)是指1ym到100ym的尺度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的 實施例未必受此限制，并且實施例的特定方面可適用于更大和可能更小的尺度。在一個實 施例中，顯示面板與典型的0L邸顯示面板類似，其中微型L邸器件已替代了每個子像素中 的0L邸顯示面板的有機(jī)層。可與本發(fā)明的一些實施例一起使用的示例性微型L邸器件在美 國專利申請No. 13/372, 222、美國專利申請No. 13/436, 260、美國專利申請No. 13/458,932、 美國專利申請No. 13/711，554、和美國專利申請No. 13/749,647中有所描述，所有該些專利 申請均W引用方式并入本文。微型L邸器件在光發(fā)射方面是高效的，并且與10英寸對角 LCD或0L邸顯示器消耗5瓦-10瓦的功率相比消耗非常少的功率（例如，對于10英寸對角 顯示器，消耗250mW)，從而使得能夠降低顯示面板的功率消耗。
[0039] 在各種實施例中，參照附圖進(jìn)行描述。然而，某些實施例可在不存在該些具體細(xì)節(jié) 中的一個或多個具體細(xì)節(jié)或者與其他已知方法和配置相結(jié)合的情況下實施。在W下描述 中，示出來許多具體細(xì)節(jié)諸如特定配置、尺寸和工藝等W提供對本發(fā)明的徹底理解。在其他 情況下，未對熟知的半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)進(jìn)行特別詳細(xì)的描述，W免不必要地模糊本發(fā) 明。整個說明書中所提到的"一個實施例"是指結(jié)合實施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、配置 或特性包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。因此，整個說明書中多處出現(xiàn)短語"在一個實施 例中"不一定是指本發(fā)明的相同實施例。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)、配置或特性可W任何適當(dāng)?shù)?方式結(jié)合在一個或多個實施例中。
[0040] 本文所使用的術(shù)語"跨越"、"在...上方"、"到"、"在...之間"和"在...上"可指 一個層相對于其他層的相對位置。"跨越"另一層、"在"另一層"上方"或"在"另一層"上" 或者鍵合"到"另一層或與另一層"接觸"的一個層可與其他層直接接觸，或者可具有一個 或多個中間層。多層"之間"的一個層可與該多層直接接觸或可具有一個或多個中間層。
[0041] 現(xiàn)在參考圖3A-3B來示出一個實施例，其中類似于AMOLED背板的背板被修改W接 收發(fā)射型微型L邸器件而不接收有機(jī)發(fā)射層。圖3A是示出根據(jù)一個實施例的有源矩陣顯 示面板的頂視圖，圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖3A的有源矩陣顯示面板的沿線X-X 和Y-Y截取的側(cè)視圖。在此類實施例中，下面的TFT襯底102可類似于參考圖1-2所述的 典型AMOL邸背板中的那些背板，該TFT襯底包括工作電路（例如T1、T2)和平面化層122。 開口 131可形成在平面化層122中W接觸工作電路。工作電路可包括具有開關(guān)晶體管、驅(qū)動 晶體管、和存儲電容器的傳統(tǒng)2T1C(兩個晶體管、一個電容器）電路。應(yīng)當(dāng)理解，2T1C電路 旨在是示例性的，并且根據(jù)本發(fā)明的實施例設(shè)想到了其他類型的電路或傳統(tǒng)2T1C電路的 修改形式。例如，可使用更復(fù)雜的電路來補(bǔ)償驅(qū)動器晶體管和發(fā)光器件的過程變化或者它 們的不穩(wěn)定性。此外，雖然本發(fā)明的實施例是參考TFT襯底102中的頂部柵極晶體管結(jié)構(gòu)來 進(jìn)行描述和闡釋的，但本發(fā)明的實施例也設(shè)想到了使用底部柵極晶體管結(jié)構(gòu)。同樣，雖然本 發(fā)明的實施例是參考頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述和闡述的，但本發(fā)明的實施例也設(shè)想到了使用 底部發(fā)光、或者頂部和底部都發(fā)光的結(jié)構(gòu)。此外，下文中具體參考包括接地聯(lián)結(jié)線和接地環(huán) 的高側(cè)驅(qū)動配置來對本發(fā)明的實施例進(jìn)行描述和闡述。在高側(cè)驅(qū)動配置中，L邸可在PMOS 驅(qū)動器晶體管的漏極側(cè)或者在NMOS驅(qū)動器晶體管的源極側(cè)，使得電路將電流推動通過LED 的P端。本發(fā)明的實施例并不因此受到限制，也可W低側(cè)驅(qū)動配置來實施，在該低側(cè)驅(qū)動配 置的情況下，接地聯(lián)結(jié)線和接地環(huán)成為面板中的電力線，并且電流被牽拉通過L邸的n端。
[0042] 具有隔堤開口 148的圖案化隔堤層126隨后形成在平面化層122上方。隔堤層126 可通過多種技術(shù)諸如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、層合、旋涂、CVD、和PVD形成。隔堤層126對于可 見波長可W是不透明的、透明的、或半透明的。隔堤層126可由多種絕緣材料形成，諸如但 不限于光可限定丙締酸、光致抗蝕劑、氧化娃（Si化）、氮化娃（SiNx)、聚（甲基丙締酸甲醋） (PMMA)、苯并環(huán)了締炬CB)、聚酷亞胺、丙締酸鹽、環(huán)氧樹脂、和聚醋。在一個實施例中，隔堤 層由不透明材料諸如黑色矩陣材料形成。示例性絕緣黑色矩陣材料包括有機(jī)樹脂、玻璃漿 料、和包含黑色顏料、金屬顆粒（諸如鑲、侶、鋼、W及它們的合金）、金屬氧化物顆粒（例如 =氧化二銘）、或金屬氮化物顆粒（例如氮化銘）的樹脂或漿料。
[0043] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考下面的附圖所述的隔堤層126的厚度和隔堤開口128 的寬度可取決于要安裝在開口內(nèi)的微型L邸器件的高度、轉(zhuǎn)移微型L邸器件的轉(zhuǎn)移頭的高 度、w及分辨率。在一個實施例中，顯示面板的分辨率、像素密度、和子像素密度可解釋隔堤 開口 128的寬度。對于具有40PPI(每英寸的像素數(shù)量）和211ym子像素間距的示例性55 英寸電視機(jī)，隔堤開口 128的寬度可從幾微米到206ymW解釋圍繞隔堤結(jié)構(gòu)。對于具有 440PPI和19ym子像素間距的示例性顯示面板，隔堤開口 128的寬度可從幾微米到14ym W解釋示例性的Sum寬的圍繞隔堤結(jié)構(gòu)。隔堤結(jié)構(gòu)（即隔堤開口 128之間）的寬度可為 任何適當(dāng)?shù)某叽?，只要該結(jié)構(gòu)支持所需的工藝并且能擴(kuò)展到所要求的PPI。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，隔堤層126的厚度不太厚，W便隔堤結(jié)構(gòu)發(fā)揮功能。厚度可 由微型L邸器件高度和預(yù)先確定的視角來確定。例如，在隔堤開口128的側(cè)壁與平面化層 122成一角度的情況下，更小的角度可與系統(tǒng)的更寬的視角相關(guān)。在一個實施例中，隔堤層 126的示例性厚度可在1ym- 50ym之間。
[0045] 圖案化導(dǎo)電層然后形成在圖案化隔堤層126上方。參考圖3B，在一個實施例中，圖 案化導(dǎo)電層包括形成在隔堤開口 148內(nèi)并與工作電路電接觸的底部電極142。圖案化導(dǎo)電 層還可任選地包括接地聯(lián)結(jié)線144和/或接地環(huán)116。如本文所使用的，術(shù)語接地"環(huán)"并 不要求圓形圖案、或者完全包圍對象的圖案。相反，術(shù)語接地"環(huán)"是指在=個側(cè)至少部分 地包圍像素區(qū)域的圖案。此外，雖然下面的實施例是參考接地環(huán)116來進(jìn)行描述和闡述的， 但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實施例也可利用沿像素區(qū)域的一側(cè)（例如左側(cè)、右側(cè)、底側(cè)、頂側(cè)）、 或兩側(cè)（左側(cè)、右側(cè)、底側(cè)、頂側(cè)中的兩者的組合）延伸的接地線來實施。因此，應(yīng)當(dāng)理解， 在下面的描述中，在系統(tǒng)要求準(zhǔn)許的情況下，對接地環(huán)的引用和闡述可能潛在地利用接地 線來替代。
[0046] 圖案化導(dǎo)電層可由多個導(dǎo)電和反射材料形成，并且可包括多于一個層。在一個實 施例中，圖案化導(dǎo)電層包括金屬膜諸如侶、鋼、鐵、鐵鶴、銀、或金、或它們的合金。圖案化導(dǎo) 電層可包括導(dǎo)電材料諸如非晶娃、透明導(dǎo)電氧化物（TCO)諸如氧化銅錫（ITO)和氧化銅鋒 (IZO)、碳納米管膜、或透明導(dǎo)電聚合物諸如聚化4-亞己二氧基唾吩）（P邸OT)、聚苯胺、聚 己訣、聚化咯、和聚唾吩。在一個實施例中，圖案化導(dǎo)電層包括導(dǎo)電材料和反射導(dǎo)電材料的 疊層。在一個實施例中，圖案化導(dǎo)電層包括具有頂層和底層W及反射中間層的3層疊層， 其中頂層和底層中的一者或兩者是透明的。在一個實施例中，圖案化導(dǎo)電層包括導(dǎo)電氧化 物-反射金屬-導(dǎo)電氧化物的3層疊層。導(dǎo)電氧化物層可W是透明的。例如，圖案化導(dǎo)電層 可包括口0-銀-ITO層疊層。在此類配置中，頂部口0層和底部口0層可防止反射金屬（銀） 層的擴(kuò)散和/或氧化。在一個實施例中，圖案化導(dǎo)電層包括Ti-A^Ti疊層、或Mo-Al-Mo-ITO 疊層。在一個實施例中，圖案化導(dǎo)電層包括口O-Ti-A^Ti-ITO疊層。在一個實施例中，圖 案化導(dǎo)電層的厚度為lym或更薄。圖案化導(dǎo)電層可使用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)諸如但不限于PVD來 沉積。
[0047] 在形成底部電極142、接地聯(lián)結(jié)線144、和接地環(huán)116之后，絕緣體層146然后任選 地被形成在TFT襯底1