像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de,有機發(fā)光二極管)為自發(fā)光材料,不需用到背光板,同時視角廣、畫質(zhì)均勻、反應(yīng)速度快、較易彩色化、用簡單驅(qū)動電路即可達到發(fā)光、制程簡單、可制作成撓曲式面板,符合輕薄短小的原則,因此OLED的應(yīng)用范圍涵蓋各尺寸面板。
[0003]OLED的壽命一直是各大廠商關(guān)注的重點,OLED本身在發(fā)光過程中發(fā)生老化,導致亮度降低,其中老化機理有OLED器件中的缺陷,OLED自身材料劣化等多種,在實驗中發(fā)現(xiàn)OLED發(fā)光后,再次加載反向壓差,可以起到延長OLED壽命的效果?,F(xiàn)有的AMOLED(Active-matrix organic light emitting d1de,有源矩陣有機發(fā)光二極管)像素驅(qū)動電路設(shè)計中,少有針對OLED器件本身老化進行優(yōu)化的像素驅(qū)動電路。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中不存在針對OLED器件本身老化進行優(yōu)化的像素驅(qū)動電路從而導致OLED器件壽命短的問題。
[0005]為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路,用于驅(qū)動發(fā)光二極管0LED,包括驅(qū)動晶體管、存儲電容和數(shù)據(jù)寫入單元;所述驅(qū)動晶體管,柵極通過所述數(shù)據(jù)寫入單元接入數(shù)據(jù)電壓,第一極與所述OLED的陰極連接,第二極接地;所述存儲電容連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述驅(qū)動晶體管的第一極之間;所述OLED的陽極接入驅(qū)動電壓;所述數(shù)據(jù)寫入單元接入第η行掃描信號,用于在所述第η行掃描信號有效時將所述數(shù)據(jù)電壓寫入所述驅(qū)動晶體管的柵極;
[0006]所述像素驅(qū)動電路還包括:
[0007]反向控制單元,接入第η-2行掃描信號,并與所述OLED的陰極連接,用于在所述第η-2行掃描信號有效時,控制所述OLED的陰極接入所述第η_2行掃描信號;所述第η_2行掃描信號的電壓大于所述驅(qū)動電壓,η為大于2的整數(shù)。
[0008]實施時,所述反向控制單元包括:反向控制晶體管,柵極和第一極接入所述第η-2行掃描信號,第二極與所述OLED的陰極連接。
[0009]實施時,本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路還包括:
[0010]關(guān)斷控制單元,接入第η-1行掃描信號,并分別與所述OLED的陽極和所述OLED的陰極連接,用于在所述第η-1行掃描信號有效時控制導通所述OLED的陽極與所述OLED的陰極之間的連接。
[0011]實施時,所述關(guān)斷控制單元包括:
[0012]關(guān)斷控制晶體管,柵極接入所述第η-1行掃描信號,第一極與所述OLED的陽極連接,第二極與所述OLED的陰極連接。
[0013]本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法,用于驅(qū)動上述的像素驅(qū)動電路,所述驅(qū)動方法包括:
[0014]當所述第η-2行掃描信號有效時,控制OLED的陰極接入所述第η_2行掃描信號;所述第η-2行掃描信號的電壓大于所述驅(qū)動電壓,η為大于2的整數(shù);
[0015]當所述第η行掃描信號有效時,數(shù)據(jù)電壓寫入單元控制將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動晶體管的柵極。
[0016]實施時,本發(fā)明所述的驅(qū)動方法還包括:
[0017]當?shù)讦?1行掃描信號有效時,關(guān)斷控制單元控制導通所述OLED的陽極與所述OLED的陰極之間的連接。
[0018]本發(fā)明還提供了一種移位寄存器,包括N級上述的像素驅(qū)動電路,N為大于2的整數(shù);
[0019]第η級像素驅(qū)動電路分別接入第η行掃描信號和第η-2行掃描信號,η為大于2而小于或等于N的整數(shù)。
[0020]實施時,第η級像素驅(qū)動電路還接入第η-1行掃描信號。
[0021]本發(fā)明還提供了一種顯示面板,包括上述的移位寄存器。
[0022]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法、移位寄存器、顯示面板和裝置,在一幀畫面顯示的最后時刻在OLED兩端加載反向壓差,可以防止OLED器件的老化,起到延長OLED壽命的效果。
【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明一實施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0025]圖2是本發(fā)明另一實施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0026]圖3是本發(fā)明又一實施例所述的像素驅(qū)動電路的電路圖;
[0027]圖4是本發(fā)明再一實施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0028]圖5是本發(fā)明一具體實施例所述的像素驅(qū)動電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0029]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0030]本發(fā)明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實施例中,為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極,將其中第一極可以為源極或漏極,第二極可以為漏極或源極。此外,按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為η型晶體管或P型晶體管。在本發(fā)明實施例提供的驅(qū)動電路中,所有晶體管均是以η型晶體管為例進行的說明,可以想到的是在采用P型晶體管實現(xiàn)時是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下輕易想到的,因此也是在本發(fā)明的實施例保護范圍內(nèi)的。
[0031]如圖1所示,本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路,用于驅(qū)動發(fā)光二極管OLED,包括驅(qū)動晶體管M1、存儲電容Cs和數(shù)據(jù)寫入單元10 ;
[0032]所述驅(qū)動晶體管Ml,柵極通過所述數(shù)據(jù)寫入單元10接入數(shù)據(jù)電壓Vdata,第一極與所述OLED的陰極連接,第二極與地端GND連接;
[0033]所述存儲電容Cs連接于所述驅(qū)動晶體管Ml的柵極與所述驅(qū)動晶體管Ml的第一極之間;
[0034]所述OLED的陽極接入驅(qū)動電壓Vdd ;
[0035]所述數(shù)據(jù)寫入單元10接入第η行掃描信號Vscan (η),用于在所述第η行掃描信號Vscan (η)有效時將所述數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入所述驅(qū)動晶體管Ml的柵極;
[0036]所述像素驅(qū)動電路還包括:
[0037]反向控制單元11,接入第η-2行掃描信號Vscan (η-2),并與所述OLED的陰極連接,用于在所述第η-2行掃描信號Vscan(η-2)有效時,控制所述OLED的陰極接入所述第η-2行掃描信號Vscan(η-2),使得所述OLED兩端加載反向壓差;所述第η_2行掃描信號Vscan (η-2)的電壓大于所述驅(qū)動電壓Vdd,η為大于2的整數(shù)。
[0038]在如圖1所示的像素驅(qū)動電路的實施例中,所述驅(qū)動晶體管Ml為η型TFT(ThinFilm Transistor,薄膜晶體管),在實際操作時,所述驅(qū)動晶體管Ml也可以替換為p型TFT,晶體管的類型更換為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知,在此不再贅述。
[0039]本發(fā)明如圖1所示的實施例所述的像素驅(qū)動電路通過采用反向控制單元,以控制在一幀畫面顯示的最后時刻在OLED兩端加載反向壓差,同時OLED關(guān)斷不發(fā)光,可以在利用現(xiàn)有的掃描信號,無需增加新的控制信號的前提下對OLED器件本身的老化進行優(yōu)化,延緩OLED亮度衰減,起到延長OLED壽命的效果。
[0040]具體的,如圖2所示,所述反向控制單元11可以包括:反向控制晶體管M2,柵極和第一極接入所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2),第二極與所述OLED的陰極連接;
[0041]在如圖2所示的實施例中,所述反向控制晶體管M2為η型TFT,在實際操作時,所述反向控制晶體管M2也可以替換為P型TFT,只需相應(yīng)的第η-2行掃描信號Vscan (η-2)的極性變化即可,晶體管的類型更換為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知,在此不再贅述;
[0042]當所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2)有效時,即所述第η_2行掃描信號Vscan(η-2)為高電平時,所述反向控制晶體管M2導通,使得所述OLED的陰極接入所述第η-2行掃描信號Vscan (η-2),由于所述第η_2行掃描信號Vscan (η-2)的電壓大于所述驅(qū)動電壓Vdd,所以此時所述OLED兩端加載反向壓差,同時OLED關(guān)斷不發(fā)光,以對OLED的老化進行優(yōu)化,延緩OLED亮度衰減,延長OLED的壽命。
[0043]在具體實施時,如圖3所示,所述數(shù)據(jù)寫入單元10可以包括數(shù)據(jù)寫