像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和一種顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)涉及顯示器件領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和一種顯示裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示因具有高亮度、高 發(fā)光效率、寬視角和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，近年來被人們廣泛研宄，并迅速應(yīng)用到新一代的顯示當(dāng) 中。OLED顯示的驅(qū)動(dòng)方式可以為無源矩陣驅(qū)動(dòng)（Passive Matrix 0LED，PM0LED)和有源矩 陣驅(qū)動(dòng)（Active Matrix OLED，AM0LED)兩種。無源矩陣驅(qū)動(dòng)雖然成本低廉，但是存在交叉 串?dāng)_現(xiàn)象不能實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示，且無源矩陣驅(qū)動(dòng)電流大，降低了 OLED的使用壽命。相 比之下，有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式在每個(gè)像素上設(shè)置數(shù)目不同的晶體管作為電流源，避免了交叉 串?dāng)_，所需的驅(qū)動(dòng)電流較小，功耗較低，使OLED的壽命增加，可以實(shí)現(xiàn)高分辨的顯示，同時(shí)， 有源矩陣驅(qū)動(dòng)更容易滿足大面積和高灰度級(jí)顯示的需要。
[0003] 傳統(tǒng)AMOLED的像素電路是簡(jiǎn)單的兩薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Thin Film Transistor， TFT)結(jié)構(gòu)，如圖1所示，這種電路雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是不能補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Tl和OLED閾值 電壓漂移或因 TFT器件采用多晶材料制成而導(dǎo)致面板各處TFT器件的閾值電壓不均勻性。 當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tl閾值電壓、OLED閾值電壓發(fā)生漂移或在面板上各處的值不一致時(shí)，驅(qū)動(dòng)電 流1：?就會(huì)改變，并且面板上不同的像素因偏置電壓的不同漂移情況也不一樣，這樣就會(huì)造 成面板顯示的不均勻性。
[0004] 因此，就目前來說，為了解決TFT器件的Vth不均勻或者漂移帶來的問題，不管 AMOLED的像素電路采用的工藝是多晶硅（poly-Si)技術(shù)、非晶硅（a-Si)技術(shù)還是氧化物半 導(dǎo)體技術(shù)，其在構(gòu)成像素電路時(shí)都需要提供V th補(bǔ)償機(jī)制。目前提出的在像素點(diǎn)內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)償 的方法主要分為電流型和電壓型兩種。電流型像素電路的補(bǔ)償精度比較高，但是需要一個(gè) 比較長的建立時(shí)間，特別是在小電流并且數(shù)據(jù)線上具有很大的寄生電容的情況下。這一點(diǎn) 嚴(yán)重地限制了電流型像素電路在大面積、高分辨率顯示器中的應(yīng)用。電壓型像素電路補(bǔ)償 精度沒有電流型像素電路的高，且電路結(jié)構(gòu)或/和驅(qū)動(dòng)信號(hào)一般相對(duì)復(fù)雜，但驅(qū)動(dòng)速度快。 如何更好地感應(yīng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tl閾值電壓的不均與性或者漂移并對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)償，以減少閾 值電壓所造成的顯示不均勻成為亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和一種顯示裝置，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾 值電壓的不均勻性或者閾值電壓漂移。
[0006] 根據(jù)本申請(qǐng)的第一方面，一種實(shí)施例中提供一種像素電路，用于布置在按第一方 向排列的用于提供掃描信號(hào)的掃描線和按第二方向排列的用于提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線之 間，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光元件、存儲(chǔ)電容、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶 體管和第六晶體管，其中，
[0007] 驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極耦合至第二晶體管的控制極，驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極耦合至發(fā) 光元件的第二端；驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極用于耦合至第一電平端，發(fā)光元件的第一端用于耦 合至第二電平端；存儲(chǔ)電容的第一端耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，存儲(chǔ)電容的第二端耦合 至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；第二晶體管的第一極耦合至第三晶體管的第二極，第二晶體管的 第二極耦合至第六晶體管的第一極；第三晶體管的第一極耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極，第 三晶體管的控制極用于耦合至掃描線；第四晶體管的控制極用于耦合至掃描線，第四晶體 管的第一極用于耦合至數(shù)據(jù)線，第四晶體管的第二極耦合至第六晶體管的第一極；第五晶 體管的第一極耦合至第二晶體管的第一極，第五晶體管的第二極耦合至第二晶體管的控制 極，第五晶體管的控制極用于耦合至掃描線；第六晶體管的控制極用于耦合至掃描線，第六 晶體管的第二極耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極。
[0008] 根據(jù)第二方面，一種實(shí)施例中提供一種顯示裝置，包括：
[0009] 像素電路矩陣，所述像素電路矩陣包括排列成η行m列矩陣的上述像素電路，所述 η和m為大于0的整數(shù)；柵極驅(qū)動(dòng)電路，用于產(chǎn)生掃描脈沖信號(hào)，并通過沿第一方向形成的 各行掃描線向像素電路提供掃描控制信號(hào)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用于產(chǎn)生代表灰度信息的數(shù)據(jù) 電壓信號(hào)，并通過沿第二方向形成的各數(shù)據(jù)線向像素電路提供數(shù)據(jù)信號(hào)；控制器，用于向柵 極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路提供控制時(shí)序。
[0010] 根據(jù)第三方面，一種實(shí)施例中提供一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法，像素電路的每一驅(qū)動(dòng) 周期包括初始化階段、編程階段和發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)方法包括：
[0011] 在初始化階段，第三晶體管和第五晶體管導(dǎo)通，初始化第二晶體管各電極電位；在 編程階段，第四晶體管導(dǎo)通，第四晶體管傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；第二晶體管根據(jù)其閾值電壓和數(shù)據(jù) 信號(hào)的電位調(diào)整其控制極電位并存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容，第二晶體管控制極電位包括數(shù)據(jù)信號(hào)和 第二晶體管的閾值電壓信息，第二晶體管的閾值電壓能夠表征驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；在 發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)存儲(chǔ)電容兩端的壓差驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，并驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0012] 依據(jù)上述實(shí)施例的像素電路，由于第二晶體管的控制極耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制 極，二者所處像素電路中的位置臨近，第二晶體管能夠鏡像驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，又由于 二者各端所受應(yīng)力情況相同，所以第二晶體管能夠鏡像驅(qū)動(dòng)閾值電壓的漂移情況。存儲(chǔ)電 容可以存儲(chǔ)該閾值電壓，從而能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，繼而可以緩解因驅(qū)動(dòng)晶體 管閾值電壓不均勻或者閾值電壓漂移而造成的顯示裝置顯示不均勻的問題。
【附圖說明】
[0013] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一公開的一種像素電路結(jié)構(gòu)圖；
[0015] 圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例一像素電路的一種工作時(shí)序圖；
[0016] 圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例二公開的一種像素電路結(jié)構(gòu)圖；
[0017] 圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例二像素電路的一種工作時(shí)序圖；
[0018] 圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例三公開的一種像素電路結(jié)構(gòu)圖；
[0019] 圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例三像素電路的一種工作時(shí)序圖；
[0020] 圖8為一種實(shí)施例中提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面通過【具體實(shí)施方式】結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0022] 首先對(duì)一些術(shù)語進(jìn)行說明：本申請(qǐng)中的晶體管可以是任何結(jié)構(gòu)的晶體管，比如雙 極型晶體管（BJT)或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET)。當(dāng)晶體管為雙極型晶體管時(shí)，其控制極是指雙 極型晶體管的基極，第一極可以為雙極型晶體管的集電極或發(fā)射極，對(duì)應(yīng)的第二極可以為 雙極型晶體管的發(fā)射極或集電極，在實(shí)際應(yīng)用過程中，"發(fā)射極"和"集電極"可以依據(jù)信號(hào) 流向而互換；當(dāng)晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，其控制極是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，第一極可以 為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極或源極，對(duì)應(yīng)的第二極可以為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極或漏極，在實(shí)際 應(yīng)用過程中，"源極"和"漏極"可以依據(jù)信號(hào)流向而互換。顯示器中的晶體管通常為一種場(chǎng) 效應(yīng)晶體管：薄膜晶體管（TFT)。下面以晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例對(duì)本申請(qǐng)做詳細(xì)的說 明，在其它實(shí)施例中晶體管也可以是雙極型晶體管。
[0023] 發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED)，在其它實(shí) 施例中，也可以是其它發(fā)光元件。發(fā)光元件的第一端可以是陰極或陽極，相應(yīng)地，則發(fā)光元 件的第二端為陽極或陰極。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：電流應(yīng)從發(fā)光元件的陽極流向陰極， 因此，基于電流的流向，可以確定發(fā)光元件的陽極和陰極。
[0024] 交疊是指兩路信號(hào)至少在某一相同時(shí)刻都處于有效電平狀態(tài)，因此，不交疊為兩 路信號(hào)沒有共同處于有效電平狀態(tài)的時(shí)刻。
[0025] 有效電平可以是高電平，也可以是低電平，在本實(shí)施例中，在不作特別說明的情況 下，有效電平為高電平。
[0026] 第一電平端和第二電平端是為像素電路工作所提供的電源兩端。在一種實(shí)施例 中，第一電平端可以為高電平端V DD，第二電平端為低電平端Vss或地線，在其它實(shí)施例中，也 可以作適應(yīng)性地置換。需要說明的是：對(duì)于像素電路而言，第一電平端（例如高電平端V dd) 和第二電平端（例如低電平端Vss)并非本申請(qǐng)像素電路的一部分，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員 更好地理解本申請(qǐng)的技術(shù)方案，而特別引入第一電平端和第二電平端予以描述。
[0027] 需要說明的是，為了描述方便，也為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更清楚地理解本申請(qǐng)的 技術(shù)方案，本申請(qǐng)文件中引入第一節(jié)點(diǎn)A、第二節(jié)點(diǎn)B和第三節(jié)點(diǎn)C對(duì)電路結(jié)構(gòu)相關(guān)部分進(jìn) 行標(biāo)識(shí)，不能認(rèn)定為電路中額外引入的端子。
[0028] 實(shí)施例一：
[0029] 請(qǐng)參考圖2,為本實(shí)施例公開的一種像素電路結(jié)構(gòu)圖，該像素電路用于布置在按第 一方向排列的用于提供掃描信號(hào)的掃描線和按第二方向排列的用于提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù) 線之間，在本實(shí)施例中，第一電平端為低電平端V ss或地線，第二電平端為高電平端V DD，該像 素電路包括：驅(qū)動(dòng)晶體管T1、發(fā)光元件0LED、存儲(chǔ)電容Cs、第二晶體管T2、第三晶體管T3、 第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6,其中，
[0030] 驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的控制極耦合至第二晶體管T2的控制極，如圖2所示，耦合節(jié)點(diǎn)為 第一節(jié)點(diǎn)A ;驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的第二極耦合至發(fā)光元件OLED的第二端；發(fā)光元件OLED的第 一端用于耦合至高電平端VDD，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的第一極用于耦合至低電平端V ss。在本實(shí)施 例中，發(fā)光元件OLED的第一端為陽極，第二端為陰極。
[0031] 存儲(chǔ)電容Cs的第一端耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的控制極，存儲(chǔ)電容Cs的第二端耦合 至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的第一極。
[0032] 第二晶體管T2的第一極耦合至第三晶體管T3的第二極，如圖2所示，耦合節(jié)點(diǎn)為 第三節(jié)點(diǎn)C ;第二晶體管Τ2的第二極耦合至第六晶體管Τ6的第一極，如圖2所示，耦合節(jié) 點(diǎn)為第二節(jié)點(diǎn)Β。
[0033] 第三晶體管Τ3的第一極耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的第二極，第三晶體管Τ3的控制極 用于耦合至掃描線。
[0034] 第四晶體管T4的控制極用于耦合至掃描線，第四晶體管T4的第