本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控面板已廣泛用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能電話、公共信息、智能家電、工業(yè)控制等眾多領(lǐng)域，為了實(shí)現(xiàn)觸控面板的觸控性能，位于觸控面板的平坦層上的公共電極層一般包括多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊以感應(yīng)觸控信號(hào)，在該公共電極層的制備過(guò)程中，先在平坦層上沉積ito薄膜層，然后通過(guò)光刻工藝形成間隔設(shè)置的多個(gè)公共電極塊，但是在成膜過(guò)程中，ito會(huì)附著在平坦層的過(guò)孔中且難以清除，使得位于過(guò)孔兩側(cè)且相鄰的公共電極塊會(huì)被過(guò)孔中附著的ito連接在一起，進(jìn)而使得觸控面板在使用時(shí)，該相鄰的公共電極塊出現(xiàn)短路現(xiàn)象，從而導(dǎo)致顯示異常。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要是提供一種陣列基板及顯示面板，旨在解決公共電極塊因?yàn)檫^(guò)孔而導(dǎo)致短路的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括依次層疊的平坦層及公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊，所述平坦層設(shè)有貫穿所述平坦層的過(guò)孔；其中，所述公共電極塊在所述平坦層上的投影與所述過(guò)孔間隔設(shè)置。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板包括間隔設(shè)置的第一基板及第二基板，所述第二基板包括依次層疊的平坦層及公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊，所述平坦層設(shè)有貫穿所述平坦層的過(guò)孔；其中，所述公共電極塊在所述平坦層上的投影與所述過(guò)孔間隔設(shè)置。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過(guò)公共電極層的公共電極塊在平坦層上的投影與平坦層的過(guò)孔間隔設(shè)置，使得在制備多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊的公共電極層時(shí)，位于過(guò)孔兩側(cè)且相鄰的公共電極塊不會(huì)因?yàn)橹苽溥^(guò)程中附著在過(guò)孔內(nèi)的電極材料而導(dǎo)致電連接，避免了相鄰的公共電極塊發(fā)生短路現(xiàn)象而造成的顯示異常。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明提供的陣列基板第一實(shí)施例的截面示意圖；

圖2是圖1中公共電極層與平坦層的俯視示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的陣列基板第二實(shí)施例的俯視示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明提供的顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所提供的一種陣列基板及顯示面板做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

參閱圖1，本發(fā)明提供的陣列基板第一實(shí)施例包括依次層疊設(shè)置的平坦層11及公共電極層12。

其中，平坦層11設(shè)有貫穿平坦層11的過(guò)孔111。

公共電極層12包括多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊121，可選的，在本實(shí)施例中，公共電極塊121的數(shù)量為18×30。

其中，公共電極塊121在平坦層11上的投影與過(guò)孔111間隔設(shè)置。

如圖1所示，相鄰的兩個(gè)公共電極塊121分別位于過(guò)孔111的左右兩側(cè)，左右兩側(cè)的公共電極塊121靠近過(guò)孔111的一側(cè)分別與過(guò)孔111相應(yīng)的邊緣間隔設(shè)置，可選的，在其他實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)公共電極塊121也可以是其中一個(gè)靠近過(guò)孔111的一側(cè)與過(guò)孔111的邊緣間隔設(shè)置，另一個(gè)靠近過(guò)孔111的一側(cè)與過(guò)孔111的邊緣相重合。

在實(shí)際制備的過(guò)程中，可在平坦層11上沉積一層電極材料層，此時(shí)，平坦層11的過(guò)孔111中會(huì)在沉積過(guò)程中附著有電極材料，然后通過(guò)光刻工藝將該電極材料層分割成多個(gè)電極材料塊，且在該光刻工藝的蝕刻過(guò)程中，使得形成的電極材料塊在平坦層11上的投影與過(guò)孔111間隔設(shè)置，進(jìn)而使得即使過(guò)孔111中附著有電極材料，本實(shí)施例中的陣列基板在實(shí)際使用的過(guò)程中，與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)電極材料塊也不會(huì)因?yàn)檫^(guò)孔111中附著的電極材料而導(dǎo)致電連接，避免了與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)電極材料塊出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，也即保證了上述的與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)公共電極塊121不會(huì)出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。

可選的，該電極材料為ito。

參閱圖2，本實(shí)施例中的陣列基板包括顯示區(qū)101及非顯示區(qū)102，過(guò)孔111包括第一過(guò)孔1111，第一過(guò)孔1111設(shè)置于位于顯示區(qū)101的平坦層11。

可以理解的，本實(shí)施例中的過(guò)孔111僅設(shè)置于位于顯示區(qū)101的平坦層11，而位于非顯示區(qū)102的平坦層11沒(méi)有過(guò)孔111。

進(jìn)一步參閱圖1，本實(shí)施例的陣列基板還包括分別位于平坦層11上下兩側(cè)的像素電極層13及半導(dǎo)體層14。

進(jìn)一步地，像素電極層13與公共電極層12層疊設(shè)置，且像素電極層13與公共電極層之間還設(shè)置有絕緣層15。

其中，像素電極層13通過(guò)過(guò)孔111延伸至半導(dǎo)體層14以與半導(dǎo)體層14電連接。

在實(shí)際制備的過(guò)程中，可在絕緣層15上以及過(guò)孔111中沉積電極材料，以在絕緣層15上形成電極材料層作為像素電極層15，該像素電極層15通過(guò)過(guò)孔111中的電極材料與半導(dǎo)體層14電連接。

可選的，該電極材料為ito。

參閱圖3，本發(fā)明提供的陣列基板第二實(shí)施例中的過(guò)孔211還包括第二過(guò)孔2112。

其中，第二過(guò)孔2112設(shè)置于陣列基板的非顯示區(qū)202的平坦層21。

可以理解的，本實(shí)施例中的過(guò)孔211包括第一過(guò)孔2111與第二過(guò)孔2112，第一過(guò)孔2111與上述第一實(shí)施例相同，設(shè)置于陣列基板的顯示區(qū)201的平坦層21，第二過(guò)孔2112設(shè)置于陣列基板的非顯示區(qū)202的平坦層21。

本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)及原理與上述第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。

共同參閱圖1、圖2及圖4，本發(fā)明提供的顯示面板第一實(shí)施例包括間隔設(shè)置的第一基板30及第二基板31，其中，本實(shí)施例中的第二基板與上述陣列基板第一實(shí)施例中的陣列基板相同。

具體地，第二基板31包括依次層疊設(shè)置的平坦層11及公共電極層12。

其中，平坦層11設(shè)有貫穿平坦層11的過(guò)孔111。

公共電極層12包括多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊121，可選的，在本實(shí)施例中，公共電極塊121的數(shù)量為18×30。

其中，公共電極塊121在平坦層11上的投影與過(guò)孔111間隔設(shè)置。

如圖1所示，相鄰的兩個(gè)公共電極塊121分別位于過(guò)孔111的左右兩側(cè)，左右兩側(cè)的公共電極塊121靠近過(guò)孔111的一側(cè)分別與過(guò)孔111相應(yīng)的邊緣間隔設(shè)置，可選的，在其他實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)公共電極塊121也可以是其中一個(gè)靠近過(guò)孔111的一側(cè)與過(guò)孔111的邊緣間隔設(shè)置，另一個(gè)靠近過(guò)孔111的一側(cè)與過(guò)孔111的邊緣相重合。

在實(shí)際制備的過(guò)程中，可在平坦層11上沉積一層電極材料層，此時(shí)，平坦層11的過(guò)孔111中會(huì)在沉積過(guò)程中附著有電極材料，然后通過(guò)光刻工藝將該電極材料層分割成多個(gè)電極材料塊，且在該光刻工藝的蝕刻過(guò)程中，使得形成的電極材料塊在平坦層11上的投影與過(guò)孔111間隔設(shè)置，進(jìn)而使得即使過(guò)孔111中附著有電極材料，本實(shí)施例中的陣列基板在實(shí)際使用的過(guò)程中，與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)電極材料塊也不會(huì)因?yàn)檫^(guò)孔111中附著的電極材料而導(dǎo)致電連接，避免了與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)電極材料塊出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，也即保證了上述的與過(guò)孔111相鄰的兩個(gè)公共電極塊121不會(huì)出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。

可選的，該電極材料為ito。

進(jìn)一步參閱圖2，本實(shí)施例中的陣列基板包括顯示區(qū)101及非顯示區(qū)102，過(guò)孔111包括第一過(guò)孔1111，第一過(guò)孔1111設(shè)置于顯示區(qū)101的平坦層11。

可以理解的，本實(shí)施例中的過(guò)孔111僅設(shè)置于位于顯示區(qū)101的平坦層11，而位于非顯示區(qū)102的平坦層11沒(méi)有過(guò)孔111。

進(jìn)一步參閱圖1，本實(shí)施例的陣列基板還包括分別位于平坦層11上下兩側(cè)的像素電極層13及半導(dǎo)體層14。

進(jìn)一步地，像素電極層13與公共電極層12層疊設(shè)置，且像素電極層13與公共電極層之間還設(shè)置有絕緣層15。

其中，像素電極層13通過(guò)過(guò)孔111延伸至半導(dǎo)體層14以與半導(dǎo)體層14電連接。

在實(shí)際制備的過(guò)程中，可在絕緣層15上以及過(guò)孔111中沉積電極材料，以在絕緣層15上形成電極材料層作為像素電極層15，該像素電極層15通過(guò)過(guò)孔111中的電極材料與半導(dǎo)體層14電連接。

可選的，該電極材料為ito。

共同參與圖3及圖5，本發(fā)明提供的顯示面板第二實(shí)施例包括第一基板40及第二基板41，其中，第二基板41與上述陣列基板第二實(shí)施例中的陣列基板相同。

具體地，平坦層21中的過(guò)孔211還包括第二過(guò)孔2112。

其中，第二過(guò)孔2112設(shè)置于陣列基板的非顯示區(qū)202的平坦層21。

可以理解的，本實(shí)施例中的過(guò)孔211包括第一過(guò)孔2111與第二過(guò)孔2112，第一過(guò)孔2111與上述第一實(shí)施例相同，設(shè)置于陣列基板的顯示區(qū)201的平坦層21，第二過(guò)孔2112設(shè)置于陣列基板的非顯示區(qū)202的平坦層21。

本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)及原理與上述顯示面板第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過(guò)公共電極層的公共電極塊在平坦層上的投影與平坦層的過(guò)孔間隔設(shè)置，使得在制備多個(gè)間隔設(shè)置的公共電極塊的公共電極層時(shí)，相鄰的公共電極塊不會(huì)因?yàn)橹苽溥^(guò)程中附著在過(guò)孔內(nèi)的電極材料而導(dǎo)致電連接，避免了相鄰的公共電極塊發(fā)生短路的現(xiàn)象而造成的顯示異常。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。